CN101415976A - 磁流体密封装置 - Google Patents

Abstract

一种磁流体密封装置，即使在长期保管后也能避免因磁流体的溶质凝聚而引起启动扭矩上升或者不能启动的状态。在本发明的磁流体密封装置中，在轴(110)的内部的磁流体密封部(140)的配置范围内埋设加热器(151)。用扭矩计(171)检测出轴(110)的旋转扭矩、启动扭矩，若它们在基准值以上，则通过轴(110)中的加热器(151)对磁流体密封部(140)加热。由此，磁流体(146、147)的温度上升，磁流体(146、147)的溶质分散、粘性下降，轴(110)的旋转扭矩、启动扭矩下降。

Description

磁流体密封装置

技术领域

本发明涉及适于从外部向腔内或无尘室等密闭空间传递运动的磁流体密封装置。

背景技术

例如在半导体设备的制造工序中对半导体晶片实施的氧化、扩散或者CVD(化学气相淀积)等处理是将晶片维持在真空中或者特定的气体氛围中进行的。很多时候，晶片收容在腔或者容器(以下总称为处理室)内、例如边旋转等边暴露在处理室内部的气体氛围中进行处理。所以，对于在这样的处理中使用的处理室来讲，在密封性要求较高的同时需要能够从处理室外部向处理室内部传递传递使晶片旋转等机械运动。作为适于这样地在将处理室适当密封的状态下向处理室内部传递传递机械运动的合适手段，以往已知有磁流体密封。

磁流体使用表面活性剂使粒子直径约10nm左右的磁性超微粒子分散在溶剂或者油(基础油)中，具有沿着磁力线移动、被磁场俘获的特性。使用该磁流体的密封即为磁流体密封，通过利用磁体和磁极在轴等的周围形成的磁场使磁流体俘获，使磁流体作为密封材料起作用。磁流体密封具有密封性高、产尘性低、摩擦损失扭矩低的特点。所以，对轴设置了磁流体密封的密封装置作为可向真空中等的密封空间以低扭矩导入旋转运动的装置而被广泛使用。

然而，在这样的磁流体密封装置中，在长期保管后或者长期停止后等长时间未旋转使用的时候，被表面活性剂分散保持的氧化铁等溶质有时会凝聚。作为溶质的磁性超微粒子一旦凝聚，磁流体的粘度便会升高，在使轴旋转时会产生过大的再启动扭矩(启动扭矩)，有时会产生无法启动的情况。

作为使磁流体的粘度保持一定的方法，已知有例如日本专利申请公开2000—205417号公报(专利文献1)记载的装置。在专利文献1记载的该装置中，对磁流体密封设置加热器及冷却水循环回路，由此来控制磁流体的温度并使其粘度保持一定，使其摩擦损失保持一定，防止旋转轴的旋转精度下降。

专利文献1：日本专利特开2000—205417号公报

然而，在对专利文献1记载的装置等的磁流体进行温度控制的以往的密封装置中，由于在磁流体密封的外部设置加热器等，所以加热器与磁流体之间的距离较长，另外在加热器与磁流体之间存在磁体或者磁极构件(磁传递构件、组合体)等结构构件，加热器的发热无法有效传递至磁流体密封，无法利用加热器恰当地对磁流体进行加热。另外，采用这样的结构，加热器发热的大部分都逃逸至大气侧。因此，欲将加热器的发热传递至磁流体密封方向，就需要在加热器的外侧配置隔热材料等进行保温，这会造成装置结构变得复杂的问题。其结果存在的问题是：无法恰当防止上述的长期保管后或者长期停止后启动时产生过大的启动扭矩，或者无法恰当防止无法启动的状态等。

发明内容

本发明是鉴于这样的问题而作出的，其目的是提供一种即使在长期保管后或者长期停止后进行启动时也能防止产生过大的启动扭矩、可避免无法启动的状态的磁流体密封装置。

为了解决上述技术问题，本发明的磁流体密封装置具有：传递规定的机械运动的轴、供所述轴贯穿的壳、以及将所述轴支撑在所述壳上的轴承部，所述装置设置在保持在规定环境下的处理室的开口部，以使该开口部闭塞，通过该开口部向所述处理室内插入所述轴，并通过该轴从所述处理室外向所述处理室内传递所述机械运动。该磁流体密封装置具有：配置在所述壳与所述轴之间、在所述轴的周围在该轴的轴向上产生磁力的磁力产生单元；分别配置在所述磁力产生单元的所述轴的轴方两侧的磁传递构件；以及被由所述磁力产生单元产生的磁通保持在所述轴与所述磁传递构件之间的环状缝隙内、使所述壳与所述轴之间的所述处理室的近位侧和远位侧密封的磁流体，在所述轴的内部，至少在所述磁流体附近埋设有加热单元。

在这样的结构的本发明的磁流体密封装置中，由于利用埋设在与磁流体接触的轴内的加热单元对磁流体进行加热，所以可有效地对磁流体进行加热。一般来讲，在溶质—溶剂系统的二元系统中，溶质在溶剂中的分散会随着温度上升而再分散，溶剂的粘度也会随着温度的上升而下降。所以，若采用技术方案1的本发明的磁流体密封装置，即使因长期保管或者长期停止而导致溶质凝聚也能使其有效地再分散，可防止启动时产生过大的启动扭矩。另外，可提供一种能避免无法启动的状态的磁流体密封装置。

在本发明的磁流体密封装置中，所述加热单元也可在所述轴的内部延长至所述处理室附近。

若采用这样的结构的磁流体密封装置，由于利用在处理室附近埋设配置的加热单元进行加热就可将磁流体密封装置的处理室附近维持在高温，所以可防止因处理室的磁流体密封装置附近成为低温而在其附近升华生成副产物。

另外，本发明的磁流体密封装置还可具有：检测所述轴的扭矩的扭矩检测单元和基于所述检测出的扭矩来控制所述加热单元的发热的加热控制单元。

若采用这样的结构的磁流体密封装置，则由于基于由扭矩检测单元检测出的实际扭矩值来控制加热单元，所以可恰当检测出启动扭矩过大，可在这样的状态下利用加热单元恰当地进行加热并基于此恰当地使磁流体的溶质再分散。另外，可更加准确地使磁流体的粘度维持一定，可准确地驱动轴。

作为较佳的具体例子，本发明的磁流体密封装置的所述加热单元是硅橡胶加热器、聚酰亚胺加热器、护套式加热器、云母加热器中任一种加热器，也可以是它们的复合加热器。

若采用这样的结构的磁流体密封装置，由于能以合适的加热器材料形成加热单元，所以可恰当地进行加热，可恰当地使磁流体的溶质再分散。

附图说明

图1是表示本发明一实施形态的晶片处理装置的结构的图。

图2是表示图1所示的晶片处理装置的磁流体密封装置的结构的图。

图3是表示磁流体密封装置的加热器的控制系统的结构的图。

图4A是表示磁流体密封部的温度与轴的旋转扭矩之间的关系的图，是表示在磁流体密封部为高温时启动时间与扭矩之间的关系的图。

图4B是表示磁流体密封部的温度与轴的旋转扭矩之间的关系的图，是表示在磁流体密封部为低温时启动时间与扭矩之间的关系的图。

具体实施方式

参照图1～图4B说明本发明的一实施形态。

图1是示意地表示本发明一实施形态的晶片处理装置1的结构的图，图2是表示适用于晶片处理装置1的磁流体密封装置100的结构的剖视图，图3是表示磁流体密封装置100的加热器的控制系统的结构的图，图4A及图4B是表示磁流体密封部的温度与轴的旋转扭矩之间的关系的图。

首先，参照图1说明晶片处理装置1的整体结构。

如图1所示，在晶片处理装置1中，在由处理容器2及底盖部5形成的容器内部空间3内收容着由磁流体密封装置的轴110支撑的板9，通过排气管8例如将容器内部空间3抽成真空，或者从供气管4提供例如期望的反应气体等，对载放于板9的被处理体的晶片W进行期望的处理。

处理容器2是收容多个半导体晶片W的容器，是用于将晶片W暴露于期望的反应气体氛围等来对晶片W实施期望的处理的容器。处理容器2是由具有耐热性及耐腐蚀性的石英玻璃等形成的。本实施形态的处理容器2如图所示，上部形成为圆顶形状(倒漏斗状)，下部是开口部(炉口)。在处理容器2的内部空间3内配置有板9。板9是将例如25片左右的晶片W在上下方向以规定间隔多级保持的石英制晶片保持器具。

在处理容器2的下端设有使开口部(炉口)开闭的底盖部5，该底盖部5可利用未图示的升降机构进行升降。底盖部5是石英制的构件。

在底盖部5的中央部形成有供后述的本发明的磁流体密封装置100的轴110插通的开口部6。磁流体密封装置100安装在底盖部5，使磁流体密封装置100闭塞该开口部6，并使轴110通过开口部6导入容器内部空间3。

通过开口部6导入容器内部空间3的磁流体密封装置100的轴110构成支撑板9的支柱。即，板9被轴110可旋转地支撑。

在处理容器2的头部中央连接有将反应气体(处理气体)导入容器内部空间3内用的供气管4，在底盖部5的周缘部连接有排气管8，该排气管8用于将容器内部空间3抽成真空或者排出容器内部空间3内的气体。在排气管8上连接排气系统，该排气系统在向容器内部空间3内有气体流动时可将处理容器2的内部压力减压为例如几十Pa～几百Pa左右的压力。

另外，虽然未图示，在处理容器2的周围设有可将处理容器2的内部加热控制为例如300℃～1200℃的圆筒状加热器，在晶片处理装置1进行的许多设备步骤中，容器内部空间3的内部为高温状态，在该高温气体氛围中对晶片W进行期望的处理。

接下来，参照图2及图3说明磁流体密封装置100的结构。

磁流体密封装置100在密封容器内部空间3的状态、即维持容器内部空间3为真空状态或者规定的处理气体导入状态等状态下，从外部向容器内部空间3传递旋转运动。

如图2所示，磁流体密封装置100具有：轴110、壳120、轴承部131、132、磁流体密封部140、加热部150、旋转驱动部160及扭矩检测部170。

另外，如图3所示，磁流体密封装置100与控制部(CPU)200及温度调整器300连接。由此，后述的磁流体密封部140的磁流体146、147的粘度稳定在期望的较低值，从而进行控制使得轴110以低扭矩高精度地进行期望的旋转。具体地讲，利用控制部200及温度调整器300来控制加热部150，由此来控制轴110的温度及磁流体密封部140的磁流体146、147的温度。

轴110是从处理容器2的外部向内部传递旋转运动的作为旋转轴的构件。轴110在处理容器外部的一个端部与后述的旋转驱动部160连接，由此被驱动而旋转。另外，配置在容器内部空间3内的另一个端部如上所述地与板9连接，将板9可旋转地支撑。轴110由磁性材料形成。

如图2所示，在轴110的内部，从处理容器外部侧的端部，包含构成磁流体密封部140的范围，到该范围的处理容器2侧的位置埋设有加热器151。轴110由加热器151根据需要进行加热。轴110的构成磁流体密封部140的范围被加热器151加热成期望的较高温度，促进磁流体密封部140的磁流体146、147的溶质再分散，使磁流体146、147的粘度下降。后面将详细说明加热部150的结构及作用。

壳120是以供轴110贯穿的形态形成的筒状构件，在安装到底盖部5侧的端部设有凸缘121。通过使凸缘121与底盖部5的开口部6的周围接合(参照图1)，底盖部5的开口部6被壳120覆盖。在凸缘121上设有壳120与底盖部5接合时供螺丝等通过的开口部122。另外，在壳120的与底盖部5接触的接触面上设置有O形环125，在壳120被安装在底盖部5上时，利用该O形环125使壳120和底盖部5紧贴，使其缝隙密封。

轴承部131、132是分别将轴110可旋转地支撑的轴承。如图所示，本实施形态的磁流体密封装置100具有2个轴承131、132，它们在轴110的轴向上配置在磁流体密封部140的两侧。即，一个轴承131配置在磁流体密封部140的处理容器2侧，另一个轴承132配置在磁流体密封部140的处理容器的外部侧(大气侧)。

磁流体密封部140使磁流体密封装置100的壳120的内部开口部的容器侧与外部侧之间密封。

磁流体密封部140具有作为磁力产生单元的磁体141、作为磁通传递构件的磁极构件142、143、作为轴侧的磁极部的凸部144、145及作为密封构件的磁流体146、147。

磁体141是配置在轴110与壳120之间的圆环状磁体，在轴110的轴向上产生磁场。

磁极构件142、143是以在磁体141的轴向两侧与磁体141接触的形态配置的由磁性材料形成的圆环状构件。磁极构件142、143其外周面与壳120的内周面紧贴，内周面与轴110的周面之间形成很小的间隙，并这样安装在壳120内。磁极构件142、143如上所述地与磁体141抵接配置，作为磁极起作用。

另外，在轴110的周面的与磁极构件142、143的内周面相对的范围内形成有周向连续的多个环状沟(沟部)，配置在这多个沟之间的环状的凸部分构成轴侧的磁极部144、145。

由于磁体141、磁极构件142、143、磁极部144、145及磁流体146、147是以这样结构进行配置的，因此可形成磁通通过磁体141、磁极构件142、143、轴侧的磁极部144、145及轴110的磁路。于是，在与磁极构件142、143相对的轴侧的磁极部144、145处，磁路的磁通会聚，可在该部分上保持磁流体146、147。即，可沿着轴110的圆周形成以与安装O形环时同样的形态由磁流体146、147形成密封部。其结果是，壳120的内部的容器侧与外部侧被该磁流体146、147的配置部分密封。

加热部150是加热轴110并使其维持在期望的较高温度的单元。

加热部150具有：加热器151、滑动环(转动连接器)153及加热器供电端子154。

加热器151埋设在轴110的轴向的至少配置有磁流体密封部140的范围的轴110的内部。本实施形态的加热器151从轴110的处理容器2的外部侧的端部，包含构成磁流体密封部140的范围，到该处理容器2侧的位置连续地埋设在轴110的内部。

加热器151在轴110的处理容器2的外部侧的端部与导线连接，并且通过滑动环153与加热器供电端子154连接。加热器供电端子154例如如图3所示，与加热部150的驱动部即温度调整器300连接。由此，在加热部150中，与从温度调整器300提供的电力相应，加热器151发热，加热轴110。本实施形态中，加热部150可将轴110加热到约250℃。

另外，加热器151可由硅橡胶加热器、聚酰亚胺加热器、护套式加热器、云母加热器中的任一种加热器、或者它们的复合加热器形成。

旋转驱动部160是驱动轴110旋转的机构，具有驱动电动机161、驱动侧滑轮162、同步带163及从动侧滑轮164。

驱动电动机161基于控制例如晶片处理装置1的晶片处理整体的未图示的控制部发出的控制信号，以期望的转速旋转驱动。该驱动电动机161的旋转运动通过驱动侧滑轮162、同步带163及从动侧滑轮164传递至轴110，使轴110以期望的转速旋转。另外，由于轴110旋转，因此与轴110的容器内部空间3内的端部连接的板9也旋转。其结果是，在载放在收容于容器内部空间3的板9上的处理对象的晶片W一边以期望的转速旋转，一边暴露在容器内部空间3的气体氛围中。

扭矩检测部170检测轴110的旋转扭矩，并将其输出至例如如图3所示的控制部(CPU)200。

扭矩检测部170具有扭矩计171及扭矩计输出端子172。

扭矩计171检测出轴110的旋转扭矩，并将检测结果的信号通过导线及滑动环153从扭矩计输出端子172输出。

图3所示的控制部200基于扭矩检测部170检测出的轴110的旋转扭矩来检测磁流体密封部140的磁流体146、147的状态，通过温度调整器300控制加热部150，以使磁流体密封部140的磁流体146、147的状态成为期望的状态。

具体地讲，控制部200基于从扭矩检测部170输入的轴110的旋转扭矩，来检测磁流体146、147的粘度和磁流体146、147的溶质是否凝聚等状态。在判断为磁流体146、147的溶质发生了凝聚或者磁流体146、147的粘度已升高的时候，为了使磁流体146、147的状态成为期望的状态，通过温度调整器300及加热部150来加热轴110，使轴110的温度升高，使与轴110的表面接触配置的磁流体146、147的温度升高，使凝聚的溶质再分散，使磁流体146、147的粘度成为期望的状态。

温度调整器300基于从控制部200输入的控制信号来生成用于使加热部150的加热器151以期望的发热量发热的信号，通过加热器供电端子154提供给加热器151。

在这样的结构的晶片处理装置1中对半导体晶片实施某些处理的时候，利用未图示的升降单元使底盖部5从处理容器2分离下降，在该状态下在板9上装设作为处理对象的晶片W。

在板9上装设了晶片W后，使底盖部5上升到封闭处理容器2的下部开口部的位置，形成密封的容器内部空间3。

在该状态下，例如通过排气管8将容器内部空间3抽成真空，其后通过供气管4将期望的反应气体导入容器内部空间3内等，对容器内部空间3内的晶片W实施期望的处理。

此时，根据需要驱动磁流体密封装置100的轴110旋转，使容器内部空间3内的板9旋转，进行晶片W的表面的处理、使反应均一等处理。

由此，可对晶片W进行期望的处理。

本实施形态中，在进行这样的处理的时候，用扭矩计171检测出轴110的旋转扭矩，基于此由控制部200来推定磁流体密封部140的状态。即，根据轴110的旋转扭矩、启动扭矩，检测出磁流体密封部140的磁流体146、147的粘度高于期望值的状态，或者检测出例如磁流体密封装置100在长期保管或长期停止之后等磁流体密封部140的磁流体146、147的溶质凝聚的状态等。

另外，控制部200基于该检测结果通过温度调整器300来控制加热部150，控制轴110的温度、即磁流体密封部140的磁流体146、147的温度，使磁流体146、147的状态成为期望的状态，并使轴110的旋转扭矩、启动扭矩成为期望的状态。

即，在检测出磁流体146、147的粘度变高或溶质凝聚的时候，以与该程度相应的发热量使加热器151发热，使轴110的磁流体密封部140附近的温度上升，使磁流体146、147的温度上升，从而使磁流体146、147的粘度下降或促进溶质的分散。

其结果是，即使在因长期保管后或者长期停止后磁流体146、147的溶质凝聚等而造成轴110的启动扭矩变高的情况下，也能迅速地促进溶质的再分散，可高效地使轴110的启动扭矩下降到期望的值。所以，可防止产生不得不在启动扭矩较高的状态即负载较大的状态下驱动轴110旋转的状态、或者负载过高而无法驱动轴110的状态。

关于通过使磁流体密封部140的温度升高来降低轴110的启动扭矩，将参照图4A及图4B所示的具体例来说明。

图4A及图4B是表示磁流体密封部140的各温度下的启动扭矩、长期停止后的启动扭矩及固定扭矩的图，图4A是表示磁流体密封部140为80度的高温时的启动时间与扭矩之间的关系的图，图4B是表示磁流体密封部140为23度的低温时(室温)的启动时间与扭矩之间的关系的图。

可知，与图4B所示的磁流体密封部140为低温(室温)时相比，图4A所示的磁流体密封部140为高温时的通常启动时的扭矩a及长期停止后启动时的扭矩b的值均减小至约10分之1。

另外可知，无论磁流体密封部140的温度是在高温时还是在低温(室温)时，长期停止后启动时的扭矩均比通常启动时的扭矩高，特别是在启动刚开始后，长期停止后启动时的扭矩是通常启动时的扭矩的约10倍大。

从这些图可知，例如在启动磁流体密封装置100的时候，即使需要图4B中作为长期停止启动b表示的过大启动扭矩，也可通过使磁流体密封部140的温度成为高温而使其扭矩特性成为如图4A所示，即使同样是长期停止启动扭矩b，也可使其值变为约10分之1。该值接近如图4B所示的低温时(室温时)的通常启动扭矩。所以，即使在长期停止后，通过使磁流体密封部140的温度成为高温，轴110的启动扭矩变成与磁流体密封部140为低温时(室温时)的通常启动扭矩相同，轴110可以启动。

另外，由于始终检测轴110的旋转扭矩，对磁流体146、147的状态进行调整，所以即使本实施形态的磁流体密封装置100并非处于上述的特殊状态，旋转驱动部160也可始终以一定扭矩来驱动轴110，其结果是，能以高精度控制轴110的旋转(转速和旋转角度等)。

另外，本实施形态的晶片处理装置1中，由于将加热器151设置在与磁流体146、147接触的轴110的内部，所以可利用加热器151高效地对磁流体146、147加热，控制其温度。所以，即使在例如磁流体146、147的溶质发生了凝聚的时候，也能立即使其分散，即能消除轴110的启动扭矩较高的状态，可使轴110旋转。所以，例如与从磁流体密封装置100的外部加热磁流体密封部140的以往结构相比，可降低发热量并大幅缩短响应时间。

如上述说明，采用本实施形态的晶片处理装置1的磁流体密封装置100，可避免因长期保管后或者长期停止后磁流体146、147的溶质凝聚而引起产生过大扭矩或者轴110无法旋转等事态。

另外，由于可始终监视轴110的扭矩，所以通过适宜调整向加热部150的通电，可使轴110的旋转扭矩维持一定值，可实现可靠性更高的磁流体密封装置100。

另外，上述实施形态是为了便于理解本发明而记载的，并非对本发明进行任何限定。本实施形态揭示的各要素包含属于本发明技术范围的所有设计变更或等同物，另外可任意作各种适当改变。

例如，上述实施形态中，加热器151是从轴110的处理容器2的外部侧的端部到磁流体密封部140的附近范围埋设的。然而，也可将加热器151进一步埋设到轴110通过凸缘121的范围、即埋设到图2中虚线表示的范围152。若采用这样的结构，则可通过轴110将凸缘121附近的温度也控制成期望的温度，较佳。

一般来讲，在晶片处理装置1中，安装有磁流体密封装置100的开口部6附近或者排气口7附近的范围的温度常常比处理容器2的其它部分的温度低。此时，在这样的低温部位很可能会升华生成例如基于容器内部空间3内的反应气体等的副产物，这样的副产物会给容器内部空间3内的晶片处理带来不良影响，或者堵塞排气口7，在轴110和壳120之间的缝隙内生成后固接，在最糟糕的情况下可能会使轴停止旋转，所以不理想。

对此，通过使轴110内部的加热器151延伸到轴110通过凸缘121的范围152，可防止安装有磁流体密封装置100的开口6附近的温度下降。其结果是，可防止在该范围的容器内部空间3内升华生成副产物。

另外，上述实施形态中，在轴110内部埋设加热器151，通过来自加热器151的发热来控制轴110、壳120或者磁流体密封部140等的温度。但是，温度控制方法并非限于此。除了在轴110内埋设加热器151之外，也可进一步在磁流体密封装置100的期望部位、范围内形成流有冷却水的水路等，通过在此处冷却水等的流动，对该部位、范围进行冷却。采用这样的结构，在温度下降的方向上也可主动地进行温度控制，可更细致地进行合适的温度控制，进而也可更细致、恰当地将磁流体146、147的粘性、与此相关的轴110的旋转扭矩和启动扭矩等控制成期望的状态。

另外，在上述实施形态的磁流体密封装置100中，在磁流体密封部140的轴的轴向两侧配置有轴承131及轴承132，即磁流体密封装置100是双柱式的磁流体密封装置。然而，轴承部的配置并非限于此，例如也可以是只在磁流体密封部140的离开处理容器2较远的一侧配置轴承的所谓的单柱式的磁流体密封装置。

另外，上述实施形态是只有1个磁流体密封部140的结构。然而，也可以是具有配备多个磁流体密封部140的多段磁流体部分的结构。如果是这样的结构，则密封耐压较高，较好。

工业上的实用性

本发明涉及磁流体密封装置，该磁流体密封装置通过在轴内埋设加热器，可容易且高效地控制磁流体密封部的温度，例如在磁流体密封装置的长期保管后或者长期停止后磁流体的溶质凝聚的时候也能立即使其再分散，可避免轴的启动扭矩过大、轴无法启动的状态。

Claims (4)

1.一种磁流体密封装置，具有：传递规定的机械运动的轴、供所述轴贯穿的壳、以及将所述轴支撑在所述壳上的轴承部，所述装置设置于保持在规定环境下的处理室的开口部，以使该开口部闭塞，通过该开口部向所述处理室内插入所述轴，并通过该轴从所述处理室外向所述处理室内传递所述机械运动，其特征在于，具有：

配置在所述壳与所述轴之间、在所述轴的周围在该轴的轴向上产生磁力的磁力产生单元；

分别配置在所述磁力产生单元的所述轴的轴向两侧的磁传递构件；以及

被由所述磁力产生单元产生的磁通保持在所述轴与所述磁传递构件之间的环状缝隙内、使所述壳与所述轴之间的所述处理室的近位侧和远位侧密封的磁流体，

在所述轴的内部，至少在所述磁流体附近埋设有加热单元。

2.如权利要求1所述的磁流体密封装置，其特征在于，所述加热单元在所述轴的内部延长至所述处理室附近。

3.如权利要求1或2所述的磁流体密封装置，其特征在于，还具有：

检测所述轴的扭矩的扭矩检测单元、以及

基于所述检测出的扭矩来控制所述加热单元的发热的加热控制单元。

4.如权利要求1至3中任一项所述的磁流体密封装置，其特征在于，所述加热单元是硅橡胶加热器、聚酰亚胺加热器、护套式加热器、云母加热器中的任一种加热器，或者是它们的复合加热器。

Images