CN101375291A

CN101375291A - 顺序存取存储器

Info

Publication number: CN101375291A
Application number: CNA2007800032000A
Authority: CN
Inventors: 朝内升
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2006-01-17
Filing date: 2007-01-16
Publication date: 2009-02-25
Also published as: US20070165482A1; TW200802030A; US7599247B2; EP1975842A1; JP2007193417A; KR20080094007A; JP4802722B2; WO2007083790A1; EP1975842A4

Abstract

半导体存储设备(10)包括具有EEPROM阵列(101)和掩膜ROM阵列(102)的存储阵列。在EEPROM阵列(101)的起始3个地址存储用于识别各个半导体存储设备的识别信息。在EEPROM阵列(101)的第9个地址～第16个地址中存储与墨水量有关的8比特数据。在EEPROM阵列(101)的第17个地址～第24个地址具有存储了在一定条件下可改写的8比特的使用历史信息的使用历史信息存储区域。

Description

顺序存取存储器

技术领域

本发明涉及被顺序存取的半导体存储设备以及具有被顺序存取的半导体存储设备的印刷记录材料容纳体。

背景技术

已知有只允许对存储阵列的数据单元进行顺序存取的半导体存储设备，例如EEPROM。这样的半导体存储设备由于比较便宜，因此例如被用作用于保持与容纳耗材的容纳体有关的信息的存储设备。与容纳耗材的容纳体有关的信息例如公知有与使用历史有关的数据。这里，容纳耗材的容纳体的使用历史数据一方面具有随着耗材容纳体的使用而被更新的性质，另一方面，为了将其作为有用的历史信息来使用，而被要求防止由于错误地写入而导致使用历史数据的改变。

但是，例如，有时要输入到半导体存储设备中的数据也会在传送过程中发生数据混乱，此时，即使在半导体存储设备中正常地进行了数据的改写，也会在半导体存储设备中记录错误的数据。另外，在顺序存取方式的存储器中，由于在对低位地址进行存取时也对存储在高位地址中的各个数据执行存取，因此，当由于干扰等而引起读写指令翻转时，有可能导致没有预定改写的地址的数据被改写。而且，由于使用历史数据具有被更新或改写的特性，因此不允许妨碍更新或改写。

发明内容

本发明是为解决上述问题而完成的，其目的在于，在半导体存储设备中，一方面允许与使用历史有关的数据的更新或改写，另一方面提高与使用历史有关的数据的可靠性。

为了解决上述问题，本发明的第一方面提供了一种顺序存取方式的存储设备。本发明的第一方面涉及的存储设备包括：被顺序存取的非易失性的存储阵列，该存储阵列具有用于存储与使用历史信息有关的数据的以预定比特为单位的使用历史信息存储区域；输入输出部，用于输入输出数据；判断部，判断经由所述输入输出部输入的、针对所述使用历史信息存储区域的以所述预定比特为单位的写入数据的值是否为比存储在所述使用历史信息存储区域中的以所述预定比特为单位的所述使用历史信息的数据的值大的值；写入装置，用于对所述存储阵列以所述预定比特为单位执行写入；以及控制装置，在所述写入数据的值是比存储在所述使用历史信息存储区域中的所述使用历史信息的数据值大的值的情况下，使所述写入装置执行所述写入数据向所述存储阵列的所述使用历史信息存储区域中的写入。

根据本发明第一方面涉及的存储设备，当写入数据的值是比存储在使用历史信息存储区域中的使用历史信息的数据值大的值时，使写入装置执行写入数据向存储阵列的使用历史信息存储区域中的写入，因此在半导体存储设备中一方面能够允许与使用历史有关的数据的更新或改写，另一方面能够提高与使用历史有关的数据的可靠性。其结果是，能够抑制不希望的、与使用历史有关的数据的改写。

在本发明第一方面涉及的存储设备中，也可以在所述使用历史信息存储区域中，从高位比特开始按照使用时期的先后历史顺序存储了使用历史信息。在此情况下，能够按照使用时期的先后历史顺序从高位比特依次写入使用历史信息。

本发明的第二方面提供一种顺序存取方式的存储设备。本发明的第二方面涉及的存储设备包括：被顺序存取的非易失性的存储阵列，该存储阵列具有用于存储与使用历史信息有关的数据的以预定比特为单位的使用历史信息存储区域；输入输出部，用于输入输出数据；判断部，判断经由输入输出部输入的、针对所述使用历史信息存储区域的以所述预定比特为单位的写入数据的值是否为比存储在所述使用历史信息存储区域中的以所述预定比特为单位的所述使用历史信息的数据的值小的值；写入装置，用于对所述存储阵列以所述预定比特为单位执行写入；以及控制装置，在所述写入数据的值是比存储在所述使用历史信息存储区域中的所述使用历史信息的数据值小的值的情况下，使所述写入装置执行所述写入数据向所述存储阵列的所述使用历史信息存储区域中的写入。

根据本发明的第二方面涉及的存储设备，当写入数据的值是比存储在使用历史信息存储区域中的使用历史信息的数据值小的值时，使写入装置执行写入数据向存储阵列的使用历史信息存储区域中的写入，因此在半导体存储设备中，一方面能够允许与使用历史有关的数据的更新或改写，另一方面能够提高与使用历史有关的数据的可靠性。其结果是，能够抑制不希望的与使用历史有关的数据的改写。

在本发明的第二方面涉及的存储设备中，也可以在所述使用历史信息存储区域中，按照使用时期的先后历史顺序从低位比特存储使用历史信息。在此情况下，能够按照使用时期的先后历史顺序从低位比特依次写入使用历史信息。

在本发明的第一或者第二方面涉及的存储设备中，所述存储阵列具有多个由所述地址特定并用于存储比特数据的存储单元，所述使用历史信息存储区域可以由与所述多个存储单元中的与所述使用历史信息的比特数相对应的数目的存储单元构成。在此情况下，能够对每个存储单元分配使用历史信息。

在本发明的第一或者第二方面涉及的存储设备中，所述使用历史信息存储区域还可以进一步由从所述存储阵列中的起始的存储单元连续的、与所述使用历史信息的比特数相对应的数目的存储单元形成。在此情况下，能够先于其他存储信息而执行使用历史信息的改写、读出。

在本发明的第一或者第二方面涉及的存储设备中，所述存储阵列可以在高位地址具有所述使用历史信息存储区域。在此情况下，能够提前执行使用历史信息的改写、读出。

在本发明的第一或者第二方面涉及的存储设备中，所述存储阵列可以在包含最高位地址的高位地址中具有所述使用历史信息存储区域。在此情况下，能够先于其他的存储信息而执行使用历史信息的改写、读出。

本发明的第三方面提供一种容纳印刷记录材料的印刷记录材料容纳体。本发明的第三方面涉及的印刷记录材料容纳体包括：本发明第一方面涉及的存储设备；以及容纳所述印刷记录材料的印刷记录材料容纳部。

根据本发明第三方面涉及的印刷记录材料容纳体，一方面能够允许与印刷记录材料容纳体的使用历史有关的信息的更新或改写，另一方面，能够提高与使用历史有关的信息的可靠性。

本发明的第三方面涉及的印刷记录材料容纳体在所述存储设备的所述使用历史信息存储区域中，可以至少在从其起始地址开始连续的3个地址存储所述存储设备的检查历史、所述印刷记录材料容纳体的使用历史、以及表示所述印刷记录材料小于预定量的墨水用尽信息。在此情况下，能够对这三种信息优先进行写入。

本发明的第四方面提供了一种容纳印刷记录材料的印刷记录材料容纳体。本发明的第四方面涉及的印刷记录材料容纳体包括：本发明第二方面涉及的存储设备；以及容纳所述印刷记录材料的印刷记录材料容纳部。

根据本发明的第四方面涉及的印刷记录材料容纳体，一方面能够允许与印刷记录材料容纳体的使用历史有关的信息的更新或改写，另一方面能够提高与使用历史有关的信息的可靠性。

本发明的第四方面涉及的印刷记录材料容纳体在所述存储设备的所述使用历史信息存储区域中，可以至少在连续至其末尾地址的3个地址存储所述存储设备的检查历史、所述印刷记录材料容纳体的使用历史、以及表示所述印刷记录材料小于预定量的墨水用尽信息。在此情况下，对于这三种信息能够优先执行写入。

本发明的第五方面提供一种印刷设备，在该印刷设备上可装卸地安装印刷记录材料容纳体，所述印刷记录材料容纳体包括存储设备，在所述存储设备中至少存储了存储设备的检查历史、印刷记录材料容纳体的使用历史、清洗历史、以及墨水用尽历史，以作为与印刷记录材料容纳体有关的使用历史信息，并且只记录比已有数据的值大的值的数据来作为使用历史信息。本发明第五方面涉及的印刷设备包括：检测单元，检测与使用历史信息有关的事件的发生；使用历史信息取得单元，取得与检测出的事件相对应的使用历史信息，所述使用历史信息的值按照预先确定的事件发生顺序而增加；以及发送单元，将所述取得的使用历史信息发送给所述印刷记录材料容纳体。

根据本发明的第五方面的印刷设备，能够将与检测出的事件相对应并且其值按照预先确定的事件发生顺序而增加的使用历史信息记录到印刷记录材料容纳体所具有的存储设备中。因此，一方面能够允许与印刷记录材料容纳体的使用历史有关的信息的更新或改写，另一方面能够提高与使用历史有关的信息的可靠性。

本发明的第六方面提供了一种印刷设备，在该印刷设备上可装卸地安装印刷记录材料容纳体，所述印刷记录容纳体包括存储设备，在所述存储设备中至少存储了存储设备的检查历史、印刷记录材料容纳体的使用历史、清洗历史、以及墨水用尽历史，以作为与印刷记录材料容纳体有关的使用历史信息，并且只记录比已有数据的值小的值的数据来作为使用历史信息。本发明第六方面涉及的印刷装置包括：检测单元，检测与使用历史信息有关的事件的发生；使用历史信息取得单元，取得与检测出的事件相对应的使用历史信息，所述使用历史信息的值按照预先确定的事件发生顺序而减少；以及发送单元，将所述取得的使用历史信息发送给所述印刷记录材料容纳体。

根据本发明第六方面涉及的印刷设备，能够将与检测出的事件相对应并且其值按照预先确定的事件发生顺序而减少的使用历史信息记录到印刷记录材料容纳体所具有的存储设备中。因此，一方面能够允许与印刷记录材料容纳体的使用历史有关的信息的更新或改写，另一方面能够提高与使用历史有关的信息的可靠性。

在本发明的第五或者第六方面涉及的印刷设备中，所述使用历史信息取得单元从所述存储设备取得所述使用历史信息，

并且，所述印刷设备还可以包括：印刷请求接受单元，接受印刷请求；以及印刷执行部，在所述存储设备的检查历史不表示已检查完毕的情况下，该印刷执行部不执行所述接受的印刷请求。在此情况下，能够抑制由于使用具有没有检查过的存储设备的印刷记录材料容纳体而引起印刷处理产生问题。

在本发明的第五或者第六方面涉及的印刷设备中，也可以在所述存储设备的检查历史表示已检查完毕、并且印刷记录材料容纳体的使用历史不表示已使用过的情况下，所述发送单元向所述存储设备发送已使用过的历史信息的写入请求。在此情况下，能够将印刷记录材料容纳体的使用历史写入印刷记录材料容纳体所具有的存储设备中。

本发明的第五以及第六方面涉及的印刷设备除此之外还能够以对于存储设备的使用历史信息的写入控制方法、程序、以及记录有程序的计算机可读记录介质的方式来实现。

附图说明

图1是示出本实施例涉及的半导体存储设备的功能性内部结构的框图；

图2是示意性地示出本实施例涉及的半导体存储设备所具有的存储阵列的内部结构映射的说明图；

图3是示意性地示出在本实施例中写入使用历史信息存储区域中的写入数据串的说明图；

图4是示出在本实施例中对于使用历史信息存储区域可写入的数据串和不可写入的数据串的例子的说明图；

图5是示出执行读出动作时的复位信号RST、外部时钟信号SCK、数据信号SDA、以及地址计数器值的时间关系的时序图；

图6是示出执行写入动作时的信号RST、外部时钟信号SCK、数据信号SDA、以及地址计数器值的时间关系的时序图；

图7是示出由本实施例涉及的半导体存储设备执行的写入处理中的增量确认处理的处理例程的流程图；

图8是示出由本实施例涉及的半导体存储设备执行的写入处理中的数据校验处理的处理例程的流程图；

图9是示出本实施例涉及的印刷设备的概要结构的说明图；

图10是使用功能块示意性地示出本实施例涉及的印刷设备所具有的控制电路的内部结构以及控制电路与各个半导体存储设备的连接的说明图；

图11是示意性地示出写入本实施例的半导体存储设备的使用历史数据串的一个示例的说明图；

图12是示出在本实施例涉及的半导体存储设备10的使用历史信息存储区域UHI中各个使用历史信息的存储位置的分配的一个示例的说明图；

图13是示出在向半导体存储设备写入使用历史数据的写入控制处理中执行的处理例程的流程图，其中，所述写入控制处理由本实施例涉及的印刷设备执行；

图14是示出对本实施例涉及的半导体存储设备执行的写入测试步骤的一个示例的说明图；

图15是示出其他实施例中的16比特的使用历史信息数据串的一个示例的说明图。

具体实施方式

下面，参考附图并基于实施例对本发明涉及的存储设备、对于存储设备的数据的写入控制方法、以及印刷设备进行说明。

半导体存储设备的结构

参考图1和图2来对本实施例涉及的半导体存储设备的结构进行说明。图1是示出本实施例涉及的半导体存储设备的功能性内部结构的框图。图2是示意性地示出本实施例涉及的半导体存储设备所具有的存储阵列的内部结构映射的说明图。

本实施例涉及的半导体存储设备10是一种不需要从外部输入用于指定存取目的地址的地址数据的顺序存取方式的存储设备。半导体存储设备10包括：存储阵列100、地址计数器110、IN/OUT控制器120、ID比较器130、写/读控制器140、增量控制器150、电荷泵电路160、8比特锁存器(latch register)170。这些各个电路通过总线式信号线连接。

半导体存储设备10包括：用于从外部控制设备输入复位信号的复位信号端子RSTT；用于从外部控制设备输入外部时钟信号的时钟信号端子SCKT；基准电位端子(负极电源端子)VSST；用于从外部控制设备输入驱动电压的电源端子(正极电源端子)VDDT，其中该驱动电压用来驱动半导体存储设备10；以及数据信号端子SDAT，其用于在导体存储设备10与外部控制设备之间执行数据信号的输入输出。

存储阵列100包括EEPROM阵列101和掩模ROM阵列102。EEPROM阵列101是具有电可擦写数据的EEPROM特性的存储区域，在本实施例中使用的EEPROM阵列101在写入数据时，能够不擦除已有数据而直接写入数据。掩模ROM阵列102是具有在制造工序中写入数据并不可擦除、改写的掩模ROM特性的存储区域。

在存储阵列100的EEPROM阵列101以及掩模ROM阵列102中具有多个存储1比特信息的数据单元(存储单元)，在图2中示意性地示出了该数据单元。在本实施例中，如图2所示，存储阵列100在1行中具有作为预定的比特单位的8个地址(与8比特数据相应的地址)，例如，在EEPROM阵列101中，配置成1行8个数据单元(8比特)、1列16个数据单元(16字)，可存储16字×8比特(128比特)的数据。在掩模ROM阵列102中，配置成1行8个数据单元(8比特)、1列8个数据单元(8字)，从而可存储8字×8比特(64比特)的数据。

参考图2，对存储阵列100的地址映射进行说明。如上所述，本实施例中的存储阵列100如上所述包括EEPROM阵列101和掩模ROM阵列102。在EEPROM阵列101的起始的3个地址(第1行的A0～A2列，3比特)中，存储有用于识别各个半导体存储设备的识别信息(ID信息)。对包含起始3个地址在内的第1行的写入被禁止，例如，在出厂后不能改写。

在图2的例子中，在EEPROM阵列101的第9个地址(08H)～第16个地址(OFH)中，存储了与墨水量有关的8比特数据，例如墨水余量数据或者墨水消耗量数据。另外，在EEPROM阵列101的第17个地址(10H)～第24个地址(17H)中，存储了在一定条件下可改写的8比特的使用历史信息。另外，在本实施例中，将由该第17个地址～第24个地址构成的行称为写入限制行，或者将该第17个地址～第24个地址的8个地址称为预定比特单位的使用历史信息存储区域UHI。

在使用历史信息存储区域UHI中存储有与相应于半导体存储设备10的用途的半导体存储设备10的使用历史相关的信息、或者与具有半导体存储设备10的对象物的使用历史相关的信息。在本实施例中，对于将半导体存储设备10用在印刷记录材料容纳体上的应用例，将在后面进行更详细的描述。

这里，所谓一定条件例如在对于预定比特单位的使用历史信息存储区域UHI允许写入比已有数据的值大的值的写入数据时，是指被写入的数据的值大于已有数据的值的情况(增加数据)，或者，在对于预定比特单元的使用历史信息存储区域UHI允许写入比已有数据的值小的值的写入数据时，是指被写入的数据的值小于已有数据的值的情况(减少数据)。

参考图3和图4，例示性地说明对于存储阵列100允许写入的情况和不允许写入的情况。图3是示意性地示出在本实施例中写入使用历史信息存储区域UHI的写入数据串的说明图。图4是示出在本实施例中对于使用历史信息存储区域可写入的数据串和不可写入的数据串的例子的说明图。在图4中将存储阵列100的地址取为横轴，左端是最高位比特(MSB)，右端为最低位比特(LSB)。如上所述，地址10H～17H相当于使用历史信息存储区域UHI。

在本实施例中，写入存储阵列100的数据串包括：包含识别信息(ID0～2)、读写指令W/R、以及操作码的数据串；包含与墨水量有关的信息的数据串；以及包含使用历史数据的数据串。在使用历史数据中，例如包含表示半导体存储设备10是否已试验完毕的试验结果数据。

(1)在第1例A中，由于与使用历史信息存储区域UHI相对应的写入数据DI(80h)大于已有数据DE(40h)，因此允许写入。

(2)在第2例B中，由于与使用历史信息存储区域UHI相对应的写入数据DI(20h)小于已有数据DE(40h)，因此不允许写入。

EEPROM阵列101的第25个地址及其以后的地址为禁止写入的只读区域，例如，在出厂后不能改写。

掩膜ROM阵列102已在制造存储阵列时写入信息(数据)，在完成存储阵列制造后即使在出厂前也不能执行写入。

本实施例中的存储阵列100如上所述具有多个以8比特为单位的行，但是各行并不是独立的数据单元队列，可以说是将一条数据单元队列以8比特为单位折弯来实现的。即，只不过简单地将含有第9比特的行称为第2个字节，将含有第17比特的行称为第3个字节。其结果是，若要对存储阵列100中的期望的地址进行存取，则需要从起始开始依次进行存取，即需要进行顺序存取方式的存取，不能进行在随机存取方式下可实现的对期望的地址的直接存取。

存储阵列100中的各数据单元与字线和比特(数据)线连接，通过选择(施加选择电压)对应的字线(行)并向对应的比特线施加写入电压，而向数据单元写入数据。另外，选择对应的字线(行)，将对应的比特线连接到IN/OUT控制器120上，并通过有没有检测到电流来读出数据单元的数据(1或0)。此外，本实施例中的预定比特单位可以说是通过向一条字线施加写入电压而可写入的比特数(数据单元数、地址数)。

列选择电路103根据由地址计数器110计数的外部时钟脉冲数，依次将列(比特线)连接到IN/OUT控制器120上。行选择电路104根据由地址计数器110计数的外部时钟脉冲数，依次向行(字线)施加选择电压。即，在本实施例涉及的半导体存储设备10中，不执行使用地址数据对存储阵列100进行的存取，而是根据由专用地址计数器110计数的时钟脉冲数来对期望的地址执行存取。

地址计数器110与复位信号端子RSTT、时钟信号端子SCKT、列选择电路103、行选择电路104连接。通过将经由复位信号端子RSTT而输入的复位信号设为0(或者为“低”)，地址计数器110被复位为初始值，并在复位信号为1之后，地址计数器110与经由外部时钟信号端子SCKT而输入的时钟脉冲的下降沿同步地对时钟脉冲数进行计数(增加计数值)。在本实施中使用的地址计数器110是8比特的地址计数器，其存储与存储阵列100的1行的数据单元数(比特数)相对应的8个时钟脉冲数。此外，初始值只要与存储阵列100的起始位置相关联就可以是任意值，通常将0用作初始值。

IN/OUT控制器120是用于向存储阵列100传送被输入到数据信号端子SDAT上的写入数据、或者接收从存储阵列100读出的数据并将其向数据信号端子SDTA输出的电路。IN/OUT控制器120与数据信号端子SDAT、复位信号端子RSTT、存储阵列100、写/读控制器140连接，根据来自写/读控制器140的请求，对向存储阵列100的数据传送方向以及向数据信号端子SDAT(与数据信号端子SDAT连接的信号线)的数据传送方向进行切换控制。在数据信号端子SDTA向IN/OUT控制器120的输入信号线上，连接有暂时存储从数据信号端子SDAT输入的写入数据的8比特锁存器170。

在8比特锁存器170中，保持从数据信号端子SDAT经输入信号线输入的数据串(MSB)直到达到8比特，在达到8比特时，向EEPROM阵列101写入所保持的8比特数据。8比特锁存器170是所说的FIFO型移位寄存器，当新锁存输入数据的第9比特时，释放已锁存的第1比特数据。

IN/OUT控制器120在接通电源时、或者在复位时，将向存储阵列100的数据传送方向设定为读出方向，并使8比特锁存器170和IN/OUT控制器120之间的输入信号线为高阻抗，由此禁止对数据信号端子SDAT输入数据。该状态被维持到由写/读控制器140输入写入处理请求为止。进而，在输入复位信号之后，经由数据信号端子SDAT而输入的数据串的起始4比特数据不被写入存储阵列100中，另一方面，存储在存储阵列100的起始4比特(其中第4比特是无关的)的数据被送入ID比较器130中。其结果是存储阵列100的起始4比特成为只读状态。

ID比较器130与时钟信号端子SCKT、数据信号端子SDAT、复位信号端子RSTT连接，并判断经由数据信号端子SDAT而输入的输入数据串中所包含的识别数据与存储阵列100(EEPROM阵列101)中存储的识别数据是否一致。具体地说，ID比较器130取得在输入复位信号RST后输入的操作码的起始3比特数据，即识别数据。ID比较器130具有存储输入数据串中包含的识别数据的3比特寄存器(没有图示)，以及对经由IN/OUT控制器120从存储阵列100中取得的最高3比特的识别数据进行存储的3比特寄存器(没有图示)，并根据两个寄存器的值是否一致来判断识别数据是否一致。在两个识别数据一致的情况下，ID比较器130将存取允许信号EN发送到写/读控制器140中。当输入了复位信号RST(RST＝0或为“低”)时，ID比较器130清除寄存器的值。

写/读控制器140与IN/OUT控制器120、ID比较器130、增量控制器150、电荷泵电路160、时钟信号端子SCKT、数据信号端子SDAT、复位信号端子RSTT连接。写/读控制器140是如下一种电路：其与输入复位信号RST之后的第4个时钟信号同步，确认经由数据信号端子SDAT输入的写入/读出控制信息(接在3比特的ID信息之后的第4比特信息)，并将半导体存储设备10的内部动作切换为写入或者读出中的某一种。具体而言，写/读控制器140在被输入来自ID比较器130的存取允许信号AEN和来自增量控制器WEN1的写入允许信号WEN1时，解析取得的写入/读出指令。如果是写入指令，则写/读控制器140相对于IN/OUT控制器120将总线信号线的数据传送方向切换为写入方向，并发送允许写入的写入允许信号WEN2，向电荷泵电路160请求生成写入电压。

在本实施例中，当向使用历史信息存储区域UHI写入的写入数据DI是具有值增加(增量)特性的数据时，判断写入数据DI是否为比使用历史信息存储区域UHI中已存储的已有数据DE大的值；以及当写入数据DI是具有值减少(减量)特性的数据时，判断写入数据DI是否为比使用历史信息存储区域UHI中已存储的已有数据DE小的值，由此降低或者防止写入数据DI的混乱、错误数据的输入。该功能在前一情况下通过增量控制器来提供，在后一种情况下通过减量控制器来提供。在本实施例中，在以下的说明中以前一情况为例进行说明。

增量控制器150经由信号线与复位信号端子RSTT、写/读控制器140、电荷泵电路160连接。增量控制器150在内部具有4比特计数器151以及8比特内部寄存器152、153。增量控制器150判断向使用记录信息存储区域UHI中写入的写入数据DI是否是比已经存储在使用记录信息存储区域UHI中的已有数据DE大的值，进而执行写入EEPROM阵列101中的数据是否被正确写入的判断(校验、验证)。

在将写入数据DI锁存在8比特锁存器170中的定时，增量控制器150从EEPROM阵列101的使用记录信息存储区域UHI读出已有数据DE，并将其存储在内部具有的8比特内部寄存器152中。增量控制器150对读出的已有数据DE与输入到8比特锁存寄存器170中的写入数据DI进行逐比特比较，判断写入数据DI是否是比已有数据DE大的值的数据。此外，为了允许多种使用历史数据的写入，最好从MSB开始按照被写入的顺序(优先级)来存储被输入的写入数据。

当写入数据DI是比已有数据DE大的值的数据时，增量控制器150向写/读控制器140输出写入允许信号WEN1。此外，在使用历史信息存储区域UHI涉及多行的情况下，仅在所有使用历史信息存储区域UHI中的写入数据DI均是比已有数据DE大的值的数据时，增量控制器150才输出写入允许信号WEN1。

在写入了写入数据后，增量控制器150验证是否正确地写入了数据，在写入数据未被正确写入的情况下，将存储在内部具有的8比特内部寄存器152中的已有数据DE写回存储阵列100中。在进行写入数据的验证时，增量控制器150中所具有的4比特计数器151从写入待命状态相对于外部时钟信号以8比特的延迟，从电荷泵电路160所具有的内部振荡器162接收内部时钟信号，并开始向上计数。由4比特计数器151向上计数的计数值被输入到列选择电路103、行选择电路104中，刚被写入的已有数据DE被读出。

电荷泵160是如下所述电路，其如上所述，用于根据来自写/读控制器140的请求信号，将向EEPROM阵列101写入数据时需要的写入电压提供到由列选择电路103选择的比特线上。电荷泵电路160具有用于生成升高电压时需要的动作频率的内部振荡器162，其通过升高经正极电源端子VDDT得到的电压来生成需要的写入电压。

读出处理

参考图5，对本实施例涉及的半导体存储设备10的读出动作进行说明。图5是示出执行读出动作时的复位信号RST、外部时钟信号SCK、数据信号SDA、地址计数器值的时间关系的时序图。

在读出动作之前，先对基于操作码进行的识别信息的确认、读出/写入指令的确认处理进行说明。当复位状态(RST＝0或者为“低”)被解除(RST＝1或者为“高”)时，从没有图示的主计算机与外部时钟信号同步地将含有4比特操作码的数据信号SDA输出到数据信号端子SDTA中。如图5所示，操作码在起始3比特存储识别信息ID0、ID1、ID2，在起始第4比特存储用于决定写入或者读出的指令比特(W/R)。识别信息的比较如下执行。

ID比较器130取得与复位信号RST从低切换到高之后的3个时钟信号SCK的上升沿同步而被输入到数据信号端子SDAT上的数据，即3比特识别信息，并将其存储到第1个3比特寄存器中。与此同时，ID比较器130从由地址计数器110的计数器值00、01、02指定的存储阵列100的地址中取得数据，即取得存储在存储阵列100中的识别信息，并将其存储在第2个3比特寄存器中。

ID比较器130判断存储在第1、第2寄存器中的识别信息是否一致，在识别信息不一致时，通过IN/OUT控制器120来保持8比特锁存器170和IN/OUT控制器120之间的输入信号线的高阻抗的状态。另一方面，当第1、第2寄存器中存储的识别信息一致时，ID比较器130对写/读控制器140输出存取允许信号AEN。接收了存取允许信号AEN的写/读控制器140取得与复位信号RST从低切换到高之后的第4个时钟信号SCK的上升沿同步送到总线信号线上的指令比特，并判断是否是写入命令。当取得的指令比特不是写入指令时，写/读控制器140向IN/OUT控制器120输出读出指令。

接收读出指令的IN/OUT控制器120将对存储阵列100的数据传送方向改变为读出方向，并允许数据传送。地址计数器110与时钟信号SCK的下降沿同步向上计数，因此操作码输入后的地址计数器110的计数器值是04，存储在存储阵列100的04H中的已有数据DE被读出。存储在存储阵列中的已有数据DE与时钟信号SCK的下降沿同步经由IN/OUT控制器120被依次输入到数据信号端子SDAT上，输出的已有数据DE在时钟信号SCK的下一个下降沿到来之前的期间被保持。一旦时钟信号SCK下降，地址计数器110中的计数值就增加1个，其结果是，存储在存储阵列100中的下一地址(数据单元)中的已有数据DE被输出到数据信号端子SDAT。与时钟信号SCK同步地反复执行该动作，直到达到希望的地址为止。即，由于本实施例中的半导体存储设备10是顺序存取型的存储设备，因此，主计算机必须发出与希望读出或写入的地址相对应的数目的时钟信号脉冲，从而将地址计数器110的计数器值增加到与预定的地址相对应的计数值。其结果是，已有数据DE与时钟信号SCK同步，从通过被依次增加的地址计数器110的计数器值指定的地址被顺序地读出。

本实施例的半导体存储设备10的存储阵列100只有00H～BFH的地址，但是地址计数器110执行到地址FFH为止的向上计数。地址C0H～FFH是虚拟区域，对应的地址在存储阵列100中不存在，在对该虚拟区域进行存取的期间，向数据信号端子SDAT输出值“0”。当由地址计数器110向上计数到地址FFH时，地址返回到地址00H。在读出动作结束之后，从主计算机输入0或者“低”的复位信号RST，半导体存储设备10变为等待接收操作码的接收等待状态。

当输入了复位信号RST(＝0或为“低”)时，地址计数器110、IN/OUT控制器120、ID比较器130、写/读控制器140、以及增量控制器150被初始化。

写入处理

参考图6，对本实施例涉及的半导体存储设备10中的写入动作进行说明。图6是示出执行写入动作时的复位信号RST、外部时钟信号SCK、数据信号SDA、地址计数器值的时间关系的时序图。在本实施例涉及的半导体存储设备10中，以行单位(以8比特为单位)，即以预定比特单位(以8地址为单位)执行写入。

通过前述的ID比较器130确认了识别信息一致之后，写/读控制器140在取得的指令比特是写入指令并且从增量控制器150接收了写入许可信号WEN1时，向IN/OUT控制器120输出写入允许信号WEN2。

如图6所示，在输入了操作码之后，向时钟信号端子SCKT输入4个时钟信号，作为空写时钟(dummy write clock)，从而变为写入待命状态。地址计数器110由于与时钟信号SCK的下降沿同步向上计数，因此，写入待命状态后的地址计数器110的计数器值变为08，从存储阵列100的地址08H开始写入数据。

在本实施例中，向1行8比特的存储阵列100中写入8比特长的写入数据(使用历史数据)。当进行写入处理时，首先，从写入数据DI的最高位比特(MSB)开始的8比特数据与时钟信号SCK的上升沿同步，依次被锁存在8比特锁存器170中。另外，与时钟信号SCK的下降沿同步，存储阵列100的第8个地址以后的已有数据依次被输出到数据输出信号线(数据信号端子SDA)上，直到向IN/OUT控制器120输出写入允许信号WEN2为止。输出到数据输出信号线上的已有数据DE被输入到增量控制器150中，并与锁存在8比特锁存器170中的写入数据DI一起，如后所述被用于判断增量控制器150中的写入数据DI是否是比已有数据DE大的值。该判断处理在写入待命状态之后的第8个周期的时钟信号SCK上升沿之后(＝1或者为“高”)执行。

接收了写入允许信号WEN2的IN/OUT控制器120将对存储阵列100的数据传送方向变更为写入方向，解除在8比特锁存器170和IN/OUT控制器之间的信号线的高阻抗设定，从而允许数据传送。其结果是，写入数据DI的值(0或者1)被传送到存储阵列100的各比特线上。写/读控制器140在写入待命状态之后的第8个周期的时钟信号SCK上升沿之后，向电荷泵电路160请求生成写入电压，生成的写入电压被施加到由列选择电路103选择的比特线上，在本实施例中被施加到所有比特线上，其结果是，存储在8比特锁存器170中的8比特数据“1”和“0”被一次写入到使用历史信息存储区域UHI中。

另外，在写入数据是16比特数据的情况下，与第8个周期的时钟信号SCK的下降同步，地址计数器110的计数值增加1，从而执行应写入下一个地址(8个地址大小)的写入数据DI(第2字节的数据)的取入。

在本实施例中，在第8个周期的时钟信号SCK下降之后的时钟为低的期间，执行用于判断刚刚写入的已有数据DE和被用于写入的写入数据DI是否一致的校验处理。即，在时钟为低的期间，增量控制器150中所具有的4比特计数器151将用于指定刚刚写入的8比特已有数据DE的地址的计数值输入到列选择电路103以及行选择电路104中。其结果是，从IN/OUT控制器120输出刚刚写入的8比特已有数据DE，该已有数据DE经由IN/OUT控制器120被存储在增量控制器150所具有的8比特内部寄存器153中。增量控制器150验证存储在8比特内部寄存器153中的8比特的已有数据DE与存储在8比特锁存器170中的8比特的写入数据DI是否一致。

在本实施例中，在写入数据DI是8比特长的数据，并且使用历史信息存储区域UHI为1行(8地址×1)的情况下，执行一次上述处理，就能完成写入数据DI的写入。在完成写入数据DI的写入之后，由主计算机将复位信号RST(＝0或者为“低”)输入到复位信号端子RSTT上，从而变为等待接收操作码的接收等待状态，完成写入处理。

另外，在写入数据DI是16比特长的数据，并且使用历史信息存储区域UHI为2行(8地址×2)的情况下，执行两次上述处理，就能完成写入数据DI的写入。

另外，由主计算机送出的写入数据除了与期望改写的地址相对应的数据之外，还具有与目前存储在存储阵列100中的数据相同的值(0或者1)。即，在存储阵列100中不被改写的地址的数据被相同的值覆盖。

当输入了复位信号RST(＝0或者为“低”)时，地址计数器110、IN/OUT控制器120、ID比较器130、写/读控制器140以及增量控制器150被初始化。

增量确认处理

参考图7和图8，对由本发明涉及的半导体存储设备10执行的写入处理中的增量确认处理、数据校验处理进行说明。图7是示出由本实施例涉及的半导体存储设备10执行的写入处理中的增量确认处理的处理例程的流程图。图8是示出由本实施例涉及的半导体存储设备10执行的写入处理中的数据校验处理的处理例程的流程图。

当开始写入处理时，在8比特(1字节)长的写入数据DI被锁存到8比特锁存寄存器170的定时，增量控制器150将存储在存储阵列100的使用历史信息存储区域UHI的对应已有数据DE以1比特为单位进行读出(步骤S100)。之后，将构成存储在使用历史信息存储区域UHI中的8比特已有数据DE的1比特的每个已有数据DE作为已有数据DEn(n＝1～8)。另外，将构成8比特写入数据DI的1比特的每个写入数据DI作为写入数据DIn(n＝1～8)。

增量控制器150与将第一个字节的最后的写入数据DI8锁存到8比特锁存器170之后的时钟信号SCK的下降沿同步，以1比特为单位读出从IN/OUT控制器120输出并存储在存储阵列100的使用历史信息存储区域UHI中的对应已有数据DE。

增量控制器150在本次的定时，读出锁存在8比特锁存器170中的1比特的写入数据DIn(步骤S102)。另外，在本实施例中，写入数据DI从最高位比特(MSB)依次输入到半导体存储设备10，写入数据DIn从MSB依次被锁存到8比特锁存器170中。

增量控制器150判断从8比特锁存器170读出的写入数据DIn的值是否大于等于从存储阵列100的使用历史信息存储区域UHI读出的已有数据DEn的值，即，是否为DIn≥DEn(步骤S104)。在判断为DIn<DEn的情况下(步骤S104：否)，增量控制器150结束本处理例程。即，不执行写入数据DI的写入。

在判断为DIn≥DEn的情况下(步骤S106：是)，增量控制器150将从使用历史信息存储区域UHI读出的已有数据DEn存储在内部具有的8比特内部寄存器152中(步骤S106)。

增量控制器150判断存储在使用历史信息存储区域UHI中的8比特已有数据DEn与存储在8比特锁存器170中的8比特写入数据DIn的对比是否完成(步骤S108)，在判断没有完成的情况下(步骤S108：否)，反复执行步骤S100～S106。

增量控制器150在判断存储在使用历史信息存储区域UHI中的8比特已有数据DEn与存储在8比特锁存器170中的8比特写入数据DIn的对比完成了的情况下(步骤S108：是)，将存储在8比特锁存器170中的写入数据DI写入到存储阵列100的使用历史信息存储区域UHI中(步骤S112)。即成为DE←DI，写入数据DI变为新的已有数据DE。更具体而言，如前所述，增量控制器150并不直接执行对存储阵列100的写入数据DI的写入，而是向写/读控制器140输出写入允许信号WEN1，并由接收了写入允许信号WEN1的写/读控制器140执行写入，所述写入允许信号WEN1允许将存储在8比特锁存器170中的写入数据DI写入到存储阵列100的使用历史信息存储区域UHI。

增量控制器150执行数据校验处理(步骤S112)，在写入正常完成了的情况下(步骤S114：是)结束写入处理。另一方面，增量控制器150执行数据校验处理(步骤S112)，在写入没有正常完成的情况下(步骤S114：否)，报告写入异常(步骤S116)，并结束写入处理。

参考图8对数据校验处理进行说明。增量控制器150从存储阵列100的使用历史信息存储区域UHI读出刚刚写入的已有数据DE(步骤S200)，并与存储在8比特锁存器170中的写入数据DI进行比较(步骤S210)。具体而言，增量控制器150在第1个字节写入完成后的时钟为低的期间，使用由电荷泵电路160的内部振荡器162生成的内部时钟信号，使4比特计数器151向上计数。增量控制器150将4比特计数器151的计数值输入到列选择电路103和行选择电路104，并从存储阵列100的使用历史信息存储区域UHI将刚刚写入的8比特已有数据DE1按照地址顺序经由IN/OUT控制器120读出，并锁存到8比特内部寄存器153中。即，内部时钟信号从写入待命状态以8比特(8个时钟)延迟输出。

增量控制器150判断锁存在8比特内部寄存器153中的已有数据DE与锁存在8比特锁存寄存器170中的用于对使用历史信息存储区域UHI写入的写入数据DI是否一致(步骤S204)。在从使用历史信息存储区域UHI读出并存储在8比特内部寄存器153中的已有数据DE与存储在8比特锁存器170中的写入数据DI一致的情况下(步骤S204：是)，增量控制器150判断为写入正常完成(步骤S206)，并结束本处理例程。

在从使用历史信息存储区域UHI读出的锁存在8比特内部寄存器153中的已有数据DE与存储在8比特锁存器170中的写入数据DI不一致的情况下(步骤S204：否)，增量控制器150判断为写入没有正常完成，即，写入异常(步骤S208)。增量控制器150判断从使用历史信息存储区域UHI读出并锁存在8比特内部寄存器153中的已有数据DE与存储在8比特内部寄存器中的写入前的已有数据DEold是否一致(步骤S210)，在判断为DE＝DEold的情况下(步骤S210：是)，结束本处理例程。另一方面，在判断为DE≠DEold的情况下(步骤S210：否)，增量控制器150将存储在8比特内部寄存器152中的写入前的已有数据DEold写回到存储阵列100的使用历史信息存储区域UHI(步骤S212)，并结束本处理例程。另外，在使用16比特数据作为使用历史数据的情况下，当对于最开始的8比特作出了写入异常的判断时，不执行将接下来的8比特写入下一(第2)个使用历史信息存储区域的写入处理。

写回处理是通过在对使用历史信息存储区域UHI的写入处理周期之后再执行写入周期来执行的。即，在再执行的写入周期中，存储在8比特锁存中的已有数据DEold被输入到IN/OUT控制器120中，并与经由数据信号端子SDAT输入的数据同样地，执行对存储阵列100的使用记录信息存储区域UHI的写入处理。其结果是，存储阵列100的使用历史信息存储区域UHI中的数据恢复为执行写入处理前的值。

半导体存储设备10的应用例

参考图9～图13，对本实施例涉及的半导体存储设备10的应用例进行说明。在下面的例子中，本实施例涉及的半导体存储设备10被安装在印刷记录材料容纳体(墨盒)上，并从印刷设备接收写入或读出请求，印刷记录材料容纳体装卸自如地安装在印刷设备上。图9是示出本实施例涉及的印刷设备1000的概要结构的说明图。图10是示出使用功能块示意性地示出本实施例涉及的印刷设备1000所具有的控制电路40的内部结构以及控制电路与各个半导体存储设备的连接的说明图。图11是示意性地示出写入本实施例涉及的半导体存储设备10的使用历史数据串的一个示例的说明图。图12是示出在本实施例涉及的半导体存储设备10的使用历史信息存储区域UHI中各个使用历史信息的存储位置的分配的一个示例的说明图。图13是示出在由本实施例涉及的印刷设备1000执行的、向半导体存储设备10写入使用历史数据的写入控制处理中执行的处理例程的流程图。图14是示出对本实施例涉及的半导体存储设备10执行的写入测试步骤的一个示例的说明图。

在本实施例中使用的印刷设备1000包括副扫描传送机构、主扫描传送机构、头驱动机构。副扫描传送机构利用将没有图示的送纸马达作为动力的送纸辊向副扫描方向运送印刷纸张P。主扫描传送机构利用滑架马达1020的动力，使与驱动带1010连接的滑架1030在主扫描方向上往返运动。头驱动机构驱动滑架1030所具有的印刷头1050来执行墨水的喷射以及点的形成。印刷设备1000还包括控制上述各个机构的控制电路40。控制电路40通过柔性电缆1080而与滑架1030相连。

滑架1030包括支架1040、印刷头1050、滑架电路。支架1040被构成为可安装多个墨盒并被配置在印刷头1050的上面。在图9所示的例子中，支架1040可安装4个墨盒，例如黑色、黄色、品红色、青色四种墨盒各安装一个。在支架1040上安装有4个可开闭的盖罩1110，这四个盖罩1110对应于每个被安装的墨盒。在印刷头1050的上面还配置有用于从墨盒向印刷头1050供应墨水的供墨针1060。

本实施例的半导体存储设备10被安装在容纳耗材的容器上，例如用于容纳作为印刷记录材料的墨水的墨盒310、311、312上。各个墨盒310、311、312具有墨水用尽传感器IS，该墨水用尽传感器IS使用了通过施加电压而振动的压电元件。墨水用尽传感器IS被配置成面临墨盒310、311、312中所形成的狭窄流路，被振动的墨水用尽传感器IS输出包含根据墨水的有无而变化的狭窄流路周边的固有振动频率分量的电压。从而，通过对墨水用尽传感器IS的输出电压中包含的振动分量与墨水用尽时的振动分量或者墨水未用尽时的振动分量进行比较，能够判断墨盒是否变为墨水用尽状态。本实施例中的墨水用尽不是墨水量为0的状态，而是指剩下预定量墨水的墨水几乎用尽的状态。

一旦所配置的各个墨盒310、311、312被安装到印刷设备1000中，就会与印刷设备所具有的控制电路40总线连接。即，来自控制电路40的数据信号线SDA、时钟信号线SCK、复位信号线RST、正极电源线VDD、负极电源线VSS、以及墨水用尽检测线ISS与各个墨盒310、311、312所具有的半导体存储设备10相连。在本应用例中，在半导体存储设备10中存储墨水余量或墨水消耗量等与墨水相关的量的信息、以及与墨盒相关的使用历史信息。

控制电路40包括中央处理设备(CPU)41、存储器42、发送部43、印刷请求接受部44、以及印刷执行部45。在存储器42中容纳有：事件检测模块421，用于检测应向半导体存储设备10写入使用历史数据的事件的发生；使用历史信息取得模块422，用于取得使用历史信息；墨水用尽检测/计算模块423，基于来自墨水用尽传感器IS的检测信号来检测传感器墨水用尽，或者通过对墨水喷射点数进行计数来算出计数墨水用尽。

CPU41执行存储在存储器42中的各个模块，来检测事件并执行对半导体存储设备10的使用历史信息的写入。应写入使用历史信息的事件例如包括：墨盒的安装、印刷头1050的清洗的执行、墨水用尽传感器的检查、由墨水用尽传感器检测出墨水用尽、以及通过对点数进行计数而检测出墨水用尽。事件检测模块421检测这些事件的发生。

使用历史信息取得模块422取得与检测出的事件相对应的使用历史信息。如图12所示，本实施例涉及的半导体存储设备10中的使用历史信息存储区域UHI按照事件的发生顺序(优先顺序)而具有各个使用历史信息的存储比特。并且，只允许比已有数据的值大的值的数据(增加数据)的写入。参考图12，从使用历史信息存储区域UHI中的MSB开始依次分配了检查完毕信息存储比特Mb、已使用信息存储比特Cb、清洗完毕信息存储比特Clb、传感器初始检查完毕信息存储比特Sb、传感器墨水用尽信息存储比特SIE、以及点数(dot)墨水用尽信息存储比特DIE。

另外，本实施例涉及的半导体存储设备10的使用历史信息存储区域UHI值只允许写入比已有数据的值大的值的数据(增加数据)。因此，如图11所示，使用历史信息具有与事件发生顺序(优先顺序)相应的值。例如，当检测出安装了墨盒时，使用具有C0h值的使用历史信息(使用历史数据)，当检测出执行了印刷头1050的清洗时，使用具有E0h值的使用历史信息，当检测出墨水用尽传感器的检查时，使用具有F0h的值的使用历史信息，当检测出传感器墨水用尽时，使用具有F8h值的使用历史信息，当检测出计数墨水用尽时，使用具有FCh值的使用历史信息。所有的使用历史信息的值都以印刷设备1000中的处理顺序为准来增加。

发送部43向半导体存储设备10发送写入指令以及所取得的使用历史数据。印刷请求接受部44接受来自用户的印刷请求(印刷指示)，向印刷执行部45发送印刷用数据。印刷用数据例如是规定从与各个颜色相对应的印刷头1050应向每个光栅(raster)喷射的墨水量的数据，或者是包含图像数据和控制印刷头1050的控制指令的数据。印刷执行部45基于接收的印刷用数据来控制印刷头1050，从而在印刷介质、例如纸张上形成图像。

参考图13来说明由本实施例的印刷设备1000执行的、对于半导体存储设备10的使用历史信息的写入控制处理。另外，在下面的说明中以墨盒310为例进行说明。本处理例程例如在墨盒310被安装到滑架1030上时执行。

印刷设备1000的CPU41判断墨盒310所具有的半导体存储设备10是否已完成检查(步骤S300)。具体而言，CPU41判断被分配在使用历史信息存储区域UHI的MSB上的检查完毕信息存储比特Mb是否为1。在本实施例中，如图14所示，在安装到墨盒310之前对构成使用历史信息存储区域UHI的8比特(8个地址)进行写入试验，并在最后检查时写入80h的数据。因此，如果使用历史信息存储区域UHI的MSB的值(检查完毕信息存储比特Mb)是1，则能够判断对半导体存储设备10的试验已完毕。

当检查完毕信息存储比特Mb不是1时，即当为0或者不能读出时(S301：否)，CPU41经由用户接口向用户报告存储器错误(S302)，并结束本处理例程。用户接口例如相当于印刷设备1000所具有的显示面板、显示灯、或者由打印机驱动器在与个人计算机连接的显示器上显示的状态画面。

当检查完毕显示比特Mb＝1时(步骤S302)，CPU41判断墨盒310是否为具有曾安装到印刷设备1000上的历史的墨盒310(步骤S304)。如前所述，已使用信息被存储在从使用历史信息存储区域UHI中的MSB开始的第二比特、即已使用信息存储比特Cb中，CPU41进行是否为已使用信息存储比特Cb＝0的判断。

CPU41在已使用信息存储比特Cb＝1时(步骤S304：否)转移到步骤S308中。另一方面，当已使用信息存储比特Cb＝0时(步骤S304：是)，CPU41向半导体存储设备10发送上述的已使用数据(步骤S306)，使已使用信息存储比特Cb为1。

CPU41执行印刷头1050的清洗处理(步骤S308)。清洗处理例如通过对印刷头1050中所具有的墨水喷射嘴进行吸引处理来执行。在执行了清洗处理之后，CPU41判断是否在半导体存储设备10中记录了已进行过清洗处理的历史(步骤S310)。如前所述，清洗完毕信息被存储在为从使用历史信息存储区域UHI中的MSB开始的第三比特的清洗完毕信息存储比特Clb，CPU41判断是否清洗完毕信息存储比特Clb＝0。

CPU41在清洗完毕信息存储比特Clb＝1的情况下(步骤S310：否)，转移到步骤S314。另一方面，CPU41在清洗完毕信息存储比特Clb＝0的情况下(步骤S310：是)，向半导体存储设备10发送前面所述的清洗完毕数据(步骤S312)，并使清洗完毕信息存储比特Clb为1。

CPU41执行墨水用尽传感器IS的初始检查(步骤S314)。墨水用尽传感器IS的初始检查例如通过如下方式实施：对墨水用尽传感器IS施加在墨水量为规定量以上的情况下施加的驱动电压，判断是否能够得到具有在墨水量为规定量以上的情况下的振动频率分量的检测信号。在初始状态下，由于墨盒310的墨水量是满的，因此如果墨水用尽传感器IS正常地发挥作用，则按理能够得到具有在墨水量为规定量以上的情况下能够得到的振动频率分量的检测信号。在执行墨水用尽传感器IS的初始检查之后，CPU41判断在半导体存储设备10中是否记录了传感器初始检查完毕的历史(步骤S316)。如前所述，传感器初始检查完毕信息被存储在作为从使用历史信息存储区域UHI中的MSB开始的第4比特的传感器初始检查完毕信息信息存储比特Sb，CPU41判断是否为传感器初始检查完毕信息信息存储比特Sb＝0。

CPU41在传感器初始检查完毕信息信息存储比特Sb＝1的情况下(步骤S316：否)，转移到步骤S320。另一方面，CPU41在传感器初始检查完毕信息信息存储比特Sb＝0的情况下(步骤S316：是)，向半导体存储设备10发送如前所述的传感器初始检查完毕数据(步骤S318)，并使传感器初始检查完毕信息存储比特Sb为1。

CPU41进行等待，直到由墨水用尽传感器IS检测出墨水用尽为止(步骤S320：否)，当由墨水用尽传感器IS检测出墨水用尽时(步骤S320：是)，CPU41对半导体存储设备10发送前面所述的传感器墨水用尽数据(步骤S322)，使传感器墨水用尽信息存储比特SIE为1。传感器墨水用尽信息存储比特例如是使用历史信息存储区域UHI中从MSB开始的第5比特。

CPU41进行等待，直到通过点计数而判断为墨水用尽为止(步骤S324：否)，当通过点计数而判断出墨水用尽时(步骤S324：是)，CPU41对半导体存储设备10发送前面所述的点数墨水用尽数据(步骤S326)，使点数墨水用尽信息存储比特DIE为1，并结束本处理例程。点数墨水用尽信息存储比特例如是使用历史信息存储区域UHI中从MSB开始的第6比特。

如上所述，根据本实施例的半导体存储设备10，向使用历史信息存储区域UHI中仅写入比已存的使用历史数据DE大的值的使用历史数据DI。因此，通过在墨盒310上装配半导体存储设备10，并使用其值依照随着墨盒310的使用发生的事件的发生顺序而增加的使用历史数据，能够提高墨盒310有关的使用历史的更新精度以及信用精度。即，当从印刷设备1000发来的使用历史数据DI由于噪声而改变为比前面的值小的值或者从印刷设备错误地发送了比前面的值小的值时，不执行对使用历史信息存储区域UHI的写入。其结果是，能够在高可靠度下基于使用历史信息对具备半导体存储设备10的墨盒310进行各种处理、管理。

本实施例的印刷设备1000根据墨盒310的使用历史来执行各种控制。例如，在不能确认墨盒310所具有的半导体存储设备10的写入试验完毕历史的情况下，通过不执行印刷处理而进行错误报告，能够避免墨盒310在不能写入使用历史的状态下的使用。另外，通过基于墨水用尽历史进行是否可以执行印刷处理的决定，即基于使用历史信息来监视喷墨式打印机中的喷墨头的空打的发生，能够以更高精度抑制或防止由空打引起的喷墨头的损伤。

其他的实施例：

(1)在上述实施例中，在对印刷设备1000安装了墨盒310时，判断半导体存储设备10是否已检查完毕，但还可以在发生了印刷请求时进行半导体存储设备10是否已检查完毕的判断。在此情况下，通过在执行印刷处理时也进行判断，还能够抑制在各种印刷处理中由于使用没有检查过的半导体存储设备10中存储的使用历史信息而发生的问题。

例如，当尽管已发出过墨盒310所具备的半导体存储设备10发生了存储器错误的报告，但仍被再次请求印刷处理时，或者，当在不报告存储器错误的结构下请求了印刷处理时，CPU41不向印刷执行部45请求被请求的印刷处理，通过如此构成，能够抑制或者避免印刷处理中难以预料的问题。

(2)也可以如下构成：当发生了印刷请求时，参照墨水用尽信息，并在墨水用尽信息中的任一个、或者传感器墨水用尽信息、或者两种墨水用尽信息均表示为1时，不执行印刷处理。本实施例涉及的半导体存储设备10还具有其他的墨水量信息，但是如前所述，有可能发生数据混乱或者写入错误。对此，本实施例中的使用历史信息存储区域UHI仅允许写入值增加的数据(信息)。因此，通过参照墨水用尽信息，一旦判断为墨水用尽之后，即使墨水量信息发生了错误也能正确地判断墨盒310的墨水用尽，从而能够抑制或防止由空打引起的印刷头1050的损伤。

(3)在上述实施例中，使用历史信息存储区域UHI位于存储阵列100的高位地址。除此之外，使用历史信息存储区域UHI也可以分配在从最高位地址连续的8比特的区域，或者也可以分配在低位地址。当使用历史信息存储区域UHI被分配在最高位地址时，能够将使用历史信息的改写优先于其他信息而执行。

另外，应该存储在使用历史信息存储区域UHI中的历史信息不限于上述实施例中的历史信息。并且，使用历史信息存储区域UHI中的各个使用历史信息的存储顺序只不过是一种例示，当然在事件的优先顺序(发生顺序)发生了改变时所述存储顺序也可被改变。例如，对于表示已执行过清洗处理的清洗完毕历史信息也可以不只分配1比特而是分配多个比特。在此情况下，能够将清洗处理的执行次数记录到预定次数。

另外，在传感器用尽信息存储比特SIE与点数墨水用尽信息存储比特DIE的存储顺序为前面所述的实施例的顺序的情况下，可以形成为以下方式。在由墨水用尽传感器检测出墨水用尽的时刻，打印机检测出墨水余量很少，并将传感器用尽信息存储比特SIE的值设为1。这里，在比墨水用尽传感器更位于墨水移动方向的下游侧的墨水流路等中还残留有墨水并可使用于印刷。由墨水流路的形状预先确定了这种还可使用的墨水余量的容量。打印机在由墨水用尽传感器检测出墨水用尽的时刻之后也允许印刷动作，并且通过点数墨水用尽计算模块来计算由墨水用尽传感器检测出墨水用尽的时刻之后的点数墨水使用量，在该点数墨水使用量达到预先确定的阈值的时刻，判断为达到了点数墨水用尽，并将点数墨水用尽信息存储比特DIE设为1。

另一方面，在传感器墨水用尽信息存储比特SIE与点数墨水用尽信息存储比特DIE的比特的存储顺序为与前面所述的顺序相反的顺序的情况下，可以形成为以下方式。打印机通过点数墨水用尽计算模块来计算点数墨水使用量，并在到达了点数墨水用尽的时刻，将点数墨水用尽存储比特DIE设为1，并通过计算而检测出到达了点数墨水用尽。点数墨水用尽的计算例如通过将使用在印刷上的点数和每1点的墨水体积量相乘来进行，但是有时会与实际的墨水使用量产生偏差。因此，在到达了点数墨水用尽的时刻，打印机虽检测出墨水剩得不多但仍允许印刷动作，并在此之后，在通过墨水用尽传感器检测出传感器墨水用尽的时刻，将传感器墨水用尽信息存储比特设为1，并检测为达到了传感器墨水用尽。

(4)在上述实施例中，使用历史信息使用了8比特数据，但是也可以如图15所示，使用16比特数据，或者，除此之外同样也可以应用成倍于存储阵列100的1行比特长的数据长度的数据，例如具有24比特长度、32比特长度等的数据，并且此时也能够获得相同的效果。此时还能够记录更多的使用历史信息。另外，图15是示出其他实施例中的16比特的使用记录信息的数据串的一个示例的说明图。

(5)在上述实施例中，当写入数据DI具有比已有数据DE大的值时，允许写入使用记录信息存储区域UHI中，但也可以在写入数据DI与已有数据DE相等时允许写入。在此情况下，存储在存储阵列100中的使用历史至少不会追溯到过去而被删除，因此能够降低或防止随着使用历史的擦除而产生的问题。此时，已有数据DE被相同值的写入数据DI覆盖。

(6)在上述实施例中，说明了对半导体存储设备10存储具有值增加特性的数据的情况、即使用了其值按照事件的发生顺序而变大的使用历史信息的情况，但是在存储具有值降低特性的数据的情况、即使用其值按照事件的发生顺序而变小的使用历史信息的情况下也能获得同样的利益。在此情况下，代替增量控制器150而具有用于判断写入数据DI是否为比已有数据DE小的值的数据的减量控制器即可。在此情况下，在安装到墨盒310上的半导体存储设备10的使用历史信息存储区域UHI中写有值为(11111110)的数据。另外，为了写入更多的使用历史信息，最好从使用历史信息存储区域UHI的LSB开始依次以1比特为单位写入使用历史信息。

(7)在上述实施例中，作为应用例，使用了墨盒，但除此之外，在调色剂盒中也能够获得相同的效果。另外，当将发明应用到预付卡等存储货币等价信息的介质中时也能够获得相同的效果。

(8)在上述实施例中，校验处理使用了4比特计数器以及内部振荡器162，但也可以不使用这些电路来执行校验处理。即，在上述实施例中，使用锁存在8比特内部寄存器153中的已有数据DE和锁存在8比特锁存器170中的写入数据DI并以8比特为单位执行了校验处理，但也可以以1比特为单位来执行。在此情况下，增量控制器150不需要4比特计数器151以及8比特内部寄存器153。

综上，根据几个实施例对本发明中的半导体存储设备、印刷记录材料容纳体、印刷设备、对印刷设备中的半导体存储设备的写入控制方法进行了说明，但是上述的发明的实施方式是用来容易理解本发明的，而不是用来限定本发明的。本发明可在不脱离其宗旨和权利要求书的范围内进行变更、改进，同时本发明也将包含其等同物，这是不言而喻的。

Claims

1.一种顺序存取方式的存储设备，包括：

被顺序存取的非易失性的存储阵列，该存储阵列具有用于存储与使用历史信息有关的数据的以预定比特为单位的使用历史信息存储区域；

输入输出部，用于输入输出数据；

判断部，判断经由所述输入输出部输入的、针对所述使用历史信息存储区域的以所述预定比特为单位的写入数据的值是否为比存储在所述使用历史信息存储区域中的以所述预定比特为单位的所述使用历史信息的数据的值大的值；

写入装置，用于对所述存储阵列以所述预定比特为单位执行写入；和

控制装置，在所述写入数据的值是比存储在所述使用历史信息存储区域中的所述使用历史信息的数据值大的值的情况下，使所述写入装置执行所述写入数据向所述存储阵列的所述使用历史信息存储区域中的写入。

2.如权利要求1所述的存储设备，其中，

在所述使用历史信息存储区域中，从高位比特开始按照使用时期的先后历史顺序存储了使用历史信息。

3.一种顺序存取方式的存储设备，包括：

输入输出部，用于输入输出数据；

判断部，判断经由输入输出部输入的、针对所述使用历史信息存储区域的以所述预定比特为单位的写入数据的值是否为比存储在所述使用历史信息存储区域中的以所述预定比特为单位的所述使用历史信息的数据的值小的值；

控制装置，在所述写入数据的值是比存储在所述使用历史信息存储区域中的所述使用历史信息的数据值小的值的情况下，使所述写入装置执行所述写入数据向所述存储阵列的所述使用历史信息存储区域中的写入。

4.如权利要求3所述的存储设备，其中，

在所述使用历史信息存储区域中，从低位比特开始按照使用时期的先后历史顺序存储了使用历史信息。

5.如权利要求1至4中任一项所述的存储设备，其中，

所述存储阵列具有多个由所述地址特定并用于存储比特数据的存储单元，所述使用历史信息存储区域由所述多个存储单元中的与所述使用历史信息的比特数相对应的数目的存储单元构成。

6.如权利要求5中所述的存储设备，其中，

所述使用历史信息存储区域进一步由从所述存储阵列中的起始的存储单元连续的、与所述使用历史信息的比特数相对应的数目的存储单元形成。

7.如权利要求1～5中任一项所述的存储设备，其中，

所述存储阵列在高位地址具有所述使用历史信息存储区域。

8.如权利要求7所述的存储设备，其中，

所述存储阵列在包含最高位地址的高位地址中具有所述使用历史信息存储区域。

9.一种容纳印刷记录材料的印刷记录材料容纳体，包括：

权利要求1、2、以及5至8中任一项所述的存储设备；以及

容纳所述印刷记录材料的印刷记录材料容纳部。

10.如权利要求9所述的印刷记录材料容纳体，其中，

在所述存储设备的所述使用历史信息存储区域中，至少在从其起始地址开始连续的3个地址存储了所述存储设备的检查历史、所述印刷记录材料容纳体的使用历史、以及表示所述印刷记录材料小于预定量的墨水用尽信息。

11.一种容纳印刷记录材料的印刷记录材料容纳体，其中，包括：

权利要求3至8中任一项所述的存储设备；以及

容纳所述印刷记录材料的印刷记录材料容纳部。

12.如权利要求11所述的印刷记录材料容纳体，其中，

在所述存储设备的所述使用历史信息存储区域中，至少在连续至其末尾地址的3个地址存储了所述存储设备的检查历史、所述印刷记录材料容纳体的使用历史、以及表示所述印刷记录材料小于预定量的墨水用尽信息。

13.一种印刷设备，在该印刷设备上可装卸地安装印刷记录材料容纳体，所述印刷记录材料容纳体包括存储设备，在所述存储设备中至少存储了存储设备的检查历史、印刷记录材料容纳体的使用历史、清洗历史、以及墨水用尽历史，以作为与印刷记录材料容纳体有关的使用历史信息，并且只记录比已有数据的值大的值的数据来作为使用历史信息，

其中，所述印刷设备包括：

检测单元，检测与使用历史信息有关的事件的发生；

使用历史信息取得单元，取得与检测出的事件相对应的使用历史信息，所述使用历史信息的值按照预先确定的事件发生顺序而增加；以及

发送单元，将所述取得的使用历史信息发送给所述印刷记录材料容纳体。

14.一种印刷设备，在该印刷设备上可装卸地安装印刷记录材料容纳体，所述印刷记录容纳体包括存储设备，在所述存储设备中至少存储了存储设备的检查历史、印刷记录材料容纳体的使用历史、清洗历史、以及墨水用尽历史，以作为与印刷记录材料容纳体有关的使用历史信息，并且只记录比已有数据的值小的值的数据来作为使用历史信息，

其中，所述印刷设备包括：

检测单元，检测与使用历史信息有关的事件的发生；

使用历史信息取得单元，取得与检测出的事件相对应的使用历史信息，所述使用历史信息的值按照预先确定的事件发生顺序而减少；以及

15.如权利要求13或14所述的印刷设备，其中，

所述使用历史信息取得单元从所述存储设备取得所述使用历史信息，

所述印刷设备还包括：

印刷请求接受单元，接受印刷请求；以及

印刷执行部，在所述存储设备的检查历史不表示已检查完毕的情况下，该印刷执行部不执行所述接受的印刷请求。

16.如权利要求15所述的印刷设备，其中，

在所述存储设备的检查历史表示已检查完毕、并且印刷记录材料容纳体的使用历史不表示已使用过的情况下，所述发送单元向所述存储设备发送已使用过的历史信息的写入请求。

17.一种对于存储设备的使用历史信息的写入控制方法，所述存储设备被所述印刷记录材料容纳体所具有，并至少存储了存储设备的检查历史、印刷记录材料容纳体的使用历史、清洗历史、以及墨水用尽历史，以作为与印刷记录材料容纳体有关的使用历史信息，并且只记录比已有数据的值大的值的数据来作为使用历史信息，

所述写入控制方法包括以下步骤：

检测与使用历史信息有关的事件的发生；

取得与检测出的事件相对应的使用历史信息，所述使用历史信息的值按照预先确定的事件发生顺序而增加；以及

将所述取得的使用历史信息发送给所述印刷记录材料容纳体。