CN101440471B - 线式膜形成装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种线式膜形成装置，包括：淀积源、防淀积板和屏。淀积源存储不同膜形成材料，并且包括在垂直于传送方向的基板的宽度方向上延伸的开口。所述开口相互平行地分别设置在传送方向的上游侧和下游侧。所述防淀积板隔开与共淀积室相邻的淀积室，并且相互平行地设置在传送方向的上游侧和下游侧，限制来自开口的蒸汽的淀积区域。屏限制并且使来自开口的蒸汽在基板的淀积区域与通过板限定的淀积区域重合。因而，防止单成分模形成而只有混合膜形成在基板上。

Description

线式膜形成装置

技术领域

本发明涉及一种设置有共淀积室的线式(in-line)膜形成装置，多个膜形成材料在所述共共淀积室中蒸发或者升华，并且然后混合地淀积在基板上以形成膜。 

背景技术

在已知的共淀积膜形成装置中，多个膜形成材料蒸发或者升华，并且然后混合地淀积在基板上以形成膜。例如，在形成有机电致发光(EL)装置等等的发光层的情况下，使用这种共淀积膜形成装置，膜的形成必须经过如下过程。当玻璃基板被传送时，多个被蒸发或升华的膜形成材料从安装在玻璃基板下方的多个喷嘴喷射出，并且然后以预定比例混合在一起。这样被混合的膜形成材料被淀积在玻璃基板上以在其上形成膜。在日本专利申请公开号No.2002-348659中公开的装置是上述共淀积膜形成装置的具体例子，并且所述公开装置混合膜形成材料并以如下方式形成膜。能够被倾斜的容器设置到所述装置以分别地容纳膜形成材料。这些容器的角度被调整以获得允许它们各自的膜形成材料在单个淀积区域共淀积的位置。所述共淀积膜形成装置的另一个例子是在日本专利申请公开号No.2006-057173中公开的。容纳不同膜形成材料的多个容器设置在所公开的装置中，并且在玻璃基板的宽度方向(即，在垂直于玻璃基板传送方向的方向)交替地设置多个容器的喷嘴。然后，通过把已经从喷嘴喷射出的膜形成材料混合在一起而执行共淀积以形成膜。 

在已知的线式膜形成装置中，包括含有多个膜形成材料混合膜的多层膜连续地形成在以等速传送的玻璃基板上。日本专利申请公开号No.特开平10-140351，No.2002-176090和No.特开平02-125866(参见图5)公开了这种线式膜形成装置。在这些线式膜形成装置中的每一个中，一连串淀积室连续地设置在玻璃基板传送方向上(此后，简称为玻璃基板传送 方向或者传送方向)。为了形成多层膜，所述装置设置有隔开多个淀积室的防淀积板。防淀积板防止从相互邻近的淀积室的淀积源泄露的不同种膜形成材料的蒸汽的混合。 

图5显示设置在传统线式膜形成装置的共淀积室的示例性结构。在共淀积室41中，容器42和43被设置以分别地存储膜形成材料A和B。玻璃基板44在传送方向T上传送。膜形成材料A和B被分别地从容器42和43中释放以执行膜形成材料A和B在玻璃基板44上的共淀积。在这种情况下，防淀积板45_A和45_B被用于隔开共淀积室41。假设通过使用具有这种结构的装置而形成混合膜的情况。在这种情况下，在玻璃基板44上的淀积区域R内获得膜形成材料A和B的混合膜，同时，防淀积板45_A和45_B对膜形成材料A和B的共淀积没有任何影响。相反，膜形成材料A和B的任何一种的单成分模形成在淀积区域R_A和R_B的每个中，所述淀积区域R_A和R_B分别地位于玻璃基板上淀积区域R的在传送方向上的下游和上游侧。换句话说，由于容器42和43的喷嘴相对于防淀积板45_A和45_B的几何位置，在这些区域不能获得混合膜。在有机EL装置的制造中，这种单成分模的形成产生这样的问题，即较高电压被需要以用于在电子注入层发射光，这有可能最终导致较低的发光效率。 

下面参照图5说明形成单成分模的机理。在上游侧上，防淀积板45_A限制从容器42释放的膜形成材料A淀积在由线U_A限定的区域内。另一方面，在上游侧上，防淀积板45_A也限制从容器43释放的膜形成材料B淀积在由线U_B限定的区域内。因而形成的淀积区域R_B包括在容器43的膜形成材料B的淀积区域中，但是不包括在容器42的膜形成材料A的淀积区域中。因而，如此形成在淀积区域R_B中的膜为膜形成材料B的单成分模。同样地，在下游侧，防淀积板45_B限制从容器42释放的膜形成材料A淀积在由线D_A限定的区域内。另一方面，在下游侧，防淀积板45_B也限制从容器43释放的膜形成材料B淀积在由线D_B限定的区域内。这样形成的淀积区域R_A包括在容器42的膜形成材料A的淀积区域内，但是不包括在容器43的膜形成材料B的淀积区域内。因而，这样形成在淀积区域R_A的膜为膜形成材料A的单成分模。因而，问题出现了，在玻璃基板44的传送方向T中的上游侧和在下游侧都形成单成分模而不是 混合膜。因此，每两个淀积室之间的距离必须被延长，这最终导致装置整体变大。 

图6显示在日本专利申请公开号No.2006-057173中公开的装置的结构。在共淀积室51中，多个容器52和53被设置以存储膜形成材料A和B。多个容器52和53的喷嘴交替地设置在玻璃基板54的基板宽度方向W上(即，垂直于玻璃基板传送方向T的方向)。从这样设置的喷嘴释放的膜形成材料A和B被混合以执行共淀积。因此，这种结构不太可能产生上述的形成单成分模的问题。但是，上述的容器52和53的喷嘴交替地设置在基板宽度方向W的结构产生另一个问题，如图6所示，膜形成材料在密度方面在基板宽度方向W上不均衡地分布。不同膜形成材料必须被加热到不同温度以被蒸发或者升华。另外，不同膜形成率需要不同温度。因此，蒸发容器52和53的喷嘴必须被加热到不同温度。另外，每两个相邻的喷嘴之间需要空间以绝缘热。这种热绝缘的需要要求喷嘴之间较大的距离。因而，增加了在基板宽度方向上的不均衡浓度分布。 

至此的说明，通过传统线式膜形成装置的共淀积不可避免地产生单成分模形成和浓度分布不均衡发生这样的问题。 

发明内容

鉴于上述问题而产生本发明。本发明的目的是提供一种线式膜形成装置，其能够执行共淀积而没有引起形成单成分模或产生浓度分布不均衡。 

为实现上述目的，本发明的第一方面是提供线式膜形成装置，所述线式膜形成装置包括多个淀积室，至少一个淀积室是共淀积室，所述共淀积室通过两种不同的膜形成材料的共淀积过程而形成混合膜，在共淀积过程中，两种不同的膜形成材料被蒸发或者升华，然后被蒸发或者升华的两种膜形成材料的蒸汽被混合地淀积，所述多个淀积室设置在基板被传送的传送方向上，如此设置的淀积室在被传送的基板连续地形成膜，从而在基板上形成多层膜。在所述线式膜形成装置中，所述共淀积室包括：分别地存储膜形成材料的两个淀积源，淀积源各自包括开口，每个开口在垂直于传送方向的基板的宽度方向上延伸，所述开口被相互平行地分别设置在传送方向的上游侧和下游侧上；分别地隔开与共淀积室相邻的淀积室的两个隔 开部件，隔开部件被设置远离传送基板并且被相互平行地分别设置在传送方向的上游侧和下游侧上，两个淀积源被设置在所述隔开部件之间；和限制部件，所述限制部件限制从上游侧开口释放并且在基板的下游侧淀积的蒸汽，以使下游侧界线被设置在蒸汽将被淀积的淀积区域上，具有下游侧界线的所述淀积区域与从下游侧开口释放并且在基板的下游侧淀积的蒸汽的淀积区域重合，在下游侧的隔开部件在从下游侧开口释放的蒸汽的淀积区域上设置下游侧界线，并且当防止在基板的下游侧形成包含两个膜形成材料的任何一种的单成分模时，只有混合膜形成在基板的下游侧。 

为实现上述目的，本发明的第二方面根据第一方面提供具有如下技术特征的线式膜形成装置。限制部件进一步限制从下游侧开口释放并且淀积在基板的上游侧的蒸汽，以使上游侧界线被设置在从下游侧开口释放的蒸汽的淀积区域上，并且所述具有上游侧界线的从下游侧开口释放的蒸汽的淀积区域与从上游侧开口释放并且淀积在基板的上游侧的蒸汽的淀积区域重合，同时，上游侧隔开部件在从上游侧开口释放的蒸汽的淀积区域上设置上游侧界线，并且也防止在基板的上游侧形成包含两个膜形成材料的任何一种的单成分模，只有混合膜形成在基板的上游侧。 

为实现上述目的，根据第一方面，本发明的第三方面提供具有如下技术特征的线式膜形成装置。所述线式膜形成装置包括屏，设置在两个开口之间的所述屏为限制部件。 

为实现上述目的，根据第三方面的本发明第四方面提供具有如下技术特征的线式膜形成装置。屏被设置以使屏的上端在第一和第二线的至少一个之上，所述第一和第二线限定如下：第一线是从开始点经过离下游侧隔开部件更远的一个上游侧开口边缘画的线，所述开始点为基板与经过下游侧隔开部件的顶点和离下游侧隔开部件更远的下游侧开口的一个边缘的线的交点；和所述第二线为从开始点经过离上游侧隔开部件更远的下游侧开口的一个边缘画的线，所述开始点为基板与经过上游侧隔开部件的顶点和离上游侧隔开部件更远的上游侧开口的一个边缘的线的交点。 

实现上述目的，根据第一方面的本发明的第五方面为提供具有如下技术特征的线式膜形成装置。限定如下的至少一个开口侧壁延伸从而作为限制部件：上游侧开口的两个开口侧壁的位于更靠近下游侧开口的一个开口 侧壁；和下游侧开口的两个开口侧壁的位于更靠近上游侧开口的一个开口侧壁。 

为实现上述目的，根据第五方面的本发明第六方面提供具有如下技术特征的线式膜形成装置。开口侧壁形成具有倾斜地形成的开口的至少一个的上表面以实现限定如下的第一和第二重合的任何一个：所述第一重合是上游侧开口的上表面位置与从开始点经过上游侧开口上端所画的线之间的重合，所述开始点是基板与经过下游侧开口上端和下游侧隔开部件顶点的线的交点；和所述第二重合是下游侧开口的上表面位置与从开始点经过下游侧开口上端所画的线之间的重合，所述开始点是基板与经过上游侧开口上端和上游侧隔开部件顶点的线的交点。 

为实现上述目的，根据第六方面的本发明第七方面提供具有如下技术特征的线式膜形成装置。通过切割开口而倾斜地形成上表面。 

为实现上述目的，本发明第八方面提供线式膜形成装置，包括多个淀积室，至少一个淀积室是共淀积室，共淀积室通过两种不同的膜形成材料的共淀积过程而形成混合膜，在共淀积过程中，两种不同的膜形成材料被蒸发或者升华，并且然后，被蒸发或者升华的两种膜形成材料的蒸汽被混合地淀积，多个淀积室被设置在传送基板的传送方向，如此设置的淀积室在被传送的基板上连续地形成膜，从而在基板上形成多层膜。在线式膜形成装置中，共淀积室包括：分别地存储膜形成材料的两个淀积源，淀积源各自包括开口，每个开口在垂直于传送方向的基板的宽度方向上延伸，开口被相互平行地分别设置在传送方向的上游侧和下游侧；两个隔开部件分别地隔开与共淀积室相邻的淀积室；隔开部件被设置远离传送基板，并且被相互平行地分别设置在传送方向的上游侧和下游，两个淀积源设置在隔开部件之间；和限制部件，限制部件限制从上游侧和下游侧的第一侧上的开口之一的第一侧释放并且在基板的上游侧和下游侧的第二侧上淀积的蒸汽，以使第二侧界线被设置在蒸汽被将被淀积的淀积区域上，具有所述第二侧界线的所述淀积区域与从第二侧上的开口之一的第二侧释放并且在基板第二侧上淀积的蒸汽的淀积区域重合，在第二侧的隔开部件之一的第二个在所述开口之一的第二侧释放的蒸汽的淀积区域上设置第二侧界线，在各自的开口的第二侧上延伸的开口侧壁通过倾斜地形成开口的上表 面而形成为限制部件，从而，开口的上表面是在经过开口之一的第二侧的上端和隔开部件之一的第二的顶点的线上，并且当防止在基板的第二侧上形成包含两种膜形成材料的任何一种的单成分模，只有混合膜形成在基板的第二侧上。 

根据第八方面，本发明的第九方面提供的线式膜形成装置具有如下技术特征。所述线式膜形成装置进一步包括设置热绝缘部件在两个淀积源之间。另外，所述两个淀积源被设置得彼此靠近。 

根据本发明，在所述共淀积室中，所述限制部件在来自任何一种或者两个淀积源的蒸汽的淀积区域上设置界线。因此，可以避免在基板的传送方向的上游侧和下游侧的任何一侧或者两侧上形成单成分模。另外，不仅在传送方向上而且在垂直于所述传送方向的基板宽度方向上，可以实现没有任何浓度不均衡的共淀积。在来自任何一种或者两个淀积源的蒸汽的淀积区域上设置界线的所述限制部件允许相邻的淀积室被设置得更靠近另一个。因此，可以形成更短和更紧凑的线式膜形成装置。 

附图说明

图1是说明根据本发明第一实施方式的线式膜形成装置的示意图。 

图2是说明根据本发明第二实施方式的线式膜形成装置的示意图。 

图3是说明根据本发明第三实施方式的线式膜形成装置的示意图。 

图4是说明根据本发明第四实施方式的线式膜形成装置的示意图。 

图5是说明传统的线式膜形成装置的共淀积室的示意图。 

图6是说明另一个传统线式膜形成装置的共淀积室的示意图。 

具体实施方式

根据本发明实施方式的线式膜形成装置将参照图1至4说明如下。 

实施方式1 

图1是说明根据本发明第一实施方式的线式膜形成装置的示意图。用于描述这个实施方式的图1仅说明构成线式膜形成装置的全部多个淀积室中的形成混合膜的共淀积室。 

根据本发明的这个实施方式的线式膜形成装置具有多个淀积室。多个 淀积室的至少一个是执行共淀积过的共淀积室，两个不同的膜形成材料在其中蒸发或者升华并混合地淀积以形成混合膜。多个淀积室设置在基板传送方向中。当基板以等速传送时，膜被分别地由多个淀积室连续地形成。因而，多层膜就这样形成在基板上，同时由多个膜形成材料形成的混合膜包括在这些多层膜中。根据稍后说明的第二到第四实施方式的每个线式膜形成装置具有相似结构。 

如图1所示，这个实施方式的线式膜形成装置具有至少一个共淀积室1，并且所述共淀积室1包括分别地存储膜形成材料A和B的两个淀积源2和3。开口部2a和3a被分别地形成在淀积源2和3中。开口部2a和3a的每一个在垂直于玻璃基板4传送方向T的玻璃基板4的宽度方向上延伸。开口部2a和3a相互平行地分别设置在传送方向T的上游侧和在下游侧。执行共淀积，首先，通过蒸发或者升华分别地存储在淀积源2和3中的膜形成材料A和B。然后，蒸发或者升华的膜形成材料A和B混合地淀积在以传送方向T传送的玻璃基板4上而形成混合膜。每个开口部2a和3a在垂直于传送方向T的玻璃基板的4宽度方向上的长度优选地等于或者较长于玻璃基板4的宽度。在图1中，每个开口部2a和3a具有相对于玻璃基板4的表面(与表面)倾斜的上表面。然而，每个开口部2a和3a的上表面可以平行玻璃基板4的表面，或者以其它不同于图1所示的方式倾斜。 

两个防淀积板5A和5B(隔开部件)设置在共淀积室1中，从而防淀积板5A和5B可以分别地使共淀积室1与相邻的淀积室隔开。防淀积板5A和5B被设置从而与传送的玻璃基板4分开。防淀积板5A和5B相互平行设置并且分别地设置在传送方向T的上游侧和下游侧，同时在其中插入两个淀积源2和3。线式膜形成装置在传送方向T上具有连续地设置的多个淀积室。因而，防淀积板5A和5B被设置以隔开淀积室，并且防止相邻淀积室的淀积源蒸汽混合在一起。 

另外，这个实施方式的共淀积室在开口部2a和3a之间设置有屏6(限制部件)。在如上所述的没有屏6的情况下，淀积源2的开口2a和淀积源3的开口3a相对于防淀积板5A和5B的几何位置导致任何一种膜形成材料A和B在传送方向T的每个上游侧和下游侧形成单成分模。在这个实 施方式中设置屏6以消除在玻璃基板4的淀积区域R中形成这种单成分模的可能性。因而，只有包含两种膜形成材料A和B的混合膜可以获得。下面参照图1说明可能只有混合膜被获得的机理。 

从淀积源3的开口3a释放的蒸汽到传送方向T的下游侧的传送被防淀积板5_B限制在由线D_B限定的区域内。其间，从淀积源2的开口2a释放的蒸汽到传送方向T的下游侧的传送被屏6限制在由线D_A限定的区域内。屏6被设置以使在玻璃基板4表面上由线D_A限定的淀积区域可以与在玻璃基板4表面上由线D_B限定的淀积区域重合。更具体地，屏6的位置以如下的方式确定。从淀积源3的开口3a的离防淀积板5_B较远的一个边缘画直线经过防淀积板5_B的顶点。这样画的直线是线D_B。从线D_B与玻璃基板4的交点画另一条直线以经过淀积源2的开口2a的离防淀积板5_B更远的一个边缘。这样画的直线是线D_A。屏6被设置以使屏6的上端可以在所述线D_A上。这种设置屏6的方式使在玻璃基板4的下游侧膜形成材料A的淀积区域与膜形成材料B的淀积区域重合(即，在淀积区域R内下游侧部分上)。因而，可以避免形成包含膜形成材料A和B任何一种的单成分模，并且只有包含两种膜形成材料A和B的混合膜可以形成。 

同样地，从淀积源2的开口2a释放的蒸汽到在传送方向T的上游侧的传送被防淀积板5_A限制在由线U_A限定的区域内。其间，从淀积源3的开口3a释放的蒸汽到传送方向T的上游侧的传送被屏6限制在由线U_B限定的区域内。屏6被设置以使由线U_B限定的在玻璃基板4表面上的淀积区域与由线U_A限定的在玻璃基板4表面上的淀积区域重合。更具体地，屏6位置的以如下方式确定。从淀积源2的开口2a的离防淀积板5_A较远的一个边缘画直线经过防淀积板5_A的顶点。这样画的直线是线U_A。从线U_A与玻璃基板4的交点画另一条直线以经过淀积源3的开口3a的离防淀积板5_A较远的一个边缘。这样画的直线是线U_B。屏6被设置以使屏6的上端可以在线U_B上。同样，屏6的这种设置方式使玻璃基板4的上游侧上膜形成材料A的淀积区域与膜形成材料B的淀积区域重合(即，在淀积区域R内的上游侧部分上)。因而，可以避免形成包含膜形成材料A和B任何一种的单成分模，并且只可以形成包含两种膜形成材料A和B的混合膜。

屏6使膜形成材料A和B受限，并且因而成为屏障以屏蔽分别地从淀积源2的开口2a和从淀积源3的开口3a释放的不同种膜形成材料A和B的蒸汽在玻璃基板4表面的一些区域的淀积。因而，屏6防止单成分模的形成。因此，屏6优选地保持能够捕捉膜形成材料A和B。对于不同地放置，屏6优选地保持在足够较低的温度以防止膜形成材料A和B被蒸发。另外，屏6在传送方向T上优选地设置共淀积室1的中心位置。然而，淀积源2的开口2a和淀积源3的开口3a优选地相对于屏6的位置对称地设置，优选地，防淀积板5A和5B也相对于屏6的位置对称地设置。因而，上述几何放置位置允许线U_A，U_B，D_A，和D_B可被更容易地设置。另外，为使线U_A，U_B，D_A，和D_B的调整存在可能，屏6的厚度可以被做得更厚，或者可以使用多块屏6。同样可替换地，为使线U_A，U_B，D_A，和D_B的调整存在可能，屏6可以做成在垂直和水平方向上都可以移动。 

至此的说明，屏6被设置在相对于淀积源2的开口2a和淀积源3的开口3a的合适位置。因此，可以避免形成包含膜形成材料A和B任何一种的单成分模，玻璃基板4的整个淀积区域R可以只包含两种膜形成材料A和B的混合膜。 

另外，单成分模的形成的防止消除延长相邻淀积室之间的距离的需要，从而，装置的整体尺寸可以被做得更紧凑。 

需要注意，这种实施方式的屏6用作限制部件，其限制分别地从淀积源2的开口2a和从淀积源3的开口3a释放的不同种膜形成材料A和B蒸汽的淀积区域。然而，可以是单成分模形成在传送方向T的上游侧和下游侧的任何一个上的情况。在这种情况下，如稍后说明的实施方式3和4中所述情况，屏6可以限制从淀积源2的开口2a和淀积源3的开口3a任何一个释放的蒸汽的淀积区域。 

实施方式2 

图2是说明根据本发明第二实施方式的线式膜形成装置的示意图。如同实施方式1的情况，用于说明这个第二实施方式的图2只说明构成线式膜形成装置的全部的多个淀积室的共淀积室。 

如图2所示，这个第二实施方式的线式膜形成装置具有至少一个共淀 积室11，并且所述共淀积室11包括分别地存储膜形成材料A和B的两个淀积源12和13。开口部12a和13a分别地形成在淀积源12和13中。每个开口部12a和13a在垂直于玻璃基板14传送方向T的玻璃基板14的宽度方向上延伸。开口部12a和13a相互平行地设置并且分别地设置在传送方向T的上游侧和下游侧。执行共淀积，首先，通过蒸发或者升华分别地存储在淀积源12和13中的膜形成材料A和B。然后，蒸发或者升华的膜形成材料A和B可以被混合地淀积而在以传送方向T传送的玻璃基板14上以形成混合膜。每个开口部12a和13a在垂直于传送方向T的方向上的玻璃基板14的宽度方向上的长度优选地等于或者大于玻璃基板14的宽度。 

两个防淀积板15_A和15_B(隔开部件)设置在共淀积室11中，从而，防淀积板15_A和15_B可以分别地使共淀积室11与相邻的淀积室隔开。防淀积板15_A和15_B被设置以与传送玻璃基板14分开，并且相互平行地分别地设置于传送方向T的上游侧和下游侧，同时在其间插入两个淀积源12和13。线式膜形成装置在传送方向T上具有连续地设置的多个淀积室。因而，防淀积板15_A和15_B被设置以隔开淀积室，并且防止相邻淀积室的淀积源的蒸汽被混合在一起。 

在实施方式1中，屏被设置在淀积源的两个开口部之间以作为限制部件。然而，在这个第二实施方式中，淀积源12的开口12a和淀积源13的开口13a的每个的侧壁之一被延伸以作为限制部件。在每个开口部12a的13a的两个侧壁中，所述延伸的一个侧壁位于靠近所述另一个开口侧。具体地，如图2所示，在开口12a中，所述延伸的侧壁位于在更靠近开口13a的所述侧，并且被称作开口侧壁12b。在开口13a中，延伸的侧壁位于更靠近开口12a侧，并且被称作开口侧壁13b。注意，起限制部件作用的最简单的结构可以通过只延伸开口部侧壁12b和13b而实现。然而，在这个第二实施方式中，开口部12a和13a的每个的上表面倾斜地形成以形成开口部侧壁12b和13b。当开口部12a和13a的每个的上表面被倾斜地形成时，淀积源12和13的每个的开口可以被切割以形成安装在合适的位置的上表面，稍后将给予说明。 

因此，开口部侧壁12b和13b的延伸消除在玻璃基板14的淀积区域 R中形成这种单成分模的可能性。因而，只有包含两种膜形成材料A和B的混合膜可以被获得。可能只获得混合膜的机理和开口部12a和13a的每个的上表面的合适的位置，参照图2说明如下。 

从淀积源13的开口13a释放的蒸汽到传送方向T的下游侧的传送被防淀积板15_B限制在由线D_B限定区域内的。其间，从淀积源12的开口12a释放的蒸汽到传送方向T的下游侧的传送被开口侧壁12b限制在由线D_A限定的区域内。开口12a的上表面被形成以使在玻璃基板14的表面上由线D_A限定的淀积区域可以与在玻璃基板14的表面上由线D_B限定的淀积区域重合。更具体地，开口12a的上表面的位置以如下方式确定。从开口13a上端画直线经过防淀积板15_B的顶点。这样画的直线是线D_B。从线D_B与玻璃基板14的交点画另一条直线以经过开口12a的上端。这样画的直线是线D_A。开口12a的上表面的位置被确定以使表示开口12a的上表面的部分可以在线D_A上。开口12a的上表面的定位方式使膜形成材料A的淀积区域与膜形成材料B的淀积区域在玻璃基板14下游侧(即，在淀积区域R内下游侧部分上)重合。因而，可以避免形成包含膜形成材料A和B任何一种的单成分模，而只可以形成包含两种膜形成材料A和B的混合膜。 

同样地，从淀积源12的开口12a释放的蒸汽到传送方向T的上游侧的传送被防淀积板15_A限制在由线U_A限定的区域内。其间，从淀积源13的开口13释放的蒸汽至传送方向T的上游侧的传送被开口侧壁13b限制在由线U_B限定的区域内。开口13a的上表面被形成以使在玻璃基板14的表面上由线U_B限定的淀积区域可以与在玻璃基板14的表面上由线U_A限定的淀积区域重合。更具体地，开口13a的上表面的位置以如下方式确定。从开口12的上端画直线经过防淀积板的顶点15_A。这样画的直线是线U_A。从线U_A与玻璃基板14的交点画另一条直线以经过开口13a的上端。这样画的直线是线U_B。开口13a的上表面的位置被确定以使表示开口13a的上表面的部分在线U_B上。这样确定上表面开口13a位置的方式使膜形成材料A的淀积区域与膜形成材料B的淀积区域在玻璃基板14上游侧(即，在淀积区域R内的上游侧部分上)重合。因而可以被避免形成包含膜形成材料A和B任何一种的单成分模，而只可以形成包含两种膜形成材料A和 B的混合膜。 

开口部侧壁12b和13b成为屏障以屏蔽从淀积源12的开口12a和淀积源13的开口13a释放的蒸汽在玻璃基板14的表面的一些区域的淀积。因而，开口部侧壁12b和13b防止形成任何单成分模。  开口部侧壁12b和13b与各自的淀积源12和13整体地成型，并且因此，开口部侧壁12b和13b的温度与它们各自的淀积源12和13的温度相同。因此，与实施方式1设置的屏6相反，开口部侧壁12b和13b不捕捉膜形成材料A和B。因此，没有被捕捉的膜形成材料A和B的蒸汽可以被有效地设置到玻璃基板14侧。 

如上所述，在淀积源12的开口部分12a和淀积源13的开口部分13a中，它们各自的开口部侧壁12b和13b被延伸。因此，可以避免形成包含膜形成材料A和B任何一种的单成分模并且玻璃基板14的整个淀积区域R能够只有包含两种膜形成材料A和B的混合膜。 

另外，所述形成单成分模的防止消除了增加相邻淀积室之间距离的必要性，因而，装置的尺寸整体可以被做得更紧凑。而且，虽然在大多数情况下淀积源开口的上表面被形成以与玻璃基板平行，这样形成的上表面可以通过以上述的方式切割开口而容易地改进以适应于这个第二实施方式。 

实施方式3 

图3是说明根据本发明的第三实施方式的线式膜形成装置的示意图。用于说明这个第三实施方式的图3如在实施方式1的2中的情况一样，只说明构成线式膜形成装置的多个淀积室的共淀积室。 

这个第三实施方式的线式膜形成装置是实施方式2的装置(图2中所示)的改进例。这个第三实施方式的装置的结构允许在传送方向T的上游侧或下游侧形成单成分模。更具体地，这个第三实施方式的装置允许单成分模形成在传送方向T的上游侧。 

图3所示，这个第三实施方式的线式膜形成装置具有至少一个共淀积室21，并且所述共淀积室21包括分别地存储膜形成材料A和B的两个淀积源22和23。开口部22a和23a分别地形成在淀积源22和23中。开口部22a和23a的每个在垂直于玻璃基板24传送方向T的玻璃基板24的宽 度方向上延伸。开口部22a和23a相互平行地设置并且分别地设置在传送方向T的上游侧和下游侧。共淀积被执行，首先，通过蒸发或者升华分别地存储在淀积源22和23中的膜形成材料A和B。然后，蒸发或者升华的膜形成材料A和B被混合地淀积而在以传送方向T传送的玻璃基板24上形成混合膜。开口部22a和23a的每个在垂直于传送方向T的方向上的玻璃基板24的宽度方向上的长度，优选地等于或者大于玻璃基板24的宽度。 

两个防淀积板25_A和25_B(隔开部件)设置在共淀积室21中，从而，防淀积板25_A和25_B可以使共淀积室21分别地与相邻的淀积室隔开。防淀积板25_A和25_B被设置与传送玻璃基板24分开，相互平行分别地设置在传送方向T的上游侧和下游侧，在其中插入两个淀积源22和23。线式膜形成装置在传送方向T上具有连续地设置的多个淀积室。因而，防淀积板25_A和25_B被设置以隔开淀积室，并且防止来自相邻的淀积室的淀积源的蒸汽混合在一起。 

在实施方式2中，两个淀积源的每个的开口侧壁之一被延伸以作为限制部件。两个开口部的每个的两个侧壁中，延伸的一个位于靠近另一个开口的侧面。然而，在这个第三实施方式中，如图3所示，只有淀积源22的开口22a的上表面是倾斜地形成的。位于需要避免单成分模形成侧的开口侧壁22b(图3中在传送方向T的下游侧)被延伸。因此，只有开口侧壁22b作为限制部件。 

因此，开口侧壁22b的延伸消除了玻璃基板24的淀积区域R中下游部分上形成单成分模的可能性。因而，只可以获得包含两种膜形成材料A和B的混合膜。相反，在玻璃基板24上的淀积区域R的上游侧，即在玻璃基板24上的淀积区域R_B中，允许形成单成分模。 

在这个第三实施方式中，与实施方式2的情况相同，从淀积源23的开口23a释放的蒸汽到传送方向T的下游侧的传送被防淀积板25_B限制在由线D_B限定的区域内。其间，从淀积源22的开口22a释放的蒸汽到传送方向T的下游侧的传送被开口侧壁22b限制在由线D_A限定的区域内。开口22a的上表面被形成以使由线D_A限定的在玻璃基板24的表面上的淀积区域可以与由线D_B限定在玻璃基板24的表面上的淀积区域重合。更具 体地，开口22a的上表面的位置以如下方式确定。  从开口23a的上端画直线经过防淀积板的顶点25_B。这样画的直线是线D_B。从线D_B与玻璃基板24的交点经过开口22a上端画另一条直线。这样画的直线是线D_A。开口22a的上表面的位置被确定从而表示开口22a上表面的部分可以在线D_A上。这样确定上表面开口位置的方式22a使膜形成材料A的淀积区域与膜形成材料B淀积区域在玻璃基板24下游侧(即，在淀积区域R内下游侧部分上)重合。因而，可以避免形成包含膜形成材料A和B任何一种的单成分模，并且只可以形成包含两种膜形成材料A和B的混合膜。 

另一方面，从淀积源22的开口22a释放的蒸汽到传送方向T上游侧的传送被防淀积板25_A限制在由线U_A限定的区域内。其间，从淀积源23的开口23a释放的蒸汽到传送方向T上游侧的传送被防淀积板25_A限制在由线U_B限定的区域内。因此，这样形成的淀积区域R_B包括在淀积源23的膜形成材料B淀积区域中，但是不包括在淀积源22的膜形成材料A的淀积区域中。因而，这样形成在淀积区域R_B中的膜为只有膜形成材料B的单成分模。 

开口侧壁22b成为屏障以屏蔽从淀积源22开口22a释放的蒸汽在玻璃基板24的表面区域的淀积。因而，开口侧壁22b防止只在玻璃基板24的下游侧形成单成分模。开口侧壁22b与淀积源22整体形成。因此，开口侧壁22b的温度与淀积源22的温度相同。因此与设置在实施方式1中的屏6相反，开口侧壁22b不捕捉膜形成材料A。因此，没有被捕捉的膜形成材料A的蒸汽可以有效地设置到玻璃基板24的所述侧。另外，虽然在大多数情况下，淀积源的开口的上表面被形成从而平行于玻璃基板，如此形成的上表面可以容易地通过以上述方式切割开口而被修改以适应这个第三实施方式。 

实施方式4 

图4是说明根据本发明第四实施方式的线式膜形成装置的示意图。如同在实施方式1至3的情况中，用于说明这个第四实施方式的图4只说明构成线式膜形成装置的多个淀积室的共淀积室。 

如实施方式3(如图3所示)的情况，在这个第四施方式的线式膜形成 装置具有允许单成分模形成在传送方向T的上游侧或者下游侧的结构。更具体地，这个第四实施方式的装置允许单成分模被形成在传送方向T的上游侧。 

如图4所示，这个第四实施方式的线式膜形成装置具有至少一个共淀积室31，所述共淀积室31包括分别地存储膜形成材料A和B两个淀积源32和33。开口部32a和33a分别地形成在淀积源32和33中。开口部32a和33a的每个在垂直于玻璃基板34的传送方向T的玻璃基板34的宽度方向上延伸。开口部32a和33a相互平行地设置，并且分别地设置在传送方向T的上游侧和下游侧。共淀积被执行，首先，通过蒸发或者升华分别地存储在淀积源32和33中的膜形成材料A和B。然后，蒸发或者升华的膜形成材料A和B被混合地淀积，从而在传送方向T上传送的玻璃基板34上形成混合膜。开口部32a和33a的每个在垂直于传送方向T的玻璃基板34的宽度方向上的长度，优选地等于或者大于玻璃基板34的宽度。 

两个防淀积板35_A和35_B(隔开部件)设置在共淀积室31中，从而，防淀积板35_A和35_B可以分别地从其相邻的淀积室隔开共淀积室31。防淀积板35_A和35_B被设置以与传送的玻璃基板34分开，相互平行设置并且分别地位于传送方向T的上游侧和下游侧，同时在其中插入两个淀积源32和33。线式膜形成装置在传送方向T上具有连续地设置的多个淀积室。因而，防淀积板35_A和35_B被设置以隔开淀积室，并且防止相邻的淀积室的淀积源的蒸汽混合在一起。 

在实施方式3中，两个淀积源22和23被设置而在其间留有确定距离。然而，如图4所示，这个第四实施方式的淀积源32和33彼此接近地设置，在其间设置有至少一个隔热板36。淀积源32的开口32a和淀积源33的开口33的每个的上表面是倾斜地形成。因而，位于需要避免形成单成分模的所述侧(图4中传送方向T的下游侧)的开口部侧壁32b和33b被延伸，并且因而开口部侧壁32b的33b都作为限制部件。 

因此，开口部侧壁32b和33b的延伸消除玻璃基板34的淀积区域中的下游部分上形成这种单成分模的可能性。因而，只可以获得包含两种膜形成材料A和B的混合膜。相反，在玻璃基板34的淀积区域的上游侧， 允许形成单成分模。 

在这个第四实施方式中，从淀积源33的开口33a释放的蒸汽到传送方向T的下游侧的传送被开口侧壁33b限制在由线D_B限定的区域内。其间，从淀积源32的开口32a释放的蒸汽到传送方向T的下游侧的传送被开口侧壁32b限制在由线D_A限定的区域内。开口部32a和33a的上表面被形成，从而，线D_A可以与线D_B重合。因此，由线D_A限定的在玻璃基板34上淀积区域与由线D_B限定的在玻璃基板34上的淀积区域重合。更具体地，开口部32a和33a的上表面的位置被以如下方式确定。从开口33a的上端画直线经过防淀积板35_B的顶点。这样画的直线是线D_A＝D_B。开口部32a和33a上表面的位置被确定，从而，表示开口部32a的33a的上表面的部分可以在线D_A＝D_B上。开口部32a和33a的上表面的定位方式使在玻璃基板34下游侧的膜形成材料A的淀积区域与膜形成材料B的淀积区域(即，在淀积区域内的下游部分上)重合。因而，可以避免形成包含膜形成材料A和B任何一种的单成分模，并且只可以形成包含两种膜形成材料A和B的混合膜。 

另一方面，从淀积源32的开口32a释放的蒸汽到传送方向T上游侧的传送和从淀积源33的开口33a释放的蒸汽到传送方向T上游侧的传送通过防淀积板35_A而被限制。因此，在玻璃基板34的上游侧形成区域，所述区域包括在淀积源33的膜形成材料B的淀积区域中，但是，不包括在淀积源32的膜形成材料A的淀积区域中。因而，形成在上游侧上的区域中的膜成为只有膜形成材料B的单成分模。 

开口部侧壁32b和33b成为屏障以屏蔽来自淀积源32的开口32a的蒸汽和来自淀积源33的开口33a的蒸汽淀积在玻璃基板34的表面区域。因而，开口部侧壁32b和33b只防止在玻璃基板34下游侧形成单成分模。开口部侧壁32b和33b分别地与淀积源32和33整体地形成。因此，开口部侧壁32b和33b的温度分别地与淀积源32和33的温度相同。因此，与实施方式1设置屏6相反，开口部侧壁32b和33b不捕捉膜形成材料A和B。因此，没有被捕捉的膜形成材料A和B的蒸汽可以被有效地设置到玻璃基板34的所述侧。另外，虽然在多数情况下，淀积源的开口上表面被形成从而平行玻璃基板，这样形成的上表面可以通过以上述方式切割开口 而容易地被修改以适应这个第四实施方式。 

在这个第四实施方式的结构中，隔热板36被设置在淀积源32和33之间。因此，即使当淀积源32与淀积源33的温度之间有很大差别时(例如，淀积源32和33之一具有300℃的温度而另一个具有600℃的温度)，两个淀积源32和33可以被彼此接近地设置。为实现它的其它方式，隔热板36在淀积源32和33之间提供热梯度(热绝缘层)的功能。合适的热梯度可以通过响应两个淀积源32和33之间的温度差的量由增加或者减少隔热板36的数量而设置。 

本发明适用于线式膜形成装置，并且特别地适用于生产有机电致发光(EL)装置的线式膜形成装置。

Claims (9)

1.一种线式膜形成装置，包括：多个淀积室，至少一个所述淀积室是共淀积室，所述共淀积室通过两种不同的膜形成材料的共淀积过程而形成混合膜，在所述共淀积过程中，所述两种不同膜形成材料被蒸发或者升华，并且然后，蒸发或者升华的两种膜形成材料的蒸汽被混合地淀积，所述多个淀积室在基板被传送的传送方向上设置，如此设置的淀积室在被传送的基板上连续地形成膜，从而，在所述基板上形成多层膜，其中

所述共淀积室包括：

两个淀积源，所述两个淀积源分别地存储膜形成材料，所述淀积源各自包括开口，每个所述开口在垂直于所述传送方向的基板的宽度方向上延伸，开口相互平行地分别设置在传送方向的上游侧和下游侧；

两个隔开部件，所述隔开部件分别地使共淀积室与相邻的淀积室隔开，所述隔开部件被设置远离所述传送基板，并且被相互平行地分别设置在传送方向的上游侧和下游侧，所述两个淀积源设置在所述两个隔开部件之间；和

限制部件，所述限制部件限制从上游侧开口释放并且在基板下游侧淀积的蒸汽，从而，下游侧界线被设置在蒸汽将被淀积的淀积区域上，具有所述下游侧界线的所述淀积区域与从下游侧开口释放并且在基板下游侧淀积的蒸汽的淀积区域重合，在下游侧的所述隔开部件在从下游侧开口释放的蒸汽的淀积区域上设置下游侧界线，并且

由于防止包含两种膜形成材料中任何一种的单成分膜形成在基板下游侧，只有混合膜形成在基板的下游侧。

2.根据权利要求1所述的线式膜形成装置，其中：

所述限制部件进一步限制从下游侧开口释放并且在基板上游侧上淀积的蒸汽，从而，上游侧界线被设置在从下游侧开口释放的蒸汽的淀积区域上，并且具有上游侧界线的从下游侧开口释放的蒸汽的淀积区域与从上游侧开口释放并且在基板上游侧上淀积的蒸汽的淀积区域重合，同时，上游侧隔开部件在从上游侧开口释放的蒸汽的淀积区域设置上游侧界线，

由于防止包含两种膜形成材料任何一种的单成分膜形成在基板上游侧，只有混合膜形成在基板的上游侧。

3.根据权利要求1所述的线式膜形成装置，包括：屏，所述屏被设置在两个开口之间，并且所述屏作为所述限制部件。

4.根据权利要求3所述的线式膜形成装置，其中：所述屏被设置以使屏的上端在第一和第二线中的至少一个上，所述第一和第二线被限定如下：

所述第一线为从第一开始点画线，经过上游侧开口的离下游侧隔开部件更远的一个边缘，所述第一开始点是基板与经过下游侧隔开部件的顶点和下游侧开口的离下游侧隔开部件更远的一个边缘的线的交点；和

所述第二线为从第二开始点画线，经过下游侧开口的离上游侧隔开部件更远的一个边缘，所述第二开始点是基板与经过上游侧隔开部件的顶点和上游侧开口的离上游侧隔开部件更远的一个边缘的线的交点。

5.根据权利要求1所述的线式膜形成装置，其中：

如下限定的至少一个开口侧壁被延伸以作为所述限制部件：

上游侧开口的两个开口侧壁中位置更靠近所述下游侧开口的一个开口侧壁；和

下游侧开口的两个开口侧壁中位置更靠近所述上游侧开口的一个开口侧壁。

6.根据权利要求5所述的线式膜形成装置，其中：所述开口侧壁形成为至少一个开口的上表面倾斜地形成，以实现如下限定的第一重合和第二重合中的任何一个：

所述第一重合在上游侧开口的上表面的位置与从第一开始点经过上游侧开口的上端所画的线之间，所述第一开始点是基板与经过下游侧开口的上端和下游侧隔开部件的顶点的线的交点；和

所述第二重合在下游侧开口的上表面的位置与从第二开始点经过下游侧开口的上端所画的线之间，所述第二开始点是基板与经过上游侧开口的上端和上游侧隔开部件的顶点的线的交点。

7.根据权利要求6所述的线式膜形成装置，其中：所述上表面通过切割所述开口而倾斜地形成。

8.一种线式膜形成装置，包括：多个淀积室，至少一个所述淀积室是共淀积室，所述共淀积室通过两种不同的膜形成材料的共淀积过程而形成混合膜，在所述共淀积过程中，所述两种不同膜形成材料被蒸发或者升华，并且然后，蒸发或者升华的两种膜形成材料的蒸汽被混合地淀积，所述多个淀积室在基板被传送的传送方向上设置，如此设置的淀积室在被传送的基板上连续地形成膜，从而在所述基板上形成多层膜，其中：

所述共淀积室包括：

两个淀积源，所述两个淀积源分别地存储所述膜形成材料，所述淀积源各自包括开口，每个开口在垂直于传送方向的基板的宽度方向上延伸，所述开口被相互平行地分别设置在传送方向的上游侧和下游侧；

两个隔开部件，所述隔开部件分别地使共淀积室与相邻的淀积室隔开，所述隔开部件远离所述传送的基板设置并且被相互平行地分别设置在传送方向的上游侧和下游，并且所述两个淀积源设置在所述两个隔开部件之间；和

限制部件，所述限制部件限制从上游侧和下游侧的第一侧上的第一侧开口释放并且在基板的上游侧和下游侧的第二侧淀积的蒸汽，以使第二侧界线被设置在蒸汽将被淀积的淀积区域上，具有所述第二侧界线的所述淀积区域与从第二侧上的第二侧开口释放并且在基板的第二侧上淀积的蒸汽的淀积区域重合，在所述第二侧上的第二隔开部件在从第二侧开口释放的蒸汽的淀积区域上设置第二侧界线，

开口侧壁，在各自的开口的所述第二侧上延伸的所述开口侧壁通过倾斜地形成所述开口的上表面而形成为所述限制部件，以使所述开口的所述上表面在经过第二侧开口的上端和第二隔开部件的顶点的线上，并且

由于防止包含两种膜形成材料任何一种的单成分膜形成在基板的所述第二侧，只有混合膜形成在所述基板的所述第二侧上。

9.根据权利要求8所述的线式膜形成装置，进一步包括：

设置在两个淀积源之间的热绝缘部件，其中：

所述两个淀积源被设置成相互靠近。

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