JP4489651B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4489651B2 JP4489651B2 JP2005212243A JP2005212243A JP4489651B2 JP 4489651 B2 JP4489651 B2 JP 4489651B2 JP 2005212243 A JP2005212243 A JP 2005212243A JP 2005212243 A JP2005212243 A JP 2005212243A JP 4489651 B2 JP4489651 B2 JP 4489651B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- insulating film
- semiconductor device
- movable
- fixed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H1/00—Contacts
- H01H1/0036—Switches making use of microelectromechanical systems [MEMS]
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
- B81C1/00222—Integrating an electronic processing unit with a micromechanical structure
- B81C1/00246—Monolithic integration, i.e. micromechanical structure and electronic processing unit are integrated on the same substrate
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2207/00—Microstructural systems or auxiliary parts thereof
- B81B2207/07—Interconnects
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C2203/00—Forming microstructural systems
- B81C2203/01—Packaging MEMS
- B81C2203/0136—Growing or depositing of a covering layer
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C2203/00—Forming microstructural systems
- B81C2203/07—Integrating an electronic processing unit with a micromechanical structure
- B81C2203/0707—Monolithic integration, i.e. the electronic processing unit is formed on or in the same substrate as the micromechanical structure
- B81C2203/0735—Post-CMOS, i.e. forming the micromechanical structure after the CMOS circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H59/00—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays
- H01H59/0009—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays making use of micromechanics
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Contacts (AREA)
Description
本実施の形態1では、図2のように、MEMSスイッチを構成する可動部1と、これに対向する固定部2の接触面に絶縁膜3を形成する構成とした。スイッチを使用する際には、可動部1と駆動部4との間に所定の電圧を印加することによって可動部1を固定部2と接触させるように動かし、絶縁膜3の破壊電界強度を超える電圧を絶縁膜3に対して印加し、絶縁破壊を起こす。このように絶縁膜3を一度改質することで、スイッチの繰り返し接触する接点部分を機械的に保護し、なおかつ、絶縁破壊によって形成された電流経路を通じて電気的な信号を伝達する接点を実現する。
すなわち、絶縁膜の厚さtと絶縁膜の破壊電界強度Ebの積で決まる破壊電圧値Vをスイッチの駆動回路に印加可能な最大の電圧値Vmaxの2倍以内であるとすると、絶縁膜の最大厚さtmaxは2×Vmax/Ebで決定される。
CMOSプロセスで、キャパシタ絶縁膜や層間絶縁膜に一般的に用いられる材料の破壊電界強度と、一般的にCMOSロジック回路に印加可能な電圧の最大値と、絶縁膜の成膜の方法により、絶縁膜の厚さtは1nm〜100nm、特に、1nm〜25nmが望ましい厚さである。
図38は、前記実施の形態1で説明したMEMSスイッチを、回路プロックの給電用スイッチに用いた例である。図38には複数個の回路ブロックのうち、m番目の回路ブロックとn番目の回路ブロックが表記されている。
2 固定部
3 絶縁膜
4 駆動部
5 MISFET
6 層間絶縁膜
7 プラグ
8 配線
9 層間絶縁膜
10 キャップ膜
11 レジスト膜
12 導体膜
13 プラグ
14 導体膜
15 絶縁膜
16 レジスト膜
17 可動支持部
18 駆動部
19 固定部
20 犠牲膜
21 レジスト膜
22 導体膜
23 レジスト膜
24 可動部
25 犠牲膜
26 レジスト膜
27 溝
28 導体膜
29 レジスト膜
30 孔
31 導体膜
32 絶縁膜
33 レジスト膜
40 MISFET
41 層間絶縁膜
42 プラグ
43 第1配線
44 層間絶縁膜
45 プラグ
46 第2配線
47 層間絶縁膜
48 キャップ膜
49 プラグ
50 導体膜
51 絶縁膜
52 可動支持部
53 駆動部
54 固定部
55 犠牲膜
56 レジスト膜
57 溝
58 絶縁膜
59 レジスト膜
60 レジスト膜
61 導体膜
62 レジスト膜
63 可動部
64 端子部
65 犠牲膜
66 マスク
67 パイレックス(登録商標)ガラスウェハ
70 MEMSスイッチ
71 MEMSスイッチ
72 給電線
101 可動部
102 駆動部
103 固定部
Claims (22)
- 半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された可動部と固定部とを備え、前記可動部と前記固定部とを接触させる半導体装置であって、
前記可動部と前記固定部との接触面に形成された絶縁膜を有し、
前記絶縁膜は、前記可動部と前記固定部との電流経路となるように、絶縁破壊によって改質された膜であることを特徴とする半導体装置。 - 前記固定部に前記絶縁膜が形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記可動部に前記絶縁膜が形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記可動部および前記固定部の両方に前記絶縁膜が形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記可動部には、凸状の突起部が形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記半導体装置は、半導体マイクロマシニング技術を用いて半導体基板上に形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記絶縁膜の厚さと前記絶縁膜の破壊電界強度の積で決まる破壊電圧値は、前記半導体装置の駆動回路に印加可能な電圧値の2倍以内であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記絶縁膜の厚さは、1nm以上100nm以下であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記絶縁膜の厚さは、1nm以上25nm以下であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記絶縁膜は、酸化物系セラミクスから構成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記絶縁膜は、酸化アルミニウム膜、酸化タンタル膜、酸化シリコン膜、酸化ニオブ膜あるいは窒化シリコン膜のいずれかより形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 可動部と固定部とを備え、前記可動部と前記固定部とを接触させるスイッチとMISFETとを同一半導体基板上に形成した半導体装置であって、
前記スイッチは、前記可動部と前記固定部との接触面に形成された絶縁膜を有し、
前記絶縁膜は、前記可動部と前記固定部との電流経路となるように、絶縁破壊によって改質された膜であることを特徴とする半導体装置。 - 前記可動部には、複数の突起部が形成されていることを特徴とする請求項12記載の半導体装置。
- 前記半導体基板上には、多層配線層が形成され、前記スイッチは、前記多層配線層中に形成されていることを特徴とする請求項12記載の半導体装置。
- 前記可動部と前記固定部とは枠体で囲まれており、前記枠体の内部には空洞部があることを特徴とする請求項12記載の半導体装置。
- 前記スイッチは、さらに駆動部を備え、前記駆動部と前記可動部との間に所定の電圧を印加することにより、前記可動部を動かして、前記可動部と前記固定部とを接触状態あるいは非接触状態にすることを特徴とする請求項12記載の半導体装置。
- (a)半導体基板上にMISFETを形成する工程と、
(b)前記半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、
(c)前記層間絶縁膜上に第1導体膜を形成する工程と、
(d)前記第1導体膜上に第1絶縁膜を形成する工程と、
(e)前記第1導体膜および前記第1絶縁膜をパターニングして、可動支持部、駆動部および固定部を形成する工程と、
(f)前記可動支持部、前記駆動部および前記固定部を覆うように犠牲膜を形成する工程と、
(g)前記犠牲膜に、前記可動支持部の前記第1導体膜に達する開口部を形成した後、前記開口部内を含む前記犠牲膜上に第2導体膜を形成する工程と、
(h)前記第2導体膜をパターニングして、前記可動支持部に接続する可動部を形成する工程と、
(i)前記犠牲膜を除去する工程と、
(j)前記駆動部と前記可動部との間に電圧を印加して、前記可動部と前記固定部とを接触させる工程と、
(k)前記可動部と前記固定部との間に、前記固定部の前記第1絶縁膜を絶縁破壊するのに必要な電圧を印加する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記(h)工程後、
(l)前記可動部を覆う第2犠牲膜を形成する工程と、
(m)前記第2犠牲膜および前記犠牲膜に前記駆動部、前記固定部、前記可動支持部および前記可動部を囲む溝を形成し、前記溝を埋め込むことにより、前記駆動部、前記固定部、前記可動支持部および前記可動部を囲む枠体を形成する工程と、
(n)前記枠体に孔を形成する工程と、
(o)前記枠体に形成した孔から前記枠体内の第2犠牲膜および前記犠牲膜を除去する工程を備えることを特徴とする請求項17記載の半導体装置の製造方法。 - 前記(f)工程後、前記(g)工程前に、
(p)前記固定部の上部の前記犠牲膜に、前記固定部に達しない溝を形成する工程と、
(q)前記溝内を含む前記犠牲膜上に第2絶縁膜を形成する工程と、
(r)前記第2絶縁膜をパターニングして、前記溝内に前記第2絶縁膜を残す工程とを備えることを特徴とする請求項17記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1絶縁膜は、酸化アルミニウム膜、酸化タンタル膜、酸化シリコン膜、酸化ニオブ膜あるいは窒化シリコン膜のいずれかより形成されていることを特徴とする請求項17記載の半導体装置の製造方法。
- 前記絶縁膜は、前記可動部を機械的に動作させることにより、前記可動部と前記固定部との接触面を機械的に接触させ、前記絶縁膜の両端に電圧を印加することにより絶縁破壊した膜であることを特徴とする請求項1または12記載の半導体装置。
- 前記絶縁膜は、固体であることを特徴とする請求項1または12記載の半導体装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005212243A JP4489651B2 (ja) | 2005-07-22 | 2005-07-22 | 半導体装置およびその製造方法 |
US11/472,355 US7667559B2 (en) | 2005-07-22 | 2006-06-22 | Switch, semiconductor device, and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005212243A JP4489651B2 (ja) | 2005-07-22 | 2005-07-22 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007035290A JP2007035290A (ja) | 2007-02-08 |
JP4489651B2 true JP4489651B2 (ja) | 2010-06-23 |
Family
ID=37678523
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005212243A Expired - Fee Related JP4489651B2 (ja) | 2005-07-22 | 2005-07-22 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7667559B2 (ja) |
JP (1) | JP4489651B2 (ja) |
Families Citing this family (49)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7547568B2 (en) * | 2006-02-22 | 2009-06-16 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Electrical conditioning of MEMS device and insulating layer thereof |
US7493815B1 (en) * | 2006-06-07 | 2009-02-24 | The Research Foundation Of The State University Of New York | MEMS switch triggered by shock and/or acceleration |
JP2008132583A (ja) * | 2006-10-24 | 2008-06-12 | Seiko Epson Corp | Memsデバイス |
JP2008114354A (ja) * | 2006-11-08 | 2008-05-22 | Seiko Epson Corp | 電子装置及びその製造方法 |
KR100840644B1 (ko) * | 2006-12-29 | 2008-06-24 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 스위칭 소자 및 그 제조 방법 |
EP2104948A2 (en) * | 2007-02-20 | 2009-09-30 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Equipment and methods for etching of mems |
US7994594B2 (en) | 2007-03-15 | 2011-08-09 | Seiko Epson Corporation | Electronic device, resonator, oscillator and method for manufacturing electronic device |
DE102007019647A1 (de) * | 2007-04-26 | 2008-10-30 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements mit Auffüllschicht und Maskenschicht |
US8217738B2 (en) * | 2007-05-17 | 2012-07-10 | Panasonic Corporation | Electromechanical element, driving method of the electromechanical element and electronic equipment provided with the same |
US8144445B2 (en) * | 2007-06-12 | 2012-03-27 | General Electric Company | Micro-electromechanical system based switching |
CN101802985A (zh) * | 2007-09-14 | 2010-08-11 | 高通Mems科技公司 | 用于微机电系统生产的蚀刻工艺 |
CA2702561A1 (en) * | 2007-10-07 | 2009-04-16 | Jordan Scott | Portable device for detecting food allergens |
JP4492677B2 (ja) * | 2007-11-09 | 2010-06-30 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス装置、電気光学表示装置、および電子機器 |
KR100959454B1 (ko) * | 2007-12-10 | 2010-05-25 | 주식회사 동부하이텍 | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
US7990241B2 (en) * | 2008-01-22 | 2011-08-02 | Thermo Fisher Scientific, Inc. | Encapsulated switches employing mercury substitute and methods of manufacture thereof |
US9019756B2 (en) * | 2008-02-14 | 2015-04-28 | Cavendish Kinetics, Ltd | Architecture for device having cantilever electrode |
WO2009150751A1 (ja) * | 2008-06-13 | 2009-12-17 | 株式会社船井電機新応用技術研究所 | スイッチング素子 |
US20100018843A1 (en) * | 2008-07-24 | 2010-01-28 | General Electric Company | Low work function electrical component |
DE102008040758B4 (de) * | 2008-07-28 | 2017-05-18 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanische Strukturen und Verfahren zur Herstellung von mikromechanischen Strukturen |
US8445306B2 (en) * | 2008-12-24 | 2013-05-21 | International Business Machines Corporation | Hybrid MEMS RF switch and method of fabricating same |
ES2342872B1 (es) * | 2009-05-20 | 2011-05-30 | Baolab Microsystems S.L. | Chip que comprende un mems dispuesto en un circuito integrado y procedimiento de fabricacion correspondiente. |
CN102482073B (zh) * | 2009-08-24 | 2016-04-27 | 卡文迪什动力有限公司 | 用于光调制的浮动摇臂mems器件的制造 |
DE102009047599A1 (de) * | 2009-12-07 | 2011-06-09 | Ihp Gmbh - Innovations For High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut Für Innovative Mikroelektronik | Elektromechanischer Mikroschalter zur Schaltung eines elektrischen Signals, mikroelektromechanisches System, integrierte Schaltung und Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltung |
US8581679B2 (en) * | 2010-02-26 | 2013-11-12 | Stmicroelectronics Asia Pacific Pte. Ltd. | Switch with increased magnetic sensitivity |
US8576029B2 (en) * | 2010-06-17 | 2013-11-05 | General Electric Company | MEMS switching array having a substrate arranged to conduct switching current |
US8535966B2 (en) * | 2010-07-27 | 2013-09-17 | International Business Machines Corporation | Horizontal coplanar switches and methods of manufacture |
FR2964243A1 (fr) * | 2010-08-27 | 2012-03-02 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif a contact intermittent ameliore par dielectrophorese |
US20120126433A1 (en) * | 2010-11-19 | 2012-05-24 | Baolab Microsystems Sl | Methods and systems for fabrication of mems cmos devices in lower node designs |
JP2012119822A (ja) | 2010-11-30 | 2012-06-21 | Seiko Epson Corp | 電子装置、電子機器及び電子装置の製造方法 |
JP5630243B2 (ja) * | 2010-11-30 | 2014-11-26 | セイコーエプソン株式会社 | 電子装置、電子機器及び電子装置の製造方法 |
TWI574911B (zh) * | 2011-01-14 | 2017-03-21 | 煙草動力學股份有限公司 | Mems裝置製造方法及該方法所形成的裝置 |
US8378766B2 (en) * | 2011-02-03 | 2013-02-19 | National Semiconductor Corporation | MEMS relay and method of forming the MEMS relay |
EP2492239B1 (en) * | 2011-02-22 | 2020-08-26 | Sciosense B.V. | Integrated circuit with sensor and method of manufacturing such an integrated circuit |
US8551859B2 (en) * | 2011-11-10 | 2013-10-08 | International Business Machines Corporation | Biosensors integrated with a microfluidic structure |
FR2987171B1 (fr) * | 2012-02-22 | 2014-03-07 | St Microelectronics Rousset | Dispositif mecanique anti-retour integre a une ou plusieurs positions, electriquement activable |
US9165723B2 (en) | 2012-08-23 | 2015-10-20 | Harris Corporation | Switches for use in microelectromechanical and other systems, and processes for making same |
JP2014042954A (ja) * | 2012-08-27 | 2014-03-13 | Seiko Epson Corp | Mems素子、電子機器、およびmems素子の製造方法 |
US9053874B2 (en) | 2012-09-20 | 2015-06-09 | Harris Corporation | MEMS switches and other miniaturized devices having encapsulating enclosures, and processes for fabricating same |
US9053873B2 (en) | 2012-09-20 | 2015-06-09 | Harris Corporation | Switches for use in microelectromechanical and other systems, and processes for making same |
US8907849B2 (en) | 2012-10-12 | 2014-12-09 | Harris Corporation | Wafer-level RF transmission and radiation devices |
CN103723674B (zh) * | 2012-10-16 | 2016-02-17 | 国际商业机器公司 | Mems晶体管及其制造方法 |
US9203133B2 (en) | 2012-10-18 | 2015-12-01 | Harris Corporation | Directional couplers with variable frequency response |
US20140225250A1 (en) * | 2012-11-13 | 2014-08-14 | Baolab Microsystems Sl | Methods and systems for fabrication of low-profile mems cmos devices |
JP6266398B2 (ja) * | 2014-03-25 | 2018-01-24 | 新日本無線株式会社 | ヒューズ素子およびヒューズ素子の切断方法 |
US9362608B1 (en) * | 2014-12-03 | 2016-06-07 | General Electric Company | Multichannel relay assembly with in line MEMS switches |
US10854761B1 (en) * | 2015-03-30 | 2020-12-01 | Southern Methodist University | Electronic switch and active artificial dielectric |
US9466452B1 (en) * | 2015-03-31 | 2016-10-11 | Stmicroelectronics, Inc. | Integrated cantilever switch |
FR3058567B1 (fr) | 2016-11-08 | 2019-01-25 | Stmicroelectronics (Rousset) Sas | Circuit integre comportant une structure antifusible, et procede de realisation |
JP6863940B2 (ja) | 2018-09-26 | 2021-04-21 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000031397A (ja) * | 1998-07-10 | 2000-01-28 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2000149751A (ja) * | 1998-11-12 | 2000-05-30 | Nec Corp | マイクロマシンスイッチ |
JP2000156415A (ja) * | 1998-11-20 | 2000-06-06 | Matsushita Electronics Industry Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2001067964A (ja) * | 1999-08-25 | 2001-03-16 | Omron Corp | 電気接点 |
JP2001319537A (ja) * | 2000-05-09 | 2001-11-16 | Fuji Electric Co Ltd | 電磁リレー |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3560807A (en) * | 1969-02-25 | 1971-02-02 | Sprague Electric Co | Multi-shot voltage sensitive switch assembly |
US20030080839A1 (en) * | 2001-10-31 | 2003-05-01 | Wong Marvin Glenn | Method for improving the power handling capacity of MEMS switches |
AU2002359369A1 (en) * | 2001-11-09 | 2003-05-26 | Coventor, Incorporated | Trilayered beam mems device and related methods |
US20030132433A1 (en) * | 2002-01-15 | 2003-07-17 | Piner Edwin L. | Semiconductor structures including a gallium nitride material component and a silicon germanium component |
US7064637B2 (en) * | 2002-07-18 | 2006-06-20 | Wispry, Inc. | Recessed electrode for electrostatically actuated structures |
US6850133B2 (en) * | 2002-08-14 | 2005-02-01 | Intel Corporation | Electrode configuration in a MEMS switch |
JP4364565B2 (ja) * | 2003-07-02 | 2009-11-18 | シャープ株式会社 | 静電アクチュエーター,マイクロスイッチ,マイクロ光スイッチ,電子機器および静電アクチュエーターの製造方法 |
-
2005
- 2005-07-22 JP JP2005212243A patent/JP4489651B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-06-22 US US11/472,355 patent/US7667559B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000031397A (ja) * | 1998-07-10 | 2000-01-28 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2000149751A (ja) * | 1998-11-12 | 2000-05-30 | Nec Corp | マイクロマシンスイッチ |
JP2000156415A (ja) * | 1998-11-20 | 2000-06-06 | Matsushita Electronics Industry Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2001067964A (ja) * | 1999-08-25 | 2001-03-16 | Omron Corp | 電気接点 |
JP2001319537A (ja) * | 2000-05-09 | 2001-11-16 | Fuji Electric Co Ltd | 電磁リレー |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7667559B2 (en) | 2010-02-23 |
JP2007035290A (ja) | 2007-02-08 |
US20070018761A1 (en) | 2007-01-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4489651B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP4516960B2 (ja) | マイクロ電気機械的システム(mems)スイッチのスイッチ・コンタクト構造 | |
US10589991B2 (en) | Micro-electro-mechanical system (MEMS) structures and design structures | |
JP3989860B2 (ja) | 半導体微細電気機械的(mem)スイッチ | |
US7675162B2 (en) | Interconnect structure using through wafer vias and method of fabrication | |
US6720201B2 (en) | MEMS device and fabrication method thereof | |
JP2004055549A (ja) | 液体金属マイクロスイッチにおける液体分離装置 | |
US8315030B2 (en) | MEMS device and method of manufacturing the same | |
TWI643231B (zh) | 微機電系統切換裝置和製造方法 | |
JP2007159389A (ja) | 圧電型rf―mems素子及びその製造方法 | |
US9583294B2 (en) | MEMS swtich with internal conductive path | |
JP6864684B2 (ja) | Esd保護のための自然閉成型memsスイッチ | |
JP2007157714A (ja) | Memsスイッチ | |
US20200402755A1 (en) | Flexible mems device having hinged sections | |
JP2005310773A (ja) | 液体金属スイッチ、およびその製造方法 | |
JP4561072B2 (ja) | Memsスイッチを有する半導体装置 | |
CN104051385A (zh) | 堆叠式半导体结构及其形成方法 | |
US10475713B2 (en) | Controllable integrated capacitive device | |
US7358452B2 (en) | Architecture and method of fabrication for a liquid metal microswitch (LIMMS) | |
CN105712292A (zh) | 具有可移动厚隔膜的微机电系统结构 | |
KR20030083912A (ko) | Mems 밀폐구조 일괄제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071116 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091201 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100129 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100330 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100331 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130409 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130409 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140409 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |