KR101036343B1 - 다층의 도전막이 형성된 금속기판의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 금속제의 기판부재에 다층으로 도전막을 형성시킨 금속기판에 관한 것이다.
다층으로 도전막을 형성시킨 금속기판의 제조방법에 있어서, 금속 재질로 구비된 기판부재의 어느 한쪽 또는 양쪽 표면에 진공 중에서 플라즈마(Plasma)에 의한 건식산화처리로 절연층을 형성시키는 단계; 상기 절연층 위에 도전성 물질을 진공 증착에 의해 두께 1 내지 400㎛로 버퍼(Buffer)층을 형성시키는 단계; 상기 버퍼층 위에 상기 기판부재보다 도전율이 더 높은 물질을 진공 증착에 의해 제1도전막을 형성시키는 단계; 상기 제1도전막 위에 상기 기판부재와는 도전율이 더 높은 물질이고, 상기 제1도전막과는 도전율이 동일한 물질을 대기 중에서 습식 도금으로 제2도전막을 형성시키는 단계; 상기 제2도전막 위에 상기 기판부재 및 제1도전막, 제2도전막보다는 도전율이 더 높은 물질을 대기 중에서 습식 도금으로 제3도전막을 형성시키는 단계; 를 포함하여 이루어지는 것을 그 특징으로 한다.

Description

다층의 도전막이 형성된 금속기판의 제조방법{METHOD FOR MANUFACTURING METAL SUBSTRATE}
본 발명은 전자제품을 비롯하여 조명용 제품으로 사용되는 금속기판에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 금속제의 기판부재 위에 진공 중에서 절연층, 버퍼층의 형성과 함께 상기 버퍼층 위에 도전성 물질을 이용하여 다층으로 도전막을 형성시켜 줌으로써, 금속기판에 배치 내지는 실장된 파워소자로부터 발생한 고열을 전도 받거나 흡수하여 방열효율을 높여주기 위한 것에 관한 것이다.
최근 들어 태양광 에너지를 이용하여 건물의 실내를 비롯하여 도로변이나 공원 등에 소비전력이 낮고 휘도가 높은 LED(Light Emitting Diode) 광원을 이용한 조명등을 많이 설치하게 된다.
상기와 같은 조명등 또는 전자제품 등에는 파워(Power)소자의 하나인 LED를 기판에 배치 내지는 실장시켜 주기 위해 일반적으로 알루미늄(Al) 등과 같은 금속제로 이루어진 금속기판을 사용하게 된다.
또한, 상기 금속기판에 배치 내지는 실장된 파워소자들의 방열을 위해 열전도율을 높여주고, 전기적인 도전율도 동시에 향상시켜 주기 위한 차원에서 상기 금속기판 위에 절연층을 형성시킨 다음 구리(Cu) 등과 같은 도전성 물질을 사용하여 별도의 도전층을 추가로 형성시키고, 이어서 에칭(Etching) 공정을 거쳐 각종 부품소자들이 전기적인 신호로 연결되는 패턴(Pattern)을 형성시켜 주게 된다.
하지만, 이와 같은 종래의 금속기판은 상기 절연층 위에 도전층을 직접 증착 형성시켜 주기 때문에 접착력이 떨어져서 불량을 초래하는 등의 문제점이 발생하게 되었다.
또한, 종래의 금속기판에 절연층을 형성시켜 주기 위해서는 대부분 Al2O3 등과 같은 물질을 사용하여 대기 중에서 양극산화 처리기법으로 이루어지게 되는데, 이로 인해 다량의 폐수가 발생하여 환경을 오염시키는 요인이 되고 있는 실정이다.
상기한 바와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 본 발명은 금속제로 구비된 기판부재의 어느 한쪽 또는 양쪽 표면에 진공 중에서 절연층의 형성과 함께 상기 절연층 위에 접착성을 향상시켜 주기 위한 도전성의 버퍼(Buffer)층을 형성시킨 다음 도전성 물질을 이용하여 상기 버퍼층 위에 다층으로 도전막을 형성시켜 줌으로써, 상기 금속기판에 배치 내지는 실장된 LED 등과 같은 파워소자에서 발생하는 고열에 대한 열전도 내지는 방열효율을 더욱 높여줄 수 있도록 함에 그 목적이 있다.
상기한 바와 같은 본 발명의 과제를 해결하기 위한 수단으로는 다층으로 도전막을 형성시킨 금속기판의 제조방법에 있어서, 금속 재질로 구비된 기판부재의 어느 한쪽 또는 양쪽 표면에 진공 중에서 건식산화처리로 절연층을 형성시키는 단계로 이루어진 것을 그 특징으로 한다.
또한, 상기 절연층 위에 도전성 물질을 진공 증착에 의해 두께 1 내지 400㎛로 버퍼(Buffer)층을 형성시키는 단계로 이루어진 것을 그 특징으로 한다.
또한, 상기 버퍼층 위에 상기 기판부재보다 도전율이 더 높은 물질을 진공 증착에 의해 제1도전막을 형성시키는 단계로 이루어진 것을 그 특징으로 한다.
또한, 상기 제1도전막 위에 상기 기판부재와는 도전율이 더 높은 물질이고, 상기 제1도전막과는 도전율이 동일한 물질을 대기 중에서 습식 도금으로 제2도전막을 형성시키는 단계로 이루어진 것을 그 특징으로 한다.
또한, 상기 제2도전막 위에 상기 기판부재 및 제1도전막, 제2도전막보다는 도전율이 더 높은 물질을 대기 중에서 습식 도금으로 제3도전막을 형성시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 그 특징으로 한다.
한편, 상기 제2도전막 위에는 제1도전막 및 제2도전막과는 다른 재질의 도전성 물질을 대기 중에서 습식 도금으로 제3도전막을 형성시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 또 다른 특징으로 한다.
이하, 본 발명이 해결하고자 하는 과제 및 해결수단들은 첨부한 도면에 나타난 다양한 실시사례들의 상세한 설명을 통해서 보다 더 명백하여 질 것이다.
이와 같이 본 발명은 다층의 도전막이 형성되어 있는 금속기판에 배치 내지는 실장된 파워소자에서 발생하는 고열에 대해 금속제의 기판부재를 통해서 방열이 원활하도록 함으로써, 열로 인해 제품의 고장이 발생하는 것을 사전에 방지하여 주는 효과를 제공한다.
도 1은 본 발명에 따른 금속제의 기판부재에 다층으로 도전막이 형성된 상태를 나타낸 제1실시사례 도면이다.
도 2는 본 발명에 따른 금속제의 기판부재에 다층으로 도전막이 형성된 상태를 나타낸 제2실시사례 도면이다.
도 3은 본 발명에 따른 도 1 및 도 2에 있어서, 금속제의 기판부재에 형성된 절연층 위에 제1도전막을 형성시켜 주기 위한 상태를 나타낸 일실시사례 사시도이다.
도 4는 본 발명에 따른 금속제의 기판부재에 다층으로 도전막을 형성시켜 주는 과정을 나타낸 일실실시사례 플로우차트이다.
본 발명의 구체적인 실시사례를 설명함에 있어서, 본 발명의 도면에 의해 도시되어 있고, 이에 따른 구성과 동작들은 적어도 하나의 일실시 사례로서 설명되어 지는 것이며, 이것에 의해서 본 발명의 기술적 사상과 그 핵심적인 구성 및 동작들이 제한받지는 않아야 할 것이다.
참고할 사항으로, 본 발명에서 설명되는 각 도면들에 부호를 표기함에 있어서, 동일한 구성요소는 비록 다른 도면에 표기되더라도 가능한 한 동일한 부호를 부여하였음에 특히 유의하여야 할 것이다.
이하, 본 발명에 따른 다층의 도전막이 형성된 금속기판의 제조방법에 대해서 첨부된 도면들을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명에 따른 금속제의 기판부재에 다층으로 도전막이 형성된 상태를 나타낸 제1실시사례 도면이고, 도 4는 본 발명에 따른 금속제의 기판부재에 다층으로 도전막을 형성시켜 주는 과정을 나타낸 일실실시사례 플로우차트이다.
본 발명에 따른 과제를 해결하기 위한 수단에 대해서 살펴보면, 다층으로 도전막을 형성시킨 금속기판(300)의 제조방법에 있어서, 금속 재질로 구비된 기판부재(310)의 어느 한쪽 또는 양쪽 표면에 진공 중에서 건식산화처리로 절연층(320)(320a)을 형성시키는 단계(S401)로 이루어진 것을 그 특징으로 한다.
또한, 상기 절연층(320)(320a) 위에 도전성 물질을 진공 증착에 의해 두께 1 내지 400㎛로 버퍼(Buffer)층(330)(330a)을 형성시키는 단계(S402)로 이루어진 것을 그 특징으로 한다.
또한, 상기 버퍼층(330)(330a) 위에 상기 기판부재(310)보다 도전율이 더 높은 물질을 진공 증착에 의해 제1도전막(341)(341a)을 형성시키는 단계(S403)로 이루어진 것을 그 특징으로 한다.
또한, 상기 제1도전막(341)(341a) 위에 상기 기판부재(310)와는 도전율이 더 높은 물질이고, 상기 제1도전막(341)(341a)과는 도전율이 동일한 물질을 대기 중에서 습식 도금으로 제2도전막(342)(342a)을 형성시키는 단계(S404)로 이루어진 것을 그 특징으로 한다.
또한, 상기 제2도전막(342)(342a) 위에 상기 기판부재(310) 및 제1도전막(341)(341a), 제2도전막(342)(342a)보다는 도전율이 더 높은 물질을 대기 중에서 습식 도금으로 제3도전막(343)(343a)을 형성시키는 단계(S405)를 포함하여 이루어지는 것을 그 특징으로 한다.
여기서, 상기 기판부재(310)를 비롯하여 제1도전막(341)(341a) 및 제2도전막(342)(342a), 제3도전막(343)(343a) 등의 재질에 대한 열팽창율의 크기는 순서를 나열해 보면, 상기 기판부재(310)＜제1도전막(341)(341a)＝제2도전막(342)(342a)＜제3도전막(343)(343a) 순으로 이루어지는 것을 그 특징으로 한다.
한편, 상기 제2도전막(342)(342a) 위에는 상기 제1도전막(341)(341a) 및 제2도전막(342)(342a)과는 다른 재질의 도전성 물질을 대기 중에서 습식 도금으로 제3도전막(343)(343a)을 형성시키는 단계(S405)를 포함하여 이루어지는 것을 또 다른 특징으로 한다.
다음은 상기 언급된 바와 같은 본 발명의 수단에 포함되는 다양한 일실시사례들에 대해서 구체적으로 설명하기로 한다.
먼저, 상기 제3도전막(343)(343a)이 형성되면(S405), 금속기판(300)의 최상단에 형성된 제3도전막(343)(343a)에서부터 제2도전막(342)(342a), 제1도전막(341)(341a), 버퍼층(330)(330a), 절연층(320)(320a), 기판부재(310)에 걸쳐 에칭(Etching)시켜, 상기 금속기판(300)에 배치된 부품 소자들이 전기적인 신호로 연결되는 패턴(Pattern)을 형성시키는 단계(S405)를 더 포함하여 주는 것이 바람직할 것이다.
한편, 상기 기판부재(310)의 표면에 절연층(320)(320a)을 형성시켜 주기 위한 건식산화(Dry Oxidation)처리는 Al2O3, TiO2, SiO2, SnO2, CrOx, SiOx 물질 중에서 어느 하나 또는 둘 이상을 혼합하여 두께 10 내지 25㎛로 진공 중에서 산화막이 형되도록 하는 것이 바람직할 것이다.
예컨데, 상기 건식산화처리를 위한 수단으로는 플라즈마(Plasma)에 의한 스퍼터링(Sputtering)증착을 비롯하여 전자빔(Electron Beam)증착, 열(Thermal)증착, 이온플레이팅(Ion Plating)증착 등을 사용하여 이루어지는 것이 바람직하고, 물론 앞에서 열거한 사례들로 제한받지는 않을 것이다.
여기서, 상기 절연층(320)(320a)의 형성에 이용되는 플라즈마(Plasma)에 의한 건식산화처리의 실시사례에 대해 살펴보면, 쳄버(Chamber) 내(內)의 환경조건에 포함된 10-3 내지 10-6 Torr의 진공 중에서 산소(O2) 또는 아르곤(Ar) 또는 이들의 조합에 의한 가스를 상기 쳄버 내(內)에 50 내지 500sccm 유량으로 공급하여 플라즈마(Plasma)를 발생시켜 줌으로써 이루어지게 된다.
또한, 상기 절연층(320)(320a)을 형성시켜 주기 위한 또 다른 실시사례로서는 Al2O3 물질을 사용하여 두께 0.1 내지 0.9㎛로 대기 중에서 양극 반응에 의한 양극산화처리로 형성시켜 주는 것도 가능할 것이다.
한편, 상기 절연층(320)(320a) 위에 형성되는 버퍼층(330)(330a)은 도전성의 Mo 또는 Ti 물질 중에서 어느 하나 또는 이들을 혼합하여 진공 증착에 의해 형성된 것을 그 특징으로 한다.
상기와 같이 도전성 물질인 Mo 또는 Ti 또는 이들을 혼합하여 버퍼층(330)(330a)을 별도로 형성시켜 주는 이유는 상기 절연층(320)(320a) 위에 형성되는 제1도전막(341)(341a)에 대한 접착성을 향상시켜 주는 기능과 함께 금속기판(300)의 최상단에 형성된 제3도전막(343)(343a)에서부터 제2도전막(342)(342a), 제1도전막(341)(341a), 버퍼층(330)(330a), 절연층(320)(320a), 기판부재(310)에 대해 화학 약품으로 에칭(Etching) 작업을 할 경우에 있어서 에칭 공정을 단축시켜 주는 역할도 동시에 가능하게 된다.
또한, 상기 버퍼층(330)(330a)은 절연층(320)(320a) 위에 형성되는 제1도전막(341)(341a)에 대한 접착성을 향상시켜 주는 기능 외에도 제1 내지 제3 도전막(341)(341a)(342)(342a)(343)(343a) 등이 다층으로 형성되어 있는 금속기판(300)에 배치 내지는 실장된 LED 등과 같은 파워소자에서 발생하는 고열을 금속제의 기판부재(310)에 열전도시켜 방열이 원활하게 이루어지도록 하는 작용도 하게 된다.
그리고, 상기 기판부재(310)는 두께 0.5 내지 5mm로 형성된 알루미늄(Al) 재질을 사용하는 것이 바람직하고, 상기 제1도전막(341)(341a)은 10-3 내지 10-6 Torr의 진공 중에서 두께 10 내지 20,000Å로 형성된 구리(Cu) 재질을 사용하고, 상기 제2도전막(342)(342a)은 두께 10 내지 20㎛로 대기 중에서 습식 도금으로 형성된 구리(Cu) 재질을 사용하고, 상기 제3도전막(343)(343a)은 두께 0.5 내지 10㎛로 대기 중에서 습식 도금으로 형성된 은(Ag), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al) 중에서 어느 하나 또는 둘 이상을 혼합한 재질을 사용하여 이루어지게 된다.
한편, 상기 버퍼층(330)(330a)은 제1마스크(100)와 제2마스크(200) 사이에 기판부재(310)를 밀착시킨 상태에서 상기 제1마스크(100)의 바디(101)와 제2마스크(200) 바디(201)에 형성된 천공부(140)(240)를 통해서 상기 천공부(140)(240)와 동일한 형상으로 도전성 물질을 증착시켜, 상기 절연층(320)(320a) 위에 형성시켜 주는 것이 바람직할 것이다.
또 다른 한편으로는, 상기 제1도전막(341)(341a)은 제1마스크(100)와 제2마스크(200) 사이에 기판부재(310)를 밀착시킨 상태에서 상기 제1마스크(100)의 바디(101)와 제2마스크(200) 바디(201)에 형성된 천공부(140)(240)를 통해서 상기 천공부(140)(240)와 동일한 형상으로 도전성 물질을 증착시켜, 상기 버퍼층(330)(330a) 위에 형성시켜 주는 것이 바람직할 것이다.
상기 버퍼층(330)(330a) 및 제1도전막(341)(341a)을 증착시켜 주기 위한 수단으로는 플라즈마(Plasma)에 의한 스퍼터링(Sputtering)증착을 비롯하여 전자빔(Electron Beam)증착, 열(Thermal)증착, 이온플레이팅(Ion Plating)증착 등을 사용하여 이루어지는 것이 바람직하나, 역시 앞에서 열거한 사례들로 제한받지는 않을 것이다.
또한, 상기 천공부(140)(240)는 구조화된 격자(格子) 형태를 비롯하여 삼각형, 사각형, 다각형, 원형, 타원형, 반원 중에서 어느 하나의 형상으로 상기 제1마스크(100) 및 제2마스크(200)의 바디(101)(201)에 동일한 크기로 다수 개 배열 형성시켜 주는 것을 그 특징으로 하되, 이때 상기 언급된 다양한 형상들에 국한시켜 제한받지는 않을 것이다.
또한, 상기 기판부재(310)는 두께 0.5 내지 5mm로 형성된 알루미늄(Al) 재질이고, 상기 기판부재(310)와 다른 재질의 두께 0.05 내지 5mm의 금속 재질로 이루어진 제1마스크(100) 및 제2마스크(200)에 비해 열팽창율 및 열전도율이 더 높고, 탄성율은 더 낮은 것을 그 특징으로 한다.
이때, 상기 제1마스크(100) 및 제2마스크(200)는 SUS(Steel special Use Stainless) 재질을 사용하는 것이 상기 기판부재(310)의 열변형 의한 휘어짐의 방지에 더 유리할 것이다.
예컨데, 상기 기판부재(310)의 어느 한쪽 또는 양쪽 표면에 일차적으로 형성된 절연층(320)(320a) 위에 도전성 물질로 버퍼층(330)(330a)을 형성시키고, 이어서 상기 버퍼층(330)(330a) 위에 제1도전막(341)(341a)을 형성시켜 줌에 있어서, 이때 쳄버(Chamber) 내(內)의 환경조건에 포함된 10-3 내지 10-6 Torr의 진공 중에서 1 내지 10KW의 DC출력으로 산소(O2) 또는 아르곤(Ar) 또는 이들의 조합에 의한 가스를 상기 쳄버 내(內)에 50 내지 500sccm 유량으로 공급하여 플라즈마(Plasma)를 발생시켜 줌에 따라 통상 30 내지 400℃의 고열이 발생하게 된다.
이로 인해 고열에 약한 기판부재(310)의 바디(301)가 전체적으로 휘어지게 되는 현상이 발생하게 되는데, 이때 상기 제1마스크(100) 및 제2마스크(200) 사이에 열팽창율 및 열전도율, 탄성율이 다른 기판부재(310)를 상기 제1마스크(100)와 제2마스크(200) 사이에 끼워 밀착시켜 줌으로써, 상기 기판부재(310)로부터 발생된 고열이 상기 제1마스크(100)와 제2마스크(200)에 열전도되어 열흡수가 이루어지도록 함으로써 상기 고열 발생으로 인한 휘어짐 방지를 할 수 있게 된다.
한편, 첨부된 도 2에 나타낸 바와 같이 금속 재질로 이루어진 기판부재(310)의 측면에는 폐로 상태로 연결된 일정한 깊이의 방열요홈(311)을 적어도 한 줄 이상으로 형성하여 전체적인 방열 단면적을 증가시켜 줌으로써, 이때 금속기판(300)에 배치 내지는 실장된 LED 등과 같은 파워소자로부터 발생하는 열에 대한 방열작용이 더욱 원활하게 이루어지도록 하는 것이 바람직할 것이다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 아니하는 범위에서 다양한 변경과 수정 등이 가능함을 자명하게 알 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 언급된 바와 같은 다양한 실시사례들에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라, 본 발명의 특허청구 범위에 의하여 정해져야 함이 바람직할 것이다.
100 : 제1마스크(Mask)
101, 201, 301 : 바디(Body)
140, 240 : 천공부
200 : 제2마스크(Mask)
300 : 금속기판
310 : 기판부재
311 : 방열요홈
320, 320a : 절연층
330, 330a : 버퍼(Buffer)층
341, 341a : 제1도전막
342, 342a : 제2도전막
343, 343a : 제3도전막

Claims (10)

  1. 다층으로 도전막을 형성시킨 금속기판(300)의 제조방법에 있어서,
    금속 재질로 구비된 기판부재(310)의 어느 한쪽 또는 양쪽 표면에 진공 중에서 건식산화처리로 절연층(320)(320a)을 형성시키는 단계(S401);
    상기 절연층(320)(320a) 위에 도전성 물질을 진공 증착에 의해 두께 1 내지 400㎛로 버퍼층(330)(330a)을 형성시키는 단계(S402);
    상기 버퍼층(330)(330a) 위에 상기 기판부재(310)보다 도전율이 더 높은 물질을 진공 증착에 의해 제1도전막(341)(341a)을 형성시키는 단계(S403);
    상기 제1도전막(341)(341a) 위에 상기 기판부재(310)와는 도전율이 더 높은 물질이고, 상기 제1도전막(341)(341a)과는 도전율이 동일한 물질을 대기 중에서 습식 도금으로 제2도전막(342)(342a)을 형성시키는 단계(S404);
    상기 제2도전막(342)(342a) 위에 상기 기판부재(310) 및 제1도전막(341)(341a), 제2도전막(342)(342a)보다는 도전율이 더 높은 물질을 대기 중에서 습식 도금으로 제3도전막(343)(343a)을 형성시키는 단계(S405);
    를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 다층의 도전막이 형성된 금속기판의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서 상기 기판부재(310), 제1도전막(341)(341a), 제2도전막(342)(342a), 제3도전막(343)(343a)에 대한 열팽창율의 크기 순서는 기판부재(310)＜제1도전막(341)(341a)＝제2도전막(342)(342a)＜제3도전막(343)(343a) 순으로 이루어진 것;
    을 특징으로 하는 다층의 도전막이 형성된 금속기판의 제조방법.
  3. 다층으로 도전막을 형성시킨 금속기판(300)의 제조방법에 있어서,
    금속 재질로 구비된 기판부재(310)의 어느 한쪽 또는 양쪽 표면에 진공 중에서 건식산화처리로 절연층(320)(320a)을 형성시키는 단계(S401);
    상기 절연층(320)(320a) 위에 도전성 물질을 진공 증착에 의해 두께 1 내지 400㎛로 버퍼층(330)(330a)을 형성시키는 단계(S402);
    상기 버퍼층(330)(330a) 위에 상기 기판부재(310)보다 도전율이 더 높은 물질을 진공 증착에 의해 제1도전막(341)(341a)을 형성시키는 단계(S403);
    상기 제1도전막(341)(341a) 위에 상기 기판부재(310)와는 도전율이 더 높은 물질이고, 상기 제1도전막(341)(341a)과는 도전율이 동일한 물질을 대기 중에서 습식 도금으로 제2도전막(342)(342a)을 형성시키는 단계(S404);
    상기 제2도전막(342)(342a) 위에는 상기 제1도전막(341)(341a) 및 제2도전막(342)(342a)과는 다른 재질의 도전성 물질을 대기 중에서 습식 도금으로 제3도전막(343)(343a)을 형성시키는 단계(S405);
    를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 다층의 도전막이 형성된 금속기판의 제조방법.
  4. 제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 절연층(320)(320a)은 Al2O3, TiO2, SiO2, SnO2, CrOx, SiOx 물질 중에서 어느 하나 또는 둘 이상을 혼합하여 두께 10 내지 25㎛로 10-3 내지 10-6 Torr의 진공 중에서 플라즈마에 의한 건식산화처리로 이루어진 것;
    을 특징으로 하는 다층의 도전막이 형성된 금속기판의 제조방법.
  5. 제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 버퍼층(330)(330a)은 도전성의 Mo 또는 Ti 물질 중에서 어느 하나 또는 이들을 혼합하여 10-3 내지 10-6 Torr의 진공 중에서 증착 형성된 것;
    을 특징으로 하는 다층의 도전막이 형성된 금속기판의 제조방법.
  6. 제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 제1도전막(341)(341a)은 10-3 내지 10-6 Torr의 진공 중에서 두께 10 내지 20,000Å로 증착 형성된 구리(Cu) 재질이고, 상기 제2도전막(342)(342a)은 두께 10 내지 20㎛로 대기 중에서 습식 도금으로 형성된 구리(Cu) 재질이고, 상기 제3도전막(343)(343a)은 두께 0.5 내지 10㎛로 대기 중에서 습식 도금으로 형성된 은(Ag), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al) 중에서 어느 하나 또는 둘 이상을 혼합한 재질로 이루어진 것;
    을 특징으로 하는 다층의 도전막이 형성된 금속기판의 제조방법.
  7. 제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 버퍼층(330)(330a)은 제1마스크(100)와 제2마스크(200) 사이에 기판부재(310)를 밀착시킨 상태에서 상기 제1마스크(100)의 바디(101)와 제2마스크(200) 바디(201)에 형성된 천공부(140)(240)를 통해서 상기 천공부(140)(240)와 동일한 형상으로 도전성 물질을 증착시켜 절연층(320)(320a) 위에 형성된 것;
    을 특징으로 하는 다층의 도전막이 형성된 금속기판의 제조방법.
  8. 제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 제1도전막(341)(341a)은 제1마스크(100)와 제2마스크(200) 사이에 기판부재(310)를 밀착시킨 상태에서 상기 제1마스크(100)의 바디(101)와 제2마스크(200) 바디(201)에 형성된 천공부(140)(240)를 통해서 상기 천공부(140)(240)와 동일한 형상으로 도전성 물질을 증착시켜 버퍼층(330)(330a) 위에 형성된 것;
    을 특징으로 하는 다층의 도전막이 형성된 금속기판의 제조방법.
  9. 제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 기판부재(310)는 두께 0.5 내지 5mm로 형성된 알루미늄(Al) 재질이고, 두께 0.05 내지 5mm의 SUS 재질로 이루어진 제1마스크(100) 및 제2마스크(200)에 비해 열팽창율 및 열전도율이 더 높고, 탄성율은 더 낮은 것;
    을 특징으로 하는 다층의 도전막이 형성된 금속기판의 제조방법.
  10. 제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 기판부재(310)의 측면에는 폐로 상태로 연결된 방열요홈(311)을 적어도 한 줄 이상으로 형성시킨 것;
    을 특징으로 하는 다층의 도전막이 형성된 금속기판의 제조방법.
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