CN101443863A - 电感性组件和用于制造电感性组件的方法 - Google Patents

电感性组件和用于制造电感性组件的方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种用于制造电感性组件的方法，该电感性组件由多个层构建，其中实施以下步骤：a)在第一非磁性介电陶瓷层(5；5a至5h)上设置导电材料(511至514；521至524)作为组件(I，II，III，IV)的绕组；b)在非磁性介电陶瓷层(5；5a至5h)中构建至少一个连续的凹部(53，53’，53”，53”’)；c)将第一磁性陶瓷层(6)设置在非磁性介电陶瓷层(5；5a至5h)的上侧上，以及将第二磁性陶瓷层(7)设置在非磁性介电陶瓷层(5；5a至5h)的下侧上；以及d)执行如下工艺步骤，其中使磁性陶瓷层(6，7)中的至少一个塑性变形，使得这两个磁性陶瓷层(6，7)在凹部(53，53’，53”，53”’)的区域中接触并且构建组件(I，II，III，IV)的磁芯。本发明还涉及这种电感性组件。

Description

电感性组件和用于制造电感性组件的方法
技术领域
本发明涉及一种用于制造电感性组件的方法，该电感性组件由多个层构建。此外，本发明还涉及这种电感性组件。
背景技术
静态的磁装置(例如变压器和感应器)是电路的重要元件，这些元件设计用于存储和转换能量，用于阻抗匹配，用于滤波，用于抑制电磁干扰辐射，或者也用于电压转换或电流转换。此外，这些组件也是谐振电路的重要部件。电感性组件基于通过初级电流产生交变磁场，该交变磁场在它那方面感应次级电流。在高频情况下，因此这些组件能够以可接受的紧凑性和效率无需磁性材料地通过合适地设置电流路径来制造。对于小型化，相对于线缠绕的、相对成本高的部件，部分平面的绕组证明是合适的，这些绕组可以集成到由有机材料或者陶瓷材料构成的、传统的多层电路支承体中。特别地，在此要提及的是广泛使用的由FR4材料构成的电路支承体或者LTCC(低温共烧陶瓷)技术。在这种技术中，未被烧结的陶瓷生片通过使用金属填充的、导电的糊料以冲压和丝网印刷方法设置有通孔敷镀和平面的线路结构，并且随后在堆叠中被一同烧结。在此形成可热负荷的、损耗少的、气密的衬底，这些衬底可以以传统方式进一步装备。
针对在功率电子电路中的低通滤波器以及电流和电压变换的广泛应用领域，由于低频率，需要基于磁性材料的、具有改进的磁耦合的组件，这些组件可以增强磁通量和将其成形。对此，市面上可以获得由铁氧体陶瓷构成的线圈芯和变压器芯的多种变形，它们可以事后借助金属夹固定在所提及的平面的电路支承体上。
确保了在使用中成本低廉的制造的、完全的单片解决方案由于对于材料技术和工艺技术的深入要求而尚不能成立。在此的一个问题点是，铁氧体的磁效率、即材料的导磁性借助陶瓷技术的提高根据经验伴随着其电阻系数的降低以及由此在变压器的初级侧和次级侧之间的重要的直流隔离。为了对抗这一点，原理上可以设计的是，将引导电流的线圈嵌入到低导磁性的良好绝缘的材料中。在线缠绕的组件中，这对应于线绝缘和空气。
一方面具有高导磁性而另一方面具有线圈的良好绝缘的两个空间区域在图1中的基本形式中被示出。在那里示出了环形芯1，其一方面被初级绕组2围绕而另一方面被次级绕组3围绕。在图2中示出了另一基本的扩展方案。在那里设置了两个环形芯1a和1b，它们在水平方向上并排设置，其中两个环形芯1a和1b通过水平彼此叠置的初级绕组2和次级绕组3围绕。
在图3中示出了在根据图2的视图的初级绕组2的平面中的截面图。在此，在虚线的结构中可以看出绕组2，其围绕铁氧体芯的中央区域11，该铁氧体芯通过环形芯1a和1b形成。通过环形芯1a和1b形成了电感性组件的铁氧体芯。在截面图中得到的垂直的铁氧体边通过在上侧和下侧上的铁氧体盖层闭合为这些环形芯1a和1b。绕组2和3以及环形芯1a和1b被嵌入电介质4中。
在图4中示出了另一截面图，其示出了在具有五个垂直的、由铁氧体材料构成的边的盆形芯(Topfkern)上的近似。边的特征是中央区域11和垂直的外部边1a、1b、1c和1d。在此，该装置也嵌入到绝缘的介电媒质中。
US 5,349,743公开了一种基于LTCC技术制造单片集成的平面变压器的方法。在图1和2中所示的基本结构在此通过将在较高的电阻系数时具有低导磁性的材料和在较低的电阻系数时具有较高导磁性的材料结合。这两种材料的组合通过在一种材料的薄片中冲制开口，用另一材料的薄片块或者薄片堆叠填充这些开口并且随后共同烧结来实现。这种镶嵌细工工艺(Intarsien-Prozess)本身在良好地彼此协调的材料中是费事的且容易出错，并且由此也较昂贵，因为必须处理接头(Stoss)上的薄片。
此外，US 6,198,374公开了一种基于传统的LTCC技术的方法。在该方法中，仅仅使用了一种薄片类型，即由最合适的铁氧体构成的薄片，以将印制导线压印到其上。它们随后例如通过丝网印刷被以非磁性的介电材料涂敷。由此，应当减少在绕组的线圈的环境中有效的导磁性以及基于场线的泄露的漏电感。此外，由此应当改进线圈之间的电绝缘。不利的是，不能将在线圈的区域中的附加材料层选择为任意厚以避免应力撕裂。特别地，在功率电子学应用中，印制导线本身已经尽可能厚地布设，以便降低电阻损耗。由此已公开的方法只提供受限的效用。
发明内容
因此，本发明的任务是，提出一种方法，借助该方法可以低开销地制造具有高的耐压性的电感性组件。此外，还有任务是实现这种电感性组件。
该任务通过具有根据权利要求1所述的特征的方法以及具有根据权利要求20的特征的电感性组件来解决。
在根据本发明的用于制造电感性组件的方法中，该电感性组件由多个层构建。在此，在第一非磁性介电陶瓷层上设置导电材料作为组件的线圈或绕组。此外，在非磁性介电陶瓷层中构建至少一个连续的凹部。第一磁性陶瓷层或者相应的层堆叠设置在该非磁性介电陶瓷层的上侧上。分离的第二磁性陶瓷层或者相应的层堆叠设置在非磁性介电陶瓷层的下侧上。这样实现的电感性组件的中间状态随后至少经历另一工艺步骤，其中将至少一个磁性陶瓷层塑性变形，使得两个磁性陶瓷层在凹部的区域中接触并且构建组件的磁芯。通过该方法，可以以低开销的并且由此也成本低廉的方式产生电感性组件。在此，电感性组件能够以电感性组件的线圈或绕组之间的优化的耐压性来产生。工艺步骤的顺序并未通过上述列举而固定。特别地，两个开头所提及的步骤也可以以相反的顺序执行。
优选的是，导电的材料嵌入或压印到非磁性介电陶瓷层中。非磁性介电陶瓷层和磁性陶瓷层优选作为薄片提供。
在陶瓷层的平面中的凹部的尺寸构建得比陶瓷层的厚度大。
与现有技术相比，线圈或绕组由此优选以常规方式嵌入到非磁性介电陶瓷层中或者至少被压印在那里。经验表明，对于多种应用，5至10的层数足够，并且由此得到整个电感性组件的数百微米的材料厚度。为了能够实现磁性通孔敷镀(Durchkontaktierung)，设计了至少一个带有优选冲压的开口的非磁性介电陶瓷层，与多层的材料厚度相比，这些开口的尺寸较大。例如在此可以设计的是，凹部具有1mm至3mm之间的直径，优选为大约2mm的直径。
优选的是，随后优选分别将至少一个封闭的、由铁氧体构成的盖薄片以有利的方式层压到该非磁性介电陶瓷层的上侧和下侧上。
在此可以设计的是，将这些磁性陶瓷层直接施加到导电材料上，并且由此施加到连接物或绕组上以及施加到非磁性介电陶瓷层的上侧和下侧上。也可以设计的是，线圈或绕组通过另一非磁性介电陶瓷层覆盖，并且由此基本上被非磁性介电材料完全围绕。在该扩展方案中，未设计与磁性陶瓷层的直接连接。
有利的是，用于将至少一个磁性陶瓷层塑性变形的工艺步骤作为烧结工艺实施。进行该烧结工艺使得优选为铁氧体薄片的磁性陶瓷层通过由于玻璃部分的软化导致的塑性变形而在非磁性介电陶瓷层的凹部中心地彼此靠置。优选的是，两个磁性陶瓷层在该烧结工艺中变形。由此，实际上可以产生具有足够大的横截面的磁性通孔，该通孔使磁通量闭合。通过磁性陶瓷层，由此能够以优化的方式构建组件的磁芯。
有利的是，可以在该烧结工艺中将涂层施加到磁性陶瓷层上，该涂层设置用于支持该陶瓷层的变形。通过这种涂层，可以位置准确地进行变形，并且可以改进磁性陶瓷层进入凹部内的变形以及由此也改进两个磁性陶瓷层的接触。两个磁性陶瓷层之间的接触面由此可以构建得尽可能大。
优选的是，堆叠多个非磁性介电层，其中在每个非磁性介电陶瓷层中构建至少一个凹部，并且非磁性介电陶瓷层彼此叠置，使得这些凹部至少局部交叠。优选的是，在非磁性介电陶瓷层中的凹部构建为相对于至少第二非磁性介电陶瓷层的凹部具有不同的尺寸。非磁性介电陶瓷层随后优选被堆叠，使得至少局部变细地构建穿过所有非磁性介电陶瓷层的连续的凹部。优选的是，在这样制造的、带有多个非磁性介电陶瓷层的电感性组件的截面图中，出现凹部，该凹部首先变细地构建，并且随后又展宽。优选的是，在横截面图中，该变细部和随后的展宽部构建为使得连续的凹部关于横截面图中的水平设置的对称线对称地构建。
优选的是，变细部构建为阶梯状型材。阶梯状地形成的磁通孔关于介电层和磁性层的数目方面提供了高度的设计自由度。
优选的是，至少在磁性陶瓷层上涂有磁性材料，其中磁性陶瓷层设置在非磁性介电陶瓷层上，使得磁性材料定位在凹部的区域中。磁性材料优选以如下结构施加：该结构基本上对应于多个堆叠的非磁性介电陶瓷层的变细的凹部的相反构型。在多个线圈和更高的层数的情况下，在该凹部的区域中的这种阶梯状设计避免了外部的磁性陶瓷层、特别是铁氧体层的过小的弯曲半径。
优选的是，该磁性材料被压印到磁性陶瓷层上。优选的是，由此可以实现减小磁性陶瓷层在凹部的区域中的塑性形变。优选的是，该磁性材料作为铁氧体的厚层糊料通过丝网印刷非法来压印。此外，可以在凹部的区域中在层压之前将铁氧体糊料多次压印到磁性陶瓷层上，以便能够完全封闭凹部并且由此能够没有气隙地构建。
优选的是，构建至少两个非磁性介电陶瓷层，在它们之间构建磁性层、特别是磁性陶瓷层。优选的是，该磁性陶瓷层构建为连续的层。由此，可以有针对性地设置场线分布。例如，场线由此也可以侧面泄露，而不穿过所有线圈。该漏电感的大小可以通过该附加引入的磁性陶瓷层的厚度来有针对性地设置。
在一种仅仅具有一个非磁性介电陶瓷层的扩展方案中，用于构建线圈的导电材料可以构建在该非磁性介电陶瓷层的上侧和下侧上。
导电材料可以设置用于构建电感性组件的初级绕组和次级绕组。
优选的是，构建具有厚度在20μm至200μm之间、特别是在50μm至100μm之间的非磁性介电陶瓷层。印制导线或线圈可以完全地嵌入高绝缘的介电陶瓷中。由于高的击穿强度，这些陶瓷层可以相应地薄地铺设，由此可以节省费用并将尺寸最小化。
优选的是，电感性组件构建为单片集成的平面变压器。
在所建议的方法中，在其相应的空间区域中的导磁性和电绝缘的功能分别通过定制的特定陶瓷来实现，由此得到了部件的设计和要求以及应用的高效率。在此，根据要求可以使用不同的陶瓷。如果电感性部件要在高频情况下、例如在1GHz至2GHz的范围中使用，则优选可以使用六角铁氧体陶瓷(Hexa-Ferrit-Keramiken)、特别是钡-六角铁氧体陶瓷。它们具有大约10至30的导磁性。
当需要在大约10MHz至大约30MHz的中间范围中的频率时，可以使用第二类陶瓷。在此，例如可以使用CuNiZn-铁氧体材料。针对在该中间频率范围中使用的部件而考虑的陶瓷的导磁性具有大约150至大约500的导磁性值。
此外，设计了另一类陶瓷，其用于在大约1MHz至大约3MHz的较低频率范围中的部件。在此，例如可以使用MnZn-铁氧体材料。优选的是，在该类别中使用的陶瓷具有大约500至1000之间的导磁性值。
在根据本发明的方法中，由此不使用具有受限性能的混合材料，如例如在US 6,198,374的方法中所实施的那样。此外，不进行如在根据US5,349,743的现有技术所公开的有问题的工艺步骤。
一种根据本发明的电感性组件由多个层构造，并且特别是实现为单片集成的平面变压器。电感性组件包括至少一个导电的绕组，其设置在第一非磁性介电陶瓷层上。至少一个连续的凹部构建到所述至少一个非磁性介电陶瓷层中。此外，电感性组件包括第一磁性陶瓷层，其设置在非磁性介电陶瓷层的上侧上。此外，在该非磁性介电陶瓷层的下侧上设置有第二磁性陶瓷层。这两个磁性陶瓷层中的至少一个在凹部的区域中塑性变形，使得它与其他磁性陶瓷层在凹部的区域中连接，并且整体上通过这两个陶瓷层构建了组件的磁芯。这样提供的电感性组件具有在线圈之间或者绕组之间的优化的耐压强度，并且此外可以成本低廉地制造。
有利的扩展方案在从属权利要求中进行说明。此外的根据本发明的方法的有利的扩展方案也可以视为根据本发明的电感性组件的有利的扩展方案。
附图说明
以下将借助示意图进一步阐述本发明的实施例。其中：
图1示出了变压器的已知的第一基本结构；
图2示出了变压器的已知的第二基本结构；
图3示出了根据图2的变压器的截面图；
图4示出了穿过一种已知的变压器的实施形式的另一截面图；
图5示出了穿过根据本发明的电感性组件的第一实施例的截面图；
图6示出了穿过根据本发明的电感性组件的第二实施例的截面图；
图7示出了穿过根据本发明的电感性组件的另一实施例的截面图，其中该电感性组件尚未制成；
图8示出了穿过根据本发明的电感性组件的另一实施例的截面图。
具体实施方式
在附图中，相同的和功能相同的元件设置有相同的参考标记。
在此，用措辞“非磁性材料”表示一种材料，该材料与用于磁性陶瓷层的磁性材料相比具有接近或者等于1的相对导磁性。
在图5中示出了制成的单片集成的平面变压器I的第一实施例。在此示出了穿过层堆叠的纵向截面图，其中仅仅示出了平面变压器I的对于本发明重要的部分。截面图示出了具有较少匝数的平面变压器I，该平面变压器以LTCC技术来制造。平面变压器I具有非磁性介电陶瓷层5，其构建为薄片。在该实施例中，在该介电陶瓷层5的上侧51上设置有封闭的导电的印制导线或者线圈511、512、513和514，它们以确定的旋转方向包围变压器芯，并且是平面变压器I的初级绕组的线圈。在俯视图中，该初级绕组螺旋形地构建。在该绕组的未示出的端部上安装有接触部，通过其可以实现与能量供给的电连接。
在介电陶瓷层5的下侧52上构建有次级绕组，该次级绕组包括线圈521、522、523和524。这些次级绕组也具有端部，这些端部设计用于另外的电接触。初级绕组的线圈511至514以及次级绕组的线圈521至524以传统方式压印到介电陶瓷层5的上侧51或下侧52上。
此外，平面变压器I具有连续的凹部53，其通过冲压工艺来产生。
在所示的实施例中，第一磁性陶瓷层6设置在上侧51上以及直接地设置在线圈511至514上。同样，在下侧52以及直接在次级绕组的线圈521至524上设置有第二磁性陶瓷层7。在凹部53的区域中，这两个分离的磁性陶瓷层6和7塑性变形并且在中央彼此相连。由此，在凹部53的区域中实际上形成了磁性通孔，由此这两个磁性陶瓷层6和7构建了平面变压器I的磁芯。为此，磁性陶瓷层6和7也在x方向上与凹部53背离的边缘区域彼此接触。在边缘区域的该接触也通过陶瓷层6或7中的至少一个陶瓷层的塑性变形来构建。由于陶瓷层6和7的塑性变形而得到的、在y方向在凹部53的区域中的凹入在需要时可以通过随后的刮板工艺(Rakel-Porzess)来平面化。在此，例如可以将另外的介电糊料涂在相应位置，该糊料通过该刮板工艺平坦地构建。
图5中所示的制成的平面变压器I如下地构建：首先制造介电陶瓷层5，并为进一步处理做好准备。为此冲制出至少一个凹部53。此外，随后将导电材料压印到该介电陶瓷层5的相应表面上，用于构建线圈511至514以及线圈521至524。
在该实施例中，冲制出凹部，该凹部在x方向以及z方向(垂直于图平面)具有明显大于介电陶瓷层5的厚度(y方向)的大小。
随后，将两个分别提供的磁性陶瓷层6和7(这些磁性陶瓷层作为铁氧体构成的、封闭的未经烧制的生片而提供)层压到上侧51和下侧52上，使得这些陶瓷层6和7由于其有机的粘合部分通过塑性变形而在凹部53中央彼此靠置。在凹部中，由此构建了平面变压器I的磁芯的中央区域9。接着进行烧结工艺。在该实施例中，塑性变形由此通过层压工艺来实现。在层6和7的位置上也可以根据组件的要求而分别构建多个磁性层构成的堆叠。
图6示出了单片集成的平面变压器II的另一实施例，该平面变压器以LTCC技术制造。在此也示出了制成的平面变压器II的部分截面的纵向截面图。该截面图示出了具有大的匝数的平面变压器II。
平面变压器II具有非磁性介电陶瓷层5a、5b、5c、5d和5e，它们彼此叠置地堆叠。在介电陶瓷层5a、5b、5d和5e上分别在上侧施加线圈。例如，在此为线圈511b、512b、513b和514b，它们被压印到介电陶瓷层5b的上侧51b上。线圈511a、512a、513a和514a压印到介电陶瓷层5a的上侧51a上。这些线圈在该实施例中与平面变压器II的初级绕组关联。未被进一步表示的、压印到介电陶瓷层5d和5e上的线圈与平面变压器II的次级线圈关联。线圈也可以设置为使得设置在上侧上、例如设置在介电陶瓷层5a的上侧上的线圈在x方向上交替地与初级绕组的线圈以及随后与次级绕组关联。
如从图6的视图中可以看出的那样，在介电陶瓷层5b上设置了介电陶瓷层5c作为最后的盖层。平面变压器II的线圈由此完全由介电陶瓷材料包围。
在此也将磁性陶瓷层6和7层压在堆叠的介电陶瓷层5a至5e的对置的侧上，其中这些磁性陶瓷层在凹部53’的范围中塑性变形，使得它们在该区域中彼此相连。由此，这里也构建了平面变压器II的磁芯的中央区域9’。
如可以看出的那样，堆叠的介电陶瓷层5a至5e分别具有凹部，这些凹部具有不同的大小。介电陶瓷层5a至5e在此堆叠为使得分别在这些陶瓷层中构建的各凹部构建共同的连续的凹部53’。如在此可以看出的那样，介电陶瓷层5c在所示的截面图中具有凹部，该凹部至少在x方向上大于在介电陶瓷层5b、5a和5d中分别构建的凹部。
此外可以看出的是，在介电陶瓷层5b和5d中构建的凹部大于在介电陶瓷层5a中构建的凹部。在该实施例中，介电陶瓷层5a至5e彼此堆叠，使得从上部的介电陶瓷层5c出发直到中间设置的介电陶瓷层5a在y方向上形成变细的凹部53’。在该实施例中，在此实现了阶梯状型材。从中间的介电陶瓷层5a出发，该凹部53’在y方向上展宽直到下部的介电陶瓷层5e。在此也构建了阶梯状型材。在该实施例中，平面变压器II关于在x方向上穿过介电陶瓷层5a的对称轴对称地构建。
以制成状态示出的平面变压器II的根据该方法的构型优选与图5所示的平面变压器I的制造类似地实施。
图7中示出了穿过平面变压器III的另一纵向剖面图，该平面变压器在尚未制成的工艺阶段中示出。这里也仅仅示出了部分截面，其示出了在组件的中央区域中的主要结构。
非磁性介电陶瓷层5a至5e的构型和设置类似于根据图6的构型。此外，在图7中可以看出的是，第一磁性陶瓷层6或者必要时相应的层堆叠设置有附加的结构，该结构具有层6a和6b。这些层6a和6b由磁性材料、并且在该实施例中由铁氧体的厚层糊料(Dickschichtpaste)借助丝网印刷来施加。可以看出的是，这些层6a和6b构建在磁性陶瓷层6的朝向介电陶瓷层5a至5e的表面上。这些层6a和6b构建为阶梯状型材并且设计为使得它们构成介电陶瓷层5c和5b的阶梯状构型的互补结构。
类似地，在第二磁性陶瓷层7或者必要时在相应的层堆叠上同样设置有层7a和7b，它们构建为阶梯状型材以及关于通过介电陶瓷层5d和5e产生的阶梯状型材的互补结构。磁性陶瓷层6和7在随后的工艺中定位，使得如图7中所示，层6a和6b以及层7a和7b基本上设置在通过介电陶瓷层5a至5b构建的阶梯状型材的区域中。在最后的烧结工艺之前，陶瓷层6和7的这些结构被层压到介电陶瓷层5a至5e的堆叠形状上，使得构建凹部53”。通过陶瓷层6和7的该互补结构化，可以支持平面变压器III的磁芯的中央区域的无气隙构建。
图8示出了单片集成的平面变压器IV的另一实施例的另一纵向截面图。该平面变压器IV在此以制成的状态示出。可以看出的是，在介电陶瓷层5a和介电陶瓷层5f之间构建了中间层，该中间层构建为另外的磁性陶瓷层10。在对称的布置中，关于该磁性陶瓷层10分别设置有堆叠地和在凹部53”’的区域中阶梯状地设计的介电陶瓷层5a、5b和5c以及5f、5g和5h。构建了平面变压器IV的磁芯的中央区域9”。通过中央磁芯陶瓷层10(其又可以是铁氧体薄片)的集成，初级绕组(在该实施例中为设置在陶瓷层5g、5h上的线圈)的场线在次级绕组(设置在陶瓷层5a和5b上的线圈)之前分叉，并且有目的地产生漏电感。以下可以看到这样有目的地产生的漏电感的优点：无需附加的独立组件以能够实现阻抗的单独设置。例如，在此初级侧可以具有附加的漏电感，其是电路技术方面构造组件的另一自由度。在所示的实施形式中，这种有目的的设置由此可以通过集成的构型来实现。

Claims (26)

1.一种用于制造电感性组件的方法，该电感性组件由多个层构建，其中实施以下步骤：
a)在第一非磁性介电陶瓷层(5；5a至5h)上设置导电材料(511至514；521至524)作为组件(I，II，III，IV)的绕组；
b)在非磁性介电陶瓷层(5；5a至5h)中构建至少一个连续的凹部(53，53’，53”，53”’)；
c)将第一磁性陶瓷层(6)设置在非磁性介电陶瓷层(5；5a至5h)的上侧上，以及将第二磁性陶瓷层(7)设置在非磁性介电陶瓷层(5；5a至5h)的下侧上；以及
d)执行如下工艺步骤：其中使磁性陶瓷层(6，7)中的至少一个塑性变形，使得上述两个磁性陶瓷层(6，7)在凹部(53，53’，53”，53”’)的区域中接触并且构建组件(I，II，III，IV)的磁芯。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，导电材料(511至514；521至524)嵌入或压印到非磁性介电陶瓷层(5；5a至5h)中。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，非磁性介电陶瓷层(5；5a至5h)和磁性陶瓷层(6，7)作为薄片提供。
4.根据上述权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于，根据步骤b)将凹部(53，53’，53”，53”’)在陶瓷层(5；5a至5h)的平面中的大小构建得比陶瓷层(5；5a至5h)的厚度更大。
5.根据上述权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于，根据步骤c)将磁性陶瓷层(6，7)层压到非磁性介电陶瓷层(5；5a至5h)的上侧和下侧上。
6.根据上述权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于，根据步骤d)进行烧结工艺。
7.根据上述权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于，在步骤d)中至少在磁性陶瓷层(6，7)上设置涂层用于支持该陶瓷层(6，7)的变形。
8.根据上述权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于，将另一非磁性介电层、特别是陶瓷层(5c，5f)施加到导电材料(511至514；521至524)上。
9.根据上述权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于，将多个非磁性介电陶瓷层(5a至5h)堆叠，在这些陶瓷层中分别构建至少一个凹部，其中非磁性介电陶瓷层(5a至5h)彼此叠置，使得凹部至少局部交叠。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在相应的陶瓷层(5a至5h)中的凹部以不同大小构建并且堆叠，使得通过所有非磁性介电陶瓷层(5a至5h)的连续的凹部(53’，53”，53”’)至少局部变细地构建。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，将阶梯状型材构建为变细部。
12.根据上述权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于，至少在磁性陶瓷层(6，7)上涂有磁性材料(6a，6b；7a，7b)，其中磁性陶瓷层(6，7)根据步骤c)设置在非磁性介电陶瓷层(5；5a至5h)上，使得磁性材料(6a，6b；7a，7b)定位在凹部(53，53’，53”，53”’)的区域中。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，磁性材料(6a，6b；7a，7b)以如下结构施加：该结构基本上对应于变细的凹部(53，53’，53”，53”’)的互补构型。
14.根据权利要求12或13所述的方法，其特征在于，将磁性材料(6a，6b；7a，7b)压印。
15.根据权利要求9至14中的任一项所述的方法，其特征在于，构建至少两个非磁性介电陶瓷层(5a至5h)，在这些陶瓷层之间构建磁性层，特别是陶瓷层(10)。
16.根据上述权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于，导电材料(511至514；521至524)设置在非磁性介电陶瓷层(5)的上侧(51)和下侧(52)上。
17.根据上述权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于，导电材料(511至514；521至524)设置用于构建组件(I，II，III，IV)的初级绕组和次级绕组。
18.根据上述权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于，构建具有厚度在20μm至200μm之间、特别是在50μm至100μm之间的非磁性介电陶瓷层(5；5a至5h)。
19.根据上述权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于，构建单片集成的平面变压器(I，II，III，IV)。
20.一种电感性组件，其具有多个层，其中：
组件(I，II，III，IV)的至少一个导电的绕组设置在第一非磁性介电陶瓷层(5；5a至5h)上，在所述第一非磁性介电陶瓷层中构建有至少一个连续的凹部(53，53’，53”，53”’)；以及
第一磁性陶瓷层(6)设置在非磁性介电陶瓷层(5；5a至5h)的上侧上，并且第二磁性陶瓷层(7)设置在非磁性介电陶瓷层(5；5a至5h)的下侧上，其中至少一个磁性陶瓷层(6，7)在凹部(53，53’，53”，53”’)的区域中塑性变形，使得该磁性陶瓷层与另一磁性陶瓷层(6，7)相连，并且构建组件(I，II，III，IV)的磁芯。
21.根据权利要求20所述的电感性组件，其特征在于，在非磁性介电陶瓷层(5，5a至5h)的上侧(51)和下侧(52)上构建绕组。
22.根据权利要求20或21所述的电感性组件，其特征在于，凹部(53，53’，53”，53”’)在陶瓷层(5；5a至5h)的平面中的大小构建得比陶瓷层(5；5a至5h)的厚度更大。
23.根据权利要求20至22中的任一项所述的电感性组件，其特征在于，多个非磁性介电陶瓷层(5a至5h)堆叠，在这些陶瓷层中分别构建至少一个凹部，其中非磁性介电陶瓷层(5a至5h)彼此叠置，使得凹部至少局部交叠。
24.根据权利要求23所述的电感性组件，其特征在于，在相应的陶瓷层(5a至5h)中的凹部具有不同大小，并且所述陶瓷层(5a至5h)堆叠，使得构建通过所有非磁性介电陶瓷层(5a至5h)的连续的凹部(53’，53”，53”，)，所述凹部至少局部变细。
25.根据权利要求24所述的电感性组件，其特征在于，变细部是阶梯状型材。
26.根据权利要求20至25中的任一项所述的电感性组件，其特征在于，构建有至少两个非磁性介电陶瓷层(5a至5h)，在这些陶瓷层之间构建有磁性层、特别是陶瓷层(10)。
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