CN101293852A - 金属电镀组合物和方法 - Google Patents

金属电镀组合物和方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101293852A
CN101293852A CNA2008101287499A CN200810128749A CN101293852A CN 101293852 A CN101293852 A CN 101293852A CN A2008101287499 A CNA2008101287499 A CN A2008101287499A CN 200810128749 A CN200810128749 A CN 200810128749A CN 101293852 A CN101293852 A CN 101293852A
Authority
CN
China
Prior art keywords
integer
acid
compound
metal
tin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2008101287499A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101293852B (zh
Inventor
E·雷丁顿
G·U·德斯麦森
Z·I·尼亚齐比托瓦
D·E·克莱利
M·勒菲弗
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm and Haas Electronic Materials LLC
Original Assignee
Rohm and Haas Electronic Materials LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm and Haas Electronic Materials LLC filed Critical Rohm and Haas Electronic Materials LLC
Publication of CN101293852A publication Critical patent/CN101293852A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101293852B publication Critical patent/CN101293852B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G65/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule
    • C08G65/02—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule from cyclic ethers by opening of the heterocyclic ring
    • C08G65/32—Polymers modified by chemical after-treatment
    • C08G65/329—Polymers modified by chemical after-treatment with organic compounds
    • C08G65/331—Polymers modified by chemical after-treatment with organic compounds containing oxygen
    • C08G65/332—Polymers modified by chemical after-treatment with organic compounds containing oxygen containing carboxyl groups, or halides, or esters thereof
    • C08G65/3322—Polymers modified by chemical after-treatment with organic compounds containing oxygen containing carboxyl groups, or halides, or esters thereof acyclic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G65/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule
    • C08G65/02—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule from cyclic ethers by opening of the heterocyclic ring
    • C08G65/32—Polymers modified by chemical after-treatment
    • C08G65/329—Polymers modified by chemical after-treatment with organic compounds
    • C08G65/333—Polymers modified by chemical after-treatment with organic compounds containing nitrogen
    • C08G65/33303—Polymers modified by chemical after-treatment with organic compounds containing nitrogen containing amino group
    • C08G65/33306—Polymers modified by chemical after-treatment with organic compounds containing nitrogen containing amino group acyclic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L71/00—Compositions of polyethers obtained by reactions forming an ether link in the main chain; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L71/02—Polyalkylene oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/30—Electroplating: Baths therefor from solutions of tin
    • C25D3/32—Electroplating: Baths therefor from solutions of tin characterised by the organic bath constituents used
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/56—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2650/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule
    • C08G2650/28—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule characterised by the polymer type
    • C08G2650/50—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule characterised by the polymer type containing nitrogen, e.g. polyetheramines or Jeffamines(r)
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2650/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule
    • C08G2650/28—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule characterised by the polymer type
    • C08G2650/58—Ethylene oxide or propylene oxide copolymers, e.g. pluronics

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)

Abstract

本发明公开了金属电镀组合物和方法。该金属电镀组合物具有好的整平能力和匀镀能力。提供了一种化合物，它具有以下的通式：H－A’p－Q－[C(O)－CH2O－((R1CH)t－O)z－CH2－C(O)－NH－A]u－H(I)，以及包含该化合物的组合物。还提供了一种使用上述组合物进行电镀的方法。

Description

金属电镀组合物和方法
本发明涉及金属电镀组合物和方法。更具体地，本发明涉及改进了整平性能(leveling)和匀镀能力(throwing power)的金属电镀组合物和方法。
金属电镀是一个复杂的过程，其电镀组合物中包括多种组分。除了用于提供金属源和离子导电性的金属盐和其它离子，其它组分还包括添加剂，以改进金属沉积物的光亮度，延展性和镀层的分布能力。这些添加剂可以包括表面活性剂，光亮剂，载流剂(carrier)和整平剂(leveler)。
金属在基底上的均匀分布是必需的，例如在对具有表面层、许多通孔和盲孔的印刷线路板上进行金属化时。如果在上述通孔和盲孔中只沉积有薄层金属，在热或机械应力下例如在焊接过程中该金属层可能撕裂，这样会中断电流通路。这种失误将生产出不适于电子应用的印刷线路板。由于现在制造出的印刷线路板具有越来越小的孔径，例如0.25mm或更小，在这种表面上和通孔之中同时电镀出均匀分布的电镀层也就越来越难。已发现很多印刷线路板中的金属层厚度令人不满意，特别是那些具有小直径的孔中。获得具有高热稳定性的均匀厚度的光亮金属镀层对很多印刷线路板设计来说具有挑战性。
很多电镀配方通过在镀液中添加整平剂的化学方法来解决电镀不均匀的问题。采用了性能不同的多种化合物。铜电镀液中整平剂的一个典型例子如U.S.6,425,996中公开的由表卤代醇，二卤代醇或1-卤-2，3-丙二醇和聚酰胺基胺(polyamidoamine)的重排产物。另外的整平剂的例子可参见日本专利S63-52120公开的内容。这些整平剂都是乙氧基化的二羧酸和乙氧基化的二胺。虽然上述两专利中公开的化合物依其陈述具有可被接受的整平能力，仍然需要可改进金属电镀性能的化合物。
本发明的一方面包括具有如下通式的化合物：
H-A’p-Q-[C(O)-CH2O-((RlCH)t-O)z-CH2-C(O)-NH-A]u-H(I)
其中A’是-NH-(CH2)x’)y’-；-NH(CH2)x’-(O-(CHRl)r’)w’-O-(CH2)x’-；或-NH-((RlCH)r’-O)w’-C2H4-；
A是-((CH2)x-NH)y-；-(CH2)x-(O-(CHRl)r)w-O-(CH2)x-NH-；或-((RlCH)r-O)w-C2H4-NH-；
Rl是-H或-CH3，
当p＝1时，Q是-NH-或当p＝0时Q是-O-，
p是0或1，其中当p＝0时H-和Q形成化学键，
r’是从2到4的整数，
w’是从1到50的整数，
x’是从2到6的整数，
y’是从0到5的整数，
其中y’为0时H-和Q形成化学键，
r是从2到4的整数，
w是从1到50的整数，
x是从2到6的整数，
y是从0到5的整数，其中y为0时H-与-C(O)-NH-端部的氮键合，
t是从2到4的整数，
u是从1到20的整数，
w是从1到50的整数，和
z是从1到50的整数。
本发明的另一方面包括金属电镀组合物，其包括一种或多种金属离子源和一种或多种具有以下通式的化合物：
H-A’p-Q-[C(O)-CH2O-((RlCH)t-O)z-CH2-C(O)-NH-A]u-H(I)
其中A’是-(NH-(CH2)x’)y’-；-NH(CH2)x’-(O-(CHRl)r’)w’-O-(CH2)x’-；或-NH-((RlCH)r’-O)w’-C2H4-，
A是-((CH2)x-NH)y-；-(CH2)x-(O-(CHRl)r)w-O-(CH2)x-NH-；或-((RlCH)r-O)w-C2H4-NH-，
Rl是-H或-CH3，
当p＝1时，Q是-NH-或当p＝0时Q是-O-，
p是0或1，其中当p＝0时H-和Q形成化学键，
r’是从2到4的整数，
w’是从1到50的整数，
x’是从2到6的整数，
y’是从0到5的整数，
其中y’为0时H-和Q形成化学键，
r是从2到4的整数，
w是从1到50的整数，
x是从2到6的整数，
y是从0到5的整数，其中y为0时H-与-C(O)-NH-端部的氮键合，
t是从2到4的整数，
u是从1到20的整数，
w是从1到50的整数，和
z是从1到50的整数。
本发明的又一方面涉及一种方法，该方法包括：提供金属电镀组合物，该组合物包含一种或多种金属离子源和一种或多种具有以下通式的化合物：
H-A’p-Q-[C(O)-CH2O-((RlCH)t-O)z-CH2-C(O)-NH-A]u-H(I)
其中A’是-(NH-(CH2)x’)y’-；-NH(CH2)x’-(O-(CHR1)r’)w’-O-(CH2)x’-；或-NH-((RlCH)r’-O)w’-C2H4-，
A是-((CH2)x-NH)y-；-(CH2)x-(O-(CHRl)r)w-O-(CH2)x-NH-；或-((RlCH)r-O)w-C2H4-NH-，
Rl是-H或-CH3，
当p＝1时，Q是-NH-或当p＝0时Q是-O-，
p是0或1，其中当p＝0时H-和Q形成化学键，
r’是从2到4的整数，
w’是从1到50的整数，
x’是从2到6的整数，
y’是从0到5的整数，
其中y’为0时H-和Q形成化学键，
r是从2到4的整数，
w是从1到50的整数，
x是从2到6的整数，
y是从0到5的整数，其中y为0时H-与-C(O)-NH-端部的氮键合，
t是从2到4的整数，
u是从1到20的整数，
w是从1到50的整数，和
z是从1到50的整数；将基底与该组合物接触；和将金属沉积到基底上。
水溶性化合物可以用在金属电镀组合物中，从而用于任何金属电镀工业。例如，金属电镀组合物可用于电子元件制造业，比如印刷线路板(一般为通孔或孔)、集成电路、电接触表面和连接件、电解箔、用于微片的硅晶片、半导体和半导体封装、太阳能电池、，引线框、光电设备及封装和焊接凸起。金属电镀组合物也可用于金属电镀装饰制品，比如珠宝，家具装配，汽车部件和卫生设施。
除非上下文明确地说明，否则在整个说明书中下述缩写具有下列含义：℃＝摄氏度；g＝克；mg＝毫克；L＝升；ml＝毫升；dm＝分米；A＝安；mm＝毫米；cm＝厘米；ppb＝十亿分之一；ppm＝百万分之一；mbar＝毫巴；mil＝0.001英寸；2.54cm＝1英寸；wt％＝重量百分比；NMR＝核磁共振；SEC＝尺寸排阻色谱法；并且“匀镀能力”＝通孔中心金属电镀的厚度与表面金属电镀厚度的比值。如无另外说明，所有的百分比都是重量比，所有的分子量都是克/摩尔。所有的数值范围都包括该范围内的所有数值并且可以任何顺序结合，除非逻辑上数值范围合计达100％。
化合物具有以下通式：
H-A’p-Q-[C(O)-CH2O-((RlCH)t-O)z-CH2-C(O)-NH-A]u-H(I)
其中A’是-(NH-(CH2)x’)y’-；-NH(CH2)x’-(O-(CHRl)r’)w’-O-(CH2)x’-；或-NH-((RlCH)r’-O)w’-C2H4-，
A是-((CH2)x-NH)y-；-(CH2)x-(O-(CHRl)r)w-O-(CH2)x-NH-；或-((RlCH)r-O)w-C2H4-NH-，
Rl是-H或-CH3，
当p＝1时，Q是-NH-或当p＝0时Q是-O-，
p是0或1，其中当p＝0时H-和Q形成化学键，
r’是从2到4或例如2到3的整数，
w’是从1到50或例如1到40或例如2到35的整数，
x’是从2到6或例如2到3的整数，
y’是从0到5或例如从2到3的整数，
其中y’为0时H-和Q形成化学键，
r是2到4或例如2到3的整数，
w是1到50或例如1到40或例如2到35的整数，
x是2到6或例如2到3的整数，
y是0到5或例如2到3的整数，其中y为0时H-与-C(O)-NH-端部的氮键合，
t是2到4或例如2到3的整数，
u是1到20或例如1到10的整数，
w是1到50或例如1到40或例如2到35的整数，和
z是1到50或例如1到40或例如1到16的整数。
典型的化合物具有以下的通式：
H-A’p-Q-[C(O)-CH2O-((RlCH)t-O)z-CH2C(O)-NH-A]u-H(I)
其中A’是-(NH-(CH2)x’)y’-；-NH(CH2)x’-(O-(CHRl)r’)w’-O-(CH2)x’-；或-NH-((RlCH)r’-O)w’-C2H4-；
A是-((CH2)x-NH)y-；-(CH2)x-(O-(CHRl)r)w-O-(CH2)x-NH-；或-((RlCH)r-O)w-C2H4-NH-；
Rl是-H或-CH3，
Q是-NH-或-O-，
p是0或1，当p＝0时Q是-O-和当p＝1时Q是-NH-，
r’是从2到4或例如从2到3的整数，
w’是从2到36或例如32到36的整数，x’是从2到6或例如从3到6的整数，
y’是从0到5或例如从2到5或例如从3到5的整数，其中y’为0时H-和Q形成化学键，
r是2到4或例如2到3的整数，
w是2到36或例如32到36的整数，
x是2到6或例如3到6的整数，
y是0到5或例如2到5或例如3到5的整数，其中y为0时H-与-C(O)-NH-端部的氮键合，
t是2到4或例如2到3的整数，u是1到5、或例如1到4、或例如1到2、或例如2到5、或例如3到5的整数，和
z是1到13或例如9到13或例如1到3的整数
更典型的化合物包括，并不限于下式：
H-((NH(CH2)2)5)p-Q-[C(O)CH2O((RlCH)tO)9-l3-CH2-C(O)-NH-((CH2)2NH)5]l-2-H(II)
其中Rl是-H或-CH3，当p为1时Q是-NH-，p为0时Q是-O-，并且t是2到4或例如2到3或为2的整数；
H-((NH(CH2)2)5)p-Q-[C(O)CH2O((RlCH)tO)l-3-CH2C(O)-NH-((CH2)2-NH)5]l-2-H(III)
其中Rl是-H或-CH3，当p为1时Q是-NH-，p为0时Q是-O-，并且t是2到4或例如2到3或为2的整数；
H-(NH(CH2)3-(O-(CHRl)r’)2-O(CH2)3)-Q-[C(O)-CH2O-((RlCH)tO)9-l3-CH2-C(O)-NH-(CH2)3-(O-(RlCH)r)2-O-(CH2)3-NH]2-4-H(IV)
其中Rl是-H或-CH3，
当p为1时Q是-NH-并且p为0时Q是-O-，
r和r’可以相同或不同，是2到4或例如2到3或为2的整数，
和t是2到4或例如2到3或为2的整数；
H-(NH(CH2)3-(O-(CHRl)r’)2-O(CH2)3)p-Q-[C(O)-CH2-O-((RlCH)t-O)l-3-CH2-C(O)-NH-(CH2)3-(O-(RlCH)r)2-O-(CH2)3-NH]2-4-H  (V)
其中Rl是-H或-CH3，
当p为1时Q是-NH-和p为0时Q是-O-，
r和r’可以相同或不同，是2到4或例如2到3或为2的整数，
和t是2到4或例如2到3或为2的整数；
H-(NN-(CH2)3-(O-(CHRl)r’)32-36-O-(CH2)3)p-Q-[C(O)-CH2-O-((RlCH)t-O)9-l3-CH2-C(O)-NH-(CH2)3-(O-(RlCH)r)32-36-O-(CH2)3-NH]3-5-H(VI)
其中Rl是-H或-CH3，
当p为1时Q是-NH-和p为0时Q是-O-，
r和r’可以相同或不同，是2到4或例如2到3或为2的整数，
和t是2到4或例如2到3或为2的整数；
H-(NH-(CH2)6)p-Q-[C(O)-CH2-O-((RlCH)t-O)l-3-CH2-C(O)-NH-(CH2)6-NH]3-5-H  (VII)
其中Rl是-H或-CH3，
当p为1时Q是-NH-和p为0时Q是-O-，和
t是2到4或例如2到3或为2的整数；
H-((NH-(CH2)6)p-Q-[C(O)-CH2-O-((RlCH)t-O)9-l3-CH2-C(O)-NH-(CH2)6-NH]2-4-H(VII)
其中Rl是-H或-CH3，
当p为1时Q是-NH-和p为O时Q是-O-，和
t是2到4或例如2到3或为2的整数；
H-((NH-(CH2)6)2)p-Q-[C(O)-CH2-O-((RlCH)t-O)l-3-CH2-C(O)-NH-((CH2)6-NH)2]2-4-H(IX)
其中Rl是-H或-CH3，当p为1时Q是-NH-和p为0时Q是-O-，并且t是2到4或例如2到3或为2的整数；
H-(NH-(CH2)6)2)p-Q-[C(O)-CH2-O-((RlCH)t-O)9-l3-CH2-C(O)-NH-((CH2)6-NH)2]l-3-H(X)
其中Rl典型地是-H或-CH3，
当p为1时Q是-NH-和p为0时Q是-O-，和
t是2到4或例如2到3或为2的整数；
H-(NH-((RlCH)r’-O-)2-C2H4)p-Q-[C(O)-CH2-O-((RlCH)t-O)l-3-CH2-C(O)-NH-((RlCH)r-O)2-C2H4-NH]2-4-H(XI)
其中Rl是-H或-CH3，当p为1时Q是-NH-，p为0时Q是-O-，并且t是2到4或例如2到3或为2的整数；
H-(NH-((RlCH)2-O-)2-C2H4)p-Q-[C(O)-CH2-O-((RlCH)t-O)9-l3-CH2-C(O)-NH-((RlCH)2-O)2-C2H4-NH]l-3-H(XII)
其中Rl典型地是-H或-CH3，
当p为1时Q是-NH-和p为0时Q是-O-，和
t是2到4或例如2到3或为2的整数；和
H-((NH-((CH2)3)3)p-Q-[C(O)-CH2-O-((RlCH)t-O)9-l3-CH2-C(O)-NH-((CH2)3-NH)3]l-2-H(XIII)
其中Rl是-H或-CH3，当p为1时Q是-NH-和p为0时Q是-O-，和t是2到4或例如2到3或为2的整数。
上述化合物的数均分子量大于或等于250，或例如从500到15,000，或例如从900到10,000。上述化合物的分子量可由任何本领域常规方法确定。
式(I)-(XIII)的化合物可采用一种或多种聚乙二醇和一种或多种聚烷氧基化二胺或烷撑三胺通过常规缩合反应得到。
能用于制备式(I)-(XIII)的化合物的聚乙二醇二酸可包括但不限于具有以下的通式的聚乙二醇二酸：
HO-C(O)-CH2-(O-(CHR2)g)h-OCH2-C(O)-OH  (XIV)
其中g是2到4的整数，
h是1到150的整数，和R2是-H或-CH3。
这种聚乙二醇二酸的数均分子量大于或等于250。
用于制备式(I)-(XIII)的化合物的聚烷氧基化二胺包括但不限于下式：
H2N-(CH2)j-(O-(CHR2)g)h-(CH2)k-NH2(XV)
或
H2N(CH2)mNH2(XVI)
其中g、h和R2如前定义，j是2到6的整数，k是0到6的整数，和m是6到10的整数。
用于制备式(I)-(XIII)的化合物的烷撑三胺包括但不限于下式：
H2N-(CH2-CH2-NH)n-(CH2)2-NH2(XVII)，或
H2N-(CH2)n-NH-(CH2)n-NH2(XVIII)
任何现有技术已知的或文献已公开的常规方法可用于制备式(I)-(XIII)的化合物。反应物可以通过购买或采用现有技术和文献已知的方法合成得到。酸封端的聚乙二醇的合成可通过：氧化U.S.5,250,727和U.S.5,166,423中公开的聚烷二醇来得到羧酸，直到每个分子中的羟基都被氧化成羧基以形成二羧酸。酸封端的聚烷二醇也可采用已知的Williamson醚合成法通过在碱存在的条件下将聚烷二醇和氯乙酸反应得到。
聚(环氧乙烷)二胺可通过二羟基类起始物与环氧乙烷反应、接着将得到的端部羧基转化为胺基而制得。杰夫胺(Jeffamine)TM牌聚(环氧乙烷)胺可购自美国德克萨斯州休斯顿市的亨曼功能化学试剂厂(Huntsman Performancechemicals，Houston，TX，U.S.A.)，丙胺封端的聚环氧乙烷可购于阿尔德里奇公司(ALDRICH)。
一般来说，反应物的重量比在1∶1到3∶1之间。缩合反应在惰性气体条件下比如在N2(g)气氛下进行。温度范围在180℃到250℃以及压力范围在10mbar到大气压。反应进程可用光谱方法比如NMR光谱法进行监测。
酰胺化合物可添加到金属电镀组合物中来改进其性能。所述酰胺化合物添加到金属电镀组合物中的量为0.001g/L到5g/L，或例如0.01g/L到1g/L。
金属电镀组合物中包括一种或多种金属离子源，以电镀金属。所述的一种或多种金属离子源用于提供金属离子，其包括但不限于铜，锡，镍，金，银，钯，铂和铟。合金包括但不限于前述金属的二元或三元合金。典型地，利用金属电镀组合物电镀选自铜，锡，镍，金，银或铟的金属。更典型地，电镀选自铜，锡，银或铟的金属。最典型地，电镀铜。
金属电镀组合物可使用的铜盐包括但不限于卤化铜，硫酸铜，链烷磺酸铜，链烷醇磺酸铜和柠檬酸铜中的一种或多种。典型地，电镀组合物中使用硫酸铜，链烷醇磺酸铜或其混合物。
金属电镀组合物可使用的锡盐包括但不限于硫酸锡、卤化锡、链烷磺酸锡比如甲烷磺酸锡、乙烷磺酸锡和丙烷磺酸锡、芳基磺酸锡比如苯磺酸锡和甲苯磺酸锡、和链烷醇磺酸锡中的一种或多种。典型地，电镀组合物中使用硫酸锡，链烷醇磺酸锡。
金属电镀组合物可使用的金盐包括但不限于三氯化金，三溴化金，金的氰化物，氯化金钾，氰化金钾，氯化金钠和氰化金钠中的一种或多种。。
金属电镀组合物可使用的银盐包括但不限于硝酸银，氯化银，醋酸银和溴酸银中的一种或多种。典型地，可使用硝酸银。
金属电镀组合物可使用的镍盐包括但不限于氯化镍，醋酸镍，硫酸镍铵和硫酸镍中的一种或多种。
金属电镀组合物可使用的钯盐包括但不限于氯化钯，硝酸钯，氯化钾钯和氯化钾钯中的一种或多种。
可使用的铂盐包括但不限于四氯化铂，硫酸铂和氯铂酸钠中的一种或多种。
可使用的铟盐包括但不限于链烷磺酸铟盐和芳基磺酸铟盐(例如甲磺酸铟，乙磺酸铟，丁磺酸铟，苯磺酸铟和甲苯磺酸铟)，氨基磺酸铟盐，硫酸铟盐，氯化铟，和溴化铟盐，硝酸铟盐，氢氧化铟，氧化铟，氟硼酸铟盐，羧酸铟盐(例如柠檬酸铟盐，乙酰乙酸铟盐，水合乙醛酸铟盐，丙酮酸铟盐，羟基乙酸铟盐，丙二酸铟盐，异羟肟酸(hydroamic acid)铟盐，亚氨基二乙酸铟盐，水杨酸铟盐，甘油酸铟盐，丁二酸铟盐，苹果酸铟盐，酒石酸铟盐，羟丁酸铟盐)，氨基酸铟盐(例如精氨酸铟盐，天冬氨酸铟盐，门冬酰铟胺，谷氨酸铟盐，甘氨酸铟盐，谷酰胺铟盐，亮氨酸铟盐，赖氨酸铟盐，苏氨酸铟盐，异亮氨酸铟盐，和缬氨酸铟盐)中的一种或多种。
金属电镀组合物中还可包括的其它金属包括但不限于铋，钴，铬和锌中的一种或多种。这些金属可以与前述金属中的一种或多种组成合金。铋离子源包括但不限于柠檬酸铋铵和磷酸铋中的一种或多种。钴离子源包括但不限于硫酸钴铵，醋酸钴，硫酸钴和氯化钴中的一种或多种。铬离子源包括但不限于醋酸铬、硝酸铬和溴化铬中的一种或多种。锌离子源包括但不限于溴酸锌，氯化锌，硝酸锌和硫酸锌中的一种或多种。
金属电镀组合物可电镀的二元合金包括但不限于锡铜合金，锡铋合金，金银合金，铟铋合金，铟锌合金和金钴合金。典型地，可电镀锡铜合金。
金属电镀组合物可电镀的三元合金包括但不限于锌、银与铜的合金，和金、银与铜的合金。
一般来说，电镀组合物中包括的金属盐的量为金属离子浓度范围在0.01g/L到200g/L，或例如0.5g/L到150g/L，或例如1g/L到100g/L，或例如5g/L到50g/L。典型地，金属盐的量为金属离子浓度在0.01到100g/L，更典型地0.1g/L到60g/L。
金属电镀组合物也可包括一种或多种常规的稀释剂。典型地，金属电镀组合物是水溶液；但是根据需要，也可使用常规有机稀释剂。电镀组合物可选地也可包括常规的电镀组合物添加剂。这些添加剂包括但不限于光亮剂，抑制剂，表面活性剂，无机酸，有机酸，光亮分解抑制化合物，碱金属盐和pH调节化合物中的一种或多种。金属电镀组合物中其它添加剂用于调整用于电镀特定基底的金属的性能。这些其它添加剂可包括但不限于，其它影响匀镀能力的整平剂和化合物。典型地，当电镀铜或一种铜合金时，电镀组合物包括一种或多种光亮剂和一种或多种抑制剂。
光亮剂包括但不限于3-巯基-丙基磺酸钠盐，2-巯基-乙烷磺酸钠盐，双磺丙基二硫化物(BSDS)，N，N-二甲基二硫代氨基甲酸(3-磺丙基)酯钠盐(DPS)，(O-乙基二硫代碳酸)-S-(3-磺丙基)-酯钾盐(OPX)，3-[(氨基-亚氨甲基)-硫代]-1-丙烷磺酸(UPS)，3-(2-苄(benz)噻唑基硫)-1-丙烷磺酸钠盐(ZPS)，双磺丙基二硫化物的硫醇(MPS)，含硫化合物例如3-(苄(benz)噻唑基-2-硫)-丙磺酸钠盐，3-巯基丙烷-1-磺酸钠盐，亚乙基(ethylene)二硫代二丙磺酸钠盐，双(对-磺苯基)-二硫化二钠盐，双(ω-磺丁基)-二硫化二钠盐，双(ω-磺羟丙基)-二硫化二钠盐，双(ω-磺丙基)-二硫二钠盐，双(ω-磺丙基)-硫化二钠盐，甲基-(ω-磺丙基)-二硫二钠盐，甲基-(ω-磺丙基)-三硫二钠盐，O-乙基-二硫代碳酸-S-(ω-磺丙基)-酯，硫代乙醇酸钾盐，硫代磷酸-O-乙基-二-(ω-磺丙基)-酯二钠盐，和硫代磷酸-3(ω-磺丙基)-酯三钠盐中的一种或多种。
金属电镀组合物中光亮剂可以常规的量加入。一般来说，加入的光亮剂的量为1ppb到1g/L，或例如从10ppb到500ppm。
抑制剂包括但不限于高分子量的含氧化合物例如羧甲基纤维素，壬基苯酚聚乙二醇醚，辛二醇双-(聚烷撑二醇醚)，辛醇聚烷撑二醇醚，油酸聚乙二醇酯，聚乙二醇丙二醇(polyethylenepropylene glycol)，聚乙二醇，聚乙二醇二甲醚，聚氧丙二醇，聚丙二醇，聚乙烯醇，硬脂酸聚乙二醇酯，和硬脂醇聚乙二醇醚中的一种或多种。典型地使用聚(烷氧基化)乙二醇。上述抑制剂可以常规量加入到金属电镀制剂中，比如0.01g/L到10g/L或例如从0.5g/L到5g/L。
可以加入一种或多种常用的表面活性剂。典型地，表面活性剂包括但不限于，非离子表面活性剂例如烷基苯氧基聚乙氧基乙醇。其它合适的含有多个氧乙烯基(oxyethylene)的表面活性剂也适用。这些表面活性剂包括具有20到150个重复单元的聚氧乙烯聚合物。该表面活性剂也可作为抑制剂使用。聚合物也可包括聚氧乙烯(EO)和聚氧丙烯(PO)的嵌段和无规共聚物。表面活性剂可以常用的量加入，比如0.05g/L到20g/L或例如从0.5g/L到5g/L。
常用的整平剂包括但不限于，一种或多种烷基化的聚链烯基亚胺(polyalkyleneimine)和有机硫代磺酸盐。这些化合物的例子包括4-巯基吡啶，2-巯基噻唑啉，乙烯硫脲，硫脲，1-(2-羟乙基)-2-咪唑二啉硫(imidazolidinethion，HIT)和烷基化的聚链烯基亚胺。整平剂可以常用的量加入，通常比如为1ppb到1g/L，或例如从10ppb到500ppm。
金属电镀组合物中可包括一种或多种无机和有机酸，以增加基质的溶液导电性和调节电镀组合物的pH值。无机酸包括但不限于硫酸，盐酸，硝酸和磷酸。有机酸包括但不限于链烷磺酸，例如甲磺酸。酸以常用的量添加到电镀组合物中。
金属电镀组合物中可加入的碱金属盐包括但不限于钠和钾的卤化物，例如氯化物，氟化物和溴化物。典型地使用氯化物。碱金属盐以常用的量加入。
电镀组合物可包括一种或多种光亮剂分解抑制剂。该抑制剂可包括任何化合物，只要该化合物能与组合物中其它组分相容并且能阻止或至少抑制电镀组合物中的光亮剂的分解即可。典型地，在使用不溶阳极电镀时将该化合物加入到金属电镀液中。该化合物包括但不限于醛类例如2，3，4-三羟基安息香醛，3-羟基安息香醛，3，4，5-三羟基安息香醛，2，4-二羟基安息香醛，4-羟基-3-甲氧基肉桂醛，3，4，5-三羟基安息香醛一水合物，丁香醛(syringealdehyde)，2，5-二羟基安息香醛，2，4，5-三羟基安息香醛，3，5-二羟基安息香醛，3，4-二羟基安息香醛，4-羟基安息香醛，4-羧基安息香醛，2-氯代-4-羟基安息香醛，和3-呋喃醛。其它醛类包括但不限于吡啶羧基醛(carboxaldehyde)，安息香醛，萘甲醛(naphthaldehyde)，联苯基醛(biphenylaldehyde)，蒽醛，菲醛，和2-甲酰苯氧基醋酸。
羟胺也可用作光亮剂分解抑制剂，合适的羟胺包括但不限于硫酸羟胺，硝酸羟胺，盐酸羟胺。典型地，可使用硫酸羟胺和硝酸羟胺。
各种醇类也可用作光亮剂分解抑制剂，合适的醇类包括但不限于直链或支链的烷基醇，烯醇，炔醇，以及芳香醇，非芳族的环醇和杂环醇，上述醇包括巴豆醇，2-亚甲基(methylene)-1，3-丙二醇，3-丁烯-1-醇，和1，4-脱水丁四醇。其它醇可包括萘的衍生物例如1，2-二羟基萘，1，3-二羟基萘，2，3-二羟基萘，2，4-二羟基萘，2，7-二羟基萘，2，6-二羟基萘，4，5-二羟基萘-2，7-二磺酸二钠盐，6，7-二羟基萘-2，7-二磺酸，6-羟基-2-萘磺酸，4-氨基-5-羟基-2，7-萘二磺酸一钠盐，1，5-二羟基-1，2，3，4-四氢-萘，2，6-二羟基萘，1，5-二羟基萘，1-萘醇-3，6-二磺酸钠水合物，十氢-2-萘醇，1，2，3，4-四氢-1-萘醇，2-萘甲醇，1，6-二羟基萘，6，7-二羟基-2-萘磺酸半水化物，和4-羟基-1-萘磺酸钠盐。优选的芳醇包括5-甲氧基间苯二酚，4-氯代间苯二酚，2-硝基间苯二酚，2-烯丙基苯酚，1，2，4-苯三酚，异丁香酚，α，α，α-三氟代-间甲酚，4-叔丁基邻苯二酚，3-羟基-1-苄醇，4-羟基苄醇，间苯三酚二水合物和酐，戊基地衣酚(olivetol)，和3-氯代苯酚。
其它合适的醇类包括1，2-苯二甲醇，1，3-苯二甲醇，4-氨苯酚，4-甲氧苯酚，4-乙基间苯二酚，对苯二酚，氯醌，氢醌磺酸钾，4-(甲基硫)-苯甲醇，苯甲醇，松柏醇(coniferyl alcohol)，3-甲氧基儿茶酚，4-巯基-苯酚，4，4’-硫代二苯酚，3-甲氧基苯酚，苯酚，甲酚和一水合苔黑酚。其它优选的化合物包括但不限于2’，4’，6’-三羟基乙酰苯酮(phenone)一水合物，2，5-二羟基-1，4-苯并醌，和四羟基-1，4-水合醌。
杂环化合物包括饱和内酯或具有一个或多个双键的内酯。这些内脂包括抗坏血酸和α-羟基-γ-丁内酯。也包括这些内酯的金属盐例如钠盐，钾盐和铁盐。其它杂环化合物的例子包括2-羟基苯并呋喃，5，6-二氢-4-羟基-6-甲基-2H-吡喃-2-酮，2-羟基苯并呋喃，水合柚苷(naringin)，芝麻酚，2，4-二羟基-6-甲基嘧啶，和1，2，4-三唑并(1，5-A-)嘧啶。
其它合适化合物的例子包括3-呋喃甲醇，2，4，5-三羟基嘧啶，5，6-异亚丙基抗坏血酸，和脱水抗坏血酸。
有机酸也可作为光亮剂分解抑制剂。这些有机酸包括但不限于2，6-二羟基安息香酸，4-羟基安息香酸间苯二酚，2，3-二羟基安息香酸，2，4-二羟基安息香酸，2，4，6-三羟基安息香酸，2，3，4-三羟基安息香酸，甲基-3，4，5-三羟基安息香酸酯，甲基-2，4-二羟基安息香酸酯，4-羟基杏仁酸一水合物，3-(苯基硫代)醋酸，4-羟基苯磺酸，五倍子酸，4-乙烯基安息香酸，3，4-二羟基肉桂酸，4-甲氧基肉桂酸，2-羟基肉桂酸，邻苯二甲酸，反式-3-呋喃丙烯酸，乙烯醋酸，和磺胺酸中的一种或多种。也包括酸酐如邻苯二甲酸酐。
其它适于用作光亮剂分解抑制剂的化合物包括但不限于甲基亚砜，甲基砜，四亚甲基亚砜，巯基乙酸(thioglycolic acid)，2(5H)噻吩酮，1，4-二噻烷(thiane)，反式-1，2-二噻烷，4，5-二醇，四氢噻吩-3-酮，3-噻吩甲醇，1，3，5-三噻烷，3-噻吩醋酸，硫代羟基乙酰乙酸(thiotetronic acid)，硫辛酸，冠醚，冠硫醚，四吡啶，乙烷硫代磺酸酯，(2-磺酸(sulfonato)乙基)甲烷磺酸酯，羧乙基甲烷硫代磺酸酯，2-羟乙基甲烷硫代磺酸酯，1，4-丁二基二甲烷硫代磺酸酯，1，2-乙烷二基二甲烷硫代磺酸酯，1，3-丙烷二基甲烷硫代磺酸酯，(3-磺酸丙基)甲烷硫代磺酸酯，丙基甲烷硫代磺酸酯，对甲苯二亚砜，对甲苯二砜，双(苯磺酰基)硫化物，异丙基磺酰氯化物，4-(氯磺酰基)安息香酸，二丙基三硫化物，二甲基三硫化物，二甲基四硫化物，双(3-三乙氧基甲硅烷基)丙基四硫化物，苯基乙烯砜，4-羟基-苯磺酸，1，4，7，10，13，16-六甲基-1，4，7，10，13，16-六氮杂环十八烷(hexaazacyclooctadecane)，1，4，7，10-四对甲苯磺酰-1，4，7，10-四氮杂环十二烷，和1，4，10，13-四噁(oxa)-7，16-二氮杂环十八烷。
电镀组合物中光亮剂分解抑制剂的量为0.001g/L到100g/L。典型地，这些化合物的量为0.01g/L到20g/L。
测得的金属电镀组合物的pH范围在-1到14，或例如在-1到8。典型地，测得电镀组合物的pH范围为从-1到5，更典型地，从-1到3。可以加入常用的缓冲化合物来控制组合物的pH。
金属电镀组合物可通过任何现有技术和文献已知的方法来在基底上电镀金属或金属合金。典型地，使用常用的设备通过常用电镀过程来电镀金属或金属合金。可将电镀组合物与可溶的或不溶阳极结合使用。
可使用脉冲电镀或直流(DC)电镀或DC和脉冲电镀的结合。上述电镀过程都是本领域所公知的。电流密度和电极表面电位可随特定的待镀基底而改变。一般来说，阳极和阴极电流密度可在0.01到15A/dm2范围内变化。低速电镀时其范围在0.1A/dm2到3A/dm2。高速电镀时其范围不小于3A/dm2，典型地为3A/dm2到15A/dm2。维持电镀液温度范围为从20℃到110℃，或例如从20℃到50℃。电镀温度可随待镀金属不同而改变。
包括酰胺的金属电镀组合物较之很多常用的金属电镀组合物可至少改进整平性能。这种金属电镀组合物可用于金属电镀以制造电气元件，例如印刷线路板(包括通孔和通路的电镀)，集成电路，电接触面和连接件，电解箔，用于微芯片应用的硅晶片，半导体和半导体封装，引线框，光电设备和光电设备封装，和焊接凸起。此外，金属电镀组合物也可用于金属电镀装饰元件，比如珠宝，家具装配，汽车部件和卫生设施。
以下实施例用于对本发明进行更好的说明，但是不希望限定本发明的范围。
实施例1
24g数均分子量为600的聚(乙二醇)二(羧甲基)醚600购于弗路卡(Fluka)(Chemical company-Buchs，瑞士)与19g购于阿尔德里奇(ALDRICH)的五乙撑六胺以1∶1.7的摩尔比在190-200℃下反应6小时，反应在装有短玻璃管、蒸馏头、Liebig(来比)冷凝器和分馏液接收烧瓶的圆底烧瓶中以恒定惰性气体供应下进行。水分从烧瓶中蒸馏出来。使用冷凝器和分馏液接收烧瓶在200℃和15mbar下加热反应液。剩下的产物溶解于水并且使用乙醚萃取。水相采用蒸发法蒸干以得到具有以下通式的聚酰胺基胺：
H-(NH-(CH2)2)5NH-[C(O)CH2O(C2H4)11-CH2-C(O)-NH-((CH2)2-NH)5]-H(XIX)
该结构通过碳13和氢1的NMR谱测定。数均分子量经SEC测定为1050。
实施例2
13g购于阿尔德里奇(ALDRICH)的数均分子量为250的聚(乙二醇)二(羧甲基)醚250与23g五乙撑六胺以1∶2的摩尔比如实施例1一样在190-200℃下反应6小时，反应结束于200℃和30mbar。所述结构采用NMR谱测定。
该聚酰胺基胺的结构通过碳13和氢1的NMR谱测定，该聚酰胺基胺具有以下的通式：
H-(NH-(CH2)2)5NH-[C(O)-CH2O-(C2H4O)-CH2-C(O)-NH-((CH2)2-NH)5]-H(XX)
数均分子量经SEC测定为600-650。
实施例3
18g聚乙二醇二(羧甲基)醚酯600与7g购于阿尔德里奇(ALDRICH)的4，7，10-三氧杂-1，13-十三烷二胺按实施例1中的条件在190-240℃下反应2小时。反应物的摩尔比为1∶1.1。水被蒸馏出来并且产物具有以下通式中的结构：
HO-[C(O)-CH2-O-(C2H4O)11-CH2-C(O)-NH-(CH2)3-(OC2H4)2-O-(CH2)3-NH]3-H(XXI)
该结构式采用NMR谱测定。数均分子量经SEC测定为2430。
实施例4
10g聚乙二醇二(羧甲基)醚250与18g购于阿尔德里奇(ALDRICH)的4，7，10-三氧杂-1，13-十三烷二胺按实施例1中的条件以1∶2的摩尔比在180-220℃下反应1小时。加热到220-250℃和30mbar下反应4小时接着又在250℃和1mbar条件下再反应3小时后结束。反应产物经NMR谱测定具有以下的通式中的结构：
H2N(CH2)3-(OC2H4)2-O-(CH2)3-NH-[C(O)-CH2-O-(C2H4O)2-    CH2-C(O)-NH-(CH2)3-(OC2H4)2-O-(CH2)3-NH]3-H(XXII)
其数均分子量经SEC测定为1600。
实施例5
6g聚乙二醇二(羧甲基)醚酯600与16g购于阿尔德里奇(ALDRICH)的O，O’-双(3-氨丙基)聚乙二醇1500以1∶1的摩尔比在230-240℃下反应2小时。其反应装置如实施例1所述。反应中的水被蒸馏出来以生产出一种褐色固体。产物溶于水并用活性炭过滤器进行过滤，接着进行细滤。将产物蒸发烘干。反应产物经NMR谱测定具有以下通式中的结构：
HO-[C(O)-CH2O(C2H4O)11-CH2C(O)-NH-(CH2)3-(OC2H4)34-O-(CH2)3-NH]4-H(XXIII)
其数均分子量经SEC测定为8800。
实施例6
24g聚乙二醇二(羧甲基)醚250与18g购于阿尔德里奇(ALDRICH)的1，6-二氨基己烷以1∶1.6的摩尔比在200℃下反应5小时。其反应装置如实施例1所述。反应中的水与一些析出物一起被蒸馏出来。将析出物溶于水，在210-220℃和30mbar下经过3小时，水分被蒸发并且析出物被蒸馏出来。所得产物为黄色蜡状物。产物经NMR谱测定具有以下通式中的结构：
H2N-(CH2)6-NH-[C(O)-CH2O(C2H4O)2-CH2-C(O)-NH-(CH2)6-NH]4-H(XXIV)
其数均分子量经SEC测定为1300。
实施例7
24g聚乙二醇二(羧甲基)醚600与9.5gl，6-二氨基己烷以1∶2的摩尔比在200-210℃下反应3.5小时。其反应装置如实施例1所述。反应中的水与一些胺一起被蒸馏出来。在200-210℃和30mbar下除去其余的胺而得到具有以下通式中结构的产物：
H2N-(CH2)6-NH-[C(O)-CH2-O-(C2H4O)11-CH2-C(O)-NH-(CH2)6-NH]3-H(XXV)
其数均分子量经SEC测定为2200。
实施例8
12.5g聚乙二醇二(羧甲基)醚250与19g双(己撑)三胺以1∶1.8的摩尔比在200-230℃下反应4.5小时。反应中水被蒸馏出来。在240℃连续加热5小时，接着在250℃和30mbar下持续1小时，得到在室温下固化的糖浆状油。该油可溶于水形成混浊溶液，当加入浓的实验室级硫酸时可形成清液。该缩聚物具有以下的通式：
H(NH-(CH2)6)2-NH-[C(O)-CH2-O-(C2H4O)2-CH2-C(O)-NH-((CH2)6-NH)2]3-H(XXVI)
其数均分子量为1400。
实施例9
24g聚乙二醇-二(羧甲基醚)600与15g双(己撑)三胺以1∶1.7的摩尔比在200-210℃下反应1小时。反应中水被蒸馏出来。在240℃连续加热5小时，最后在240℃和30mbar下持续5小时，得到产物具有以下的通式：
H2N-(CH2)6-NH-(CH2)6-NH-[C(O)-CH2-O-(C2H4O)11-CH2-C(O)-NH-(CH2)6-NH-(CH2)6-NH]2H(XXVII)
其数均分子量为1800。
实施例10
12.5g聚乙二醇-二(羧甲基醚)250与15g2，2’-乙二氧撑双乙胺(ethylenedioxybisethylamine)以1∶2的摩尔比在180-185℃下反应2.5小时，并且在200-210℃下反应1.5小时。反应中水被蒸馏出来。接着在220℃和30mbar下再加热2小时，得到一种油。该油状产物具有以下的通式：
H2N-(C2H4O)2-C2H4-NH-[C(O)-CH2O-(C2H4O)2-CH2-C(O)-NH-(C2H4O)3C2H4-NH]3-H(XXVIII)
其数均分子量为1150。
实施例11
21g聚乙二醇-二(羧甲基醚)600与10g2，2’-乙二氧撑双乙胺以1∶2的摩尔比在200-210℃下反应4小时。反应中水被蒸馏出来。接着在220℃和30mbar下再加热2小时得到一种油。将该油溶于水并用活性炭处理。接着进行细过滤，干燥和冻干，从而得到褐色糖浆状油，该产物具有以下的通式：
H2N-(C2H4O)2-C2H4-NH-[C(O)-CH2O-(C2H4O)11-CH2-C(O)-NH-(C2H4O)2-C2H4-NH]2-H(XXIX)
其数均分子量为1600。
实施例12
16g聚乙二醇-二(羧甲基醚)600与10gN，N’-二-(3-氨丙基)-1，3-丙二胺以1∶2的摩尔比在180-190℃下反应2.5小时，接着在200-220℃反应1.5小时。反应中的水被蒸馏出来。接着在250℃和15mbar下继续加热。反应容器中便剩下一种黑色油。将该油溶于水并用活性炭处理。过滤和蒸发干燥后得到橙色油。该产物具有以下的通式：
H-(NH(CH2)3)3-NH-[C(O)-CH2O-(CH2O-(C2H4O)11-CH2-C(O)-NH((CH2)3)3-NH]3]-H(XXX)
其数均分子量为960。
实施例13
制备铜电镀组合物的水溶液备用，其中成分的浓度如下：80g/L五水硫酸铜，225g/L硫酸，足以提供60mg/L氯离子的盐酸。从上述备用液中取出14等份，均配成含有光亮剂和抑制剂的1400ml溶液。其中12份分别含有实施例1-12中制备的化合物。该十四份溶液的配方如下表。
表1
  溶液   化合物   光亮剂   抑制剂
  1   实施例1   BSDS   EO/PO共聚物
  2   实施例2   DPS   羧甲基纤维素
  3   实施例3   ZPS   聚乙二醇
  4   实施例4   OPX   聚乙烯醇
  5   实施例5   2-巯基-乙磺酸   油酸聚乙二醇酯
  6   实施例6   UPS   聚乙二醇
  7   实施例7   BSDS   壬基苯酚聚乙二醇醚
  8   实施例8   3-巯基丙烷-1-磺酸   聚乙烯醇
  9   实施例9   UPS   聚乙二醇二甲醚
  10   实施例10   MPS   羧甲基纤维素
  11   实施例11   硫代乙醇酸钾   聚乙二醇
  12   实施例12   乙撑二硫代丙磺酸   聚乙二醇丙二醇
  13   0(对比)   BSDS   EO/PO共聚物
  14   0(对比)   MPS   聚乙二醇
实施例1-12中的化合物以1g/L的量加入到试样中。光亮剂以0.01g/L的量加入，抑制剂以0.5g/L的量加入。接着将每等份的1400ml含水铜电镀组合物倒入常规的Haring(哈林)电解池中。将磷铜阳极浸入哈林电解池的任一侧并与常用的整流器电气连接。接着将一双面覆铜平板(0.16cm厚，5cm×15cm)浸入哈林电解池的中央，在气体搅拌下以3A/dm2的电流密度对该板电镀50分钟。电镀在室温下进行。
50分钟后将该平板取出，浸入到抗失色溶液中然后用吹风机吹干，该抗失色液是抗失色TM(AntitamishTM)7130(得自罗门哈斯电子材料有限公司，美国马萨诸塞州的马尔伯勒市(Rohm and Haas electronic materials，Marlborough，MA))的体积比为20％的水溶液。在具有实施例1-12化合物的铜镀液中电镀在平板上的铜镀层被认为是光亮且平滑的。并且，在这些平板上没有见到预想中的例如根瘤，层状和纹状等瑕疵。反之，没有使用实施例1-12化合物的镀液电镀出的平板被认为是非光亮的。
按照与上一组相同的程序再重复电镀出三组新的平板。一组在1A/dm2的电流密度下电镀150分钟，第二组在2A/dm2的电流密度下电镀70分钟，第三组在4A/dm2的电流密度对该板电镀35分钟。所有在含有实施例1-12化合物镀液中电镀出来的平板被认为具有光亮平滑的铜镀层，没有发现有瑕疵。反之，不包括实施例1-12化合物的样品被认为是非光亮的。
实施例14
如实施例13一样备好备用的铜电镀液。从备用液中取出50等份的1400ml镀液作为50份单独的测试液。每一测试液的组成如下表2所示。
表2
  试样   化合物   光亮剂   抑制剂
  1-4   实施例1   BSDS   EO/PO共聚物
  5-8   实施例2   UPS   聚乙二醇
  9-12   实施例3   MPS   聚乙烯醇
  13-16   实施例4   DPS   聚乙二醇
  17-20   实施例5   OPX   羧甲基纤维素
  21-24   实施例6   ZPS   EO/PO共聚物
  25-28   实施例7   BSDS   聚乙二醇
  29-32   实施例8   OPX   聚乙烯醇
  33-36   实施例9   MPS   聚乙二醇
  37-40   实施例10   BSDS   羧甲基纤维素
  41-44   实施例11   ZPS   聚乙烯醇
  45-48   实施例12   DPS   EO/PO共聚物
  49   0(对比)   BSDS   聚乙二醇
  50   0(对比)   MPS   聚乙二醇
每一试样包括1g/L的光亮剂和5g/L的抑制剂。实施例1-12中的化合物在每个样品中的量有变化。样品1-4中包括实施例1中化合物的量相应地为0.001g/L，0.01g/L，0.5g/L和1g/L。样品5-8中包括实施例2中化合物的量相应地为0.005g/L，0.01g/L，0.5g/L和1g/L。样品9-12中包括实施例3中化合物的量相应地为0.05g/L，0.25g/L，0.5g/L和1g/L。样品13-16中包括实施例4中化合物的量相应地为0.01g/L，0.25g/L，0.5g/L和1g/L。样品17-20中包括实施例5中化合物的量相应地为0.001g/L，0.05g/L，0.1g/L和1g/L。样品21-24中包括实施例6中化合物的量相应地为0.001g/L，0.01g/L，0.5g/L和1g/L。样品25-28中包括实施例7中化合物的量相应地为0.01g/L，0.25g/L，0.5g/L和1g/L。样品29-32中包括实施例8中化合物的量相应地为0.001g/L，0.01g/L，0.1g/L和1g/L。样品33-36中包括实施例9中化合物的量相应地为0.05g/L，0.25g/L，0.75g/L和1g/L。样品37-40中包括实施例10中化合物的量相应地为0.05g/L，0.25g/L，0.5g/L和0.75g/L。样品41-44中包括实施例11中化合物的量相应地为0.05g/L，0.1g/L，0.5g/L和1g/L。样品45-48中包括实施例12中化合物的量相应地为0.01g/L，0.5g/L，0.75g/L和1g/L。
将每份试样倒入哈林电解池中。将磷铜阳极浸入每个哈林电解池的任一侧。该电解池与常用的整流器电连接。接着将一具有多个直径为0.2mm通孔的双面覆铜平板(0.16cm厚，5cm×15cm)浸入哈林电解池的中央，在气体搅拌下以3A/dm2的电流密度对每一块板电镀50分钟。电镀在室温下进行。电镀结束后将平板从哈林电解池中取出并横切以观察通孔中铜的电镀厚度。使用光学显微镜在200倍的放大倍数下观察上述通孔。具有实施例1-12化合物的试样电镀的通孔被认为显示出改进了的匀镀能力，较之两个对比样品其在通孔中心具有更厚和更均一的铜镀层。
实施例15
锡电镀组合物水溶液包括20g/L来自硫酸锡的锡离子，40g/L硫酸，0.5g/L数均分子量为2200的氧乙烯/氧丙烯共聚物，10ml/L硫酸化的烷基乙氧基化物(TRITONTM QS-15)和0.1g/L实施例1中的XIX化合物，该水溶液如实施例13中所述倒入哈林电解池中。该锡电镀组合物的pH值小于1并且温度为30℃。基底为5cm×15cm的青铜片。在3A/dm2的电流密度进行锡电镀50分钟。得到的锡层被认为平滑并且没有可见的瑕疵。
实施例16
锡/铜合金电镀组合物水溶液包括30g/L来自硫酸锡的锡离子，20g/L来自五水硫酸铜的铜离子，50g/L硫酸，1g/L数均分子量为3000的氧乙烯/氧丙烯共聚物，20ml/L聚乙氧基化胺(JEFFAMINETM T-403，来自亨特斯曼公司(HuntsmanCorporation))和0.1g/L实施例2中的化合物XX，该水溶液如实施例13中所述倒入哈林电解池中。该锡/铜电镀组合物的pH值小于1并且温度为30℃。基底为5cm×15cm的青铜片。在4A/dm2的电流密度对该片电镀锡/铜35分钟。得到的锡/铜合金层被认为平滑并且没有可见的瑕疵。
实施例17
锡/铋合金电镀组合物水溶液包括25g/L来自硫酸锡的锡离子，10g/L来自三氯化铋的铋离子，90g/L硫酸，2g/L数均分子量为2500的氧乙烯/氧丙烯共聚物，10ml/L硫酸化的烷基乙氧基化物(TRITONTM QS-15)和0.1g/L实施例3中的化合物XXI。该水溶液如实施例13中所描述的倒入哈林电解池中，该锡/铋组合物的pH值小于1并且温度为30℃。基底为5cm×15cm的青铜片。在2A/dm2的电流密度对该片电镀锡/铋60分钟。得到的锡/铋合金层被认为平滑并且没有可见的瑕疵。
实施例18
锡/铟合金电镀组合物水溶液包括35g/L来自硫酸锡的锡离子，5g/L来自三氯化铟的铟离子，50g/L硫酸，1g/L数均分子量为5000的氧乙烯/氧丙烯共聚物，10ml/L硫酸化的烷基乙氧基化物(TRITONTM QS-15)和0.1g/L实施例4中的化合物XXII，该水溶液如实施例13中所描述的倒入哈林电解池。该锡/铟组合物的pH值小于1并且温度为30℃。基底为5cm×15cm的青铜片。在1A/dm2的电流密度对该片电镀锡/铋100分钟。得到的锡/铟合金层被认为平滑并且没有可见的瑕疵。
实施例19
锡/银/铜合金电镀组合物水溶液包括40g/L来自甲磺酸锡的锡离子，1g/L来自甲磺酸银的银离子，1g/L来自甲磺酸铜的铜离子，90g/L甲磺酸，2g/L乙氧基化双酚，4g/L 1-烯丙基-2-硫脲和0.1g/L实施例5中的化合物XXIII，该水溶液如实施例13中所描述的倒入哈林电解池。该锡/银/铜组合物的pH值为1并且温度为30℃。基底为5cm×15cm的青铜片。在2A/dm2的电流密度对该片电镀锡/银/铜100分钟。得到的锡/银/铜合金层被认为平滑并且没有可见的瑕疵。
实施例20
采用与实施例15一样的锡电镀组合物和金属电镀参数进行金属电镀过程，只是其中添加的化合物为实施例6中的化合物XXIV。平板上沉积的锡层被认为平滑并且没有可见的瑕疵。
实施例21
采用与实施例15一样的锡电镀组合物和金属电镀参数进行金属电镀过程，只是其中添加的化合物为实施例7中的化合物XXV。平板上沉积的锡层被认为平滑并且没有可见的瑕疵。
实施例22
采用与实施例16一样的锡/铜电镀组合物和金属电镀参数进行金属电镀过程，只是其中添加的化合物为实施例8中的化合物XXVI。平板上沉积的锡/铜层被认为平滑并且没有可见的瑕疵。
实施例23
采用与实施例16一样的锡/铜电镀组合物和金属电镀参数进行金属电镀过程，只是其中添加的化合物为实施例9中的化合物XXVII。平板上沉积的锡/铜层被认为平滑并且没有可见的瑕疵。
实施例24
采用与实施例17一样的锡/铋电镀组合物和金属电镀参数进行金属电镀过程，只是其中添加的化合物为实施例10中的化合物XXVIII。平板上沉积的锡/铋层被认为平滑并且没有可见的瑕疵。
实施例25
采用与实施例17一样的锡/铋电镀组合物和金属电镀参数进行金属电镀过程，只是其中添加的化合物为实施例11中的化合物XXIX。平板上沉积的锡/铋层被认为平滑并且没有可见的瑕疵。
实施例26
采用与实施例16一样的锡/铜电镀组合物和金属电镀参数进行金属电镀过程，只是其中添加的化合物为实施例12中的化合物XXX。平板上沉积的锡/铜层被认为是平滑并且没有可见的瑕疵。
实施例27
进行了一系列试验，以比较铜镀液中整平剂组分对于沉积的铜电镀层厚度的影响。在每种情况下，于铜电镀液中加入不多于一种的整平剂(或者有时候没有加入整平剂)然后电镀平板，接着处理镀后的平板，并且测量所镀铜层的厚度、包括在平板表面的镀层厚度以及平板上钻的通孔中心的镀层厚度。在电镀试验后，镀液被遗弃，在下次试验时采用新的备用液。
备用的铜电镀水溶液中的无机物按照下列浓度配成：75g/L五水硫酸铜，190g/L硫酸和足以提供60mg/L氯离子的盐酸。再在备用液中加入3ml/L来自罗门哈斯电子材料有限公司(Rohm and Haas Electronic Materials)的CopperGleamTM ST-901添加剂(光亮剂)和1.5g/L(聚烷氧化的)乙二醇(抑制剂)。将1500ml这种溶液倒入哈林电解池中。电镀中用作阳极的磷铜板可置于哈林电解池任一侧。将一双面覆铜平板(0.16cm厚，5cm×15cm电镀面积)浸入哈林电解池的中央作为电镀中的阴极。在电镀过程中进行气体搅拌。平板上被钻出通孔，并且处理所述平板以使一层薄而致密的铜层(20-25mm)化学沉积在整个暴露的平板表面上，包括通孔。在哈林电解池的镀液中加入一定量的整平剂或不加整平剂。接着在3A/dm2的电流密度电镀铜50分钟。接着将平板用去离子水冲洗，处理板的表面部分，以测定平板上铜在表面和通孔(0.32mm直径)中心的电镀层厚度。铜层在通孔中心的厚度测量值标示了镀液的匀镀能力，或者说特定镀液在孔中电镀铜的能力。孔中测得的镀层厚度比较厚说明匀镀能力比较强，更符合要求。对于含不同整平剂的镀液，测得铜层厚度如下表3所示。
表3
  编号  整平剂浓度，g/L  铜层厚度，密耳(mil)
  无整平剂   0   0.56
  XIX   0.005   0.77
  XIX   0.025   1.00
  XX   0.005   1.00
  XX   0.010   1.00
  XX   0.025   0.98
  XXI   0.010   0.69
  XXI   0.150   0.65
  XXIII   0.010   0.61
  XXIII   0.150   0.71
  XIV   0.001   0.81
  XIV   0.010   0.75
  XIV   0.025   0.95
  XIV   0.050   0.98
  XXV   0.010   0.68
  XXV   0.025   0.65
所有加入整平剂的电镀液较之未加入整平剂的电镀液显示增加了通孔中心的铜电镀层的厚度。

Claims (10)

1.一种化合物，它具有以下的通式：
H-A’p-Q-[C(O)-CH2O-((R1CH)t-O)z-CH2-C(O)-NH-A]u-H(I)
其中A’是-NH-(CH2)x’)y’-；-NH(CH2)x’-(O-(CHR1)r’)w’-O-(CH2)x’-；或-NH-((R1CH)r’-O)w’-C2H4-，
A是-((CH2)x-NH)y-；-(CH2)x-(O-(CHR1)r)w-O-(CH2)x-NH-；或-((R1CH)r-O)w-C2H4-NH-，
R1是-H或-CH3，
当p＝1时，Q是-NH-；或当p＝0时Q是-O-，
p是0或1，其中当p＝0时H-和Q形成化学键，
r’是从2到4的整数，
w’是从1到50的整数，
x’是从2到6的整数，
y’是从0到5的整数，
其中y’为0时H-和Q形成化学键，
r是从2到4的整数，
w是从1到50的整数，
x是从2到6的整数，
y是从0到5的整数，其中y为0时H-与-C(O)-NH-端部的氮键合，
t是从2到4的整数，
u是从1到20的整数，
w是从1到50的整数，和
z是从1到50的整数。
2.一种组合物，它包括一种或多种金属离子源和一种或多种具有以下通式的化合物：
H-A’p-Q-[C(O)-CH2O-((R1CH)t-O)z-CH2-C(O)-NH-A]u-H(I)
其中A’是-(NH-(CH2)x’)y’-；-NH(CH2)x’-(O-(CHR1)r’)w’-O-(CH2)x’-；或-NH-((R1CH)r’-O)w’-C2H4-，
A是-((CH2)x-NH)y-；-(CH2)x-(O-(CHR1)r)w-O-(CH2)x-NH-；或-((R1CH)r-O)w-C2H4-NH-，
R1是-H或-CH3，
当p＝1时，Q是-NH-或当p＝0时Q是-O-，
p是0或1，其中当p＝0时H-和Q形成化学键，
r’是从2到4的整数，
w’是从1到50的整数，
x’是从2到6的整数，
y’是从0到5的整数，
其中y’为0时H-和Q形成化学键，
r是从2到4的整数，
w是从1到50的整数，
x是从2到6的整数，
y是从0到5的整数，其中y为0时H-与-C(O)-NH-端部的氮键合，
t是从2到4的整数，
u是从1到20的整数，
w是从1到50的整数，和
z是从1到50的整数。
3.如权利要求2所述的组合物，进一步包括光亮剂，抑制剂，表面活性剂，酸，光亮剂分解抑制化合物和碱金属盐中的一种或多种。
4.如权利要求2所述的组合物，其中所述的金属离子选自铜，锡，镍，金，银，钯，铂，铟或它们的合金。
5.如权利要求4所述的组合物，其中所述的金属离子为铜离子。
6.一种方法，包括：
a)提供金属电镀组合物，该组合物包括一种或多种金属离子源和一种或多种具有以下的通式的化合物：
H-A’p-Q-[C(O)-CH2O-((R1CH)t-O)z-CH2-C(O)-NH-A]u-H(I)
其中A’是-(NH-(CH2)x’)y’-；-NH(CH2)x’-(O-(CHR1)r’)w’-O-(CH2)x’-；或-NH-((R1CH)r’-O)w’-C2H4-，
A是-((CH2)x-NH)y-；-(CH2)x-(O-(CHR1)r)w-O-(CH2)x-NH-；或-((R1CH)r-O)w-C2H4-NH-，
R1是-H或-CH3，
当p＝1时，Q是-NH-或当p＝0时Q是-O-，
p是0或1，其中当p＝0时H-和Q形成化学键，
r’是从2到4的整数，
w’是从1到50的整数，
x’是从2到6的整数，
y’是从0到5的整数，
其中y’为0时H-和Q形成化学键，
r是从2到4的整数，
w是从1到50的整数，
x是从2到6的整数，
y是从0到5的整数，其中y为0时H-与-C(O)-NH-端部的氮键合，
t是从2到4的整数，
u是从1到20的整数，
w是从1到50的整数，和
z是从1到50的整数。
b)将基底与组合物接触；和
c)在基底上沉积金属。
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述的金属离子选自铜，锡，镍，金，银，钯，铂，铟或它们的合金。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述的金属离子为铜离子。
9.根据权利要求6所述的方法，其中所述的基底为电子元件或装饰件。
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述的电子元件为印刷线路板。
CN2008101287499A 2007-04-03 2008-04-03 金属电镀组合物和方法 Active CN101293852B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US92159907P 2007-04-03 2007-04-03
US60/921,599 2007-04-03

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110430319.4A Division CN102492133B (zh) 2007-04-03 2008-04-03 金属电镀组合物和方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101293852A true CN101293852A (zh) 2008-10-29
CN101293852B CN101293852B (zh) 2012-10-10

Family

ID=39498410

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008101287499A Active CN101293852B (zh) 2007-04-03 2008-04-03 金属电镀组合物和方法
CN201110430319.4A Active CN102492133B (zh) 2007-04-03 2008-04-03 金属电镀组合物和方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110430319.4A Active CN102492133B (zh) 2007-04-03 2008-04-03 金属电镀组合物和方法

Country Status (6)

Country Link
US (2) US8012334B2 (zh)
EP (1) EP1978051B1 (zh)
JP (1) JP5503111B2 (zh)
KR (1) KR101412988B1 (zh)
CN (2) CN101293852B (zh)
TW (1) TWI391456B (zh)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103046090A (zh) * 2012-12-28 2013-04-17 武汉吉和昌化工科技有限公司 一种无氰碱性镀铜溶液中防置换铜添加剂及其制备方法
CN104195602A (zh) * 2009-04-07 2014-12-10 巴斯夫欧洲公司 包含抑制剂的无空隙亚微米结构填充用金属电镀组合物
CN104746111A (zh) * 2015-04-27 2015-07-01 南京宁美表面技术有限公司 一种三价铬电镀铬溶液及电镀方法
CN105829583A (zh) * 2013-12-17 2016-08-03 优美科电镀技术有限公司 从电解质中沉积铜-锡合金和铜-锡-锌合金
CN107630237A (zh) * 2016-07-18 2018-01-26 罗门哈斯电子材料有限责任公司 含有胺化合物的铟电镀组合物和铟电镀方法
CN107630238A (zh) * 2016-07-18 2018-01-26 罗门哈斯电子材料有限责任公司 铟电镀组合物和用于电镀铟的方法
CN107675209A (zh) * 2017-10-18 2018-02-09 江西理工大学 一种绿色环保锡电解精炼电解液
CN110306174A (zh) * 2019-07-29 2019-10-08 深圳市飞荣达科技股份有限公司 胶体镍组合物及其应用
CN110318077A (zh) * 2019-07-17 2019-10-11 安徽启明表面技术有限公司 无氰镀锌液
CN110344089A (zh) * 2019-06-26 2019-10-18 深圳市瑞世兴科技有限公司 一种亚硫酸金钠镀液及其电镀方法
CN111926314A (zh) * 2020-08-17 2020-11-13 广州三孚新材料科技股份有限公司 一种晶硅异质结太阳能电池用化学镀锡工艺
CN115093353A (zh) * 2022-07-06 2022-09-23 武汉天立表面技术有限公司 一种opx的制备方法及其应用
TWI782207B (zh) * 2018-06-11 2022-11-01 德商德國艾托特克公司 用於沉積鋅或鋅-鎳合金層的酸性鋅或鋅-鎳合金電鍍浴

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5558675B2 (ja) * 2007-04-03 2014-07-23 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． 金属メッキ組成物
US8388824B2 (en) * 2008-11-26 2013-03-05 Enthone Inc. Method and composition for electrodeposition of copper in microelectronics with dipyridyl-based levelers
US8795504B2 (en) * 2009-08-27 2014-08-05 University Of Southern California Electrodeposition of platinum/iridium (Pt/Ir) on Pt microelectrodes with improved charge injection properties
DE102010011269B4 (de) * 2009-11-10 2014-02-13 Ami Doduco Gmbh Verfahren zum Abscheiden einer für das Drahtbonden geeigneten Palladiumschicht auf Leiterbahnen einer Schaltungsträgerplatte und Verwendung eines Palladiumbades in dem Verfahren
WO2011064154A2 (en) * 2009-11-27 2011-06-03 Basf Se Composition for metal electroplating comprising leveling agent
US8304272B2 (en) 2010-07-02 2012-11-06 International Business Machines Corporation Germanium photodetector
US8545689B2 (en) * 2010-09-02 2013-10-01 International Business Machines Corporation Gallium electrodeposition processes and chemistries
US20120055612A1 (en) 2010-09-02 2012-03-08 International Business Machines Corporation Electrodeposition methods of gallium and gallium alloy films and related photovoltaic structures
JP5574912B2 (ja) * 2010-10-22 2014-08-20 ローム・アンド・ハース電子材料株式会社 スズめっき液
BR112014001050B1 (pt) * 2011-07-21 2017-12-05 Croda International Plc Polyester polyester block polymer, method for the preparation of the same, composition, controlled release and personal care products, and method for preparing a gel composition
US8956523B2 (en) * 2011-09-06 2015-02-17 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Metal plating compositions and methods
US10072347B2 (en) * 2012-07-31 2018-09-11 The Boeing Company Systems and methods for tin antimony plating
CN104219898B (zh) * 2014-10-09 2017-10-27 博敏电子股份有限公司 一种多层软硬结合板电镀填通孔制作工艺
US9783905B2 (en) 2014-12-30 2017-10-10 Rohm and Haas Electronic Mateirals LLC Reaction products of amino acids and epoxies
US9611560B2 (en) 2014-12-30 2017-04-04 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Sulfonamide based polymers for copper electroplating
US9725816B2 (en) 2014-12-30 2017-08-08 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Amino sulfonic acid based polymers for copper electroplating
EP3199666B1 (en) * 2016-01-29 2018-09-26 ATOTECH Deutschland GmbH Aqueous indium or indium alloy plating bath and process for deposition of indium or an indium alloy
US20180016690A1 (en) 2016-07-18 2018-01-18 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Indium electroplating compositions containing 2-imidazolidinethione compounds and methods for electroplating indium
US10329683B2 (en) 2016-11-03 2019-06-25 Lam Research Corporation Process for optimizing cobalt electrofill using sacrificial oxidants
US10711360B2 (en) * 2017-07-14 2020-07-14 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Nickel electroplating compositions with copolymers of arginine and bisepoxides and methods of electroplating nickel
CN107699871B (zh) * 2017-10-17 2018-08-14 南通赛可特电子有限公司 一种利用化学镀铜溶液在硅基底表面制备镀铜层的工艺
CN111492095A (zh) * 2017-12-20 2020-08-04 巴斯夫欧洲公司 包含抑制剂的锡或锡合金电镀组合物
US11035050B2 (en) * 2018-10-23 2021-06-15 Soulbrain Co., Ltd. Electroplating composition and electroplating method
JP7070360B2 (ja) * 2018-11-16 2022-05-18 トヨタ自動車株式会社 スズ膜形成用のスズ溶液、及びそれを用いたスズ膜の形成方法
US20210172082A1 (en) * 2019-12-10 2021-06-10 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Acidic aqueous binary silver-bismuth alloy electroplating compositions and methods
CN113564644A (zh) * 2021-06-29 2021-10-29 武汉钢铁有限公司 一种提高镀层附着力的电镀锡液、制备方法及镀锡板
KR20230078392A (ko) 2021-11-26 2023-06-02 와이엠티 주식회사 Pd-Ni-P 합금 도금액 조성물
KR20230078409A (ko) 2021-11-26 2023-06-02 와이엠티 주식회사 Pd-Co-P 합금 도금액 조성물

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE554506A (zh) * 1956-01-25
US3230183A (en) * 1961-07-07 1966-01-18 Onyx Chemical Corp Addition products of polyamines with polyalkoxy compounds and textiles treated therewith
US3518067A (en) 1965-08-20 1970-06-30 Union Carbide Corp Method of plating polyarylene polyethers,polycarbonate or polyhydroxyethers and the resulting articles
NL7900964A (nl) * 1979-02-07 1980-08-11 Byk Mallinckrodt Cil Bv Nieuwe radioactief gemerkte aminen, werkwijze ter bereiding van de nieuwe verbindingen, alsmede diagnostische preparaten op basis van de nieuwe verbindingen.
JPS57109993A (en) 1980-12-26 1982-07-08 Seikosha Kk Drive circuit for electrochromic display device
JPS58136794A (ja) * 1982-02-10 1983-08-13 Nippon Mining Co Ltd 酸性銅めつき液
JPS58136793A (ja) * 1982-02-10 1983-08-13 Nippon Mining Co Ltd 酸性亜鉛めつき液
JPH0233052B2 (ja) * 1982-06-28 1990-07-25 Kawaken Fuainkemikaru Kk Shukugojugotainoseizohoho
US5166423A (en) 1991-08-30 1992-11-24 Shell Oil Company Process for the oxidation of alcohols to acids
IL107715A0 (en) * 1992-11-25 1994-02-27 Baxter Int Water soluble non-immunogenic polyamide cross-linking agents
US5250727A (en) 1992-12-23 1993-10-05 Shell Oil Company Preparation of alkoxyalkanoic acids
US5597579A (en) 1995-03-06 1997-01-28 Ethicon, Inc. Blends of absorbable polyoxaamides
NZ322686A (en) * 1995-10-19 2000-01-28 Univ Washington Discrete-length polyethene glycols
DE19758121C2 (de) * 1997-12-17 2000-04-06 Atotech Deutschland Gmbh Wäßriges Bad und Verfahren zum elektrolytischen Abscheiden von Kupferschichten
JP3506411B2 (ja) * 1997-12-29 2004-03-15 日本表面化学株式会社 亜鉛めっき方法
JP2001279228A (ja) * 2000-03-31 2001-10-10 Ajinomoto Co Inc 新規なキレート剤
EP1308541A1 (en) * 2001-10-04 2003-05-07 Shipley Company LLC Plating bath and method for depositing a metal layer on a substrate
AU2005223618A1 (en) * 2004-03-17 2005-09-29 Arnold C. Takemoto Tissue detoxification and health supplements and methods of making and using them
US7714040B2 (en) * 2005-11-30 2010-05-11 Xerox Corporation Phase change inks containing curable amide gellant compounds
US7625956B2 (en) * 2005-11-30 2009-12-01 Xerox Corporation Phase change inks containing photoinitiator with phase change properties and gellant affinity
JP5558675B2 (ja) * 2007-04-03 2014-07-23 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． 金属メッキ組成物

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104195602A (zh) * 2009-04-07 2014-12-10 巴斯夫欧洲公司 包含抑制剂的无空隙亚微米结构填充用金属电镀组合物
CN104195602B (zh) * 2009-04-07 2017-05-31 巴斯夫欧洲公司 包含抑制剂的无空隙亚微米结构填充用金属电镀组合物
CN103046090A (zh) * 2012-12-28 2013-04-17 武汉吉和昌化工科技有限公司 一种无氰碱性镀铜溶液中防置换铜添加剂及其制备方法
CN103046090B (zh) * 2012-12-28 2015-04-15 武汉吉和昌化工科技有限公司 一种无氰碱性镀铜溶液中防置换铜添加剂及其制备方法
CN105829583A (zh) * 2013-12-17 2016-08-03 优美科电镀技术有限公司 从电解质中沉积铜-锡合金和铜-锡-锌合金
CN104746111A (zh) * 2015-04-27 2015-07-01 南京宁美表面技术有限公司 一种三价铬电镀铬溶液及电镀方法
CN107630237B (zh) * 2016-07-18 2019-12-17 罗门哈斯电子材料有限责任公司 含有胺化合物的铟电镀组合物和铟电镀方法
CN107630238A (zh) * 2016-07-18 2018-01-26 罗门哈斯电子材料有限责任公司 铟电镀组合物和用于电镀铟的方法
CN107630237A (zh) * 2016-07-18 2018-01-26 罗门哈斯电子材料有限责任公司 含有胺化合物的铟电镀组合物和铟电镀方法
CN107675209A (zh) * 2017-10-18 2018-02-09 江西理工大学 一种绿色环保锡电解精炼电解液
TWI782207B (zh) * 2018-06-11 2022-11-01 德商德國艾托特克公司 用於沉積鋅或鋅-鎳合金層的酸性鋅或鋅-鎳合金電鍍浴
CN110344089A (zh) * 2019-06-26 2019-10-18 深圳市瑞世兴科技有限公司 一种亚硫酸金钠镀液及其电镀方法
CN110344089B (zh) * 2019-06-26 2021-11-09 深圳市瑞世兴科技有限公司 一种亚硫酸金钠镀液及其电镀方法
CN110318077A (zh) * 2019-07-17 2019-10-11 安徽启明表面技术有限公司 无氰镀锌液
CN110306174A (zh) * 2019-07-29 2019-10-08 深圳市飞荣达科技股份有限公司 胶体镍组合物及其应用
CN111926314A (zh) * 2020-08-17 2020-11-13 广州三孚新材料科技股份有限公司 一种晶硅异质结太阳能电池用化学镀锡工艺
CN115093353A (zh) * 2022-07-06 2022-09-23 武汉天立表面技术有限公司 一种opx的制备方法及其应用

Also Published As

Publication number Publication date
TW200906994A (en) 2009-02-16
JP2009029776A (ja) 2009-02-12
CN102492133B (zh) 2015-01-07
US20110318479A1 (en) 2011-12-29
TWI391456B (zh) 2013-04-01
KR101412988B1 (ko) 2014-06-27
KR20080090348A (ko) 2008-10-08
CN101293852B (zh) 2012-10-10
EP1978051B1 (en) 2012-02-22
CN102492133A (zh) 2012-06-13
US8012334B2 (en) 2011-09-06
US20080268138A1 (en) 2008-10-30
EP1978051A1 (en) 2008-10-08
US8329018B2 (en) 2012-12-11
JP5503111B2 (ja) 2014-05-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101293852B (zh) 金属电镀组合物和方法
CN101302632B (zh) 金属电镀组合物
US8956523B2 (en) Metal plating compositions and methods
CN102534702B (zh) 电镀均匀铜层的方法
CN102482417B (zh) 具有末端氨基的聚合物及其作为锌及锌合金电沉积浴的添加剂的应用
CN102304218B (zh) 镀液及镀覆方法
KR101609171B1 (ko) 구리-주석 합금의 무-시안화물 침착을 위한 피로인산염-함유 욕
JPS6220278B2 (zh)
CN102597329A (zh) 包含抑制剂的无空隙亚微米结构填充用金属电镀组合物
CN103270064A (zh) 包含流平剂的金属电镀用组合物
TW201422854A (zh) 銅鍍浴組合物
CN109824674B (zh) 杂环吡咯并吡咯二酮季铵盐类化合物及其制备方法与用途
KR20040058010A (ko) 특정골격을 갖는 4급아민화합물 및 유기유황화합물을 첨가제로서 포함하는 동전해액，그것에 의하여 제조되는 전해동박 및 동장적층판
EP3359550B1 (en) Copper electroplating baths containing compounds of reaction products of amines and quinones
CN107531859B (zh) 作为电镀浴添加剂的双酸酐与二胺的反应产物
CN118265814A (zh) 镀液
TW202336286A (zh) 包含吡唑類抗氧化劑之用於錫或錫合金電鍍之組成物

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant