CN101268411B - 显示装置等电子装置的制造装置、制造方法及显示装置等的电子装置 - Google Patents

显示装置等电子装置的制造装置、制造方法及显示装置等的电子装置 Download PDF

Info

Publication number
CN101268411B
CN101268411B CN200580051600XA CN200580051600A CN101268411B CN 101268411 B CN101268411 B CN 101268411B CN 200580051600X A CN200580051600X A CN 200580051600XA CN 200580051600 A CN200580051600 A CN 200580051600A CN 101268411 B CN101268411 B CN 101268411B
Authority
CN
China
Prior art keywords
resin
electronic installation
heat
curing
signal wire
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN200580051600XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN101268411A (zh
Inventor
大见忠弘
森本明大
加藤丈佳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Publication of CN101268411A publication Critical patent/CN101268411A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101268411B publication Critical patent/CN101268411B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
    • C23C4/04—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the coating material
    • C23C4/10—Oxides, borides, carbides, nitrides or silicides; Mixtures thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1292—Multistep manufacturing methods using liquid deposition, e.g. printing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
    • H01L29/6675—Amorphous silicon or polysilicon transistors
    • H01L29/66765—Lateral single gate single channel transistors with inverted structure, i.e. the channel layer is formed after the gate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明的目的在于发现由于电子装置制造时使用的加热处理装置中的气氛，制造的电子装置叠置材料特性受到坏影响，从而减轻该坏影响。为了实现该目的，利用氧化物钝态膜覆盖加热处理装置的内表面，并且将该内表面的表面粗糙度以中心平均粗糙度Ra设为1μm以下。在这样的加热处理装置中，减轻在固化热固化性树脂时，热固化性树脂的分解、离解引起的热固化性树脂的劣化。

Description

显示装置等电子装置的制造装置、制造方法及显示装置等的电子装置
技术领域
本发明涉及用于制造平板显示器等显示装置或包含印刷电路板等的电子装置的制造装置，另外，涉及这些的制造方法、以及制造的平板显示器等显示装置或包含印刷电路板等的电子装置。
背景技术
以往，所有电子装置在基板上包含与绝缘层一同形成的配线层。作为其一例，举显示装置尤其平板显示器装置进行说明。液晶显示装置或有机EL显示装置具有对矩阵状配置的薄膜晶体管(以下，还称为“TFT”)的配线结构(有源矩阵结构)。
在有源矩阵结构中，包括：传递数据信号的写入时序的扫描线、向像素供给对应于显示图像的数据信号的信号线、和配合扫描线上生成的时序信号，供给数据信号的开关元件。包含扫描线、信号线、和TFT的基板还被称为有源矩阵基板，在基板的表面，利用减压气氛中的成膜或光刻法等工序，形成有几层电路图案。
另一方面，为了提高显示装置的性能，一直探讨如何提高称为开口率的显示装置的有效像素面积比例。作为第一方法，记载于特开平09-080416号公报(专利文献1)或特开平09-090404号公报(专利文献2)等中，其中研究了利用蒸镀法或溅射法形成覆盖通常具有高低差的TFT的层间绝缘膜及其上的透明电极，将信号线和透明电极设为多层结构，由此提高开口率的技术。其中，需要层间绝缘膜的光线透过率为90％以上。作为第二方法，本发明人等先前在WO2005/057530A1(专利文献3)中，提出了为了吸收由栅配线生成的高低差而以包围栅配线的方式构成平坦化层的技术。进而将信号线厚膜化，减小配线宽度，由此提高开口率。第一、第二方法中的层间绝缘膜或平坦化层均使用透明的热固化性树脂。
关于现状固化时的加热气氛，不使用环境控制。通常，通常在大气中或含有百分比级别(percent order)的杂质的氮等环境中加热的空气居多。因此，根据条件的不同，热固化性树脂分解、离解，降低光线透过率，其结果，显示装置的亮度变暗等，使显示性能变差。作为使光线透过率变差的原因，可以举出如下情况，即：加热条件基于热分解热固化性树脂的温度以上的处理的情况、和由于加热处理气氛中的残留氧或残留水分，导致热固化性树脂变差的情况。
另一方面，在以保温栅配线的方式形成平坦化层的情况下，作为有源矩阵基板的结构，需要利用等离子处理装置，在平坦化层正上方将TFT用半导体层成膜。通常，等离子体成膜时的基板表面温度达到300～350℃。另外，从以往开始知道，在半导体层形成工序中，来自工序气氛的水分或碳成分的混入对半导体特性产生大的影响。因此，为了抑制从平坦化层的气体发散量，需要进行与半导体层成膜温度相等或比其高的温度、例如，300℃以上的加热处理。然而，可以说，在现状的用于平坦化层形成的热固化性树脂的加热工序中，对气氛中的残存氧量或水分量管理不充分，发生热固化性树脂的劣化，从而存在光学透过率降低的问题。
以上的问题不限于有源矩阵基板，在印刷电路基板或电子装置同类中也是伴随微细化产生的问题。
专利文献1：特开平09-080416号公报
专利文献2：特开平09-090404号公报
专利文献3：WO2005/057530A1
发明内容
本发明的目的在于提供能够进行对电子装置的高性能化高可靠性化具有效果的加热气氛的控制的电子装置的制造装置、及制造方法。
另外，本发明的目的在于提供利用这些方法制造的高性能、高可靠性的显示装置等电子装置。
本发明人等为了实现上述目的，经专心致志的研究的结果，发现电子装置制造中的制造装置尤其加热设备的内表面的粗糙度及材质对加热气氛的氧或水分等杂质含量产生大的影响，且控制加热气氛中的残存氧量、残存水分量或还原性气体量，对提高热固化性树脂的透明性提高有效，从而完成了本发明。
因此，根据本发明可知，提供电子装置制造用加热处理装置的内表面的表面粗糙度在以中心平均粗糙度Ra表现的情况下为1μm以下的制造装置。
还有，上述制造装置的氧化物钝态膜优选氧化铬、氧化铝、氧化钛中的至少一种。
另外，根据本发明可知，优选将加热处理气氛中用惰性气体置换，且将气氛中的残存氧浓度控制为10ppm以下。进而，将残存水分也控制在10ppm以下。另外，优选向惰性气体中添加氢等还原性气体0.1～100体积％。
还有，上述热固化性树脂含有：一种或多种选自由丙烯酸系树脂、硅酮系树脂、氟系树脂、聚酰亚胺系树脂、聚烯烃系树脂、脂环族烯烃系树脂、环氧系树脂及二氧化硅系树脂构成的组的树脂。
进而，提供一种平板显示装置等高性能显示装置、印刷电路基板、个人电脑或移动电话终端等电子装置，其特征在于，利用上述制造装置或制造方法制造。
在本发明中，通过控制使用于电子装置的制造的加热处理装置的内表面的表面粗糙度，减轻由在该加热处理装置内使用的热固化性树脂的分解、离解等引起的坏影响，形成光线透过率高的膜。因此，本发明适用于需要光线透过率高的膜的有源矩阵基板等电子装置制造，从而能够提高效果。
附图说明
图1是说明评价具有本发明的钝态膜的配管的评价装置的图。
图2是说明基于图1所示的评价装置的评价结果的图表。
图3是说明实施本发明的处理且使用烧成装置的电子装置制造系统的图。
图4是说明本发明的有源矩阵基板的剖面的图。
图5(a)～(i)是按工序说明图4所示的有源矩阵基板的制造工序的图。
具体实施方式
在本发明的实施例中，作为显示装置等电子装置制造用加热处理装置内表面的材质，适用不锈钢、铝合金。尤其，作为不锈钢，可以使用奥氏体系、铁素体系、奥氏体·铁素体系及马氏体系不锈钢，但例如，适合使用奥氏体系SU304、SUS304L、SU316、SUS316L、SUS317、SUS317L等。作为不锈钢的表面研磨，可以进行酸洗、机械研磨、带研磨、圆筒研磨、抛光研磨、流动砂轮粒研磨、磨光研磨、辊光研磨、化学研磨、电解复合研磨或电解研磨处理等，当然，一个材料中混合这些研磨使用也可。但是，在显示装置等电子装置制造用加热处理装置的内表面的表面粗糙度在以中心平均粗糙度Ra表现时，有效的是，1μm以下的抛光研磨、流动砂轮粒研磨、磨光研磨、辊光研磨、化学研磨、电解复合研磨及电解研磨。表面粗糙度在以中心平均粗糙度Ra表现的情况下优选为1μm以下，更优选0.5μm以下，最优选0.1μm以下。若表面粗糙度在以中心平均粗糙度Ra表现的情况下大于1μm，则存在吸附于容器的内壁的氧或水分等杂质混入加热处理装置内气氛中之患。
另一方面，优选本发明的显示装置等电子装置制造用热固化性树脂的内表面通过在特开平7-233476号公报、特开平11-302824号公报中记载的氧化性气氛气体中进行热处理，形成氧化物钝态膜。
作为例子，氧化铝的形成条件，其特征在于，使含铝不锈钢与氧或含有水分的氧化性气体接触，形成氧化铝钝态膜，氧浓度为500ppb～100ppm，优选1ppm～50ppm，另外，水分浓度为200ppb～50ppm，优选500ppb～10ppm。进而，也可以为氧化性气体中含有氢的氧化性混合气体。氧化处理温度为700℃～1200℃，优选800℃～1100℃。氧化处理时间为30分钟～3小时。
通过形成氧化物钝态膜，能够实现耐腐蚀性的改进或表面吸附水分量的减少。另外，即使为实施有电解研磨等清洁化表面处理的不锈钢，从配管内表面放出的水分量控制不充分，因此，优选在与加热气氛形成用高纯度惰性气体或还原性气体接触的部分形成钝态膜。作为氧化物钝态膜的种类，可以举出氧化铬、氧化铝、氧化钛等，但从材料的耐腐蚀性或内表面吸附水分量的减少方面优选氧化铝。
另外，适用于本发明的实施例的有源矩阵显示装置等电子装置中使用的热固化性树脂的加热气氛优选用惰性气体置换了加热处理装置内部时的残存氧浓度为10ppm以下。惰性气体的种类不特别限定，但可以举出氦、氖、氩、氪、氙、氡等稀有气体类或氮。尤其，从容易得到水分等杂质1ppb以下的高纯度化的气体的方面出发，优选氩或氮。加热处理装置内气氛的残存氧浓度希望为10ppm以下，优选1ppm以下，更优选100ppb以下。在气氛中的残存氧浓度为10ppm以上的情况下，加热处理装置内温度达到200℃以上时，热固化性树脂的氧化劣化开始，透明性变差。
向加热处理装置内的惰性气体气氛中添加还原性气体，具有抑制热固化性树脂的劣化引起的光线透过率降低。作为还原性气体的添加量，相对于惰性气体为0.1～100体积％，优选1～50体积％，尤其优选10～30体积％。若还原性气体的添加量为0.1％以下，则得到抑制热固化性树脂劣化的效果。
本发明中使用的还原性气体的种类，只要是具有抑制树脂的氧化反应的效果，就不特别限定，从容易得到还原效果和高纯度化的气体的方面出发，优选氢。
本发明中适用的电子装置的配线结构不特别限定，但优选在绝缘性基板上与配线层一同设置平坦化层。例如，优选在有源矩阵基板中，具有扫描线、信号线、和在该扫描线和该信号线的交叉部附近栅电极与该扫描线连接，源或漏电解与该信号线连接的薄膜晶体管，在薄膜晶体管和透明电解之间存在有平坦化层，该平坦化层由热固化性树脂形成的结构、或信号线、源电极及漏电极的表面与包围这些的平坦化层基本上形成同一平面，该平坦化层由热固化性树脂形成的结构。尤其，在信号线、源电极及漏电极的表面与包围这些的平坦化层基本上形成同一平面的结构的情况下，与通常的结构相比，抑制平坦化层增加引起的光线透过率的劣化，因此更优选。
本发明中使用的平坦化层具有由树脂形成的特征，优选由感光性树脂组合物形成。另外，所述平坦化层含有无机物也可。所述平坦化层更优选使用含有碱可溶性脂环族烯烃树脂、和放射线敏感成分的树脂组合物形成，但所述感光性树脂组合物也可以含有选自由丙烯酸系树脂、硅酮系树脂、氟系树脂、聚酰亚胺系树脂、聚烯烃系树脂、脂环族烯烃系树脂、及环氧系树脂构成的组的树脂。
实施例
以下，说明本发明的实施例。还有，当然本发明不限定于以下实施例。另外，以下实施例及比较例中的分析值均为四舍五入而求出的值。
另外，以下的实施例及比较例中的分析条件如下所述。
(分析条件1)X射线电子分光分析(以下，简称为“XPS分析”。)
装置：岛津制作所制ESCA-1000
(分析条件2)大气压离子化质量分析(以下，简称为“API-MS分析”。)
装置：拜耳来多公司制FTS-50A
(分析条件3)总光线透过率(紫外分光光度分析)
装置：岛津制作所制UV-2550
总光线透过率定义为400nm至800mm之间的各波长的光线透过率的平均值。
(分析条件4)残留膜率(测定高低差)
装置：KLA-Tencor公司制P-10
残留膜率定义为由下述式导出的值。
残留膜率＝(加热处理后膜厚/加热处理前膜厚)×100
[实施例1]
在本实施例中，将Cr含量29.1重量％的铁素体系不锈钢配管的内表面电解研磨而使用。配管外径为1/4英寸，配管长度为2m，表面粗糙度为0.5μm。在电解研磨处理后，向炉内装入上述不锈钢，向炉内流入杂质浓度为数ppb以下的Ar气体，同时以1小时使其从室温升温至550℃，在相同温度下，进行1小时的烘培，从表面除去附着水分。在结束上述烘培后，切换为氢浓度10％、水分浓度100ppm的处理气体，进行3小时的热处理。切取上述配管的一部分，利用XPS分析，确认到在配管内表面以深度方向约15nm的厚度形成有100％Cr2O3。
[实施例2]
在本实施例中，将Al含量4.0重量％的奥氏体系不锈钢配管的内表面电解研磨而使用。使用与实施例1相同的尺寸。在电解研磨处理后，向炉内装入上述不锈钢，向炉内流入杂质浓度为数ppb以下的Ar气体，同时以1小时使其从室温升温至400℃。在相同温度下，进行1小时的烘培，从表面除去附着水分。在结束上述烘培后，切换为水分浓度5ppm，进而向水分混合气体中添加有氢10％的氧化性气氛，以处理温度900℃、处理时间1小时进行氧化处理。切取上述配管的一部分，利用XPS分析，确认到在配管内表面以深度方向约200nm的厚度形成有100％Al2O3。
[各种表面处理后的配管的水干涸特性评价]
使用在实施例1、2中处理的不锈钢配管及将相同尺寸的内表面电解研磨的SUS316-EP管、进行了韧化处理的SUS316-BA管，利用图1所示的评价装置10评价配管11的水干涸特性。在水分量0.1ppb以下的氩气气氛中，间所述配管11加热至500℃，完全除去吸附于内表面的水分，然后，在温度23℃下，将其暴露于相对湿度45％的绝对无尘室空气中24小时。
然后，从气体流量控制器12在各种被表面处理的直径1/4英寸、长度2m的管11中，在室温下流过1.2升/分钟的Ar气体10小时，用大气压离子化质量分析装置(API-MS)13测定该期间的Ar中的水分量。其结果示出在图2中。还有，最初的3分钟内，由于水分产生量膨大，因此为开始流过Ar气体3分钟后的数据。韧化处理的SUS316-BA表面在流过10小时720升的Ar气体后，也产生10ppb以上的水分量，相对于此，在实施例1、2中处理的不锈钢不锈钢配管及电解研磨的SUS316-EP管中，降低至3ppb以下。尤其，在实施例1、2中处理的不锈钢配管中，若流过4小时280升的Ar气体，则抑制为1ppb以下的水分产生量。
[实施例3]
[平坦化层的分光光度分析]
将20mm×30mm尺寸的无碱玻璃基板31清洗后，在高纯度氮中进行脱水加热。然后，利用六亚甲基二硅氮烷(HMDS)的蒸汽处理，形成密接层。在形成密接层后，利用旋涂法，涂敷热固化性树脂的JSR株式会社制感光性丙烯酸树脂(正型)，形成约1μm厚度的树脂膜。用掩模套准器(マスクアライナ一)(CANON制PLA501)对形成有树脂膜的无碱玻璃基板31进行500mJ(g、h、i线混合)基板整个面的曝光。曝光后，使用具有将装置内电解研磨处理的SUS316L-EP表面21的图3的烧成装置20，在利用高纯度氮和氧将装置内的氧浓度控制为10ppm的气氛下，以300℃加热60分钟，使树脂膜固化。对加热处理的玻璃基板31，进行基于分光光度计的光线透过率测定、和基于触针式膜厚计的膜厚测定。结果示出在表1中。
[表1]
  热固化性树脂种类 氧 氢   光线透过率 减膜量
实施例3   丙烯酸树脂 10ppm - 99.2％ 93.5％
实施例4   丙烯酸树脂 - 2％ 99.3％ 94.0％
实施例5   脂环族烯烃树脂 10ppm - 99.5％ 98.1％
实施例6   脂环族烯烃树脂 - 2％ 99.7％ 98.5％
实施例7   脂环族烯烃树脂 - 20％ 99.8％ 98.5％
  实施例8   硅酮树脂   10ppm   -   99.0％   98.8％
  实施例9   硅酮树脂   -   2％   99.1％   98.9％
  实施例10   硅酮树脂   10ppm   2％   99.1％   98.8％
比较例1   丙烯酸树脂 100ppm - 98.7％ 93.1％
比较例2   丙烯酸树脂 1000ppm - 98.4％ 92.2％
比较例3   脂环族烯烃树脂 100ppm - 99.3％ 98.3％
  比较例4   硅酮树脂   1％   -   98.3％   97.8％
[比较例1]
将烧成装置20内的氧浓度控制为100ppm之外，与实施例3相同地进行。结果示出在表1中。
[比较例1]
将烧成装置20内的氧浓度控制为1000ppm之外，与实施例3相同地进行。结果示出在表1中。
[实施例4]
代替氧，添加氢2％以外，与实施例3相同地进行。结果示出在表1中。
[实施例5、6及比较例3]
作为热固化性树脂，使用日本祁阳株式会社制感光性脂环族烯烃树脂(正型)之外，与实施例3、4及比较例1相同地进行。结果示出在表1中。
[实施例7]
添加20％氢浓度之外，与实施例6相同地进行。结果示出在表1中。
[实施例8、9]
作为热固化性树脂，使用JSR株式会社制感光性硅酮烯烃树脂(负型)之外，与实施例5、6相同地进行。结果示出在表1中。
[实施例10]
将烧成装置20内的氧浓度设为10ppm，添加氢2％之外，与实施例8相同地进行。结果示出在表1中。
[比较例4]
将烧成装置20内的氧浓度控制为1％以外，与实施例8相同地进行。结果示出在表1中。
[实施例11]
参照图4，说明本发明的实施例11中的有源矩阵液晶显示装置。图4是表示本实施例11的有源矩阵液晶显示装置的结构的剖面图。图示的液晶显示装置具有扫描线32、信号线33、和位于该扫描线32和该信号线33的交叉部附近的薄膜晶体管40。在薄膜晶体管40中，栅电极41与该扫描线32连接，源电极42或漏电极43与信号线33连接。以包围信号线33、源电极42、及漏电极43的方式形成平坦化层44。信号线33、源电极42、及漏电极43、和该平坦化层44基本上形成同一平面。
在该平面上经由层间绝缘膜51配置像素电极52，在像素电极52及层间绝缘膜51上形成取向膜53，由此构成有源矩阵基板100。与该有源矩阵基板100对置而配置过滤器基板200。在有源矩阵基板100和过滤器基板200之间夹持液晶55，构成有源矩阵液晶显示装置。还有，过滤器基板200包括：对置玻璃基板56、滤色片57、黑矩阵58、及取向膜59。
本实施例1的扫描线32及栅电极配线41作为基于喷墨法的埋入配线。
参照图5，对图4所示的有源矩阵基板100的制造工序进行说明。
最初，参照图5(a)-(d)，对栅配线部的形成方法进行叙述。
首先，参照图5(a)，利用旋涂法等方法，在玻璃基板31的表面形成1μm厚度的具有感光性的脂环族烯烃树脂系透明树脂膜(热固化性树脂)61。该感光性树脂膜61具有作为光敏抗蚀膜的功能。其次，使用活性放射线，对感光性透明树脂膜61进行选择曝光、显影及除去，将其加热固化，由此，如图5(a)所示，在感光性透明树脂膜61上形成槽62。
为了提高感光性透明树脂61的光线透过率，加热固化条件如下：使用将装置内表面进行了SUS316的电解研磨处理的加热装置，进而将残存氧浓度控制为10ppm，在300℃下烧成60分钟。在配线宽度微细的情况下，为了提高印刷精度，对所述透明树脂层61的表面进行使其具有疏水性的处理。具体来说，例示：使用NF3等氟系气体的等离子体，将表面进行氟处理，或在树脂的加热固化前，使氟系甲硅烷基化剂浸渗树脂前体的操作等。
其次，利用喷墨印刷法等印刷法或镀敷法，向所述槽部62填充配线前体。从墨液的有效使用的观点出发，配线形成方法优选喷墨法，但可以使用网板印刷法等。在本实施例中，使用特开2002-324966号公报中公开的墨液相同的银糊剂墨液作为配线前体，形成配线。将配线前体在填充后250度的温度下烧成30分钟，将其形成为扫描线32或栅电极配线41(图5(b))。
其次，利用使用微波激励等离子体的等离子体CVD法，使用SiH4气体、H2气体、N2气体、和Ar气体，将硅酮氮化膜(SiNx膜)成膜为栅绝缘膜45(参照图4)。使用通常的高频激励等离子体，也能够形成SiNx膜，但通过使用微波激励等离子体，能够在更低温下进行SiNx膜的成膜。成膜温度为300℃，膜厚为0.2μm(图5(b)中省略图示)
其次，利用使用微波激励等离子体的等离子体CVD法，作为第一半导体层45将非晶型硅层，作为第二半导体层47将n+型非晶型硅层成膜。非晶型硅层46使用SiH4气体，n+型非晶型硅47层使用SiH4气体及PH3气体、Ar气体，在300℃的温度下成膜(图5(c))。
其次，利用旋涂法，在整个面上涂敷光敏抗蚀剂，在热板上，以100℃干燥1小时，除去溶剂。其次，使用g线逐次移动式曝光装置，以36mJ/cm2的能量进行曝光。在曝光时，以使元件区域残存的方式形成掩模，使用间隙掩模对元件区域内部的相当于沟道区域的部分调节曝光量。使用2.38％的TMAH溶液，进行桨式显影70秒钟，其结果，得到图5(d)所示的形状的光敏抗蚀剂膜63。
其次，使用等离子体蚀刻装置，进行n+型非晶型硅层47、非晶型硅层46的蚀刻。此时，光敏抗蚀膜63也被蚀刻稍许，膜厚减少，因此，光敏抗蚀膜63的膜厚薄的沟道区域部的抗蚀膜部分也被蚀刻除去，n+非晶型硅层47也被蚀刻。若在元件区域部以外的n+非晶型硅层47及非晶型硅层46被蚀刻除去，沟道区域上的n+非晶型硅层47被蚀刻除去的时刻，结束蚀刻处理，则得到图5(e)所示的形状。在该状态下，如图5(e)明确所示，源电极部及漏电极部的n+非晶型硅层47上的光敏抗蚀膜63保持残存的状态。
其次，在该状态下，使用Ar气体、N2气体、H2气体，进行微波激励等离子体处理，在沟道部的非晶型硅层46的表面直接形成氮化膜64(图5(f))。即使使用通常的高频等离子体，也能够形成氮化膜64，但通过使用微波激励等离子体，能够生成电子温度低的等离子体，因此，能够在不对沟道部给予由于等离子体导致的损伤的情况下形成氮化膜64，故优选。另外，也可以利用CVD法形成氮化膜64，但在源电极及漏电极区域也形成氮化膜，需要之后的除去工序，因此，更优选直接形成氮化膜64。
其次，实施氧等离子体抛光后，利用抗蚀剂剥离液等，除去在源电极及漏电极区域上残存的光敏抗蚀膜63，由此得到图5(g)所示的形状。
接着，作为在利用喷墨印刷法等印刷法或镀敷法形成信号线33、源电极配线42及漏电极配线43时所需的配线形成辅助层44，涂敷脂环族烯烃树脂系感光性透明树脂膜前体(热固化性树脂)，使用信号线33、源电极配线42及漏电极配线43用光掩模，进行曝光、显影、加热固化，由此形成透明树脂层44，如图5(h)所示，得到作为信号线33、源电极配线42及漏电极配线43区域的槽65。
为了提高感光性透明树脂44的光线透过率，加热固化条件如下：使用将装置内表面进行了SUS316的电解研磨处理的加热装置，进而将残存氧浓度控制为10ppm，在250℃下烧成60分钟。在配线宽度微细的情况下，为了提高印刷精度，对所述透明树脂层44的表面进行使其具有疏水性的处理。具体来说，例示：使用NF3等氟系气体的等离子体，将表面进行氟处理，或在树脂的后烘培前，使氟系甲硅烷基化剂浸渗树脂前体的操作等。
其次，利用喷墨印刷法等印刷法或镀敷法，向所述槽部65填充配线前体。从墨液的有效使用的观点出发，配线形成方法优选喷墨法，但可以使用网板印刷法等。在本实施例中，使用特开2002-324966号公报中公开的墨液相同的银糊剂墨液作为配线前体，形成配线42、43。在这种情况下，将配线前体在填充后250度的温度下烧成30分钟，将其形成为配线42、43(图5(i))。
这样，结束TFT40的形成。
其次，作为层间绝缘膜51，将脂环族烯烃树脂系的感光性透明树脂成膜，进行曝光、显影，由此形成自像素电极52至所述TFT电极(在此为漏电极配线43)的接触孔。感光性透明树脂51的固化与到此为止的工序相同，提高感光性透明树脂51的光线透过率，因此，使用将装置内表面进行SUS316的电解研磨处理的加热装置，进而将残存氧浓度控制为10ppm，在250℃下烧成60分钟。
接着，在基板整个面上将ITO(indium tin oxide)溅射成膜，形成图案，由此形成为像素电极(透明电极)52。代替ITO，使用SnO2等透明导电膜材料也可。在该表面形成聚酰亚胺膜作为液晶的取向膜53，在与对置的过滤器基板200之间夹持液晶55，由此得到有源矩阵液晶显示装置。
根据本实施例的有源矩阵液晶显示装置可知，平坦化层44的透明性高，因此，能够得到低消耗电力且亮度高，高品质的显示。
产业上的可利用性
本发明不仅可以适用于有源矩阵基板等显示装置的制造，而且可以适用于包含印刷电路板等的各种电子装置的制造。

Claims (14)

1.一种电子装置的制造方法，其具有固化透明的热固化性树脂(44)的工序，其特征在于，
进行所述固化的工序包括加热处理，
在具有表面粗糙度以中心平均粗糙度Ra表现的情况下为～m以下的内表面的加热处理装置(20)内以惰性气体形成所述加热处理的气氛，所述内表面具有：含有氧化铬、氧化铝、氧化钛、氧化钇、氧化镁中的至少一种的氧化物钝态膜，
通过所述加热处理时所述气氛中的残存氧浓度控制在10ppm以下，残存水分浓度控制在10ppm以下，且添加0.1～100体积％的还原性气体来形成光线透过率为99％以上的树脂膜。
2.根据权利要求1所述的电子装置的制造方法，其特征在于，
所述还原性气体为氢。
3.根据权利要求1所述的电子装置的制造方法，其特征在于，
所述热固化性树脂(44)含有：一种或多种选自由丙烯酸系树脂、硅酮系树脂、氟系树脂、聚酰亚胺系树脂、聚烯烃系树脂、脂环族烯烃系树脂、环氧系树脂及二氧化硅系树脂构成的组的树脂。
4.一种电子装置，其具有透明的热固化性树脂层(44)，其特征在于，
所述热固化性树脂层利用权利要求1所述的方法制造。
5.根据权利要求4所述的电子装置，其特征在于，
所述电子装置具有基板(31)，所述热固化性树脂层(44)与配线层(42、43)一同配置于所述基板上。
6.根据权利要求4所述的电子装置，其特征在于，
所述热固化性树脂含有：一种以上选自由丙烯酸系树脂、硅酮系树脂、氟系树脂、聚酰亚胺系树脂、聚烯烃系树脂、脂环族烯烃系树脂、及环氧系树脂构成的组的树脂。
7.根据权利要求4所述的电子装置，其特征在于，
所述电子装置是平板显示装置、印制电路板、个人电脑或移动电话终端。
8.根据权利要求4所述的电子装置，其特征在于，
所述电子装置是液晶显示装置或有机EL显示装置。
9.一种电子装置，其具有有源矩阵基板(100)，该有源矩阵基板(100)在绝缘性基板(31)上至少具有扫描线(32)、信号线(33)、和在该扫描线和该信号线的交叉部附近，栅电极(41)与该扫描线连接，且源电极(42)或漏电极(43)与该信号线连接的薄膜晶体管(40)，在所述薄膜晶体管(40)和透明电极(52)之间存在有平坦化层(44)，其特征在于，
该平坦化层(44)由透明的热固化性树脂形成，所述热固化性树脂是利用权利要求1所述的方法固化而成的。
10.根据权利要求9所述的电子装置，其特征在于，
所述平坦化层(44)含有：含有碱可溶性脂环族烯烃树脂、和放射线敏感成分的树脂组合物。
11.一种电子装置，其具有有源矩阵基板(100)，该有源矩阵基板(100)在绝缘性基板(31)上至少具有扫描线(32)、信号线(33)、和在该扫描线和该信号线的交叉部附近，栅电极(41)与该扫描线连接，且源电极(42)或漏电极(43)与该信号线连接的薄膜晶体管(40)，所述信号线、所述源电极、以及所述漏电极的表面与包围它们的平坦化层(44)基本上形成同一平面，其特征在于，
该平坦化层(44)由透明的热固化性树脂形成，所述热固化性树脂是利用权利要求1所述的方法固化而成的。
12.根据权利要求11所述的电子装置，其特征在于，
所述平坦化层(44)含有：含有碱可溶性脂环族烯烃树脂、和放射线敏感成分的树脂组合物。
13.一种电子装置，其在等离子体CVD膜(40)和透明基板(52)之间，含有光线透过率为99％以上的树脂膜(44)，其特征在于，
所述树脂膜(44)是利用权利要求1所述的方法制造的。
14.根据权利要求13所述的电子装置，其特征在于，
所述树脂膜(44)含有一种或多种选自由丙烯酸系树脂、硅酮系树脂、氟系树脂、聚酰亚胺系树脂、聚烯烃系树脂、脂环族烯烃系树脂、环氧系树脂及二氧化硅系树脂构成的组的树脂。
CN200580051600XA 2005-09-16 2005-09-16 显示装置等电子装置的制造装置、制造方法及显示装置等的电子装置 Expired - Fee Related CN101268411B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2005/017184 WO2007032086A1 (ja) 2005-09-16 2005-09-16 表示装置等電子装置の製造装置、製造方法および表示装置等の電子装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101268411A CN101268411A (zh) 2008-09-17
CN101268411B true CN101268411B (zh) 2012-10-10

Family

ID=37864692

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200580051600XA Expired - Fee Related CN101268411B (zh) 2005-09-16 2005-09-16 显示装置等电子装置的制造装置、制造方法及显示装置等的电子装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20080315201A1 (zh)
KR (1) KR101338301B1 (zh)
CN (1) CN101268411B (zh)
WO (1) WO2007032086A1 (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100858822B1 (ko) * 2007-05-11 2008-09-17 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터, 이를 포함한 유기 발광 표시장치 및 유기발광 표시장치의 제조방법
US20100237044A1 (en) * 2009-03-23 2010-09-23 Price William G Process for bonding a material into a solid surface material
TWI534905B (zh) * 2010-12-10 2016-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及顯示裝置之製造方法
ITVA20110038A1 (it) 2011-12-22 2013-06-23 Whirlpool Co Sistema economico e versatile per fissare un piano di cottura in un piano di lavoro.
CN103489922B (zh) * 2013-09-30 2017-01-18 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法和显示装置
JPWO2020110965A1 (ja) * 2018-11-26 2021-09-30 京セラ株式会社 ガスノズルおよびガスノズルの製造方法ならびにプラズマ処理装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1312584A (zh) * 2000-03-06 2001-09-12 株式会社半导体能源研究所 薄膜形成器件,形成薄膜的方法和自发光器件
JP2002055222A (ja) * 2000-08-11 2002-02-20 Canon Inc 光学素子とその製造方法、液晶素子
CN1471446A (zh) * 2000-10-02 2004-01-28 ������������ʽ���� 官能化合金颗粒
CN1664657A (zh) * 2004-03-05 2005-09-07 Jsr株式会社 液晶定向剂、液晶定向膜以及液晶显示元件

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2730695B2 (ja) * 1989-04-10 1998-03-25 忠弘 大見 タングステン膜の成膜装置
JP3017301B2 (ja) * 1991-02-18 2000-03-06 大阪酸素工業株式会社 不動態膜の形成方法
JP3045576B2 (ja) * 1991-05-28 2000-05-29 忠弘 大見 ステンレス鋼の不動態膜形成方法及びステンレス鋼
JPH0980416A (ja) * 1995-09-13 1997-03-28 Sharp Corp 液晶表示装置
JP3646999B2 (ja) * 1995-09-28 2005-05-11 シャープ株式会社 透過型液晶表示装置
JP2000208431A (ja) * 1999-01-13 2000-07-28 Tadahiro Omi 酸化クロム不働態膜が形成された金属材料及びその製造方法並びに接流体部品及び流体供給・排気システム
JP4301403B2 (ja) * 2003-01-21 2009-07-22 日本碍子株式会社 半導体製造装置用ライナー
JP5174322B2 (ja) * 2003-11-28 2013-04-03 日本ゼオン株式会社 アクティブマトリクス表示装置の製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1312584A (zh) * 2000-03-06 2001-09-12 株式会社半导体能源研究所 薄膜形成器件,形成薄膜的方法和自发光器件
JP2002055222A (ja) * 2000-08-11 2002-02-20 Canon Inc 光学素子とその製造方法、液晶素子
CN1471446A (zh) * 2000-10-02 2004-01-28 ������������ʽ���� 官能化合金颗粒
CN1664657A (zh) * 2004-03-05 2005-09-07 Jsr株式会社 液晶定向剂、液晶定向膜以及液晶显示元件

Also Published As

Publication number Publication date
US20080315201A1 (en) 2008-12-25
CN101268411A (zh) 2008-09-17
KR20080046188A (ko) 2008-05-26
KR101338301B1 (ko) 2013-12-09
WO2007032086A1 (ja) 2007-03-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101268411B (zh) 显示装置等电子装置的制造装置、制造方法及显示装置等的电子装置
JP6285991B2 (ja) トランジスタ
US8809203B2 (en) Method for manufacturing semiconductor device using a microwave plasma CVD apparatus
CN102870221B (zh) 薄膜晶体管基板、具有它的液晶显示装置和薄膜晶体管基板的制造方法
JP6091532B2 (ja) 半導体装置の作製方法
KR101876470B1 (ko) 반도체 장치
JP2017112384A (ja) 半導体装置の作製方法
US20130063675A1 (en) Thin film transistor substrate
JP2005303003A (ja) 表示デバイスおよびその製法
US20060178014A1 (en) Method of forming film pattern, device, method of manufacturing device, electro-optical device, and electronic apparatus
CN104884399A (zh) 能够减小化学强化时的翘曲的玻璃板的制造方法及玻璃板
US10508346B2 (en) Pattern of a film layer including aluminum, and manufacturing method and aftertreatment method thereof
CN100437917C (zh) 透明导电膜和其形成方法、电光学装置及电子仪器
TW201207489A (en) Semiconductor device and liquid crystal display device
US20060183036A1 (en) Method of forming film pattern, method of manufacturing device, electro-optical device, and electronic apparatus
CN108597978A (zh) 干刻蚀设备
CN100458872C (zh) 电子器件用基板及其制造方法、显示装置以及电子机器
CN101606186A (zh) 显示器件的制造方法和显示器件
JP2006332604A (ja) 半導体装置及び半導体装置の作製方法
US8710375B2 (en) Display device substrate, method for manufacturing the same, display device, method for forming multi-layer wiring, and multi-layer wiring substrate
US20060268210A1 (en) Pixel electrode, method for forming the same, electrooptical device, and electronic apparatus
JP4763245B2 (ja) 表示装置等電子装置の製造装置、製造方法および表示装置等の電子装置
JP5335843B2 (ja) 電子装置用基板の製造法
US20200258917A1 (en) Method and apparatus for manufacturing tft substrate
KR101923500B1 (ko) 게이트절연막 형성 방법 및 이를 이용한 액정표시장치 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20121010

Termination date: 20140916

EXPY Termination of patent right or utility model