JP2007157714A - Memsスイッチ - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、MEMSスイッチに関する。
【解決手段】MEMSスイッチは、基板と、基板上に形成された固定電極と、固定電極の両側に形成された一対の信号ラインと、信号ラインと所定間隔をおいて形成される接触部材と、信号ラインのエッジ部と接するように接触部材を可動自在に支持する保持部材と、保持部材上に設けられた可動電極とを含んで構成される。
【選択図】図6
【解決手段】MEMSスイッチは、基板と、基板上に形成された固定電極と、固定電極の両側に形成された一対の信号ラインと、信号ラインと所定間隔をおいて形成される接触部材と、信号ラインのエッジ部と接するように接触部材を可動自在に支持する保持部材と、保持部材上に設けられた可動電極とを含んで構成される。
【選択図】図6
Description
本発明は、静電力を用いるMEMSスイッチおよびその製造方法に関する。
高周波帯域で使用される数多い電子システムは、超小型化、超軽量化、高性能化が進んでいる。今までこのようなシステムにて信号を制御するために用いられているFET(Field Effect Transistor)やピンダイオード(PIN Diode)のような半導体スイッチと代替するために、マイクロマシニング(Micro Maching)という新たな技術を用いた超小型マイクロスイッチが幅広く研究されている。
MEMS技術を用いたRF素子のうち現在最も広く製造されているのがRFスイッチである。RFスイッチは、マイクロ波やミリミター波帯域の無線通信端末およびシステムにおいて、信号の選別伝送やインピーダンス整合回路などにもっとも多く応用されている素子である。
係る従来のMEMSスイッチは、固定電極にDC電圧が印加されると、固定電極および可動電極との間で帯電が起こり、従って、静電引力により可動電極が基板側に引っ張られることになる。可動電極が引っ張られることにより、可動電極に備えられた接触部材が基板上に備えられた信号ラインに接触されてスイッチングオンあるいはオフ動作を行なう。
係る従来のMEMSスイッチは、固定電極にDC電圧が印加されると、固定電極および可動電極との間で帯電が起こり、従って、静電引力により可動電極が基板側に引っ張られることになる。可動電極が引っ張られることにより、可動電極に備えられた接触部材が基板上に備えられた信号ラインに接触されてスイッチングオンあるいはオフ動作を行なう。
前述したようなMEMSスイッチに関する例が、特許文献2に開示されている。図1は、従来に係るMEMSスイッチの構成を示す図面であって、特許文献2に開示されたMEMSスイッチのオフ状態を示すものである。図2は、図1のMEMSスイッチのオン状態を示すものである。
図1および図2に示すように、従来のMEMSスイッチは、空洞部30が形成された基板28、空洞部30の少なくとも一部分に形成された固定電極38、固定電極38と所定の間隔をおいて形成され、固定電極38の所定電圧が印加されることにより固定電極38に向って変形されるメンブレイン34、および絶縁層32,40から構成される。メンブレイン34は、その周りに曲げ構造体36が備えられて弾力的に保持される。
図1および図2に示すように、従来のMEMSスイッチは、空洞部30が形成された基板28、空洞部30の少なくとも一部分に形成された固定電極38、固定電極38と所定の間隔をおいて形成され、固定電極38の所定電圧が印加されることにより固定電極38に向って変形されるメンブレイン34、および絶縁層32,40から構成される。メンブレイン34は、その周りに曲げ構造体36が備えられて弾力的に保持される。
図面にて、符号44はRF入力端を示し、符号42はDCバイアスを示し、符号46は固定キャパシタンスを示し、符号48はRF出力端を示している。
図3は、従来の技術に係る他のMEMSスイッチの構成を示す図面であって、特許文献1に開示されたMEMSスイッチの構成を示す平面図である。図4は、図3のIV−IV’線に沿った断面図であって、スイッチオフ状態を示す図面である。図5は、図3のIV―IV’線に沿った断面図であって、スイッチオン状態を示す図面である。
図3ないし図5に示すように、従来のMEMSスイッチ40は、基板44上にRF伝導体42が蒸着される。
図3は、従来の技術に係る他のMEMSスイッチの構成を示す図面であって、特許文献1に開示されたMEMSスイッチの構成を示す平面図である。図4は、図3のIV−IV’線に沿った断面図であって、スイッチオフ状態を示す図面である。図5は、図3のIV―IV’線に沿った断面図であって、スイッチオン状態を示す図面である。
図3ないし図5に示すように、従来のMEMSスイッチ40は、基板44上にRF伝導体42が蒸着される。
基板44の上部には、中央剛性体48を有するブリッジ構造体46が備えられる。中央剛性体48は、保持部材52にそれぞれ連結されたスプリングアーム50によって垂直に移動する。
中央剛性体48の中央およびエッジ部には、セグメント54,55,56が形成される。ブリッジ構造体46には、中央剛性体48の下面に一部が延長され、電極部60、61をそれぞれ形成するスプリングアーム50が形成される。これに加えて、セグメント56には、MEMSスイッチ40が動作するときRF伝導体42,43の間を電気的に接続する接触部材64が設けられる。
中央剛性体48の中央およびエッジ部には、セグメント54,55,56が形成される。ブリッジ構造体46には、中央剛性体48の下面に一部が延長され、電極部60、61をそれぞれ形成するスプリングアーム50が形成される。これに加えて、セグメント56には、MEMSスイッチ40が動作するときRF伝導体42,43の間を電気的に接続する接触部材64が設けられる。
電極部60,61は、保持部材52により保持される。
基板44上には、電極部60,61と対応する電極70,71が形成される。また、電極70,71の両側には中央剛性体48の下降動作を制限するストッパー74,75が備えられる。
米国公開特許2003−0227361号公報
米国特許6,100,477号公報
韓国公開特許2005−076149号公報
韓国公開特許2001−038214号公報
基板44上には、電極部60,61と対応する電極70,71が形成される。また、電極70,71の両側には中央剛性体48の下降動作を制限するストッパー74,75が備えられる。
しかし、前述した従来のMEMSスイッチは、メンブレイン34、接触部材64の全面が接している状態を有するため接触不良といった問題が起こりやすく、よって信頼性が低下する不都合がある。
さらに、スイッチング動作される部分が、復元力が周りに比べて割合小さいメンブレイン34の中央部および中央剛性体48の中央部であり、接触不良が発生する問題がある。
さらに、スイッチング動作される部分が、復元力が周りに比べて割合小さいメンブレイン34の中央部および中央剛性体48の中央部であり、接触不良が発生する問題がある。
一方、前述したとおりに、MEMSスイッチは、低電圧駆動のためにメンブレイン34あるいは中央剛性体48を下向き調整する場合、復元力の減少を招いて接触不良による安定性の悪化が問題になる。
本発明は前述した問題点を解決するために案出されたもので、本発明の目的は、第1に、接触不良が減少されるにつれてスイッチの安定性が図れるMEMSスイッチを提供することである。
本発明は前述した問題点を解決するために案出されたもので、本発明の目的は、第1に、接触不良が減少されるにつれてスイッチの安定性が図れるMEMSスイッチを提供することである。
前記課題を解決するために、本発明1は、下記の構成要素を含むMEMSスイッチを提供する。
・基板と、
・前記基板上に形成された固定電極と、
・前記固定電極の両側に形成された一対の信号ラインと、
・前記信号ラインから所定間隔をおいて形成される接触部材と、
・前記接触部材が前記信号ラインのエッジ部と接するように前記接触部材を可動自在に支持する保持部材と、
・前記保持部材上に設けられた可動電極。
・基板と、
・前記基板上に形成された固定電極と、
・前記固定電極の両側に形成された一対の信号ラインと、
・前記信号ラインから所定間隔をおいて形成される接触部材と、
・前記接触部材が前記信号ラインのエッジ部と接するように前記接触部材を可動自在に支持する保持部材と、
・前記保持部材上に設けられた可動電極。
接触部材において信号ラインと接触する部分が、接触部材の中央部よりも外側部分であることから、接触部分の復元力が高まる。また接触部材の中央部分より外側の側面部分が信号ラインに押しつけられることによって接触部材と信号ラインが接触し、より確実に接触部材を信号ラインに接触させることができる。よって、本発明は、接触不良が減少する利点を有する。
本発明2は、前記発明1において、前記接触部材の一部が、前記一対の信号ラインのそれぞれの一部と重畳するように形成されているMEMSスイッチを提供する。
本発明3は、前記発明1において、前記接触部材と前記一対の信号ラインとの間隔は、前記接触部材と前記固定電極との間隔とに比べて狭く形成されているMEMSスイッチを提供する。
本発明3は、前記発明1において、前記接触部材と前記一対の信号ラインとの間隔は、前記接触部材と前記固定電極との間隔とに比べて狭く形成されているMEMSスイッチを提供する。
本発明4は、前記発明2において、前記保持部材は下記の構成要素を有するMEMSスイッチを提供する。
・前記保持部材の両端部分であって、前記信号ライン上に接触する一対のアンカー部と、
・前記一対のアンカー部の間に位置する前記保持部材の一部分であって、前記接触部材を前記信号ラインから所定の間隔を保って弾力的に保持するスプリングアーム。
・前記保持部材の両端部分であって、前記信号ライン上に接触する一対のアンカー部と、
・前記一対のアンカー部の間に位置する前記保持部材の一部分であって、前記接触部材を前記信号ラインから所定の間隔を保って弾力的に保持するスプリングアーム。
接触部材において、中央部分ではなくスプリングアームによる保持部分により近い部分が信号ラインと接触するので、接触部材のスイッチング動作が小さくてすむ。よって、より低電圧で接触部材を信号ラインに接触させることができる。
本発明5は、前記発明4において、前記保持部材は、絶縁材を用いて形成されているMEMSスイッチを提供する。
本発明5は、前記発明4において、前記保持部材は、絶縁材を用いて形成されているMEMSスイッチを提供する。
本発明6は、前記発明5において、前記絶縁材は、シリコン窒化膜(SiNx)、シリコン酸化膜(SiO2)、またはポリマー(polymer)であるMEMSスイッチを提供する。
本発明7は、前記発明1において、前記可動電極は、前記接触部材の長手方向と交差する方向に延びる補助電極を有するMEMSスイッチを提供する。
本発明7は、前記発明1において、前記可動電極は、前記接触部材の長手方向と交差する方向に延びる補助電極を有するMEMSスイッチを提供する。
本発明8は、前記発明7において、前記保持部材は、前記補助電極を支持する補助保持部を有するMEMSスイッチを提供する。
本発明9は、前記発明1において、前記固定電極は、アルミニウム(Al)又は金(Au)を用いて形成されているMEMSスイッチを提供する。
本発明10は、前記発明1において、前記信号ラインは、金(Au)を用いて形成されているMEMSスイッチを提供する。
本発明9は、前記発明1において、前記固定電極は、アルミニウム(Al)又は金(Au)を用いて形成されているMEMSスイッチを提供する。
本発明10は、前記発明1において、前記信号ラインは、金(Au)を用いて形成されているMEMSスイッチを提供する。
本発明11は、前記発明1において、前記可動電極は、アルミニウム(Al)又は金(Au)を用いて形成されるMEMSスイッチを提供する。
本発明に係るMEMSスイッチは、低電圧駆動が可能であり、且つ接触部材が信号ラインのエッジ部に接することにより接触圧力が増加する利点がある。
以下、添付の図面に基づいて本発明の好適な実施形態を詳述する。
以下、添付の図面に参考して本発明に係る好適な実施形態の詳説を行なう。
図6は、本発明の一実施の形態に係るMEMSスイッチの構成を示す斜視図であって、スイッチオフ状態を示す図面である。図7は、図6のVII−VII’に沿った断面図である。
図6および図7に示すように、MEMSスイッチ100では、基板101上に固定電極103および信号ライン105a、105bが蒸着される。固定電極103は、基板101の中央部で形成され、信号ライン105a、105bは、固定電極103を挟んで両側にそれぞれ形成される。ここで、信号ライン105a、105bの厚さが固定電極103の厚さより厚く蒸着され、信号ライン105a、105bの厚さと固定電極103の厚さが所定のギャップ(G1)をなすように蒸着される。ここで、固定電極103は、アルミニウム(Al)又は金(Au)のような導電性材質を用いて形成され、信号ライン105a、105bは導電性材質で、例えば、金(Au)を用いて形成されることができる。
図6は、本発明の一実施の形態に係るMEMSスイッチの構成を示す斜視図であって、スイッチオフ状態を示す図面である。図7は、図6のVII−VII’に沿った断面図である。
図6および図7に示すように、MEMSスイッチ100では、基板101上に固定電極103および信号ライン105a、105bが蒸着される。固定電極103は、基板101の中央部で形成され、信号ライン105a、105bは、固定電極103を挟んで両側にそれぞれ形成される。ここで、信号ライン105a、105bの厚さが固定電極103の厚さより厚く蒸着され、信号ライン105a、105bの厚さと固定電極103の厚さが所定のギャップ(G1)をなすように蒸着される。ここで、固定電極103は、アルミニウム(Al)又は金(Au)のような導電性材質を用いて形成され、信号ライン105a、105bは導電性材質で、例えば、金(Au)を用いて形成されることができる。
固定電極103および固定電極103を挟んで位置する各信号ライン105a、105bの一部には接触部材107が設けられる。なお、接触部材107は、保持部材109を介して信号ライン105a、105bから所定のギャップ(G2)をおいて設けられる。ここで、信号ライン105a、105bと接触部材107とのギャップ(G2)は、固定電極103と接触部材107との間隔に比べて狭い。このように形成することによって、接触部材107は、信号ライン105a、105bのエッジ部(E1,E2)に接触する。従って、接触部材107の中央部分より外側の側面部分が信号ライン105a、105bに押しつけられることによって、接触部材と信号ラインとが確実に接触するようになり、接触不良の問題を解消することができる。 保持部材109は、アンカー部109a、109bとアンカー部109a、109bとを有する。アンカー部109a、109bは、保持部材109の両端部分に形成され、信号ライン105a、105bの上面に接触する。スプリングアーム109cは、保持部材109においてアンカー部109a、109bの間に位置する。スプリングアーム109cは、接触部材107を信号ライン105a、105bから所定のギャップ(G2)を保って弾力的に保持する。ここで、保持部材109は絶縁材で形成され、例えば、シリコン窒化膜(SiNx)、シリコン酸化膜(SiO2)、ポリマー(polymer)などから形成され得る。従って、保持部材109は、接触部材107を保持するアンカーの役割を行なうと同時に、後述する可動電極111および固定電極103との間を絶縁する役割を行なう。係る構造の場合、アンカーおよび絶縁層をそれぞれ別に構成することで、その構造が複雑になり工程数が増加することを解消できる。
保持部材109上には、可動電極111が蒸着される。このとき、可動電極111は、接触部材107の長手方向と交差する方向に補助電極111a、111bを加えて形成されることもできる。図6では、可動電極111は、接触部材107の長手方向と交差する方向に補助電極111a、111bを加えて形成されている。なお、保持部材109にも補助電極111a、111bを保持する補助保持部109d、109eが加えられて形成することが好ましい。ここで、可動電極111は、固定電極103と同様にアルミニウム(Al)又は金(Au)のような材質から形成することができる。
次に、前述のような本発明に係るMEMSスイッチの動作について、簡略に説明する。
図8は、本発明に係るMEMSスイッチのオン状態を示す斜視図である。図9は、図8のIX−IX’線に沿った断面図である。
図8および図9によると、固定電極103に所定の電圧が印加されると、固定電極103および可動電極111の間に帯電が起こり、静電引力により可動電極111は固定電極103に向って下降する。
図8は、本発明に係るMEMSスイッチのオン状態を示す斜視図である。図9は、図8のIX−IX’線に沿った断面図である。
図8および図9によると、固定電極103に所定の電圧が印加されると、固定電極103および可動電極111の間に帯電が起こり、静電引力により可動電極111は固定電極103に向って下降する。
このように可動電極111の下向き動作により、保持部材109および接触部材107も共に下向き移動して、接触部材107が信号ライン105a、105bのエッジ部(E1、E2)に接して信号ライン105a、105bを接続する。このように接触部材107が信号ライン105a、105bのエッジ部(E1,E2)に接触されることにより接触力は従来に比べて増大され、接触不良の問題を解消する。
さらに、接触される位置が、可動電極111の中央部を離れた位置、即ち、アンカー部109a、109bに近接した位置にあることから復元力が増大する。即ち、接触部材107は、信号ライン105a、105bのエッジ部(E1,E2)に接触する。従って、接触部材107の中央部分より外側の湾曲部分が信号ライン105a、105bに押しつけられることにより、接触部材と信号ラインが接触する。よって、接触力は従来に比べて増大され、接触不良の問題を解消する。また、接触部材107において中央部分ではなくスプリングアームによる保持部分により近い部分が信号ライン105a、105bのエッジ部(E1,E2)と接触する。接触部材107のスイッチング動作が小さくてすみ、より低電圧で接触部材を信号ラインに接触させることができる。
さらに、接触部材107が信号ライン105a、105bのエッジ部(E1,E2)に接触して残り物(例えば、後述する犠牲層106が完全に除去できず残ったもの)の影響を最小化することで、コンタクト抵抗を減少させることのできる利点をもつ。
前述した構成において、信号ライン105a、105bのエッジ部(E1,E2)が、信号ライン105a、105bの断面形状が直角をなして形成された角部によるものを例に挙げて説明したが、接触性を向上させるための様々な形態で変更適用できる。
前述した構成において、信号ライン105a、105bのエッジ部(E1,E2)が、信号ライン105a、105bの断面形状が直角をなして形成された角部によるものを例に挙げて説明したが、接触性を向上させるための様々な形態で変更適用できる。
次に、前述のMEMSスイッチ100の製造過程について詳説する。
図10Aないし図10Fは、本発明によるMEMSスイッチの製造過程を示す工程図である。
図10Aに示すように、基板101上に固定電極103を形成してから信号ライン105a、105bを形成する。固定電極103および信号ライン105a、105bは、導電性材質を用いて形成されることが好ましい。固定電極103は、例えば、アルミニウム(Al)や金(Au)のような金属を用いて形成され、信号ライン105a、105bは金(Au)のような導電性材質を用いて形成されることが好ましい。このとき、固定電極103および信号ライン105a、105bは、一般にスパッタリング(Sputtering)や蒸気蒸着(Evaporation)によって蒸着されることができる。
図10Aないし図10Fは、本発明によるMEMSスイッチの製造過程を示す工程図である。
図10Aに示すように、基板101上に固定電極103を形成してから信号ライン105a、105bを形成する。固定電極103および信号ライン105a、105bは、導電性材質を用いて形成されることが好ましい。固定電極103は、例えば、アルミニウム(Al)や金(Au)のような金属を用いて形成され、信号ライン105a、105bは金(Au)のような導電性材質を用いて形成されることが好ましい。このとき、固定電極103および信号ライン105a、105bは、一般にスパッタリング(Sputtering)や蒸気蒸着(Evaporation)によって蒸着されることができる。
基板101は、例えばシリコン基板が使用され得る。
信号ライン105a、105bの厚さが固定電極103より厚く形成され、信号ライン105a、105bとおよび固定電極103とが所定のギャップ(G1)をなすよう形成する。
図10Bを参照すると、固定電極103および信号ライン105a、105bの一部に犠牲層106を蒸着する。ここで、犠牲層106は、例えばフォトレジストが用いられ、このフォトレジストは、例えばスピンコーター(spin coater)によって塗布される。このように蒸着された犠牲層106は、キュアリング(CURING)固定が行なわれる。キュアリング工程とは、高温の状態で行なわれる後述の接触部材107、保持部材109、および可動電極111の形成工程において、犠牲層106をなしている成分が喪失されるなどの問題を防止するために犠牲層106を高温の条件で予熱する工程を指す。
信号ライン105a、105bの厚さが固定電極103より厚く形成され、信号ライン105a、105bとおよび固定電極103とが所定のギャップ(G1)をなすよう形成する。
図10Bを参照すると、固定電極103および信号ライン105a、105bの一部に犠牲層106を蒸着する。ここで、犠牲層106は、例えばフォトレジストが用いられ、このフォトレジストは、例えばスピンコーター(spin coater)によって塗布される。このように蒸着された犠牲層106は、キュアリング(CURING)固定が行なわれる。キュアリング工程とは、高温の状態で行なわれる後述の接触部材107、保持部材109、および可動電極111の形成工程において、犠牲層106をなしている成分が喪失されるなどの問題を防止するために犠牲層106を高温の条件で予熱する工程を指す。
図10Cに示すように、犠牲層106の上側に接触部材107を形成する。ここで、接触部材107は、導電性材質として、例えば、金(Au)、イリジウム(Ir)、白金(Pt)などが使用される。ことのき蒸着は、スパッタリングや蒸気蒸着によって行なわれる。接触部材107は、固定電極103と交差するように固定電極103の中央部を横切って、その一部が信号ライン105a、150bのそれぞれ一部と重畳される長さを有するべく形成することが好ましい。
図10Dに示すように、接触部材107が形成された上側に保持部材109を形成する。このとき、保持部材109の一端は、信号ライン105a、150bと接触されて接触部材107を保持するアンカー部109a、109bをなし、犠牲層106と接した部分はスプリングアーム109cをなす。ここで、接触部材107の長手方向と交差している方向に沿って補助保持部109d、109eを追加形成することが好ましい。なお、図10Dでは、接触部材107の長手方向と交差している方向に沿って補助保持部109d、109eを追加形成されている。このとき保持部材109は、絶縁性の材質であることが好ましく、例えば、シリコン窒化膜(SiNx)、シリコン酸化膜(SiO2)、ポリマー(polymer)などが使用される。シリコン窒化膜の蒸着はプラズマ化学蒸着(PE−CVD)によるものであり、ポリマー蒸着はスピンコーティングによって行われる。
図10Eを参照すると、固定電極103と対応する可動電極111を形成する。ここで、可動電極111は、固定電極103と同様に導電性材質から形成されることが好ましく、接触部材107の幅に当たる分だけ形成されることもできるが、補助保持部109d、109eの上側に蒸着された補助電極部111a、111bを追加形成することが好ましい。
図10Fを参照すると、犠牲層106を取除き、接触部材107を信号ライン105a、105bの上面から所定のギャップ(G2)をおいて離隔するよう構成することでMEMSスイッチ100を完成する。ここで、犠牲層106の除去はアッシュ(ashing)工程によって行なわれる。
図10Fを参照すると、犠牲層106を取除き、接触部材107を信号ライン105a、105bの上面から所定のギャップ(G2)をおいて離隔するよう構成することでMEMSスイッチ100を完成する。ここで、犠牲層106の除去はアッシュ(ashing)工程によって行なわれる。
以上、図面に基づいて本発明の好適な実施形態を図示および説明してきたが本発明の保護範囲は、前述の実施形態に限定するものではなく、特許請求の範囲に記載された発明とその均等物にまで及ぶものである。
100 MEMSスイッチ
101 基板
103 固定電極
105a、105b 信号ライン
107 接触部材
109 保持部材
109a、109b アンカー部
109c スプリングアーム
109d、109e 補助保持部
111 可動電極
111a、111b 補助電極
101 基板
103 固定電極
105a、105b 信号ライン
107 接触部材
109 保持部材
109a、109b アンカー部
109c スプリングアーム
109d、109e 補助保持部
111 可動電極
111a、111b 補助電極
Claims (11)
- 基板と、
前記基板上に形成された固定電極と、
前記固定電極の両側に形成された一対の信号ラインと、
前記信号ラインから所定間隔をおいて形成された接触部材と、
前記接触部材が前記信号ラインのエッジ部と接するように前記接触部材を可動自在に支持する保持部材と、
前記保持部材上に設けられた可動電極と、
を含むMEMSスイッチ。 - 前記接触部材の一部が、前記一対の信号ラインのそれぞれの一部と重畳するように形成されている、請求項1に記載のMEMSスイッチ。
- 前記接触部材と前記一対の信号ラインとの間隔は、前記接触部材と前記固定電極との間隔とに比べて狭く形成されている、請求項1に記載のMEMSスイッチ。
- 前記保持部材は、
前記保持部材の両端部分であって、前記信号ライン上に接触する一対のアンカー部と、
前記一対のアンカー部の間に位置する前記保持部材の一部分であって、前記接触部材を前記信号ラインから所定の間隔を保って弾力的に保持するスプリングアームと、
を有する、請求項2に記載のMEMSスイッチ。 - 前記保持部材は、絶縁材を用いて形成されている、請求項4に記載のMEMSスイッチ。
- 前記絶縁材は、シリコン窒化膜(SiNx)、シリコン酸化膜(SiO2)、又はポリマー(polymer)である、請求項5に記載のMEMSスイッチ。
- 前記可動電極は、前記接触部材の長手方向と交差する方向に延びる補助電極を有する、請求項1に記載のMEMSスイッチ。
- 前記保持部材は、前記補助電極を支持する補助保持部を有する、請求項7に記載のMEMSスイッチ。
- 前記固定電極は、アルミニウム(Al)又は金(Au)を用いて形成されている、請求項1に記載のMEMSスイッチ。
- 前記信号ラインは、金(Au)を用いて形成されている、請求項1に記載のMEMSスイッチ。
- 前記可動電極は、アルミニウム(Al)又は金(Au)を用いて形成される、請求項1に記載のMEMSスイッチ。
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