CN100458872C - 电子器件用基板及其制造方法、显示装置以及电子机器 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于，提供一种例如在显示装置中，能够降低显示不均的电子器件用基板、该电子器件用基板的制造方法、具备该电子器件用基板的显示装置以及可靠性高的电子机器。本发明的电子器件用基板，具有：基板；在该基板上设置的开关元件；将该开关元件覆盖并设置有到达所述开关元件的端子(连接部(354))的接触孔(361)的层间绝缘膜(360)；在层间绝缘膜(360)上设置的像素电极(223)；由与像素电极(223)连续并在接触孔(361)的内侧以及连接部(354)的表面通过气相工艺所形成的导电膜(371)、和按照埋入接触孔(361)的导电膜(371)内侧的空间(362)的方式填充的填充材料(372)所构成的电连接部(370)。

Description

电子器件用基板及其制造方法、显示装置以及电子机器
技术领域
本发明涉及一种电子器件用基板、电子器件用基板的制造方法、显示装置以及电子机器。
背景技术
例如，在有源矩阵驱动方式的显示装置中，与各个开关元件对应，分别将像素电极经由层间绝缘膜而设置在它们的上方。
这些像素电极，通过设置在接触孔内的连接部，从而与开关元件的端部电连接。
作为这样的像素电极与连接部之间的形成方法，例如专利文献1中，公开了一种通过对由喷溅法(气相工艺)所形成的透明导电膜进行蚀刻，从而一体化形成的方法。
然而，通过这样的气相工艺所形成的透明导电膜，使在维持一定厚度了的状态下形成的。因此，如图16所示，即使在按照到达端子503的方式所设置的接触孔501的内部，因形成膜状，因此在接触孔501的内侧也会残存空间502。
即，接触孔501成为未被连接部510填充而是有空穴残存的状态。
具备这样的开关元件的显示装置，例如在应用于透射型液晶显示装置的情况下，虽然按照将像素电极(连接部510)以及层间绝缘膜504覆盖的方式形成定向膜，但在该定向膜中也会在与接触孔501对应的部分形成凹部。
在这样的状态下，若给定向膜施以摩擦处理，则因摩擦而产生的定向膜的残片(碎片)会留在(进入)凹部。这样，存在的问题在于，在存在破片的部分，液晶层的定向性降低，在液晶显示装置中会产生显示不均。
另外，在应用于具备微胶囊的电泳装置的情况下，因存在空间502，故会担心有微胶囊中产生变形，仍然产生显示不均。
专利文献1：特开平8-263016号公报
发明内容
本发明的目的在于，能够提供一种例如在显示装置中，可降低显示不均的电子器件用基板、该电子器件用基板的制造方法、具备该电子器件用基板的显示装置以及可靠性高的电子机器。
这样的目的通过下述本发明实现。
本发明的电子器件用基板，其特征在于，具备：基板；开关元件，其被设置在该基板上；层间绝缘膜，其将该开关元件覆盖，并设置有到达所述开关元件的端子的接触孔；像素电极，其被设置在所述层间绝缘膜上；和电连接部，其由与该像素电极连续并在所述层间绝缘膜上面的一部分、所述接触孔的内面以及所述端子的表面通过气相工艺形成的导电膜、和按照使该导电膜中设于所述层间绝缘膜上面的部分露出且埋入所述接触孔的所述导电膜内侧的空间的方式选择性地被填充的填充材料所构成。
这样，例如在应用于显示装置中的情况下，能够确切地得到能够降低显示不均的电子器件用基板。
在本发明的电子器件用基板中，上述填充材料，优选通过液相工艺填充。
这样，能够比较容易且确切地按照埋入在空间内的方式填充填充材料。
在本发明的电子器件用基板中，优选上述电连接部的与上述基板相反侧的面、和上述像素电极的与上述基板相反侧的面，由连续的平滑面构成。
这样，例如在应用于显示装置的情况下，能够确切地得到确切地防止产生显示不均的电子基板用基板。
在本发明的电子器件用基板中，优选上述电连接部的导电膜与上述像素电极的至少一部分，形成一体化。
在本发明的电子器件用基板中，优选上述像素电极，具有透光性。
这样，能够将本发明的电子器件用基板应用于向像素电极请求透光性的透射型液晶显示装置这样的显示装置。
在本发明的电子器件用基板中，优选上述填充材料，以导电性材料为主要成分。
这样，即使在具有向像素电极供给填充材料的部分的情况下，也能够适当抑制或者防止像素电极的电阻值变高。
在本发明的电子器件用基板中，优选上述填充材料，以透明导电性材料为主要成分。
这样，即使在具备向像素电极供给填充材料的部分的情况下，也能够适当抑制或者防止像素电极的电阻值变高，同时使像素电极确切地具有透光性。
在本发明的电子器件用基板中，优选上述填充材料的构成材料是树脂。
本发明的电子器件用基板的制造方法，是制造本发明的电子器件用基板的方法，其特征在于，具有：
准备具备上述开关元件和上述层间绝缘膜的上述基板的工序；
在上述层间绝缘膜中形成上述接触孔的工序；
通过气相工艺供给导电性材料，在包含形成上述像素电极和上述电连接部的形成区域在内的区域，形成导电性材料层的工序；
在上述接触孔的上述导电性材料层内侧的空间，通过液相工艺选择性地填充填充材料的工序；
通过液相工艺供给掩模形成用材料，形成与上述形成区域对应的形状的掩模的工序；和
采用该掩模，将上述导电性材料层的无用部分去除，得到上述像素电极、和上述电连接部的工序。
这样，便能够制造一种本发明的电子器件用基板。
在本发明的电子器件用基板的制造方法中，优选在填充上述填充材料的工序之前，具有：在上述导电性材料层的与上述基板相反侧的面，施以使对于在填充上述填充材料之间所采用的液状材料的疏液性提高的处理的工序。
这样，在填充填充材料的工序中，能够选择性地将填充材料填充在空间内。
在本发明的电子器件用基板的制造方法中，在形成上述掩模的工序之前，具有：在上述导电性材料层的与上述基板相反侧的面的除上述形成区域外的区域，施以使对于上述掩模形成用材料的疏液性提高的处理的工序。
这样，在形成掩模的工序中，能够在上述形成区域选择性地形成掩模。
本发明的电子器件用基板的制造方法，是一种制造本发明的电子器件用基板的方法，其特征在于，具有：
准备具备上述开关元件和上述层间绝缘膜的上述基板的工序；
在上述层间绝缘膜中形成上述接触孔的工序；
通过气相工艺供给导电性材料，在包含形成上述像素电极和上述电连接部的形成区域在内的区域，形成导电性材料层的工序；
通过液相工艺供给上述填充材料，在上述导电性材料上形成与上述形成区域对应的形状的填充材料层的工序；和
采用掩模作为该填充材料层，将上述导电性材料层的无用部分去除，同时将该填充材料层的无用部分去除，得到上述像素电极和上述电连接部的工序。
这样，便能够制造本发明的电子器件用基板。
在本发明的电子器件用基板的制造方法，在形成上述填充材料层的工序之前，在上述导电性材料层的与上述基板相反侧的面的除上述形成区域外的区域，施以使对于在供给上述填充材料之际采用的液状材料的疏液性提高的处理的工序。
这样，在形成填充材料层的工序中，能够在上述形成区域中选择性地形成填充材料层。
本发明的电子器件用基板的制造方法，是制造本发明的电子器件用基板的方法，其特征在于，具有：
准备具备上述开关元件和上述层间绝缘膜的上述基板的工序；
在上述层间绝缘膜中形成上述接触孔的工序；
通过气相工艺供给导电性材料，在包含形成上述像素电极和上述电连接部的形成区域在内的区域，形成导电性材料层的工序；
通过液相工艺供给上述填充材料，在上述导电性材料层上形成填充材料层的工序；
通过液相工艺供给掩模形成用材料，形成与上述形成区域对应的形状的掩模的工序；和
采用掩模，将上述填充材料层以及上述导电性材料层的无用部分统一去除，得到上述像素电极、和上述电连接部的工序。
这样，便能够制造本发明的电子器件用基板。
在本发明的电子器件用基板的制造方法中，在形成上述掩模的工序之前，具有：在上述填充材料层的与上述基板相反侧的面的除上述形成区域外的区域，施以使对于上述掩模形成用材料的疏液性提高的处理的工序。
这样，在形成掩模的工序中，能够在上述形成区域中选择性地形成掩模。
本发明的显示装置，其特征在于，具备本发明的电子器件用基板。
这样，能够得到降低产生显示不均的显示装置。
本发明的电子机器，其特征在于，具备本发明的显示装置。
这样，得到可靠性高的电子机器。
附图说明
图1为表示将本发明的显示装置应用于透射性液晶显示装置的情况下的实施方式的分解立体图。
图2为如图1所示的透射型液晶显示装置的薄膜晶体管附近的放大纵剖涂。
图3为在如图2所示的薄膜晶体管中设置的电连接部附近的放大纵剖涂，(A)为表示电连接部的第1构成的图，(B)为表示电连接部的第2构成的图。
图4为表示薄膜晶体管的形成方法的适当的实施方式的剖面图。
图5为表示薄膜晶体管的形成方法的适当的实施方式的剖面图。
图6为用于说明本发明的电子器件用基板的制造方法的第1实施方式的示意图(纵剖图)。
图7为用于说明本发明的电子器件用基板的制造方法的第1实施方式的示意图(纵剖图)。
图8为用于说明本发明的电子器件用基板的制造方法的第2实施方式的示意图(纵剖图)。
图9为用于说明本发明的电子器件用基板的制造方法的第2实施方式的示意图(纵剖图)。
图10为用于说明本发明的电子器件用基板的制造方法的第3实施方式的示意图(纵剖图)。
图11为用于说明本发明的电子器件用基板的制造方法的第3实施方式的示意图(纵剖图)。
图12为用于说明本发明的电子器件用基板的制造方法的第3实施方式的示意图(纵剖图)。
图13为表示应用本发明的电子机器的移动型(或者笔记本型)个人计算机的构成的立体图。
图14为表示应用本发明的电子机器的便携式电话机(还包含PHS)的构成的立体图。
图15为表示应用本发明的电子机器的数字静态相机的构成的立体图。
图16为表示根据以往的方法所形成的连接部的示意图。
图中：1-薄膜晶体管，10-液晶显示装置，20-液晶面板，220-第1基板，221-上面，223-像素电极，224-信号线，225-偏光板，228-扫描线，230-第2基板，231-下面，232-对置电极，233-有色层，234-黑矩阵，235-偏光板，240-液晶层，60-背光灯，314-半导体层(多结晶硅膜)，316-源极区域，318-漏极区域，320-沟道区域，326-栅极绝缘膜，328-第1接触孔，329-第1接触孔，342-绝缘层，344-第2接触孔，345-第2接触孔，346-第2接触孔，350-接触栓塞，351-栅电极，352-导电部，353-接触栓塞，354-导电部，355-接触栓塞，356-导电部，360-层间绝缘膜(钝化膜)，361-接触孔，362-空间，370-电连接部，371-导电膜，371’-导电性材料层，372-填充材料，372’-填充材料层，373-疏液膜，374-掩模，1100-个人计算机，1102-键盘，1104-主体部，1106-显示单元，1200-便携式电话机，1202-操作键，1204-听话口，1206-传话口，1300-数字静态相机，1302-壳子(机身)，1304-接受单元，1306-快门键，1308-电路基板，1312-视频信号输出端子，1314-数据通信用的输入输出端子，1430-电视监视器，1440-个儿计算机，501-接触孔，502-空间，503-端子，504-层键绝缘膜，510-连接部。
具体实施方式
以下，关于本发明的电子器件用基板、电子器件用基板的制造方法、显示装置以及电子机器，参照附图详细说明
(透射型液晶显示装置的构成)
图1，为表示将本发明的显示装置应用于透射型液晶显示装置的情况下的实施方式的分解立体图。图2，为如图1所示的透射型液晶显示装置的薄膜晶体管附近的放大纵剖图。图3，为在如图2所示的薄膜晶体管中设置的电连接部附近的放大纵剖图，(A)表示电连接部的第1构成，(B)表示电连接部的第2构成。
另外，图1中，为了避免图变复杂而将一部分的部件省略。并且，在以下说明中，将图1、图2、图3中的上侧称作“上”、将下侧称作“下”。
如图1所示的透射型液晶显示装置10(以下仅称作“液晶显示装置10”)，具有：液晶面板(显示面板)20、和背光灯(光源)60。
该液晶显示装置10，通过使来自背光灯60的光透射液晶面板20，从而能显示图像(信息)。
液晶面板20，具有相互对置所配置的第1基板220和第2基板230，在这些第1基板220与第2基板230之间，按照包围显示区域的方式设置密封材料(未图示)。
并且，在通过这些第1基板220、第2基本230以及密封材料所区分的空间，容纳有作为电光学物质的液晶，形成液晶层(中间层)240。即，在第1基板220与第2基板230之间，介入液晶层240。
另外，虽然省略图示，但在液晶层240的上面以及下面，分别设置有由例如聚酰亚胺等构成的定向膜。通过这些定向膜限制构成液晶层240的液晶分子的定向性(定向方向)。
第1基板220以及第2基板230，分别由例如各种玻璃材料、各种树脂材料等构成。
第1基板220，在其上面(液晶层240侧的面)221，设置有配置成矩阵状(阵列状)的多个像素电极223、在X方向延伸的扫描线228、和在Y方向延伸的信号线224。
各像素电极223，由具有透光性(光透过性)的透明导电膜构成，分别经由1个薄膜晶体管1(开关元件)，与信号线224以及扫描线228连接。
另外，在本实施方式中，由第1基板220、像素电极223、信号线224、扫描线228、如下所说明的薄膜晶体管1、层间绝缘膜360、电连接部370，构成本发明的电子器件用基板。
如图2所示，薄膜晶体管1，具有：被设置在第1基板220上，具备沟道区域320，源区域316和沟区域318的半导体层314、按照覆盖半导体层314的方式所设置的栅极绝缘膜326，绝缘层342、按照经由栅极绝缘膜326与沟道区域320对置的方式所设置的栅电极351、在栅电极351上方的绝缘膜342上设置的导电部356、在源极区域316上方的绝缘层342上设置的、作为源电极发挥功能的导电部352、在漏极区域318上方的绝缘层342上设置的、作为漏电机发挥功能的导电部355、将栅电极351和导电部356电连接的接触栓塞355、将源极区域316和导电部352电连接的接触栓塞350、和将漏极区域318和导电部354电连接的接触栓塞353。
在本实施方式中，在第1基板220上，设置有半导体层314。该半导体层314，由例如多结晶硅、非晶硅等硅、锗、砷化镓等半导体材料构成。
如上述，该半导体层314，具有沟道区域320、源极区域316和漏极区域318。
半导体层314，在沟道区域320的一方的侧部形成源极区域316，在沟道区域320的另一方的侧部形成漏极区域318。
沟道区域320，由例如真性半导体材料构成。
源极区域316以及漏极区域318，由例如将磷等n型杂质导入的半导体材料构成。
另外，半导体层314的构成并非限定于该构成，例如，源极区域316以及漏极区域318，也可由将P型杂质导入后的半导体材料构成。
并且，沟道区域320，也可由例如将P型或者n型杂质导入后的半导体材料构成。
这样的半导体层314，被绝缘膜(栅极绝缘膜326、绝缘膜342)覆盖。这样的绝缘膜中、介入沟道区域320和栅电极351之间的部分，作为在沟道区域320和导电部356之间产生的电场的路径等的栅极绝缘膜发挥功能。
作为栅极绝缘膜326、绝缘层342的构成材料，虽然没有特别限定，但也可以采用例如SiO2、TEOS(硅酸乙基)、聚硅氮烷等硅化合物。
另外，栅极绝缘膜326、绝缘层342，除上述材料之外，也可以由例如树脂、陶瓷等构成。
作为栅电极351的构成材料，由例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟(IO)、氧化锡(SnO2)、三氧化锑(ATO)、氧化铟锌(IZO)、Al、Al合金、Cr、Mo、Ta、Ta合金等导电性材料构成。
在绝缘层342上，设置导电部352、导电部354、以及导电部356。这些部位，分别形成于源极区域316、漏极区域318、沟道区域320的上方。
在形成了栅极绝缘膜326和绝缘层342之间的源极区域316以及漏极区域318的区域内，分别向其厚度方向，形成连通于源极区域316以及漏极区域318的孔部(接触孔)。
导电部352以及导电部354，分别经由在该孔部形成的接触栓塞350以及接触栓塞353，与源极区域316以及漏极区域318电连接。
并且，在形成了绝缘层342的栅极电极351的区域内，向其厚度方向，形成连通于栅极电极351的孔部。
导电部356，经由在该孔部形成的接触栓塞355，与栅电极351电连接。
另外，导电部352以及导电部356，分别与信号线224以及扫描线228电连接。
层间绝缘膜(钝化膜)360，按照将薄膜晶体管1、即绝缘层342、导电部352、导电部354、和导电部356覆盖的方式而设置。并且，在层间绝缘膜360中，形成向其厚度方向到达导电部354的接触孔361。
作为层间绝缘膜360的构成材料，可采用与作为栅极绝缘膜326以及绝缘层342的构成材料所说明同样的材料。
电连接部370，埋入接触孔361中，同时按照与在层间绝缘膜360上设置的像素电极223电连接的方式，形成一体化。
在本发明的电子器件用基板中，在该电连接部370的构成中具有特征。
即，电连接部370，具有特征在于，与像素电极223连接，由在接触孔361的内部以及导电部(端子)354的表面，通过气相工艺所形成的导电膜371、和按照填入接触孔361的导电膜371内侧的空间362中的方式而填充的填充材料372构成。
通过形成这样构成的导电膜371，从而与由通过液相工艺所形成的导电材料所构成与导电部354的连接部的情况进行比较，所得到的电连接部370，在与导电部354的接合部发挥优良的粘合性，同时具有优良的导电性。这样，能够使所形成的液晶显示装置10的应答速度更快。
进而，根据用填充材料372填充在空间362中这样的构成，从而能够由使电连接部379的上面、和像素电极223的上面连续的平滑面构成。其结果为，能够确切地防止在按照将层间绝缘膜360、电连接部379以及像素电极223覆盖的方式所形成的定向膜的表面形成凹部。这样，能够适当地阻止因给定向膜实施的摩擦处理而产生的的定向膜的残片(碎片)停留在定向膜上。
并且，如本发明，因用填充材料372填充在空间362中的构成，从而即使在给薄膜晶体管1施以外部应力的情况下，也存在能够适当防止在导电膜371与导电部354之间的接合部产生剥离。
作为这样的电连接部370的构成，只要用填充材料372填充在空间362中即可，可至少列举如图3(A)所示的第1构成或如图3(B)所示的第2构成。
在此，在如图3(A)所示的构成中，按照用填充材料372填充空间362，同时将导电膜371的上面即与第1基板220相反侧的面覆盖的方式，供给填充材料372。
在如图3(B)所示的第2构成中，不是用填充材料372覆盖导电膜371的上面，而是用填充材料372填充空间362。
作为导电膜371的构成材料，可列举例如氧化铟锡(ITO)、含氟氧化铟锡(FITO)、三氧化锑(ATO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铝锌(AZO)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)、含氟氧化锡(FTO)、含氟氧化铟(FIO)含氟氧化铟(IO)、等透明导电性材料。
即使在它们当中，也尤其优选含有Sn、F中的至少一种在内的氧化铟(ITO、FITO)、Sb、F、Nb、Ta中的至少1种的氧化锡(SnO2)、包含Al、Co、Fe、In、Sn、Ti、Ga、B、In、Y、Sc、F、V、Si、Ge、Zr、Hf中的至少一种在内的氧化锌(ZnO)。通过选择这些透明导电材料，从而以它们为主材料的导电膜371，能发挥优良的导电性和透明性。
并且，以上的透明导电性材料，不仅可单独采用1个种类，还可使2个种类以上组合采用。
另外，作为透明导电性材料，在采用以含有Sn在内的氧化铟(ITO)为主材料的粒子的情况下，优选铟与锡之间的原子比(铟/锡)，为99/1～80/20，更优选97/3～85/15。这样，能够发挥更显著的上述效果。
作为填充材料372的构成材料，除由导电膜371的构成材料所说明的透明导电性材料之外，还可列举Al、Al合金、Cr、Mo、Ta、Ta合金等导电性材料、Si、Ge、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)等半导体材料、二氧化硅(SiO2)、HSQ、MSQ、氮化硅(SiN)、氮化钛(TiN)、聚酰亚氨系树脂、聚对二甲苯、苯环、聚乙烯苯基、酚醛清漆树脂、聚四氟乙烯(PTEE)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚乙烯、聚丙烯、聚异丁烯、聚丁烯、聚酰胺等绝缘材料，可使它们中的1种或者2种以上组合采用。
另外，在选择第1构成作为电连接部370的情况下，优选填充材料372，以导电性材料为主成分而构成。这样，能够适当抑制或者防止像素电极223的电阻值变高。
进而，将本发明的显示装置应用于本实施方式的透射型液晶显示装置种，选择电连接部370作为第1构成的情况下，填充材料372，优选以透明导电性材料作为主成分而构成。这样，能够适当抑制或者防止像素电极223的电阻值变高，同时使像素电极223确切具有透光性。
另外，在选择第2构成作为电连接部370的情况下，填充材料372，并非限定于选择具有透明性的构成材料。
并且，在其它显示装置中，在像素电极223中不要求透光性的情况下，即使导电膜371以及填充材料372双方，由透光性、不透光性任何一方的构成材料构成都可。
具体来说，作为导电膜371的构成材料，例如，可采用以导电性材料为主成分，作为填充材料372的构成材料。
作为这样的其它显示装置，列举从与电泳显示装置或者有机电致发光元件中的像素电极对置的对置电极侧对发光进行视觉确认的形式等。
优选由这样的导电膜371和填充材料372所构成的像素电极223，其表面电阻值为100Ω/square以下，更优选为50Ω/square。通过使透明导电膜的表面电阻值在上述范围内，从而能够使液晶显示装置的应答速度更高。
并且，如图1所示，在第1基板220的下面，设置偏光板225。
另一方面，第2基板230，在其下面(液晶层240侧的面)231上，设置有多个呈带状的对置电极232。这些对置电极232，按照相互以给定的间隔基本平行配置，且与像素电极223对置的方式配置。
像素电极223和对置电极232重叠的部分(也包含其附近的部分)，构成1个像素，通过在这些电极之间进行充放电，从而按每个像素，对液晶层240的液晶进行驱动，即液晶的定向状态改变。
对置电极232，也与上述像素电极223同样，由具有透明性(透光性)的透明导电膜构成。
在各对置电极232的下面，分别设置红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的有色层(滤色器)233，这些各个有色层233被黑矩阵234隔开。
黑矩阵234，具有遮光功能，例如，由将铬、铝、铝合金、镍、锌、钛这样的金属、盐等分散后的树脂等构成。
并且，在第2基板230的上面，设置与上述偏光板225偏光轴不同的偏光板235。
在这样的构成的液晶面板20中，从背光灯60发出的光，由偏光板225进行偏光后，经由第1基板220以及各像素电极223，向液晶层240入射。向液晶层240入射的光，通过按每个像素控制定向状态后的液晶，进行强化调制。被强化调制后的光，通过有色层233、对置电极232以及第2基板230之后，由偏光板235进行偏光，向外部出射。这样，在液晶显示装置10中，从与第2基板230的液晶层240的相反侧，例如能够对字符、数字、图形等彩色图像(包含动态图像以及静态图像双方)进行视觉确认。
(薄膜晶体管的制造方法)
接着，针对在第1基板220上制造薄膜晶体管1(开关元件)的具体方法一例进行说明。
图4、图5，为表示薄膜晶体管的形成方法的合适的实施方式的剖面图。另外，在以下说明中，将图4、图5的上侧作为“上”说明，将下策作为“下”说明。
(I)首先，如图4(a)所示，在第1基板220上形成半导体层(多结晶硅膜)314。
通过例如光刻法等，在形成半导体层314的区域形成具有开口部的抗蚀剂层之后，采用该抗蚀剂层作为掩模，给开口部通过涂布法供给液状半导体层形成用材料之后，通过施以规定的处理从而能够得到半导体层314。
另外，在第1基板220上，涂布(供给)抗蚀剂材料之后，经由与形成该抗蚀剂材料的半导体层314的形状对应的光刻掩模，通过由I线、紫外线、电子线等进行曝光·显影从而得到上述抗蚀剂层。
作为涂布抗蚀剂材料的方法，列举例如喷墨法、旋涂法、浇铸法、精细雕型涂布(Micro-Gravure Coating)、雕轮式涂布法(Gravure)、棒(bar)涂布法、滚筒式涂布法、环棒(wirebar)涂布法、浸沾式涂布、喷涂、网板印刷法、胶版印刷法、微接触印刷法这样的各种涂布法，可使它们中的1种或者2种以上组合采用。
另外，所采用的抗蚀剂材料，可以是负性抗蚀剂材料以及正性抗蚀剂材料种的任一种。
作为负性抗蚀剂材料，列举松香重铬酸盐、聚乙烯醇(PVA)-重铬酸盐、虫胶-重铬酸盐、酪蛋白-重铬酸盐、PVA-重氮、丙烯系光致抗蚀剂等这样的水溶性光致抗蚀剂、聚硅酸β-vinyloxy等由溶性光刻抗蚀剂等。
另外，作为正性抗蚀剂材料，列举例如O-naphthoquinone 
Figure C20061005917300171
等油溶性光刻抗蚀剂等。
抗蚀剂层的除去，可通过例如在大气压或者减压下的氧等离子或臭氧蒸气进行的。
并且，作为半导体层形成用材料，在采用液体氢化硅的情况下，通过涂布氢化硅向开口部供给之后，通过实施以下这样的给定处理，从而能够得到半导体层(多结晶硅膜)。
首先，使向开口部供给的液体氢化硅干燥。
接着，对干燥所得到的膜进行焙烧，使膜中的氢化硅热分解，使之与非结晶硅产生反应。
接着，通过向由非晶硅构成的膜照射XeCl等受激准分子激光器，进行退火，通过使非晶硅多结晶化从而得到半导体层(多结晶硅膜)9314。
之后，也可对半导体层(多结晶硅膜)9314进行沟道掺杂。具体来说，在整个面射进规定量的杂质(例如在形成n型导电层的情况下为PH3离子)并使之扩散。
(II)接着，如图4(b)所示，形成具有第1接触孔328、329的栅极绝缘膜326。
栅极绝缘膜326，通过例如光刻法等，在形成第1接触孔328、329的区域形成抗蚀剂层之后，采用该抗蚀剂层作为掩模，在形成了半导体层314后的第1基板220上，通过涂布法供给液状的栅极绝缘膜形成用材料之后，通过实施规定的处理从而得到可以栅极绝缘膜326。
作为规定的处理，在采用例如包含栅极绝缘膜326的构成材料的前体(以下仅称作“前体”)的栅极绝缘膜形成用材料的情况下，只要对前体进行使栅极绝缘膜326的构成材料改变的处理即可。
作为该处理方法，依据前体的种类而适当选择，虽然未特别限定，但可列举例如加热器、红外线灯、激光照射、电磁波照射以及尖峰退火(FTP)等进行加热的方法，照射紫外线的方法等。
另外，在该处理之前，可将栅极绝缘膜形成用材料的调制中采用的溶剂或者分散剂的至少一部分除去。
具体来说，当栅极绝缘膜326是以二氧化硅为主成分的情况下，作为其前体，列举例如二氯乙硅烷、六氯硅烷、四乙氧基硅烷、四(氢乙胩)硅烷、三(氢乙胩)硅烷、等，通过在氧化气氛中进行加热等，从而能够改变为二氧化硅。
并且，例如，在采用包含栅极绝缘膜326的构成材料本身的栅极绝缘膜形成用材料的情况下，只要进行使液状材料中的溶剂或者分散剂除去的处理即可。
作为将溶剂或者分散剂除去的方法，例如除上述加热的方法之外，还列举真空(减压)干燥、喷出惰性气体的方法等。
(III)接着，如图4(c)所示，按照与应形成的沟道区域320的位置对应的方式，在绝缘膜326上形成栅电极351。
通过例如光刻法等，采用在形成栅电极351的区域具有开口部的抗蚀剂层，采用与上述工序(I)所说明的同样的方法形成栅电极351。
另外，作为用于形成栅电极351的液状栅电极形成材料，可采用例如以有机金属化合物等为主成分。
(IV)接着，采用栅电极351作为掩模，进行向源极区域316和漏极区域318射进规定量的杂质(例如在形成P型导电层的情况下为B2H6离子)。
这样，如图4(d)所示，能够得到与栅电极351的下部对应的位置是沟道区域320的半导体层314。
(V)接着，如图5(e)所示，形成绝缘膜342，其具有：与第1接触孔328以及第2接触孔329分别连通的第2接触孔344以及第2接触孔345、和具有第2接触孔346的绝缘膜342。
通过例如光刻法等，在形成第2接触孔344、345、346的区域形成抗蚀剂层之后，可采用该抗蚀剂层作为掩模，采用与上述工序(II)所说明的同样的方法形成绝缘膜342。
(VI)接着，如图5(f)所示，按照分别埋入第1接触孔328和第2接触孔344、第1接触孔329和第2接触孔345、以及第2接触孔346的方式，形成接触栓塞350、接触栓塞353、以及接触栓塞355。
这样，接触栓塞355和源极区域316、接触栓塞353和漏极区域318、接触栓塞355和栅电极351，便分别电连接。
在首先按照埋入各接触孔内的方式，且将绝缘膜342覆盖的方式，供给导电性材料之后，通过除去导电性材料直至露出绝缘层342的上面为止，从而形成这样的接触栓塞350、353、355
作为导电性材料，可采用与栅电极351同样的构成材料，导电性材料的供给，也可与形成栅电极351之际采用的方法同样地进行。
并且，作为导电性材料的去除方法，可使例如等离子蚀刻、活性离子蚀刻、光束蚀刻、光加速蚀刻等物理蚀刻法、湿蚀刻等化学蚀刻法中的1种或2种以上组合采用。
(VII)接着，如图5(g)所示，在绝缘膜342上，按照分别与接触栓塞350、接触栓塞353、以及接触栓塞355电连接的方式，形成导电部352、导电部354以及导电部356。
通过例如光刻法等，在形成这样的导电部352、导电部354以及导电部356的区域，采用具有开口部的抗蚀剂层，采用与上述工序(I)所说明的同样的方式形成导电部352、导电部354以及导电部356
另外，作为用于形成导电部352、导电部354以及导电部356的液状导电部形成材料，可以采用与上述栅电极形成材料相同的材料。
通过以上的工序，在第1基板220上形成薄膜晶体管1。
(电子器件用基板的制造方法)
接着，采用具备上述薄膜晶体管1的第1基板220，制造本发明的电子器件用基板。
以下，针对本发明的电子器件用基板的制造方法的适当的实施方式进行说明。
(第1实施方式)
首先，针对本发明的电子器件用基板的制造方法的第1实施方式进行说明。
通过本第1实施方式，可制造具备如图3(A)所示的电连接部370的第1构成的电子器件用基板。
图6、图7，分别为用于说明本发明的电子器件用基板的制造方法的第1实施方式的示意图(纵剖图)。另外，以下的说明中，将图6、与7中的上侧称作“上”，将下侧称作“下”。
图6、图7所示的电子器件用基板的制造方法的第1实施方式，具有：(1-a)基板形成工序，其准备具备开关元件和层间绝缘膜的基板；(1-b)接触孔形成工序，其在层间绝缘膜上形成接触孔；(1-c)导电性材料层形成工序，其通过气相工艺供给导电性材料，并形成导电性材料层；(1-d)填充材料层形成工序，其通过液相工艺供给填充材料，并形成填充材料层；(1-e)疏液处理工序，其使掩模形成用材料对应的疏液性提高；(1-f)掩模形成工序，其在形成像素电极和电连接部的形成区域，形成掩模；(1-g)疏液部去除工序，其将被施以疏液处理后的部分去除；(1-h)无用部分去除工序，其将填充材料层以及导电性材料层的无用部分去除；和(1-i)掩模去除工序，其将掩模去除。
以下，针对各工序进行说明。
(1-a)基板形成工序
首先，准备具备开关元件和层间绝缘膜的基板。
在第1基板220上通过上述薄膜晶体管的制造方法形成的薄膜晶体管1中，通过按照将该薄膜晶体管1覆盖的方式形成层间绝缘膜360从而能够得到这样的基板。
在通过涂布法按照将薄膜晶体管1覆盖的方式供给与上述工序(II)所说明的栅极绝缘膜形成材料同样的材料之后，通过实施规定的处理从而能够得到层间绝缘膜360。在此，作为所采用的涂布法以及规定的处理，分别列举同样上述工序(I)以及(II)所说明的同样的工序。
(1-b)接触孔形成工序
接着，在层间绝缘膜360中按照到达导电部354(开关元件的端子)的方式，换言之，按照导电部354的表面露出的方式，向层间绝缘膜360的厚度方向形成接触孔361(参照图6(1-b))。
通过例如由上述工序(I)所说明的光刻法等，在形成接触孔361的区域形成具有开口部的抗蚀剂层之后，采用该抗蚀剂层作为掩模，通过对层间绝缘膜360进行蚀刻，从而得到接触孔361。
作为对层间绝缘膜360进行蚀刻的方法，可将例如由上述工序(VI)所说明的物理蚀刻方法、和化学蚀刻法中的1种或者2种以上组合采用。
(1-c)导电性材料层形成工序
接着，通过气相工艺供给导电性材料，并在包含形成像素电极223和电连接部370的形成区域(以下也仅称作“形成区域”)在内的区域，形成导电性材料层371’(参照图6(1-c))。
这样，便可在接触孔361的内部以及导电部354的表面，形成几乎相同厚度的导电性材料层371’。其结果为，在接触孔361的导电性材料层371’内侧产生空间362。
在此，在形成导电性材料层371’之前，也可以在层间绝缘膜360和导电部354的表面施以蚀刻处理。这样，各自的表面变粗，能够使所形成的导电性材料层371’的粘合性提高。进而，由于能将导电部354的表面产生氧化所形成的氧化膜的这样的杂质去除，因此能够适当地抑制或者防止在导电部354与导电性材料层371’的接触面电阻值变高。
作为蚀刻处理，可以使例如由上述工序(VI)所说明的物理蚀刻法、或化学蚀刻法种的1种或者2种以上组合而采用。
作为气相工艺，没有被特别限定，例如列举：喷溅法、真空蒸镀法、离子镀膜法、激光磨损法这样的物理气相工艺(PVD法)、若CVD法、MOCVD法、激光CVD法、等离子CVD、大气压CVD法这样的化学气相工艺、液体源雾化学体积法(LSMCD法)、喷雾热分解法(SPD法)、有机金属气相外延法(MOVPE法)这样的方法。
在此，在采用物理气相工艺作为气相工艺的情况下，作为用于供给透明导电性材料的材料，只要采用透明导电性材料本身即可。
并且，在采用化学气相工艺或磊晶法作为气相工艺的情况下，作为用于供给透明导电性材料的材料，只要采用透明导电性材料的前体即可。
另外，作为透明导电性材料的前体，例如列举、上述透明导电性材料的醇盐、或者这些电介质或综合物。
作为醇盐，列举例如、甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙基、丁氧基等。作为盐，列举例如卤化物、甲酸盐、醋酸盐、丙酸盐、草酸盐、硝酸盐等。
另外，作为电介质，列举例如掺水物、中和或者通过加水分解所得到的氢氧化物等。作为综合物，列举例如α-或者β-二酮基类、α-或者β-酮酸、α-或者β-酮酸酯、氨基醇类等螯合化合物。
具体来说，在通过例如喷溅法供给以铟钛化合物(ITO)为主要成分的透明导电性材料的情况下，在将形成薄膜晶体管1和层间绝缘膜360的第1基板220、和作为目标采用的ITO分别设置(set)于箱内的状态下，向该ITO照射离子束。这样，向ITO的表面冲击离子束，将ITO的离子(喷溅离子)敲出，通过覆盖在包含形成区域的区域，从而形成导电性材料层371’。
(1-d)填充材料层形成工序
接着，通过液相工艺供给填充材料372，在导电性材料层371’形成填充材料层372’。
这样，通过填充材料372覆盖导电性材料层371’的上面，同时通过填充材料372埋入空间362中(参照图6(1-d))。
在此，如本实施方式通过采用液相工艺供给填充材料372，从而比较容易且可靠地埋入在空间362中的方式填充填充材料372。
本工序(1-d)，具体来说，按照如下进行。
首先，调制含有上述的填充材料372以及/或者该其前体的液状材料。
另外，作为填充材料372的前体，采用上述填充体372的醇或盐、或者他们的电介质或综合物。
作为醇或盐、或者它们的电介质或综合物，列举与上述工序(1-c)所说明的同样。
并且，作为填充材料372的前体，在采用例如醇或盐的情况下，优选添加向前体的填充材料372变化(变换)的酸催化剂、盐基催化剂等。
作为酸催化剂，列举例如盐酸、硝酸、硼酸、硼氟化氢酸等无机酸、或醋酸、三氟乙酸、P-甲苯二磺酸等有机酸。
作为该液状材料的调制所采用的溶剂或者分散剂，列举例如硝酸、硫酸、氨、过氧化氢、水、二硫化碳、乙烯碳酸盐等无机溶剂、或甲基乙基酮(MEK)、丙酮、二乙基酮、甲基异丁基酮(MIBK)、甲基异丙基酮(MIPK)、环己酮等酮系溶剂，甲醇、乙醇、异丙醇、甘醇、二甘醇(DEG)、丙三醇等醇系溶剂，二乙醚、二异丙醚、1，2-二甲氧基乙烷(DME)，1，4-二氧杂环乙烷、四氢呋喃(THF)、四氢吡喃(THP)、苯甲醚、二甘醇二甲醚、二甘醇乙基醚(卡必醇)等醚系溶剂，甲基溶纤剂、乙基溶纤剂、苯酚溶纤剂等溶纤剂系溶剂，己烷、戊烷、庚烷、环己烷等脂肪族碳氢系溶剂，甲苯、二甲苯、苯、三甲基苯、四甲基苯等芳香族碳氢系溶剂，嘧啶、吡嗪、呋喃、吡咯、噻吩、甲基吡咯烷酮等芳香族多环化合物系溶剂、N、N-二甲基甲酰胺(DMF)、N、N-二甲基乙酰胺(DMA)等酰胺系溶剂、乙酸乙酯、乙酸甲酯、甲酸乙酯等酯系溶剂，二甲基亚砜(DMSO)、环丁砜等硫磺化合物系溶剂、乙腈、丙腈、丙烯腈等腈系溶剂，甲酸、乙酸、三氯乙酸、三氟醋酸等有机酸系溶剂这样的各种溶剂，或者，包含它们的混合溶剂等。
接着，将通过液相工艺所调制了的液状材料，提供给导电性材料层371’。
关于该液相工艺，例如将由上述工序(I)所说明的各种涂布中的1种或者2种以上组合采用。
之后，对于液状材料施以规定的处理。这样，便可在导电性材料层371’上形成填充材料层372’。
关于在此所采用的规定的处理，列举例如与上述工序(II)所说明同样的。
(1-e)疏液处理工序
接着，在填充材料层372’的上面的除形成像素电极223和电连接部370的形成区域外的区域，施以使对于由下一工序(1-f)所采用的掩模形成用材料的疏液性提高的处理。
这样，在下一工序(1-f)中，在形成区域选择性地使掩模374形成。
该疏液处理，可以使例如在填充材料层372’上面的除形成区域外的区域，形成疏液膜的方法、将氟氢离子等能赋予疏液性的离子注入(射进)的方法等中的1种或者2种以上组合采用。
即使其中，如图6(1-e)所示，关于疏液处理，优选采用在将填充材料层372’的上面的除形成区域外的区域，形成疏液膜373的方法。根据该方法，比较容易能够给将填充材料层372’的上面的除形成区域外的区域赋予疏液性。
例如在供给疏液膜形成用材料之后，根据需要，通过进行干燥从而形成该疏液膜373。
并且，在该情况下，疏液膜373，在按照将填充材料层372’的上面整体覆盖的方式形成之后，虽然可按照将无用部分去除的方式形成，但也可在除形成区域外的区域选择性地形成。
作为在除形成区域外的区域，选择性地选择疏液膜373的方法，列举例如：(1)例如通过光刻法，在形成区域形成抗蚀剂层之后，采用该抗蚀剂层作为掩模的方法；(2)在浸含疏液膜形成用材料的状态下，使与除形成区域外的区域的形状对应的压印等与填充材料层372’的上面接触的方法；(3)通过喷墨法将疏液膜形成用材料喷出至除形成区域外的区域的方法等。即使这些其中，也尤其优选采用根据(3)的喷墨法的方法。根据该方法，能够比较容易且确切地在除形成区域外的区域，选择性地形成疏液膜373。
作为疏液膜373，列举例如，由具有表示疏液性的官能团的耦合剂或？硫醇等构成的自组织化单分子膜(SAM膜)、以及由疏液性的树脂材料等构成的聚合膜。
另外，关于疏液膜形成用材料，可以采用将疏液膜373的构成材料以及/或者其前体与溶剂或者分散剂混合调制的溶剂或者分散液。
作为耦合剂，可以采用例如硅烷系耦合剂、钛系耦合剂、铝系耦合剂、锆系耦合剂、有机磷酸系耦合剂、甲硅烷基过氧化物系耦合剂等。
作为表示疏液性的官能团，列举例如氟代烷基、烷基、乙烯基、环氧基、苯乙烯基、丙烯基等。
作为耦合剂的具体例，列举例如十三氟-1、1、2、2四氢辛基三乙氧基硅烷、十三氟-1、1、2、2四氢辛基三甲氧基硅烷、三氯氟烷基硅烷(FAS)、十八烷基三甲氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷等。
作为疏液性的树脂材料，列举例如聚四氟乙烯(PTFE)、四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物(PFA)、乙烯-四氟乙烯共聚物(ETFE)、全氟乙烯-丙烯共聚物(FEP)、乙烯-一氯三氟乙烯共聚物(ECTFE)等氟系树脂等。
并且，作为溶剂或者分散剂，可以采用与上述工序(1-d)所说明的同样。
(1-f)掩模形成工序
接着，通过液相工艺供给掩模形成用材料，在形成填充材料层372’的上面的像素电极223和电连接部370的形成区域，形成与形成区域对应的形状的掩模374(参照图7(1-f))
本工序(1-f)，可以采用与采用含有例如硬化性树脂、热可塑性树脂以及/或者它们的前体等的液状掩模用材料在上述工序(1-d)中所说明的同样的方法。
在此，在本实施方式中，在上述工序(1-e)中，由于在除形成区域以外的区域，形成疏液膜373，因此可以在形成区域选择性地形成掩模374。
另外，作为掩模形成用材料，在采用上述工序(I)所说明的抗蚀剂材料的情况下，也可以省略上述工序(1-e)。这种情况下，在填充材料层372’的整个面形成抗蚀剂层之后，只要通过例如光刻法等，将在除形成区域以外的区域所形成的抗蚀剂层去除即可。这样，能够形成与形成区域对应的形状的掩模374(抗蚀剂层)。
(1-g)疏液部去除工序
接着，将在除形成区域外的区域所形成的疏液膜373去除(参照图7(1-g))。
作为将疏液膜373去除的方法，除上述工序(VI)所说明的物理蚀刻方法、或化学蚀刻法外，还可列举例如紫外线的照射、臭氧水或水蒸气的喷雾等，将它们其中的1种或者2种以上组合采用。
(1-h)无用部分去除工序
接着，采用在形成区域设置的掩模374，将在除形成区域以外的区域存在的填充材料层372’以及导电性材料层371’的无用部分统一去除(参照图7(1-h))。
作为将填充材料层372’以及导电性材料层371’的无用部分去除的方法，例如可以将上述工序(VI)所说明的物理蚀刻法、或化学蚀刻法种的1种或者2种以上组合采用。
(1-i)掩模去除工序
接着，将在形成区域设置的掩模374去除(参照图7(1-i))。
作为将掩模374去除的方法，列举例如使上述工序(W)所说明的物理蚀刻法、或化学蚀刻法种的1种或者2种以上组合采用。
另外，上述工序(1-g)～本工序(1-i)，也可以在对疏液膜373、填充材料372’、以及导电性材料层371’统一去除之后，按照将掩模374去除的方式连续进行。
按照以上，形成如图3(A)所示的电连接部370的第1构成和像素电极223，制造本发明的电子器件用基板。
(第2实施方式)
接着，针对本发明的电子器件用基板的制造方法的第2实施方式进行说明。
通过本第2实施方式，能够制造如图3(B)所示的电连接部370的第2构成的电子器件用基板。
图8、图9，分别表示用于说明本发明的电子识别用基板的制造方法的第2实施方式的示意图(纵剖图)。另外，以下的说明中，将图8、图9中的上侧称作“上”，下侧称作“下”。
图8、图9所示的电子器件用基板的制造方法的第2实施方式，具有：(2-a)基板形成工序，其准备具备开关元件和层间绝缘膜的基板；(2-b)接触孔形成工序，其在层间绝缘膜上形成接触孔；(2-c)导电性材料层形成工序，其通过气相工艺供给导电性材料，并形成导电性材料层；(2-d)疏液处理工序，其使液状材料对应的疏液性提高；(2-e)填充材料层形成工序，其通过液相工艺供给填充材料，并形成填充材料层；(2-f)掩模形成工序，其在形成像素电极和电连接部的形成区域，形成掩模；(2-g)疏液部去除工序，其将被施以疏液处理后的部分去除；和(2-h)无用部分去除工序，其将导电性材料层的无用部分和填充材料层的一部分去除。
以下针对各工序依次进行说明。
(2-a)基板形成工序
首先，准备具备薄膜晶体管1和层间绝缘膜360的第基板220(参照图8(2-a))。
本工序(2-a)，可以与上述工序(1-a)同样地进行。
(2-b)接触孔形成工序
接着，在层间绝缘膜360中按照到达导电部354(开关元件的端子)的方式，向层间绝缘膜360的厚度方向形成接触孔361(参照图8(2-b))。
本工序(2-b)，可以与上述工序(1-b)同样地进行。
(2-c)导电性材料层形成工序
接着，通过气相工艺供给透明导电性材料，在包含形成区域在内的区域，形成透明导电性材料层371’(参照图8(2-c))。
本工序(2-c)，可以与上述工序(1-c)同样地进行。
(2-d)疏液处理工序
接着，在导电性材料层371’的上面的除形成区域外的区域，施以使对于由下一工序(2-e)所采用的液状材料的疏液性提高的处理。
这样，在下一工序(2-e)中，便可以在形成区域中选择性地选择填充材料层372。
本工序(2-d)，除与上述工序(1-e)同样，进行如图8(2-d)所示的疏液膜373的形成之外，例如也可以按照以下进行疏液膜的形成。
首先，在导电性材料层371’的上面的除形成区域外的区域，形成抗蚀剂层。
该抗蚀剂层的形成，是通过例如上述工序(I)所说明的同样的方法进行的。
接着，在该抗蚀剂层的整个面施以亲液处理。
作为该亲液处理，采用可例如，在含氧气氛中照射紫外线以及/或者红外线的方法、照射氧等离子的氧离子处理法，但其中优选采用氧等离子处理法。
该氧等离子处理法，通过将含有氧的气体导入使氧等离子产生的放电区域，将在该放电区域所产生的氧等离子，向抗蚀剂层的整个面照射，从而赋予亲液性。
根据该处理法，容易且可靠地在抗蚀剂层的整个面，赋予亲液性。
并且，作为含有氧气的气体，虽然典型地采用纯氧气，但优选采用氧气和氟化碳气(例如四氟化甲烷气体)的混合气体。这样，维持氧等离子的事件变长，在氧等离子的状态下，使之到达抗抗蚀剂层为止。
接着，在被施以亲液处理后的抗蚀剂层的上面施以疏液处理。
这样，能够得到在抗蚀剂层的侧面施以亲液处理；在上面施以疏液处理后的(疏液膜)。通过采用该构成的疏液膜，在下一工序(2-e)中，能够防止在疏液膜上附着填充材料，确切地向形成区域供给填充材料。
作为该疏液处理，可以采用例如对于抗蚀剂层的上面，照射氟等离子的氟等离子处理法等。
该氟等离子处理法，向产生氟等离子的放电区域导入含有氟的气体，通过将在该放电区域产生的氟等离子，入射至抗蚀剂层的上面，从而给该氟等离子所入射的区域赋予疏液性。
根据该处理方法，从而使抗蚀剂层的上面几乎跨越整体被均匀氟化，即给抗蚀剂层的上面均匀地赋予(没有不均)疏液性。
作为含有氟院子的气体种类，列举例如四氟化甲烷(CF4)、四氟化乙烯(C2F4)、六氟化丙烯(C3F6)、八氟化丁烯(C4F8)等，即使其中，液优选尤其以四氟化甲烷为主要成分。
另外，当抗蚀剂层本身具有亲液性时，以及抗蚀剂层本身具有疏液性时等，可以将亲液处理、疏液处理中的一方或者双方省略。
(2-e)填充材料层形成工序
接着，在导电性材料层371’上，按照与形成区域的方式通过液相工艺供给填充材料372，并形成填充材料层37’。
这样，通过填充材料372将导电性材料层371’的上面的形成区域覆盖，同时可以用填充材料372埋入空间362中(参照图8(2-e))。
在此，本实施方式中，在上述工序(2-d)中，因为在除形成区域外的区域，形成疏液膜，因此可以在形成区域选择性地形成填充材料层372’。
本工序(2-e)，可以根据与上述工序(1-d)所采用的同样的方法进行。
(2-f)疏液部去除工序
接着，将在除形成区域外的区域所形成的疏液膜373去除(参照图9(2-f))。
本工序(2-f)，可以根据与上述(1-g)所采用的同样的方法进行。
(2-g)无用部分去除工序
接着，采用填充材料层372’作为掩模，将导电性材料层371’的无用部分去除，同时将填充材料层372’的无用部分去除。
这样，便能够得到与形成区域的形状对应的形状的导电膜371。并且，能够一边将向导电性材料层371’的上面的形成区域供给的填充材料372去除，同时使在空间362中填充的填充材料372残存(参照图9(2-g))。
本工序(2-g)，可以根据与上述工序(1-h)所采用的同样的方法进行。
另外，上述工序(2-f)和本工序(2-g)，也可以统一进行。即，也可以将疏液膜373的去除、和导电性材料层371’的无用部分的去除统一进行。
按照以上，形成如图3(B)所示的电连接部370的第2构成和像素电极223，可以制造本发明的电子器件用基板。
(第3实施方式)
接着，针对本发明的电子器件用基板的制造方法的第3实施方式进行说明。
根据本第3实施方式，能够制造具备如图3(B)所示的电连接部370的第2构成的电子器件用基板。
图10～图12，分别为用于说明本发明的电子器件用基板的制造方法的第3实施方式的示意图(纵剖图)。另外，以下说明中，将图10～图12中的上侧称作“上”，将下侧称作“下”。
如图10～图12所示的电子器件用基板的制造方法的第3实施方式，具有：(3-a)基板形成工序，其准备具备开关元件和层间绝缘膜的基板；(3-b)接触孔形成工序，其在层间绝缘膜上形成接触孔；(3-c)导电性材料层形成工序，其通过气相工艺供给导电性材料，并形成导电性材料层；(3-d)疏液处理工序，其使液状材料对应的疏液性提高；(3-e)填充工序，其通过液相工艺填充填充；(3-f)疏液部去除工序，其将被施以疏液处理后的部分去除；(3-g)疏液处理工序，其使掩模形成用材料对应的疏液性提高；(3-h)掩模形成工序，其在形成像素电极和电连接部的形成区域，形成掩模；(3-i)疏液部去除工序，其将被施以疏液处理后的部分去除；(3-j)无用部分去除工序，其将导电性材料层的无用部分去除；和(3-k)掩模去除工序，其将掩模去除。
以下，针对各工序进行说明。
(3-a)基板形成工序
首先，准备具备薄膜晶体管1和层间绝缘膜360的第1基板220(参照图10(3-a))。
本工序(3-a)，可以与上述工序(1-a)同样地进行。
(3-b)接触孔形成工序
接着，在层间绝缘膜360中按照到达导电部354(开关元件的端子)的方式，向层间绝缘膜360的厚度方向形成接触孔361(参照图10(3-b))。
本工序(3-b)，可以与上述工序(3-b)同样地进行。
(3-c)导电性材料层形成工序
接着，向包含形成区域在内的区域，通过气相工艺供给透明导电性材料，并形成导电性材料层371’(参照图10(3-c))。
本工序(3-c)，可以与上述工序(1-c)同样地进行。
(3-d)疏液处理工序
接着，在导电性材料层371’的上面、即在空间362内存在的除导电性材料层371’的表面外的区域，施以使对于由下一工序(3-e)所采用的液状材料的疏液性提高的处理。
这样，在下一工序(3-e)中，便可以在空间362内选择性地选择填充材料层372。
本工序(3-d)，根据与上述工序(2-d)所采用的同样的方法，便可以得到如图10(3-d)所示的疏液膜373。
(3-e)填充工序
接着，在空间362内，通过液相工艺选择性地填充填充材料372(参照图10(3-e))。
在此，本实施方式中，在上述工序(3-d)中，由于在导电性材料层371’的上面形成疏液膜373，因此可以在空间363中选择性地填充填充材料372。
本工序(3-e)，可以根据与由上述工序(1-d)所采用的同样的方法进行。
另外，作为液相工艺，在采用喷墨法这样的可以选择性地向空间362内供给填充材料372的方法的情况下，也可以省略上述疏液处理工序(3-d)。
(3-f)疏液部去除工序
接着，将在导电性材料层371’的上面所形成的疏液部373去除(参照图11(3-f))。
本工序(3-f)，可以根据与由上述工序(1-g)所采用的同样的方法进行。
(3-g)疏液处理工序
接着，在导电性材料层371的上面的除形成像素电极223和电连接部370的形成区域外的区域，施以使对于由下一工序(3-h)所采用的掩模形成用材料的疏液性提高的处理。
这样，在下一工序(3-h)中，可以在形成区域选择性地形成掩模374。
本工序(3-g)，可以根据与由上述工序(1-e)所采用的同样的方法进行。
并且，本工序(3-g)，既可以按照给除形成区域外的区域施以疏液处理的方式进行，也可以按照将由上述工序(3-d)施以疏液处理后的区域的一部分去除的方式进行。另外，在采用后者的方法的情况下，可以将上述疏液部去除工序(3-f)省略。
(3-h)掩模形成工序
接着，通过液相工艺供给掩模形成用材料，在导电性材料层371’的上面的形成区域，形成掩模374(参照图11(3-h))。
本工序(3-h)，可以根据与由上述工序(1-f)所采用的同样的方法进行。
在此，本实施方式中，在上述工序(3-g)中，由于在除导电性材料层371’的形成区域外的区域，形成疏液膜373，因此可以在形成区域选择性地形成掩模374。
(3-i)疏液部去除工序
接着，将在导电性材料层371’的上面形成的疏液膜373去除(参照图11(3-i))。
本工序(3-i)，可以根据与由上述工序(1-g)所采用的同样的方法进行。
(3-j)无用部分去除工序
接着，采用在形成区域设置的掩模374，将在除形成区域外的区域存在的、导电性材料层371’的无用部分去除(参照图12(3-j))。
本工序(3-j)，可以根据与由上述工序(1-h)所采用的同样的方法进行。
(3-k)掩模去除工序
接着，将在形成区域设置的掩模374去除(参照图12(3-k))。
本工序(3-k)，可以根据与由上述工序(1-i)所采用的同样的方法进行。
另外，上述工序(3-i)～本工序(3-k)，也可以按照在将疏液膜373和导电性材料层371统一去除后，按照将掩模374去除的方式连续进行。
按照以上，形成如图3(B)所示的电连接部370的第2构成和像素电极223，能够制造本发明的电子器件用基板。
另外，通过采用第1实施方式～第3实施方式所说明的电子器件用基板的制造方法，即通过采用气相工艺和液相工艺制造电连接部370和像素电极223，从而具有有点在于，容易进行所形成的这些膜厚的控制。
(电子机器)
本发明的显示装置，可以用于各种电子机器的显示部。
图13，为表示应用了本发明的电子机器的移动型(或者笔记本型)的个人计算机的构成的立体图。
在该图中，个人计算机1100，由具备键盘1102的主体部1104、和显示单元1106构成，显示单元1106，相对主体部1104经由铰链构造部被支撑保持可转动。
在该个人计算机1100中，显示单元1106具备上述的液晶显示装置(电光学装置)。
图14，为表示应用本发明的电子机器的便携式电话机(也包含PHS)的构成的立体图。
在该图中，便携式电话机1200，具备多个操作键1202、听话口1204以及传话口1206，同时显示部还具备上述液晶显示装置(电光学装置)10。
图15，为表示应用了本发明的电子机器的数字静态相机的构成的立体图。另外，在该图中，针对与外部机器的连接也简单表示。
在此，相对于一般的相机，通过被摄体的光像对银盐照相胶卷进行感光，而数字静态相加1300，通过CCD(Charge Couple Device)等摄像元件对被摄体的光像进行光电变换，生成摄像信号(图像信号)。
在数字静态相机1300中的壳子(机身)1302的背面，在显示部中设置上述液晶显示装置10，是基于根据CCD的摄像信号进行显示的构成，作为显示被摄体作为电子图像的打印机发挥功能。
在壳子的内部，设置电路基板1308。该电路基板1308，设置有能存储(记忆)摄像信号的存储器。
另外，关于壳子1302的正面侧(图示的构成中背面侧)，设置有包含光学透镜(摄影光学系)或CCD等在内的接受单元1304。
在摄影者对在液晶显示装置10中显示的被摄体像进行确认，并按下快门键1306时，将在该时刻的CCD的摄像信号，传送·保存在电路基板1308的存储中。
并且，在该数字静态相机1300中，在壳子1302的侧面，设置视频信号输出端子1312、和数据通信用的输入输出端子1314。并且，如图所示，根据需要，在视频信号输出端子1312中连接有数字监视器1430、在数据通信用的输入输出端子1314中连接有个人计算机1440。并且，其构成为，通过给定的操作，保存在电路基板1308的存储器中的摄像信号，向电视监视器1430、个人计算机1440输出的构成。
另外，本发明的电子机器，除图13的个人计算机(移动型个人计算机)、图14的便携式电话机、图15的数字静态相机之外，还可以应用于例如电视机、视频相机、取景器型、监视直视型的磁带录音机、携带型个人计算机、汽车导航装置、寻呼机、电子笔记本(也包含通信功能)、电子辞典、电子计算器、电子游戏机器、文字处理器、工作台、电视电话、防盗用电视监视器、电子双筒望远镜、POS终端、具备触摸屏的机器(例如金融机关的自动现金付款机、自动贩卖机)、医疗机器(例如电子体温计、血压计、血糖计、心电显示装置、超声波诊断装置、内视镜用显示装置)、鱼群探测机、各种测定机器、计量仪器类(例如车辆、航空飞机、船舶的机器类)、其它各种监视器类、投影仪等投射型显示装置等。
以上，基于图示的实施方式说明了本发明的电子器件用基板、电子器件用基板的制造方法、显示装置、电子机器，但本发明并非限于这些。
例如，虽然针对在本发明的电子器件用基板中，薄膜晶体管1具备的导电部354与电连接部370连接的情况作了说明，但本发明的电子器件用基板，并非限定于此，也可以应用于开关元件具备的任何端子与电连接部连接的情况。例如，还可以应用于薄膜晶体管1具备的漏极区域318直接与电连接部连接的情况。
作为开关元件，除薄膜晶体管之外，还可以应用于例如具备薄膜二极管(TED)等的情况。
另外，在本发明的电子器件用基板的制造方法中，也可以追加任意目的1道或者2道工序。
进一步，本发明的显示装置，并非限定于液晶面板的应用。例如，也可以应用于有机EL元件、电泳显示装置等。
(实施例)
接着，针对本发明的具体实施例进行说明。
(实施例)
(1)首先，准备如图5(g)所示的在适应玻璃基板上形成薄膜晶体管的部件。
(2)接着，按照使聚硅氮烷为0.5wt％的方式，通过旋涂法将被二甲苯溶解的液状材料向薄膜晶体管供给之后，以450℃×15分钟加热，并使液状材料干燥，从而在薄膜晶体管上形成平均厚度300nm的层尖绝缘膜。
(3)接着，在层间绝缘膜上，通过旋涂法对负性的抗蚀剂材料(东京化工股份有限公司制造『TELR-N101PM』)进行涂布。
接着，经由与在层间绝缘膜中形成的接触孔的形状对应的光掩膜，照射i线(波长：365nm，强度：120mJ/cm2)之后，通过NMD-W(显影液)被显影。这样，便得到在形成接触孔的区域，具有开口部的抗蚀剂层。
(4)接着，采用抗蚀剂层作为掩模，根据等离子蚀刻法通过对层间绝缘膜进行蚀刻，从而形成接触孔之后，将抗蚀剂层去除。
(5)接着，在腔内，分别在令形成薄膜晶体管一侧的面为垂直下方的阳极设置石英玻璃基板；在阴极设置由ITO构成的靶。
然后，采用氩作为放电气体，根据RF喷溅法向石英玻璃基板供给ITO。
这样，在层间绝缘膜的与石英玻璃基板相反侧的一面上以及过孔的内侧，形成由ITO构成的平均厚度100nm的导电性材料层。
另外，ITO，采用铟/锡(原子比)＝92.5/7.5。
在此，通过段差计对接触孔的导电膜内侧的空间进行测定，确认平均深度为180nm的段差。
(6)接着，按照分别通过旋涂法将溶解在乙醇中的液状材料，填充在接触孔的导电性材料层内侧的空间，同时覆盖导电性材料层的方式，供给氯化铟以及氯化锡之后，将液状材料中的乙醇去除(干燥)。
之后，在氮气氛(非氧化性气氛)中，以温度400℃×时间10分钟施以热处理。这样，使氯化铟和氯化锡产生反应，变化成ITO(导电性物质)，形成平均厚度50nm的填充材料层。
另外，氯化铟以及氯化锡的混合比，为铟/锡(原子比)＝92.5/7.5。
在此，虽然通过段差计测定与填充材料层上的接触孔对应的部分，但由连续的平滑面构成，无法识别段差。
(7)接着，在该填充材料层的与石英玻璃基板相反侧的面的除形成像素电极和电连接部的形成区域外的区域，采用喷墨法供给十三氟1，1，2，2四氢辛基三乙氧基甲硅烷的处理液之后，以100℃×10分钟施以热处理，使处理也干燥。这样，在除上述形成区域外的区域形成了疏液膜。
(8)接着，通过旋涂法涂布由上述工序(3)所采用的负性的抗蚀剂材料，对该抗蚀剂材料进行曝光·显影，并在上述形成区域形成抗蚀剂层。
(9)接着，采用由上述工序(7)所形成的抗蚀剂层作为掩模，在通过等离子蚀刻法将在除上述形成区域外的区域存在的疏液膜、填充材料层以及导电性材料层统一去除后，将抗蚀剂层去除。这样，在层间绝缘膜上形成像素电极和电连接部，得到电子器件用基板。
(10)接着，在按照将层间绝缘膜覆盖的方式，形成由聚酰亚胺构成的平均厚度60nm的定向膜之后，对于该定向膜，采用摩擦装置施以摩擦处理。
另外，令摩擦处理的条件为，塞进量：0.4mm，旋转数：600rpm，送入速度：1m/min。
(11)接着，采用具备定向膜的电子器件用基板，制造如图1所示的液晶显示装置。
虽然按照以上所形成的液晶显示装置制造了5个，但任一液晶显示装置中，都无法确认显示不均的发生。
(比较例)
除将上述工序(6)中的填充材料层的形成省略外，与上述实施例同样地制造液晶显示装置。
虽然按照以上所形成的液晶显示装置制造了5个，但任一液晶显示装置中，都能确认在与接触孔对应的部分发生了明显的显示不均。

Claims (14)

1、一种电子器件用基板，具备：
基板；
开关元件，其被设置在该基板上；
层间绝缘膜，其将该开关元件覆盖，并设置有到达所述开关元件的端子的接触孔；
像素电极，其被设置在所述层间绝缘膜上；和
电连接部，其由与该像素电极连续并在所述层间绝缘膜上面的一部分、所述接触孔的内面以及所述端子的表面通过气相工艺形成的导电膜、和按照使该导电膜中设于所述层间绝缘膜上面的部分露出且埋入所述接触孔的所述导电膜内侧的空间的方式选择性地被填充的填充材料所构成。
2、根据权利要求1所述的电子器件用基板，其特征在于，
所述电连接部的与所述基板相反侧的面、和所述像素电极的与所述基板相反侧的面，由连续的平滑面构成。
3、根据权利要求1所述的电子器件用基板，其特征在于，
所述电连接部的导电膜与所述像素电极的至少一部分，一体化形成。
4、根据权利要求1所述的电子器件用基板，其特征在于，
所述像素电极具有透光性。
5、根据权利要求1所述的电子器件用基板，其特征在于，
所述填充材料以导电性材料作为主要成分。
6、根据权利要求1所述的电子器件用基板，其特征在于，
所述填充材料以透明导电性材料作为主要成分。
7、根据权利要求1所述的电子器件用基板，其特征在于，
所述填充材料的构成材料是树脂。
8、一种电子器件用基板的制造方法，是制造权利要求1～7中的任一项所述的电子器件用基板的方法，其特征是，包括：
准备具备所述开关元件和所述层间绝缘膜的所述基板的工序；
在所述层间绝缘膜中形成所述接触孔的工序；
通过气相工艺供给导电性材料，在包含形成所述像素电极和所述电连接部的形成区域的区域，形成导电性材料层的工序；
在所述接触孔的所述导电性材料层内侧的空间，通过液相工艺选择性地填充填充材料的工序；
通过液相工艺供给掩模形成用材料，形成与所述形成区域对应的形状的掩模的工序；和
采用该掩模，将所述导电性材料层的无用部分去除，得到所述像素电极、和所述电连接部的工序。
9、根据权利要求8所述的电子器件用基板的制造方法，其特征在于，
在填充所述填充材料的工序之前，具有：在所述导电性材料层的与所述基板相反侧的面，施以使对于填充所述填充材料之际采用的液状材料的疏液性提高的处理的工序。
10、根据权利要求8所述的电子器件用基板的制造方法，其特征在于，
在形成所述掩模的工序之前，具有：在所述导电性材料层的与所述基板相反侧的面的除所述形成区域外的区域，施以使对于所述掩模形成用材料的疏液性提高的处理的工序。
11、一种电子器件用基板的制造方法，是制造权利要求1～7中任一项所述的电子器件用基板的方法，其特征是，包括：
准备具备所述开关元件和所述层间绝缘膜的所述基板的工序；
在所述层间绝缘膜中形成所述接触孔的工序；
通过气相工艺供给导电性材料，在包含形成所述像素电极和所述电连接部的形成区域的区域，形成导电性材料层的工序；
通过液相工艺供给所述填充材料，在所述导电性材料层上形成与所述形成区域对应的形状的填充材料层的工序；和
将该填充材料层作为掩模，将所述导电性材料层的无用部分去除，同时将该填充材料层的无用部分去除，得到所述像素电极和所述电连接部的工序。
12、根据权利要求11所述的电子器件用基板的制造方法，其特征在于，
在形成所述填充材料层的工序之前，在所述导电性材料层的与所述基板相反侧的面的除所述形成区域外的区域，施以使对于在供给所述填充材料之际采用的液状材料的疏液性提高的处理的工序。
13、一种显示装置，其特征在于，具备权利要求1～7中的任一项所述的电子器件用基板。
14、一种电子机器，其特征在于，具备权利要求13所述的显示装置。
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