CN101404276B - 发光模块及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的目提供一种提升散热性同时防止反射率降低的发光模块。本发明的发光模块(10A)主要具备：金属基板(12)；导电图案(14)，形成在金属基板(12)的上表面；以及发光元件(20)，配置于金属基板(12)的上表面并且电性连接于导电图案(14)。并且，在发光模块(10A)的导电图案(14)的下方的区域留存有绝缘层(24)，并将导电图案(14)不存在的区域的绝缘层(24)去除。亦即，在导电图案(14)不存在的区域，金属基板(12)的上表面不由绝缘层(24)所披覆，而使构成金属基板(12)的金属材料露出。

Description

发光模块及其制造方法
技术领域
本发明涉及发光模块及其制造方法，特别是涉及安装有高亮度发光元件的发光模块及其制造方法。
背景技术
以LED(Light Emitting Diode；发光二极管)为代表的半导体发光元件由于寿命长且可视性高，因此使用在交通信号装置与汽车的灯等。此外，LED也逐渐被采用作为照明机器。
在将LED使用于照明机器时，由于仅使用1个LED的话亮度会不足，因此在1个照明机器中安装多个LED。然而，由于LED在发光时会放出大量的热，因此当将LED安装在由散热性差的树脂材料所形成的安装基板或将各个LED个别地予以树脂封装时，LED所放出的热不会良好地放出至外部，而有LED的性能提前衰减的问题。
在下述的专利文献1中公开了一种为了使LED产生的热良好地放出至外部，而将LED安装在由铝所形成的金属基板的上表面的技术。具体而言，若参照专利文献1的第2图，是由绝缘性树脂13披覆金属基板11的上表面，将发光元件15(LED)安装于形成在该绝缘性树脂13的上表面的导电图案(pattern)14。通过该构成，发光元件16产生的热便经由导电图案14、绝缘性树脂13及金属基板11而放出至外部。
专利文献1：日本特开2006-100753号公报
在专利文献1所记载的技术中，由披覆金属基板11的上表面的绝缘性树脂13所形成的层是露出于基板的上表面。另一方面，在使用状况下，发光元件15所发出的光的一部分是照射于基板的上表面。因此，当使发光元件15长时间发光时，绝缘性树脂13会变色、劣化，会有最后绝缘性树脂13的耐压性降低的问题。
发明内容
鉴于上述现有技术的问题，本发明的主要目的是提供一种提升散热性同时防止反射率降低的发光模块及其制造方法。
本发明的发光模块具备：电路基板，于最上层具有绝缘层；配线层，设置在一部分的所述绝缘层的上表面；以及发光元件，与所述配线层电性连接；且将从所述配线层周围起至前述电路基板的外侧端部为止的所述绝缘层予以去除，未被去除的绝缘层的整个上表面由所述配线层所披覆。
本发明的发光模块的制造方法具备以下步骤：在于最上层具有绝缘层的基板的一部分的所述绝缘层的上表面形成配线层的步骤；将从所述配线层周围起至前述电路基板的外侧端部为止的所述绝缘层予以去除的步骤；以及将发光元件电性连接于所述配线层的步骤。
依据本发明，由于将未于上层形成有配线层的区域的绝缘层予以去除，因此残存的绝缘层的上表面是由配线层所披覆，自发光元件发出的光不会照射于绝缘层。因此，抑制因所发出的光导致的绝缘层的劣化，以结果而言，绝缘层的耐压于长时间不会降低。
附图说明
图1是显示本发明的发光模块的构成的图，其中，(A)为斜视图，(B)及(C)为剖面图。
图2是显示本发明的发光模块的构成的图，其中，(A)为斜视图，(B)及(C)为剖面图。
图3是显示本发明的发光模块的构成的剖面图。
图4是显示本发明的发光模块的构成的剖面图。
图5是显示本发明的发光模块的制造方法的图，其中，(A)至(C)为剖面图，(D)为平面图。
图6是显示本发明的发光模块的制造方法的图，其中，(A)至(C)为剖面图，(D)为平面图。
图7是显示本发明的发光模块的制造方法的图，其中，(A)及(B)为剖面图，(C)为平面图。
图8是显示本发明的发光模块的制造方法的图，其中，(A)为剖面图，(B)为平面图。
图9是显示本发明的发光模块的制造方法的图，其中，(A)及(B)为剖面图，(C)为平面图。
图10是显示本发明的发光模块的制造方法的图，其中，(A)及(B)为剖面图，(C)为平面图。
图11是显示本发明的发光模块的制造方法的图，其中，(A)及(B)为剖面图，(C)为平面图。
图12是显示本发明的发光模块的制造方法的图，其中，(A)为剖面图，(B)为平面图。
主要元件符号说明：
10A、10B、10C、10D  发光模块
12  金属基板
14、14A、14B、14C、14D、14E、14F  导电图案
15  第1配线层    16  金属细线
17  第2配线层    18  凹部
19  第1绝缘层    20  发光元件
21  第2绝缘层    22  氧化膜
23  树脂基板     24  绝缘层
25  金属层       26  接合材
28  底面         30  侧面
32  密封树脂     34  披覆层
36  第1倾斜部    38  第2倾斜部
40  基板         42  绝缘层
44、45  导电箔   46  单元
50  模具         52  凸部
54  第1沟        56  第2沟
具体实施方式
参照图1，说明本发明的发光模块10A的构成。图1(A)是发光模块10A的斜视图，图1(B)是图1(A)的B-B’线的剖面图，图1(C)是图1(A)的C-C’线的剖面图。
参照所述附图，发光模块10A的构成主要具备：金属基板12；导电图案14，形成在金属基板12的上表面；以及发光元件20，配置于金属基板12的上表面并且电性连接于导电图案14。在此，于以下的说明中也有将导电图案14A至14F总称为导电图案14的情形。
参照图1(A)，发光模块10A是在一片板状金属基板12的上表面安装有多个发光元件20。并且，所述发光元件20是经由导电图案14及金属线16而串联连接。通过将直流电流供给至如此构成的发光模块10A，发光元件20即发出预定颜色的光，发光模块10A便作为例如像是萤光灯的照明器具而发挥功能。
金属基板12(电路基板)为由铜(Cu)或铝(Al)等金属所构成的基板，例如，厚度为0.5mm至2.0mm左右，宽度为5mm至20mm左右，长度为10cm至50cm左右。当金属基板12为由铝所构成时，金属基板12的上表面及下表面是由使铝经阳极氧化而得的氧化膜22(氧化铝膜(alumite film)：Al2O3)所披覆。参照图1(B)，披覆金属基板12的氧化膜22的厚度例如1μm至10μm左右。并且，为了确保预定的光量，多个发光元件20配置为列状，因此金属基板12是呈非常细长的形状。并且，在金属基板12的长边方向的两端形成有与外部电源连接的外部连接端子。该外部连接端子可为插入型的连接器，也可为将配线焊在导电图案14者。
参照图1(C)，金属基板12的侧面成形为往外侧突出的形状。具体而言，金属基板12的侧面是由第1倾斜部36及第2倾斜部38所构成，该第1倾斜部36是从金属基板12的上表面持续往外侧倾斜，该第2倾斜部38是从金属基板12的下表面持续往外侧倾斜。通过此构成，能够使金属基板12的侧面的面积比平坦状态时增大，从金属基板12的侧面往外部放出的热量会增加。具体而言，金属基板12的侧面并未由热阻大的氧化膜22所披覆，且为散热性优异的金属材料露出之面，因此通过该构成，模块整体的散热性提升。
参照图1(B)，金属基板12的上表面局部性地由混入有Al2O3等填料(filler)的树脂所形成的绝缘层24所披覆。绝缘层24的厚度例如50μm左右。绝缘层24具有使金属基板12与导电图案14绝缘的功能。此外，在绝缘层24混入大量的填料，由此，能够使绝缘层24的热膨胀系数近似于金属基板12及导电图案14，并且将绝缘层24的热阻降低。例如，在绝缘层24含有平均粒径为4μm的填料达70％体积至80％体积。
参照图1(A)及图1(B)，导电图案14(配线层)形成于绝缘层24的上表面，作为使各发光元件20导通的路径的一部分而发挥功能。该导电图案14通过对设置在绝缘层24上表面的由铜等所构成的导电箔进行蚀刻(etching)加工而形成。并且，设置在金属基板12的两端的导电图案14也有作为帮助与外部的连接的外部连接端子而发挥功能的情形。
具体而言，若参照图1(A)，导电图案14A、14C、14E作为连接金属细线16的接合垫(bonding pad)而发挥功能，导电图案14B、14D、14F作为在上表面固着发光元件20的芯片垫(die pad)而发挥功能。
发光元件20在上表面具有两个电极(阳极电极、阴极电极)，为使预定颜色的光发出的半导体元件。发光元件20的构成是形成为，在由砷化镓(GaAs)等所形成的半导体基板的上表面层叠N型半导体层与P型半导体层的构成。此外，发光元件20的具体大小为例如纵×横×厚度＝0.3至1.0mm×0.3至1.0mm×0.1mm左右。并且，发光元件20的厚度是依发出的光的颜色而不同，例如，发出红色的光的发光元件20的厚度为100至3000μm左右，发出绿色的光的发光元件20的厚度为100μm左右，发出蓝色的光的发光元件20的厚度为100μm左右。当将电压施加至发光元件20时，光便自上表面及侧面的上部发出。在此，本发明的发光模块10的构成，由于具有优异的散热性，因此对于有例如100mA以上的电流通过的发光元件20(功率发光二极管(Power LED))特别有效。
在此，可构成为在金属基板12的上表面固着多个发出上述3色(红色、绿色、蓝色：RGB)的颜色光的发光元件20而在整体上发出白色的光，也可为所有发光元件20发出的光皆相同(RGB的任一者)。
并且，在发光元件20的上表面设置两个电极(阳极电极、阴极电极)，所述电极是经由金属细线而与导电图案14连接。在此，发光元件20的电极与金属细线16的连接部是由密封树脂32所披覆。并且，若参照图1(B)，发光元件20是于导电图案14B、14D的上表面经介固着材(例如焊材或绝缘性接着剂)而固着。此外，发光元件20也可不固着于导电图案14B等的上表面而直接固着于金属基板12的上表面。
密封树脂32为在耐热性优异的硅树脂混入有萤光体的构成，且以披覆发光元件20的方式形成于金属基板12的上表面。例如，当自发光元件20发出蓝色的光，并在密封树脂32混入黄色的萤光体时，穿透过密封树脂32的光便成为白色。因此，能够将发光模块10A利用作为发出白色的光的照明器具。
参照图1(B)及图1(C)，在发光模块10A，导电图案14下方的区域的绝缘层24为残存，导电图案14不存在的区域的绝缘层24为去除。具体而言，如上所述，绝缘层24是由高填充有填料的树脂所构成，因此当在使用状况下自发光元件20发出的光长时间照射于绝缘层24时，绝缘层24的树脂成分会劣化而有耐压降低的问题。因此，在本形态中仅使上表面由导电图案14所披覆的绝缘层24部分残存，将其他区域的绝缘层24去除。由此，残存的绝缘层24由于上表面由导电图案14所披覆，因此自发光元件20发出的光不会照射于绝缘层24，因而抑制绝缘层24的劣化。此外，在绝缘层24去除的区域，虽然由金属材料所构成的金属基板12的上表面为露出，但即使自发光元件20产生的光照射于金属基板12的上表面，金属基板12也不会劣化。
此外，参照图1(B)，在绝缘层24去除的部分，虽然氧化膜22露出于金属基板12的上表面，但属于无机物的氧化膜22几乎不会发生因自发光元件20发出的光的照射而导致劣化。此外，使氧化膜22残存于绝缘层24被去除的区域的金属基板12的上表面，由此，由于氧化膜22的上表面比构成金属基板12的金属材料的表面更粗糙，因此能够使密封树脂32强固地密着于属于粗糙面的氧化膜22的表面。
并且，若参照图1(B)，虽然残存的绝缘层24的侧面与导电图案14(例如导电图案14C)的侧面是位在同一平面上，但也可使绝缘层24的侧面位于比导电图案14C的侧面更靠近内侧。由此，自发光元件20发出的光便变得不易到达绝缘层24，进一步抑止该光所导致的绝缘层24的劣化。
参照图2，说明其他形态的发光模块10B的构成。图2(A)是发光模块10B的斜视图，图2(B)是图2(A)的B-B’线的剖面图，图2(C)是图2(A)的C-C’线的剖面图。
图2所示的发光模块10B的构成，在基本上是参照图1而与上述发光模块10A相同，差异在于，将发光元件20内建至设置在金属基板12的上表面的凹部18。以该差异点为中心，说明发光模块10B的构成。
参照图2(B)及图2(C)，首先，使金属基板12的上表面陷下成凹状，由此而形成凹部18，将发光元件20固着于该凹部18的底面28。并且，通过填充至凹部18及开口部48的密封树脂32披覆发光元件20。
凹部18是通过将金属基板12自上表面形成为凹状而设置，底面28呈圆形。此外，凹部18的侧面是作为将自发光元件20的侧面往侧向发出的光反射至上方用的反射器(reflector)而发挥功能，侧面30的外侧与底面28所成的角度θ的角度为例如40度至60度左右。此外，凹部18的深度可以比发光元件20的厚度还大，也可以比发光元件20的厚度还小。例如，当将凹部18的厚度设定为比将发光元件20与接合材26的厚度相加所得的长度还长时，发光元件20便收纳至凹部18，能够使发光元件20的上表面位于比金属基板12的上表面更下方。
在图2(B)中，是以空心箭头表示自发光元件20发出的光。自发光元件20的上表面发出的光是直接照射至上方。另一方面，自发光元件20的侧面往侧向发出的光是通过凹部18的侧面30而反射至上方。并且，由于发光元件20是由混入有萤光体的密封脂所披覆，因此发光元件20产生的光是穿透密封树脂32而往外部发光。
凹部18的底面28、侧面30及周边部的金属基板12的上表面是由披覆层34所披覆。作为披覆层34的材料，采用通过镀金属处理而形成的金(Au)或银(Ag)。此外，若采用反射率比金属基板12的材料还大的材料(例如金与银)作为披覆层34的材料，则能够更有效率地使自发光元件20往侧向发出的光反射至上方。此外，在发光模块的制造步骤中，披覆层34具有防止金属露出的凹部18的内壁氧化的功能。
并且，在凹部的底面28去除了披覆金属基板12的表面的氧化膜22。氧化膜22与构成金属基板12的金属相比，热阻较大，因此，通过将氧化膜22从安装发光元件20的凹部18的底面去除，金属基板12整体的热阻便降低。
接合材26具有使发光元件20的下表面与凹部18连接的功能。由于发光元件20在下表面不具有电极，因此作为接合材26可以为由绝缘性树脂所构成者，也可以为了提升散热性而为由焊材等金属所构成。此外，凹部18的底面是由银等所构成的镀金属膜(披膜层34)所披覆，具有优异的焊锡润湿性，因此能够容易地采用焊材作为接合材26。
在发光模块10B中，是通过将裸发光元件20安装于金属基板12的上表面，而有能够将发光元件20产生的热极有效率地放出至外部的优点。具体而言，在上述的背景技术中，由于将发光元件安装至形成在绝缘层的上表面的导电图案，因此热的传导被绝缘层所阻碍，难以使自发光元件20放出的热有效率地放出至外部。而另一方面，在本发明中，在安装发光元件20的区域，是将绝缘层24及氧化膜22去除，将发光元件20固着于金属基板12的表面。由此，发光元件20产生的热直接传导至金属基板12而放出至外部，因此，抑制发光元件20的温度上升。此外，通过抑制温度上升，也抑制密封树脂32的劣化。
并且，在发光模块10B中，能够利用设在金属基板12的上表面的凹部18的侧面作为反射器。具体而言，参照图2(B)，凹部18的侧面形成为宽度随着靠近金属基板12的上表面而变宽的倾斜面。因此，通过该侧面30，自发光元件20的侧面往侧向发出的光便反射而照射至上方。亦即，收纳发光元件20的凹部18的侧面30兼有作为反射器的功能。因此，不需要如同一般的发光模块另外准备反射器，因此可将零件数目削减而能够降低成本。并且，如上所述，以反射率大的材料披覆凹部18的侧面30，由此，也能够提升侧面30作为反射器的功能。
参照图3的剖面图，说明其他形态的发光模块10C的构成。发光模块10C的基本性构成与上述发光模块10A相同，差异在于，在金属基板12的上表面形成有多层的配线层。
具体而言，金属基板12的上表面是由第1绝缘层19所披覆，该第1绝缘层19的上表面形成有第1配线层15。并且，第1配线层15的上表面是由第2绝缘层21所披覆，该第2绝缘层21的上表面形成有第2配线层17。
在此，上述的第1绝缘层19及第2绝缘层21是由高填充有填料的树脂所构成，具体性构成与上述的绝缘层24相同即可。并且，第1配线层15及第2配线层17为例如对厚度为50μm至100μm左右的铜所构成的导电箔进行蚀刻(etching)加工而成者。
第1配线层15为未进行图案化形成(patterning)的整面配线层，整面性地披覆第1绝缘层19的上表面。通过设置如此构成的第1配线层15，由于第1绝缘层19的上表面整面性地由第1配线层15所披覆，因此自发光元件20产生的光不会到达第1绝缘层19，而防止第1绝缘层19的劣化。并且，整面状态的第1配线层15的面积比上层的第2配线层17还大。因此，自发光元件20产生的热经由第2配线层17及第2绝缘层21而通过第1配线层15往周围扩散后，经由第1绝缘层19及金属基板12而放出至外部。因此，由于第1配线层15之后的热的路径变广，使模块整体的散热性提升，而抑制发光元件20的过热。
在此，通过第2配线层17，形成安装发光元件20的芯片垫以及连接金属细线16的接合垫。并且，第2绝缘层21，残留在上表面形成第2配线层17之处，而未形成第2配线层17的区域被去除。并且，在去除掉第2配线层17的区域，下层的第1配线层15的上表面为露出。在此，如上所述，也可以使第2绝缘层21的侧面配置为比第2配线层17的侧面还靠近内侧。通过采用如此的构成，由于自发光元件20产生的光不会照射于第2绝缘层21，因此防止因自发光元件20产生的光所导致的第2绝缘层21的劣化。
参照图4，接着，说明其他形态的发光模块10D的构成。发光模块10D的构成在基本上是与图1所示的发光模块10A相同，差异在于，采用由以玻璃环氧等树脂为主体的材料所构成的树脂基板23作为基板。
在此，例如厚度为0.5mm至2.0mm左右的树脂基板23的上表面为整面性地由金属层25所披覆。金属层25为以铝或铜为主体的厚度为50μm至100μm左右的金属膜。并且，在金属层25的上表面隔介绝缘层24形成导电图案14A等。此外，在导电图案14B、14D的上表面安装发光元件20，导电图案14A、14C、14E经由金属细线16而与发光元件20电性连接。
通过上述构成的发光模块10D，首先，绝缘层24仅在于上层设置有导电图案14A等的区域残存，在未设置有导电图案14A等的部分是将绝缘层24去除，因此抑止因自发光元件20产生的光所导致的绝缘层24的劣化。
并且，由以树脂为主体的材料所构成的树脂基板23的上表面是由金属层25所披覆，自发光元件20产生的光不会到达树脂基板23的上表面，因此，也防止因自发光元件20射出的光所导致的树脂基板23的劣化。
接着，参照图5至图12，说明上述构成的发光模块的制造方法。在此，作为代表实施例，说明图2显示构成的发光模块10B的制造法。
第1步骤：参照图5及图6
参照图5及图6，首先，准备作为发光模块10的材料的基板40，形成导电图案，将绝缘层42予以局部性去除。图5是显示形成单层的配线层(导电图案)时的情形，图6是显示形成多层的配线层时的情形。
参照图5(A)，首先，所准备的基板40是由以例如铜或铝为主材料的金属所构成，厚度为0.5mm至2.0mm左右。基板40的平面大小为例如1m×1m左右，由1片基板40制造多个发光模块。当基板40为由铝所构成的基板时，基板40的上表面及下表面是由上述的阳极氧化膜所披覆。
基板40的上表面是整面性地由厚度为50μm左右的绝缘层42所披覆。该绝缘层42的组成是与上述绝缘层24相同，由高填充有填料的树脂材料所构成。此外，在绝缘层42的上表面是整面性地形成有由厚度为50μm左右的铜所构成的导电箔44。
参照图5(B)，接着，通过进行选择性湿蚀刻，对导电箔44进行图案化形成，形成导电图案14。该导电图案14在每一设置于基板40的单元46为具有相同的形状。在此，单元46是指构成1个发光模块的部位。
参照图5(C)，接着，将导电图案14的下面之外的区域的绝缘层42去除。绝缘层42的去除是通过从上方的激光照射或蚀刻来进行。当为通过蚀刻来进行时，是利用蚀刻率对于构成绝缘层42的树脂材料比导电图案14还高的蚀刻剂来去除绝缘层42。此外，当为通过激光照射来进行时，是使二氧化碳激光或YAG激光从上方照射绝缘层42来去除。在此，在通过激光照射去除绝缘层42时，也可将披覆基板40上表面(例如，图1所示的氧化膜22)与绝缘层42一同去除。并且，不论是通过蚀刻或通过激光照射进行绝缘层42的去除，皆能够以导电图案14作为蚀刻遮罩(mask)。
并且，通过以导电图案14作为遮罩来进行过蚀刻(over etching)，能够使绝缘层42的侧面位于比导电图案14的侧面更靠近内侧。
在图5(D)中，显示本步骤结束后的基板40的平面图，在此，各单元46彼此的边界是以虚线表示。单元46的形状为例如纵×横＝30cm×0.5cm左右，具有极细长的形状。
接着，参照图6说明形成多层配线层时的本制造步骤的方法。
参照图6(A)，首先，在基板40的上表面形成多层的配线。具体而言，以第1绝缘层19披覆基板40的上表面，在该第1绝缘层19的上表面形成第1配线层15。并且，在披覆第1配线层15的第2绝缘层21的上表面贴着导电箔45。在此，第一配线层15也可为完全未进行图案化的整面状态，也可为了使分离各单元46后的步骤变得容易，而通过蚀刻加工来去除与各单元46的边界对应的区域。
参照图6(B)，接着，对最上层的导电箔45进行湿蚀刻方式的图案化形成，形成第2配线层17。该第2配线层17含有在之后的步骤中安装发光元件的芯片垫与连接金属细线的接合垫，如图6(D)所示，每一单元46呈相同的图案形状。
参照图6(C)，接着，除了形成了第2配线层17的区域之外，将第2绝缘层21去除。第2绝缘层21的去除方法与参照图5(C)而说明过的方法相同。在此，也通过对第2绝缘层21进行过蚀刻，而能够使第2绝缘层21的端部(侧面)位于比第2配线层17的端部(侧面)更靠近内侧。
第2步骤：参照图7
参照图7，接着，自基板40的未披覆绝缘层42的区域的上表面形成凹部18。凹部18的形成虽能够通过选择性蚀刻、钻孔加工、冲压加工等来进行，而在以下的说明中是说明通过冲压加工来形成凹部18的方法。
参照图7(A)，首先，准备冲压用的模具。于模具50设置有多个凸部52。各凸部52具有与预定形成的凹部18相搭配的形状，且为如同将前端部切断的圆锥的形状。通过将模具50往下方进行冲压，便以模具50的各凸部52推压基板40的上表面而形成凹部18。
在图7(B)显示所形成的凹部18的形状。通过上述的冲压加工，形成底面28为圆形且侧面30为倾斜面的凹部18。此外，所形成的凹部18的深度可约为在之后的步骤中完全地收纳所安装的发光元件的深度，也可约为部分地收纳发光元件左右的深度。具体而言，凹部18的深度例如为100μm至300μm左右。
参照图7(C)，于预定载置各单元46的发光元件的区域，以上述方法，形成凹部18。
在此，当为于金属基板12的上表面不设置凹部18时的情形(例如制造图1所示构成的发光模块10A时)，省略本步骤。
第3步骤：参照图8
参照图8(A)及图8(B)，接着，在各单元46彼此之间设置分离用的沟。若参照图8(A)，在基板40的各单元46彼此之间，自上表面形成有第1沟54，自下表面形成有第2沟56。两沟的剖面呈V型的形状。
在此，第1沟54及第2沟56两方可为相同大小(深度)，也可形成为一方比另一方大。并且，只要在之后的步骤中不会发生问题，也可仅设置第1沟54及第2沟56的任一方。
第1沟54及第2沟56的形成，是沿着各单元46彼此的边界，使V型剖面形状的切锯(cut saw)高速旋转，通过进行局部性的切断来形成。并且，在本步骤中，并非通过该切断而使基板40分离成一个一个，而是在形成沟之后，基板40仍呈现一片板的状态。
在本实施形态中，是对在之前的步骤中已去除绝缘层42的基板40，进行上述两沟的形成。因此，不需要以切锯来切削高填充有坚硬的填料的绝缘层，因而抑制切锯的磨耗而降低制造成本。
第4步骤：参照图9
在本步骤中，是以由镀膜所构成的披覆层34来披覆凹部18的内壁。
具体而言，以由金属所构成的基板40作为电极并使之通电，由此将属于镀膜的披覆层34披附于凹部18的内壁(底面28及侧面30)。作为披覆层34的材料是采用金或银等。此外，要防止在第1沟54及第2沟56的表面附着镀膜，只要将所述部位的表面以阻剂(resist)披覆即可。此外，关于基板40的背面，由于是由属于绝缘物的氧化膜22所披覆，因此不会附着镀膜。
在本步骤中，以披覆层34披覆凹部18，由此，能够防止由例如铝所构成的金属面发生氧化。并且，以披覆层34披覆凹部18的底面28，由此，只要披覆层34为银等焊锡润湿性优异的材料，则在之后的步骤中，便能够容易地使用焊材来安装发光元件。再且，以由高反射率的材料所构成的披覆层34来披覆凹部18的侧面30，由此，能够使侧面30作为反射器的功能提升。
在此，当为仅在凹部18及其周边部通过镀金属处理来披覆披覆层34时，是只要将披覆凹部18及其周边部的氧化膜22去除而使金属面露出即可。并且，参照图9(C)，在设置有导电图案14的区域(由绝缘层所披覆的区域)以外的基板40的上表面形成披覆层34也可。
第5步骤：参照图10
参照图10的各图，接着，将发光元件20(LED芯片)安装至各单元46的凹部18，并进行电性连接。参照图10(B)，发光元件20的下表面是通过接合材26而安装于凹部18的底面28。由于发光元件20的下表面没有电极，因此作为接合材26，是能够采用由树脂所构成的绝缘性接着剂或导电性接着材双方。此外，作为导电性接着材，能够采用焊材或导电性胶双方。并且，由于凹部18的底面28是由焊锡润湿性优异的银等镀膜所构成，因此能够采用热传导性比绝缘性材料优异的焊材作为接合材26。
在发光元件20的固着结束之后，将设置在发光元件20上表面的各电极与导电图案14经由金属细线16而连接。
第6步骤：参照图11
参照图11的各图，接着，使密封树脂32填充至设置在基板40的各单元46的凹部，将发光元件20密封。密封树脂32是由混入有萤光体的硅树脂所构成，且以液状或半固体形状的状态将密封树脂32填充至凹部18及开口部48后固化。由此，发光元件20的侧面及上表面、发光元件20与金属细线16的连接部是由密封树脂32所披覆。
在本步骤中，是对各凹部18个别地供给密封树脂32而密封，由此，与在基板40的上表面整体性地形成有密封树脂32时的情形相比，抑止密封树脂32所含有萤光体的分离。因此，从所制造的发光模块发出的光的颜色为均匀化。
第7步骤：参照图12
参照图12的各图，接着，以形成有第1沟54及第2沟56之处将基板40分离为各单元。
由于在各单元46彼此之间形成有两沟，因此能够容易地进行基板40的分离。作为该分离方法，是能够采用以冲压机进行的冲切、切割(dicing)、形成有两沟之处的基板40的弯折等。
通过以上的步骤，制造图1所示构成的发光模块。
在此，上述的步骤也能够更换顺序。例如，也可在进行图11所示的形成密封树脂32的步骤后进行图8所示的形成第1沟54等的步骤。并且，也可在刚进行图5与图6所示的导电图案14的图案化形成后，形成第1沟54等，将基板40分割成一个一个的单元46。

Claims (10)

1.一种发光模块，其特征在于，具备：
电路基板，于最上层具有绝缘层；
配线层，设置在一部分的所述绝缘层的上表面；以及
发光元件，与所述配线层电性连接；且
将从所述配线层周围起至前述电路基板的外侧端部为止的所述绝缘层予以去除，未被去除的绝缘层的整个上表面由所述配线层所披覆。
2.根据权利要求1所述的发光模块，其特征在于：仅留下设置有所述配线层的区域的绝缘层，而去除所有其余的所述绝缘层。
3.根据权利要求1所述的发光模块，其特征在于：所述电路基板为上表面由所述绝缘层所披覆的由金属所构成的金属基板；且
在未设置所述配线层的区域，是将所述绝缘层去除而使所述金属基板的上表面露出。
4.根据权利要求1所述的发光模块，其特征在于，所述配线层含有：第1配线层，设置在第1绝缘层的上表面；以及第2配线层，形成于披覆所述第1配线层的第2绝缘层的上表面，并且与所述发光元件电性连接；且
将与未设置所述第2配线层的区域对应的所述第2绝缘层予以去除。
5.根据权利要求4所述的发光模块，其特征在于：所述第1配线层为未进行图案化形成的整面配线层。
6.根据权利要求1所述的发光模块，其特征在于：所述电路基板为上表面由以金属材料所构成的导电膜所披覆的以树脂为主体的基板。
7.一种发光模块的制造方法，其特征在于，具备以下步骤：
在于最上层具有绝缘层的基板的一部分的所述绝缘层的上表面形成配线层的步骤；
将从所述配线层周围起至前述电路基板的外侧端部为止的所述绝缘层予以去除的步骤；以及
将发光元件电性连接于所述配线层的步骤。
8.根据权利要求7所述的发光模块的制造方法，其特征在于：在去除所述绝缘层的步骤中，是通过蚀刻或激光照射来去除所述绝缘层。
9.根据权利要求7所述的发光模块的制造方法，其特征在于：在形成所述配线层的步骤中，隔着绝缘层形成多层所述配线层；
在去除所述绝缘层的步骤中，将位于最上层的所述配线层的下方的所述绝缘层予以去除。
10.根据权利要求7所述的发光模块的制造方法，其特征在于：在去除所述绝缘层的步骤中，除了所述配线层下方的区域之外，将所有其余的所述绝缘层予以去除。
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