CN101417802B - 多晶硅生产中的氯硅烷、氢气混合的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了多晶硅生产中的氯硅烷、氢气混合的方法，对于作为原料的精馏系统产品液态氯硅烷和回收系统产品气态氢气，其特征在于：将液态氯硅烷通过蒸汽进行加热，加热后，液态氯硅烷变成气态氯硅烷，然后气态氯硅烷与氢气在静态混合器中混合，最后混合的氯硅烷和氢气进入氢还原炉进行下一步反应；本方法通过产品汽化器将液态氯硅烷加热变成气态，非常方便输送到静态汽化器中进行混合，而且在静态汽化器中混合比较安全；同时，通过通过调节阀、不同的流量计来控制氢气和氯硅烷的流量，所以非常容易控制氯硅烷、氢气的混合比例，还可以将氢气和氯硅烷的比例准确控制，控制直观、简单，主控人员容易驾驭。
Description
技术领域
本发明涉及多晶硅生产工艺领域，特别是多晶硅生产中的氯硅烷、氢气混合的方法。
背景技术
在多晶硅生产中，原料为精馏系统产品液态氯硅烷和回收系统产品气态氢气，作为原料的液态氯硅烷和气态H2在进入氢还原炉前，需要将其混合。
传统的混合工艺是在鼓泡器内进行混合，混合过程为：在鼓泡器中有一定液位的氯硅烷，然后往鼓泡器内通入H2，使H2和气相饱和氯硅烷混合，然后由出口管道将其气相混合物送入氢还原炉。在混合的过程中，通过控制鼓泡器内氯硅烷的温度来控制它们的比例；控制H2的流量来控制混合原料的体积。
而这种传统的工艺，存在以下缺点：
1、H2和氯硅烷的比例很难控制，而且比例值不准确；
2、需要控制的参数较多，而且不直观，一般操作人员很难驾驭。
发明内容
本发明为解决上述问题提供了多晶硅生产中的氯硅烷、氢气混合的方法，非常方便控制氯硅烷、氢气的混合比例，而且控制简单、直观。
本发明的技术方案如下：
多晶硅生产中的氯硅烷、氢气混合的方法，对于作为原料的精馏系统产品液态氯硅烷和回收系统产品气态氢气，其特征在于：将液态氯硅烷通过蒸汽进行加热，加热后，液态氯硅烷变成气态氯硅烷，然后气态氯硅烷与氢气在静态混合器中混合，最后混合的氯硅烷和氢气进入氢还原炉进行下一步反应。
所述蒸汽的压力为0.47～0.52MPa，温度为150～160℃。
所述气态氯硅烷的温度为100～110℃，压力为0.55～0.65MPa。
所述静态混合器内氢气的压力为0.5～0.65MPa，温度为15～35℃。
所述蒸汽由产品汽化器产生，加热过程在产品汽化器内进行。
所述气态氯硅烷通过产品汽化器后，由与产品汽化器和静态混合器之间的流量计控制流量。
所述氢气通过调节阀和另一流量计控制流量。
通过调节阀和不同的流量计来分别控制氢气和氯硅烷流量，非常方便，而且可以很准确地控制混合的比例。
本发明的有益效果如下：
本方法通过产品汽化器将液态氯硅烷加热变成气态，非常方便输送到静态汽化器中进行混合，而且在静态汽化器中混合比较安全；同时，因为气态的氯硅烷通过非常方便通过流量计、调节阀来控制氯硅烷的流量，所以非常容易控制氯硅烷、氢气的混合比例，还可以将氢气和氯硅烷的比例准确控制，控制直观、简单，主控人员容易驾驭。
附图说明
图1为本发明的工艺流程图
具体实施方式
多晶硅生产中的氯硅烷、氢气混合的方法，对于作为原料的精馏系统产品液态氯硅烷和回收系统产品气态氢气，将液态氯硅烷通过蒸汽进行加热，加热后，液态氯硅烷变成气态氯硅烷，然后气态氯硅烷与氢气在静态混合器中混合，最后混合的氯硅烷和氢气进入氢还原炉进行下一步反应。
所述蒸汽的压力为0.47～0.52MPa，温度为150～160℃。
所述气态氯硅烷的温度为100～110℃，压力为0.55～0.65MPa。
所述静态混合器内氢气的压力为0.5～0.65MPa，温度为15～35℃。
所述蒸汽由产品汽化器产生，加热过程在产品汽化器内进行。
所述气态氯硅烷通过产品汽化器后，由与产品汽化器和静态混合器之间的流量计控制流量。
所述氢气通过调节阀和另一流量计控制流量。
通过调节阀和不同的流量计来分别控制氢气和氯硅烷流量，非常方便，而且可以很准确地控制混合的比例。
本方法是将回收系统产品气态氢气通过静态混合器，进行H2循环(H2压力：0.5～0.65MPa，温度：15～35℃)；然后将精馏系统产品液态氯硅烷通过产品汽化器加热，产品汽化器内的饱和蒸汽(压力：0.47～0.52MPa，温度：150～160℃)将液态氯硅烷加热成气态氯硅烷(温度：100～110℃，压力：0.55～0.65MPa)，然后通过流量计、调节控制气态氯硅烷的流量，最后进入静态混合器与H2混合，混合气体由出口进入氢还原炉，进行反应。
Claims (7)
1.多晶硅生产中的氯硅烷、氢气混合的方法，对于作为原料的精馏系统产品液态氯硅烷和回收系统产品气态氢气，其特征在于：将液态氯硅烷通过蒸汽进行加热，加热后，液态氯硅烷变成气态氯硅烷，通过调节阀和不同的流量计来分别控制氢气和氯硅烷流量，然后气态氯硅烷与氢气在静态混合器中混合，最后混合的氯硅烷和氢气进入氢还原炉进行下一步反应。
2.根据权利要求1所述多晶硅生产中的氯硅烷、氢气混合的方法，其特征在于：所述蒸汽的压力为0.47～0.52MPa，温度为150～160℃。
3.根据权利要求1所述多晶硅生产中的氯硅烷、氢气混合的方法，其特征在于：所述气态氯硅烷的温度为100～110℃，压力为0.55～0.65MPa。
4.根据权利要求1所述多晶硅生产中的氯硅烷、氢气混合的方法，其特征在于：所述静态混合器内氢气的压力为0.5～0.65MPa，温度为15～35℃。
5.根据权利要求1所述多晶硅生产中的氯硅烷、氢气混合的方法，其特征在于：所述蒸汽由产品汽化器产生，加热过程在产品汽化器内进行。
6.根据权利要求1所述多晶硅生产中的氯硅烷、氢气混合的方法，其特征在于：所述气态氯硅烷通过产品汽化器后，由与产品汽化器和静态混合器之间的流量计控制流量。
7.根据权利要求1所述多晶硅生产中的氯硅烷、氢气混合的方法，其特征在于：所述氢气通过调节阀和另一流量计控制流量。
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