CN101389566A - 微机电装置及其绝缘层的电调节 - Google Patents
微机电装置及其绝缘层的电调节 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101389566A CN101389566A CNA200780006450XA CN200780006450A CN101389566A CN 101389566 A CN101389566 A CN 101389566A CN A200780006450X A CNA200780006450X A CN A200780006450XA CN 200780006450 A CN200780006450 A CN 200780006450A CN 101389566 A CN101389566 A CN 101389566A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- electrode
- mems device
- dielectric layer
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 title abstract 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 76
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 47
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 8
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 5
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 35
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 218
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 24
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 16
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 11
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 9
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 9
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 8
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 7
- 238000013461 design Methods 0.000 description 7
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 5
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 4
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- IRLPACMLTUPBCL-KQYNXXCUSA-N 5'-adenylyl sulfate Chemical compound C1=NC=2C(N)=NC=NC=2N1[C@@H]1O[C@H](COP(O)(=O)OS(O)(=O)=O)[C@@H](O)[C@H]1O IRLPACMLTUPBCL-KQYNXXCUSA-N 0.000 description 1
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- OJIJEKBXJYRIBZ-UHFFFAOYSA-N cadmium nickel Chemical compound [Ni].[Cd] OJIJEKBXJYRIBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000002045 lasting effect Effects 0.000 description 1
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000011514 reflex Effects 0.000 description 1
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 1
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000007666 vacuum forming Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
- B81C99/0035—Testing
- B81C99/004—Testing during manufacturing
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00642—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for improving the physical properties of a device
- B81C1/00714—Treatment for improving the physical properties not provided for in groups B81C1/0065 - B81C1/00706
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/001—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements based on interference in an adjustable optical cavity
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04Q—SELECTING
- H04Q11/00—Selecting arrangements for multiplex systems
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/04—Optical MEMS
- B81B2201/047—Optical MEMS not provided for in B81B2201/042 - B81B2201/045
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
- B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
- B81C2201/0101—Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
- B81C2201/0102—Surface micromachining
- B81C2201/0105—Sacrificial layer
- B81C2201/0107—Sacrificial metal
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
本发明揭示一种制作MEMS装置的方法,其包括:在移除导电牺牲层之前,通过经由所述导电牺牲层跨越绝缘层施加电压达一时间周期来调节所述绝缘层。所述调节过程可用于使积累在所述绝缘层内的电荷饱和或稳定。还可测量跨越所述绝缘层的电阻,以检测所述绝缘层中可能的缺陷。
Description
技术领域
背景技术
微机电系统(MEMS)包括微机械元件、致动器及电子器件。微机械元件可使用沉积、蚀刻或其它可蚀刻掉衬底及/或所沉积材料层的若干部分或可添加若干层以形成电和机电装置的微机械加工过程形成。一种类型的MEMS装置称为干涉式调制器。如本文中所使用,术语干涉式调制器或干涉式光调制器是指使用光学干涉原理有选择地吸收及/或反射光的装置。在某些实施例中,干涉式调制器可包含一对导电板,所述导电板中的一者或两者可是全部或部分地透明及/或反射的且在施加适合的电信号时能够相对运动。在特定实施例中,一个板可包含沉积于衬底上的固定层且另一板可包含与所述固定层分离一气隙的金属膜。如本文中的更详细描述,一个板相对于另一个板的位置可改变入射于干涉式调制器上的光的光学干涉。所述装置具有广泛的应用范围,且在此项技术中,利用及/或修改所述类型装置的特性以使其特征可用于改进现有产品及形成目前尚未开发的新产品将是有益的。
发明内容
在一个实施例中,提供一种制作MEMS装置的方法,所述方法包括:形成第一电极层;在所述第一电极层上形成介电层;在所述介电层上沉积牺牲材料层;其中所述牺牲材料层是导电的,且其中所述牺牲材料层与所述介电层电连通;及向所述牺牲材料层施加电压。
在另一实施例中,提供一种测试部分制成的MEMS装置的方法,其包括:在导电牺牲层与第一电极层之间施加电压,其中所述介电层位于所述牺牲层与所述第一电极层之间;及测量跨越至少所述导电牺牲层、所述第一电极层及任何中间层的电阻。
在另一实施例中,提供一种用于调节部分制成的MEMS装置的系统,所述系统包括:衬底、位于所述衬底上的第一电极层、位于所述第一电极层上的介电层、位于所述介电层上的导电牺牲层及与所述导电牺牲层电连通的电源。
在另一实施例中,提供一种制作MEMS装置的方法,所述方法包括:提供第一电极层,提供位于所述第一电极层上的介电层,提供位于所述介电层上的导电牺牲层,提供位于所述导电牺牲层上的第二电极层,向所述导电牺牲层施加电压达时间周期及蚀刻所述导电牺牲层以界定空腔。
附图说明
图1是等轴图,其描绘干涉式调制器显示器的一个实施例的一部分,其中第一干涉式调制器的可移动反射层处于松弛位置,且第二干涉式调制器的可移动反射层处于致动位置。
图2是系统框图,其图解说明并入有3x3干涉式调制器显示器的电子装置的一个实施例。
图3是图1的干涉式调制器的一个实例性实施例的可移动镜位置与所施加电压的图示。
图4是可用于驱动干涉式调制器显示器的一组行电压及列电压的图解。
图5A及图5B图解说明可用于将显示数据帧写入到图2的3x3干涉式调制器显示器的行信号及列信号的一个实例性时序图。
图6A及6B是系统框图,其图解说明包含多个干涉式调制器的视觉显示装置的实施例。
图7A是图1的装置的截面图。
图7B是干涉式调制器的替代实施例的截面图。
图7C是干涉式调制器的另一替代实施例的截面图。
图7D是干涉式调制器的再一替代实施例的截面图。
图7E是干涉式调制器的额外替代实施例的截面图。
图8A-8F是描绘MEMS装置的制作中的某些步骤的截面图。
图9A是MEMS装置在未致动状态中的截面图。图9B是MEMS装置在烧机测试过程中的截面图,其中MEMS装置被驱动到致动状态。
图10是部分制成的MEMS装置在向导电牺牲层施加电压的烧机测试过程期间的截面图。
图11是部分制成MEMS装置(例如图10的MEMS装置)阵列的俯视图。
具体实施方式
以下详细说明是针对本发明的某些特定实施例。然而,本发明可以许多种不同的方式来体现。在此说明中,会参照图式,在所有图式中给相同的部件指定相同的编号。如依据以下说明将了解,所述实施例可在经配置以显示图像—无论是动态图像(例如视频)还是静态图像(例如静止图像),无论是文字图像还是图片图像—的任一装置中实施。更明确地说,本发明预期:所述实施例可在例如(但不限于)以下等众多种电子装置中实施或与所述电子装置相关联:移动电话、无线装置、个人数据助理(PDA)、手持式计算机或便携式计算机、GPS接收器/导航器、照像机、MP3播放器、摄录机、游戏控制台、手表、时钟、计算器、电视监视器、平板显示器、计算机监视器、汽车显示器(例如,里程表显示器等)、驾驶舱控制装置及/或显示器、照相机景物显示器(例如,车辆中的后视摄像机的显示器)、电子照片、电子告示牌或标牌、投影仪、建筑结构、包装及美学结构(例如,一件珠宝上的图像显示器)。与本文所述者类似结构的MEMS装置还可用于非显示应用,例如用于电子切换装置。
在例如干涉式调制器等MEMS装置中使用的绝缘层易于积累电荷,此可造成操作电压的移位并对MEMS装置的性能(特别是在MEMS装置制成后不久)产生不利影响。跨越绝缘层持续施加电压能对绝缘层进行调节,使绝缘层稳定及/或处于电荷饱和状态,从而尤其跨越MEMS装置阵列得到更一致且可预测的性能。尽管可通过将已制成的MEMS装置驱动到致动状态并维持某一电压达一时间周期来施加所述电压,但本文描述的是用于在MEMS装置部分制成时经由导电牺牲层施加所需电压的方法。所述导电牺牲层有利地接触介电层或其它下伏层,甚至在例如支撑柱等支撑结构附近—致动反射层在此处则不能,且某些牺牲材料特别具有导电性。另外,由于所述导电牺牲层可包含贯穿整个MEMS阵列延伸的连续层,因而此电压的施加得到简化。
图1中图解说明一种包含干涉式MEMS显示元件的干涉式调制器显示器实施例。在所述装置中,像素处于亮或暗状态。在亮(“导通(on)”或“打开(open)”)状态下,显示元件向用户反射入射可见光的一大部分。在处于暗(“切断(off)”或“关闭(closed)”)状态下时,显示元件几乎不向用户反射入射可见光。取决于不同的实施例,可颠倒“导通”及“切断”状态的光反射性质。MEMS像素可经配置以主要在选定的色彩下反射,以允许除黑色和白色之外的彩色显示。
图1是等轴图,其描绘视觉显示器的一系列像素中的两个邻近像素,其中每一像素包含MEMS干涉式调制器。在一些实施例中,干涉式调制器显示器包含由所述干涉式调制器形成的行/列阵列。每一干涉式调制器包括一对反射层,所述对反射层定位成彼此相距可变且可控的距离,以形成至少具有一个可变尺寸的光学共振腔。在一个实施例中,所述反射层中的一者可在两个位置之间移动。在本文中称为松弛位置的第一位置中,可移动反射层定位于距固定的部分反射层相对远的距离处。在本文中称作致动位置的第二位置中,可移动反射层定位成更紧密地邻近部分反射层。取决于可移动反射层的位置,从所述两个层反射的入射光会以相长或相消方式干涉,从而产生每一像素的总体反射或非反射状态。
图1中的像素阵列的所描绘部分包括两个邻近的干涉式调制器12a及12b。在左侧的干涉式调制器12a中,图解说明可移动反射层14a处于松弛位置,所述松弛位置与包括部分反射层的光学堆叠16a相距预定距离。在右侧的干涉式调制器12b中,图解说明可移动反射层14b处于邻近光学堆叠16b的致动位置处。
本文中所提及的光学堆叠16a及16b(统称为光学堆叠16)通常由数个熔合层构成,所述熔合层可包括电极层(例如氧化铟锡(ITO))、部分反射层(例如铬)、及透明电介质。光学堆叠16因此是导电的、部分透明及部分反射的,且可例如通过将上述各层中的一个或一个以上层沉积到透明衬底20上来制成。所述部分反射层可由各种各样的部分反射材料(例如各种金属、半导体及电介质)形成。所述部分反射层可由一个或一个以上材料层形成,且所述层的每一层可由单种材料或多种材料的组合来形成。
在一些实施例中,所述光学堆叠中的各个层被图案化成平行条带,且可形成显示装置中的行电极,如将下文中的进一步描述。可移动反射层14a、14b可形成为由沉积于支柱18顶部上的一个或多个沉积金属层(与行电极16a、16b正交)及沉积于支柱18之间的中间牺牲材料的一系列平行条带。在牺牲材料被蚀刻掉时,可移动反射层14a,14b与光学堆叠16a,16b分离界定的间隙19。反射层14可使用高导电及反射材料(例如铝),且所述条带可形成显示装置中的列电极。
在不施加电压时,空腔19保持在可移动反射层14a与光学堆叠16a之间,其中可移动反射层14a处于机械松弛状态,如由图1中的像素12a所图解说明。然而,在向选定的行及列施加电位差时,在对应像素处的行及列电极交汇处所形成的电容器变为充电状态,且静电力将所述电极拉在一起。如果电压足够高,那么可移动反射层14会变形并被挤压在光学堆叠16上。光学堆叠16内的介电层(在此图中未图解说明)可防止短路且控制层14与16之间的分离距离,如由图1中右边的像素12b所图解说明。无论所施加电位差的极性如何,其行为是相同的。以此方式,可控制反射与非反射像素状态的行/列致动与常规LCD及其它显示技术中所用的行/列致动在许多方面相似。
图2到5B图解说明在显示应用中使用干涉调制器阵列的一个实例性过程及系统。
图2是系统框图,其图解说明可并入有本发明各方面的电子装置的一个实施例。在所述实例性实施例中,电子装置包括处理器21,其可以是任何通用单芯片或多芯片微处理器,例如ARM、 Pro、8051、 或任何专用微处理器,例如数字信号处理器、微控制器或可编程门阵列。按照业内惯例,处理器21可经配置以执行一个或一个以上软件模块。除执行操作系统外,处理器还可经配置以执行一个或一个以上软件应用程序,包括网页浏览器、电话应用程序、电子邮件程序或任何其它软件应用程序。
在一个实施例中,处理器21还经配置以与阵列驱动器22通信。在一个实施例中,阵列驱动器22包括向显示阵列或面板30提供信号的行驱动器电路24及列驱动器电路26。图1中所图解说明的阵列截面图在图2中以线1-1显示。对于MEMS干涉式调制器,所述行/列致动协议可利用图3中所图解说明的所述装置的滞后性质。其可能需要例如10伏的电位差以致使可移动层从松弛状态变形到致动状态。然而,当所述电压从所述值减小时,在电压降回到10伏以下时,所述可移动层维持其状态。在图3的实例性实施例中,在电压降到2伏以下之前,可移动层不完全松弛。因此,在图3中所图解说明的实例中存在约3到7伏的电压范围,在所施加电压范围内存在所述装置在松弛或受致动状态下均稳定的窗口。在本文中将其称为「滞后窗口」或「稳定窗口」。对于具有图3的滞后特性的显示阵列,行/列致动协议可经设计以便在行选通期间将所选通行中的待致动像素暴露到约10伏的电压差,且将待松弛像素暴露到接近0伏的电压差。在选通之后,将像素暴露到约5伏的稳态电压差,以使所述像素保持在行选通使其所处的任何状态。在此实例中,在被写入之后,每一像素承受3-7伏的“稳定窗口”内的电位差。所述特征使图1所图解说明的像素设计在相同的所施加电压条件下稳定于预存在的致动状态或松弛状态。由于干涉式调制器的每一像素(无论处于致动状态还是松弛状态)实质上是由固定反射层及移动反射层所形成的电容器,因此,所述稳定状态可在滞后窗口内的电压下得以保持而几乎不耗散功率。如果所施加的电位是固定的,那么实质上没有电流进入到像素中。
在典型应用中,可通过根据第一行中所期望的一组致动像素断言一组列电极来形成显示帧。接着,将行脉冲施加到行1电极,从而致动对应于所断言列线的像素。接着,将所断言的一组列电极改变为对应于第二行中所期望的一组致动像素。然后,将脉冲施加到行2电极,从而根据所断言的列电极来致动行2中的适合像素。行1像素不受行2脉冲的影响,且保持其在行1脉冲期间所设定的状态。可以顺序方式对整个系列的行重复上述步骤,以产生所述帧。通常,通过在每秒某一所需帧数目连续重复所述过程以用新的显示数据来刷新及/或更新所述帧。用于驱动像素阵列的行及列电极以产生显示帧的各种协议也众所周知且可结合本发明使用。
图4、5A及5B图解说明一种用于在图2的3 x 3阵列上形成显示帧的可能致动协议。图4图解说明可用于展现图3的滞后曲线的像素的一组可能的列及行电压电平。在图4的实施例中,致动像素涉及将适合的列设定到-Vbias,且将适合的行设定到+Δ伏,其可分别对应于-5伏及+5伏。使像素松弛是通过将适合的列设定到+Vbias并将适合的行设定到同一+Δ伏以跨越所述像素产生0伏的电位差来实现的。在其中行电压保持在0伏的所述行中,像素稳定于其原本所处的任何状态,而无论所述列处于+Vbias还是-Vbias。如还在图4中所图解说明,将了解,可使用与上述电压相反极性的电压,例如,致动像素可涉及将适合的列设定到+Vbias且将适合的行设定到-Δ伏。在此实施例中,使像素松弛是通过将适合的列设定到-Vbias且将适合的行设定到同一-Δ伏以跨越像素产生0伏的电位差来实现的。
图5B是显示施加到图2的3 x 3阵列的一系列行及列信号的时序图,其将产生图5A中所图解说明的显示布置,其中致动像素是非反射性的。在写入图5A中所图解说明的帧之前,像素可处于任何状态,且在此实例中,所有行均处于0伏,且所有列均处于+5伏。在所述所施加电压下,所有像素稳定于其现有的致动状态或松弛状态。
在图5A的帧中,像素(1,1)、(1,2)、(2,2)、(3,2)及(3,3)受到致动。为实现此效果,在行1的“线时间”期间将列1及列2设定到-5伏,且将列3设定到+5伏。此不会改变任何像素的状态,因为所有像素均保持处于3-7伏的稳定窗口中。接着,通过从0伏到高达5伏且返回到0伏的脉冲来选通行1。此致动像素(1,1)及(1,2)并使像素(1,3)松弛。阵列中的其它像素不受影响。为将行2设定所需要的,将列2设定到-5伏,且将列1及列3设定到+5伏。接着,施加到行2的相同选通脉冲将致动像素(2,2)并使像素(2,1)及(2,3)松弛。同样,阵列中的其它像素不受影响。类似地,通过将列2及列3设定到-5伏、并将列1设定到+5伏来设定行3。行3选通脉冲将行3像素设定为图5A所示的状态。在写入帧之后,行电位为0,而列电位可保持在+5或-5伏,且接着显示将稳定于图5A的布置。将了解,可将相同的程序用于数十或数百个行及列的阵列。还将了解,用于执行行及列致动的电压的定时、系列及电平可在以上所概述的一般原理内变化很大,且上述实例仅为实例性,且任何致动电压方法可与本文所述的系统及方法一起使用。
图6A及6B是图解说明显示装置40的实施例的系统框图。显示装置40例如可以是蜂窝式电话或移动电话。然而,显示装置40的相同组件或其稍作变化的形式还可作为例如电视及便携式媒体播放器等各种类型显示装置的例证。
显示装置40包括外壳41、显示器30、天线43、扬声器44、输入装置48及麦克风46。外壳41通常由所属领域的技术人员众所周知的各种制造过程中的任一种形成,包括注射成型及真空成形。另外,外壳41可由各种材料中的任一种制成,包括但不限于塑料、金属、玻璃、橡胶及陶瓷、或其组合。在一个实施例中,外壳41包括可拆卸部分(未显示),其可与不同色彩或含有不同标志、图片或符号的其它可拆卸部分互换。
实例性显示装置40的显示器30可以是各种显示器中的任一种,包括本文所述的双稳态显示器。在其它实施例中,如所属领域的技术人员众所周知,显示器30包括平板显示器,例如如上所述的等离子、EL、OLED、STN LCD或TFT LCD显示器等,或非平板显示器,例如CRT或其它显像管装置。然而,出于描述本实施例的目的,显示器30包括如上所述的干涉式调制器显示器。
在图6B中示意性地图解说明实例性显示装置40的一个实施例的各组件。所图解说明的实例性显示装置40包括外壳41,且可包括至少部分地封闭于所述外壳内的额外组件。例如,在一个实施例中,实例性显示装置40包括网络接口27,网络接口27包括耦合到收发器47的天线43。收发器47连接到处理器21,处理器21又连接到调节硬件52。调节硬件52可经配置以对信号进行调节(例如对信号进行滤波)。调节硬件52连接到扬声器45及麦克风46。处理器21还连接到输入装置48及驱动器控制器29。驱动器控制器29耦合到帧缓冲器28并耦合到阵列驱动器22,而阵列驱动器22又耦合到显示阵列30。电源50根据特定实例性显示装置40设计的需要为所有组件供电。
网络接口27包括天线43及收发器47,以使实例性显示装置40可经由网络与一个或一个以上装置通信。在一个实施例中,网络接口27还可具有一些处理能力,以减轻对处理器21的要求。天线43是所属领域的技术人员已知的用于传输及接收信号的任何天线。在一个实施例中,所述天线根据IEEE 802.11标准(包括IEEE 802.11(a),(b)或(g))来传输及接收RF信号。在另一实施例中,所述天线根据蓝牙(BLUETOOTH)标准来传输及接收RF信号。在蜂窝式电话的情况下,所述天线经设计以接收CDMA、GSM、AMPS或用于在无线移动电话网络内通信的其它已知信号。收发器47预处理从天线43接收的信号,以使所述信号可由处理器21接收且由其进一步操纵。收发器47还处理从处理器21接收的信号,以使所述信号可经由天线43从实例性显示装置40传输。
在替代实施例中,可使用接收器替代收发器47。在又一替代实施例中,网络接口27可由可存储或产生待发送到处理器21的图像数据的图像源替代。例如,所述图像源可以是例如数字视频磁盘(DVD)的存储器装置或含有图像数据的硬磁盘驱动机、或产生图像数据的软件模块。
处理器21通常控制实例性显示装置40的整个操作。处理器21从网络接口27或图像源接收数据,例如经压缩的图像数据,并将所述数据处理成原始图像数据或处理成易于处理成原始图像数据的格式。然后,处理器21将经处理的数据发送到驱动器控制器29或发送到帧缓冲器28进行存储。原始数据通常是指识别图像内每一位置处的图像特性的信息。例如,所述图像特性可包括色彩、饱和度及灰度阶。
在一个实施例中,处理器21包括微控制器、CPU、或用于控制实例性显示装置40的操作的逻辑单元。调节硬件52通常包括用于向扬声器45传输信号及从麦克风46接收信号的放大器及滤波器。调节硬件52可以是实例性显示装置40内的离散组件,或者可并入到处理器21或其它组件内。
驱动器控制器29直接从处理器21或从帧缓冲器28获取由处理器21产生的原始图像数据,并适当地将原始图像数据重新格式化以便高速传输到阵列驱动器22。具体来说,驱动器控制器29将原始图像数据重新格式化成具有光栅状格式的数据流,以使其具有适合于跨越显示阵列30进行扫描的时间次序。然后,驱动器控制器29将经格式化的信息发送到阵列驱动器22。尽管驱动器控制器29(例如LCD控制器)常常作为独立的集成电路(IC)与系统处理器21相关联,但所述控制器可以许多方式实施。所述控制器可作为硬件嵌入处理器21中、作为软件嵌入处理器21中、或以硬件形式与阵列驱动器22完全集成在一起。
通常,阵列驱动器22从驱动器控制器29接收经格式化的信息并将视频数据重新格式化成平行的一组波形,所述平行的一组波形每秒多次地施加到来自显示器的x-y像素阵列的数百且有时数千引线。
在一个实施例中,驱动器控制器29、阵列驱动器22及显示阵列30适用于本文所述的显示器类型中的任一者。例如,在一个实施例中,驱动器控制器29是常规显示控制器或双稳态显示控制器(例如,干涉式调制器控制器)。在另一实施例中,阵列驱动器22是常规驱动器或双稳态显示驱动器(例如,干涉式调制器显示器)。在一个实施例中,驱动器控制器29与阵列驱动器22集成在一起。此实施例在例如蜂窝式电话、手表及其它小面积显示器等高度集成的系统中很常见。在又一实施例中,显示阵列30是典型的显示阵列或双稳态显示阵列(例如包括干涉式调制器阵列的显示器)。
输入装置48允许用户控制实例性显示装置40的操作。在一个实施例中,输入装置48包括小键盘(例如QWERTY键盘或电话小键盘)、按钮、开关、触敏屏幕、压敏或热敏膜。在一个实施例中,麦克风46是实例性显示装置40的输入装置。当使用麦克风46向所述装置输入数据时,可由用户提供话音命令来控制实例性显示装置40的操作。
电源50可包括如此项技术中众所周知的各种能量存储装置。例如,在一个实施例中,电源50是可再充电式电池,例如镍-镉电池或锂离子电池。在另一实施例中,电源50是可再生能源、电容器或太阳能电池,包括塑料太阳能电池及太阳能电池涂料。在另一实施例中,电源50经配置以从墙壁插座接收电力。
在一些实施方案中,如上所述,控制可编程性驻存于驱动器控制器中,所述驱动器控制器可位于电子显示系统中的数个地方。在一些情形中,控制可编程性驻存于阵列驱动器22中。所属领域的技术人员将认识到,可在任何数目的硬件及/或软件组件中及在不同的配置中实施上述佳化。
根据上述原理操作的干涉式调制器的详细结构可千变万化。例如,图7A-7E图解说明可移动反射层14及其支撑结构的五个不同实施例。图7A是图1的实施例的截面图,其中在正交延伸的支撑件18上沉积金属材料条带14。在图7B中,可移动反射层14仅在系链32上的拐角处附接到支撑件18。在图7C中,可移动反射层14悬挂于可变形层34上,可变形层34可包含挠性金属。可变形层34直接或间接地连接到环绕可变形层34的周边的衬底20。所述连接在本文中称作支撑结构或支柱。图7D中所图解说明的实施例具有包括支撑柱塞42的支撑结构18,可变形层34依靠在支撑柱塞42上。如在图7A-7C中,可移动反射层14保持悬挂于空腔上面,但可变形层34并未通过填充可变形层34与光学堆叠16之间的孔而形成支撑柱。而是,由用于形成支撑柱塞42的平面化材料形成支撑柱18。图7E中所图解说明的实施例基于图7D中所示的实施例,但也可适于与图7A-7C中所图解说明的任一实施例以及未显示的额外实施例一起工作。在图7E中所示的实施例中,已使用额外的金属或其它导电材料层来形成总线结构44。此允许沿干涉式调制器的背面路由信号,从而消除了原本可能须形成于衬底20上的大量电极。
在例如图7所示的那些实施例中,干涉式调制器用作直视式装置,其中从透明衬底20的前侧(与其上布置有调制器的侧相对的侧)观看图像。在所述实施例中,反射层14在光学上屏蔽干涉式调制器中位于与衬底20相对的反射层侧上的部分,包括可变形层34。此允许被屏蔽区域的配置及操作不会不利地影响图像质量。此屏蔽允许图7E中的总线结构44,此提供使调制器光学性质与调制器的机电特性(例如定址与因定址而引起的移动)分离的能力。此可分离调制器架构允许选择用于调制器的机电方面及调制器的光学方面的结构设计及材料并使其彼此独立地发挥作用。此外,图7C-7E中所示的实施例具有从反射层14的光学性质与其机械性质的分隔(此由可变形层34来实施)得到的额外益处。此允许针对光学性质优用于化反射层14的结构设计及材料,且可针对所需机械性质优化用于变形层34的结构设计及材料。
如上文所论述,在许多实施例中,干涉式调制器中的光学堆叠包含位于电极之间(例如位于固定电极上面)的介电层,所述介电层用于使固定电极与可移动电极绝缘,从而防止在将可移动电极致动到邻近光学堆叠的位置时发生短路。然而,许多介电材料易于出现例如电荷积累、电荷泄漏、或穿过介电层短路等问题。所述问题中的任一者均可影响干涉式调制器元件的操作。
介电层内电荷的积累用于使干涉式调制器元件的操作电压移位,因为所述元件是通过如下方式受到致动:跨越两个电极施加电压来积累电荷、从而形成吸引作用。在介电层内存在预先存在的电荷会改变为积累足以朝光学堆叠致动可移动电极的电荷所需的电压。类似地,电荷的存在还会改变释放电压,在所述释放电压下,所存在的电荷不足以克服机械回复力。泄漏电流与短路(其实质上是泄漏电流的极端形式)两者将类似地影响干涉式调制器元件的操作电压。
除所积累电荷或泄漏电流可对个别干涉式调制器元件的操作电压所产生的总体影响外,此影响在不同干涉式调制器元件中可能存在差别。在干涉式调制器元件阵列中,所积累电荷或泄漏电流的影响可能因位置而异。例如,在阵列的特定部分中可能会积累更多的电荷量,且阵列的所述部分的操作可不同于周围部分的操作,从而致使在打算致动所述调制器时其不致动。例如,还可因介电层中存在缺陷而使电荷泄漏集中于特定位置处。
将了解,所述问题并非是干涉式调制器所独有的,而是可影响其中将可移动电极经由间隙朝另一电极驱动并使用介电层来分离所述两个电极的MEMS装置。可能会出现类似问题的其它类型MEMS装置包括但不限于MEMS开关、MEMS锁存器及DLP装置(数字光处理装置,其为反射性MEMS装置)。尽管以下揭示内容在多数情况下是针对干涉式调制器原件的制作及测试,但将了解以下方法及设备适于在制作及测试具有类似特征的其它MEMS装置中使用。
某些用于解决电荷积累问题及用于测试泄漏电流问题的方法涉及电调节过程—还称作“烧机测试”过程,此可在MEMS装置(例如干涉式调制器)制作结束或接近结束时执行。此调节过程还可称作“老化”过程。在此过程的一个实施例中,将MEMS装置驱动到致动状态并保持于致动状态中达一时间周期。
图8A-8F图解说明一种制作MEMS装置的实例性方法,在此情况中,所述MEMS装置包含干涉式调制器。在图8A中,提供衬底20,并在衬底上沉积电极层52。然后,在电极层上沉积部分反射层54。在一个实施例中,电极层52是透明的导电材料,例如氧化铟锡(ITO),且部分反射层54包含例如铬(Cr)等材料。然而,将了解,在包括MEMS开关及干涉式调制的替代结构在内的其它装置的制作中,可使部分反射层位于别处或者不包含部分反射层,且电极层可以是不透明的。在另一实施例中,电极层自身可以是部分反射的。
在图8B中,可以看出,图案化及蚀刻电极层52及部分反射层54,并在部分反射层上沉积介电层56—或者称作绝缘层,从而形成光学堆叠16。所述电极层及部分反射层的图案化及蚀刻可是为了例如在衬底表面上形成分离开间隙55的条带电极。如果需要,还可使用图案化及蚀刻来从待形成的下面支撑结构及显示器的其它非有源部分移除电极及部分反射表面。在某些实施例中,介电层56可包含氧化硅或氮化硅,但还可使用其它适合的绝缘材料,例如其它氧化物。在其它实施例中,介电层56可包含多个介电层。例如,介电层56可包含位于SiO2层上的Al2O3层,且在又一实施例中,可包含位于Al2O3层上的额外SiO2层。
在图8C中,可以看出,在介电层上沉积牺牲层60,并可图案化及蚀刻牺牲层60以形成如图所示的开孔62。牺牲层60的高度将确定成品干涉式调制器中固定电极与可移动电极之间的距离。在图8C中,显示牺牲层60具有恒定的厚度,但将了解,还可使用具有变化的厚度的牺牲层来制作例如其中不同的调制器基于电极之间的距离反射不同色彩的干涉式调制器阵列。开孔62使得能形成支撑结构,例如图1中的支撑柱18,此可用于维持固定电极与可移动电极之间的分离。在某些实施例中,牺牲材料可包括钼、非晶硅、多晶硅、或任何其它适合材料。优选地,牺牲材料可相对于任何邻近层或结构进行选择性蚀刻,以促进随后移除牺牲材料而不会明显地损坏所述层/结构。如下文所论述,牺牲材料优选地也是导电的。如果希望在邻近结构中使用不允许相对于其选择性地蚀刻牺牲材料的材料,那么可沉积蚀刻阻挡层(未显示)来保护邻近层/结构不会受到牺牲蚀刻的影响。
在图8D中,可以看出,在开孔62内形成支撑结构64,且在牺牲层60及支撑结构64上沉积反射层66及可变形层68,从而形成可变形反射层70。支撑结构64可以各种方式形成,并可由各种适合材料形成,所述适合材料包括但不限于光致抗蚀剂、旋涂玻璃、氧化硅、氮化硅及氧化铝。还可形成具有不同形状的支撑结构。
在所描绘的实施例中,可变形反射层70是由两个不同层形成的。在某些实施例中,反射层66包含具有高度反射率的材料,例如铝。可变形层68无需针对其反射率加以选择,而是可根据适合的机械性质加以选择,并可包含例如镍等材料。在一个替代实施例中,可变形反射层70可由具有适合反射特性及机械性质的单个层形成。在另一替代实施例中,反射层可通过连接器或系链悬挂于可变形层上而形成,如在图7C-7E中的成品干涉式调制器中所描绘。制作所述调制器可能需要修改上述过程,以沉积额外的牺牲材料层来界定所悬挂反射层与上覆机械层之间的间隙。
在图8E中,图案化及蚀刻上覆层(例如反射层66及可变形层68),以形成所需的结构。在某些实施例中,可图案化及蚀刻上覆层以形成蚀刻孔72,蚀刻孔72通过暴露牺牲层60的额外部分而有促进牺牲材料的随后蚀刻。还可图案化及蚀刻上覆层以形成条带电极,如上文所论述,所述条带电极垂直于在衬底上形成的固定条带电极伸展。由于牺牲材料禁止上覆层移动,因此在制作过程的所述阶段时称MEMS装置“未释放”。
在图8F中,执行牺牲蚀刻以移除牺牲层60,从而准许上覆电极朝衬底上的固定电极移动。因此称MEMS装置“已释放”。可以看出,此过程将形成类似于图1的调制器的已释放干涉式调制器元件。
将了解,如果要形成替代或额外的结构,那么可视需要对上述过程加以修改。例如,可以不同的次序执行某些步骤,或者可完全省略某些步骤。
在上文所简要论述的一个实施例中,一旦已移除牺牲层60,便可在例如图8F中所描绘的阶段处对已释放的MEMS装置执行调节过程。图9A描绘类似于图8F的干涉式调制器的MEMS装置,其包含衬底20、位于衬底上的第一电极80、及位于第一电极上的介电层56。在其中MEMS装置是干涉式调制器的实施例中,所述层可形成干涉式调制器的光学堆叠16,例如图1的光学堆叠16。将了解,在此实施例中,光学堆叠16可包含未显示的额外层,例如第一电极80与介电层56之间的部分反射层。支撑结构64使第二电极82与介电层56间隔开气隙84。尽管干涉式调制器是具有此结构或类似结构的MEMS装置的一个实例,但其它MEMS装置(例如开关及锁存器)也可包括与另一电极间隔开气隙及介电层的可移动电极。
在图9B中,在将第二电极82接地的同时跨越第一电极80施加电压,以使第二电极朝第一电极80偏转,从而使第二电极82的一部分接触介电层56。所述电压是经由电源85施加的。在此实施例中,接着使所施加电压维持一时间周期。施加持续的电压用于稳定积累于介电层56内的电荷,并使介电层56饱和。尽管此稳定及饱和是介电层56的内部老化过程的结果,然而,跨越介电层56持续施加电压用于加速此老化过程,从而产生具有比未经老化的MEMS装置更一致的初始性能的MEMS装置。
通常,例如干涉式调制器等MEMS装置是制作成包含多行及多列条带电极的大阵列形式。此调节过程可针对阵列中的每一MEMS装置同时执行。在一个实施例中,此可通过使用将每一行电极或每一列电极短接在一起的短接结构来完成,从而促进跨越阵列中的每一MEMS装置施加电压。在一个实施例中,所述短接结构包含沉积于衬底的某些部分上的导电引线,所述引线将在制造过程中的对后阶段时被划掉。在另一实施例中,所述短接结构包含用于制作电极之间的所需连接的外部装置。跨越阵列中的每一MEMS装置持续施加电压将会使介电层的对应部分老化,从而如上文所论述跨越所述阵列提供均匀的性能。
然而,此调节方法存在某些缺点。其一,可在图9B中看出,当施加电压时,并非介电层56的每一部分均接触可移动电极82。介电层56中环绕支撑结构64的区段86并不接触可移动电极82。因此,介电层56的那些部分86不像介电层56中接触可移动第二电极82的部分一样有效地得到老化。
另外,如上文所简要论述,在可通过行电极及列电极寻址的阵列中,为对个别的MEMS元件进行烧机测试,必须跨越对应行电极与列电极施加充足的电压。对整个MEMS装置(例如干涉式调制器)阵列进行烧机测试的最快方式是在将行电极接地的同时跨越例如每一列电极施加相同的电压,从而需要制作与所述电极的每一者的连接。此可以各种方式来实现,其中一种方式是通过使用上文所论述的短接结构,但希望简化此过程。
在参照图10所论述的替代实施例中,可在制作过程中的早期阶段时有利地执行所述烧机测试过程。图10描绘类似于图9A及9B的装置的部分制成的MEMS装置。所述装置包含衬底20、位于衬底上的第一电极80及位于第一电极80上的介电层56。牺牲层60位于介电层上,且第二电极82位于牺牲层60上,其中支撑结构64从第一电极80的底侧穿过牺牲层60向下延伸。在所图解说明的实施例中,已在第二电极82中形成了开孔86,从而暴露牺牲层60的一部分。然而,在其它实施例中,开孔86可不形成于第二电极中,且如在下文中的更详细论述,可向牺牲层中延伸超出第二电极的部分施加电压。在此实施例中,牺牲层包含导电材料,例如钼。
然后,在将第一电极80接地的同时,经由电源85向导电牺牲层60施加电压。如可看出,不同于图9B的经致动第二电极82,甚至在紧紧环绕支撑结构64的区域中,导电牺牲层60也接触下伏层。因此,能更有效地向除支撑区以外的整个介电层56施加电力,从而加速老化过程。另外,在许多实施例中,导电牺牲层60比第二电极82更具导电性,从而促进烧机测试过程,尤其是在牺牲层60包含钼的情况下。明确地说,在其中MEMS装置是干涉式调制器的实施例中,第二电极82中接触介电层56的部分可包含针对其反射性质而非其导电性质(例如图8D的反射层66)加以选择的材料,例如铬(Cr)或铝(Al)。
通常施加电压达预定的时间。在一个实施例中,施加电压至少约5分钟。在另一实施例中,施加电压至少约10分钟。将了解,施加电压的所需时间长度将取决于各种因素,包括未释放MEMS装置中各种层的成分及厚度、MEMS装置的结构、所施加的电压及环境因素。明确地说,老化过程在较高温度下会加速。
有利地,在某些实施例中,牺牲层60为单个连续层,其延伸遍及整个部分制成MEMS装置的阵列,如下文中将参照图11所论述。因此,向导电牺牲层60的单个部分施加电压将会使阵列中每一MEMS元件中的介电层56得到老化。向牺牲层60而非向上部电极82施加电压能有利地消除对如上文所论述将上部电极82相互连接的短接结构的需要,从而简化烧机测试过程。
在某些实施例中,可图案化及蚀刻第二电极82,以形成准许直接向牺牲层60施加电压的开孔86。然而,为确保对MEMS装置进行均匀的烧机测试,可能希望在牺牲区域上的多于一个位置处施加电压。在某些实施例中,可在沉积第二电极层之前图案化牺牲层,从而形成例如接触区域87的结构,其是下伏牺牲层60延伸超出第二电极82的一部分。图11描绘此阵列的简化形式的俯视图。如在图11中还可看到,尽管在整个阵列中存在支撑结构64,但牺牲层60包含延伸遍及整个MEMS阵列的连续层,以使得在单个点或在较少数目的点处向牺牲层60施加电压便可有效,从而简化烧机测试过程。在进一步实施例中,可形成多个接触区域87,从而能够在多个位置处施加电压。在其它实施例中,所述接触区域87可包含各种形状,并可形成于各种位置中,例如经由较薄引线连接到牺牲层的其余部分的宽接触区域。在又其它实施例中,牺牲层60的周边可保持基本不受蚀刻,以使其延伸超出第二电极82(如在图11中还可看到),且可在第二电极82以外的任何位置处施加电压。在各种实施例中,可经由上覆层中的开孔(未显示)施加电压,例如经由图10的开孔86。
第一电极层80通常由遍及MEMS阵列的介电层56所覆盖。为制作与第一电极层80的电连接,可图案化及蚀刻第一电极层80的延伸部分,以如在图11中可见形成至少部分地延伸超出阵列及介电层的导电引线88。这些导电引线88可包含或连接到接触点90,在某些实施例中,接触点90可包含接触垫或导电凸块。在某些实施例中,所述导电引线可例如通过使用上文所论述的短接结构临时短接在一起,并随后用于连通成品装置中的不同条带电极。
当在第一与第二电极之间施加电压以致动可移动电极时,上述类型的MEMS装置的介电层中的缺陷可导致出现泄漏电流或短路。除烧机测试过程外,此时还可在制作过程中测试MEMS装置或阵列,以识别其中介电层存在缺陷或以某种方式提供不充分绝缘的装置。在一些实施例中,此测试包含测量跨越MEMS装置或阵列的电阻,此可在烧机测试过程期间或在单独过程中完成。尽管牺牲层及下伏电极将引起某一电阻,但电阻测量值仍将由介电层的电阻来主导。如果所测量的电阻与所期望的电阻相差明显的量,那么可将MEMS装置或阵列识别为可能有缺陷。通过测试未释放MEMS装置或阵列,可比通过测试经释放MEMS装置或阵列(例如,图8F及9A)更容易识别介电层环绕支撑结构的所述部分中的缺陷,此时可移动层可不接触介电层的所述部分。
在其中正如上文所论述对未释放干涉式调制器阵列(例如图8E及10)进行老化的实施例中,所期望的电阻可约为10MΩ。在特定实施例中,如果当向导电牺牲层施加电压时所测量的电阻小于约100kΩ,那么将干涉式调制器阵列识别为可能有缺陷。在另一实施例中,如果所测量的电阻小于约10kΩ,那么将干涉式调制器阵列识别为可能有缺陷。在另一实施例中,如果跨越未释放MEMS装置所测量的电阻小于所期望的电阻至少约2个数量级,那么将MEMS装置识别为可能有缺陷。
将了解,上述实施例可存在各种组合。例如,在其中直接向牺牲层施加电压的实施例中,可在沉积上覆在牺牲层上的一个或所有层之前施加电压,从而消除出于施加电压的目的而在上覆层中蚀刻任何开孔的需要。在另一实施例中,可以另一方式,例如通过将牺牲层接地并向条带电极施加电压而跨越牺牲层及第一电极施加电压。本发明还预期上述方法及装置的各种其它组合。另外,将了解,上述用于形成及测试MEMS装置的方法可与用于形成及测试MEMS装置的其它方法结合使用,以改进所述MEMS装置的性能。
还将认识到,上述实施例中层的次序及形成所述层的材料仅为实例性。此外,在一些实施例中,可沉积及处理其它层(未显示),以形成MEMS装置的部分或者形成衬底上的其它结构。在其它实施例中,如所属领域的技术人员已知,所述层可使用替代的沉积、图案化及蚀刻材料及过程来形成,可以不同的次序沉积,或者可由不同的材料构成。
还认识到,取决于实施例,本文所述任何方法的动作或事件均可以其它序列来执行、可进行添加、合并、或者完全省略(例如,并非所有动作或事件均是实践所述方法所必需),除非正文中另有具体且清楚的说明。
尽管上文已显示、描述了详细说明且所述详细说明也已指出了适用于不同实施例的本发明的新颖特征,当将了解,所属领域的技术人员可在形式及细节上对所图解说明的装置或过程作出各种删略、替代及改变,此并不背离本发明的精神。如将认识到,由于某些特征可与其它特征独立地使用或付诸实践,因而可在并不提供本文所述的所有特征及益处的形式内体现本发明。
Claims (34)
1、一种制造MEMS装置的方法,其包含:
形成第一电极层;
在所述第一电极层上沉积介电层;
在所述介电层上沉积牺牲材料层,其中所述牺牲材料层是导电的,且其中所述牺牲材料层与所述介电层电连通;及
向所述牺牲材料层施加电压。
2、如权利要求1所述的方法,其另外包含在所述牺牲材料层上形成第二电极层。
3、如权利要求2所述的方法,其另外包含图案化所述第二电极层,以暴露所述牺牲材料层的至少一个部分,其中向所述至少一个暴露部分施加所述电压。
4、如权利要求3所述的方法,其中图案化所述第二电极层包含在所述第二电极层中形成开孔。
5、如权利要求3所述的方法,其另外包含图案化所述牺牲材料层以形成接触区域,其中向所述接触区域施加所述电压。
6、如权利要求2所述的方法,其另外包含在所述第一电极层与所述介电层之间形成部分反射层。
7、如权利要求2所述的方法,其中形成所述第二电极层包含形成邻近所述牺牲材料层的反射层。
8、如权利要求7所述的方法,其中形成所述第二电极层包含在所述牺牲材料层上方形成可变形层。
9、如权利要求1所述的方法,其中施加所述电压达足以使所述介电层中的电荷稳定的时间周期。
10、如权利要求1所述的方法,其中施加所述电压达至少约5分钟。
11、如权利要求1所述的方法,其中施加所述电压达至少约10分钟。
12、如权利要求1所述的方法,其另外包含形成与所述第一电极层电连通的至少一个导电引线,其中向所述至少一个导电引线施加所述电压。
13、如权利要求1所述的方法,其中所述介电层包含氧化硅。
14、如权利要求1所述的方法,其中所述介电层包含氮化硅。
15、如权利要求1所述的方法,其中所述牺牲材料层包含钼。
16、一种通过如权利要求1所述的方法制作的MEMS装置。
17、如权利要求16所述的MEMS装置,其中所述MEMS装置包含至少一个干涉式调制器。
18、如权利要求17所述的MEMS装置,其进一步包含:
处理器,其经配置以与至少所述第一电极层通信,所述处理器经配置以处理图像数据;
存储器装置,其经配置以与所述处理器通信。
19、如权利要求18所述的MEMS装置,其进一步包含驱动器电路,所述驱动器电路经配置以将至少一个信号发送到至少所述第一电极层。
20、如权利要求19所述的MEMS装置,其进一步包含控制器,所述控制器经配置以将所述图像数据的至少一部分发送到所述驱动器电路。
21、如权利要求18所述的MEMS装置,其进一步包含图像源模块,所述图像源模块经配置以将所述图像数据发送到所述处理器。
22、如权利要求21所述的MEMS装置,其中所述图像源模块包含接收器、收发器及传输器中的至少一者。
23、如权利要求18所述的MEMS装置,其进一步包含输入装置,所述输入装置经配置以接收输入数据并将所述输入数据传送到所述处理器。
24、一种测试部分制成的MEMS装置的方法,其包含:
在导电牺牲层与第一电极层之间施加电压,其中介电层位于所述牺牲层与所述第一电极层之间;及
测量跨越至少所述导电牺牲层、所述第一电极层及任何中间层的电阻。
25、如权利要求24所述的方法,其另外包含:如果所述电阻低于预定值,则将所述MEMS装置识别为有缺陷。
26、如权利要求25所述的方法,其中如果所述电阻小于约100kΩ,则将所述MEMS装置识别为有缺陷。
27、如权利要求26所述的方法,其中如果所述电阻小于约10kΩ,则将所述MEMS装置识别为有缺陷。
28、一种用于调节部分制成的MEMS装置的系统,所述系统包含:
衬底;
第一电极层,其位于所述衬底上;
介电层,其位于所述第一电极层上;
导电牺牲层,其位于所述介电层上;及
电源,其与所述导电牺牲层电连通。
29、如权利要求28所述的系统,其另外包含位于所述介电层上的第二电极层,其中第二导电层已经图案化,以暴露所述下伏的牺牲层的一部分,且其中所述电源与所述导电牺牲层的所述暴露部分电连通。
30、一种制作MEMS装置的方法,其包含:
提供第一电极层;
提供位于所述第一电极层上的介电层;
提供位于所述介电层上的导电牺牲层;
提供位于所述导电牺牲层上的第二电极层;
向所述导电牺牲层施加电压达一时间周期;及
蚀刻所述导电牺牲材料以界定空腔。
31、如权利要求30所述的方法,其进一步包含提供位于所述第一电极层与所述介电层之间的部分反射层,且其中所述第二电极层包含反射层。
32、如权利要求30所述的方法,其中所述导电牺牲层包含钼。
33、如权利要求30所述的方法,其中蚀刻所述导电牺牲层包含XeF2蚀刻。
34、如权利要求30所述的方法,其中所述介电层包含氧化硅与氮化硅中的至少一者。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/360,131 US7547568B2 (en) | 2006-02-22 | 2006-02-22 | Electrical conditioning of MEMS device and insulating layer thereof |
US11/360,131 | 2006-02-22 | ||
PCT/US2007/003267 WO2007100457A2 (en) | 2006-02-22 | 2007-02-07 | Electrical conditioning of mems device and insulating layer thereof |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101389566A true CN101389566A (zh) | 2009-03-18 |
CN101389566B CN101389566B (zh) | 2012-11-14 |
Family
ID=38291201
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN200780006450XA Expired - Fee Related CN101389566B (zh) | 2006-02-22 | 2007-02-07 | 微机电装置及其绝缘层的电调节 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7547568B2 (zh) |
JP (1) | JP4970470B2 (zh) |
KR (1) | KR20080106932A (zh) |
CN (1) | CN101389566B (zh) |
TW (1) | TW200744938A (zh) |
WO (1) | WO2007100457A2 (zh) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103813975A (zh) * | 2011-09-09 | 2014-05-21 | 高通Mems科技公司 | 具有凹部及电子组件的背板 |
CN103998931A (zh) * | 2011-12-28 | 2014-08-20 | 英特尔公司 | 具有选择性表面固定化部位的纳米间隙换能器 |
CN104891420A (zh) * | 2014-03-05 | 2015-09-09 | 英飞凌科技股份有限公司 | 半导体器件及检测半导体器件损坏的方法 |
CN109690382A (zh) * | 2016-09-01 | 2019-04-26 | 拉克拉里公司 | 静电致动的设备 |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7450295B2 (en) * | 2006-03-02 | 2008-11-11 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Methods for producing MEMS with protective coatings using multi-component sacrificial layers |
US7946175B2 (en) * | 2006-06-09 | 2011-05-24 | Hamilton Sundstrand Corporation | In-situ monitoring device and method to determine accumulated printed wiring board vibration stress fatigue |
US7763546B2 (en) | 2006-08-02 | 2010-07-27 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Methods for reducing surface charges during the manufacture of microelectromechanical systems devices |
US20080040027A1 (en) * | 2006-08-09 | 2008-02-14 | Val Brooks-Kennedy | Trip Tracker |
US7733552B2 (en) | 2007-03-21 | 2010-06-08 | Qualcomm Mems Technologies, Inc | MEMS cavity-coating layers and methods |
US7719752B2 (en) | 2007-05-11 | 2010-05-18 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS structures, methods of fabricating MEMS components on separate substrates and assembly of same |
US8068268B2 (en) | 2007-07-03 | 2011-11-29 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS devices having improved uniformity and methods for making them |
CA2694044C (en) * | 2007-07-25 | 2017-02-28 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Mems display devices and methods of fabricating the same |
US7863079B2 (en) * | 2008-02-05 | 2011-01-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Methods of reducing CD loss in a microelectromechanical device |
US7851239B2 (en) * | 2008-06-05 | 2010-12-14 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Low temperature amorphous silicon sacrificial layer for controlled adhesion in MEMS devices |
US7864403B2 (en) | 2009-03-27 | 2011-01-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Post-release adjustment of interferometric modulator reflectivity |
BR112012026325A2 (pt) | 2010-04-16 | 2019-09-24 | Flex Lighting Ii Llc | dispositivo de iluminação compreendendo um guia de luz baseado em película |
KR102165542B1 (ko) | 2010-04-16 | 2020-10-14 | 플렉스 라이팅 투 엘엘씨 | 필름 기반 라이트가이드를 포함하는 프론트 조명 디바이스 |
US8659816B2 (en) | 2011-04-25 | 2014-02-25 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Mechanical layer and methods of making the same |
US8828762B2 (en) | 2012-10-18 | 2014-09-09 | International Business Machines Corporation | Carbon nanostructure device fabrication utilizing protect layers |
US9851256B2 (en) | 2014-06-26 | 2017-12-26 | MP High Tech Solutions Pty Ltd | Apparatus and method for electromagnetic radiation sensing |
US9810581B1 (en) * | 2014-07-28 | 2017-11-07 | MP High Tech Solutions Pty Ltd | Micromechanical device for electromagnetic radiation sensing |
US9857229B1 (en) | 2015-06-24 | 2018-01-02 | MP High Tech Solutions Pty Ltd | Fabrication method for micromechanical sensors |
DE102018220463A1 (de) * | 2018-11-28 | 2020-05-28 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Bauelements für eine Interferometereinrichtung, mikromechanisches Bauelement für eine Interferometereinrichtung und Interferometereinrichtung |
Family Cites Families (239)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2004A (en) * | 1841-03-12 | Improvement in the manner of constructing and propelling steam-vessels | ||
US2010A (en) * | 1841-03-18 | Machine foe | ||
US2534846A (en) | 1946-06-20 | 1950-12-19 | Emi Ltd | Color filter |
US2537846A (en) * | 1947-06-25 | 1951-01-09 | Munn William Faitoute | Knife-edge light stop for microscopes |
DE1288651B (de) | 1963-06-28 | 1969-02-06 | Siemens Ag | Anordnung elektrischer Dipole fuer Wellenlaengen unterhalb 1 mm und Verfahren zur Herstellung einer derartigen Anordnung |
US3616312A (en) | 1966-04-15 | 1971-10-26 | Ionics | Hydrazine manufacture |
FR1603131A (zh) | 1968-07-05 | 1971-03-22 | ||
US3813265A (en) | 1970-02-16 | 1974-05-28 | A Marks | Electro-optical dipolar material |
US3653741A (en) | 1970-02-16 | 1972-04-04 | Alvin M Marks | Electro-optical dipolar material |
US3725868A (en) | 1970-10-19 | 1973-04-03 | Burroughs Corp | Small reconfigurable processor for a variety of data processing applications |
DE2336930A1 (de) | 1973-07-20 | 1975-02-06 | Battelle Institut E V | Infrarot-modulator (ii.) |
US4099854A (en) | 1976-10-12 | 1978-07-11 | The Unites States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Optical notch filter utilizing electric dipole resonance absorption |
US4196396A (en) | 1976-10-15 | 1980-04-01 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Interferometer apparatus using electro-optic material with feedback |
US4389096A (en) | 1977-12-27 | 1983-06-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Image display apparatus of liquid crystal valve projection type |
US4445050A (en) | 1981-12-15 | 1984-04-24 | Marks Alvin M | Device for conversion of light power to electric power |
US4663083A (en) | 1978-05-26 | 1987-05-05 | Marks Alvin M | Electro-optical dipole suspension with reflective-absorptive-transmissive characteristics |
US4228437A (en) | 1979-06-26 | 1980-10-14 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Wideband polarization-transforming electromagnetic mirror |
NL8001281A (nl) | 1980-03-04 | 1981-10-01 | Philips Nv | Weergeefinrichting. |
DE3012253A1 (de) | 1980-03-28 | 1981-10-15 | Hoechst Ag, 6000 Frankfurt | Verfahren zum sichtbarmaschen von ladungsbildern und eine hierfuer geeignete vorichtung |
US4377324A (en) * | 1980-08-04 | 1983-03-22 | Honeywell Inc. | Graded index Fabry-Perot optical filter device |
US4441791A (en) | 1980-09-02 | 1984-04-10 | Texas Instruments Incorporated | Deformable mirror light modulator |
FR2506026A1 (fr) | 1981-05-18 | 1982-11-19 | Radant Etudes | Procede et dispositif pour l'analyse d'un faisceau de rayonnement d'ondes electromagnetiques hyperfrequence |
NL8103377A (nl) | 1981-07-16 | 1983-02-16 | Philips Nv | Weergeefinrichting. |
US4571603A (en) * | 1981-11-03 | 1986-02-18 | Texas Instruments Incorporated | Deformable mirror electrostatic printer |
NL8200354A (nl) | 1982-02-01 | 1983-09-01 | Philips Nv | Passieve weergeefinrichting. |
US4500171A (en) * | 1982-06-02 | 1985-02-19 | Texas Instruments Incorporated | Process for plastic LCD fill hole sealing |
US4482213A (en) | 1982-11-23 | 1984-11-13 | Texas Instruments Incorporated | Perimeter seal reinforcement holes for plastic LCDs |
JPS60159731A (ja) | 1984-01-30 | 1985-08-21 | Sharp Corp | 液晶表示体 |
US5633652A (en) | 1984-02-17 | 1997-05-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for driving optical modulation device |
US4710732A (en) | 1984-07-31 | 1987-12-01 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator and method |
US4566935A (en) * | 1984-07-31 | 1986-01-28 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator and method |
US5096279A (en) * | 1984-08-31 | 1992-03-17 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator and method |
US5061049A (en) | 1984-08-31 | 1991-10-29 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator and method |
US4662746A (en) | 1985-10-30 | 1987-05-05 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator and method |
US4596992A (en) | 1984-08-31 | 1986-06-24 | Texas Instruments Incorporated | Linear spatial light modulator and printer |
US4615595A (en) | 1984-10-10 | 1986-10-07 | Texas Instruments Incorporated | Frame addressed spatial light modulator |
US4617608A (en) | 1984-12-28 | 1986-10-14 | At&T Bell Laboratories | Variable gap device and method of manufacture |
US5172262A (en) | 1985-10-30 | 1992-12-15 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator and method |
GB2186708B (en) | 1985-11-26 | 1990-07-11 | Sharp Kk | A variable interferometric device and a process for the production of the same |
GB8610129D0 (en) | 1986-04-25 | 1986-05-29 | Secr Defence | Electro-optical device |
US4748366A (en) | 1986-09-02 | 1988-05-31 | Taylor George W | Novel uses of piezoelectric materials for creating optical effects |
US4786128A (en) | 1986-12-02 | 1988-11-22 | Quantum Diagnostics, Ltd. | Device for modulating and reflecting electromagnetic radiation employing electro-optic layer having a variable index of refraction |
NL8701138A (nl) | 1987-05-13 | 1988-12-01 | Philips Nv | Electroscopische beeldweergeefinrichting. |
DE3716485C1 (de) | 1987-05-16 | 1988-11-24 | Heraeus Gmbh W C | Xenon-Kurzbogen-Entladungslampe |
US4900136A (en) * | 1987-08-11 | 1990-02-13 | North American Philips Corporation | Method of metallizing silica-containing gel and solid state light modulator incorporating the metallized gel |
US4956619A (en) | 1988-02-19 | 1990-09-11 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator |
JPH0242761A (ja) | 1988-04-20 | 1990-02-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | アクティブマトリクス基板の製造方法 |
US4856863A (en) | 1988-06-22 | 1989-08-15 | Texas Instruments Incorporated | Optical fiber interconnection network including spatial light modulator |
US5028939A (en) | 1988-08-23 | 1991-07-02 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator system |
JP2700903B2 (ja) * | 1988-09-30 | 1998-01-21 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
US4982184A (en) * | 1989-01-03 | 1991-01-01 | General Electric Company | Electrocrystallochromic display and element |
US5214419A (en) | 1989-02-27 | 1993-05-25 | Texas Instruments Incorporated | Planarized true three dimensional display |
US5192946A (en) * | 1989-02-27 | 1993-03-09 | Texas Instruments Incorporated | Digitized color video display system |
US5287096A (en) * | 1989-02-27 | 1994-02-15 | Texas Instruments Incorporated | Variable luminosity display system |
US5079544A (en) * | 1989-02-27 | 1992-01-07 | Texas Instruments Incorporated | Standard independent digitized video system |
US5214420A (en) | 1989-02-27 | 1993-05-25 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator projection system with random polarity light |
US5272473A (en) | 1989-02-27 | 1993-12-21 | Texas Instruments Incorporated | Reduced-speckle display system |
US5206629A (en) | 1989-02-27 | 1993-04-27 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator and memory for digitized video display |
US5170156A (en) | 1989-02-27 | 1992-12-08 | Texas Instruments Incorporated | Multi-frequency two dimensional display system |
US5162787A (en) | 1989-02-27 | 1992-11-10 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus and method for digitized video system utilizing a moving display surface |
US4900395A (en) * | 1989-04-07 | 1990-02-13 | Fsi International, Inc. | HF gas etching of wafers in an acid processor |
US5022745A (en) | 1989-09-07 | 1991-06-11 | Massachusetts Institute Of Technology | Electrostatically deformable single crystal dielectrically coated mirror |
US4954789A (en) | 1989-09-28 | 1990-09-04 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator |
US5381253A (en) * | 1991-11-14 | 1995-01-10 | Board Of Regents Of University Of Colorado | Chiral smectic liquid crystal optical modulators having variable retardation |
US5124834A (en) | 1989-11-16 | 1992-06-23 | General Electric Company | Transferrable, self-supporting pellicle for elastomer light valve displays and method for making the same |
US5037173A (en) | 1989-11-22 | 1991-08-06 | Texas Instruments Incorporated | Optical interconnection network |
US5500635A (en) * | 1990-02-20 | 1996-03-19 | Mott; Jonathan C. | Products incorporating piezoelectric material |
CH682523A5 (fr) * | 1990-04-20 | 1993-09-30 | Suisse Electronique Microtech | Dispositif de modulation de lumière à adressage matriciel. |
GB9012099D0 (en) | 1990-05-31 | 1990-07-18 | Kodak Ltd | Optical article for multicolour imaging |
US5083857A (en) * | 1990-06-29 | 1992-01-28 | Texas Instruments Incorporated | Multi-level deformable mirror device |
US5142405A (en) | 1990-06-29 | 1992-08-25 | Texas Instruments Incorporated | Bistable dmd addressing circuit and method |
US5099353A (en) * | 1990-06-29 | 1992-03-24 | Texas Instruments Incorporated | Architecture and process for integrating DMD with control circuit substrates |
US5018256A (en) | 1990-06-29 | 1991-05-28 | Texas Instruments Incorporated | Architecture and process for integrating DMD with control circuit substrates |
US5216537A (en) | 1990-06-29 | 1993-06-01 | Texas Instruments Incorporated | Architecture and process for integrating DMD with control circuit substrates |
EP0467048B1 (en) * | 1990-06-29 | 1995-09-20 | Texas Instruments Incorporated | Field-updated deformable mirror device |
US5153771A (en) | 1990-07-18 | 1992-10-06 | Northrop Corporation | Coherent light modulation and detector |
US5192395A (en) | 1990-10-12 | 1993-03-09 | Texas Instruments Incorporated | Method of making a digital flexure beam accelerometer |
US5044736A (en) | 1990-11-06 | 1991-09-03 | Motorola, Inc. | Configurable optical filter or display |
US5602671A (en) * | 1990-11-13 | 1997-02-11 | Texas Instruments Incorporated | Low surface energy passivation layer for micromechanical devices |
US5331454A (en) | 1990-11-13 | 1994-07-19 | Texas Instruments Incorporated | Low reset voltage process for DMD |
FR2669466B1 (fr) | 1990-11-16 | 1997-11-07 | Michel Haond | Procede de gravure de couches de circuit integre a profondeur fixee et circuit integre correspondant. |
US5233459A (en) | 1991-03-06 | 1993-08-03 | Massachusetts Institute Of Technology | Electric display device |
US5136669A (en) | 1991-03-15 | 1992-08-04 | Sperry Marine Inc. | Variable ratio fiber optic coupler optical signal processing element |
CA2063744C (en) | 1991-04-01 | 2002-10-08 | Paul M. Urbanus | Digital micromirror device architecture and timing for use in a pulse-width modulated display system |
US5142414A (en) | 1991-04-22 | 1992-08-25 | Koehler Dale R | Electrically actuatable temporal tristimulus-color device |
US5226099A (en) | 1991-04-26 | 1993-07-06 | Texas Instruments Incorporated | Digital micromirror shutter device |
FR2679057B1 (fr) * | 1991-07-11 | 1995-10-20 | Morin Francois | Structure d'ecran a cristal liquide, a matrice active et a haute definition. |
US5179274A (en) * | 1991-07-12 | 1993-01-12 | Texas Instruments Incorporated | Method for controlling operation of optical systems and devices |
US5168406A (en) | 1991-07-31 | 1992-12-01 | Texas Instruments Incorporated | Color deformable mirror device and method for manufacture |
US5254980A (en) | 1991-09-06 | 1993-10-19 | Texas Instruments Incorporated | DMD display system controller |
US5233385A (en) | 1991-12-18 | 1993-08-03 | Texas Instruments Incorporated | White light enhanced color field sequential projection |
US5233456A (en) | 1991-12-20 | 1993-08-03 | Texas Instruments Incorporated | Resonant mirror and method of manufacture |
US5228013A (en) | 1992-01-10 | 1993-07-13 | Bik Russell J | Clock-painting device and method for indicating the time-of-day with a non-traditional, now analog artistic panel of digital electronic visual displays |
US5296950A (en) * | 1992-01-31 | 1994-03-22 | Texas Instruments Incorporated | Optical signal free-space conversion board |
US5231532A (en) | 1992-02-05 | 1993-07-27 | Texas Instruments Incorporated | Switchable resonant filter for optical radiation |
US5212582A (en) | 1992-03-04 | 1993-05-18 | Texas Instruments Incorporated | Electrostatically controlled beam steering device and method |
DE69310974T2 (de) | 1992-03-25 | 1997-11-06 | Texas Instruments Inc | Eingebautes optisches Eichsystem |
US5312513A (en) | 1992-04-03 | 1994-05-17 | Texas Instruments Incorporated | Methods of forming multiple phase light modulators |
US5401983A (en) * | 1992-04-08 | 1995-03-28 | Georgia Tech Research Corporation | Processes for lift-off of thin film materials or devices for fabricating three dimensional integrated circuits, optical detectors, and micromechanical devices |
US6219015B1 (en) | 1992-04-28 | 2001-04-17 | The Board Of Directors Of The Leland Stanford, Junior University | Method and apparatus for using an array of grating light valves to produce multicolor optical images |
US5311360A (en) | 1992-04-28 | 1994-05-10 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford, Junior University | Method and apparatus for modulating a light beam |
TW245772B (zh) * | 1992-05-19 | 1995-04-21 | Akzo Nv | |
JPH0651250A (ja) * | 1992-05-20 | 1994-02-25 | Texas Instr Inc <Ti> | モノリシックな空間的光変調器およびメモリのパッケージ |
DE69332407T2 (de) | 1992-06-17 | 2003-06-18 | Harris Corp | Herstellung von Halbleiteranordnungen auf SOI substraten |
US5818095A (en) * | 1992-08-11 | 1998-10-06 | Texas Instruments Incorporated | High-yield spatial light modulator with light blocking layer |
US5345328A (en) | 1992-08-12 | 1994-09-06 | Sandia Corporation | Tandem resonator reflectance modulator |
US5293272A (en) * | 1992-08-24 | 1994-03-08 | Physical Optics Corporation | High finesse holographic fabry-perot etalon and method of fabricating |
US5327286A (en) | 1992-08-31 | 1994-07-05 | Texas Instruments Incorporated | Real time optical correlation system |
US5325116A (en) | 1992-09-18 | 1994-06-28 | Texas Instruments Incorporated | Device for writing to and reading from optical storage media |
US5296775A (en) | 1992-09-24 | 1994-03-22 | International Business Machines Corporation | Cooling microfan arrangements and process |
US5488505A (en) | 1992-10-01 | 1996-01-30 | Engle; Craig D. | Enhanced electrostatic shutter mosaic modulator |
US5312512A (en) | 1992-10-23 | 1994-05-17 | Ncr Corporation | Global planarization using SOG and CMP |
US6674562B1 (en) * | 1994-05-05 | 2004-01-06 | Iridigm Display Corporation | Interferometric modulation of radiation |
US5461411A (en) | 1993-03-29 | 1995-10-24 | Texas Instruments Incorporated | Process and architecture for digital micromirror printer |
US5324683A (en) | 1993-06-02 | 1994-06-28 | Motorola, Inc. | Method of forming a semiconductor structure having an air region |
US5489952A (en) * | 1993-07-14 | 1996-02-06 | Texas Instruments Incorporated | Method and device for multi-format television |
US5497197A (en) * | 1993-11-04 | 1996-03-05 | Texas Instruments Incorporated | System and method for packaging data into video processor |
US5500761A (en) * | 1994-01-27 | 1996-03-19 | At&T Corp. | Micromechanical modulator |
JPH07253594A (ja) * | 1994-03-15 | 1995-10-03 | Fujitsu Ltd | 表示装置 |
US7123216B1 (en) | 1994-05-05 | 2006-10-17 | Idc, Llc | Photonic MEMS and structures |
US7460291B2 (en) * | 1994-05-05 | 2008-12-02 | Idc, Llc | Separable modulator |
US6680792B2 (en) * | 1994-05-05 | 2004-01-20 | Iridigm Display Corporation | Interferometric modulation of radiation |
US7550794B2 (en) * | 2002-09-20 | 2009-06-23 | Idc, Llc | Micromechanical systems device comprising a displaceable electrode and a charge-trapping layer |
US6040937A (en) * | 1994-05-05 | 2000-03-21 | Etalon, Inc. | Interferometric modulation |
US5497172A (en) * | 1994-06-13 | 1996-03-05 | Texas Instruments Incorporated | Pulse width modulation for spatial light modulator with split reset addressing |
US5499062A (en) * | 1994-06-23 | 1996-03-12 | Texas Instruments Incorporated | Multiplexed memory timing with block reset and secondary memory |
JPH0822024A (ja) | 1994-07-05 | 1996-01-23 | Mitsubishi Electric Corp | アクティブマトリクス基板およびその製法 |
US5610624A (en) * | 1994-11-30 | 1997-03-11 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator with reduced possibility of an on state defect |
US5726480A (en) * | 1995-01-27 | 1998-03-10 | The Regents Of The University Of California | Etchants for use in micromachining of CMOS Microaccelerometers and microelectromechanical devices and method of making the same |
US5610438A (en) * | 1995-03-08 | 1997-03-11 | Texas Instruments Incorporated | Micro-mechanical device with non-evaporable getter |
US6969635B2 (en) * | 2000-12-07 | 2005-11-29 | Reflectivity, Inc. | Methods for depositing, releasing and packaging micro-electromechanical devices on wafer substrates |
US5786621A (en) * | 1995-06-23 | 1998-07-28 | Cornell Research Foundation, Inc. | Microelectromechanical integrated microloading device |
US6624944B1 (en) | 1996-03-29 | 2003-09-23 | Texas Instruments Incorporated | Fluorinated coating for an optical element |
US5710656A (en) * | 1996-07-30 | 1998-01-20 | Lucent Technologies Inc. | Micromechanical optical modulator having a reduced-mass composite membrane |
US5884083A (en) * | 1996-09-20 | 1999-03-16 | Royce; Robert | Computer system to compile non-incremental computer source code to execute within an incremental type computer system |
EP0877272B1 (en) * | 1997-05-08 | 2002-07-31 | Texas Instruments Incorporated | Improvements in or relating to spatial light modulators |
US5867302A (en) * | 1997-08-07 | 1999-02-02 | Sandia Corporation | Bistable microelectromechanical actuator |
US6031653A (en) * | 1997-08-28 | 2000-02-29 | California Institute Of Technology | Low-cost thin-metal-film interference filters |
CN1283369A (zh) * | 1997-10-31 | 2001-02-07 | 大宇电子株式会社 | 光学投影系统中的薄膜驱动的反光镜组的制造方法 |
US6028690A (en) * | 1997-11-26 | 2000-02-22 | Texas Instruments Incorporated | Reduced micromirror mirror gaps for improved contrast ratio |
US6180428B1 (en) * | 1997-12-12 | 2001-01-30 | Xerox Corporation | Monolithic scanning light emitting devices using micromachining |
US6438149B1 (en) | 1998-06-26 | 2002-08-20 | Coretek, Inc. | Microelectromechanically tunable, confocal, vertical cavity surface emitting laser and fabry-perot filter |
US6016693A (en) * | 1998-02-09 | 2000-01-25 | The Regents Of The University Of California | Microfabrication of cantilevers using sacrificial templates |
US6195196B1 (en) * | 1998-03-13 | 2001-02-27 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Array-type exposing device and flat type display incorporating light modulator and driving method thereof |
US6097145A (en) | 1998-04-27 | 2000-08-01 | Copytele, Inc. | Aerogel-based phase transition flat panel display |
KR100281182B1 (ko) | 1998-08-10 | 2001-04-02 | 윤종용 | 반도체 장치의 자기 정렬 콘택 형성 방법 |
JP4074714B2 (ja) * | 1998-09-25 | 2008-04-09 | 富士フイルム株式会社 | アレイ型光変調素子及び平面ディスプレイの駆動方法 |
US6391675B1 (en) * | 1998-11-25 | 2002-05-21 | Raytheon Company | Method and apparatus for switching high frequency signals |
US6194323B1 (en) * | 1998-12-16 | 2001-02-27 | Lucent Technologies Inc. | Deep sub-micron metal etch with in-situ hard mask etch |
US6335831B2 (en) * | 1998-12-18 | 2002-01-01 | Eastman Kodak Company | Multilevel mechanical grating device |
US6537427B1 (en) * | 1999-02-04 | 2003-03-25 | Micron Technology, Inc. | Deposition of smooth aluminum films |
JP3592136B2 (ja) * | 1999-06-04 | 2004-11-24 | キヤノン株式会社 | 液体吐出ヘッドおよびその製造方法と微小電気機械装置の製造方法 |
US6201633B1 (en) * | 1999-06-07 | 2001-03-13 | Xerox Corporation | Micro-electromechanical based bistable color display sheets |
US6359673B1 (en) * | 1999-06-21 | 2002-03-19 | Eastman Kodak Company | Sheet having a layer with different light modulating materials |
AU7881400A (en) | 1999-08-24 | 2001-03-19 | Knowles Electronics, Llc. | Assembly process for delicate silicon structures |
KR100333482B1 (ko) | 1999-09-15 | 2002-04-25 | 오길록 | 초고속 반도체 광변조기 및 그 제조방법 |
WO2003007049A1 (en) * | 1999-10-05 | 2003-01-23 | Iridigm Display Corporation | Photonic mems and structures |
US6351329B1 (en) * | 1999-10-08 | 2002-02-26 | Lucent Technologies Inc. | Optical attenuator |
US6960305B2 (en) * | 1999-10-26 | 2005-11-01 | Reflectivity, Inc | Methods for forming and releasing microelectromechanical structures |
JP4008173B2 (ja) * | 2000-01-25 | 2007-11-14 | 株式会社 東京ウエルズ | 蓄電器の絶縁抵抗測定方法および絶縁抵抗測定装置 |
US6362018B1 (en) * | 2000-02-02 | 2002-03-26 | Motorola, Inc. | Method for fabricating MEMS variable capacitor with stabilized electrostatic drive |
KR20010112456A (ko) | 2000-02-24 | 2001-12-20 | 요트.게.아. 롤페즈 | 광 가이드를 포함한 디스플레이 디바이스 |
US6531945B1 (en) * | 2000-03-10 | 2003-03-11 | Micron Technology, Inc. | Integrated circuit inductor with a magnetic core |
US6465320B1 (en) * | 2000-06-16 | 2002-10-15 | Motorola, Inc. | Electronic component and method of manufacturing |
US6452465B1 (en) | 2000-06-27 | 2002-09-17 | M-Squared Filters, Llc | High quality-factor tunable resonator |
AU2001268742A1 (en) | 2000-06-28 | 2002-01-08 | The Regents Of The University Of California | Capacitive microelectromechanical switches |
DE60142383D1 (de) | 2000-07-03 | 2010-07-29 | Sony Corp | Optische mehrschichtige Struktur, optische Schalteinrichtung, und Bildanzeigevorrichtung |
JP4830183B2 (ja) | 2000-07-19 | 2011-12-07 | ソニー株式会社 | 光学多層構造体および光スイッチング素子、並びに画像表示装置 |
JP2002023070A (ja) | 2000-07-04 | 2002-01-23 | Sony Corp | 光学多層構造体および光スイッチング素子、並びに画像表示装置 |
JP4614027B2 (ja) | 2000-07-03 | 2011-01-19 | ソニー株式会社 | 光学多層構造体および光スイッチング素子、並びに画像表示装置 |
EP1172681A3 (en) * | 2000-07-13 | 2004-06-09 | Creo IL. Ltd. | Blazed micro-mechanical light modulator and array thereof |
US6853129B1 (en) * | 2000-07-28 | 2005-02-08 | Candescent Technologies Corporation | Protected substrate structure for a field emission display device |
AU2001281381A1 (en) | 2000-08-03 | 2002-02-18 | Analog Devices, Inc. | Bonded wafer optical mems process |
JP4392970B2 (ja) | 2000-08-21 | 2010-01-06 | キヤノン株式会社 | 干渉性変調素子を用いる表示素子 |
US6522801B1 (en) * | 2000-10-10 | 2003-02-18 | Agere Systems Inc. | Micro-electro-optical mechanical device having an implanted dopant included therein and a method of manufacture therefor |
US6519075B2 (en) | 2000-11-03 | 2003-02-11 | Agere Systems Inc. | Packaged MEMS device and method for making the same |
US6859218B1 (en) * | 2000-11-07 | 2005-02-22 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Electronic display devices and methods |
US6525352B1 (en) * | 2000-11-22 | 2003-02-25 | Network Photonics, Inc. | Method to reduce release time of micromachined devices |
US6555904B1 (en) | 2001-03-05 | 2003-04-29 | Analog Devices, Inc. | Electrically shielded glass lid for a packaged device |
JP3888075B2 (ja) | 2001-03-23 | 2007-02-28 | セイコーエプソン株式会社 | 光スイッチング素子、光スイッチングデバイス、および画像表示装置 |
US20020150130A1 (en) | 2001-04-16 | 2002-10-17 | Coldren Larry A. | Tunable VCSEL assembly |
US6803534B1 (en) | 2001-05-25 | 2004-10-12 | Raytheon Company | Membrane for micro-electro-mechanical switch, and methods of making and using it |
US7005314B2 (en) * | 2001-06-27 | 2006-02-28 | Intel Corporation | Sacrificial layer technique to make gaps in MEMS applications |
US6822628B2 (en) | 2001-06-28 | 2004-11-23 | Candescent Intellectual Property Services, Inc. | Methods and systems for compensating row-to-row brightness variations of a field emission display |
JP4032216B2 (ja) * | 2001-07-12 | 2008-01-16 | ソニー株式会社 | 光学多層構造体およびその製造方法、並びに光スイッチング素子および画像表示装置 |
US6930364B2 (en) * | 2001-09-13 | 2005-08-16 | Silicon Light Machines Corporation | Microelectronic mechanical system and methods |
WO2003028059A1 (en) | 2001-09-21 | 2003-04-03 | Hrl Laboratories, Llc | Mems switches and methods of making same |
JP4045090B2 (ja) * | 2001-11-06 | 2008-02-13 | オムロン株式会社 | 静電アクチュエータの調整方法 |
JP3558066B2 (ja) | 2002-02-19 | 2004-08-25 | ソニー株式会社 | Mems素子とその製造方法、光変調素子、glvデバイスとその製造方法、及びレーザディスプレイ |
US7145143B2 (en) | 2002-03-18 | 2006-12-05 | Honeywell International Inc. | Tunable sensor |
US6700770B2 (en) | 2002-03-22 | 2004-03-02 | Turnstone Systems, Inc. | Protection of double end exposed systems |
US7027200B2 (en) * | 2002-03-22 | 2006-04-11 | Reflectivity, Inc | Etching method used in fabrications of microstructures |
US7029829B2 (en) * | 2002-04-18 | 2006-04-18 | The Regents Of The University Of Michigan | Low temperature method for forming a microcavity on a substrate and article having same |
US6791441B2 (en) * | 2002-05-07 | 2004-09-14 | Raytheon Company | Micro-electro-mechanical switch, and methods of making and using it |
JP3801099B2 (ja) | 2002-06-04 | 2006-07-26 | 株式会社デンソー | チューナブルフィルタ、その製造方法、及びそれを使用した光スイッチング装置 |
US6777258B1 (en) * | 2002-06-28 | 2004-08-17 | Silicon Light Machines, Inc. | Conductive etch stop for etching a sacrificial layer |
US6741377B2 (en) * | 2002-07-02 | 2004-05-25 | Iridigm Display Corporation | Device having a light-absorbing mask and a method for fabricating same |
US7071289B2 (en) * | 2002-07-11 | 2006-07-04 | The University Of Connecticut | Polymers comprising thieno [3,4-b]thiophene and methods of making and using the same |
US6674033B1 (en) * | 2002-08-21 | 2004-01-06 | Ming-Shan Wang | Press button type safety switch |
TW544787B (en) * | 2002-09-18 | 2003-08-01 | Promos Technologies Inc | Method of forming self-aligned contact structure with locally etched gate conductive layer |
US6682820B1 (en) * | 2002-10-31 | 2004-01-27 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Recession resistant coated ceramic part |
US6909589B2 (en) | 2002-11-20 | 2005-06-21 | Corporation For National Research Initiatives | MEMS-based variable capacitor |
KR100489801B1 (ko) | 2002-12-10 | 2005-05-16 | 한국전자통신연구원 | 파장가변 광 필터 및 그 제조방법 |
KR100937613B1 (ko) | 2002-12-16 | 2010-01-20 | 이 잉크 코포레이션 | 전기-광학 디스플레이용 백플레인 |
TWI289708B (en) * | 2002-12-25 | 2007-11-11 | Qualcomm Mems Technologies Inc | Optical interference type color display |
TW594155B (en) | 2002-12-27 | 2004-06-21 | Prime View Int Corp Ltd | Optical interference type color display and optical interference modulator |
US6815234B2 (en) | 2002-12-31 | 2004-11-09 | Infineon Technologies Aktiengesellschaft | Reducing stress in integrated circuits |
US20040140557A1 (en) | 2003-01-21 | 2004-07-22 | United Test & Assembly Center Limited | Wl-bga for MEMS/MOEMS devices |
TW200413810A (en) * | 2003-01-29 | 2004-08-01 | Prime View Int Co Ltd | Light interference display panel and its manufacturing method |
TW557395B (en) * | 2003-01-29 | 2003-10-11 | Yen Sun Technology Corp | Optical interference type reflection panel and the manufacturing method thereof |
US20040166603A1 (en) | 2003-02-25 | 2004-08-26 | Carley L. Richard | Micromachined assembly with a multi-layer cap defining a cavity |
TWI405196B (zh) | 2003-03-13 | 2013-08-11 | Lg Electronics Inc | 光學記錄媒體及其缺陷區域管理方法及其裝置 |
TW567355B (en) * | 2003-04-21 | 2003-12-21 | Prime View Int Co Ltd | An interference display cell and fabrication method thereof |
US6829132B2 (en) * | 2003-04-30 | 2004-12-07 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Charge control of micro-electromechanical device |
TW570896B (en) * | 2003-05-26 | 2004-01-11 | Prime View Int Co Ltd | A method for fabricating an interference display cell |
US7221495B2 (en) * | 2003-06-24 | 2007-05-22 | Idc Llc | Thin film precursor stack for MEMS manufacturing |
CN100392512C (zh) * | 2003-06-30 | 2008-06-04 | 高通Mems科技公司 | 结构释放结构及其制造方法 |
US7173314B2 (en) * | 2003-08-13 | 2007-02-06 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Storage device having a probe and a storage cell with moveable parts |
TWI305599B (en) * | 2003-08-15 | 2009-01-21 | Qualcomm Mems Technologies Inc | Interference display panel and method thereof |
TWI251712B (en) * | 2003-08-15 | 2006-03-21 | Prime View Int Corp Ltd | Interference display plate |
TW200506479A (en) * | 2003-08-15 | 2005-02-16 | Prime View Int Co Ltd | Color changeable pixel for an interference display |
TW593127B (en) * | 2003-08-18 | 2004-06-21 | Prime View Int Co Ltd | Interference display plate and manufacturing method thereof |
CN100349034C (zh) * | 2003-09-09 | 2007-11-14 | 高通Mems科技公司 | 干涉调节显示组件与其制造方法 |
US7012726B1 (en) | 2003-11-03 | 2006-03-14 | Idc, Llc | MEMS devices with unreleased thin film components |
US7064883B2 (en) | 2003-12-10 | 2006-06-20 | Silicon Light Machines Corporation | Two dimensional spatial light modulator |
TWI261683B (en) | 2004-03-10 | 2006-09-11 | Qualcomm Mems Technologies Inc | Interference reflective element and repairing method thereof |
US7476327B2 (en) * | 2004-05-04 | 2009-01-13 | Idc, Llc | Method of manufacture for microelectromechanical devices |
US7145213B1 (en) | 2004-05-24 | 2006-12-05 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | MEMS RF switch integrated process |
JP4852835B2 (ja) | 2004-09-02 | 2012-01-11 | ソニー株式会社 | 回折格子−光変調装置集合体 |
US7327510B2 (en) * | 2004-09-27 | 2008-02-05 | Idc, Llc | Process for modifying offset voltage characteristics of an interferometric modulator |
US7161730B2 (en) | 2004-09-27 | 2007-01-09 | Idc, Llc | System and method for providing thermal compensation for an interferometric modulator display |
US7130104B2 (en) | 2004-09-27 | 2006-10-31 | Idc, Llc | Methods and devices for inhibiting tilting of a mirror in an interferometric modulator |
US7259449B2 (en) * | 2004-09-27 | 2007-08-21 | Idc, Llc | Method and system for sealing a substrate |
US7206118B2 (en) | 2004-09-28 | 2007-04-17 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Open hole-based diffractive light modulator |
TWI293720B (en) * | 2004-12-30 | 2008-02-21 | Au Optronics Corp | Microelectrooptomechanical device |
JP4489651B2 (ja) * | 2005-07-22 | 2010-06-23 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置およびその製造方法 |
EP2495212A3 (en) | 2005-07-22 | 2012-10-31 | QUALCOMM MEMS Technologies, Inc. | Mems devices having support structures and methods of fabricating the same |
JP4724505B2 (ja) | 2005-09-09 | 2011-07-13 | 株式会社日立製作所 | 超音波探触子およびその製造方法 |
JP2007175861A (ja) * | 2005-12-02 | 2007-07-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 微小構造体の検査方法及びマイクロマシン |
-
2006
- 2006-02-22 US US11/360,131 patent/US7547568B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-02-07 WO PCT/US2007/003267 patent/WO2007100457A2/en active Application Filing
- 2007-02-07 CN CN200780006450XA patent/CN101389566B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-02-07 KR KR1020087022861A patent/KR20080106932A/ko not_active Application Discontinuation
- 2007-02-07 JP JP2008556347A patent/JP4970470B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-02-16 TW TW096106262A patent/TW200744938A/zh unknown
-
2009
- 2009-06-16 US US12/485,430 patent/US7932728B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103813975A (zh) * | 2011-09-09 | 2014-05-21 | 高通Mems科技公司 | 具有凹部及电子组件的背板 |
CN103813975B (zh) * | 2011-09-09 | 2016-04-27 | 高通Mems科技公司 | 具有凹部及电子组件的背板 |
CN103998931A (zh) * | 2011-12-28 | 2014-08-20 | 英特尔公司 | 具有选择性表面固定化部位的纳米间隙换能器 |
CN103998931B (zh) * | 2011-12-28 | 2016-06-01 | 英特尔公司 | 具有选择性表面固定化部位的纳米间隙换能器 |
US9500617B2 (en) | 2011-12-28 | 2016-11-22 | Intel Corporation | Nanogap transducers with selective surface immobilization sites |
CN104891420A (zh) * | 2014-03-05 | 2015-09-09 | 英飞凌科技股份有限公司 | 半导体器件及检测半导体器件损坏的方法 |
US9618561B2 (en) | 2014-03-05 | 2017-04-11 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device and method for detecting damaging of a semiconductor device |
CN104891420B (zh) * | 2014-03-05 | 2020-02-07 | 英飞凌科技股份有限公司 | 半导体器件及检测半导体器件损坏的方法 |
CN109690382A (zh) * | 2016-09-01 | 2019-04-26 | 拉克拉里公司 | 静电致动的设备 |
US11280995B2 (en) | 2016-09-01 | 2022-03-22 | Laclaree | Electrostatically actuated device |
CN109690382B (zh) * | 2016-09-01 | 2023-10-13 | 拉克拉里公司 | 静电致动的设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7932728B2 (en) | 2011-04-26 |
WO2007100457A3 (en) | 2007-12-27 |
JP2009527371A (ja) | 2009-07-30 |
WO2007100457A2 (en) | 2007-09-07 |
JP4970470B2 (ja) | 2012-07-04 |
KR20080106932A (ko) | 2008-12-09 |
CN101389566B (zh) | 2012-11-14 |
US20090315567A1 (en) | 2009-12-24 |
US7547568B2 (en) | 2009-06-16 |
US20070196944A1 (en) | 2007-08-23 |
TW200744938A (en) | 2007-12-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101389566B (zh) | 微机电装置及其绝缘层的电调节 | |
CN102426405B (zh) | 用于干涉式调制器阵列的导电总线结构 | |
TWI412783B (zh) | 電流模式顯示驅動電路實現特徵 | |
TWI408411B (zh) | 具有傳導性光吸收光罩之裝置及其製造方法 | |
CN102361814B (zh) | 在子像素之间具有开口的显示装置及其制造方法 | |
US7373026B2 (en) | MEMS device fabricated on a pre-patterned substrate | |
US7603001B2 (en) | Method and apparatus for providing back-lighting in an interferometric modulator display device | |
JP4399404B2 (ja) | 透明コンポーネントが集積されたディスプレイのための方法および装置 | |
US20080158648A1 (en) | Peripheral switches for MEMS display test | |
US20070279730A1 (en) | Process and structure for fabrication of mems device having isolated egde posts | |
KR20060092926A (ko) | 미소 기전 시스템용의 예비 구조체를 제조하는 방법 | |
CN101952194A (zh) | 具有热膨胀平衡层或加强层的微机电装置 | |
CN102804022A (zh) | 模拟干涉式调制器 | |
JP2006106702A (ja) | 電気的にプログラム可能なディスプレイのための方法及び装置 | |
JP2006099087A (ja) | マルチステート干渉性光変調のための方法および装置 | |
JP2008515150A (ja) | 変形する薄膜を備えたmemsスイッチ | |
KR101258880B1 (ko) | 세트 및 래치 전극을 가지는 미소 기전 시스템 스위치 | |
TWI403456B (zh) | 微機電裝置、微機電開關、包含微機電開關之顯示系統、及操作及製造微機電開關之方法 | |
CN100547453C (zh) | 两侧均具有可观看显示器的反射性显示装置 | |
CN102667573A (zh) | 用于选择性地启动装置阵列的电荷控制技术 | |
CN101019062A (zh) | 用于修改干涉式调制器的偏移电压特性的方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20121114 Termination date: 20160207 |