CN101337336B - 研磨半导体晶片的方法 - Google Patents

研磨半导体晶片的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101337336B
CN101337336B CN2008101082836A CN200810108283A CN101337336B CN 101337336 B CN101337336 B CN 101337336B CN 2008101082836 A CN2008101082836 A CN 2008101082836A CN 200810108283 A CN200810108283 A CN 200810108283A CN 101337336 B CN101337336 B CN 101337336B
Authority
CN
China
Prior art keywords
milling tool
coolant flow
tooth lapping
flow speed
height
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN2008101082836A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101337336A (zh
Inventor
J·容格
R·魏斯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siltronic AG
Original Assignee
Siltronic AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siltronic AG filed Critical Siltronic AG
Publication of CN101337336A publication Critical patent/CN101337336A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101337336B publication Critical patent/CN101337336B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
    • B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B55/00—Safety devices for grinding or polishing machines; Accessories fitted to grinding or polishing machines for keeping tools or parts of the machine in good working condition
    • B24B55/02—Equipment for cooling the grinding surfaces, e.g. devices for feeding coolant
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/10—Single-purpose machines or devices
    • B24B7/16—Single-purpose machines or devices for grinding end-faces, e.g. of gauges, rollers, nuts, piston rings
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/10—Single-purpose machines or devices
    • B24B7/16—Single-purpose machines or devices for grinding end-faces, e.g. of gauges, rollers, nuts, piston rings
    • B24B7/17—Single-purpose machines or devices for grinding end-faces, e.g. of gauges, rollers, nuts, piston rings for simultaneously grinding opposite and parallel end faces, e.g. double disc grinders

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)

Abstract

本发明涉及研磨半导体晶片的方法，借助至少一个研磨工具，分别通过将冷却剂提供到半导体晶片和至少一个研磨工具之间的接触区中对半导体晶片进行加工以便除去一面或两面上的材料，所述方法的特征在于根据至少一个研磨工具的研磨齿高度分别选择冷却剂的流速，并且该冷却剂的流速随着所述研磨齿高度的下降而减小。

Description

研磨半导体晶片的方法
技术领域
本发明涉及研磨半导体晶片的方法。
背景技术
根据现有技术，通过多个步骤组来制造半导体晶片：
a)制造单晶半导体棒(晶体生长)
b)将所述棒切为单个晶片(“切成晶片”、“切割”)
c)进行机械加工
d)进行化学加工
e)进行化学-机械加工
f)任选地进行涂敷
除此之外，还进行多个其他步骤，例如清洗、分拣、测量和包装步骤。
机械加工步骤组包括通过除去材料的机械研磨步骤将晶片边缘倒圆并使晶片表面平坦化。
例如利用圆形或带状工具，通过研磨或抛光来进行边缘倒圆。
通过所谓的在使用研磨悬浮液(“浆液”)的情况下利用自由研磨剂的研磨成批地(即同时对多个晶片)进行晶片表面的平坦化，或者通过使用结合研磨剂(bound abrasive)的研磨作为单个晶片加工来进行晶片表面的平坦化。
在单面研磨的情况下，将半导体晶片的一面通过真空固定在晶片载具(“卡盘”)中，并且通过涂敷有研磨剂的研磨盘对另一面进行加工。如果晶片的两面都要被研磨，则通常依次加工半导体晶片的两面。
利用研磨运动学还采用成批双面研磨法，在所述研磨法中将结合研磨剂或研磨剂施加到彼此面对的大加工盘上的涂层(布)上，在所述加工盘之间半导体晶片如在研磨的情况下在部分自由地在导向笼(guide cage)中移动时在两面上被研磨。
为了使所加工的晶片实现特别好的几何形状，通常使用同时双面研磨法(“双盘研磨”，DDG)。
EP 1 049 245 A1公开了一种加工顺序，其包括DDG预研磨步骤(“粗磨”)，随后是一个或多个(“连续”)单面细研磨步骤(“打平”)。
相反，US 6,066,565描述了在具有双面预研磨和双面细研磨的两步加工中使用DDG方法。这需要两台机器和多次夹住工件。
DE 101 42 400 A1公开了一种利用同时双面研磨机实施的方法，其特征在于仅包括工件仅被夹住一次的单个加工操作。这意味着通常要求的预加工和细加工(“粗磨”和“打平”)在一个综合加工步骤中进行。还描述了同时双面研磨方法，其使用固定并移动半导体晶片而实际上无需强迫引导(“自由-浮置加工”，FFP)的工件固定器。
在例如EP 868 974 A2中也描述了的同时双面研磨的情况下，在半导体晶片在两个固定在相反的同线轴上的研磨盘之间自由移动时对半导体晶片的两面同时进行加工，并且在轴向上在基本没有强制力的情况下在作用于正面和背面的水垫(流体静力原理)或空气垫(空气静力学原理)之间引导所述半导体晶片，并且通过薄的圆形引导环或通过单独的径向辐条防止所述半导体晶片在径向上松散地浮置在其上。在研磨过程中，半导体晶片沿其对称轴旋转。经由接合在定向基准“槽”中的“槽手指(notch finger)”，通过接合在正面和背面上的摩擦工具驱动该旋转，或通过使半导体晶片周围部分密封的摩擦带而驱动该旋转。
DE 10 2004 005 702 A1公开了一种制造半导体晶片的方法，其包括半导体晶片的双面研磨，其中通过研磨工具首先对半导体晶片的两面进行粗研磨，然后进行细研磨，所述方法的特征在于在粗研磨与细研磨之间使半导体晶片保持夹在研磨机中，并且在由粗研磨变至细研磨时使研磨工具与基本保持恒定的负载接合。DE 10 2004 005 702 A1还描述了一种用于平面加工件的双面研磨的装置，其包括两个各自具有内子轴和外子轴的双轴、用于装载和卸载工件的装置以及设置在双轴之间的工件固定器，通过其使工件在研磨步骤中自由浮置，共轴设置所述子轴且使其承载用于研磨工件的相反面的研磨工具，并且每个双轴的至少一个子轴可独立于双轴的另一子轴分别进行轴向位移。
在研磨加工过程中，这适用于单面研磨法和双面研磨法，需要对研磨工具和/或被加工的半导体晶片进行冷却。通常将水或去离子水用作冷却剂。适于分别研磨直径为100-200mm和200-300mm的晶片的商用研磨机，例如Disco Corp.的DFG8540和DFG8560型(“研磨机800系列”)，在加工面上转配有真空单元，所述真空单元在研磨过程中根据冷却剂温度(对于低于22℃的温度恒定为1l/min，对于高于22℃的温度恒定为3l/min)确保1或3l/min(＝升/每分钟)的恒定冷却剂流速。
双面研磨机例如可以从Koyo Machine Industries Co.，Ltd.获得。DXSG320型适于300mm晶片的DDG研磨。垂直轴和水平轴与特殊的金刚石研磨工具结合使用。设计这些研磨工具使得它们仅用边缘进行切割且具有快速的向前进料速度而产生很少的热量。主要的差别为晶片的固定。在传输环中通过两面上的静水压垫(hydrostatic pressure pad)固定待加工的晶片。晶片仅仅通过接合在槽或平板中的小突出部分进行驱动。以这种方式可以确保晶片的无压力固定。
JP58143948描述了一种用于在单面研磨机中冷却的方法以及将冷却剂施用到待加工的晶片表面上的方法。
JP2250771给出了以下启示：确定冷却剂流速，并且根据所测得的研磨温度而将其快速提高以便在一方面将研磨温度保持在预定温度范围内且在另一方面还使冷却剂的使用量保持在最小的需求水平上。
在双面研磨机中，加工冷却剂通常从研磨工具的中心排出并通过离心力传输到研磨齿(grinding teeth)。可以通过将冷却剂流速保持为设定点值而调节冷却剂流量。可以借助适当的测量装置和致动器或通过机械方式(减压器)来用电子学方法进行这种调节。
US2001/025660 AA提出对研磨机自动监测研磨机的机器加工/使用时间和机器空闲/准备时间(“工作”和“空闲”模式)，并且相应地调节冷却剂的流速。在准备时间(setup time)的开始，减小或完全停止冷却剂的流动，然后在准备时间中，即在引入新的工件的过程中周期性地提高冷却剂的流动。这与现有技术中公知的解决方案(即甚至在机器空闲时间时也使冷却剂的流速保持恒定)相比，更经济地使用了冷却剂。至少在接近准备时间结束时的特定冷却剂流速是有利的，这是因为研磨机例如包括对温度差反应非常敏感的传感器。
US 5113622 AA提出针对冷却剂的流入和流出的温度检测器。因此确定流入和流出时的温度差。通过考虑冷却剂的流速和热消散，该温度差用于表示在研磨过程中产生的热量。为了将待加工的GaAs晶片的温度保持在特定目标温度之下，并且避免由于残余热应力而导致的裂缝或翘曲，建议根据连续确定的热量而相应地调节冷却剂的流速。
因此，现有技术中的公知方法或者包括将工件的温度保持恒定或低于目标值并相应地提高冷却剂的流速，或者用一个或两个目标值设定恒定的冷却剂流速。
截止到本申请日现有技术所不能解决的问题为使用同一个研磨工具研磨的工件具有不同的表面损伤，这意味着非恒定的研磨条件，以及甚至在想要确保恒定的冷却剂流速和由此据信对工件和研磨工具有充分的冷却时研磨工具的寿命(关于这点本领域技术人员也指研磨工具的使用寿命)也不能令人满意。
发明内容
本发明的目的是实现更恒定的研磨条件并改善研磨机中的冷却类型。
本发明的目的是通过研磨半导体晶片的方法来实现的，借助至少一个研磨工具，分别通过将冷却剂提供到半导体晶片和至少一个研磨工具之间的接触区中而对所述半导体晶片进行加工以便除去一面或两面上的材料，所述方法的特征在于根据至少一个研磨工具的研磨齿高度分别选择冷却剂的流速，并且冷却剂的流速随着研磨齿高度的降低而减小。
具体实施方式
根据现有技术的单面和双面研磨机均适于根据本发明的方法。
因此，本发明优选涉及用于半导体晶片的单面研磨的方法。
更优选用于半导体晶片的同时双面研磨(DDG)的方法。
优选地，在使用刚出厂的新研磨工具时，在研磨加工过程中分别确定该研磨工具的当前的研磨齿高度，并且根据以这种方式确定的研磨齿高度减小冷却剂的流速，尽管甚至在低的研磨齿高度下冷却剂的流速也不应降至特定的最小值之下。
与现有技术相反，冷却剂的流速因而不是恒定或者甚至增加而是减小。
本发明人发现只有通过这种方式才能实现对工件和研磨工具之间的接触区的恒定冷却。然后冷却剂停在研磨齿的前面，绕所述研磨齿流动并根据工件和研磨工具之间的接触区中的研磨齿的高度而扰动。
到达该接触区的冷却剂的量对于研磨结果(“表面下损坏”)和研磨工具的使用寿命是至关重要的。
陶瓷结合的金刚石研磨齿会磨损，从而使研磨齿的高度随着使用时间的增加而降低。本发明人发现在现有技术中，当仅规定使冷却剂的流速保持恒定时，在整个使用期间工件与研磨工具之间的接触区的恒定冷却实际上是不可能的。
本发明人发现有利的是针对刚出厂的工具设置的冷却剂流量高于针对旧工具设置的冷却剂流量。
当工件的研磨齿高度达到最小值时，应该将流量选择成如此之低以至于防止将干扰研磨加工的漂滑效应(aquaplaning effect)。这优选应用于双面研磨机，而漂滑效应对于单面机器不是很重要。
为了避免现有技术中伴随连续恒定的冷却剂流速的漂滑效应，具有临界最小的研磨齿高度的研磨工具已经被替代。
电子冷却水流动调节器的软件确保用于一个研磨工具或分别用于两个研磨工具的冷却剂流速的当前设定点值在测量当前的研磨齿高度之后经由冷却剂流速(参见实例和表1)的可参数化的分布图(parameterizable profile)而确定，所述可参数化的分布图包含多个取样点并且取决于研磨齿高度。
优选借助致动器或借助减压器将流量调节至随研磨齿高度而变化的该设定点值。用于通过调节而确保恒定冷却剂流速的相应致动器和减压器装置在现有技术中是公知的。
优选在对每一个工件进行加工之后确定一个研磨工具或两个研磨工具的当前的研磨齿高度。
根据本发明的方法的特别有利之处在于由于工件和研磨工具之间的接触区的恒定冷却而在整个研磨工具的使用寿命期间实现了恒定的表面损伤。
其还防止了在低的研磨齿高度的情况下将会发生漂滑，或者防止了在达到特定研磨齿高度时需要过早地替换研磨工具。在现有技术中，为了监测研磨齿高度以便在达到最小研磨齿高度时就立刻进行必要的工具替换而提供了用于测量研磨齿高度的装置。
此外，由于大研磨齿高度而具有的更好冷却效果使得研磨工具的总使用寿命更长。
实例
以下实例涉及Koyo Machine Industries的DXSG320型的双面研磨机。
这里，两个垂直设置的研磨工具彼此分开地进行冷却，即在左研磨工具的研磨齿高度小于右研磨工具的研磨齿高度时，对于左研磨工具和右研磨工具选择不同的冷却剂流量。
对于左研磨工具和右研磨工具，将水流速设为100％参考值。在本实例中，对于21℃的冷却水温度，其为1.5升/分钟，这表示根据现有技术的常规值。在现有技术中，通常试图使该水流速保持恒定。现有技术已经提议在所述研磨机上配备致动器或减压器。
对于每一个研磨工具，根据当前的研磨齿高度将水流速的多个取样点设为水流速参考值(＝100％)的％，即例如对于0.5mm的研磨齿高度的水流速为参考值的60％(＝0.9l/min)。
在每个研磨步骤之后通过机器对每一个研磨工具分别确定的研磨齿高度以mm表述，参见表1。所讨论的研磨机加工侧已经配备有用于测量研磨工具的研磨齿高度的装置。
Figure S2008101082836D00061
表1
借助机器软件，在所参数化的取样点(在本实例中有5个取样点)之间插入曲线从而可以将用于冷却水流速的确切设定点值分配给每个确定的研磨齿高度。将这个用于冷却水流速的设定点值作为目标量提供给机器中的调节器。在研磨加工过程中，机器于是分别将两个研磨工具调节到相应的当前设定点值。调节本身借助致动器及减压器而基本自动进行。
最初使用的研磨工具在未使用的状态下具有6.0mm的研磨齿高度。将开始时的水流速选择为1.5升/分钟的标准值(100％)的140％。用于防止漂滑效应的最小冷却剂流速为标准值的40％。

Claims (9)

1.一种研磨半导体晶片的方法，借助至少一个研磨工具，分别通过将冷却剂提供到半导体晶片和所述至少一个研磨工具之间的接触区中对半导体晶片进行加工以便除去一面或两面上的材料，所述方法的特征在于根据所述至少一个研磨工具的研磨齿高度分别选择冷却剂的流速，并且该冷却剂的流速随着所述研磨齿高度的下降而减小。
2.根据权利要求1所述的研磨半导体晶片的方法，其中使用单面研磨机并且借助研磨工具在一面上对所述半导体晶片进行研磨。
3.根据权利要求1所述的研磨半导体晶片的方法，其中使用双面研磨机并且借助两个研磨工具同时在两面上对所述半导体晶片进行研磨。
4.权利要求1到3中任一项所述的方法，其中在所述至少一个研磨工具为新的研磨工具时，首先选择高冷却剂流速，在研磨加工过程中分别确定所述至少一个研磨工具的当前研磨齿高度，并且根据以这种方式确定的所述研磨齿高度分别减小所述冷却剂流速。
5.根据权利要求3所述的方法，其中所述冷却剂流速不降到最小值之下。
6.根据权利要求3所述的方法，其中使用具有陶瓷结合的金刚石研磨齿的研磨工具。
7.根据权利要求3所述的方法，其中通过软件根据所述研磨齿高度电子确定所述冷却剂流速的设定点值，并且借助致动器或减压器而调节所述冷却剂流速的设定点值。
8.根据权利要求7所述的方法，其中借助软件通过用于先前确定的研磨齿高度的冷却剂流速的可参数化分布图来确定所述冷却剂流速的设定点值，所述可参数化的分布图包含多个取样点且取决于研磨齿高度。
9.根据权利要求3所述的方法，其中在每一个加工步骤结束之后确定两个研磨工具上的当前的研磨齿高度，对于这些研磨齿高度确定所述冷却剂流速的设定点值，并且分别对于所述两个研磨工具而调节所述冷却剂流速的所述设定点值。
CN2008101082836A 2007-07-04 2008-06-05 研磨半导体晶片的方法 Active CN101337336B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102007030958.0 2007-07-04
DE102007030958.0A DE102007030958B4 (de) 2007-07-04 2007-07-04 Verfahren zum Schleifen von Halbleiterscheiben

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101337336A CN101337336A (zh) 2009-01-07
CN101337336B true CN101337336B (zh) 2010-09-29

Family

ID=40092363

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008101082836A Active CN101337336B (zh) 2007-07-04 2008-06-05 研磨半导体晶片的方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7666064B2 (zh)
JP (1) JP4921430B2 (zh)
KR (1) KR101005245B1 (zh)
CN (1) CN101337336B (zh)
DE (1) DE102007030958B4 (zh)
SG (1) SG148968A1 (zh)
TW (1) TWI366226B (zh)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009048436B4 (de) 2009-10-07 2012-12-20 Siltronic Ag Verfahren zum Schleifen einer Halbleiterscheibe
US8712575B2 (en) * 2010-03-26 2014-04-29 Memc Electronic Materials, Inc. Hydrostatic pad pressure modulation in a simultaneous double side wafer grinder
JP5851803B2 (ja) * 2011-03-18 2016-02-03 光洋機械工業株式会社 薄板状ワークの研削方法及び両頭平面研削盤
JP6088803B2 (ja) 2012-11-16 2017-03-01 株式会社日立ハイテクノロジーズ 画像処理装置、自己組織化リソグラフィ技術によるパターン生成方法、及びコンピュータープログラム
JP6117030B2 (ja) 2013-07-08 2017-04-19 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 飛散板、研削ホイール、および、研削装置
DE102017215705A1 (de) 2017-09-06 2019-03-07 Siltronic Ag Vorrichtung und Verfahren zum doppelseitigen Schleifen von Halbleiterscheiben
CN112512656A (zh) 2018-05-30 2021-03-16 加利福尼亚大学董事会 用于组织和细胞聚集体解离及单细胞富集的微流体过滤装置及方法
CN109483347B (zh) * 2018-10-26 2021-09-17 衡东县华辉水泥制品有限公司 一种废旧实心砖截断面修整设备
JP7159861B2 (ja) 2018-12-27 2022-10-25 株式会社Sumco 両頭研削方法
CN111360608B (zh) * 2020-03-06 2021-08-27 徐州鑫晶半导体科技有限公司 双面减薄研削水流量的控制方法
EP3900876B1 (de) 2020-04-23 2024-05-01 Siltronic AG Verfahren zum schleifen einer halbleiterscheibe
EP4144480B1 (de) 2021-09-01 2024-01-31 Siltronic AG Verfahren zum schleifen von halbleiterscheiben

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58143948A (ja) * 1982-02-19 1983-08-26 Hitachi Ltd ウエハ研削装置
JP2674665B2 (ja) * 1989-03-24 1997-11-12 住友電気工業株式会社 半導体ウェーハの研削装置
AU637087B2 (en) * 1989-03-24 1993-05-20 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Apparatus for grinding semiconductor wafer
JPH0637075A (ja) * 1992-07-17 1994-02-10 Hitachi Ltd 砥石を用いる加工方法
US6296553B1 (en) * 1997-04-02 2001-10-02 Nippei Toyama Corporation Grinding method, surface grinder, workpiece support, mechanism and work rest
JPH11154655A (ja) * 1997-11-21 1999-06-08 Komatsu Electron Metals Co Ltd 半導体ウェハの製造方法
JP3244072B2 (ja) * 1998-09-09 2002-01-07 豊田工機株式会社 研削加工における冷却方法
JP3664593B2 (ja) * 1998-11-06 2005-06-29 信越半導体株式会社 半導体ウエーハおよびその製造方法
US6240942B1 (en) * 1999-05-13 2001-06-05 Micron Technology, Inc. Method for conserving a resource by flow interruption
DE60030790T2 (de) * 1999-10-27 2007-01-11 Cinetic Landis Grinding Ltd. Verfahren zum Schleifen eines Werkstücks mit welchem konstante Zeitspaltvolumen erzielt werden
JP2002187062A (ja) * 2000-12-22 2002-07-02 Toshiba Mach Co Ltd 平面研磨装置、平面研磨方法及びそれに使用される砥石
DE10142400B4 (de) * 2001-08-30 2009-09-03 Siltronic Ag Halbleiterscheibe mit verbesserter lokaler Ebenheit und Verfahren zu deren Herstellung
US7727054B2 (en) * 2002-07-26 2010-06-01 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Coherent jet nozzles for grinding applications
JP2004097551A (ja) * 2002-09-10 2004-04-02 Sumitomo Rubber Ind Ltd ゴルフクラブヘッド
JP2004202630A (ja) * 2002-12-25 2004-07-22 Shin Etsu Handotai Co Ltd 研磨布の形状測定方法及び被加工物の研磨方法、並びに研磨布の形状測定装置
DE102004005702A1 (de) 2004-02-05 2005-09-01 Siltronic Ag Halbleiterscheibe, Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung der Halbleiterscheibe
DE102005012446B4 (de) * 2005-03-17 2017-11-30 Siltronic Ag Verfahren zur Material abtragenden Bearbeitung einer Halbleiterscheibe

Also Published As

Publication number Publication date
KR101005245B1 (ko) 2011-01-04
US7666064B2 (en) 2010-02-23
US20090011683A1 (en) 2009-01-08
JP4921430B2 (ja) 2012-04-25
CN101337336A (zh) 2009-01-07
TWI366226B (en) 2012-06-11
DE102007030958A1 (de) 2009-01-08
DE102007030958B4 (de) 2014-09-11
SG148968A1 (en) 2009-01-29
JP2009016842A (ja) 2009-01-22
KR20090004513A (ko) 2009-01-12
TW200903620A (en) 2009-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101337336B (zh) 研磨半导体晶片的方法
US5569062A (en) Polishing pad conditioning
CN100421223C (zh) 半导体晶片,生产半导体晶片的装置及方法
EP1118429B1 (en) Method and device for simultaneously grinding double surfaces, and method and device for simultaneously lapping double surfaces
EP2529886B1 (en) Lens spherical surface grinding method using dish-shaped grindstone
JP5538253B2 (ja) 半導体ウェハの製造方法
US8343873B2 (en) Method for producing a semiconductor wafer
WO2000063963A1 (en) Non-abrasive conditioning for polishing pads
US9669513B2 (en) Double-disc grinding apparatus and workpiece double-disc grinding method
CN102029573A (zh) 用于研磨半导体晶片的方法
TW201309423A (zh) 雙面磨削方法及雙面磨削裝置
WO2015059868A1 (ja) 半導体ウェーハの製造方法
JP2010076013A (ja) 回転砥石の研磨方法および研磨装置、並びに研削砥石およびこれを用いた研削装置
US6537139B2 (en) Apparatus and method for ELID grinding a large-diameter workpiece to produce a mirror surface finish
JP3138205B2 (ja) 高脆性材の両面研削装置
US20220168865A1 (en) Double-side polishing method
JP2000158306A (ja) 両面研削装置
JP2001007064A (ja) 半導体ウエーハの研削方法
US6283836B1 (en) Non-abrasive conditioning for polishing pads
KR101678992B1 (ko) 멀티-헤드를 갖는 cmp 장비
CN117917975A (zh) 磨削半导体晶圆的方法
CN115427194A (zh) 用于研磨半导体晶片的方法
JP2021133428A (ja) 平面研削装置
JP2007331093A (ja) 研磨装置
JP2006026751A (ja) 研削装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant