CN101351572A - 旋转孔眼掩模组件和沉积系统 - Google Patents

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Abstract

一种孔眼掩模组件包括可旋转机架和具有孔眼的掩模。一种夹持结构被用以拉紧所述掩模并使所述掩模与所述机架限定的形状贴合。沿基本平行于所述机架的轴线和/或围绕所述机架限定的所述形状的周围，向所述掩模施加拉伸力。从位于所述可旋转机架内的沉积源散发的沉积材料穿过所述掩模孔眼沉积到幅材上。

Description

旋转孔眼掩模组件和沉积系统
技术领域
本发明涉及旋转孔眼掩模组件和用于将材料图案沉积在基于幅材的基底上的系统。
背景技术
通过使用孔眼掩模或模板，可以在基于幅材的基底上形成材料图案。孔眼掩模设置在幅材与沉积源之间。来自沉积源的材料被导向基底并穿过掩模上的孔眼，在幅材上连续形成与孔眼图案相对应的图案。
在幅材上沉积此类图案可以出于各种目的。如在一个实例中，通过使材料穿过掩模图案有序沉积形成电路层，可以在幅材上形成电路。孔眼掩模可用于形成多种多样的电路和电子器件，包括离散和集成电路、液晶显示器、有机发光二极管显示器，还有其他。形成小尺寸电路元件涉及基底和孔眼掩模的精确对齐和定位控制。本发明满足了这些和其它的要求，并且有超越现有技术的其它优点。
发明内容
本发明的实施例涉及孔眼掩模组件。该组件包括可旋转机架和孔眼掩模。该组件还包括夹持结构，其被构造为拉紧掩模并且使其与机架限定的形状贴合。掩模的孔眼与机架上的开口对准，使机架内的沉积源沉积到设置在机架外部的幅材之上。
在一项具体实施中，机架的形状大致为圆柱形。机架可包括两个端部结构和一个或多个连接到端部结构的横梁。夹持结构可被构造为沿着基本平行于机架的轴线和/或围绕机架的周围拉紧掩模。
根据一种构造，夹持结构包括一个或多个设置在一个或两个端部结构上的夹具。所述夹具用于夹持掩模边缘并且沿基本平行于机架轴线的方向拉紧掩模。
根据另一种构造，夹持结构包括夹持元件，该夹持元件被构造为夹持夹持元件与机架之间掩模的边缘。在此构造中，夹持结构还包括被构造为沿基本平行于机架轴线的方向拉紧掩模的机构。
夹持结构可包括沿端部结构中的至少一个的周边设置的夹具。沿机架端部结构设置的夹具夹持掩模边缘并且沿着基本平行于机架轴线的方向拉紧掩模。夹持结构可包括沿横梁中的至少一个设置的夹具。横梁上的夹具用于夹持掩模末端并且围绕机架周边拉紧掩模。所述夹具可被构造为通过调节夹具位置(例如旋转位置)向掩模施加拉伸力。
在一些具体实施中，掩模为具有孔眼的柔性聚合物掩模，允许材料穿过孔眼进行沉积。
本发明的另一个实施例涉及沉积系统。该沉积系统包括至少具有沉积区的室。可旋转机架组件设置在该室内部。机架组件包括机架和具有一个或多个孔眼的掩模。机架组件还包括夹持结构，其被构造为拉紧掩模并且使掩模与机架限定的形状贴合。幅材驱动机构设置在该室内并且被构造为相对于沉积源移动幅材，以使得材料从沉积源穿过掩模的孔眼沉积到幅材上。在一些具体实施中，可从机架中移除掩模。在一些具体实施中，可从沉积室中移除机架组件。
沉积源设置在机架内。机架上的开口与掩模的孔眼对齐，以使得材料可从沉积源穿过掩模的孔眼进行沉积。沉积源可包括多种类型，例如电子束沉积源、热蒸发源、溅镀阴极源、气相沉积源(包括等离子增强化学气相沉积(PECVD)源)或其它类型的沉积源。
根据一项具体实施，室包括清洁区。在该具体实施中，机架在室的沉积区和清洁区内旋转。清洁源设置在清洁区内，用来清洗可旋转机架组件(包括机架和孔眼掩模)。清洁源可设置在机架的内部区域。
本发明的以上概述并非旨在描述本发明的每个实施例或本发明的每项具体实施。结合附图，参照下文的具体实施方式以及权利要求，可清楚地体会本发明的优点和成效，进而更加全面地理解本发明。
附图说明
图1A示出了根据本发明实施例的沉积系统，该沉积系统适用于使用旋转孔眼掩模组件将图案沉积幅材上；
图1B示出了根据本发明实施例的孔眼掩模组件的横截面，图示了机架内的狭槽，该狭槽用于使幅材的末端插入机架并被末端夹具夹持；
图1C示出了根据本发明实施例的幅材标记的实例，该纤维标记可位于幅材上以控制幅材侧向和纵向的位置；
图1D为根据本发明实施例的幅材定位控制系统的框图；
图2A和图2B示出了根据本发明实施例的可用于沉积系统的孔眼掩模；
图3A示出了根据本发明实施例，未安装孔眼掩模时的掩模组件；
图3B示出了根据本发明实施例，将孔眼掩模安装在夹持结构中之后的图3A的掩模组件；
图3C示出了根据本发明实施例的孔眼掩模、末端夹具和边缘夹具的水平投影视图；
图4A和图4B分别示出了根据本发明实施例的掩模边缘夹具的端视图和剖面图；
图5示出了根据本发明实施例的掩模末端夹具的示例性构造；
图6A和图6B示出了根据本发明实施例用于末端夹具和/或边缘夹具的配套表面；
图6C示出了根据本发明实施例，通过向机架施加粘合剂将掩模连接到机架上；
图6D示出了根据本发明实施例，使用螺钉或铆钉将掩模连接到机架上；
图7示出了根据本发明实施例，在夹持结构中使用端盖的掩模组件；以及
图8示出了根据本发明实施例，包括用于清洁掩模组件的机构的沉积系统。
虽然本发明有各种修改形式和替代形式，但是其细节已在附图中以实例的形式示出并将做了详细描述。然而应当理解：本发明并不试图将自身限制于所描述的具体实施例。相反，其目的在于涵盖本发明附加权利要求所限定的范围内的所有修改形式、等同形式和可供选择的形式。
具体实施方式
在下文示出的实施例的具体描述中，将参考构成该实施例部分的附图，并且在其中，以举例说明的方式示出可能实践本发明的多个实施例。应当理解，在不脱离本发明范围的前提下，可利用实施例并且可对其进行结构性更改。
根据本发明，沉积系统和孔眼掩模组件可包括以下实施例中所描述的一个或多个特征、结构、方法或其组合。例如，组件或系统可被实施为包括下述一种或多种有利的特征和/或工艺。其目的在于，这类组件或系统并不需要包括本文所述的所有特征，但可以被实施为包括提供可用结构和/或功能的选定特征。
本发明的实施例涉及使用旋转孔眼掩模将材料图案沉积在基于幅材的基底上的组件和系统。基于幅材的基底可被构造为绕卷并且可传送，以便为涂敷提供纵向表面。在本领域中，这种细长的基底通常指的是幅材。图1A示出了适于通过孔眼掩模121将图案沉积在幅材上的沉积系统100。系统100包括包封旋转孔眼掩模组件110的沉积室102、幅材传送系统120和沉积源140。在沉积过程中，幅材传送系统120相对于沉积源140移动幅材101。幅材101布置在退绕辊105上，退绕辊将幅材101递送到沉积系统100其余部分。在该实施例中，幅材101经过第一惰辊106之上，绕过机架108圆周的一部分，经过第二惰辊112之上，然后被卷绕辊111收集。对于幅材传送系统而言，可有多种可供选择的布置方式，并且这也在本发明的范围之内。
图1A的沉积系统100示出了单室沉积系统。作为另外一种选择，与所示单室沉积系统相似的系统可用作多室沉积系统中的一级。在此类可选择的布置方式中，幅材101可从前一沉积级进入沉积系统100，而不是从退绕辊105进入。幅材基底101脱离沉积系统100以后可进入后续沉积级，而不是卷绕辊111。
机架108包括支承并且转动孔眼掩模121的滚筒或结构骨架。机架108包括至少一个开口。孔眼掩模121围绕机架108所限定形状的周围与之贴合，限定的形状可为圆柱形、矩形、八边形或其它形状。孔眼掩模121包括一个或多个孔眼组成的图案，该图案与沉积材料在幅材101上形成的图案一致。孔眼掩模与机架108上的开口对齐，以使得沉积材料可从设置在机架108内部的沉积源140流出，经过机架上的开口并且穿过掩模孔眼到达幅材101的表面。
在不同的具体实施中，可使用电容、磁性或光学传感器使机架108和掩模121对齐。例如，在一个实施例中，使用掩模121上的掩模框标151和机架108上的机架框标152使孔眼掩模121相对于机架108上的位置对齐。掩模与机架框标151、152之间的配准用于相对于机架108上的已知位置定位掩模121。一个或多个掩模传感器153(可包括光电探测器、照相机或其它类型的光学传感器)可用来相对于掩模121上的对应框标151对齐机架108上的框标152。机架108上的框标151、152和/或掩模121可用任何能提供可辨别参照物的方法形成，例如通过沉积材料、移除材料以生成开口或空隙、修边、和/或通过改变材料的物理、化学、光学、磁性和/或其它特性来产生参照物。
图1A示出使用了一个或多个掩模传感器153(如光电二极管/光电探测器电路或照相机)的情况，该传感器用于对齐掩模121和框架108的框标。在该具体实施中，至少一个掩模传感器153设置在机架108的内部。在初始对齐过程中，掩模传感器153用于对齐掩模121上的框标151与机架108上的对应框标152。使用计算机对掩模121上的多个框标151和机架108上的多个框标152的对齐进行闭环反馈控制，可有利于该初始对齐过程。在其它实施例中，一个或多个掩模传感器153可以可选地或者额外地设置在机架108的外部。
图1A示出了一个或多个幅材传感器160，该传感器可用于控制幅材101的位置。利用幅材101上由幅材传感器160感应的标记，可实现幅材101的纵向(轴向)时间设定或拉长和/或幅材101的侧向(横维)定位。幅材标记可包括环状标记、线段、空隙、修剪过的幅材边缘或用来确定幅材101位置的任何其它参照物。纵向标记可以为环状标记，可用来确定幅材101顺维的纵向位置。纵向标记可用来设定幅材101上的图案到达时间以与掩模121上的图案同步，从而在幅材101上先前沉积的图案和孔眼掩模的图案之间提供适当的配准。
例如，侧向标记可以是在幅材101边缘的线段或已修剪的幅材边缘，可用来控制幅材101的侧向位置。幅材传感器160可以包括用于检测侧向幅材标记和纵向幅材标记的独立传感器。
孔眼掩模组件110包括夹持结构130，其用于围绕机架108所限定的形状拉紧孔眼掩模121。在一个实施例中，夹持结构130包括一个或多个掩模边缘夹具131和一个或多个掩模末端夹具132。虽然图1A示出了两个边缘夹具131和一个末端夹具132，但可使用任意数量的边缘夹具131。在一种构造中，可以围绕机架108的一端或两端的周边设置多个边缘夹具131。在一种构造中，可以沿设置在机架108两端之间的一个或多个横梁设置多个末端夹具132。
可通过调节夹具131、132的位置达到拉紧掩模121的目的。可以沿基本平行于机架108的轴线方向和/或围绕机架108的周围，向掩模121施加拉伸力。沿基本平行于机架轴线的方向拉紧掩模121可能涉及调节一个或多个掩模边缘夹具131的位置。围绕机架108的周围拉紧掩模121可能涉及调节一个或多个掩模末端夹具132的位置。可以手动调节夹具131、132以拉紧掩模121，或可能涉及采用使用驱动器和反馈传感器的计算机系统调节一个或多个夹具131、132的位置，以获得所需的掩模张力和框标位置。在这样的系统中，来自掩模张力传感器和/或掩模框标传感器153的反馈控制信号可用来控制调节夹具131、132位置的自动驱动器，以获得所需的掩模张力和相对位置。夹具131、132上不需要自备自动驱动器。
可从沉积室102中移除旋转孔眼掩模组件110，以进行维护、清洁和/或从机架108中移除掩模121然后安装新的掩模121。
沉积源140设置在机架108内部。在图1A中示出的构造中，沉积源140向下(与惰辊106、112相反的方向)喷射沉积材料。随着沉积材料从沉积源140中散发出来，沉积材料穿过机架108上的开口和掩模121的孔眼。沉积材料涂覆在幅材101上，形成的图案相当于掩模121孔眼的图案。可以使用护罩141防止材料沉积在圆柱形机架108顶端的所需区域之外的位置。可以使用闸板142隔开源材料与幅材101接触，以防止当幅材101接近沉积位置时出现过早沉积。应当理解，可以以其它构造方式布置沉积系统100的元件，包括惰辊106、112，沉积源140，退绕辊105和卷绕辊111和/或其它元件。例如，沉积系统100可被布置为使沉积材料向上喷射或沿着除图1A示出的向下方向之外的轨线喷射。也可以在其它位置布置惰辊106、112和/或退绕辊105和卷绕辊111。
所使用的沉积源140取决于沉积工艺的类型和所需沉积材料的类型。沉积源140可以被构造为能够以液态或气态提供沉积材料的真空或非真空沉积源。在不同的具体实施中，沉积材料可以采用以下工艺进行沉积：电子束沉积、热蒸发、溅射、化学气相沉积(包括等离子增强化学气相沉积)、喷涂、印刷或其它类型的沉积工艺。在一些沉积系统中使用了多个沉积源。
可从沉积室102中移除并更换沉积源140，以适应不同类型的沉积工艺和/或不同类型的沉积材料。例如，为了沉积金属、金属氧化物、金属氮化物或半导体材料，沉积源140可为溅射阴极或磁控管溅射阴极。又如，为了沉积有机物、金属、金属氧化物、金属氮化物或半导体材料，沉积源140可为蒸发源。
图1B示出了可旋转孔眼掩模组件110的横截面，图示说明了机架108内的狭槽109，该狭槽可让掩模插入掩模末端夹具132A-B。掩模末端夹具132A-B沿机架端部结构之间的横梁设置在机架108内。在一个实施例中，孔眼掩模121末端121A-B穿过狭槽109插入机架108并被掩模末端夹具132A-B固定。在一个实施例中，掩模第一末端121A被设置在狭槽109一侧上的夹具132A固定。掩模的第二末端121B被设置在狭槽109另一侧上的夹具132B固定。
幅材101和/或孔眼掩模121可由各种类型的材料制成。实例包括聚合材料(例如Kapton(可购自DuPont Teijin Films)、聚酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚苯乙烯)、金属箔材料(例如不锈钢或其它类型的钢、铝、铜)、纸张、机织物或非织造材料织物、或上述具有或不具有涂布表面的材料的组合。在一个实施例中，幅材101所用材料为具有1密耳厚度的Kapton E。
经过孔眼掩模的沉积尤其可用于制造电子显示器电路，例如发光二极管显示器和液晶显示器、太阳能电池阵列、低成本集成电路(例如射频识别电路(RFID))或任何采用薄膜元件的电路(例如薄膜晶体管(TFT)电路和/或有机发光二极管(OLED)构造)。在形成包括元件(所述元件包括有机或无机半导体)的电路中，本文所述的沉积系统尤其有用。使用沉积系统(例如在图1A中示出的沉积系统100)能够沉积这些电子器件和/或其它电子器件的所有层。材料可沉积在幅材101上的一个或多个层中以形成电路元件和/或电路，包括通过电连接而连接在一起的电阻器、二极管、电容器和/或晶体管的组合。
电子电路的形成通常涉及在幅材上沉积多个材料层，包括金属、绝缘体、电介质和/或半导体材料。多层沉积要求在幅材101上第一材料层形成的图案和一个或多个沉积在第一层图案上的后续层对齐。沉积系统100可包括多个传感器160(在图1A中示出)用来控制幅材101的纵向和/或侧向移动，以在沉积之前实现幅材101与掩模图案的对齐。可以调节幅材101的移动，以有利于幅材101上先前沉积的图案和掩模图案对齐。
图1C示出标记的实例，标记可以设置在幅材101上以控制幅材101的侧向和纵向位置，并且使幅材101与掩模之间保持适当的配准。这些标记可为预先形成的图案，或在沉积工艺的某阶段加到幅材101上。
如该实例所示，侧向或横维标记可为线段103，即到幅材上待形成的沉积图案位置的固定距离。幅材101的边缘107可不必与线段103或幅材101上的任何沉积图案存在精确的位置关系。然而，出于此目的而修剪或标记的幅材边缘可用于幅材对齐。从侧向感应线段103的位置，可确定幅材101是否处于适当的位置或者是否有必要调节幅材的导向，以在侧向上重新对齐幅材101。
仍如该实例所示，纵向或轴向幅材标记可以是在纵向以固定距离彼此隔开的一系列环状标记104。通过感应该系列中环状标记104的位置，可以确定在给定的时间点幅材101相对于掩模上的沉积图案是否处于适当的纵向位置。
图1D示出了幅材101定位控制系统的示例性实施例。在此实施例中，可以用一个传感器162控制侧向位置，同时用另一个传感器163控制纵向位置。结合图1C所述，幅材101具有纵向标记104和侧向标记103。当幅材101从退绕辊106与惰辊105之间经过时，纵向幅材传感器163感应纵向标记104，而侧向幅材传感器162感应侧向标记103。例如，发光二极管(LED)和光电探测器电路或者照相机可以用作幅材传感器162、163。
纵向幅材传感器163向数据采集/图像处理单元164输出数据，数据采集/图像处理单元确定幅材101的纵向(轴向)位置误差165，即幅材101的实际位置和预期位置之间的距离。纵向位置误差165被输出到幅材定位控制器167，其能调节幅材纵向位置以减小纵向位置误差165。
侧向幅材传感器162为数据采集/图像处理单元164提供数据输出。数据采集/图像处理单元164确定幅材侧向位置误差166，即侧向标记103的实际位置和预期位置之间的距离。侧向或横维方向的位置误差166被输出到幅材定位控制器167，其能调节幅材侧向位置以减小侧向位置误差166。
如图2A和图2B所示，孔眼掩模210A由图案212A形成，该图案限定了多个孔眼214(只标示了孔眼214A至214E)。孔眼掩模210A包括边缘220和末端230，其中边缘220基本平行于掩模210A的纵向轴线并且边缘220基本平行于掩模210A的横向轴线。
为了举例说明，图2B中孔眼214A至214E的布置方式和形状都已简化，并且根据应用和电路布置而会有很大的变化。图案212A限定电路层的至少一部分并且一般在多种不同形式中的可采取任意一种。换句话讲，孔眼214可以形成任何图案，这取决于在使用孔眼掩模210A的沉积工艺中，要制造的所需电路元件或电路层。例如，尽管示出的图案212A包括多个相似的子图案(标出了子图案216A-216C)，但本发明并不限于这种形式。
孔眼掩模210A可用于沉积工艺(例如气相沉积工艺)，其中材料穿过孔眼214沉积在基底上，以限定电路的至少一部分。有利的是，孔眼掩模210A能使所需材料沉积，并且同时将该材料形成所需的图案。因此，沉积前或沉积后无需单独形成图案的步骤。孔眼掩模210A能用于沉积具有高密度电路的小型电路特征。可以采用聚合物薄膜形成孔眼掩模210A，例如，使用激光烧蚀来限定沉积孔眼214的图案212A。沉积系统中的聚合物薄膜孔眼掩模的形成和使用，在共同拥有的美国专利6,897,164、美国专利申请公布2003/0151118和美国专利申请S/N 11/179418(2005年7月12日提交)中有进一步的描述，这些专利均以引用的方式并入本文。
图3A和图3B示出了根据本发明实施例的旋转孔眼掩模组件300的元件。图3A示出了孔眼掩模组件300(无孔眼掩模)的机架308和夹持结构340。图3B示出了安装有孔眼掩模330的孔眼掩模组件300(无孔眼)。在该实施例中，孔眼掩模组件300包括两个机架端部结构310、311，这两个机架端部架构与横梁320、321、323连接形成中空的机架。一个机架端部结构310包括连接到驱动机构(未示出)的夹具301(未示出)，该驱动机构使孔眼掩模组件300旋转。另一个机架端部结构311包括一个或多个开口302，所述开口被构造为可以向掩模组件300内插入和从中移除沉积源(未示出)。
孔眼掩模330(图3B中示出)与机架308所限定的形状贴合，此形状在该实施例中为圆柱形。掩模330中的孔眼与机架308上的开口360对齐，使得从机架308内沉积源散发的沉积材料能够到达幅材。孔眼掩模330被拉紧掩模的夹持结构340所固定。夹持结构340包括一个或多个边缘夹具341，所述夹具沿一个或两个机架端部结构310、311的周边设置，以拉紧沿基本平行于机架308的轴线309方向的掩模。边缘夹具341被构造为夹持孔眼掩模330的边缘。机架端部结构310、311可包括与气体歧管(未示出)流体连接的孔350。应用气体(例如氩气或其它惰性气体)穿过孔350，有利于在掩模安装过程中掩模330在端部结构310、311上的定位。
如图3A所示，夹持结构340也包括一个或多个末端夹具342以固定孔眼掩模330的末端。末端夹具342用来沿孔眼掩模330的环路向围绕机架308周围的孔眼掩模330施加拉伸力。在一个实施例中，两个横梁321、323被布置为在机架308内部形成狭槽322。至少一个横梁323支承末端夹具342。孔眼掩模330的末端从狭槽322插入并且被夹具342固定。在一个实施例中，第一套末端夹具342被布置为相对于第一横梁323形成狭槽322。第二套末端夹具(未示出)被布置为相对于第二横梁321形成狭槽322。第一套夹具342用于固定孔眼掩模330的第一末端，第二套夹具(未示出)用于固定孔眼掩模330的第二末端。
图3C示出了孔眼掩模330和涉及图3A和3B的前述夹持结构340的水平投影视图。掩模330可包括沿掩模330边缘332和/或末端333的伸出部352A至352D。边缘夹具341夹持掩模330的边缘332。末端夹具342夹持掩模330的末端333。
伸出部352A至352D用于拉伸掩模330，以适当地拉伸图案区331而不产生过度变形。在一些具体实施中，掩模330的主十字形膜可包括(例如)粘附或层合到聚酰亚胺上的金属或塑料背衬。在一项具体实施中，图案区331的背衬被移除，例如使用蚀刻。
在一项实施例中，掩模330为厚约1密耳的聚酰亚胺，并且图案区331以外的伸出部352A至352D含有金属镀层。伸出部352A至352D上的金属镀层有利于夹持，提供更均匀的应力分布，并且提供将热量远离图案区331的传导。在可选择的实施例中，掩模330不包括金属镀层。
每个伸出部352可包括一组变形最小化结构354，例如狭缝，该结构可设置在邻近图案区331的边缘。变形最小化结构通过在拉伸过程中减少图案区331的变形，有利于更精确地拉伸孔眼掩模330。变形最小化结构354的各种构造包括狭缝、孔、穿孔和减缩厚度区等等。
图4A和图4B示出了根据本发明的一个实施例，安装在机架端部结构405上的边缘夹具400的侧视图和末端夹具420的侧视图。应当理解，孔眼掩模组件可包括多个具有夹具400构造的夹具。夹具400通过装配在导轨406上的轴承块464连接到机架端部结构405。轴承块464被构造为沿着导轨406滑动，使得可以沿端部结构405的周边调节夹具400的位置。当整个组件旋转时，沿端部结构周边调节夹具400的位置使掩模401相对于机架和机架开口对齐，和/或使掩模401的螺旋对齐保持在可接受的公差范围内。
夹具400包括第一夹爪410和第二夹爪420，夹爪被构造为夹持孔眼掩模401的边缘。在图4A中示出的实施例中，第一夹爪410可与第二夹爪420分离。掩模401插到第一夹爪410与第二夹爪420之间。掩模401插入后，可用螺丝461、462或其它附连结构连接第一夹爪410和第二夹爪420。
夹具400通过铰链470(包括铰链销轴416)连接到轴承块464。夹具400可围绕铰链销轴416旋转。一旦掩模被夹爪410、420夹持，可以调节夹具400的角(θ)位移，如虚线轮廓451所示。夹具400的角位移提供对掩模拉伸力的有效控制。例如，掩模张力可保持在约0.1％的应变至约0.6％的应变之间。
在一些具体实施中，可以手动调节夹具400围绕铰链销轴416的旋转，例如通过旋转定位螺丝463。在其它具体实施中，掩模401中的拉伸力可使用与调节机构(例如螺杆或螺栓)连接的齿轮马达或其它类型的致动器(未示出)进行调节。在调节过程中，根据用来动态测量掩模拉伸力和/或位置的传感器的反馈，齿轮马达或致动器可改变夹具400围绕铰链销轴416的旋转。孔眼掩模401可以被设计成能提供掩模框标的定位反馈，以精确监视和控制拉伸力。
夹具400的角位置可固定，例如，通过使用插入铰链470的定位螺465并且与第二夹爪420接触。可固定夹具400沿机架端部结构405周边的位置，例如，通过使用插入轴承块464的定位螺丝466并且与导轨406或机架端部结构405接触。
图5更加详细地示出了末端夹具530的示例性构造，所示末端夹具可用于固定孔眼掩模(未在图5中示出)的末端。图5示出了机架508的一部分，包括机架端部结构510和横梁521。末端夹具530通过安装在导轨506上的轴承块564连接到横梁521上。轴承块564被构造为沿着导轨506滑动，使得可以沿着横梁521调节夹具530的位置。调节夹具530沿横梁521的位置可使掩模相对于机架和机架开口适当对齐。
孔眼掩模的末端(图5中未示出)从横梁之间的狭槽插入并且被末端夹具530夹持。末端夹具530包括第一夹爪511和第二夹爪520，夹爪被构造为夹持孔眼掩模的末端。在一些实施例中，例如在图5中示出的示例性实施例，第一夹爪511可与第二夹爪520分离，但也可设想不包括可完全分离的夹爪的夹持结构。掩模插入到第一夹爪511与第二夹爪520之间。掩模插入后，第一夹爪511和第二夹爪520可通过螺丝562栓接到一起或者使用其它附连结构连接在一起。
轴承块564包括具有铰链支承件570的铰链，从中铰链销轴516得以插入。每个夹具530可单独围绕各自的铰链销轴516旋转。掩模被夹爪511、520夹持之后，可以旋转夹具530以调节掩模拉伸力。如本文所述，夹具530的旋转可手动或自动进行。夹具530的旋转可使用定位螺丝563手动完成。夹具530的角位移可使用插入铰链支承件570的定位螺丝565并与夹具530接触来固定。夹具530沿横梁521的位置可固定，例如，使用插入铰链支承件570的定位螺566并与导轨506或横梁521接触。
图6A和图6B示出了根据各种实施例的用于掩模末端夹具和/或边缘夹具以利于掩模夹持的配套表面。在图6A示出的一个实施例中，边缘和/或末端夹具包括研磨表面以加固夹持。配套表面632、633的表面粗糙度提供了配套表面632、633与孔眼掩模680之间增大的摩擦性接触，以形成对掩模680的牢固夹持。图6A示出夹具的第一夹爪631和第二夹爪623各自的配套表面632、633。在此实施例中，第一夹爪631和第二夹爪623的配套表面632、633具有纹理，例如，通过在夹爪631、623中一个或两个上施加或形成层，以提供必需的表面粗糙度值。
在一些实施例中，可以使用粘合剂(例如基于丙烯酸酯的粘合剂或其它类型的粘合剂)将砂纸粘附在夹爪631、623中一个或两个的表面来获得表面粗糙度。砂纸的单位面积粒度应足够高以便不穿透孔眼掩模。在其它实施例中，所需表面粗糙度可通过纹理处理夹爪631、623中一个或两个的表面来获得，例如通过微复制、研磨或压花。
图6B示出了具有配套表面642、643的第一夹爪641和第二夹爪624，所述第一和第二夹爪包括互补特征652、653，所述互补特征被构造为在特征652、653之间接合孔眼掩模680以牢固地夹持掩模680。在图6B中示出的互补特征652、653包括矩形楔652和狭槽653，但也可以使用其它构造的互补特征。
一些实施例涉及使用粘合剂或使用其它附连机构(例如螺丝或铆钉)将掩模固定在机架上。在图6C中，利用粘合剂层635将掩模680固定到机架表面625。在图6D中，使用螺699将掩模680固定到机架表面626。在本发明的范围内，可想象和考虑多种将掩模连接到机架的方法。
图7示出了根据另一个实施例，未安装孔眼掩模的旋转孔眼掩模组件700。孔眼掩模组件700包括机架710，机架包含机架端部结构711、712和横梁740。一个机架端部结构712连接到轴770。轴770连接在驱动机构(未示出)与孔眼掩模组件700之间，以允许驱动机构旋转孔眼掩模组件700。在此实施例中，夹具元件(例如端盖721、722)被用来将掩模夹持在夹具元件与机架的端部结构712之间。
该实施例中的孔眼掩模组件700包括包括凹陷区域723的端盖721和722。机架端部结构711贴合在端盖721的凹陷区域723内。机架端部结构712贴合在端盖722的凹陷区域723内。端盖722和机架端部结构712在掩模组件700的一端形成掩模夹持装置，也就是说被构造为夹持孔眼掩模的第一边缘。当机架端部结构712贴合在端盖722的凹陷区域723内时，孔眼掩模的第一边缘就被固定在端盖722和机架端部结构712之间。端盖722的凸缘726贴合在机架端部结构712的外表面727上。
在掩模组件700的相对端，端盖721和机架端部结构711形成掩模夹持装置，用于夹持孔眼掩模的第二边缘。当机架端部结构711贴合在端盖721的凹陷区域723内时，孔眼掩模的第二边缘就被固定在端盖721与机架端部结构711之间。端盖721的凸缘724贴合在机架端部结构711的外表面725上。掩模夹持装置也可包括围绕端盖721、722周围的可调式带(未示出)(例如软管夹)以提供额外的夹持力。端盖721、722的凹陷区域723的内表面和/或机架端部结构712、711的外表面727、725可包括表面加强机构，以利于牢固地夹持掩模，例如结合附图6A至6D所描述的表面加强机构。
掩模的夹持是通过在机架710和机架端部结构711、712的周边缠绕掩模得以实现的。端盖721和722紧密贴合在机架端部结构711、712和掩模的边缘上，在适当的位置夹持掩模的边缘。插入到端盖721、722的孔753至756中的杆751以及机架端部结构711、712使掩模组件元件保持对齐。
掩模中沿机架轴线790的拉伸力可通过增加机架端部结构711、712之间的距离来调节。在一个实施例中，通过旋转从接入孔780插入的调节螺栓(未示出)来增减掩模拉伸力。调节螺栓和机架端部结构711、712可如此布置：上紧调节螺栓产生相对两个机架端部结构711、712的轴向力，轴向延伸孔眼掩模组件700，从而沿基本平行于机架710的轴线790拉紧掩模。
在图7A中示出的实施例中，通过插入机架端部结构711、712的凹口761中的销轴760形成掩模末端夹持装置。掩模末端在销轴760上折叠并且销轴760被插到凹口761中。端盖721、722贴合在机架端部结构711、712之上，将销轴760锁紧在凹口761中，从而将掩模末端固定在适当的位置。
沉积过程可导致沉积材料显著地积聚在掩模和/或机架上，由此需要对掩模和/或机架进行最终的清洁或处理。图8示出了根据本发明实施例的沉积系统800，其包括用于清洁孔眼掩模组件810的机构。系统800包括双区室870，该室具有沉积室871和清洁室872。孔眼掩模组件810在沉积室和清洁室871、872内旋转890，以使得孔眼掩模组件810的一部分位于沉积室871内而其另一部分位于清洁室872内。孔眼掩模组件810包括具有至少一个开口的旋转式机架808。如前所述，可与机架808所限定的形状贴合的孔眼掩模821被夹持结构拉紧，所述夹持结构包括一个或多个孔眼边缘夹具结构和一个或多个孔眼末端夹具结构。
掩模821的孔眼与机架808中的开口对齐，以使得沉积材料从设置在机架808内的沉积源840穿过机架808的孔眼涂覆在幅材基底801上。
图8中示出的构造允许同时使用和清洁孔眼掩模组件810。孔眼掩模组件810占据沉积室871的部分可在沉积过程使用，而且，可以同时清洁孔眼掩模组件810占据清洁室872的部分。随着孔眼掩模组件810旋转890，已清洁部分移动到沉积室871并且已使用部分移动到清洁室872。
沉积室871包封幅材传送系统820和沉积源840。如前所述，在沉积工艺过程中，幅材传送系统相对于沉积源840移动幅材801。幅材801布置在退绕辊805上，退绕辊将幅材801递送到沉积系统800的其余部分。在该实施例中，幅材801穿过第一惰辊806之上，围绕旋转式机架808周围的一部分，穿过第二惰辊812之上，然后被卷绕辊811收集。
清洁室872包封清洁源850，例如等离子蚀刻源、离子束蚀刻源、活性蚀刻源、蒸发源、加热源或其它清洁源。沉积室871和清洁室872中的一个或两个可以排空或可不排空。在每个室871、872中可保持不同的真空度。
本发明给出不同实施例的上述具体实施方式，其目的是举例说明和描述说明。详细说明具体实施方式并非旨在详尽描述本发明或将本发明限定于所公开的明确形式。可按照上述教导内容进行多种修改和变化。例如，本发明的实施例可以在许多种应用中得以实施。本发明的范围不受所述具体实施方式的限定，而是受文中随附的权利要求书限定。

Claims (23)

1.一种装置，包括：
可旋转机架；
掩模，其具有孔眼；以及
夹持结构，其被构造为拉紧所述掩模，使所述掩模与所述机架限定的形状贴合。
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述机架大致为圆柱形。
3.根据权利要求1所述的装置，其中所述夹持结构被构造为围绕所述机架的周围拉紧所述掩模。
4.根据权利要求1所述的装置，其中所述夹持结构被构造为沿基本平行于所述机架轴线的方向拉紧所述掩模至所述机架限定的形状。
5.根据权利要求1所述的装置，其中所述夹持结构被构造为围绕所述机架的周围并且沿基本平行于所述机架轴线的方向拉紧所述掩模。
6.根据权利要求1所述的装置，其中所述机架包括：
两个端部结构；以及
一个或多个横梁，其连接到所述端部结构。
7.根据权利要求6所述的装置，其中所述夹持结构包括至少一个夹具，所述夹具设置在所述端部结构中的至少一个上，所述至少一个夹具被构造为夹持所述掩模的边缘并且沿基本平行于所述机架轴线的方向拉紧所述掩模。
8.根据权利要求6所述的装置，其中所述夹持结构包括：
夹持元件，其被构造为在所述夹持元件与所述端部结构之一之间夹持所述掩模；以及
机构，其被构造为沿基本平行于所述机架的轴线方向拉紧所述掩模。
9.根据权利要求6所述的装置，其中所述夹持结构包括沿所述端部结构中的至少一个的周边设置的多个夹具，所述多个夹具被构造为夹持所述掩模的边缘并且沿基本平行于所述机架轴线的方向拉紧所述掩模。
10.根据权利要求6所述的装置，其中所述夹持结构包括至少一个夹具，所述夹具被构造为通过调节所述夹具的位置向所述掩模施加拉伸力。
11.根据权利要求10所述的装置，其中所述位置为旋转位置。
12.根据权利要求10所述的装置，其中所述夹具包括被构造为与所述掩模接触的表面，所述表面包括一个或多个被构造为增强牢固夹持所述掩模的表面特征。
13.根据权利要求6所述的装置，其中所述夹持结构包括沿横梁中的至少一个设置的至少一个夹具，所述至少一个夹具被构造为夹持所述掩模的末端并且围绕所述机架周围拉紧所述掩模。
14.根据权利要求1所述的装置，其中所述掩模为柔性聚合物掩模。
15.根据权利要求1所述的装置，其中所述掩模的所述孔眼被构造为允许材料穿过所述孔眼进行沉积。
16.一种沉积系统，包括：
室，其包括沉积区；
可旋转机架组件，其设置在所述室内，所述机架组件包括：
机架；
掩模，其具有一个或多个孔眼；和
夹持结构，其被构造为拉紧所述掩模并且使所述掩模与所述机架限定的形状贴合；
沉积源，其设置在所述沉积区内；以及
幅材驱动机构，其被构造为相对于所述沉积源移动幅材，以使得材料从所述沉积源穿过所述掩模的所述孔眼沉积到所述幅材上。
17.根据权利要求16所述的沉积系统，其中所述沉积源设置在所述机架内，并且在所述机架中的开口允许所述材料从所述沉积源穿过所述掩模进行沉积。
18.根据权利要求16所述的沉积系统，其中所述沉积源包括电子束沉积源、热蒸发源、溅镀阴极源、气相沉积源或液相沉积源中的至少一个。
19.根据权利要求16所述的沉积系统，其中所述掩模可从所述机架中移除。
20.根据权利要求16所述的沉积系统，其中所述机架组件可从所述室中移除。
21.根据权利要求16所述的沉积系统，其中所述室还包括清洁区，并且所述可旋转机架被构造为在所述室的所述沉积区和所述清洁区内旋转。
22.根据权利要求21所述的沉积系统，还包括位于所述清洁区内和位于所述机架内的清洁源。
23.一种孔眼掩模组件，包括：
可旋转机架；
具有孔眼的掩模，所述孔眼被构造为允许材料穿过所述机架并穿过所述孔眼进行沉积；以及
装置，其用于拉紧所述掩模并使所述掩模与所述机架限定的形状贴合。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102169927A (zh) * 2010-12-31 2011-08-31 东莞市万丰纳米材料有限公司 一种led芯片图形衬底制备装置
CN102453871A (zh) * 2010-10-18 2012-05-16 三星移动显示器株式会社 薄膜沉积设备以及掩模单元和坩埚单元
CN102804406A (zh) * 2009-04-03 2012-11-28 联合太阳能奥佛有限公司 带有改进幅材传输系统的卷对卷沉积设备
CN103872265A (zh) * 2012-12-17 2014-06-18 环球展览公司 制造柔性有机电子装置
CN104419891A (zh) * 2013-09-11 2015-03-18 三星显示有限公司 对准掩模组件方法
CN104507587A (zh) * 2012-08-30 2015-04-08 威兰德-沃克公开股份有限公司 用于热和/或动态涂覆系统的可移动掩模
CN105900213A (zh) * 2013-12-30 2016-08-24 Gtat公司 用于cad反应器的改善的辐射屏障
CN106987798A (zh) * 2017-04-17 2017-07-28 京东方科技集团股份有限公司 一种镀膜装置
CN109402592A (zh) * 2017-08-18 2019-03-01 Tcl集团股份有限公司 器件侧面蒸镀装置及器件侧面蒸镀方法
CN112996949A (zh) * 2018-11-14 2021-06-18 因诺弗莱克斯科技有限公司 用于将第一层和第二层沉积在基板上的系统和方法

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007139379A1 (en) 2006-05-30 2007-12-06 Fujifilm Manufacturing Europe B.V. Method and apparatus for deposition using pulsed atmospheric pressure glow discharge
JP5506401B2 (ja) 2007-02-13 2014-05-28 フジフィルム マニュファクチャリング ユーロプ ビー．ブイ． 磁気マスクデバイスを使用する基板プラズマ処理
EP2235735B1 (en) * 2008-02-01 2015-09-30 Fujifilm Manufacturing Europe B.V. Method and apparatus for plasma surface treatment of a moving substrate
JP5473946B2 (ja) 2008-02-08 2014-04-16 フジフィルム マニュファクチュアリング ヨーロッパ ビー．ヴィ． Ｗｖｔｒバリア性を改善した多層スタック構造体の製造方法
WO2009101795A1 (ja) * 2008-02-15 2009-08-20 Panasonic Corporation 薄膜形成方法および成膜装置
KR100953495B1 (ko) * 2008-05-21 2010-04-16 건국대학교 산학협력단 롤투롤 방식 인쇄 방법 및 장치
JP2010168654A (ja) * 2008-12-26 2010-08-05 Ulvac Japan Ltd マスク装置
US8349143B2 (en) * 2008-12-30 2013-01-08 Intermolecular, Inc. Shadow masks for patterned deposition on substrates
EP2360293A1 (en) * 2010-02-11 2011-08-24 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Method and apparatus for depositing atomic layers on a substrate
KR101784467B1 (ko) * 2011-01-10 2017-10-12 삼성디스플레이 주식회사 분할 마스크 및 그것을 이용한 마스크 프레임 조립체의 조립방법
WO2013096951A1 (en) * 2011-12-23 2013-06-27 Solexel, Inc. High productivity spray processing for semiconductor metallization and interconnects
EP2762607B1 (en) * 2013-01-31 2018-07-25 Applied Materials, Inc. Deposition source with adjustable electrode
EP2765218A1 (en) * 2013-02-07 2014-08-13 Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO Method and apparatus for depositing atomic layers on a substrate
KR102106331B1 (ko) * 2013-07-08 2020-05-06 삼성디스플레이 주식회사 마스크 조립체 및 이의 제조 방법
EP3030880A4 (en) 2013-09-11 2017-04-26 Halliburton Energy Services, Inc. Method and apparatus for aligning components of integrated optical sensors
KR101677157B1 (ko) * 2015-07-31 2016-11-17 (주)아이작리서치 기판 처리 장치
KR102618351B1 (ko) * 2016-07-19 2023-12-28 삼성디스플레이 주식회사 패턴위치조정기구가 구비된 마스크 프레임 조립체 및 그것을 이용한 패턴 위치 조정 방법
CN106148892B (zh) * 2016-07-25 2019-04-02 京东方科技集团股份有限公司 一种子掩膜版的张网方法及掩膜版、基板、显示装置
KR20180032717A (ko) * 2016-09-22 2018-04-02 삼성디스플레이 주식회사 증착용 마스크, 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법
US20190044068A1 (en) * 2017-08-01 2019-02-07 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Dis play Technology Co., Ltd. Mask plate
DE102018215101A1 (de) * 2018-05-28 2019-11-28 Sms Group Gmbh Vakuumbeschichtungsanlage, und Verfahren zum Beschichten eines bandförmigen Materials
DE102018215100A1 (de) * 2018-05-28 2019-11-28 Sms Group Gmbh Vakuumbeschichtungsanlage, und Verfahren zum Beschichten eines bandförmigen Materials

Family Cites Families (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2948261A (en) 1956-12-07 1960-08-09 Western Electric Co Apparatus for producing printed wiring by metal vaporization
US3669060A (en) 1970-09-24 1972-06-13 Westinghouse Electric Corp Mask changing mechanism for use in the evaporation of thin film devices
US3735728A (en) 1971-12-01 1973-05-29 Andvari Inc Apparatus for continuous vacuum deposition
US3866565A (en) * 1973-12-21 1975-02-18 David E U Ridout Vapor deposition apparatus with rotating drum mask
US3885520A (en) 1974-03-08 1975-05-27 John F Krumme Vapor deposition apparatus with rotatable ring mask
US4096821A (en) 1976-12-13 1978-06-27 Westinghouse Electric Corp. System for fabricating thin-film electronic components
US4344988A (en) 1978-08-01 1982-08-17 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Method for forming patterned coating
US4344161A (en) * 1979-02-09 1982-08-10 Kabushiki Kaisha Suwa Seikosha Electronic timepiece
US4945252A (en) 1980-07-07 1990-07-31 Automated Packaging Systems, Inc. Continuous web registration
US4335161A (en) 1980-11-03 1982-06-15 Xerox Corporation Thin film transistors, thin film transistor arrays, and a process for preparing the same
US4777909A (en) 1981-02-09 1988-10-18 Applied Magnetics Corporation Carriage apparatus for indexing and accurately registering a selected stabilized mask of a plurality of stabilizing masks between a substrate and a source
US4492180A (en) 1981-03-16 1985-01-08 Applied Magnetics Corporation Apparatus for indexing and registering a selected deposition mask to a substrate and method therefor
JPS57179952A (en) 1981-04-24 1982-11-05 Fuji Photo Film Co Ltd Method and apparatus for magnetic recording medium
JPS596372A (ja) 1982-07-03 1984-01-13 Shinko Electric Ind Co Ltd 金属帯条の部分真空蒸着方法およびその装置
US4549843A (en) 1983-03-15 1985-10-29 Micronix Partners Mask loading apparatus, method and cassette
US4681780A (en) * 1983-12-01 1987-07-21 Polaroid Corporation Continuously cleaned rotary coating mask
US4915057A (en) 1985-10-23 1990-04-10 Gte Products Corporation Apparatus and method for registration of shadow masked thin-film patterns
US4746548A (en) 1985-10-23 1988-05-24 Gte Products Corporation Method for registration of shadow masked thin-film patterns
EP0311302B1 (en) 1987-10-07 1992-06-24 THORN EMI plc Apparatus and method for the production of a coating on a web
DE68928460T2 (de) 1988-09-06 1998-04-02 Canon Kk Maskenkassetten-Ladevorrichtung
FR2662015B1 (fr) 1990-05-11 1995-02-17 Europ Composants Electron Dispositif de positionnement de bandes-cache dans une machine de metallisation.
JPH0927454A (ja) 1995-07-13 1997-01-28 Fuji Electric Co Ltd 選択蒸着用マスク
US6309446B1 (en) * 1997-02-17 2001-10-30 Kanebo, Ltd. Activated carbon for adsorptive storage of gaseous compound
JP2000138203A (ja) 1998-10-30 2000-05-16 Toshiba Corp Ｘ線マスク用カセット、ｘ線マスク製造装置及び製造方法
DE19906676A1 (de) 1999-02-18 2000-08-24 Leybold Systems Gmbh Bedampfungsvorrichtung
US6440277B1 (en) 1999-03-10 2002-08-27 American Bank Note Holographic Techniques of printing micro-structure patterns such as holograms directly onto final documents or other substrates in discrete areas thereof
US6475287B1 (en) 2001-06-27 2002-11-05 Eastman Kodak Company Alignment device which facilitates deposition of organic material through a deposition mask
JP4336869B2 (ja) 2001-11-27 2009-09-30 日本電気株式会社 真空成膜装置、真空成膜方法および電池用電極の製造方法
US6897164B2 (en) * 2002-02-14 2005-05-24 3M Innovative Properties Company Aperture masks for circuit fabrication
US6821348B2 (en) 2002-02-14 2004-11-23 3M Innovative Properties Company In-line deposition processes for circuit fabrication
US20030151118A1 (en) 2002-02-14 2003-08-14 3M Innovative Properties Company Aperture masks for circuit fabrication
US6709962B2 (en) 2002-03-19 2004-03-23 N. Edward Berg Process for manufacturing printed circuit boards
US6746946B2 (en) 2002-03-19 2004-06-08 N. Edward Berg Process and apparatus for manufacturing printed circuit boards
US6943066B2 (en) 2002-06-05 2005-09-13 Advantech Global, Ltd Active matrix backplane for controlling controlled elements and method of manufacture thereof
US7132016B2 (en) 2002-09-26 2006-11-07 Advantech Global, Ltd System for and method of manufacturing a large-area backplane by use of a small-area shadow mask
KR100909422B1 (ko) 2002-12-31 2009-07-24 엘지디스플레이 주식회사 액정표시소자의 패턴 및 그 형성방법
US6926840B2 (en) 2002-12-31 2005-08-09 Eastman Kodak Company Flexible frame for mounting a deposition mask
KR100534580B1 (ko) 2003-03-27 2005-12-07 삼성에스디아이 주식회사 표시장치용 증착 마스크 및 그의 제조방법
ITTO20030691A1 (it) 2003-09-11 2005-03-12 Edison Termoelettrica Spa Metodo ed apparecchiatura per formare uno strato
US7121496B2 (en) 2003-10-23 2006-10-17 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method and system for correcting web deformation during a roll-to-roll process
US7153180B2 (en) 2003-11-13 2006-12-26 Eastman Kodak Company Continuous manufacture of flat panel light emitting devices

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102804406A (zh) * 2009-04-03 2012-11-28 联合太阳能奥佛有限公司 带有改进幅材传输系统的卷对卷沉积设备
CN102453871A (zh) * 2010-10-18 2012-05-16 三星移动显示器株式会社 薄膜沉积设备以及掩模单元和坩埚单元
CN102453871B (zh) * 2010-10-18 2015-08-05 三星显示有限公司 薄膜沉积设备以及掩模单元和坩埚单元
CN102169927A (zh) * 2010-12-31 2011-08-31 东莞市万丰纳米材料有限公司 一种led芯片图形衬底制备装置
CN104507587A (zh) * 2012-08-30 2015-04-08 威兰德-沃克公开股份有限公司 用于热和/或动态涂覆系统的可移动掩模
CN103872265A (zh) * 2012-12-17 2014-06-18 环球展览公司 制造柔性有机电子装置
CN104419891A (zh) * 2013-09-11 2015-03-18 三星显示有限公司 对准掩模组件方法
CN104419891B (zh) * 2013-09-11 2018-11-16 三星显示有限公司 对准掩模组件方法
CN105900213A (zh) * 2013-12-30 2016-08-24 Gtat公司 用于cad反应器的改善的辐射屏障
CN105900213B (zh) * 2013-12-30 2020-08-21 Gtat公司 用于cad反应器的改善的辐射屏障
US11015244B2 (en) 2013-12-30 2021-05-25 Advanced Material Solutions, Llc Radiation shielding for a CVD reactor
CN106987798A (zh) * 2017-04-17 2017-07-28 京东方科技集团股份有限公司 一种镀膜装置
CN109402592A (zh) * 2017-08-18 2019-03-01 Tcl集团股份有限公司 器件侧面蒸镀装置及器件侧面蒸镀方法
CN109402592B (zh) * 2017-08-18 2020-06-26 Tcl科技集团股份有限公司 器件侧面蒸镀装置及器件侧面蒸镀方法
CN112996949A (zh) * 2018-11-14 2021-06-18 因诺弗莱克斯科技有限公司 用于将第一层和第二层沉积在基板上的系统和方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2007078556A1 (en) 2007-07-12
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