CN103165803B - 发光元件安装用封装体、发光元件封装体及它们的制造方法 - Google Patents

发光元件安装用封装体、发光元件封装体及它们的制造方法 Download PDF

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Abstract

一种制造发光元件安装用封装体的方法，包含：在绝缘层上层压金属层的步骤；在所述金属层上形成发光元件安装区域的步骤，其中，所述发光元件安装区域包含一对电解镀膜，所述一对电解镀膜由将所述金属层使用为供电层的电解电镀所形成；及通过去除所述金属层的预定部分形成发光元件安装部的步骤，其中，在所述发光元件安装部中，多个配线按照预定间隔被配置。其中，在形成所述发光元件安装部的步骤中，去除所述金属层，以使所述一对电解镀膜中的一个属于所述多个配线中的一个，所述一对电解镀膜中的另一个属于所述多个配线中的另一个。

Description

发光元件安装用封装体、发光元件封装体及它们的制造方法
技术领域
本发明涉及一种可安装发光元件的发光元件安装用封装体、在该发光元件安装用封装体上安装了发光元件的发光元件封装体、及它们的制造方法。
背景技术
近年，作为光源，电力消耗低、寿命长的发光二极管(以下称LED)引起了各界的关注，例如，已经提出了一种安装有多个LED的LED模块。在这样的LED模块中，最表层上形成有反射膜(绝缘层)，用于对所安装的LED的出射光进行反射；还形成有用于安装LED的发光元件安装区域(Land)，并使其从反射膜露出。另外，为了提高与所安装的LED的连接可靠性，在发光元件安装区域上还形成有镀膜。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1](日本)特开2003-092011号公报
[专利文献2](日本)特开2006-319074号公报
发明内容
[发明要解决的课题]
但是，镀膜是在从反射膜露出的发光元件安装区域上通过非电解电镀法形成的，所以，在进行非电解电镀时，反射膜也被浸渍在非电解电镀槽的镀液中。所以，存在着镀液渗入反射膜导致反射膜的特性恶化的问题，更具体地，存在着反射膜的反射率降低的问题。
本发明是鉴于上述问题而提出的，其课题在于，提供一种可降低反射膜特性恶化的发光部件安装用封装体、在该发光部件安装用封装体上安装了多个(2个以上)发光部件的发光部件封装体、及它们的制造方法。
[用于解决课题的手段]
本发明的发光元件安装用封装体，包含：绝缘层；第一配线，形成在所述绝缘层上；第二配线，在所述绝缘层上与所述第一配线分离第一间隙地形成；第一电解镀膜，形成在所述第一配线上的第一侧；第二电解镀膜，在所述第一配线上的与所述第一侧相反侧的第二侧，与所述第一电解镀膜分离第二间隙地形成；第三电解镀膜，形成在所述第二配线上的第一侧；第四电解镀膜，在所述第二配线上的与所述第一侧相反侧的第二侧，与所述第三电解镀膜分离第三间隙地形成；发光元件安装区域，由所述第二电解镀膜和所述第三电解镀膜构成；以及反射膜，形成在所述绝缘层上，具有开口部，所述反射膜覆盖所述第二间隙和所述第三间隙，并且形成为在所述开口部内露出所述发光元件安装区域。
[发明的效果]
根据所公开的技术，可以提供一种能降低反射膜特性恶化的发光部件安装用封装体、在该发光部件安装用封装体上安装了多个发光部件的发光部件封装体、及它们的制造方法。
附图说明
[图1]用于对第1实施方式的发光元件安装用封装体进行例示的平面图(其1)。
[图2]用于对第1实施方式的发光元件安装用封装体进行例示的平面图(其2)。
[图3]沿图1的A-A线的截面图。
[图4]用于对第1实施方式的发光元件封装体进行例示的截面图。
[图5]用于对第1实施方式的发光元件安装用封装体的制造步骤进行例示的图(其1)。
[图6]用于对第1实施方式的发光元件安装用封装体的制造步骤进行例示的图(其2)。
[图7]用于对第1实施方式的发光元件安装用封装体的制造步骤进行例示的图(其3)。
[图8]用于对第1实施方式的发光元件安装用封装体的制造步骤进行例示的图(其4)。
[图9]用于对第1实施方式的发光元件安装用封装体的制造步骤进行例示的图(其5)。
[图10]用于对第1实施方式的发光元件安装用封装体的制造步骤进行例示的图(其6)。
[图11]用于对第1实施方式的发光元件安装用封装体的制造步骤进行例示的图(其7)。
[图12]用于对第1实施方式的发光元件安装用封装体的制造步骤进行例示的图(其8)。
[图13]用于对第1实施方式的发光元件安装用封装体的制造步骤进行例示的图(其9)。
[图14]用于对第1实施方式的发光元件安装用封装体的制造步骤进行例示的图(其10)。
[图15]用于对第1实施方式的发光元件安装用封装体的制造步骤进行例示的图(其11)。
[图16]用于对第1实施方式的发光元件封装体的制造步骤进行例示的图(其1)。
[图17]用于对第1实施方式的发光元件封装体的制造步骤进行例示的图(其2)。
[图18]用于对第1实施方式的发光元件封装体的制造步骤进行例示的图(其3)。
[图19]用于对第1实施方式的发光元件封装体的制造步骤进行例示的图(其4)。
[图20]用于对第1实施方式的发光元件封装体的制造步骤进行例示的图(其5)。
[图21]用于对第2实施方式的发光元件安装用封装体的制造步骤进行例示的图(其1)。
[图22]用于对第2实施方式的发光元件安装用封装体的制造步骤进行例示的图(其2)。
[图23]用于对第2实施方式的发光元件安装用封装体的制造步骤进行例示的图(其3)。
[图24]用于对第2实施方式的发光元件安装用封装体的制造步骤进行例示的图(其4)。
[图25]用于对第2实施方式的发光元件安装用封装体的制造步骤进行例示的图(其5)。
[图26]用于对第2实施方式的发光元件安装用封装体的制造步骤进行例示的图(其6)。
[图27]用于对第2实施方式的发光元件安装用封装体的制造步骤进行例示的图(其7)。
[图28]用于对第2实施方式的发光元件安装用封装体的制造步骤进行例示的图(其8)。
[图29]用于对第2实施方式的发光元件安装用封装体的制造步骤进行例示的图(其9)。
[图30]用于对第3实施方式的发光元件安装用封装体的制造步骤进行例示的图(其1)。
[图31]用于对第3实施方式的发光元件安装用封装体的制造步骤进行例示的图(其2)。
[图32]用于对第3实施方式的发光元件安装用封装体的制造步骤进行例示的图(其3)。
[图33]用于对第3实施方式的发光元件安装用封装体的制造步骤进行例示的图(其4)。
[图34]用于对第3实施方式的发光元件安装用封装体的制造步骤进行例示的图(其5)。
[图35]用于对第3实施方式的发光元件安装用封装体的制造步骤进行例示的图(其6)。
[图36]用于对第3实施方式的发光元件安装用封装体的制造步骤进行例示的图(其7)。
[图37]用于对第3实施方式的发光元件安装用封装体的制造步骤进行例示的图(其8)。
[图38]用于对第4实施方式的发光元件安装用封装体进行例示的平面图(其1)。
[图39]用于对第4实施方式的发光元件安装用封装体进行例示的平面图(其2)。
[图40]用于对第5实施方式的发光元件封装体进行例示的截面图(其1)。
[图41]用于对第5实施方式的发光元件封装体进行例示的截面图(其2)。
[图42]用于对第5实施方式的发光元件封装体进行例示的截面图(其3)。
[符号说明]
10、10A发光元件安装用封装体
20散热板
30绝缘层
40，70发光元件安装部
40A金属层
41～45、71～87配线
50、90电解镀膜
51、91发光元件安装区域
52、92第1电极部
53、93第2电极部
60反射膜
60x、300x、310x、320x、330x开口部
100、100A、100B、100C发光元件封装体
110发光元件
110a、110b、145凸点(bump)
111绝缘层
112，146金属细线
120封装树脂
141次安装基板(submount substrate)
142发光元件芯片
143反射板
144封装树脂
200基材
210框部
220连接部
300、310、320、330、340光阻层(resist layer)
C截线
具体实施方式
下面参照附图对本发明的实施方式进行说明。这里需要说明的是，各图中相同的构成部分被标注了相同的符号，并存在省略了重复说明的情况。
<第1实施方式>
[第1实施方式的发光元件安装用封装体的结构]
首先，对第1实施方式的发光元件安装用封装体的结构进行说明。图1是用于对第1实施方式的发光元件安装用封装体进行例示的平面图(其1)。图2是用于对第1实施方式的发光元件安装用封装体进行例示的平面图(其2)，是省略了图1中的反射膜60的图。图3是沿图1的A-A线的截面图。这里需要说明的是，为了方便，在图1及图2中，使用点状模样对发光元件安装部40及电解镀膜50进行了表示(其他图中也存在相同情况)。
参照图1～图3。发光元件安装用封装体10大致上具有金属板20、绝缘层30、发光元件安装部40、电解镀膜50、及反射膜60。在不需要反射功能的情况下，也可以设置由环氧树脂或丙烯树脂等构成的保护膜来取代反射膜60。
金属板20具有作为散热板的功能，用于将由安装在发光元件安装用封装体10上的发光元件所产生的热量散热至发光元件安装用封装体10的外部，并是用于形成绝缘层30和发光元件安装部40的基体的部分。作为金属板20的材料，例如可使用铜(Cu)、铜合金、铝(Al)、及铝合金等具有良好热传导率的材料。金属板20的厚度例如可为100～2000μm左右。
绝缘层30形成在金属板20上，对金属板20和发光元件安装部40之间进行绝缘。作为绝缘层30的材料，例如可使用聚酰亚胺(polyimide)系绝缘性树脂、或添加了50wt％以上的氧化铝填充物的环氧树脂等。绝缘层30的厚度例如可为15～200μm左右。
发光元件安装部40具有相互之间电气独立(分离)的配线41～45。发光元件安装部40形成在绝缘层30上。作为发光元件安装部40的材料，例如可使用铜(Cu)等金属。发光元件安装部40的厚度例如可为20～100μm左右。
配线41～45在平面图上例如被形成为长尺状或长方形状，并按照预定的间隔被配置，以使各配线的长边呈相互面对的形态。配线41～45的各长边和各短边的长度、及毗邻配线的间隔的一个例子为：长边5～10mm左右、短边1～5mm左右、及间隔50～500μm左右。
在配线41～45的预定区域上形成有电解镀膜50。形成电解镀膜50的目的在于，提高与各部分上所连接的部件等的连接可靠性。配线41～45的形成电解镀膜50的一侧的面被实施了粗化处理。实施粗化处理的目的在于，通过锚固效应(anchor effect)，提高配线41～45和反射膜60之间的密着性。
作为电解镀膜50，例如可使用Ni或Ni合金/Au或Au合金膜、Ni或Ni合金/Pd或Pd合金/Au或Au合金膜、Ni或Ni合金/Pd或Pd合金/Ag或Ag合金/Au或Au合金膜、Ag或Ag合金膜、Ni或Ni合金/Ag或Ag合金膜、Ni或Ni合金/Pd或Pd合金/Ag或Ag合金膜等。这里需要说明的是，“AA/BB膜”表示AA膜和BB膜在对象部分上按此顺序层叠形成(3层以上时也相同)。
电解镀膜50中的Au或Au合金膜、Ag或Ag合金膜的膜厚优选为0.1μm以上。电解镀膜50中的Pd或Pd合金膜的膜厚优选为0.005μm以上。电解镀膜50中的Ni或Ni合金膜的膜厚优选为0.5μm以上。
这里需要说明的是，因为Ag膜或Ag合金膜具有高反射率，所以，如果将电解镀膜50的最表层形成为Ag膜或Ag合金膜，则可以更好地提高发光元件的照射光的反射率。
在电解镀膜50中，面对毗邻配线而形成的部分构成了发光元件安装区域51。发光元件安装区域51例如是平面形状为半圆状的电解镀膜面对毗邻配线而形成的部分。在1个发光元件安装区域51上可安装1个具有2个端子(也可以具有4个端子等)的发光元件。
更具体地，在配线41～45中，毗邻配线的一个面上形成有多个发光元件安装区域51，分别由按照预定的间隔而形成的一对电解镀膜构成。用于构成各发光元件安装区域51的一对电解镀膜50的一个属于毗邻配线中的一个，另一个属于毗邻配线中的另一个。即，在配线41～45中，毗邻配线之间可并列安装多个发光元件。例如，在毗邻配线41和42之间，沿配线的长度方向可并列安装多个(本实施方式中为4个)发光元件。毗邻配线42和43之间、毗邻配线43和44之间、及毗邻配线44和45之间也相同。
另外，沿配线的排列方向(X方向)，毗邻配线之间可串列安装多个发光元件。例如，毗邻配线41和42之间、毗邻配线42和43之间、毗邻配线43和44之间、及毗邻配线44和45之间可串列安装多个(本实施方式中为4个)发光元件。
这里需要说明的是，例如，也可以形成平面形状为矩形形状的电解镀膜，以使其面对毗邻配线，作为发光元件安装区域51。另外，在本实施方式中，尽管形成了16处发光元件安装区域51，并安装了16个发光元件，但是，发光元件安装区域51的个数可任意确定。
配线41上通过电解镀膜50形成了第1电极部52。第1电极部52与发光元件安装区域51的形成在配线41上的部分电连接。另外，配线45上通过电解镀膜50形成了第2电极部53。第2电极部53与发光元件安装区域51的形成在配线45上的部分电连接。第1电极部52及第2电极部53为例如与配置在发光元件安装用封装体10的外部的电源或驱动电路等相连的部分。
反射膜60为形成在绝缘层30上的绝缘膜，用以对发光元件安装部40及电解镀膜50进行覆盖。反射膜60具有开口部60x，各开口部60x内露出了各发光元件安装区域51的一部分。这里需要说明的是，各开口部60x内也可使各发光元件安装区域51的全部都露出。
作为反射膜60的材料，例如可使用环氧系或硅酮(silicone)系绝缘性树脂等。为了提高发光元件的照射光的反射率，最好使反射膜60含有氧化钛等填充物以使其为白色。也可以使用BaSO4等颜料代替氧化钛，以使反射膜60为白色。反射膜60的厚度例如可为10～50μm左右。
这里需要说明的是，在本实施方式中，尽管在毗邻配线之间所露出的绝缘层30上不形成反射膜60，但是，也可以形成反射膜60，以对毗邻配线之间所露出的绝缘层30及其附近的发光元件安装部40和电解镀膜50进行覆盖。
图4是用于对第1实施方式的发光元件封装体进行例示的截面图。参照图4。发光元件封装体100是在发光元件安装用封装体10的各发光元件安装区域51上纵横地安装了多个发光元件110，然后由封装树脂120进行了封装的封装体。但是，封装树脂120被形成为使第1电极部52及第2电极部53各自的一部分或全部露出。
作为发光元件110，例如可使用一端侧形成了正极端子、另一端侧形成了负极端子的LED。但是，发光元件110并不限定于LED，例如也可以使用面发光型激光等。作为封装树脂120，例如可采用使硅酮(silicone)系绝缘性树脂等内包含了萤光体的树脂。
下面以发光元件110为LED、发光元件封装体100为LED模块的情形为例进行说明(有时也将发光元件110称为LED110、将发光元件封装体100称为LED模块100)。
发光元件安装区域51上所安装的LED110的尺寸的例子为：在平面图上，纵0.3mm(Y方向)×横0.3mm(X方向)、纵1.0mm(Y方向)×横1.0mm(X方向)、或纵1.5mm(Y方向)×横1.5mm(X方向)等。
各LED110上形成了作为一个电极端子的凸点110a、及作为另一个电极端子的凸点110b。各LED110的凸点110a或110b的任一个为正极端子，另一个为负极端子。凸点110a及110b例如被倒装键合(倒装接合)(flip-chip bonding)在毗邻配线上。各LED110被安装在同一方向(例如，正极端子指向图的左侧)上。
这里需要说明的是，凸点110a及110b优选为分别设置多个。如果凸点110a及110b各为1个，则各配线上的连接位置也为各一处，这样，实装后的LED110可能会发生倾斜。通过分别设置多个凸点110a及110b，各配线上的连接位置为多处，这样，就可以进行稳定的实装。另外，经由多个凸点，LED芯片所产生的热量也会被散热至发光元件安装区域51。
毗邻配线的间隔被设定为大致与所安装的LED110的凸点110a和110b之间的间隔(例如，60μm)相同。据此，配线41和配线42之间、配线42和配线43之间、配线43和配线44之间、及配线44和配线45之间可以分别串列地(X方向)安装LED110。
另外，配线41～45各自的长度方向(Y方向)的长度被设定为是LED110的Y方向的长度的数倍～数10倍左右。据此，配线41和配线42之间可以并列地(Y方向)安装多个LED110。配线42和配线43之间、配线43和配线44之间、及配线44和配线45之间也相同。
[第1实施方式的发光元件安装用封装体及发光元件封装体的制造方法]
下面对第1实施方式的发光元件安装用封装体及发光元件封装体的制造方法进行说明。图5～图15是用于对第1实施方式的发光元件安装用封装体的制造步骤进行例示的图。图16～图20是用于对第1实施方式的发光元件封装体的制造步骤进行例示的图。这里需要说明的是，各步骤原则上参照截面图进行说明，但是有时根据必要，也参照平面图(a)及截面图(b)进行说明。
首先，在图5及图6所示的步骤中准备基材200。图5为平面图，C表示截线。通过对经过了图7以后的预定步骤的基材200等沿截线C进行切断，可以得到多个发光元件安装用封装体10(图5中为27个)。即，图5中由截线C所围成的各区域分别为发光元件安装用封装体10。这里需要说明的是，图6为与图1的A-A线相对应的截面图，图5中示出了由截线C所围成的1个区域。
作为基材200，例如可使用所谓的被覆(clad)材，其通过在金属板20上按顺序层压绝缘层30及最终成为发光元件安装部40的金属层40A而形成，或者也可以通过对绝缘层30和金属层40A进行单步层压(single step laminating)的方式而形成。基材200的平面形状例如为矩形形状，其大小例如可为纵650mm(Y方向)左右×横510mm(X方向)左右。
在基材200中，作为金属板20，例如可使用铜(Cu)、铜合金、铝(Al)、或铝合金等具有良好热传导率的材料。金属板20的厚度例如可为100～2000μm左右。作为绝缘层30的材料，例如可使用聚酰亚胺(polyimide)系绝缘性树脂、或添加了50wt％以上的氧化铝填充物的环氧树脂等。绝缘层30的厚度例如可为15～200μm左右。作为金属层40A的材料，例如可使用铜箔等金属箔。金属层40A的厚度例如可为20～100μm左右。下面原则上通过使用以截线C所围成的1个领域来对各步骤进行说明。
接下来，在图7所示的步骤中，对金属层40A的一个面(与绝缘层30接触的面的反面)进行粗化处理。金属层40A的一个面例如可通过实施基于MEC公司的CZ处理的化学研磨(微蚀(micr0-etching))进行粗化处理。也可以采用黑色氧化处理(black oxide)等其他手段代替CZ处理对金属层40A的一个面进行粗化处理。还可以采用例如喷砂(blast)等物理方式进行粗化处理。
接下来，在图8所示的步骤中，在被实施了粗化处理的金属层40A的一个面上形成光阻层300，该光阻层300具有与电解镀膜50相对应的开口部300x。即，在图5的由截线C所围成的各领域中形成光阻层300，该光阻层300具有开口部300x，其中露出了形成图2所示的电解镀膜50的部分。
为了形成光阻层300，在金属层40A的一个面上例如涂敷液状或膏状的光组(resist)，其由包含环氧系树脂或丙烯系树脂等的感光性树脂组成物所构成。或者，在金属层40A的一个面上例如层压膜状的光组(例如，干膜光阻(dry film resist)等)，其由包含环氧系树脂或丙烯系树脂等的感光性树脂组成物所构成。
然后，通过对涂敷或层压了的光组进行曝光及显影，形成开口部300x。据此，在金属层40A的一个面上形成具有开口部300x的光阻层300。这里需要说明的是，也可以将预先形成了开口部300x的膜状光阻层压在金属层40A的一个面上。
接下来，在图9所示的步骤中，采用将金属层40A作为电镀供电层的电解电镀法，在金属层40A的一个面的开口部300x内形成电解镀膜50，该电解镀膜50包含发光元件安装区域51、第1电极部52、及第2电极部53。通过该步骤，形成发光元件安装区域51，其由按照预定的间隔而形成的一对电解镀膜所构成。电解镀膜50的种类和厚度等与上述相同。这里需要说明的是，因为Ag膜或Ag合金膜具有高反射率，所以，如果最表层的电解镀膜50形成为Ag膜或Ag合金膜，则可以更好地提高发光元件的照射光的反射率。
接下来，在图10所示的步骤中，除去图9所示的光阻层300。这里需要说明的是，图10(a)为平面图，图10(b)为图10(a)的沿A-A线的截面图。
接下来，在图11所示的步骤中，在金属层40A的一个面上，形成与发光元件安装部40的配线41～45相对应的光阻层310。即，在图5的由截线C所围成各领域中形成光阻层310，用以对形成图2所示的发光元件安装部40的配线41～45的部分进行覆盖。光阻层310例如可采用与图8所示步骤中的用于形成光阻层300的相同的方法来形成。
接下来，在图12所示的步骤中，去除开口部310x内所露出的金属层40A，形成发光元件安装部40，其中，多个配线(配线41～45)按预定的间隔被配置。由一对电解镀膜所构成的发光元件安装区域51的一个属于毗邻配线中的一个，并且，去除金属层40A以使另一个属于毗邻配线中的另一个。在金属层40A为铜箔的情况下，例如可通过采用使用了三氯化铁水溶液(aqueous ferric chloride)、氯化铜或氯化亚铜水溶液(aqueous copperchloride)、或过硫酸铵水溶液(aqueous ammonium persulfate)等的湿蚀刻(wetetching)来进行去除。
接下来，在图13所示的步骤中，去除图12所示的光阻层310。据此，在绝缘层30上形成了包含配线41～45的发光元件安装部40、以及、包含了发光元件安装区域51、第1电极部52、及第2电极部53的电解镀膜50。这里需要说明的是，图13(a)为平面图，图13(b)为图13(a)的沿A-A线的截面图。
接下来，在图14所示的步骤中，在绝缘层30上形成具有开口部60x的反射膜60，以对发光元件安装部40及电解镀膜50进行覆盖。因为发光元件安装部40的配线41～45的表面被进行了粗化处理，所以，通过锚固效应(anchor effect)，可提高与反射膜60的密着性。各开口部60x内露出了各发光元件安装区域51的一部分。这里需要说明的是，在各开口部60x内，也可以使各发光元件安装区域51的全部都露出。
作为反射膜60的材料，例如可使用环氧系或硅酮(silicone)系绝缘性树脂等。为了提高发光元件的照射光的反射率，最好使反射膜60含有氧化钛等充填物以使其为白色。也可以使用BaSO4等颜料来代替氧化钛，使反射膜60为白色。反射膜60的厚度例如可为10～50μm左右。
为了形成反射膜60，例如在绝缘层30上涂敷液状或膏状的感光性环氧系或硅酮(silicone)系绝缘性树脂等。或者，例如在绝缘层30上层压膜状的感光性环氧系或硅酮(silicone)系绝缘性树脂等。然后，通过对涂敷或层压了的绝缘性树脂等进行曝光或显影，形成开口部60x。据此，形成具有开口部60x的反射膜60。这里需要说明的是，也可以在绝缘层30上层压预先形成了开口部60x的膜状环氧系或硅酮(silicone)系绝缘性树脂等。另外，也可以采用非感光性环氧系或硅酮(silicone)系绝缘性树脂的网印(screen print)，来形成具有开口部60x的反射膜60。
接下来，在图15所示的步骤中，通过对图14所示的结构体沿图14所示的截线C进行切断，制成多个发光元件安装用封装体10。图14所示的结构体例如可以采用切割刀(dicingblade)等进行切断，也可以采用例如基于模具冲压的加工方式来进行切断。
就发光元件安装用封装体10而言，可以将图1所示的结构体(发光元件安装用封装体10的单体)作为1个产品进行发货，也可以将图14所示的结构体(发光元件安装用封装体10的集合体)作为1个产品进行发货。
在制造LED模块100时，如图16所示的步骤那样，在发光元件安装用封装体10的各发光元件安装区域51上分别安装LED110。各LED110上形成有作为一个电极端子的凸点110a、及作为另一个电极端子的凸点110b。各LED110例如可与各发光元件安装区域51倒装(flip-chip)连接。
接下来，在图17所示的步骤中，由封装树脂120对LED110进行封装。作为封装树脂120，例如可采用使环氧系或硅酮(silicone)系等的绝缘性树脂内包含了萤光体的树脂。封装树脂120例如可由传递模塑法(transfer molding)或铸封法(potting)形成。据此，制成LED模块100。这里需要说明的是，除了可以一起地对多个LED110进行封装之外，还可以分别地对各个LED110进行封装。
这里需要说明的是，在制造LED模块100时，也可以按照下面的方式进行。即，在图14所示的步骤之后(沿截线C对图14所示的结构体进行切断之前)，如图18所示的步骤那样，在图14所示的结构体的作为各发光元件安装用封装体10的部分上安装多个LED110。然后，如图19所示的步骤那样，在作为各发光元件安装用封装体10的部分上，使用封装树脂120对LED110进行封装。之后，如图20所示，通过对图19所示的结构体沿图19所示的截线C进行切断，以制成多个LED模块100。
这样，在本实施方式的发光元件安装用封装体中，于配线上采用电解电镀法形成电解镀膜后，再形成反射膜。即，并不具有如现有的发光元件安装用封装体那样的、在形成了反射膜之后采用非电解电镀法在从反射膜露出的配线上形成镀膜的步骤。所以，并不象现有的发光元件安装用封装体那样需要将反射膜浸渍至镀液中，据此，可以抑制反射膜的特性的恶化，更具体地，可以抑制反射膜的反射率的降低。
另外，如果象现有的发光元件安装用封装体那样将反射膜浸渍至镀液中，则反射膜的组成成分可能会溶出至镀液中，导致镀液质量恶化。在本实施方式的发光元件安装用封装体中，因为反射膜并不浸渍至镀液中，所以可以避免镀液质量的恶化。
另外，因为发光元件安装区域是由电解镀膜构成的，所以，与发光元件安装区域由无电解镀膜构成的情形相比，可以形成具有稳定质量的镀膜，还可以提高与发光元件安装区域上所安装的发光元件的连接可靠性。
<第2实施方式>
在第2实施方式中，示出了与第1实施方式不同的发光元件安装用封装体的制造方法的一个例子。这里需要说明的是，在第2实施方式中，对与已经说明了的实施方式相同的构成部件的说明进行了省略。
图21～图29是对第2实施方式的发光元件安装用封装体的制造步骤进行例示的图。首先，实行第1实施方式的图5及图6所示的步骤，之后，在图21所示的步骤中，在表面没有被实施粗化处理的金属层40A的一个面上形成光阻层300，该光阻层300具有与电解镀膜50相对应的开口部300x。光阻层300的形成方法可与图8所示的步骤相同。
接下来，在图22所示的步骤中，与图9所示步骤同样地，采用将金属层40A作为电镀供电层的电解电镀法，在金属层40A的一个面的开口部300x内形成电解镀膜50。电解镀膜50的种类和厚度等与上述相同。这里需要说明的是，因为Ag膜或Ag合金膜具有高反射率，所以，如果最表层的电解镀膜50形成为Ag膜或Ag合金膜，则可以更好地提高发光元件的照射光的反射率。
接下来，在图23所示的步骤中，与图10所示步骤同样地，对图22所示的光阻层300进行去除。据此，在金属层40A的一个面上形成包含发光元件安装区域51、第1电极部52、及第2电极部53的电解镀膜50。这里需要说明的是，图23所对应的平面图与图10(a)相同。
接下来，在图24所示的步骤中，与图11所示步骤同样地，在金属层40A的一个面上形成与发光元件安装部40的配线41～45相对应的光阻层310。然后，在图25所示的步骤中，与图12所示步骤同样地，对开口部310x内所露出的金属层40A进行去除，形成包含配线41～45的发光元件安装部40。
接下来，在图26所示的步骤中，与图13所示步骤同样地，对图12所示的光阻层310进行去除。据此，在绝缘层30上形成包含配线41～45的发光元件安装部40、以及、包含发光元件安装区域51、第1电极部52、及第2电极部53的电解镀膜50。这里需要说明的是，图26所对应的平面图与图13(a)相同。
接下来，在图27所示的步骤中，在发光元件安装部40的配线41～45的一个面(与绝缘层30接触的面的反面)上，对没有形成电解镀膜50的部分进行粗化处理。粗化处理的方法可与图7相同。这里需要说明的是，在CZ处理中，因为可以有选择地对铜实施化学研磨(微蚀(micro etching))，所以，在配线41～45的一个面上，没有形成电解镀膜50的部分可以被更好地进行粗化处理。
接下来，在图28所示的步骤中，与图14所示步骤同样地，在绝缘层30上形成具有开口部60x的反射膜60，以对发光元件安装部40及电解镀膜50进行覆盖。在发光元件安装部40的配线41～45的一个面上，因为没有形成电解镀膜50的部分的表面被实施了粗化处理，所以，通过锚固效应(anchor effect)，可提高与反射膜60的密着性。各开口部60x内露出了各发光元件安装区域51的一部分。这里需要说明的是，各开口部60x内也可以使各发光元件安装区域51的全部都露出。
接下来，在图29所示的步骤中，通过对图28所示的结构体沿图28所示的截线C进行切断，制成多个发光元件安装用封装体10。图28所示的结构体例如可采用切割刀(dicingblade)等进行切断，也可以采用例如基于模具冲压的加工方式来进行切断。
这样，既可以在金属层40A的状态下实施粗化处理，也可以在金属层40A上形成了配线41～45之后，对配线41～45的表面的一部分实施粗化处理。
<第3实施方式>
在第3实施方式中，示出了与第1实施方式不同的发光元件安装用封装体的制造方法的另一个例子。这里需要说明的是，在第3实施方式中，对与已经说明了的实施方式相同的构成部件的说明进行了省略。
图30～图37是用于对第3实施方式的发光元件安装用封装体的制造步骤进行例示的图。首先，实行第1实施方式的图5及图6所示的步骤，之后，在图30所示的步骤中，在表面没有被实施粗化处理的金属层40A的一个面上形成光阻层320。光阻层320形成在与发光元件安装部40的配线41～45相对应的区域上、及与后述的框部210及连接部220相对应的区域上。光阻层320的形成方法可与图8所示的步骤的光阻层300的形成方法相同。
这里需要说明的是，在图30所示的步骤之前，与图7所示步骤同样地，在金属层40A的一个面上也可以实施粗化处理。在这种情况下，不需要实行后述的图32所示的步骤。
接下来，在图31所示的步骤中，对开口部320x内所露出的金属层40A进行去除，再对光阻层320进行去除。在金属层40A为铜箔的情况下，例如可通过采用使用了三氯化铁水溶液(aqueous ferric chloride)、氯化铜或氯化亚铜水溶液(aqueous copperchloride)、或过硫酸铵水溶液(aqueous ammonium persulfate)等的湿蚀刻(wetetching)来进行去除。据此，发光元件安装部40的配线41～45分别经由连接部220与框部210连接的结构被形成了。即，通过该步骤，形成了多个配线(配线41～45)按照预定间隔被配置的发光元件安装部40、及作为对配线41～45进行电解电镀时的汇流线(bus line)的框部210和连接部220。
接下来，在图32所示的步骤中，对发光元件安装部40的配线41～45的一个面(与绝缘层30接触的面的反面)和侧面进行粗化处理。与第1和第2实施方式不同的是，在本实施方式中，对配线的侧面也进行粗化处理。粗化处理的方法可与图7相同。然后，在图33所示的步骤中，形成光阻层330，该光阻层330具有与电解镀膜50相对应的开口部330x。光阻层330的形成方法可与图8所示步骤的光阻层300的形成方法相同。
接下来，在图34所示的步骤中，采用使用框部210及连接部220(bus line)的电解电镀法，在发光元件安装部40的配线41～45的一个面的开口部330x内形成电解镀膜50。之后，对光阻层330进行去除。通过该步骤，形成由按照预定间隔而形成的一对电解镀膜所构成的发光元件安装区域51。另外，还形成第1电极部52及第2电极部53。与第1和第2实施方式不同的是，在本实施方式中，电解膜50不仅形成在配线41至45的一个面(与绝缘层30接触的面的反面)上，还形成在它们的侧面上。电解镀膜50的种类和厚度等与上述相同。这里需要说明的是，因为Ag膜或Ag合金膜具有高反射率，所以，如果最表层和侧面上所形成的电解镀膜50为Ag膜或Ag合金膜，则可以更好地提高发光元件的照射光的反射率。
接下来，在图35所示的步骤中，在发光元件安装部40的配线41～45上及毗邻配线之间的绝缘层30上形成光阻层340。光阻层340的形成方法可与图8所示步骤的光阻层300的形成方法相同。然后，在图36所示的步骤中，对框部210及连接部220(bus line)进行去除。在框部210及连接部220为铜的情况下，例如可通过采用使用了三氯化铁水溶液(aqueousferric chloride)、氯化铜或氯化亚铜水溶液(aqueous copper chloride)、或过硫酸铵水溶液(aqueous ammonium persulfate)等的湿蚀刻(wet etching)来进行去除。
接下来，在图37所示的步骤中，对光阻层340进行去除。然后，在图37所示的步骤之后，与图14所示步骤同样地，在绝缘层30上形成具有开口部60x的反射膜60，以对发光元件安装部40及电解镀膜50进行覆盖，并通过沿截线C进行切断，制成多个发光元件安装用封装体10。
这样，既可以通过将金属层40A作为电镀供电层来对金属层40A的表面实施电解电镀，也可以在金属层40A上形成了配线41～45及汇流线(bus line)(框部210及连接部220)之后，利用汇流线来对配线41～45的表面实施电解电镀。
这里需要说明的是，本实施方式的发光元件安装用封装体因为具有在实施电解电镀后去除汇流线的步骤，所以，最终(作为发货形态)为不具有汇流线的结构。所以，即使进行个片化(单体化)时的切断，汇流线的端面也不会从发光元件安装用封装体的侧面露出。如果汇流线的端面从发光元件安装用封装体的侧面露出，则在汇流线的端面与金属板的侧面之间的距离较近的情况下，毛边等可能会导致汇流线的端面和金属板的侧面之间发生短路。在本实施方式的发光元件安装用封装体中，可以避免发生这样的问题。
<第4实施方式>
在第4实施方式中，示出了与第1实施方式不同的图案(pattern)形状的配线的例子。这里需要说明的是，在第4实施方式中，对与已经说明了的实施方式相同的构成部件的说明进行了省略。
图38是用于对第4实施方式的发光元件安装用封装体进行例示的平面图(其1)。图39是对第4实施方式的发光元件安装用封装体进行例示的平面图(其2)，是省略了图38中的反射膜60的图。
参照图38及图39。在发光元件安装用封装体10A中，发光元件安装部70具有互相电气独立(电气分离)的配线71～87。这里需要说明的是，尽管没有进行图示，但是发光元件安装部70与发光元件安装部40同样地也形成在绝缘层30上。
配线71～87在平面图上例如被形成为矩形形状，并按照预定的间隔被配置，以使各配线的与Y方向平行的各边呈互相面对的形态。但是，配线75、79、及83的Y方向的长度大于其它配线的Y方向的长度，例如，可被形成为是其它配线的Y方向的长度的2倍左右。
配线71～74及配线75的一部分朝X-方向按照预定的间隔依次并列设置。另外，配线75的剩余部分、配线76～78、及配线79的一部分朝X+方向按照预定的间隔依次并列设置。另外，配线79的剩余部分、配线80～82、及配线83的一部分朝X-方向按照预定的间隔依次并列设置。另外，配线83的剩余部分及配线84～87朝X+方向按照预定的间隔依次并列设置。即，配线71～87在平面图上被配置为在配线75、79、及83的部分进行了弯曲的矩形波状。
在除了配线75、79、及83的配线71～87中，与X方向平行的边长例如可为1～5mm左右，与Y方向平行的边长例如可为1～5mm左右。另外，在配线75、79、及83中，与X方向平行的边长例如可为1～5mm左右，与Y方向平行的边长例如可为2～10mm左右。在配线71～87中，毗邻配线的间隔(X方向)例如可为50～100μm左右。
在配线71～87的预定领域上形成有电解镀膜90。形成电解镀膜90的目的在于，提高与连接至各部分的部件等的连接可靠性。电解镀膜90的材料和厚度可与电解镀膜50相同。
在电解镀膜90中，与毗邻配线相对而形成的部分构成了发光元件安装区域91。发光元件安装区域91例如是平面形状为半圆状的电解镀膜面对毗邻配线而形成的部分，1个发光元件安装区域91上可安装1个具有2个端子(也可为4个端子等)的发光元件。
配线71上由电解镀膜90形成了第1电极部92。第1电极部92与发光元件安装区域91的配线71上所形成的部分电连接。另外，配线87上由电解镀膜90形成了第2电极部93。第2电极部93与发光元件安装区域91的配线87上所形成的部分电连接。第1电极部92及第2电极部93例如为与发光元件安装用封装体10A的外部所配置的电源或驱动回路等相连的部分。
这样，发光元件安装部70的配线71～87在平面图上被配置为在配线75、79、及83的部分进行了弯曲的矩形波状，并且，毗邻配线上形成了发光元件安装区域91。另外，在作为配置成矩形波状配线的两个端部的配线71及87上，分别形成了第1电极部92及第2电极部93。据此，发光元件被串列地安装在配置于第1电极部92和第2电极部93之间的各发光元件安装区域91上。
这里需要说明的是，发光元件安装用封装体10A可通过与第1～第3实施方式相同的步骤来制造。
这样，在发光元件安装用封装体中，发光元件安装部既可以如第1实施方式那样被形成为可串列或并列地安装发光元件，也可以如本实施方式那样被形成为仅可串列地安装发光元件。
<第5实施方式>
在第5实施方式中，示出了与第1实施方式不同的发光元件封装体的例子。这里需要说明的是，在第5实施方式中，对与已经说明了的实施方式相同的构成部件的说明进行了省略。
图40是用于对第5实施方式的发光元件封装体进行例示的截面图(其1)。图41是用于对第5实施方式的发光元件封装体进行例示的截面图(其2)。图42是用于对第5实施方式的发光元件封装体进行的例示截面图(其3)。
在图4所示的发光元件封装体100中，发光元件110被倒装键合(flip-chipbonding)在毗邻配线上。然而参照图40可知，在发光元件封装体100A中，发光元件110经由绝缘层111被固定在各配线上，并通过金属细线112被引线键合(wire bonding)在毗邻配线上。
另外，参照图41可知，在发光元件封装体100B中，由陶瓷等构成的次安装基板141上所安装的发光元件芯片142经由凸点145被倒装键合(flip-chip bonding)在毗邻配线上。这里需要说明的是，次安装基板141上所安装的发光元件芯片142的周围配置有反射板143，发光元件芯片142由封装树脂144所封装。
另外，参照图42可知，在发光元件封装体100C中，次安装基板141上所安装的发光元件芯片142通过金属细线146被引线键合(wire bonding)在毗邻配线上。这里需要说明的是，与图41同样地，次安装基板141上所安装的发光元件芯片142的周围也配置反射板143，发光元件芯片142也由封装树脂144所封装。
这样，可将发光元件(例如，LED)引线键合(wire bonding)至发光元件安装用封装体，用于作为发光元件封装体。另外，还可将发光元件次安装体(例如，LED次安装体)倒装键合(flip-chip bonding)至发光元件安装用封装体，用于作为发光元件封装体。
以上对本发明的较佳实施方式进行了说明，但是，本发明并不限定于上述实施方式，在不脱离权利要求书所记载的范围的情况下，可以对上述实施方式进行各种变形和置换。
例如，可在第2～第4实施方式的发光元件安装用封装体上安装发光元件，以制成发光元件封装体。
另外，在第2、第3实施方式中，也可以采用相当于第1实施方式的图18～图20的步骤。
另外，发光元件安装用封装体也可为仅能安装1个发光元件的结构。
另外，所要安装的发光元件也可为被实装至预模(pre-mold)或陶瓷次安装基板的元件。

Claims (14)

1.一种发光元件安装用封装体，包含：
绝缘层；
第一配线，形成在所述绝缘层上；
第二配线，在所述绝缘层上与所述第一配线分离第一间隙地形成；
第一电解镀膜，形成在所述第一配线上的第一侧；
第二电解镀膜，在所述第一配线上的与所述第一侧相反侧的第二侧，与所述第一电解镀膜分离第二间隙地形成；
第三电解镀膜，形成在所述第二配线上的第一侧；
第四电解镀膜，在所述第二配线上的与所述第一侧相反侧的第二侧，与所述第三电解镀膜分离第三间隙地形成；
发光元件安装区域，由所述第二电解镀膜和所述第三电解镀膜构成；以及
反射膜，形成在所述绝缘层上，具有开口部，
所述反射膜覆盖所述第二间隙和所述第三间隙，并且形成为在所述开口部内露出所述发光元件安装区域。
2.根据权利要求1所述的发光元件安装用封装体，其中：
所述第一电解镀膜、所述第二电解镀膜、所述第三电解镀膜以及所述第四电解镀膜的最表层由如下膜的任一个构成：
Ag膜；
Ag合金膜；
在Ni或Ni合金上层压了Au或Au合金的膜；
在Ni或Ni合金上层压了Pd或Pd合金、并且在所述Pd或Pd合金上层压了Au或Au合金的膜；
在Ni或Ni合金上层压了Pd或Pd合金、并且在所述Pd或Pd合金上层压了Ag或Ag合金、并且在所述Ag或Ag合金上层压了Au或Au合金的膜；
在Ni或Ni合金上层压了Ag或Ag合金的膜；以及
在Ni或Ni合金上层压了Pd或Pd合金、并且在所述Pd或Pd合金上层压了Ag或Ag合金的膜。
3.根据权利要求1或2所述的发光元件安装用封装体，其中：
包括所述第一配线和所述第二配线的多个配线的平面形状为长尺状或长方形形状，所述多个配线隔着预定的间隔被配置，以使各配线的长边互相面对。
4.根据权利要求1或2所述的发光元件安装用封装体，其中：
所述反射膜被形成为覆盖所述第一电解镀膜、所述第二电解镀膜、所述第三电解镀膜以及所述第四电解镀膜的周边部。
5.一种发光元件封装体，其中：
在权利要求1至4的任一项所述的发光元件安装用封装体的所述发光元件安装区域安装了发光元件。
6.一种制造发光元件安装用封装体的方法，包含：
在绝缘层上形成金属层的步骤；
通过将所述金属层利用为供电层的电解电镀法来在所述金属层的表面形成沿所述金属层的表面相互分离的第一电解镀膜、第二电解镀膜、第三电解镀膜以及第四电解镀膜的步骤，其中由所述第二电解镀膜和所述第三电解镀膜构成发光元件安装区域；
去除所述金属层的预定部分来形成第一配线和与所述第一配线分离第一间隙的第二配线的步骤，其中所述第一电解镀膜和所述第二电解镀膜属于所述第一配线，所述第三电解镀膜和所述第四电解镀膜属于所述第二配线；以及
在所述绝缘层上形成具有开口部的反射膜的步骤，
在形成所述反射膜的步骤中，以覆盖将所述第一电解镀膜与所述第二电解镀膜沿所述第一配线的表面分离的第二间隙、和将所述第三电解镀膜与所述第四电解镀膜沿所述第二配线的表面分离的第三间隙，并且在所述开口部内露出所述发光元件安装区域的方式，形成所述反射膜。
7.一种制造发光元件安装用封装体的方法，包含：
在绝缘层上形成金属层的步骤；
去除所述金属层的预定部分来形成第一配线和与所述第一配线分离第一间隙的第二配线的步骤；
形成电连接所述第一配线和所述第二配线的汇流线的步骤；
利用所述汇流线实施电解电镀来在所述第一配线上分离第二间隙地形成第一电解镀膜和第二电解镀膜、在所述第二配线上分离第三间隙地形成第三电解镀膜和第四电解镀膜的步骤，其中由所述第二电解镀膜和所述第三电解镀膜构成发光元件安装区域；
在构成所述发光元件安装区域后去除所述汇流线的步骤；以及
在所述绝缘层上形成具有开口部的反射膜的步骤，
在形成所述反射膜的步骤中，以覆盖所述第二间隙和所述第三间隙，并且在所述开口部内露出所述发光元件安装区域的方式，形成所述反射膜。
8.根据权利要求7所述的制造发光元件安装用封装体的方法，其中：
在形成所述汇流线的步骤中，以通过连接部将包括所述第一配线和所述第二配线的多个配线分别连接到框部的方式形成所述汇流线，在平面视角下所述框部配置在所述多个配线的外侧。
9.根据权利要求6-8的任一项所述的制造发光元件安装用封装体的方法，其中：
所述第一电解镀膜、所述第二电解镀膜、所述第三电解镀膜以及所述第四电解镀膜的最表层由如下膜的任一个构成：
Ag膜；
Ag合金膜；
在Ni或Ni合金上层压了Au或Au合金的膜；
在Ni或Ni合金上层压了Pd或Pd合金、并且在所述Pd或Pd合金上层压了Au或Au合金的膜；
在Ni或Ni合金上层压了Pd或Pd合金、并且在所述Pd或Pd合金上层压了Ag或Ag合金、并且在所述Ag或Ag合金上层压了Au或Au合金的膜；
在Ni或Ni合金上层压了Ag或Ag合金的膜；以及
在Ni或Ni合金上层压了Pd或Pd合金、并且在所述Pd或Pd合金上层压了Ag或Ag合金的膜。
10.根据权利要求6-8的任一项所述的制造发光元件安装用封装体的方法，其中：
在形成所述第一配线和所述第二配线的步骤中，包括所述第一配线和所述第二配线的平面形状是长尺状或长方形形状的多个配线隔着预定的间隔被配置，以使各配线的长边互相面对。
11.根据权利要求6-8的任一项所述的制造发光元件安装用封装体的方法，包含：
对所述金属层的表面进行粗化处理的步骤。
12.根据权利要求6-8的任一项所述的制造发光元件安装用封装体的方法，包含：
对所述第一配线和所述第二配线的表面进行粗化处理的步骤。
13.根据权利要求6-8的任一项所述的制造发光元件安装用封装体的方法，其中：
在形成所述反射膜的步骤中，覆盖所述第一电解镀膜、所述第二电解镀膜、所述第三电解镀膜以及所述第四电解镀膜的周边部而形成反射膜。
14.一种制造发光元件封装体的方法，包含：
将发光元件安装在采用权利要求6至13的任一项所述的制造发光元件安装用封装体的方法制造出的发光元件安装用封装体的所述发光元件安装区域的步骤。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6203942B2 (ja) * 2014-04-04 2017-09-27 シャープ株式会社 発光装置用基板の製造方法、発光装置の製造方法、及び照明装置の製造方法
JP6361385B2 (ja) * 2014-09-04 2018-07-25 日亜化学工業株式会社 回路基板およびこれを用いた発光装置
JP6511762B2 (ja) * 2014-10-03 2019-05-15 三菱電機株式会社 発光素子実装基板
WO2017026093A1 (ja) 2015-08-10 2017-02-16 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光装置及び半田接合体
KR20180074198A (ko) * 2016-12-23 2018-07-03 서울바이오시스 주식회사 반도체 발광 소자
JP7083736B2 (ja) * 2018-10-26 2022-06-13 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100593964C (zh) * 2004-07-01 2010-03-10 日东电工株式会社 配线电路基板及配线电路基板的制造方法
CN102097422A (zh) * 2009-10-30 2011-06-15 东芝照明技术株式会社 发光装置、发光装置的制造方法以及照明装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6200451B1 (en) * 1996-03-22 2001-03-13 Macdermid, Incorporated Method for enhancing the solderability of a surface
JP4067802B2 (ja) 2001-09-18 2008-03-26 松下電器産業株式会社 照明装置
WO2004071141A2 (en) * 2003-02-07 2004-08-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Metal base wiring board for retaining light emitting elements, light emitting source, lighting apparatus, and display apparatus
US7053421B2 (en) * 2003-12-15 2006-05-30 Lighthouse Technology Co., Ltd Light-emitting diode
JP2006196565A (ja) * 2005-01-12 2006-07-27 Sumitomo Metal Electronics Devices Inc 発光素子収納用パッケージ
JP2006319074A (ja) 2005-05-12 2006-11-24 Mitsui Chemicals Inc Ｌｅｄ実装用基板およびその製造方法
JP4983347B2 (ja) * 2007-04-03 2012-07-25 ソニー株式会社 発光装置及び光源装置
MY155462A (en) 2008-09-30 2015-10-15 Hitachi Chemical Co Ltd Coating agent, substrate for mounting optical semiconductor element using same, and optical semiconductor device
JP2011014890A (ja) * 2009-06-02 2011-01-20 Mitsubishi Chemicals Corp 金属基板及び光源装置
JP5295010B2 (ja) * 2009-06-25 2013-09-18 京セラ株式会社 発光装置
US20110121326A1 (en) 2009-11-26 2011-05-26 Dsem Holdings Sdn. Bhd. Submount Having Reflective Cu-Ni-Ag Pads Formed Using Electroless Deposition

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100593964C (zh) * 2004-07-01 2010-03-10 日东电工株式会社 配线电路基板及配线电路基板的制造方法
CN102097422A (zh) * 2009-10-30 2011-06-15 东芝照明技术株式会社 发光装置、发光装置的制造方法以及照明装置

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