CN101253419A

CN101253419A - X射线探测器和x射线探测器制造方法

Info

Publication number: CN101253419A
Application number: CNA2006800314089A
Authority: CN
Inventors: 唐德铮
Original assignee: 唐德铮
Current assignee: Xi'an Yisheng Photoelectric Technology Co., Ltd.
Priority date: 2005-09-01
Filing date: 2006-09-01
Publication date: 2008-08-27
Anticipated expiration: 2026-09-01
Also published as: WO2007025485A1; CN101253419B

Abstract

一种X射线探测器，包括：荧光板和光电转换板，所述荧光板上有包含沟槽的晶体硅层；第一屏蔽层，形成于晶体硅层上；硬掩膜层，形成于第一屏蔽层上；第二屏蔽层，沉积于沟槽侧壁；荧光层，填充于沟槽内，覆盖第二屏蔽层；选择反射层，覆盖硬掩膜层及荧光层；钝化层，形成于选择反射层上；氧化硅层，形成于晶体硅层上，用于荧光板和光电转换板间键合；微透镜，形成于氧化硅中。上述探测器可以使得荧光沟槽阵列与光电二极管阵列一一对应，荧光沟槽内的屏蔽层可以防止X射线产生串扰。

Description

射线探测器和 X射线探测器制造方法

技术领域

本发明涉及 X射线探测器和 X射线探测器制造方法，特别涉及一种用于射线照相检查设备的 X射线探侧器和 X射线探侧器，用于医疗诊断装置或无损检查装置等的 X射线图像检测器。

背景技术'

在 X射线摄影法中，根据组织和骨头的密度和化学成分，衰减对接受检查的病人施加其作用的 X辐射，将被检测的 X辐射的光于初始地由于闪烁器材料而在 X射线检测器中被吸收，这反过来重新发射可见光或紫外光范围中的光子。如此生成的光落在光敏器件上，该光敏器件通常包含许多单独的检测器元件，这些检测器元件也被指定通道。因此， X射线检测器可以由几千到几百万像素组成。 X射线检测器的分辨能力随着像素的数量一起增加。然而，分辨率主要受串扰消极影响，其中散射辐射获得与所提供的检测器元件相邻的检测器元件的接触。为了减少光线串扰，现有 X射线探测器结构，如图 1所示， X射线检测器的像素的结构，这包括检测器元件 1 , 并且中央定位于光电二极管 4的表面上。微透镜 3定位在检测器元件 1之上，其聚焦离开闪烁器元件 2的光 7。为了其部分，闪烁器元件 2将落在闪烁器元件 2上的 X 射线光转换为可见光或紫外光 7。通过微透镜 3聚焦的光 7落在光电二极管 4上，其又将入射的光转换为电信号。光电二极管 4因而只覆盖检测器元件 1的一小部分，而用于进一步处理电信号的各个电子元件 5 位于光电二极管 4之外部。然而，由于微透镜 3聚焦光 7,实际上利用从闪烁器元件 2始发的全部入射光表面，因为垂直落在微透镜 3上的光 7 实际上被全部聚焦在光电二极管 4上。同时，微透镜 3能将横向入射的光折射到光电二极管 4外部的检测器元件 1的区域上。现有 X射线探测器结构参考申请号为 200480002950的中国专利公开的技术方案。现有技术的 X射线探测器的荧光沟槽阵列与光电二极管阵列不能一一对应，而造成 X射线探测器质量下降；同时由于荧光沟槽中没有屏蔽层， X射线产生的串扰没有完全改善，从而影响 X射线探测信息的真实性。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种 X射线探测器和 X射线探测器制造方法，防止由于荧光沟槽阵列与光电二极管阵列不能——对应，而造成 X射线探测器质量下降；并且防止由于荧光沟槽中没有屏蔽层，而导致 X射线产生串扰，影响 X射线探测信息的真实性。本发明提供一种制作 X射线探测器荧光板的方法，包括下列步骤：提供包含晶体硅层和氧化硅层的晶圆；在晶体硅层上形成第一犀蔽层；在第一屏蔽层上沉积硬掩膜层；在硬掩膜层上形成开口图形；以硬掩膜层为掩膜蚀刻第一屏蔽层和晶体硅层至氧化硅层，形成沟槽；在沟槽侧壁形成第二屏蔽层；在沟槽内形成荧光层；在硬掩膜层及荧光层上沉积选择反射层；在选择反射层上形成钝化层。

用化学气相沉积或物理气相沉积或蒸发的方法形成厚度为 O.lum 至 10um的第一屏蔽层和第二屏蔽层。所述第一屏蔽层和第二屏蔽层为钨、钴、钽或钛与晶体硅层高温热处理形成的，高温热处理温度为 500°C至 1100°C。

用化学气相沉积或物理气相沉积或蒸发的方法形成硬掩膜层 ,所述硬掩膜层为氮化硅或氧化硅，厚度为 0.1 um至 10um。

用物理气相沉积法或蒸发或热溶灌注法形成荧光层，荧光层的材料为碘化铯或碘化钠或氟化钡。

用化学气相沉积法或物理气相沉积法形成选择性反射层，所述选择性反射层的材料为铝或钛，厚度为 O.lum至 lum。

用化学气相沉积法或旋涂法形成钝化层，钝化层的材料是氧化硅，厚度为 0.5um至 50um。

所述沟槽的深度为 5um至 1000um。

本发明提供一种 X射线探测器荧光板，包括：晶体硅层，所述晶体硅层中有沟槽，其特征在于，还包括：第一屏蔽层，形成于晶体硅层上；硬掩膜层，形成于第一屏蔽层上；第二屏蔽层，沉积于沟槽侧壁；荧光层，填充于沟槽内，覆盖第二屏蔽层；选择反射层，覆盖硬掩膜层及荧光层；飩化层，形成于选择反射层上。

用化学气相沉积或物理气相沉积或蒸发的方法形成厚度为 0. lum 至 10um的第一屏蔽层和第二屏蔽层。所述第一屏蔽层和第二屏蔽层为钨、钴、钽或钛与晶体硅层高温热处理形成的，高温热处理温度为 500°C至 1100°C。

用化学气相沉积或物理气相沉积或蒸发的方法形成硬掩膜层，所述硬掩膜层为氮化硅或氧化硅，厚度为 O.lum至 10um。

用物理气相沉积法或蒸发或热溶灌注法形成荧光层，荧光层的材料为碘化铯或碘化钠或氟化钡。择性反射层的材料为铝或钛 , 厚度为 0. lum至 lum。

本发明提供一种制作 X射线探测器的方法，包括下列步骤：提供含有第一对准标记的第一晶圆，包含第二对准标记的第二晶圓，所述第一晶圆包含晶体硅层和氧化硅层，第二晶圆包括有光电二极管阵列的晶体硅层和氧化硅层；在第一晶圆的晶体硅层上形成第一屏蔽层；在第一屏蔽层上沉积硬掩膜层；在硬掩膜层上形成开口图形；以硬掩膜层为掩膜蚀刻第一屏蔽层和晶体硅层至氧化硅层，形成沟槽；在沟槽侧壁形成第二屏蔽层；在沟槽内形成荧光层；在硬掩膜层及荧光层上沉积选择反射层；在选择反射层上形成飩化层，形成包含荧光沟槽阵列的荧光板；将第一晶圆的第一对准标记与第二晶圆的第二对准标记对准；将第一晶圆的氧化硅层和第二晶圆的氧化硅层进行键合，第一晶圓上的荧光沟槽阵列与第二晶圓上的光电二极管阵列一一对应；切割第一晶圆和第二晶圆，形成 X射线探测器芯片。

用化学气相沉积或物理气相沉积或蒸发的方法形成厚度为 O.lum 至 lOum的第一屏蔽层和第二屏蔽层。所述第一屏蔽层和第二屏蔽层为钨、钴、钽或钛与晶体硅层高温热处理形成的，高温热处理温度为 50CTC至 1100°C。

用物理气相沉积法或蒸发或热溶灌注法形成荧光层，荧光层的材料为碘化铯或碘化钠或氟化钡。风 'r玍反^ T ¾，所述选择性反射层的材料为铝或钛，厚度为 O.lum至 lum。

用化学气相沉积法或旋涂法形成钝化层，飩化层的材料是氧化硅，厚度为 0.5腿至 50讓。

所述沟槽的深度为 5um至 1000um。

用阳极键合法将第一晶圆的氧化硅层和第二晶圆的氧化硅层进行键合。

本发明提供一种 X射线探测器，包括：荧光板和光电转换板，所述荧光板上有包含沟槽的晶体硅层，其特征在于，还包括：第一屏蔽层，形成于晶体硅层上；硬掩膜层，形成于第一屏蔽层上；第二屏蔽层，沉积于沟槽侧壁；荧光层，填充于沟槽内，覆盖第二屏蔽层；选择反射层，覆盖硬掩膜层及荧光层；钝化层，形成于选择反射层上，氧化硅层，形成于晶体硅层上，用于荧光板和光电转换板间键合。

用化学气相沉积或物理气相沉积或蒸发的方法形成厚度为 0.1 um 至 10um的第一屏蔽层和第二屏蔽层。所述第一屏蔽层和第二屏蔽层为钨、钴、钽或钛与晶体硅层高温热处理形成的，高温热处理温度为 500°C至 1100°C。

用物理气相沉积法或蒸发或热溶灌注法形成荧光层，荧光层的材料为碘化铯或碘化钠或氟化钡。择性反射层的材料为铝或钛，厚度为 O.lum至 lum。

用化学气相沉积法或旋涂法形成钝化层 , 钝化层的材料是氧化硅，厚度为 0.5um至 50um。

用阳极键合法将荧光板和光电转换板进行键合

本发明提供一种制作 X射线探测器的方法，包括下列步骤：提供包含第一对准标记的第一晶圓，包含第二对准标记的第二晶圆，所述第一晶圆包含晶体硅层和氧化硅层，第二晶圆包括含光电二极管阵列的晶体管层和氧化硅层；在第一晶圓的晶体硅层上形成第一屏蔽层；在第一屏蔽层上沉积硬掩膜层；在硬掩膜层上形成开口图形；以硬掩膜层为掩膜蚀刻第一屏蔽层和晶体硅层至氧化硅层，形成沟槽；在沟槽侧壁形成第二屏蔽层；在沟槽内形成荧光层；在硬掩膜层及荧光层上沉积选择反射层；在选择反射层上形成钝化层，形成包含多个荧光沟槽阵列的荧光板；蚀刻第一晶圆沟槽对应的氧化硅层或蚀刻第二晶圆光电二极管对的氧化硅层，形成微透镜；将第一晶圆的第一对准标记与第二晶圆的第二对准标记对准；将第一晶圆的氧化硅层和第二晶圆的氧化硅层进行键合，第一晶圓上的荧光沟槽阵列与第二晶圓上的光电二极管阵列一一对应；切割第一晶圆和第二晶圆，形成 X射线探测器芯片。

用化学气相沉积或物理气相沉积或蒸发的方法形成厚度为 O.lum 至 1 Oum的第一屏蔽层和第二屏蔽层。所述第一屏蔽层和第二屏蔽层为钨、钴、钽或钛与晶体硅层高温热处理形成的，高温热处理温度为 500°C至 1100°C。

用物理气相沉积法或蒸发或热溶灌注法形成荧光层，荧光层的材料为碘化铯或碘化钠或氟化钡。用化学气相沉积法或物理气相沉积法形成选择性反射层，所述选择性反射层的材料为铝或钛，厚度为 O.lum至 lum。

所述沟槽的深度为 5um至 1000um。

本发明提供一种 X射线探测器，包括：荧光板和光电转换板，所述荧光板上有包含沟槽的晶体硅层，其特征在于，还包括：第一屏蔽层，形成于晶体硅层上；硬掩膜层，形成于第一屏蔽层上；第二屏蔽层，沉积于沟槽侧壁；荧光层，填充于沟槽内，覆盖第二屏蔽层；选择反射层，覆盖硬掩膜层及荧光层；钝化层，形成于选择反射层上，氧化硅层，形成于晶体硅层上，用于荧光板和光电转换板间键合，微透镜，形成于氧化硅中。

用物理气相沉积法或蒸发或热溶灌注法形成荧光层，荧光层的材料为碘化铯或碘化钠或氟化钡。择性反射层的材料为铝或钛，厚度为 0.1 um至 1 um。用化学气相沉积法或旋涂法形成钝化层，飩化层的材料是氧化硅，厚度为 0.5um至 50um。

用干法蚀刻法或湿法蚀刻法形成所述微透镜，所述 ί敖透镜为聚焦透镜，焦距为 lum至 1000um。

用阳极键合法将荧光板和光电转换板进行键合。

本发明一种制作 X射线探测器荧光板的方法，包括下列步骤：提供包含晶体硅层和氧化硅层的晶圓；在晶体硅层表面形成硬掩膜层；在硬掩膜层上形成开口图形；以硬掩膜层为掩膜，蚀刻晶体硅层至氧化硅层，形成沟槽；去除硬掩膜层；在沟槽侧壁及晶体硅层上形成屏蔽层；在沟槽内形成荧光层；在屏蔽层及荧光层上沉积选择反射层；在选择反射层上形成钝化层。

用化学气相沉积或物理气相沉积或蒸发的方法形成厚度为 0. lum 至 10um的屏蔽层。所述屏蔽层为钨、钴、钽或钛与晶体硅层高温热处理形成的，高温热处理温度为 500°C至 1100°C。

用化学气相沉积法或旋涂法形成钝化层，飩化层的材料是氧化硅，厚度为 0.5um至 50um。

所述沟槽的深度为 5um至 1000um。

本发明提供一种 X射线探测器荧光板，包括：晶体硅层' 所述晶体硅层中有沟槽，其特征在于，还包括：硬掩膜层，形成于晶体硅层上；屏蔽层，形成于沟槽侧壁及晶体硅层上；荧光层，填充于沟槽内，覆盖沟槽侧壁的屏蔽层；选择反射层，覆盖屏蔽层及荧光层；钝化层，形成于选择反射层上。

用化学气相沉积或物理气相沉积或蒸发的方法形成厚度为 O.lum 至 10um的屏蔽层。所述屏蔽层为钨、钴、钽或钛与晶体硅层高温热处理形成的，高温热处理温度为 500°C至 1100°C。

用物理气相沉积法或蒸发或热溶灌注法形成荧光层，荧光层的材料为化铯或換化钠或氟化钡。

用化学气相沉积法或物理气相沉积法形成选择性反射层,所述选择性反射层的材料为铝或钛，厚度为 0. lum至 lum。

本发明提供一种制作 X射线探测器的方法，包括下列步骤：提供包含第一对准标记的第一晶圆，包含第二对准标记的第二晶圆，所述第一晶圆包含晶体硅层和氧化硅层，第二晶圆包括含光电二极管阵列的晶体管层和氧化硅层；在第一晶圆的晶体硅层表面形成硬掩膜层；在硬掩膜层上形成开口图形；以硬掩膜层为掩膜，蚀刻晶体硅层至氧化硅层，形成沟槽；去除硬掩膜层；在沟槽侧壁及晶体硅层上形成屏蔽层；在沟槽内形成荧光层；在屏蔽层及荧光层上沉积选择反射层；在选择反射层上形成飩化层，形成包含荧光沟槽阵列的荧光板；第一晶圆的第一对准标记与第二晶圆的第二对准标记对准；将第一晶圆的氧化硅层和第二晶圓的氧化硅层进行键合，第一晶圆上的荧光沟槽阵列与第二晶圆上的光电二极管阵列——对应；切割第一晶圆和第二晶圓，形成 X射线探测器芯片。

用化学气相沉积或物理气相沉积或蒸发的方法形成厚度为 O.lum 至 lOum的屏蔽层。所述屏蔽层为钨、钴、钽或钛与晶体硅层高温热处理形成的，高温热处理温度为 500°C至 1100°C。

所述沟槽的深度为 5um至 1000um。

本发明提供一种 X射线探测器，包括：晶体硅层，所述晶体硅层中有沟槽，其特征在于，还包括：荧光板和光电转换板，所述荧光板上有包含沟槽的晶体硅层，其特征在于，还包括：硬掩膜层，形成于晶体硅层上；屏蔽层，形成于沟槽侧壁及晶体硅层上；荧光层，填充于沟槽内，覆盖沟槽侧壁的屏蔽层；选择反射层, 覆盖屏蔽层及荧光层；钝化层，形成于选择反射层上。氧化硅层，形成于晶体硅层上，用于荧光板和光电转换板间键合。用化学气相沉积或物理气相沉积或蒸发的方法形成厚度为 O.lum 至 10um的屏蔽层。所述屏蔽层为钨、钴、钽或钛与晶体硅层高温热处理形成的，高温热处理温度为 500°C至 1100°C。

用物理气相沉积法或蒸发或热溶灌注法形成荧光层，荧光层的材料为碘化铯或捵化钠或氟化钡。

用化学气相沉积法或物理气相沉积法形成选择性反射层，所述选择性反射层的材料为铝或钛，厚度为 0. lum至 lum。

用阳极键合法将荧光板和光电转换板进行键合。

本发明一种制作 X射线探测器的方法，包括下列步骤：

提供包含第一对准标记的第一晶圆，包含第二对准标记的第二晶圓，所述第一晶圓包含晶体硅层和氧化硅层，第二晶圓包括含光电二极管阵列的晶体管层和氧化硅层；在第一晶圆的晶体硅层表面形成硬掩膜层；在硬掩膜层上形成开口图形；以硬掩膜层为掩膜，蚀刻晶体硅层至氧化硅层，形成沟槽；去除硬掩膜层；在沟槽侧壁及晶体硅层上形成屏蔽层；在沟槽内形成荧光层；在屏蔽层及荧光层上沉积选择反射层；在选择反射层上形成钝化层，形成包含荧光沟槽阵列的荧光板；蚀刻第一晶圆沟槽对应的氧化硅层或蚀刻第二晶圆光电二极管对的氧化硅层，形成微透镜；将第一晶圆的第一对准标记与第二晶圆的第二对准标记对准；将第一晶圆的氧化硅层和第二晶圆的氧化硅层进行键合，第一晶圆上的荧光沟槽阵列与第二晶圆上的光电二极管阵列一一对应；切割第一晶圆和第二晶圆，形成 X射线探测器芯片。

用化学气相沉积法或物理气相沉积法形成选择性反射层,所述选择性反射层的材料为铝或钛，厚度为 O.lum至 lum。

所述沟槽的深度为 5um至 1000um。

用干法蚀刻法或湿法蚀刻法形成所述微透镜，所述微透镜为聚焦透镜，焦距为 lum至 1000um。

本发明提供一种 X射线探测器，包括：晶体硅层，所述晶体硅层中有沟槽，其特征在于，还包括：荧光板和光电转换板，所述荧光板上有包含沟槽的晶体硅层，其特征在于，还包括：硬掩膜层，形成于晶体硅层上；屏蔽层，形成于沟槽侧壁及晶体硅层上；荧光层，填充于沟槽内，覆盖沟槽侧壁的屏蔽层；选择反射层，覆盖屏蔽层及荧光层；钝化层，形成于选择反射层上；氧化硅层，形成于晶体硅层上，用于荧光板和光电转换板间键合；微透镜，形成于氧化硅中。用化学气相沉积或物理气相沉积或蒸发的方法形成厚度为 0. lum 至 10um的屏蔽层。所述屏蔽层为钨、钴、钽或钛与晶体硅层高温热处理形成的，高温热处理温度为 500°C至 1100°C。

择性反射层的材料为铝或钛，厚度为 O.lum至 lum。

用化学气相沉积法或旋涂法形成钝化层，钝化层的材料是氧化石圭，厚度为 0.5um至 50um。

用干法蚀刻法或湿法蚀刻法形成所述微透镜，所述透镜为聚焦透镜，焦距为 lum至 1000um。

用阳极键合法将荧光板和光电转换板进行键合。

附图说明

图 1是现有 X射线探测器的示意图。

图 2A至图 2G是本发明第一实施例制作 X射线探测器荧光板的示意图。图 3 A至图 3F是本发明第二实施例制作 X射线探测器荧光板的示意图。图 4 A至图 4D是本发明第一实施例制作 X射线探测器的示意图。图 5 A至图 5D是本发明第二实施例制作 X射线探测器的示意图。图 6A至图 6C是本发明第三实施例制作 X射线探测器的示意图。图 7 A至图 7D是本发明第四实施例制作 X射线探测器的示意图。图 8 A至图 8B是本发明第五实施例制作 X射线探测器的示意图。图 9A至图 9C是本发明第六实施例制作 X射线探测器的示意图。具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。

一种 X射线探测器荧光板，包括：晶体硅层，所述晶体硅层中有沟槽，其特征在于，还包括：笫一屏蔽层，形成于晶体硅层上；硬掩膜层，形成于第一屏蔽层上；第二屏蔽层，沉积于沟槽侧壁；荧光层，填充于沟槽内，覆盖第二屏蔽层；选择反射层, 覆盖硬掩膜层及荧光层；飩化层，形成于选择反射层上。

制作这种 X射线探测器荧光板的方法，包括下列步骤：提供包含晶体硅层和氧化硅层的晶圆；在晶体硅层上形成第一屏蔽层；在第一屏蔽层上沉积硬掩膜层；在硬掩膜层上形成开口图形；以硬掩膜层为掩膜蚀刻第一屏蔽层和晶体硅层至氧化硅层，形成沟槽；在沟槽侧壁形成第二屏蔽层；在沟槽内形成荧光层；在硬掩膜层及荧光层上沉积选择反射层；在选择反射层上形成钝化层。

用图 2A至图 2G说明这种 X射线探测器及制作 X射线探测器的方法。图 2A至图 2G是本发明第一实施例制作 X射线探测器荧光板的示意图。如图 2A所示，晶圓 200上包含晶体硅层 202和氧化硅层 201 , 所述晶体硅层 202可以是单晶硅或多晶硅；在晶体硅层 202上用化学气相沉积或物理气相沉积或蒸发的方法形成钨，在温度为 500Ό至 1100 °C时钨与晶体硅层反应生成硅化钨作为第一屏蔽层 203; 用化学气相沉积或物理气相沉积或蒸发的方法在第一屏蔽层 203上形成硬掩膜层 204; 在硬掩膜层 204上涂覆光阻层 205 , 经过曝光和显影在光阻层 205上形成开口的阵列图案。

如图 2B所示，以光阻层 205为掩膜，用干法蚀刻法或湿法蚀刻法蚀刻硬掩膜层 204, 将开口的阵列图案转移至硬掩膜层 204; 去除光阻层 205。

如图 2C所示，以硬掩膜层 204为掩膜，用干法蚀刻法或湿法蚀刻法蚀刻第一屏蔽层 203和晶体硅层 202至氧化硅层 201表面，形成沟槽 206。

如图 2D所示，在硬掩膜层 204上及沟槽 206底部和侧壁用化学气相沉积或物理气相沉积或蒸发的方法形成钨，在温度为 500 °C至 1100 °C 时钨与晶体硅层反应生成硅化钨作为第二屏蔽层 207 , 用氢氟酸或硫酸去除硬掩膜层 204上及沟槽 206底部未与晶体硅层 202接触反应的

如图 2E所示，在硬掩膜层 204上及沟槽 206底部和侧壁用化学气相沉积法或物理气相沉积法形成反射增强层 208。

如图 2F所示，用物理气相沉积法或蒸发或热溶灌注法在反射增强层 208上及沟槽 206内形成荧光层 209; 研磨荧光层 209和反射增强层

208至硬掩月层204。

如图 2G所示，在硬掩膜层 204及荧光层 209上用化学气相沉积法或物理气相沉积法形成选择性反射层 210; 用化学气相沉积法或旋涂法在选择性反射层 210上沉积钝化层 211 , 形成包含荧光沟槽的荧光板。

本实施例中，形成第一屏蔽层 203和第二屏蔽层 207的金属除钨以夕 |、，还钴、钽或钛。所形成的第一屏蔽层 203和第二屏蔽层 207的厚度为 O. lum至 lOum, 具体厚度为 0.1um、 0.5腿、 1丽、 2聰、 3腿、 4um、 5um、 6um、 7um、 8um、 9um或 10um。

本实施例中，硬掩膜层 204的材料为氮化硅或氧化硅，厚度为 O. l um至〗. Oum, 具体厚度为 0.1um、 0.5um、 lum、 2um、 3um、 4um、 5um、 6um、 7um、 8um、 9um或 10um。

本实施例中，沟槽 206的深度为 5um至 1 OOOum , 沟槽是贯通晶体石圭层 202的，具体深度例口： 5um、 10um、 50um、 100um、 200um、 300um、 400um、 500um、 600um、 700um、 800um、 900um或 1000um。

本实施例中，反射增强层 208的材料是氧化硅，厚度为为 O.lumlOum,具体厚度为 0.1um、 0.5um、 lum、 2um、 3um、 4um、 5um、 6um、 7um、 8um、 9um或 10um。

沟槽 206内填充的荧光物质为碘化铯或碘化钠或氟化钡，本实施例优选破化铯掺。

本实施例中，选择性反射层的材料为铝或钛，厚度为 O.lum至 lum, 具体厚度例 0.1um、 0.2um、 0.3um、 0.4um、 0.5um、 0.6um、 0.7um、 0.8um、 0.9um或 lum。钝化层 211的材料为氧化硅，厚度为 0.5um 至 50um, 具体厚度为 0.5um至 50um，具体厚度为 0.5um、 lum、 10um、 20um、 30um、 40腦或 50um。

另一种 X射线探测器荧光板，包括：晶体硅层，所述晶体硅层中有沟槽，其特征在于，还包括：硬掩膜层，形成于晶体硅层上；屏蔽层，形成于沟槽侧壁及晶体硅层上；荧光层，填充于沟槽内，覆盖沟槽侧壁的屏蔽层；选择反射层，覆盖屏蔽层及荧光层；钝化层，形成于选择反射层上。

制作这种 X射线探测器荧光板的方法，包括下列步骤：提供包含晶体硅层和氧化硅层的晶圓；在晶体硅层表面形成硬掩膜层；在硬掩膜层上形成开口图形；以硬掩膜层为掩膜，蚀刻晶体硅层至氧化硅层，形成沟槽；去除硬掩膜层；在沟槽侧壁及晶体硅层上形成屏蔽层；在沟槽内形成荧光层；在屏蔽层及荧光层上沉积选择反射层；在选择反射层上形成钝化层。

用图 3A至图 3G说明这种 X射线探测器及制作 X射线探测器的方法。图 3 A至图 3G是本发明第二实施例制作 X射线探测器荧光板的示意图。如图 3A所示，晶圆 300上包含晶体硅层 302和氧化硅层 301，所述晶体硅层 302可以是单晶硅或多晶硅；在晶体硅层 302上用化学气相沉积或物理气相沉积或蒸发的方法形成硬掩膜层 303 ; 在硬掩膜层 303 上涂覆光阻层 304,经过曝光和显影在光阻层 304上形成开口的阵列图案；以光阻层 304为掩膜，用干法蚀刻法或湿法蚀刻法蚀刻硬掩膜层 303，将开口的阵列图案转移至硬掩膜层 303。

如图 3B所示，去除光阻层 304, 以硬掩膜层 303为掩膜，干法蚀刻法或湿法蚀刻法蚀刻晶体硅层 302至氧化硅层 301表面，形成沟槽 305。

如图 3C所示，去除硬掩膜层 303; 在晶体硅层 302上及沟槽 305底部和侧壁用化学气相沉积或物理气相沉积或蒸发的方法形成钨，在温度为 500 °C至 1100 °C时钨与晶体硅层反应生成硅化钨作为屏蔽层 306 , 用氢氟酸或硫酸去除硬掩膜层沟槽 305底部未与晶体硅层 302接触反应的钨。

如图 3D所示，在屏蔽层 306上及沟槽 305底部和侧壁用化学气相沉积法或物理气相沉积法形成反射增强层 307。

如图 3E所示，用物理气相沉积法或蒸发或热溶灌注法在反射增强层 307上及沟槽 305内沉积荧光物质 308;研磨荧光层 308和反射增强层 307至屏蔽层 306。

如图 3F所示，在屏蔽层 306及荧光层 308上用化学气相沉积法或物理气相沉积法形成选择性反射层 309; 用化学气相沉积法或旋涂法在选择性反射层 309上沉积钝化层 310, 形成包含荧光沟槽的荧光板。

本实施例中，形成屏蔽层 306的金属除钨以外，还钴、钽或钛。所形成屏蔽层 306的厚度为 O.lum至 10um, 具体厚度为 0.1um、 0.5um、 lum、 2um、 3um、 4um、 5um、 6um、 7um、 8um、 9um或 lOum

本实施例中，硬掩膜层 303的材料为氮化硅或氧化硅，厚度为 O.lum至 lOum, 具体厚度为 0.1um、 . 0.5um、 lum、 2um、 3um、 4um、 5um、 6um、 7um、 8um、 9um或 10um。

本实施例中，沟槽 305的深度为 5um至 lOOOum, 沟槽是贯通晶体硅层 302的，具体深度例如： 5um、 10um、 50um、 100um、 200um、 300um、 400um、 500um、 600um、 700um、 800um、 900um或 1000um。

本实施例中，反射增强层 307的材料是氧化硅，厚度为为 O.lum至 10丽, 具体厚度为 0.1um、 0.5觀、 1丽、 2um、 3um、 4um、 5画、 6um、 7um、 8um、 9um或 10um。

沟槽 305内填充的荧光层为碘化铯或碘化钠或氟化钡，本实施例优选碘化铯。

本实施例中，选择性反射层的材料为铝或钛，厚度为 O.lum至 lum, 具体厚度例 :^0.1um、 0.2um、 0.3um、 0.4um、 0.5um、 0.6um、 0.7um、 0.8um、 0.9um或 lum。飩化层 310的材料为氧化硅，厚度为 0.5um 至 50um, 具体厚度为 0.5um至 50um, 具体厚度为 0.5um、 lum、 10um、 20um、 30um、 40um或 50讓。

图 4A至图 4D是本发明第一实施例制作 X射线探测器的示意图。如图 4A所示，第一晶圓 400上包含晶体硅层 402和氧化硅层 401 , 所述晶体硅层 402可以是单晶硅或多晶硅；在晶体硅层 402上用化学气相沉积或物理气相沉积或蒸发的方法形成钨，在温度为 500°C至 1100°C时，钨与晶体硅层 402生成硅化钨作为第一屏蔽层 403；用化学气相沉积或物理气相沉积或蒸发的方法在第一屏蔽层 403上形成硬掩膜层 404;在硬掩膜层 404上涂覆光阻层（未图示），经过曝光和显影在光阻层上形成开口的阵列图案；去除光阻层，以硬掩膜层 404为掩膜，用干法蚀刻或湿法蚀刻的蚀刻晶体硅层 402至氧化硅层 401表面，形成沟槽 405。

如图 4B所示，在硬掩膜层 404上及沟槽 405底部和侧壁用化学气相沉积或物理气相沉积或蒸发的方法形成钨，经过高温热处理使钨与沟槽 405侧壁的晶体硅层 402生成硅化钨作为第二屏蔽层 406，用氢氟酸或石 A酸去除硬掩膜层 404上及沟槽 405底部未与晶体硅层 402接触反应的钨；在硬掩膜层 404上及沟槽 405底部和侧壁用化学气相沉积法或物理气相沉积法形成反射增强层 407; 用物理气相沉积法或蒸发的方法在反射增强层 407上及沟槽 405内沉积荧光物质 408;研磨荧光物质 408 和反射增强层 407至硬掩膜层 404。

如图 4C所示，在硬掩膜层 404及荧光物质 408上用化学气相沉积法或物理气相沉积法形成选择性反射层 409；用化学气相沉积法或旋涂法在选择性反射层 409上沉积钝化层 410，形成多个荧光沟槽。

如图 4D所示，在包含光电二极管 433阵列第二晶圆 430上形成氧化硅层 432;将第一晶圓 400的第一对准标记 412与第二晶圆 430的第二对准标记对准 431 ; 用阳极键合法将第一晶圆 400的氧化硅层 401和第二晶圆 430的氧化硅层 432进行键合，第一晶圆 400上的荧光沟槽 411 阵列与第二晶圓 430上的光电二极管 433阵列一"" ~对应；切割第一晶圆 400和第二晶圓 430, 形成 X射线探测器芯片。

本实施例中，形成第一屏蔽层 403和第二屏蔽层 406的金属是钨，除此之外还可是钴、钽或钛。所述第一屏蔽层 403和第二屏蔽层 406 的作用是屏蔽 X射线，防止产生窜绕现象。形成的第一屏蔽层 403和第二屏蔽层 406的厚度为 0. lum至 10um, 具体厚度为 0.1um、 0.5um、 lum、 2um、 3um、 4um、 5um、 6um、 7um、 8um、 9um或 10um。所述高温热处理形成的第一屏蔽层 403和第二屏蔽层 406的温度为 500°C 至 1100°C , 具体温度例如 500°C、 600°C、 700 °C、 800°C、 900°C、 1000 1或1100°( 。

本实施例中，硬掩膜层 404的材料为氮化硅或氧化硅，厚度为

O.lum至 lOum, 具体厚度为 0.1疆、 0.5醒、 1腿、 2醒、 3丽、 4丽、 5um、 6um、 7um、 8um、 9um或 10um。

本实施例中，沟槽 405的深度为 5um至 lOOOum, 沟槽是贯通晶体硅层 402的，具体深度例如： 5um、 10um、 50um、 100um、 200um、 300um、 400um、 500um、 600um、 700um、 800um、 900um或 1000um。

本实施例中，反射增强层 407的材料是氧化硅，厚度为为 O.lum至 lOum, 具体厚度为 0.1um、 0.5腿、 1腿、 2um、 3誰、 4碰、 5丽、 6um、 7um、 8um、 9um或 10um。反射增强层 407的作用是防止入射至沟槽 405侧壁的荧光全部被第二屏蔽层 406吸收，而是将荧光全反射，增加了荧光的利用率。

沟槽 405内填充的荧光物质为碘化铯或碘化钠，本实施例优选碘化铯。荧光物质将 X射线转换成荧光。

本实施例中，选择性反射层 409的材 y料为铝或钛，厚度为 O.lum 至 lum, 具体厚度例如 0.1賺、 0.2麵、 0.3um、 0.4丽、 0.5醒、 0.6囊、 0.7um、 0.8um、 0.9um或 lum。选择性反射层 409的作用是透射 X射线，对荧光全反射。

本实施例中，钝化层 410的材料为氧化硅，厚度为 0.5um至 50um，具体厚度例如 0.5um、 5um、 10um、 20um、 30um、 40 um或 50um。

用阳极键合法将第一晶圆 400的氧化硅层 401和第二晶圓 430的氧化硅层 432进行键合，除实施例外，还可用阳极键合法将第一晶圆 400 的氧化硅层 401直接和第二晶圆 430的包含驱动电路、光电二极管及晶体管的晶体硅层 434进行键合。

图 5A至图 5D是本发明第二实施例制作 X射线探测器的示意图。如图 5A所示，第一晶圆 500上包含晶体硅层 502和氧化硅层 501 , 所述晶体硅层 502可以是单晶硅或多晶硅；在晶体硅层 502上用化学气相沉积或物理气相沉积或蒸发的方法形成钨，经过高温热处理使钨与晶体硅层 502生成硅化钨作为第一屏蔽层 503;用化学气相沉积或物理气相沉积或蒸发的方法在第一屏蔽层 503上形成硬掩膜层 504; 在硬掩膜层 504上涂覆光阻层（未图示），经过曝光和显影在光阻层上形成开口的阵列图案；去除光阻层，以硬掩膜层 504为掩膜，用干法蚀刻或湿法蚀刻的蚀刻晶体硅层 502至氧化硅层 501表面 , 形成沟槽 505。

如图 5B所示，在硬掩膜层 504上及沟槽 505底部和侧壁用化学气相沉积或物理气相沉积或蒸发的方法形成钨，经过高温热处理使钨与沟槽 505侧壁的晶体硅层 502生成硅化钨作为第二屏蔽层 506, 用氢氟酸或硫酸去除硬掩膜层 504上及沟槽 505底部未与晶体硅层 502接触反应的钨；在硬掩膜层 504上及沟槽 505底部和侧壁用化学气相沉积法或物理气相沉积法形成反射增强层 507; 用物理气相沉积法或蒸发的方法在反射增强层 507上及沟槽 505内沉积荧光物质 508;研磨荧光物质 508 和反射增强层 507至硬掩膜层 504

如图 5C所示，在硬掩膜层 504及荧光物质 508上用化学气相沉积法或物理气相沉积法形成选择性反射层 509; 用化学气相沉积法或旋涂法在选择性反射层 509上沉积钝化层 510, 形成多个荧光沟槽；在氧化硅层 501上形成光阻层（未图示），经过曝光和显影，在沟槽对应位置形成开口图形；以光阻层为掩模蚀刻氧化硅层 501，形成微透镜 512 如图 5D所示，在包含光电二极管 533阵列第二晶圆 530上形成氧化硅层 532;将第一晶圆 500的第一对准标记 512与第二晶圆 530的第二对准标记对准 531 ; 用阳极键合法将第一晶圆 500的氧化硅层 501和第二晶圆 530的氧化硅层 532进行键合，第一晶圆 500上的荧光沟槽 511 阵列与第二晶圆 530上的光电二极管 533阵列——对应；切割第一晶圓 500和第二晶圆 530，形成 X射线探测器芯片。

本实施例中，形成第一屏蔽层 503和第二屏蔽层 506的金属是钨，除此之外还可是钴、钽或钛。所述第一屏蔽层 503和第二屏蔽层 506 的作用是屏蔽 X射线，防止产生窜绕现象。形成的第一屏蔽层 503和第二屏蔽层 506的厚度为 O.lum至 10um, 具体厚度为 0.1um 0.5um lum 2um 3um 4um 5um 6um 7um 8um 9um或 10um。所述高温热处理形成的第一屏蔽层 503和第二屏蔽层 506的温度为 500°C 至 1100'C , 具体温度例如 500°C 600°C 700°C 800 °C 900 °C 1000 °C或 1100 C

本实施例中，硬掩膜层 504的材料为氮化硅或氧化硅，厚度为 O.lum至 lOum, 具体厚度为 0.1um 0.5um lum 2um 3um 4um 5um 6 7um 8um 9um或 10um

本实施例中，沟槽 505的深度为 5um至 lOOOum, 沟槽是贯通晶体硅层 402的，具体深度例如： 5um、 10um、 50um、 100um、 200um、 300um、 400um、 500um、 600um、 700um、 800um、 900um或 1000um。

本实施例中，反射增强层 507的材料是氧化硅，厚度为为 O.lum至 lOum, 具体厚度为 0.1um、 0.5腿、 lum、 2um、 3um、 4um、 5um、 6um、 7um、 8um、 9um或 10um。反射增强层 507的作用是防止入射至沟槽 405侧壁的荧光全部被第二屏蔽层 406吸收，而是将荧光全反射，增加了荧光的利用率。

沟槽 505内填充的荧光物质为碘化铯或碘化钠，本实施例优选碓化铯。荧光物质将 X射线转换成荧光。

本实施例中，选择性反射层 509的材 y料为铝或钛，厚度为 O.lum 至 lum, 具体厚度例¾p0.1um、 0.2um、 0.3um、 0.4um、 0.5um、 0.6um、 0.7um、 0.8um、 0.9um或 lum。选择性反射层 509的作用是透射 X射线，对荧光全反射。

本实施例中，钝化层 510的材料为氧化硅，厚度为 0.5um至 50um, 具体厚度例如 0.5um、 5um、 10um、 20um、 30um、 40 um或 50um。

本实施例中用干法蚀刻法或湿法蚀刻法形成所述微透镜，所述微透镜为聚焦透镜，焦距为 lum至 lOOOum, 具体焦距用来 lum、 50um、 100um、 200腿、 300um、 400腿、 500腿、 600職、 700画、 800醒、 900um或 1000um。

用阳极键合法将第一晶圆 400的氧化硅层 401和第二晶圆 430的氧化硅层 432进行键合，除实施例外，还可用阳极键合法将第一晶圆 400 的氧化硅层 401直接和第二晶圓《0的包含驱动电路、光电二极管及晶体管的晶体硅层 434进行键合。图 6A至图 6C是本发明第三实施例制作 X射线探测器的示意图。如图 6A所示，在第一晶圆 600上用图 2A至图 2G所述的方法形成 X射线探测器荧光板，荧光板上包括荧光沟槽 603阵列；所述第一晶圆 600包括氧化硅层 601和晶体硅层 602，荧光沟槽 603阵列在晶体硅层 602中。

如图 6B所示，在包含光电二极管 633阵列第二晶圆 630上形成氧化硅层 632; 在氧化硅层 632上形成光阻层（未图示），经过曝光和显影，在光电二极对应管 633对应位置形成开口图形；以光阻层为掩模蝕刻氧化硅层 632，形成透镜 635。

如图 6C所示，将第一晶圆 600的第一对准标记 612与第二晶圆 630 的第二对准标记 631对准；用阳极键合法将第一晶圆 600的氧化硅层 601和第二晶圆 630的氧化硅层 632进行键合，第一晶圆 600上的荧光沟槽 603阵列与第二晶圆 630上的光电二极管 633阵列——对应；切割第一晶圆 600和第二晶圆 630, 形成 X射线探测器芯片。

图 7A至图 7D是本发明第四实施例制作 X射线探测器的示意图。如图 7A所示，晶圆 700上包含晶体硅层 702和氧化硅层 701 , 所述晶体硅层 702可以是单晶硅或多晶硅；在晶体硅层 702上用化学气相沉积或物理气相沉积或蒸发的方法形成硬掩膜层 703；在硬掩膜层 703上涂覆光阻层（未图示），经过曝光和显影在光阻层上形成开口的阵列图案；以光阻层为掩膜，用干法蚀刻法或湿法蚀刻法蚀刻硬掩膜层 703，将开口的阵列图案转移至硬掩膜层 703 ; 去除光阻层，以硬掩膜层 703 为掩膜，用干法蚀刻法或湿法蚀刻法蚀刻晶体硅层 702至氧化硅层 701 表面，形成沟槽 705。

如图 7B所示，去除硬掩膜层 703; 在晶体硅层 702上及沟槽 705底部和侧壁用化学气相沉积或物理气相沉积或蒸发的方法形成钨，经过高温热处理使钨与晶体硅层 702生成硅化钨作为屏蔽层 706，用氢氟酸或硫酸去除沟槽 705底部未与晶体硅层 702接触反应的钨；在屏蔽层 706上及沟槽 705底部和侧壁用化学气相沉积法或物理气相沉积法形成反射增强层 707; 用化气相沉积法或物理气相沉积法在反射增强层 707上及沟槽 705内沉积荧光物质 708;研磨荧光物质 708和反射增强层 707至屏蔽层 706。

如图 7C所示，在屏蔽层 706及荧光物质 708上用化学气相沉积法或物理气相沉积法形成选择性反射层 709；用用化学气相沉积法或旋涂法在选择性反射层 709上沉积钝化层 710, 形成多个荧光沟槽 711。

如图 7D所示，在包含光电二极管 733阵列第二晶圆 730上形成氧化硅层 732;将第一晶圆 700的第一对准标记 712与第二晶圆 730的第二对准标记对准 731；用阳极键合法将第一晶圆 700的氧化硅层 701和第二晶圓 730的氧化硅层 732进行键合 , 第一晶圆 700上的荧光沟槽 711 阵列与第二晶圓 730上的光电二极管 733阵列一一对应；切割第一晶圆 700和第二晶圆 730，形成 X射线探测器芯片。

本实施例中，形成屏蔽层 706的金属是鵠，除此之外还可是钴、钽或钛。所述屏蔽层 706的作用是屏蔽 X射线，防止产生窜绕现象。形成的屏蔽层 706的厚度为 O.lum至 10um, 具体厚度为 0.1um、 0.5um、 lum、 2um、 3um、 4um、 5um、 6um、 7um、 8um、 9um或 10um。所述高温热处理形成的屏蔽层 706的温度为 500°C至 110(TC，具体温度例如 500。C、 600。C、 700°C、 800 °C、 900。C、 1000°C或 1100°C。

本实施例中，沟槽 705的深度为 5um至 lOOOum, 沟槽 705是贯通晶体硅层 702的，具体深度例如： 5um、 10丽、 50um、 100um、 200um、 300um、 400醒、 500廳、 600um、 700醫、 800職、 900薦或 1000腿。本实施例中，反射增强层 707的材料是氧化硅，厚度为为 O.lum至 lOum, 具体厚度为 0.1um、 0.5um、 1丽、 2um、 3um、 4um、 5um、 6um、 7um、 8um、 9um或 10um。反射增强层 707的作用是防止入射至沟槽 705侧壁的荧光全部被屏蔽层 706吸收，而是将荧光全反射，增加了荧光的利用率。

沟槽 705内填充的荧光物质为碘化铯或碘化钠，本实施例优选碘化铯。荧光物质将 X射线转换成荧光。

本实施例中，选择性反射层 709的材料为铝或钛，厚度为 O.lum至 lum, 具体厚度例^口 0.1um、 0.2um、 0.3um、 0.4um、 0.5丽、 0.6um、 0.7um、 0.8um、 0.9um或 lum。选择性反射层 709的作用是透射 X射线，对荧光全反射。

本实施例中，钝化层 710的材料为氧化硅，厚度为 0.5um至 50um, 具体厚度例: ^0.5um、 5um、 10um、 20um、 30um、 40 um或 50um。

用阳极键合法将第一晶圓 700的氧化硅层 701和第二晶圆 730的氧化硅层 732进行键合，除实施例外，还可用阳极键合法将第一晶圆 700 的氧化硅层 701直接和第二晶圆 730的包含驱动电路、光电二极管及晶体管的晶体硅层 734进行键合。图 8 A至图 8B是本发明第五实施例制作 X射线探测器的示意图。如图 8A所示，在第一晶圆 800上用图 3 A至图 3G所述的方法形成 X射线探测器荧光板，荧光板上包括荧光沟槽 803阵列；所述第一晶圆 800包括氧化硅层 801和晶体硅层 802, 荧光沟槽 803阵列在晶体硅层 802中；在第一晶圆 800的氧化硅层 801上形成光阻层 (未图示）, 经过曝光和显影，在荧光沟槽 803对应位置形成开口图形；以光阻层为掩模蚀刻氧化硅层 801 , 形成透镜 805。

如图 8B所示，将第一晶圆 800的第一对准标记 812与第二晶圆 830 的第二对准标记 831对准；用阳极键合法将第一晶圆 800的氧化硅层 801和第二晶圆 830的氧化硅层 832进行键合，第一晶圓 800上的荧光沟槽 80³阵列与第二晶圆 830上的光电二极管 833阵列——对应；切割第一晶圆 800和第二晶圆 830 , 形成 X射线探测器芯片。图 9A至图 9C是本发明第六实施例制作 X射线探测器的示意图。如图 9A所示，在第一晶圆 900上用图 3A至图 3G所述的方法形成 X射线探测器荧光板，荧光板上包括荧光沟槽 903阵列；所述第一晶圆 900包括氧化硅层 901和晶体硅层 902, 荧光沟槽 903阵列在晶体硅层 902中。

如图 9B所示，在包含光电二极管 933阵列第二晶圆 930上形成氧化硅层 932; 在氧化硅层 932上形成光阻层 934, 经过曝光和显影，在光电二极对应管 933对应位置形成开口图形；以光阻层 934为掩模蚀刻氧化硅层 932, 形成微透镜 935。

如图 9C所示，将第一晶圆 900的第一对准标记 912与第二晶圓 930 的笫二对准标记 931对准；用阳极键合法将第一晶圓 900的氧化硅层 901和第二晶圆 930的氧化硅层 932进行键合，第一晶圆 900上的荧光沟槽 903阵列与第二晶圆 930上的光电二极管 933阵列——对应；切割第一晶圆 900和第二晶圓 930, 形成 X射线探测器芯片。

本发明虽然以较佳实施例公升如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以做出可能的变动和修改，因此本发明的保护范围应当以本发明权利要求所界定的范围为准。

Claims

权利要求

1. 一种制作 X射线探测器荧光板的方法，包括下列步骤：

提供包含晶体硅层和氧化硅层的晶圆；

在晶体硅层上形成第一屏蔽层；

在第一屏蔽层上沉积硬掩膜层；

在硬掩膜层上形成开口图形； .

以硬掩膜层为掩膜蚀刻第一屏蔽层和晶体硅层至氧化硅层，形成沟槽；

在沟槽侧壁形成第二屏蔽层；

在沟槽内形成荧光层；

在硬掩膜层及荧光层上沉积选择反射层；

在选择反射层上形成钝化层。

2. 根据权利要求 1所述的制作 X射线探测器荧光板的方法，其特征在于：用化学气相沉积或物理气相沉积或蒸发的方法形成第一屏蔽层和第二屏蔽层。

3. 根据权利要求 2所述的制作 X射线探测器荧光板的方法，其特征在于：所述第一屏蔽层和第二屏蔽层的厚度为 O.lum至 10um。

4. 根据权利要求 3所述的制作 X射线探测器荧光板的方法，其特征在于：所述第一屏蔽层和第二屏蔽层为钨、钴、钽或钛与晶体硅层高温热处理形成的，高温热处理温度为 500°C至 1100°C。

5. 根据权利要求 1所述的制作 X射线探测器荧光板的方法，其特征在于：用化学气相沉积或物理气相沉积或蒸发的方法形成硬掩膜层。

6. 根据权利要求 5述的制作 X射线探测器荧光板的方法，其特征在于：所述硬掩膜层为氮化硅或氧化硅厚度为 0.1 um至 10um

7. 根据权利要求 1所述的制作 X射线探测器荧光板的方法，其特征在于：用物理气相沉积法或蒸发或热溶灌注法形成荧光层，荧光层的材料为碘化铯或碘化钠或氟化钡。

8. 根据权利要求 1所述的制作 X射线探测器荧光板的方法，其特征在于：用化学气相沉积法或物理气相沉积法形成选择性反射层。

9. 根据权利要求 8所述的制作 X射线探测器荧光板的方法，其特征在于：所述选择性反射层的材料为铝或钛，厚度为 O.lum至 lum

10. 根据权利要求 1所述的制作 X射线探测器荧光板的方法，其特征在于：用化学气相沉积法或旋涂法形成钝化层，钝化层的材料是氧化硅，厚度为 0.5um至 50um

1 1. 根据权利要求 1所述的制作 X射线探测器荧光板的方法，其特征在于：所述沟槽的深度为 5um至 1000

12. 一种 X射线探测器荧光板，包括：晶体硅层，所述晶体硅层中有沟槽，其特征在于，还包括：

第一屏蔽层，形成于晶体硅层上；

硬掩膜层，形成于第一屏蔽层上；

第二屏蔽层，沉积于沟槽侧壁；

荧光层，填充于沟槽内，覆盖第二屏蔽层；

选择反射层，覆盖硬掩膜层及荧光层；

钝化层，形成于选择反射层上。

13. 根据权利要求 12所述的 X射线探测器荧光板，其特征在于：用化学气相沉积或物理气相沉积或蒸发的方法形成第一屏蔽层和第二屏蔽层。

14. 根据权利要求 13所述的 X射线探测器荧光板，其特征在于：所述第一屏蔽层和第二屏蔽层的厚度为 0.1觀至 10um。

15. 根据权利要求 14所述的 X射线探测器荧光板，其特征在于：所述第一屏蔽层和第二屏蔽层为钨、钴、钽或钛与晶体硅层高温热处理形成的，高温热处理温度为 500°C至 1100° (：。

16. 根据权利要求 12所述的 X射线探测器荧光板，其特征在于：用化学气相沉积或物理气相沉积或蒸发的方法形成硬掩膜层。

17. 根据权利要求 16述的 X射线探测器荧光板，其特征在于：所述硬掩膜层为氮化硅或氧化硅，厚度为 O.lum至 10um。

18. 根据权利要求 12所述的 X射线探测器荧光板，其特征在于：用物理气相沉积法或蒸发或热溶灌注法形成荧光层，荧光层的材料为碘化铯或碘化钠或氟化钡。

19. 根据权利要求 12所述的 X射线探测器荧光板，其特征在于：用化学气相沉积法或物理气相沉积法形成选择性反射层。

20. 根据权利要求 19所述的 X射线探测器荧光板，其特征在于：所述选择性反射层的材料为铝或钛，厚度为 0. lum至 lum。

21. 根据权利要求 12所述的 X射线探测器荧光板，其特征在于：用化学气相沉积法或旋涂法形成钝化层，钝化层的材料是氧化硅，厚度为 0.5um至 50um。

22. 一种制作 X射线探测器的方法，包括下列步骤：

提供含有第一对准标记的第一晶圓，包含第二对准标记的第二晶圆，所述第一晶圆包含晶体硅层和氧化硅层，第二晶圆包括有光电二极管阵列的晶体硅层和氧化硅层；

在第一晶圆的晶体硅层上形成第一屏蔽层；在第一屏蔽层上沉积硬掩膜层；

在硬掩膜层上形成开口图形；

以硬掩膜层为掩膜蚀刻第一屏蔽层和晶体硅层至氧化硅层，形成沟槽；

在沟槽侧壁形成第二屏蔽层；

在沟槽内形成荧光层；

在硬掩膜层及荧光层上沉积选择反射层；

在选择反射层上形成钝化层，形成包含荧光沟槽阵列的荧光板；将第一晶圆的第一对准标记与第二晶圆的第二对准标记对准；将第一晶圆的氧化硅层和第二晶圆的氧化硅层进行键合，第一晶圓上的荧光沟槽阵列与第二晶圆上的光电二极管阵列——对应；切割第一晶圆和第二晶圓，形成 X射线探测器芯片。

23. 根据权利要求 22所述的制作 X射线探测器的方法，其特征在于：用化学气相沉积或物理气相沉积或蒸发的方法形成第一屏蔽层和第二屏蔽层。

24. 根据权利要求 23所述的制作 X射线探测器的方法，其特征在于：所述第一屏蔽层和第二屏蔽层的厚度为 0. lum至 10um。

25. 根据权利要求 24所述的制作 X射线探测器的方法，其特征在于：所述第一屏蔽层和第二屏蔽层为钨、钴、钽或钛与晶体硅层高温热处理形成的，高温热处理温度为 500Ό至 1100°C。

26. 根据权利要求 22所述的制作 X射线探测器的方法，其特征在于：用化学气相沉积或物理气相沉积或蒸发的方法形成硬掩膜层。

27. 根据权利要求 26述的制作 X射线探测器的方法，其特征在于：所述硬掩膜层为氮化硅或氧化硅，厚度为 O.lum至 10um。

28. 根据权利要求 22所述的制作 X射线探测器的方法，其特征在于：用物理气相沉积法或蒸发或热溶灌注法形成荧光层，荧光层的材料为碘化铯或破化钠或氟化钡。

29. 根据权利要求 22所述的制作 X射线探测器的方法，其特征在于：用化学气相沉积法或物理气相沉积法形成选择性反射层。

30. 根据权利要求 29所述的制作 X射线探测器的方法，其特征在于：所述选择性反射层的材料为铝或钛，厚度为 0. lum至 lum。

31. 根据权利要求 22所述的制作 X射线探测器的方法，其特征在于：用化学气相沉积法或旋涂法形成钝化层，钝化层的材料是氧化硅，厚度为 0.5um至 50um。

32. 根据权利要求 22所述的制作 X射线探测器的方法，其特征在于：所述沟槽的深度为 5um至 1000um。

33. 根据权利要求 22所述的制作 X射线探测器的方法，其特征在于：用阳极键合法将第一晶圆的氧化硅层和第二晶圓的氧化硅层进行键合。

34. 一种 X射线探测器，包括：荧光板和光电转换板，所述荧光板上有包含沟槽的晶体硅层，其特征在于，还包括：

第一屏蔽层，形成于晶体硅层上；

硬掩膜层，形成于第一屏蔽层上；

第二屏蔽层，沉积于沟槽侧壁；

荧光层，填充于沟槽内，覆盖第二屏蔽层；

选择反射层，覆盖硬掩膜层及荧光层；

钝化层, 形成于选择反射层上，

氧化硅层，形成于晶体硅层上，用于荧光板和光电转换板间键合。

35. 根据权利要求 34所述的 X射线探测器，其特征在于：用化学气相沉积或物理气相沉积或蒸发的方法形成第一屏蔽层和第二屏蔽层。

36. 根据权利要求 35所述的 X射线探测器，其特征在于：所述第一^ 蔽层和第二屏蔽层的厚度为 O.lum至 10um。

37. 根据权利要求 36所述的 X射线探测器，其特征在于：所述第一屏蔽层和第二屏蔽层为钨、钴、钽或钛与晶体硅层高温热处理形成的，高温热处理温度为 500 °C至 1100 °C。

38. 根据权利要求 34所述的 X射线探测器，其特征在于：用化学气相沉积或物理气相沉积或蒸发的方法形成硬掩膜层。

39. 根据权利要求 38述的 X射线探测器，其特征在于：所述硬掩膜层为氮化硅或氧化硅，厚度为 O.lum至 10um。

40. 根据权利要求 34所述的 X射线探测器，其特征在于：用物理气相

41. 根据权利要求 34所述的 X射线探测器，其特征在于：用化学气相沉积法或物理气相沉积法形成选择性反射层。

42. 根据权利要求 41所述的 X射线探测器，其特征在于：所述选择性反射层的材料为铝或钛，厚度为 O.lum至 lum。

43. 根据权利要求 34所述的 X射线探测器，其特征在于：用化学气相沉积法或旋涂法形成钝化层，钝化层的材料是氧化硅，厚度为 0.5um 至 50um。

44. 根据权利要求 34所述的 X射线探测器，其特征在于：用阳极键合法将荧光板和光电转换板进行键合。

45. —种制作 X射线探测器的方法，包括下列步骤：提供包含第一对准标记的第一晶圓，包含第二对准标记的第二晶圆，所述第一晶圆包含晶体硅层和氧化硅层，第二晶圆包括含光电二极管阵列的晶体管层和氧化硅层；

在第一晶圆的晶体硅层上形成第一屏蔽层；

在第一屏蔽层上沉积硬掩膜层；

在硬掩膜层上形成开口图形；

以硬掩膜层为掩膜蚀刻第一屏蔽层和晶体硅层至氧化硅层，形成沟槽；

在沟槽侧壁形成第二屏蔽层；

在沟槽内形成荧光层；

在硬掩膜层及荧光层上沉积选择反射层；

在选择反射层上形成钝化层，形成包含荧光沟槽阵列的荧光板；蚀刻第一晶圆沟槽对应的氧化硅层或蚀刻第二晶圆光电二极管对的氧化硅层，形成^：透镜；

将第一晶圆的第一对准标记与第二晶圓的第二对准标记对准；将第一晶圓的氧化硅层和第二晶圓的氧化硅层进行键合，第一晶圆上的荧光沟槽阵列与第二晶圆上的光电二极管阵列一一对应；切割第一晶圆和第二晶圆，形成 X射线探测器芯片。

46. 根据权利要求 45所述的制作 X射线探测器的方法，其特征在于：用化学气相沉积或物理气相沉积或蒸发的方法形成第一屏蔽层和第二屏蔽层。

47. 根据权利要求 46所述的制作 X射线探测器的方法，其特征在于：所述第一屏蔽层和第二屏蔽层的厚度为 O.lum至 10um。

48. 根据权利要求 47所述的制作 X射线探测器的方法，其特征在于：所述第一屏蔽层和第二屏蔽层为钨、钴、钽或钛与晶体硅层高温热处理形成的，高温热处理温度为 500°C至 1100°C。

49. 根据权利要求 45所述的制作 X射线探测器的方法，其特征在于：用化学气相沉积或物理气相沉积或蒸发的方法形成硬掩膜层。

50. 根据权利要求 49述的制作 X射线探测器的方法，其特征在于：所述硬掩膜层为氮化硅或氧化硅，厚度为 O.lum至 10um。

51. 根据权利要求 45所述的制作 X射线探测器的方法，其特征在于：用物理气相沉积法或蒸发或热溶灌注法形成荧光层，荧光层的材料为換化铯或化钠或氟化钡。

52. 根据权利要求 45所述的制作 X射线探测器的方法，其特征在于：用化学气相沉积法或物理气相沉积法形成选择性反射层。

53. 根据权利要求 52所述的制作 X射线探测器的方法，其特征在于：所述选择性反射层的材料为铝或钛，厚度为 0. lum至 lum。

54. 根据权利要求 45所述的制作 X射线探测器的方法，其特征在于：用化学气相沉积法或旋涂法形成钝化层，钝化层的材料是氧化硅，厚度为 0.5um至 50um。

55. 根据权利要求 45所述的制作 X射线探测器的方法，其特征在于：用干法蚀刻法或湿法蚀刻法形成所述微透镜。

56. 根据权利要求 55所述的制作 X射线探测器的方法，其特征在于：所述微透镜为聚焦透镜，焦距为 lum至 1000um。

57. 根据权利要求 45所述的制作 X射线探测器的方法，其特征在于：所述沟槽的深度为 5um至 1000um。

58. 根据权利要求 45所述的制作 X射线探测器的方法，其特征在于：用阳极键合法将第一晶圆的氧化硅层和第二晶圆的氧化硅层进行键合。

59. 一种 X射线探测器，包括：荧光板和光电转换板，所述荧光板上有包含沟槽的晶体硅层，其特征在于，还包括：

第一屏蔽层，形成于晶体硅层上；

硬掩膜层，形成于第一屏蔽层上；

第二屏蔽层，沉积于沟槽侧壁；

荧光层，填充于沟槽内，覆盖第二屏蔽层；

选择反射层，覆盖硬掩膜层及荧光层；

钝化层，形成于选择反射层上，

氧化硅层，形成于晶体硅层上，用于荧光板和光电转换板间键合，微透镜，形成于氧化硅中。

60. 根据权利要求 59所述的 X射线探测器，其特征在于：用化学气相沉积或物理气相沉积或蒸发的方法形成第一屏蔽层和第二屏蔽层。

61. 根据权利要求 60所述的 X射线探测器，其特征在于：所述第一屏蔽层和第二屏蔽层的厚度为 O.lum至 10um。

62. 根据权利要求 61所述的 X射线探测器，其特征在于：所述第一屏蔽层和第二屏蔽层为钨、钴、钽或钛与晶体硅层高温热处理形成的，高温热处理温度为 500°C至 1100°C。

63. 根据权利要求 59所述的 X射线探测器，其特征在于：用化学气相沉积或物理气相沉积或蒸发的方法形成硬掩膜层。

64. 根据权利要求 63述的 X射线探测器，其特征在于：所述硬掩膜层为氮化硅或氧化硅，厚度为 O.lum至 10um。

65. 根据权利要求 59所述的 X射线探测器，其特征在于：用物理气相沉积法或蒸发或热溶灌注法形成荧光层，荧光层的材料为碘化铯或碘化钠或氟化钡。

66. 根据权利要求 59所述的 X射线探测器，其特征在于：用化学气相沉积法或物理气相沉积法形成选择性反射层。

67. 根据权利要求 66所述的 X射线探测器，其特征在于：所述选择性反射层的材料为铝或钛，厚度为 O.lum至 lum。

68. 根据权利要求 59所述的 X射线探测器，其特征在于：用化学气相沉积法或旋涂法形成钝化层，钝化层的材料是氧化硅，厚度为 0.5um 至 50um。

69. 根据权利要求 59所述的 X射线探测器，其特征在于：用干法蚀刻法或湿法蚀刻法形成所述透镜。

70. 根据权利要求 69所述的 X射线探测器，其特征在于：所述微透镜为聚焦透镜，焦距为 lum至 1000um。

71. 根据权利要求 59所述的 X射线探测器，其特征在于：用阳极键合法将第一晶圆的氧化硅层和第二晶圓的氧化硅层进行键合。

72. 一种制作 X射线探测器荧光板的方法，包括下列步棟：

提供包含晶体硅层和氧化硅层的晶圆；

在晶体硅层表面形成硬掩膜层；

在硬掩膜层上形成开口图形；

以硬掩膜层为掩膜，蚀刻晶体硅层至氧化硅层，形成沟槽；去除硬掩膜层；

在沟槽侧壁及晶体硅层上形成屏蔽层；

在沟槽内形成荧光层；

在屏蔽层及荧光层上沉积选择反射层；

在选择反射层上形成钝化层。

73. 根据权利要求 72所述的制作 X射线探测器荧光板的方法，其特征在于：用化学气相沉积或物理气相沉积或蒸发的方法形成屏蔽层。

74. 根据权利要求 73所述的制作 X射线探测器荧光板的方法，其特征在于：所述屏蔽层的厚度为 O.lum至 10um。

75. 根据权利要求 74所述的制作 X射线探测器荧光板的方法，其特征在于：所述屏蔽层为钨、钴、钽或钛与晶体硅层高温热处理形成的，高温热处理温度为 500Ό至 1100°C。

76. 根据权利要求 72所述的制作 X射线探测器荧光板的方法，其特征在于：用化学气相沉积或物理气相沉积或蒸发的方法形成硬掩膜层。

77. 根据权利要求 76述的制作 X射线探测器荧光板的方法，其特征在于：所述硬掩膜层为氮化硅或氧化硅，厚度为 O.lum至 10um。

78. 根据权利要求 72所述的制作 X射线探测器荧光板的方法，其特征在于：用物理气相沉积法或蒸发或热溶灌注法形成荧光层，荧光层的材料为碘化铯或化钠或氟化钡。

79. 根据权利要求 72所述的制作 X射线探测器荧光板的方法，其特征在于：用化学气相沉积法或物理气相沉积法形成选择性反射层。

80. 根据权利要求 79所述的制作 X射线探测器荧光板的方法，其特征在于：所述选择性反射层的材料为铝或钛，厚度为 O.lum至 lum。

81. 根据权利要求 72所述的制作 X射线探测器荧光板的方法，其特征在于：用化学气相沉积法或旋涂法形成钝化层，钝化层的材料是氧化硅，厚度为 0.5um至 50um。

82. 根据权利要求 72所述的制作 X射线探测器荧光板的方法，其特征在于：所述沟槽的深度为 5um至 1000um。

83. —种 X射线探测器荧光板，包括：晶体硅层，所述晶体硅层中有沟槽，其特征在于，还包括：

硬掩膜层，形成于晶体硅层上；

' 屏蔽层，形成于沟槽侧壁及晶体硅层上；

荧光层，填充于沟槽内，覆盖沟槽侧壁的屏蔽层；

选择反射层，覆盖屏蔽层及荧光层；

钝化层，形成于选择反射层上。

84. 根据权利要求 83所述的 X射线探测器荧光板，其特征在于：用化学气相沉积或物理气相沉积或蒸发的方法形成屏蔽层。

85. 根据权利要求 84所述的 X射线探测器荧光板，其特征在于：所述屏蔽层的厚度为 O.lum至 10um。

86. 根据权利要求 85所述的 X射线探测器荧光板，其特征在于：所述屏蔽层为钨、钴、钽或钛与晶体硅层高温热处理形成的，高温热处理温度为 500°C至 1100°C。

87. 根据权利要求 83所述的 X射线探测器荧光板，其特征在于：用化学气相沉积或物理气相沉积或蒸发的方法形成硬掩膜层。

88. 根据权利要求 87述的 X射线探测器荧光板，其特征在于：所述硬掩膜层为氮化硅或氧化硅，厚度为 O.lum至 10um。

89. 根据权利要求 83所述的 X射线探测器荧光板，其特征在于：用物理气相沉积法或蒸发或热溶灌注法形成荧光层，荧光层的材料为碘化铯或碘化钠或氟化钡。

90. 根据权利要求 83所述的 X射线探测器荧光板，其特征在于：用化学气相沉积法或物理气相沉积法形成选择性反射层。

91. 根据权利要求 90所述的 X射线探测器荧光板，其特征在于：所述选择性反射层的材料为铝或钛，厚度为 0. lum至 lum。

92. 根据权利要求 83所述的 X射线探测器荧光板，其特征在于：用化学气相沉积法或旋涂法形成钝化层，钝化层的材料是氧化硅，厚度为 0.5um至 50um。

93. 一种制作 X射线探测器的方法，包括下列步骤：

提供包含第一对准标记的第一晶圓，包含第二对准标记的第二晶圓，所述第一晶圓包含晶体硅层和氧化硅层，第二晶圆包括含光电二极管阵列的晶体管层和氧化硅层；

在第一晶圆的晶体硅层表面形成硬掩膜层；

在硬掩膜层上形成开口图形；

以硬掩膜层为掩膜，蚀刻晶体硅层至氧化硅层，形成沟槽；去除硬掩膜层；

在沟槽侧壁及晶体硅层上形成屏蔽层；

在沟槽内形成荧光层；

在屏蔽层及荧光层上沉积选择反射层；

在选择反射层上形成飩化层，形成包含荧光沟槽阵列的荧光板；将第一晶圓的第一对准标记与第二晶圓的第二对准标记对准；将第一晶圓的氧化硅层和第二晶圆的氧化硅层进行键合，第一晶圓上的荧光沟槽阵列与第二晶圓上的光电二极管阵列一一对应；切割第一晶圆和第二晶圆，形成 X射线探测器芯片。

94. 根据权利要求 93所述的制作 X射线探测器的方法，其特征在于：用化学气相沉积或物理气相沉积或蒸发的方法形成屏蔽层。

95. 根据权利要求 94所述的制作 X射线探测器的方法，其特征在于：所述屏蔽层的厚度为 O.lum至 10um。

96. 根据权利要求 95述的制作 X射线探测器的方法，其特征在于：所述屏蔽层为钨、钴、钽或钛与晶体硅层高温热处理形成的，高温热处理温度为 500°C至 1100°C。

97. 根据权利要求 93述的制作 X射线探测器的方法，其特征在于：用化学气相沉积或物理气相沉积或蒸发的方法形成硬掩膜层。

98. 根据权利要求 97述的制作 X射线探测器，其特征在于：所述硬掩膜层为氮化硅或氧化硅，厚度为 O.lum至 10um。

99. 根据权利要求 93所述的制作 X射线探测器的方法，其特征在于：用物理气相沉积法或蒸发或热溶灌注法形成荧光层，荧光层的材料为碘化铯或碘化钠或氟化钡。

100. 根据权利要求 93所述的制作 X射线探测器的方法，其特征在于: 用化学气相沉积法或物理气相沉积法形成选择性反射层。

101. 根据权利要求 100所述的制作 X射线探测器的方法，其特征在于：所述选择性反射层的材料为铝或钛，厚度为 O.lum至 lum。

102. 根据权利要求 93所述的制作 X射线探测器的方法，其特征在于：用化学气相沉积法或旋涂法形成钝化层，钝化层的材料是氧化硅，厚度为 0.5醒至 50um。

103. 根据权利要求 93所述的制作 X射线探测器的方法，其特征在于：所述沟槽的深度为 5um至 1000um。

104. 根据权利要求 93所述的制作 X射线探测器的方法，其特征在于: - 用阳极键合法将第一晶圆的氧化硅层和第二晶圆的氧化硅层进行键合。

105. 一种 X射线探测器，包括：晶体硅层，所述晶体硅层中有沟槽，其特征在于，还包括：荧光板和光电转换板，所述荧光板上有包含沟槽的晶体硅层，其特征在于，还包括：硬掩膜层，形成于晶体硅层上；

屏蔽层，形成于沟槽侧壁及晶体硅层上；

荧光层，填充于沟槽内，覆盖沟槽侧壁的屏蔽层；

选择反射层，覆盖屏蔽层及荧光层；

钝化层，形成于选择反射层上;

氧化硅层，形成于晶体硅层上，用于荧光板和光电转换板间键合。

106. 根据权利要求 105所述的 X射线探测器，其特征在于：用化学气相沉积或物理气相沉积或蒸发的方法形成屏蔽层。

107. 根据权利要求 106所述的 X射线探测器，其特征在于：所述屏蔽层的厚度为 O.lum至 10um。

108. 根据权利要求 107述的 X射线探测器，其特征在于：所述屏蔽层为钨、钴、钽或钛与晶体硅层高温热处理形成的，高温热处理温度为 500°C至 1100°C。

109. 根据权利要求 105述的 X射线探测器，其特征在于：用化学气相沉积或物理气相沉积或蒸发的方法形成硬掩膜层。

110. 根据权利要求 109述的 X射线，其特征在于：所述硬掩膜层为氮化硅或氧化硅，厚度为 O.lum至 10um。

111. 根据权利要求 105所述的 X射线探测器，其特征在于：用物理气相沉积法或蒸发或热溶灌注法形成荧光层，荧光层的材料为碘化铯或碘化钠或氟化钡。

112. 根据权利要求 105所述的 X射线探测器，其特征在于：用化学气相沉积法或物理气相沉积法形成选择性反射层。

113. 根据权利要求 112所述的 X射线探测器，其特征在于：所述选择性反射层的材料为铝或钛，厚度为 O.lum至 lum。

1 14. 根据权利要求 105所述的 X射线探测器，其特征在于：用化学气相沉积法或旋涂法形成钝化层，飩化层的材料是氧化硅，厚度为 0.5um 至 50um。

115. 一种制作 X射线探测器的方法，包括下列步驟：

提供包含第一对准标记的第一晶圆，包含第二对准标记的第二晶圆，所述第一晶圆包含晶体硅层和氧化硅层，第二晶圆包括含光电二极管阵列的晶体管层和氧化硅层；

在第一晶圆的晶体硅层表面形成硬掩膜层；

在硬掩膜层上形成开口图形；

以硬掩膜层为掩膜，蚀刻晶体硅层至氧化硅层，形成沟槽；去除硬掩膜层；

在沟槽侧壁及晶体硅层上形成屏蔽层；

在沟槽内形成荧光层；

在屏蔽层及荧光层上沉积选择反射层；

在选择反射层上形成钝化层，形成包含荧光沟槽阵列的荧光板；蚀刻第一晶圆沟槽对应的氧化硅层或蚀刻第二晶圆光电二极管对的氧化硅层，形成微透镜；

将第一晶圓的第一对准标记与第二晶圆的第二对准标记对准；将第一晶圆的氧化硅层和第二晶圓的氧化硅层进行键合，第一晶圆上的荧光沟槽阵列与第二晶圆上的光电二极管阵列一一对应；切割第一晶圆和第二晶圆，形成 X射线探测器芯片。

116. 根据权利要求 115所述的制作 X射线探测器的方法，其特征在于：用化学气相沉积或物理气相沉积或蒸发的方法形成屏蔽层。

117. 根据权利要求 116所述的制作 X射线探测器的方法，其特征在于：所述屏蔽层的厚度为 O.lum至 10um。

118. 根据权利要求 117述的制作 X射线探测器的方法，其特征在于：所述屏蔽层为钨、钴、钽或钛与晶体硅层高温热处理形成的，高温热处理温度为 500 °C至 1100°C。

119. 根据权利要求 115述的制作 X射线探测器的方法，其特征在于：用化学气相沉积或物理气相沉积或蒸发的方法形成硬掩膜层。

120. 根据权利要求 119述的制作 X射线探测器，其特征在于：所述硬掩膜层为氮化硅或氧化硅，厚度为 0. lum至 10um。

121. 根据权利要求 115所述的制作 X射线探测器的方法，其特征在于：用物理气相沉积法或蒸发或热溶灌注法形成荧光层，荧光层的材料为碘化铯或碘化钠或氟化钡。

122. 根据权利要求 115所述的制作 X射线探测器的方法，其特征在于：用化学气相沉积法或物理气相沉积法形成选择性反射层。

123. 根据权利要求 122所述的制作 X射线探测器的方法，其特征在于：所述选择性反射层的材料为铝或钛，厚度为 O.lum至 lum。

124. 根据权利要求 115所述的制作 X射线探测器的方法，其特征在于：用化学气相沉积法或旋涂法形成钝化层，钝化层的材料是氧化硅，厚度为 0.5um至 50um。

125. 根据权利要求 115所述的 X射线探测器，其特征在于：用干法蚀刻法或湿法蚀刻法形成所述微透镜。

126. 根据权利要求 125所述的 X射线探测器，其特征在于：所述微透镜为聚焦透镜，焦距为 lum至 1000um。

127. 根据权利要求 115所述的制作 X射线探测器的方法，其特征在于：所述沟槽的深度为 5um至 1000um。

128. 根据权利要求 115所述的制作 X射线探测器的方法，其特征在于：用阳极键合法将第一晶圓的氧化硅层和第二晶圆的氧化硅层进行键合。

129. 一种 X射线探测器，包括：晶体硅层，所述晶体硅层中有沟槽，其特征在于，还包括：荧光板和光电转换板，所述荧光板上有包含沟槽的晶体硅层，其特征在于，还包括：

硬掩膜层，形成于晶体硅层上；

屏蔽层，形成于沟槽侧壁及晶体硅层上；

荧光层，填充于沟槽内，覆盖沟槽侧壁的屏蔽层；

选择反射层，覆盖屏蔽层及荧光层；

飩化层，形成于选择反射层上；

氧化硅层，形成于晶体硅层上，用于荧光板和光电转换板间键合；微透镜，形成于氧化硅中。

130. 根据权利要求 129所述的 X射线探测器，其特征在于：用化学气相沉积或物理气相沉积或蒸发的方法形成屏蔽层。

131. 根据权利要求 130所述的 X射线探测器，其特征在于：所述屏蔽层的厚度为 O.lum至 10um。

132. 根据权利要求 131述的 X射线探测器，其特征在于：所述屏蔽层为钨、钴、钽或钛与晶体硅层高温热处理形成的，高温热处理温度为 500°C至 1100°C。

133. 根据权利要求 129述的 X射线探测器，其特征在于：用化学气相沉积或物理气相沉积或蒸发的方 '法形成硬掩膜层。

134. 根据权利要求 133述的 X射线，其特征在于：所述硬掩膜层为氮化硅或氧化硅，厚度为 O.lum至 10um。

135. 根据权利要求 129所述的 X射线探测器，其特征在于：用物理气相沉积法或蒸发或热溶灌注法形成荧光层，荧光层的材料为碘化铯或碘化钠或氟化钡。

136. 根据权利要求 129所述的 X射线探测器，其特征在于：用化学气相沉积法或物理气相沉积法形成选择性反射层。

137. 根据权利要求 136所述的 X射线探测器，其特征在于：所述选择性反射层的材料为铝或钛，厚度为 0.1 um至 1 um。

138. 根据权利要求 129所述的 X射线探测器，其特征在于：用化学气相沉积法或旋涂法形成钝化层，钝化层的材料是氧化硅，厚度为 0.5um 至 50亂

139. 根据权利要求 129所述的 X射线探测器，其特征在于：用干法蚀刻法或湿法蚀刻法形成所述微透镜。

140. 根据权利要求 129所述的 X射线探测器，其特征在于：所述微透镜为聚焦透镜，焦距为 lum至 1000um。