CN101309854A - 包括mems元件的电子器件 - Google Patents

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Abstract

器件(100)包括在腔体(30)中的MEMS元件(60)，该腔体(30)由基板(10)的第二侧面(2)上的包装部分(17)闭合。接触衬垫(25)限定在柔性树脂层(13)上，柔性树脂层(13)在基板的相对的第一侧面(1)上。电气连接(32)通过树脂层(13)延伸到器件(100)的至少一个元件。通过临时载体(42)的使用和蚀刻孔(18)从基板(10)的第二侧面(2)的适当地制成打开器件(100)。

Description

包括MEMS元件的电子器件
技术领域
本发明涉及一种制造包括微机电(MEMS)元件的电子器件的方法，这种微机电元件设有固定电极和可移动电极，这种微机电元件限定在一种腔体中并可在第一有缺口位置与第二位置之间朝向该固定电极移动且从该固定电极移动，这种方法包括以下步骤：
提供一种基板，这种基板带有第一侧面和相对的第二侧面并带有牺牲部分；
在该基板的第一侧面上提供接触衬垫，该MEMS元件的这些电极电气耦合到这些接触衬垫；
在这些接触衬垫上提供一种临时载体；
从该第二侧面在该基板内提供至少一个蚀刻孔，这种蚀刻孔延伸到这种基板的牺牲部分；
通过这种基板内的该至少一个蚀刻孔将牺牲部分去除，从而形成该腔体；
闭合这种基板的第二侧面上的该至少一个蚀刻孔；以及
将该临时载体去除。
本发明还涉及一种电子器件，这种电子器件包括基板和微机电(MEMS)元件，这种基板用半导体材料制成并带有第一侧面和相对的第二侧面，这种微机电元件设有固定电极和可移动电极，这种微机电元件限定在一种腔体中并可在第一有缺口位置与第二位置之间朝向该固定电极移动且从该固定电极移动，该腔体通过该基板内的孔打开，这些孔在该基板的第二侧面上暴露，这些电极电气耦合到处于该基板上的第一侧面上的接触衬垫。
背景技术
可从WO-A 2004/71943获知这种方法和这种器件。所知的方法涉及包括作为电气元件的微机电系统(MEMS)元件的制造。这种元件包括固定电极和可移动电极。这种可移动电极限定在腔体中并在打开位置由缺口分开。可移动电极可朝向固定电极移动并可从固定电极移动。在一种传感器中，外力导致移动的发生。在电容器或开关中，启动电压的施加导致移动的发生。公知的器件中的MEMS元件尤其是一种传感器。半导体元件的电路处于基板的第一侧面。这种电路特别适合于读出在这种MEMS元件中生成的信号。将接触衬垫限定到这种电路并电气连接到这种电路。
在公知的方法中使用一种带有埋入的绝缘层的基板，这种埋入的绝缘层起到牺牲部分的作用。可移动电极和固定电极限定在底部半导体层中并垂直于基板平面延伸。该至少一个蚀刻孔实际上是这些电极之间的沟道的一种图案，且这些孔设有反应离子蚀刻。可移动电极出现在其中的腔体由这些沟道和该牺牲部分形成。
在限定这些沟道之前已从基板的第一侧面将导电接触插头限定在该埋入的绝缘层内。然后作为底部蚀刻工序进行绝缘部分的去除步骤。对这种步骤进行控制以移去可移动电极，而并不将基板分成两个分离的部分。然后通过在第二侧面上提供一种封盖层将这些蚀刻孔闭合，这种封盖层是一种半导体材料体或聚合物材料体或一种玻璃板。这种封盖层将该腔体闭合并提供稳定性。为了避免这种封盖层粘附到可移动电极，已在提供这些蚀刻孔之前将这种可移动电极略微变细。
公知的方法的缺陷在于封盖层的提供要求将可移动电极略微变细。通过蚀刻来实现这种变细，要求另外的掩膜步骤用于这种蚀刻。若有一些失准，产量就会大大降低。此外，通常将掩膜涂覆到基板的第二侧面。由局部变细而导致的腔体的出现可致使在蚀刻掩膜的限定中出现问题。
发明内容
因此，本发明的一个目的在于提供一种在开始段落中所描述的类型的方法，这种方法带有改进的腔体包装。
本发明的另一个目的在于提供一种在开始段落中所描述的类型的器件，可用本发明的方法获得这种器件。
用于在这种MEMS元件的这些电极与这些接触衬垫之间提供树脂层，电气连接通过这种树脂层延伸到这种器件的至少一个元件，且该基板设有在基板的第二侧面上的包装部分，这些蚀刻孔通过该包装部分延伸，而牺牲部分至少部分地处于可移动电极与包装部分之间，所以就能够实现这些目的。
实际上，用MEMS元件的一种改进结构以及一种改进的相应方法来解决本发明的问题。根据本发明，可移动电极在基板的一部分即包装部分的上面。这样，腔体就处于可移动电极与包装部分之间。与提供可移动电极与固定电极之间的空间的一个或多个蚀刻孔的现有技术相反，本发明的器件中的至少一个蚀刻孔的主要目的在于提供至牺牲部分的通路。在将牺牲部分去除之后，该至少一个蚀刻孔由一种层闭合，这种层以任何方式仅将该蚀刻孔桥接。
由于将该至少一个蚀刻孔简单地闭合，所以就无需使用刚性体作为封盖层。不过，可能无刚性体要求用于器件的稳定性的另一种解决方案。这在本发明中通过提供一种柔性树脂层来解决，这种柔性树脂层起到操作载体的作用。这种树脂层处于基板的第一侧面上。然后将这些接触衬垫设在树脂层的顶部上，而垂直互连通过树脂层延伸到该至少一个元件。这种元件可以是MEMS元件，但也可以是另一种元件，如探测电路、驱动器等。在将该至少一个蚀刻孔闭合之后，可将另一种树脂层涂覆在基板的第二侧面上。这会进一步提高稳定性。
本发明的一个优点在于本发明允许将这种器件至外板的倒装芯片组装，以使MEMS元件远离该外板。这有利于性能，尤其对传感器和谐振器有利，因为MEMS元件不会在实质上或不在实质上受到这种外板内部或附近的电源线和磁场的干扰。
本发明的另一个优点在于这种树脂层会起到应力释放器的作用。这对释放热循环期间的应力尤为重要。现已观察到，热循环是这些MEMS器件的一种重要问题，尤其是在MEMS设有启动电极和用于提供启动电压的装置的实施方式中，用于提供启动电压的装置如谐振器、可调电容器、开关。问题在于所需的启动电压相当大，这显然会导致热散逸。
在一种有利实施例中，将基板的图案形成为岛(island)。正如公知的那样，柔性电路具有弯曲和自身卷起的固有倾向。这种弯曲导致严重的机械应力。这种应力导致不可逆的变形，如裂纹。因此，这也导致MEMS元件的变形，如可移动电极相对于固定电极的定位。这种不可控变形并不是所希望的，因为这可缩短器件的寿命并使器件超出技术规范。通过将基板的图案有效地形成为岛，弯曲以及所产生的应力就不必在器件各处相同。将弯曲有效地限制在对应于这些基板岛的区域内并在其它区域突出。
可以用不同的方式将这些蚀刻孔闭合。并不排除刚性体的使用，但并不优选：要么必须将这种刚性体分离并在基板岛之外延伸，要么必须向带有MEMS元件的每个岛提供分离的封盖，如并不在晶片级上。一种更好的选择构成一种预图案化带的使用，如可像阻焊剂那样使用的带。柔性金属箔是另一种选择。可从WO-A 2003/84861获知这种柔性金属箔的一个示例。
另一种选择构成提供一种钝化层。可用化学气相淀积来淀积这些层，然后这些层能够闭合深槽。可从如Q.Zou等人所著的“传感器和致动器A”(72(1999)，第115至124页)一文获知化学气相淀积通过覆盖膜中的孔或狭槽用于密封腔体。不过，该文献公开了仅在基板的第一侧面将腔体密封。此外，在该方法中，藉由通过膜中的这些狭槽蚀刻来限定该腔体。该文献并未明确说明可如何在此腔体内限定带有移动元件的MEMS元件，而且似乎不可能进行这种限定。实际上，该文献中的这种密封膜似乎就是移动元件本身。未采用分离的封盖层来保护这种密封膜。
有利的是，这种器件包括一个以上的基板岛。一个岛适用于MEMS元件，而另一个岛适用于其它电路元件。其它的电路元件适当地包括主动元件，如晶体管。这样，这些电路元件就构成探测电路。高压工序的使用是有利的，这种高压工序带有DMOS晶体管，如在现有技术的文献中所提及的DMOS晶体管。作为选择或作为附加，这些其它的电路元件可以是被动元件，如电容器，尤其是深槽电容器。
用可侧向变形而并不产生实质上的应力的导体将第一基板岛中的元件和另一种基板岛中的元件耦合是非常适当的。这尤其由一种几何构造来实现，例如，这种几何构造以具有任意形状的加强肋的形式，或以螺旋线的形式。这些导体适当地设在树脂层附近或甚至在几个树脂层之间。这可从US-B 6,479,890获知。
在这种方法中，在将电路附到临时载体之前将下凸块金属喷镀和适当的焊料涂覆在这些接触衬垫上也是适当的。这尤其可用处于该树脂层上的接触衬垫来实现。然后，可用如电镀、无电镀金属喷镀或用浸渍焊料凸块在晶片级上提供凸块。可使用细间距凸块，因为将树脂用作操作载体。这就意味着这种器件的热膨胀系数与聚合物载体的热膨胀系数之间的差异小，这种聚合物载体如将这种器件安装在上面的印刷电路板。因此，这些焊球不必对这些差异进行补偿，且可减小其高度、尺寸和间距。
将任何分离通道设在基板岛之外的区域内也是有利的。这就意味着不必通过基板进行分离，从而减少在器件中所导致的应力。此外，一直保持这些分离通道无任何陶瓷材料是适当的，这种陶瓷材料如基板的第一侧面上的氧化硅和氮化硅。
为了减少蚀刻时间，在这些蚀刻孔的限定之前减小基板的厚度是适当的。可用常规技术减小基板的厚度，这种技术如研磨、蚀刻或化学机械抛光。将基板的厚度减小至小于50微米是适当的，优选在20至30微米的范围内。这些蚀刻孔的直径适当地约为1至2微米。在本申请的上下文中，将术语“蚀刻孔”理解为以圆形的、伸长的任何形状的覆盖孔，但环状除外，因为环状会导致将基板的较大区域去除。
将基板的牺牲部分的至少一部分限定在基板的第一侧面上是有利的。可将浅槽隔离用作基板的牺牲部分的至少一部分。这种浅槽隔离由基板柱侧向包围，这些基板柱同时允许对绝缘部分的精确限定，并因此而允许将该基板部分去除。由于通过从基板的第一侧面进行加工来限定这些基板柱，所以可在高分辨率上提供这些基板柱，如在亚微米级上。这就允许这些基板柱具有柔性和/或具有类似于弹簧的特性。此外，在本实施例中，基板中无需埋入的绝缘层，这就允许选择成本低的基板。因此，将可移动电极限定在直接涂覆在基板的第一侧面上的多晶硅层或金属层中是适当的。将会理解，MEMS元件的垂直和水平形式均可用这种方式进行设计。
MEMS元件基本上垂直于基板平面，若垂直限定MEMS元件的这些电极，则通过半导体层的修改限定这种牺牲层。可在化学反应中修改这种半导体层的这些部分，或者将这些部分去除，且用另一种材料填充所产生的沟槽。该另一种材料可适当地是一种氧化物或可以是氮化物，但也可使用包括聚合物的其它材料，这些聚合物具有足够的温度稳定性，如苯并环丁烯(BCB)。
若水平限定这些电极，如基本上平行于基板平面，则将这些电极中的一个设在顶部半导体层中，而可将另一个电极限定在金属层或多晶硅层内。这样就可将一种场效氧化物或基板的浅槽隔离用作牺牲层。若MEMS元件是一种电容性开关或电开关并通过将启动电压加到一个或多个启动电极进行驱动，则优选在顶部半导体层内的电极是可移动电极。这样就不必移去该金属层。相反，通过在提供这种金属(或多晶硅)层之前选择性地蚀刻这种浅槽隔离，可提供另外的特性。这是因为如可移动电极与调节固定电极之间的间隙小于可移动电极与启动电极之间的间隙。这种设计适用于避免可移动电极停靠在固定电极上。另一方面，若将MEMS元件用作一种压力传感器或用作微流体系统的一部分，则可将可移动电极限定在金属层中并设计成一种膜。
利用这种水平形式，将固定电极限定在另一种金属层中。在此情形中，固定电极无需类似于可移动电极那样具有侧向延伸，且也可将一个以上的电极限定在该另一种金属层中，如调节电极和启动电极。将蚀刻阻止层适当地涂覆在牺牲层上并在该固定电极下面。因此，涂覆这种蚀刻阻止层，以使牺牲层有效而实质性地由可移动电极、基板的绝缘部分、这些基板柱中的一个或多个元件蚀刻阻止层封装。适当的蚀刻阻止层是一种氮化物，如用低压力化学气相淀积(LPCVD)淀积的氮化物层。这种氮化物层还增强处于其第二闭合位置的MEMS元件最大电容。
或者，利用这种水平形式，可移动电极可以是包括压电致动器的移动元件的一部分。这种压电致动器适当地是一种三层或四层移动元件，这种三层或四层移动元件带有压电层，也可带有结构层，这种压电层在第一启动电极与第二启动电极之间。若这两种启动电极的厚度相同，则这种结构层就位于基板的该侧面上。例如，这种结构层适当地由氮化硅形成，第一启动电极由铂、钛铂等形成，且压电层是一种铁电材料，如锆钛酸铅镧(PLZT)。
附图说明
将参考附图对本发明的这些和其它方面进行进一步说明，这些图并不按比例绘制且仅仅是示意图，其中：
图1示出了本发明的器件在临时载体去除之前的截面图。
具体实施方式
图1示出了本发明的器件100的截面图。正如本领域中熟练的技术人员会明白的那样，除了所示出的实施例之外，也可有多种替代实施例。尤其是可对MEMS元件60进行变化，如变化成具有电极，这些电极的取向确定为基本上垂直于基板表面1、2。
器件100具有基板10，基板10在其上面带有表面1、几个层和封装40。基板10包括柱15和包装部分17。蚀刻孔18延伸通过包装部分17。图中所示出的基板10处于一种情形，在这种情形中，已从第二表面2将基板10变薄。将基板10变薄以实现小于50微米的厚度，优选这种厚度在20至30微米之间的范围内，该范围不包括这些柱15的厚度。由于基板10处于其第一表面1，所以已制成这种结构，对该第一表面1进行局部氧化，以形成牺牲层(未示出)、这些柱15和氧化物层11的其它部分。在这种工序的另一个步骤中将该牺牲层去除，以形成腔体30。这种特定工序的优点在于在类似于浅槽氧化的工序中从基板10的第一侧面1限定这种腔体。这种工序良好地受控，以可恰当地限定这种腔体的尺寸。
在此实施例中，导电图案形成可移动电极51，将这种导电图案应用于牺牲层的顶部上且导电图案延伸到至少一个柱15。将另一个牺牲层27如作为四乙氧基硅烷(TEOS)层设在导电图案51的顶部。以适当的图案化形式将蚀刻阻止层28设在该牺牲层27上。在此示例中，将低压力化学气相淀积(LPCVD)用于作为蚀刻阻止层28的氮化物的淀积。触点25和这些固定电极52、53以及其它备选导电图案(未示出)设在蚀刻阻止层28上。一个电极52是启动电极，另一个电极53是传感电极或者一种开关，这种传感电极与可移动电极51一起限定可调电容器。适于其用作谐振器、可调电容器、开关和传感器等的MEMS元件60的更详细设计是MEMS领域中熟练的技术人员所熟知的。这些导电图案51、25、52、53的材料适当地是多晶硅，但也可以是金属，如铜或铜合金或铝合金，或者甚至可以是导电氮化物或氧化物，如TiN或铟锡氧化物。还可用不同于图案25、52、53的另一种材料制成导电图案51。例如，一种适当的选择是用多晶硅制成导电图案51，即可移动电极，而用带有备选的Al的TiN制成其它的图案。或者将导电图案51设在另一种层上，如压电层上。这样就会产生一种压电MEMS器件。
将绝缘层26涂覆在图案25、52、53的顶部上。以常规方式用光刻术将这种绝缘层26图案化，以限定互连61、62、63。这些互连61、62、63由钝化层12所覆盖。适当地提供其它电介质层和金属层，以用于互连、接触衬垫和任何被动元器件的限定，这些被动元器件如耦合器、带状线、电容器、电阻器和感应器。此外，基板10还可包括诸如晶体管或深槽电容器这样的其它元件。这样就用这些互连限定用于将MEMS元件60耦合到其它的这些元件的电路。
将树脂层13设在钝化层12上。在此情形中，使用厚度通常在10至20μm的聚酰亚胺，但也可使用热塑材料，如可使用聚丙烯酸酯、聚硅氧烷酰亚胺。这种树脂层适当地一致并具有弹性特征。在如通过旋涂聚酰亚胺之前，已将该表面清洁，且已提供了底层，以提高附着力。在涂覆聚酰亚胺之后，将聚酰亚胺加热到125℃，然后加热到200℃。然后涂覆光致抗蚀剂，这种光致抗蚀剂暴露给适当的辐射源并曝光。这种曝光包括对聚酰亚胺层进行的构造，以产生将互连61、62、63暴露的接触窗口。
然后将导电层32设在树脂层13上。以一种图案提供这种导电层32，以在树脂层13中的这些接触窗口内延伸通过树脂层13并电气连接到下面的互连61、62、63。这种导电层可含有Al或Al基合金。这种Al与用于互连61、62、63的Al的使用提供良好的电气连接并具有所要求的柔韧性，以耐受任何弯曲并释放这种弯曲所导致的任何应力。或者，可将基于电镀的其它材料用于导电层32和互连61、62、63。这种工序中的第一个步骤是通过溅射提供基层。这种基层通常并不图案化且非常薄。然后涂覆光致抗蚀剂并根据接触衬垫和导电轨道的所希望的图案将光致抗蚀剂图案化。接着以如0.5至1.3微米的厚度电镀铜。最后将光致抗蚀剂除去并将电镀基蚀刻掉。
然后用可拆卸附着装置41将设有MEMS元件60和树脂层13的基板10附到载体42。在此情形中，这种附着装置41是一种粘合剂层，在用UV辐射照射时，这种粘合剂层可移去。此处的载体42是透明的，且在此示例中是一种玻璃层。
在涂覆到载体42之前，导电层32和树脂层13由另一种钝化层35覆盖。在此情形中，钝化层35是氮化硅并通过PECVD在约250℃的温度以约0.5至1.0微米的厚度淀积。之后将钝化层35图案化以暴露起到接触衬垫31的作用的导电层32的选择区域。钝化层35部分地在接触衬垫31上延伸并起到“阻力限定的”阻焊层的作用。然后通过下凸块金属喷镀36的淀积补强接触衬垫31。在此示例中，下凸块金属喷镀36包括镍并以2至3微米的厚度无电镀淀积。这种处理的优点在于无需将另外的掩膜用于下凸块金属喷镀36的提供。或者，可将铜用于下凸块金属喷镀36并通过电镀涂覆。在此情形中，可在一个步骤中涂覆下凸块金属喷镀36和电凸块37。出于其厚度的原因，下凸块金属喷镀36在钝化层35的上方延伸。
最后，将凸块37涂覆在下凸块金属喷镀36上。在此示例中，凸块37是一种用Sn、SnBi或PbSn制成的焊帽并通过浸渍到理想组分的电镀槽中涂覆。不过，若将下凸块金属喷镀36浸渍在约250℃的温度下的纯锡电镀槽中，则可形成NiSn金属间化合物。这些金属间化合物以突出通过这种凸块表面的针的形式形成。但这并不是一种有用结果。通过一种低熔化Sn合金的使用可避免这些金属间化合物的形成。这些合金的示例包括SnPb、SnCu和SnBixInyZnz，其中x、y和z中的至少一个大于零。优选的是采用一种无铅焊料。有利的是，这些合金成分并不干涉Sn与金属喷镀的金属尤其是Au之间的反应。
在一种有利的变化形式中，这种镍下凸块金属喷镀在浸渍到电镀槽中之前设有金粘附层。需要这种金粘附层用于维护可焊性。不过，现已发现，在提供镍下凸块金属喷镀之后立即进行步骤时并不需要这种金层。
在将基板10附到临时载体42之后，提供蚀刻孔18且形成腔体30，这种腔体30包括其在可移动电极51的相对侧面上的部分27。用润湿化学蚀刻有效地进行这种去除。有利的是，可移动电极51包括孔或狭槽，以提供蚀刻剂的有效分布并减少与毛细管作用有关的问题。还可至少部分地用干蚀刻进行这种去除。虽然在图中并未示出，但这些孔18周围的基板的区域可用作另一种固定电极。显然，可移动电极51的设计仅是示范性的。还可使用双重或多重箝位可移动电极51，且可将弹簧结构结合在这种可移动电极51中。虽然在图中并未示出，但可将基板10图案化为岛。这甚至可同时与这些蚀刻孔18的提供同时进行。将基板图案化为基板岛具有如上所述的有利热机械性能。
然后涂覆密封层19，以覆盖这些蚀刻孔18。在此示例中，使用一种PECVD氧化物层。密封层19的厚度适当地与这些孔18的宽度一致。之后，由于PECVD氧化物的阶梯覆盖差，所以就会将腔体30自动闭合。在腔体30中所产生的压力等于或类似于用于PECVD氧化物的淀积的反应器中的降低的压力。例如，这种压力为400至800mTorr。
然后可将临时载体40以及粘合剂41除去，以暴露这些焊料凸块接触衬垫31。这种构造具有适当的热机械性能和制造性能。
首先，这种构造优于一种从第二侧面2将接触孔用在基板10中的构造之处在于除了这些蚀刻孔18的限定之外，在基板的第二侧面上无需另外的光刻步骤。显然，可通过将基板10部分地除去将结合衬垫暴露。不过，随后会在密封层19的淀积期间将这些结合衬垫重新覆盖。
其次，临时载体42通常是一种玻璃板。这种临时载体42通常具有有限的热传导，从而导致从器件100的有限散逸。虽然这种构造仅包括通过树脂层13的从MEMS元件60和/或其它任何元件的重新路由的连接，但可将这些重新路由的连接设计成任何尺寸，以启动所要求的热传递。还可采用专用于热散逸的其它连接。
第三，本发明允许将这种器件100至外板的倒装芯片组装，以使MEMS元件60远离该外板。这有利于性能，尤其对传感器和谐振器有利，因为MEMS元件60不会在实质上或不在实质上受到这种外板内部或附近的电源线和磁场的干扰。
第四，这种树脂层会起到应力释放器的作用。这对释放热循环期间的应力尤为重要。现已观察到，热循环是这些MEMS器件的一种重要问题，尤其是在MEMS设有启动电极和用于提供启动电压的装置的实施方式中，用于提供启动电压的装置如谐振器、可调电容器、开关。问题在于所需的启动电压相当大，这显然会导致热散逸。

Claims (13)

1.一种制造包括微机电(MEMS)元件的电子器件的方法，所述微机电元件设有固定电极和可移动电极，所述微机电元件限定在一种腔体中并可在第一有缺口位置与第二位置之间朝向所述固定电极移动且从所述固定电极移动，所述方法包括以下步骤：
提供一种基板，所述基板带有第一侧面和相对的第二侧面并带有牺牲部分，所述MEMS元件的所述电极限定在所述基板内部或上面；
在所述基板的所述第一侧面上提供接触衬垫；
在所述接触衬垫上提供一种临时载体；
从所述第二侧面在所述基板内提供至少一个蚀刻孔，以提供到所述腔体的通路；
通过所述至少一个蚀刻孔将所述基板的所述牺牲部分去除；
闭合所述至少一个蚀刻孔；以及
将所述临时载体去除，
其特征在于：
所述接触衬垫设在柔性树脂层上，所述柔性树脂层处于所述MEMS元件的所述电极上，电气连接通过所述树脂层延伸到所述器件中的至少一个元件，以及
所述基板在所述基板的所述第二侧面上设有包装部分，所述蚀刻孔通过所述包装部分延伸，而所述牺牲部分至少部分地处于所述可移动电极与所述包装部分之间。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：将所述基板图案化成第一基板岛，所述第一基板岛包括所述MEMS元件。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述基板的图案化与所述蚀刻孔的形成同时进行。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：在提供所述临时载体之前将凸块应用于所述接触衬垫上。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：通过密封层的淀积来闭合所述至少一个蚀刻孔。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于：利用化学气相淀积来淀积所述密封层。
7.如权利要求5所述的方法，其特征在于：在将所述密封层应用于所述基板的所述第二侧面上之后将保护层设在所述第二侧面上。
8.如权利要求2所述的方法，其特征在于：在任何所述基板岛之外的区域内限定分离通道。
9.一种电子器件，所述电子器件包括基板和微机电(MEMS)元件，所述基板用半导体材料制成并带有第一侧面和相对的第二侧面，所述微机电元件设有固定电极和可移动电极，所述微机电元件限定在一种腔体中并可在第一有缺口位置与第二位置之间朝向所述固定电极移动且从所述固定电极移动，所述腔体通过所述基板内的孔打开，所述孔在所述基板的所述第二侧面上暴露，所述电极电气耦合到所述第一侧面上的接触衬垫，其特征在于：树脂层处于所述MEMS元件的所述电极与所述接触衬垫之间，而所述基板在所述基板的所述第二侧面上设有包装部分，所述蚀刻孔通过所述包装部分延伸，而所述腔体至少部分地处于所述可移动电极与所述包装部分之间。
10.如权利要求9所述的器件，其特征在于：将所述基板图案化成第一基板岛，所述第一基板岛包括所述MEMS元件。
11.如权利要求9所述的电子器件，其特征在于：电路处于所述第一侧面上，以将所述MEMS元件与所述器件内的其它元件互连，而所述树脂层覆盖所述电路，且用钝化层将所述树脂层与所述电路分离，所述接触衬垫处于所述树脂层上并带有垂直互连，所述互连延伸通过所述树脂层以将所述接触衬垫耦合到所述电路。
12.如权利要求11所述的电子器件，其特征在于：钝化层处于在所述第一侧面的树脂层上，所述钝化层使得所述结合衬垫以至少部分地暴露。
13.如权利要求10所述的电子器件，其特征在于：存在第二基板岛，所述电路的其它元件限定在所述第二基板岛的内部和上面，且将所述第一岛和所述第二岛中的元件之间的导体在几何学上构造成可变形。
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