CN101442032B - 散热装置 - Google Patents

散热装置 Download PDF

Info

Publication number
CN101442032B
CN101442032B CN2008101822807A CN200810182280A CN101442032B CN 101442032 B CN101442032 B CN 101442032B CN 2008101822807 A CN2008101822807 A CN 2008101822807A CN 200810182280 A CN200810182280 A CN 200810182280A CN 101442032 B CN101442032 B CN 101442032B
Authority
CN
China
Prior art keywords
reduction member
stress reduction
heat sink
upper casing
dielectric base
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2008101822807A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101442032A (zh
Inventor
森昌吾
山内忍
田村忍
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyota Industries Corp
Resonac Holdings Corp
Original Assignee
Showa Denko KK
Toyoda Automatic Loom Works Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Showa Denko KK, Toyoda Automatic Loom Works Ltd filed Critical Showa Denko KK
Publication of CN101442032A publication Critical patent/CN101442032A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101442032B publication Critical patent/CN101442032B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/20—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H01L23/3675—Cooling facilitated by shape of device characterised by the shape of the housing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/46—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids
    • H01L23/473—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids by flowing liquids
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)

Abstract

本发明涉及一种散热装置，该散热装置包括绝缘基底、散热件以及应力降低部件。该绝缘基底包括用作受热体接收表面的第一表面和与该第一表面相对的第二表面。该散热件热联接到该绝缘基底的第二表面上。包括上壳和下壳的散热件用作包括冷却通道的液体冷却器件。应力降低部件布置在绝缘基底与上壳之间。该应力降低部件包括应力吸收穴。该上壳包括接触该应力降低部件的第一部分以及由该上壳的其余部分限定的第二部分。该第一部分具有某厚度，该厚度小于该第二部分的厚度。

Description

散热装置
技术领域
本发明涉及一种散热装置。
背景技术
日本公开特许公报No.2001-148451描述了一种用于电源组的散热装置的实例，该电源组包括诸如绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的半导体器件。在以上公报中所描述的散热装置包括布置在电源组绝缘基底与散热板之间的缓冲层，其形成了散热件。该缓冲层具有表面区域，该表面区域比绝缘基底的表面区域大一到三倍。该缓冲层附着到绝缘基底和散热板上。水冷散热件布置在散热板的下面。缓冲层具有的热膨胀系数介于绝缘基底的热膨胀系数与散热件的热膨胀系之间。缓冲层吸收绝缘基底与散热件之间的热变形水平的差异。这就降低了在绝缘基底中产生的内应力。
在用于包括产生大量热的半导体器件的电源组的散热装置中，需要改善用于降低当受热体发热时所产生的应力的功能，而不降低冷却效率。
发明内容
本发明提供一种散热装置，其具有改进的用于减少热应力的功能而未降低冷却效率。
本发明的一方面是设有绝缘基底的散热装置，该绝缘基底包括用作受热体接收表面的第一表面和与该第一表面相对的第二表面。金属电路层形成于该第一表面上，金属层形成于该第二表面上。散热件热联接(thermally coupled)到该绝缘基底的第二表面上。
散热件包括上壳和下壳，并用作包括冷却通道的液体冷却器件。应力降低部件由高导热性材料形成，并布置在绝缘基底的金属层与上壳之间。该应力降低部件包括应力吸收穴，并以金属结合的方式结合到绝缘基底和散热件上。该上壳包括接触该应力降低部件的第一部分和由该上壳的其余部分限定的第二部分。该第一部分和第二部分各具有某厚度，其中，该第一部分的厚度小于该第二部分的厚度。
通过以下描述，本发明的其他方面以及优点将变得显而易见。以下描述结合附图并通过示例来示意本发明原理。
附图说明
通过参考对所提供的优选实施例的以下描述以及附图，可以更好地理解本发明及其目的与优点，在附图中：
图1是显示了根据本发明的散热装置的一个优选实施例的纵向剖视图；
图2是显示了根据本发明的散热装置的又一实施例的纵向剖视图；
图3是显示了根据本发明的散热装置的另一个实施例的纵向剖视图；以及
图4是显示了根据本发明的散热装置的再一个实施例的纵向剖视图。
具体实施方式
现在将讨论根据本发明的用于安装在车辆中的电源组的散热装置的一个优选实施例。下文中，用语“铝”除了包括纯铝之外，还包括铝合金。
如图1所示，散热装置包括绝缘基底10和散热件40。绝缘基底10包括用作受热体接收表面的第一表面(上表面)以及与该第一表面相对的第二表面，应力降低部件30布置在绝缘基底10与散热件40之间。应力降低部件30以金属结合的方式结合到绝缘基底10和散热件40上。散热件40和绝缘基底10彼此热联接。
绝缘基底10包括绝缘陶瓷基底13、金属电路层11以及金属层12。金属电路层11形成于陶瓷基底13的第一表面(受热体接收表面)上。金属层12由铝制成且形成于陶瓷基底13的第二表面上。陶瓷基底13由例如氮化铝、氧化铝以及氮化硅等形成。
用作受热体的半导体器件20(半导体芯片)被焊接并结合到绝缘基底10的受热体接收表面上。IGBT、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)以及二极管等可用作半导体器件20。
散热件40包括上壳41和下壳42。上壳41和下壳42通过钎焊等而以金属结合的方式结合为堆叠在一起的状态。冷却翅片等布置在散热件40中以形成冷却剂通道40a，该冷却剂通道延伸穿过散热件40，以便以冷却剂通道40a的部分彼此平行的方式迂回。冷却剂流过冷却剂通道40a，以冷却受热体。以这种方式，散热件40起到了液体型冷却器件的作用，该液体型冷却器件包括用作冷却通道的冷却剂通道40a，冷却剂通道40a包括入口和出口，该入口和出口可以连接到布置在车辆中的冷却剂回路。散热件40的冷却能力被设置为使得当半导体器件20被驱动且被加热时，由半导体器件20所产生的热通过绝缘基底10及应力降低部件30而传递到散热件40并顺畅地散失。散热件40的上壳41由铝形成。在优选实施例中，上壳41和下壳42都由铝形成。
应力降低部件30布置在绝缘基底10的金属层12与散热件40之间。应力降低部件30以金属结合的方式结合到绝缘基底10和散热件40上。更具体地说，绝缘基底10、应力降低部件30与上壳41被钎焊且被结合在一起。由具有高导热性的材料形成的应力降低部件30包括由多个孔30a形成的应力吸收穴。更具体地说，应力降低部件30由孔30a延伸穿过其中的铝板形成。
现在将讨论散热件40的具有厚度t的上壳41。
散热件40(即上壳41)的面朝应力降低部件30的表面，具有比应力降低部件30的面朝散热件40的表面的面积更大的面积。上壳41包括与应力降低部件30相接触的第一部分和由上壳41的其余部分而非第一部分所限定的第二部分。与应力降低部件30相接触的第一部分包括与应力降低部件30的孔30a相对应的部分。从该散热件的厚度方向上观察，第一部分是上壳41的自应力降低部件30的轮廓向内的区。从该散热件的厚度方向上观察，第二部分是上壳41的自应力降低部件30的轮廓向外的区。第二部分具有厚度t1，第一部分具有厚度t2，厚度t2小于第二部分的厚度t1。
更具体地说，在上壳41中，第二部分的厚度t1是1mm，第一部分的厚度t2是0.5mm。此外，应力降低部件30具有1mm的厚度t3。
上壳41的面朝应力降低部件30的表面在该第一部分处相对于该第二部分凹陷。该凹陷部分接收应力降低部件30。
现在将讨论散热装置的操作。
散热装置被安装在混合型车辆等之中。散热件40通过管而连接到冷却剂回路(未示出)上，泵和散热器布置在冷却剂回路内，该散热器包括风扇，该风扇由马达旋转并高效地散热。
当半导体器件20在散热装置上被驱动时，半导体器件20产生热。由半导体器件20产生的热通过绝缘基底10和应力降低部件30而传递到散热件40上，从而当冷却剂流过散热件40时发生热交换。这就释放了来自散热装置的热。也就是说，传递到散热件40上的热进一步传递并释放到流过冷却剂通道40a的冷却剂中。散热件40由流过冷却剂通道40a的冷却剂强制冷却。因此，温度梯度在从半导体器件20延伸到散热件40的热传递路径中增加，并且由半导体器件20所产生的热通过绝缘基底10和应力降低部件30而有效地散失。
包括由多个孔30a限定的应力吸收穴的应力降低部件30，降低了当半导体器件20产生热时所产生的热应力。在上壳41中，小于第二部分厚度t1的第一部分厚度t2降低了上壳41的刚度，从而上壳41也降低了热应力。就是说，水冷却散热件40也降低了热应力。此外，在上壳41中，第一部分的厚度t2小于第二部分的厚度t1。这就缩短了半导体器件20与冷却剂通道40a之间的距离，并提高了冷却效率。
该优选实施例具有以下所述的优点；
(1)由高导热性材料形成并包括应力吸收穴(孔30a)的应力降低部件30，布置在绝缘基底10的金属层12与散热件40之间，该散热件40是液体冷却器件。此外，应力降低部件30以金属结合的方式结合到绝缘基底10和散热件40上。在上壳41中，第一部分的厚度t2小于第二部分的厚度t1，因此，散热装置的用于降低热应力的功能得以改善而未降低冷却效率。
(2)金属层12和上壳41由铝形成，应力降低部件30由包括孔30a的铝板形成。因此，铝可以钎焊(以金属结合的方式结合)在一起。此外，应力降低部件30的孔30a用来形成应力吸收穴。
本领域的技术人员应该清楚，在不背离本发明的精神或范围的前提，本发明可以被实施为许多其他的特定形式。具体而言，应当理解本发明可以实施为以下形式。
如图2所示，应力降低部件30可以是具有面朝绝缘基底10、包括多个凹部30b的表面的铝板。或者，如图3所示，应力降低部件30可以是具有面朝散热件40、包括多个凹部30c的表面的铝板。作为另外的选择，参看图4，应力降低部件30可以是具有面朝绝缘基底10、包括多个凹部30d的表面，且具有面朝散热件40、包括多个凹部30e的表面的铝板。以这种方式，金属层12和上壳41由铝形成，应力降低部件30由铝板形成，该铝板在面朝绝缘基底10的表面以及面朝散热件40的表面的至少两者之一中包括凹部。在这种情况下，铝可以钎焊(以金属结合的方式结合)在一起，此外，应力吸收穴可以由多个穴形成。
冷却剂流过用作液体冷却器件的散热件40。作为替代，诸如酒精的其它冷却液体也可流过散热件40。
本实例和实施例应理解为是示例性的而非限制性的，并且本发明并不局限于本文中所给出的细节，而是可以在所附的权利要求的范围和等效物范围内进行修改。

Claims (3)

1.一种散热装置，其包括：
绝缘基底，其包括用作受热体接收表面的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，金属电路层形成于所述第一表面上，金属层形成于所述第二表面上；
散热件，其热联接到所述绝缘基底的第二表面上，所述散热件包括上壳和下壳，并用作包括冷却通道的液体冷却器件；以及
应力降低部件，其由高导热性材料形成，并布置在所述绝缘基底的金属层与所述上壳之间，所述应力降低部件包括应力吸收穴，并以金属结合的方式结合到所述绝缘基底和所述散热件上，应力吸收穴是金属层的一部分、散热件的一部分中至少一者与应力降低部件的一部分限定的间隙；
其中，所述上壳包括接触所述应力降低部件的第一部分以及由所述上壳的其余部分所限定的第二部分，所述上壳具有面朝所述应力降低部件的表面，所述面朝应力降低部件的表面在与所述第一部分相对应的部分处相对于与所述第二部分相对应的部分凹陷，所述第一部分和所述第二部分各具有厚度，其中，所述第一部分的厚度小于所述第二部分的厚度。
2.根据权利要求1所述的散热装置，其特征在于，
所述金属层和所述上壳由铝形成；并且
所述应力降低部件由包括多个孔的铝板形成。
3.根据权利要求1所述的散热装置，其特征在于，
所述金属层和所述上壳由铝形成；并且
所述应力降低部件由铝板形成，所述铝板在面朝所述绝缘基底的表面以及面朝所述散热件的表面的至少两者之一中包括多个凹部。
CN2008101822807A 2007-11-21 2008-11-21 散热装置 Expired - Fee Related CN101442032B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007302176A JP5070014B2 (ja) 2007-11-21 2007-11-21 放熱装置
JP2007-302176 2007-11-21
JP2007302176 2007-11-21

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101442032A CN101442032A (zh) 2009-05-27
CN101442032B true CN101442032B (zh) 2012-02-01

Family

ID=40204726

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008101822807A Expired - Fee Related CN101442032B (zh) 2007-11-21 2008-11-21 散热装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20090141451A1 (zh)
EP (1) EP2065933A3 (zh)
JP (1) JP5070014B2 (zh)
KR (2) KR101114813B1 (zh)
CN (1) CN101442032B (zh)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4867793B2 (ja) * 2007-05-25 2012-02-01 株式会社豊田自動織機 半導体装置
US8472193B2 (en) * 2008-07-04 2013-06-25 Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki Semiconductor device
JP5515947B2 (ja) * 2010-03-29 2014-06-11 株式会社豊田自動織機 冷却装置
KR101036343B1 (ko) 2010-04-16 2011-05-23 주식회사 위스코하이텍 다층의 도전막이 형성된 금속기판의 제조방법
JP2012054513A (ja) * 2010-09-03 2012-03-15 Toshiba Corp 半導体パッケージ
JP5349572B2 (ja) 2011-04-18 2013-11-20 株式会社豊田自動織機 放熱装置及び放熱装置の製造方法
EP2709431A1 (en) * 2011-05-12 2014-03-19 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Cooler and manufacturing method for cooler
US9425124B2 (en) * 2012-02-02 2016-08-23 International Business Machines Corporation Compliant pin fin heat sink and methods
JP6060553B2 (ja) * 2012-04-06 2017-01-18 株式会社豊田自動織機 半導体装置
JP6019706B2 (ja) * 2012-04-24 2016-11-02 ダイキン工業株式会社 パワーモジュール
KR101388781B1 (ko) * 2012-06-22 2014-04-23 삼성전기주식회사 전력 모듈용 방열 시스템
JP2014017318A (ja) * 2012-07-06 2014-01-30 Toyota Industries Corp 半導体装置
EP2849221A1 (en) * 2013-09-11 2015-03-18 ABB Technology AG Cooling arrangement for a power semiconductor module
JP5880519B2 (ja) * 2013-10-21 2016-03-09 トヨタ自動車株式会社 車載電子装置
TWM519879U (zh) * 2015-08-03 2016-04-01 Dowton Electronic Materials Co Ltd 電子裝置之改良散熱結構
CN106505052B (zh) * 2016-11-17 2019-02-15 云南电网有限责任公司电力科学研究院 用于绝缘栅双极型晶体管的散热装置
DE102017203217A1 (de) * 2017-02-28 2018-08-30 Robert Bosch Gmbh Kontaktanordnung
JP7159620B2 (ja) * 2018-05-30 2022-10-25 富士電機株式会社 半導体装置、冷却モジュール、電力変換装置及び電動車両
US10905028B2 (en) * 2019-05-07 2021-01-26 International Business Machines Corporation Structure for eliminating the impact of cold plate fouling
EP4071801A1 (de) * 2021-04-08 2022-10-12 Siemens Aktiengesellschaft Halbleitermodulanordnung mit einem kühlkörper und zumindest einem halbleitermodul
DE112022002382T5 (de) * 2021-04-25 2024-02-15 Danfoss Silicon Power Gmbh Elektronische Vorrichtung mit verbesserter Kühlung

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6903929B2 (en) * 2003-03-31 2005-06-07 Intel Corporation Two-phase cooling utilizing microchannel heat exchangers and channeled heat sink

Family Cites Families (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5936949A (ja) * 1982-08-25 1984-02-29 Nec Corp マルチチツプパツケ−ジ
US4994903A (en) * 1989-12-18 1991-02-19 Texas Instruments Incorporated Circuit substrate and circuit using the substrate
DE4315272A1 (de) * 1993-05-07 1994-11-10 Siemens Ag Leistungshalbleiterbauelement mit Pufferschicht
US5396403A (en) * 1993-07-06 1995-03-07 Hewlett-Packard Company Heat sink assembly with thermally-conductive plate for a plurality of integrated circuits on a substrate
US5455458A (en) * 1993-08-09 1995-10-03 Hughes Aircraft Company Phase change cooling of semiconductor power modules
US5504378A (en) * 1994-06-10 1996-04-02 Westinghouse Electric Corp. Direct cooled switching module for electric vehicle propulsion system
JPH0955459A (ja) * 1995-06-06 1997-02-25 Seiko Epson Corp 半導体装置
JPH09148523A (ja) * 1995-11-21 1997-06-06 Toshiba Corp 半導体装置
DE19645636C1 (de) * 1996-11-06 1998-03-12 Telefunken Microelectron Leistungsmodul zur Ansteuerung von Elektromotoren
US6124635A (en) * 1997-03-21 2000-09-26 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Functionally gradient integrated metal-ceramic member and semiconductor circuit substrate application thereof
US5821161A (en) * 1997-05-01 1998-10-13 International Business Machines Corporation Cast metal seal for semiconductor substrates and process thereof
US6400012B1 (en) * 1997-09-17 2002-06-04 Advanced Energy Voorhees, Inc. Heat sink for use in cooling an integrated circuit
US6156980A (en) * 1998-06-04 2000-12-05 Delco Electronics Corp. Flip chip on circuit board with enhanced heat dissipation and method therefor
JP3445511B2 (ja) * 1998-12-10 2003-09-08 株式会社東芝 絶縁基板、その製造方法およびそれを用いた半導体装置
JP2001148451A (ja) * 1999-03-24 2001-05-29 Mitsubishi Materials Corp パワーモジュール用基板
JP2001189416A (ja) * 1999-12-28 2001-07-10 Mitsubishi Electric Corp パワーモジュール
EP1148547B8 (en) * 2000-04-19 2016-01-06 Denso Corporation Coolant cooled type semiconductor device
JP4009056B2 (ja) * 2000-05-25 2007-11-14 三菱電機株式会社 パワーモジュール
JP2002098454A (ja) * 2000-07-21 2002-04-05 Mitsubishi Materials Corp 液冷ヒートシンク及びその製造方法
EP1315205A4 (en) * 2000-08-09 2009-04-01 Mitsubishi Materials Corp POWER MODULE AND POWER MODULE WITH COOLING BODY
JP2002203932A (ja) * 2000-10-31 2002-07-19 Hitachi Ltd 半導体パワー素子用放熱基板とその導体板及びヒートシンク材並びにロー材
JP2002141463A (ja) * 2000-10-31 2002-05-17 Mitsubishi Electric Corp 半導体モジュール
JP2002203942A (ja) * 2000-12-28 2002-07-19 Fuji Electric Co Ltd パワー半導体モジュール
KR100565139B1 (ko) * 2001-02-22 2006-03-30 니뽄 가이시 가부시키가이샤 전자 회로용 부재 및 그 제조 방법과 전자 부품
US20020185726A1 (en) * 2001-06-06 2002-12-12 North Mark T. Heat pipe thermal management of high potential electronic chip packages
JP3676268B2 (ja) * 2001-08-01 2005-07-27 株式会社日立製作所 伝熱構造体及び半導体装置
JP4848539B2 (ja) * 2001-08-23 2011-12-28 Ｄｏｗａメタルテック株式会社 放熱板およびパワー半導体モジュール、ｉｃパッケージ
US6587345B2 (en) * 2001-11-09 2003-07-01 International Business Machines Corporation Electronic device substrate assembly with impermeable barrier and method of making
JP2003155575A (ja) * 2001-11-16 2003-05-30 Ngk Insulators Ltd 複合材料及びその製造方法
JP2003289191A (ja) * 2002-03-28 2003-10-10 Denso Corp 電子制御装置
JP4113971B2 (ja) * 2002-07-30 2008-07-09 株式会社豊田自動織機 低膨張材料及びその製造方法
US6844621B2 (en) * 2002-08-13 2005-01-18 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor device and method of relaxing thermal stress
US20060249279A1 (en) * 2002-11-05 2006-11-09 Lalit Chordia Method and apparatus for electronics cooling
JP3971296B2 (ja) * 2002-12-27 2007-09-05 Ｄｏｗａホールディングス株式会社 金属−セラミックス接合基板およびその製造方法
JP4014528B2 (ja) * 2003-03-28 2007-11-28 日本碍子株式会社 ヒートスプレッダモジュールの製造方法及びヒートスプレッダモジュール
US20040190253A1 (en) * 2003-03-31 2004-09-30 Ravi Prasher Channeled heat sink and chassis with integrated heat rejector for two-phase cooling
DE10315225B4 (de) * 2003-03-31 2005-06-30 Alutec Metallwaren Gmbh & Co. Wärmetauscher
JP4180980B2 (ja) * 2003-06-10 2008-11-12 本田技研工業株式会社 半導体装置
TWM243912U (en) * 2003-08-25 2004-09-11 Tatung Co Heating dissipating device
US6992887B2 (en) * 2003-10-15 2006-01-31 Visteon Global Technologies, Inc. Liquid cooled semiconductor device
JP4543279B2 (ja) * 2004-03-31 2010-09-15 Ｄｏｗａメタルテック株式会社 アルミニウム接合部材の製造方法
US7549460B2 (en) * 2004-04-02 2009-06-23 Adaptivenergy, Llc Thermal transfer devices with fluid-porous thermally conductive core
WO2005098942A1 (ja) * 2004-04-05 2005-10-20 Mitsubishi Materials Corporation Ａi／ａiｎ接合体、パワーモジュール用基板及びパワーモジュール並びにａi／ａiｎ接合体の製造方法
US7365273B2 (en) * 2004-12-03 2008-04-29 Delphi Technologies, Inc. Thermal management of surface-mount circuit devices
US7190581B1 (en) * 2005-01-11 2007-03-13 Midwest Research Institute Low thermal resistance power module assembly
US7468554B2 (en) * 2005-03-11 2008-12-23 Hitachi, Ltd. Heat sink board and manufacturing method thereof
JP4621531B2 (ja) * 2005-04-06 2011-01-26 株式会社豊田自動織機 放熱装置
JP4617209B2 (ja) * 2005-07-07 2011-01-19 株式会社豊田自動織機 放熱装置
WO2007026547A1 (ja) * 2005-08-29 2007-03-08 Hitachi Metals, Ltd. 回路基板及びこれを用いた半導体モジュール、回路基板の製造方法
JP4378334B2 (ja) * 2005-09-09 2009-12-02 日本碍子株式会社 ヒートスプレッダモジュール及びその製造方法
WO2007037306A1 (ja) * 2005-09-28 2007-04-05 Ngk Insulators, Ltd. ヒートシンクモジュール及びその製造方法
JP2007208132A (ja) * 2006-02-03 2007-08-16 Ngk Insulators Ltd 積層体の検査方法及びヒートスプレッダモジュールの検査方法
JP5007296B2 (ja) * 2006-03-13 2012-08-22 株式会社豊田自動織機 パワーモジュール用ベース
JP2007288054A (ja) * 2006-04-19 2007-11-01 Toyota Motor Corp パワーモジュール
US7440282B2 (en) * 2006-05-16 2008-10-21 Delphi Technologies, Inc. Heat sink electronic package having compliant pedestal
DE102006028675B4 (de) * 2006-06-22 2008-08-21 Siemens Ag Kühlanordnung für auf einer Trägerplatte angeordnete elektrische Bauelemente
JP5142119B2 (ja) * 2006-09-20 2013-02-13 住友電装株式会社 放熱構造を備えたプリント基板の製造方法および該方法で製造されたプリント基板の放熱構造
DE102006045939B4 (de) * 2006-09-28 2021-06-02 Infineon Technologies Ag Leistungshalbleitermodul mit verbesserter Temperaturwechselstabilität
US7755185B2 (en) * 2006-09-29 2010-07-13 Infineon Technologies Ag Arrangement for cooling a power semiconductor module
US7404433B1 (en) * 2007-01-31 2008-07-29 Man Zai Industrial Co., Ltd. Liquid cooled heat sink
US7564129B2 (en) * 2007-03-30 2009-07-21 Nichicon Corporation Power semiconductor module, and power semiconductor device having the module mounted therein
JP4945319B2 (ja) * 2007-05-25 2012-06-06 昭和電工株式会社 半導体装置
JP2008294279A (ja) * 2007-05-25 2008-12-04 Showa Denko Kk 半導体装置
JP4867793B2 (ja) * 2007-05-25 2012-02-01 株式会社豊田自動織機 半導体装置
US7821130B2 (en) * 2008-03-31 2010-10-26 Infineon Technologies Ag Module including a rough solder joint

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6903929B2 (en) * 2003-03-31 2005-06-07 Intel Corporation Two-phase cooling utilizing microchannel heat exchangers and channeled heat sink

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特开2007-19203A 2007.01.25

Also Published As

Publication number Publication date
EP2065933A3 (en) 2010-02-17
KR101114813B1 (ko) 2012-02-15
JP2009130061A (ja) 2009-06-11
JP5070014B2 (ja) 2012-11-07
KR20090052810A (ko) 2009-05-26
CN101442032A (zh) 2009-05-27
US20090141451A1 (en) 2009-06-04
EP2065933A2 (en) 2009-06-03
KR20110103905A (ko) 2011-09-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101442032B (zh) 散热装置
US8472193B2 (en) Semiconductor device
KR101030939B1 (ko) 방열장치
TWI482244B (zh) 熱交換器以及半導體模組
CN101794754B (zh) 半导体装置
JP5801996B2 (ja) 両面冷却式電力用被覆層付き電力モジュール
US8982558B2 (en) Cooling device for a power module, and a related method thereof
US20060278372A1 (en) Heat dissipation device
US20060260793A1 (en) Thermal management of systems having localized regions of elevated heat flux
TWI363408B (zh)
JP2010278438A (ja) ヒートシンク並びにその製作方法
JP2010016254A (ja) 半導体装置
JP2009277699A (ja) ヒートシンク、ヒートシンクアセンブリ、半導体モジュール及び冷却装置付き半導体装置
JP2006210611A (ja) 放熱フィンを備えたヒートシンク及びその製造方法。
JP5227681B2 (ja) 半導体装置
CN118173514A (zh) 散热装置、散热方法及制备方法
KR20040052010A (ko) 전자칩 냉각장치
KR20040052390A (ko) 전자칩 냉각장치

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20120201

Termination date: 20141121

EXPY Termination of patent right or utility model