CN101221630A - 一种智能卡封装方法及一种智能卡的封装结构 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种SIM卡的封装方法，包括步骤：提供一绝缘层；在绝缘层上形成第一金属层；确定芯片在绝缘层上不具有第一金属层的一面的连线位置，并在所述连线位置形成第二金属层；将芯片黏结在绝缘层上第二金属层所在的一面；用第二金属层或者、第二金属层和金属线连接芯片和第一金属层，使芯片和第一金属层导电互连。本发明增加第二金属层，用第二金属层代替了部分金属连线，降低了金属连线的长度，保证了金属线连接的强度，使得贴片区域最大化，最大的兼容了可封装面积，并且采用灌注的塑封工艺，克服了现有技术存在的大容量SIM卡封装问题。

Description

一种智能卡封装方法及一种智能卡的封装结构

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种大容量智能卡封装方法。

背景技术

SIM卡是应用于手机的一种智能卡，目前，由于传统的SIM卡一直无法存储大量的数据，制约了SIM卡的发展空间。现阶段出现的HD-SIM卡为传统SIM卡提供了一个发展方向。但传统SIM卡封装时，如图1a所示，在设备上，绝缘层12宽A为35mm，绝缘层上的第一金属层11排列为2排，每排第一金属层的尺寸为12.6×11.4mm。SIM卡芯片要封装在绝缘层12上没有第一金属层11的一面，并且和第一金属层11的位置对应，因此传统SIM卡封装方法可以贴芯片的位置仅仅为12.6×11.4mm，无法进行大芯片或多芯片的封装。因此使大尺寸芯片和多芯片排布及封装受到限制，限制了SIM卡向大容量发展。

在传统SIM卡封装中，如图1b所示，包括第一金属层11和绝缘层12。其中，绝缘层具有通孔10。

具体封装步骤包括：

1)在绝缘层12的一侧黏结第一金属层11，在绝缘层表面形成通孔10；

2)在绝缘层12的另一侧，第一金属层的对应位置黏结芯片16；

3)用金属线6将芯片16的PAD和通孔10处漏出的第一金属层11相连，从而实现第一金属层11和芯片16的导电互连；

4)将芯片16，金属线6，以及绝缘层12粘贴有芯片的一面用滴胶工艺塑封起来成为SIM卡模块。

5)由于传统SIM卡模块本身的尺寸较小，在PLUG-IN小卡的范围中，只要给其模块的四周边缘留出大于1.50mm的宽度，就可以保证其粘接在PLUG-IN小卡的范围中，再在7816大卡上冲切出PLUG-IN小卡的形状尺寸，将封装好的PLUG-IN小卡嵌入塑料材质的7816大卡中，就完成了传统SIM卡的制作。

传统的SIM卡向大容量方向发展中，由于SIM卡条带上金属部分的物理尺寸的限制，没有足够的空间封装多个芯片，因此本发明增大了芯片的封装空间，但在多个芯片封装时，各个芯片之间需要连线，走线复杂并且为了防止短路等情况而需要较长的金属线。这些就使得在实际生产中对于金属线的高度和强度很难控制，大大降低的产品的可靠性。现有的小容量SIM卡通常存储模块和控制模块在一个芯片里完成，因此SIM卡模块内的芯片间不需要连线。但大容量SIM卡存储模块和控制模块则需要在存储芯片和控制芯片两个芯片内完成，例如HD-SIM卡，因此就需要在SIM卡模块内连接很长的金属线。

除此之外，由于大容量SIM卡封装时模块的尺寸较大，传统的滴胶的塑封方法不能满足需要。

发明内容

本发明解决的问题是现有技术的SIM卡封装方法针对大容量SIM卡大芯片和多芯片封装时，存在封装空间不够和金属线连接不可靠的问题。

为了解决上述问题，本发明提供了一种智能卡的封装方法，步骤包括：提供一绝缘层；在绝缘层上形成第一金属层；确定芯片在绝缘层上不具有第一金属层的一面的连线位置，并在所述连线位置形成第二金属层；将芯片黏结在绝缘层上第二金属层所在的一面；用第二金属层或者、第二金属层和金属线连接芯片和第一金属层，使芯片和第一金属层导电互连。

其中，第二金属层为用电镀、腐蚀或蚀刻的方法形成。

其中，所述第一金属层的平面尺寸与PLUG-IN小卡的平面尺寸相同，为15×25mm。

进一步的，用第二金属层或者、第二金属层和金属线连接芯片和第一金属层之后，还包括：用第二金属层或者、第二金属层和金属线连接不同的芯片，使不同的芯片导电互连。

进一步的，用第二金属层或者、第二金属层和金属线连接芯片和第一金属层之后，还包括塑封的步骤，具体为：使用灌注方法将芯片、第二金属层、金属线以及绝缘层塑封为长25mm、宽15mm、厚度760μm的结构。

其中，所述塑封的步骤包括：

A、使用模具的上模和下模将智能卡模快夹在中间，在芯片、第二金属层、金属线以及绝缘层上方形成一个矩形空腔；

B、将模具加热到塑封材料的熔点温度；

C、将固体的塑封材料送至模具的通孔，塑封材料在通孔处融化为液态灌入所述空腔内；

D、待塑封材料注满空腔后冷却，使塑封材料变为固态。

其中，所述的塑封材料为环氧树脂，所述环氧树脂包含金刚砂和固化剂。

进一步的，在所述塑封的步骤之后还包括：将塑封之后的智能卡模块嵌入7816大卡内的步骤，具体为：

将塑封之后的智能卡模块冲切成PLUG-IN小卡的形状，并且至少两侧冲出突出部分，将7816大卡内部冲出与PLUG-IN小卡尺寸相当的凹槽，在凹槽的边缘具有与PLUG-IN小卡的突出部分尺寸和厚度相当的缺口，将冲切之后的智能卡放置于7816大卡的凹槽处，将所述智能卡的突出部分与7816大卡的缺口黏结。

相应的，本发明还提供了一种智能卡的封装结构，所述封装结构的最底层为第一金属层；第一金属层的上层为绝缘层；绝缘层的上层设有第二金属层和芯片，第二金属层或者、第二金属层和金属线导电连接芯片和第一金属层；绝缘层、第二金属层、金属线以及芯片上方或者绝缘层、第二金属层以及芯片上方为塑封层。

其中，所述芯片至少为两个，所述第二金属层或者、第二金属层和金属线导电连接不同的芯片。

其中，所述的智能卡的封装结构长为25mm，宽为15mm，厚度为760μm。

其中，所述第一金属层的平面尺寸与PLUG-IN小卡的平面尺寸相同，为15×25mm。

与现有技术相比，本发明主要具有以下优点：

本发明的智能卡的封装方法另外增加了一层第二金属层，用所述第二金属层代替部分金属连线，降低了金属连线的长度，保证了金属连线的强度，使得可以更方便的选择芯片，并且减少了芯片PAD排列对芯片封装的影响，对于多芯片封装时，可以更合理的安排芯片放置的位置，贴片区域的最大化，最大的兼容了可封装面积。

除此之外，本发明的智能卡的封装方法，采用灌注式塑封方法代替滴胶工艺的塑封方法，保证了SIM卡的尺寸与7816要求的PLUG-IN小卡尺寸完全一致，保证了大容量SIM卡模块厚度为760微米，增强了对SIM卡中芯片和金属线的保护。

而且，本发明的智能卡的封装方法还提供了一种PLUG-IN卡和7816大卡的新的连接方式，保证了大容量SIM卡封装的实现。

另外本发明的智能卡的封装方法还可以应用于除SIM之外其它形式的智能卡中。

附图说明

通过附图中所示的本发明的优选实施例的更具体说明，本发明的上述及其它目的、特征和优势将更加清晰。在全部附图中相同的附图标记指示相同的部分。并未刻意按比例绘制附图，重点在于示出本发明的主旨。

图1a是传统SIM卡所用条带的金属层、绝缘层示意图；

图1b是传统SIM卡封装结构中金属层、绝缘层以及芯片连接的示意图；

图2a是本发明的SIM卡所用条带的金属层、绝缘层示意图；

图2b是根据本发明一个实施例的SIM卡封装结构中第一金属层，绝缘层、第二金属层及芯片连接的示意图的侧视图；

图2c是根据本发明一个实施例的SIM卡封装结构中第一金属层，绝缘层、第二金属层及芯片连接示意图的俯视图；

图3是根据本发明一个实施例的SIM卡模块塑封过程示意图；

图4是根据本发明一个实施例的SIM卡模块冲切之后的结构示意图；

图5是根据本发明一个实施例的7816大卡冲切结构示意图；

图6a为根据本发明的一种实施方式的SIM卡的封装结构剖视图；

图6b为根据本发明的一种实施方式的SIM卡的第一金属层，绝缘层、第二金属层及芯片连接示意图的俯视图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广。因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。

如图2a所示，本发明对绝缘层12上的第一金属层11进行重新设计，在绝缘层12上只排列1排第一金属层11，并且使第一金属层的平面尺寸与PLUG-IN小卡的平面尺寸一致，长×宽为25×15mm，这样增大了SIM卡有效贴片位置的物理尺寸。本发明的模块封装过程中，第一金属层11采用新的布局方式，但绝缘层12的宽A仍为35mm，传输孔14的位置尺寸没有改变，没有打破传统模块封装设备轨道宽度的限制和对绝缘层传输间距的变换，因此可以很好的保证封装设备在模块封装过程中的使用。这样HD-SIM卡载带贴片时可以使用的物理尺寸区间增大为传统SIM卡载带贴片可以使用的尺寸区间的3倍以上，这样满足了大尺寸芯片和多芯片的封装要求。

图2b是根据本发明一个实施例的SIM卡封装结构中第一金属层，绝缘层、第二金属层及芯片连接的示意图的侧视图，图2c是根据本发明一个实施例的SIM卡封装结构中第一金属层，绝缘层、第二金属层及芯片连接示意图的俯视图。

在一个实施例的SIM卡封装方法包括：提供一绝缘层12，如图2b所示。本实施例中，绝缘层12的材料为环氧玻璃布。

在绝缘层12上粘贴第一金属层11。并且，第一金属层11的面积小于绝缘层12，位于绝缘层12的中间。在本实施例中，第一金属层的平面尺寸与PLUG-IN小卡的平面尺寸相同，为15×25mm。

如图2c所示，在绝缘层12上刻蚀出通孔，露出第一金属层11，这些通孔所露出的部分第一金属层11为第一金属层的触点13。触点13用来与芯片PAD互连，保证SIM卡芯片与第一金属层11的导电互连。在绝缘层12的两侧边缘具有与封装设备连接的传输孔14。

确定芯片在绝缘层12上不具有第一金属层11的一面的连线位置，并在所述连线位置形成第二金属层15，具体为：

步骤11)在绝缘层12没有黏结第一金属层11的自由表面黏结第二金属层，即第二金属层和第一金属层11之间为绝缘层12；

步骤12)确定芯片在绝缘层12上的黏结位置，从而可以知道芯片PAD与触点13的连线位置。保留所述连线位置的第二金属层，将其余位置的第二金属层腐蚀掉，这样保留的第二金属层就是第二金属层15。

在本实施例中，先确定将要粘贴芯片16的位置，因为芯片16的PAD要和触点13相连，保证SIM卡芯片可以正常与外部通信。这样就可以确定要连接的芯片16的PAD和触点13的位置，然后把要连接的芯片16的PAD和触点13之间的第二金属层掩盖，将其余位置的第二金属层腐蚀掉，这样保留的第二金属层就是第二金属层15。

将芯片黏结在绝缘层12上具有第二金属层15所在的一面，位于第二金属层15的旁边。

如图2c所示，将芯片16和芯片26粘贴在绝缘层12上第二金属层15所在的一面，位于第二金属层15旁边。然后，用第二金属层15和金属线19连接SIM卡芯片16的PAD和触点13。如图2c所示，将芯片16的PAD和条带状的第二金属层15的一端用金属线19连接，将条带状第二金属层15的另一端与触点13连接。这样，保证了SIM卡芯片可以正常与外部通信。

在本实施例中，要封装的SIM卡包括存储芯片和控制芯片两块芯片，因此不同芯片的PAD要进行连接，所以进一步还包括将芯片16和芯片26的PAD位置确定，将要连线的芯片16和芯片26的PAD之间的第二金属层掩盖，然后，将其余位置的第二金属层腐蚀掉。如图2c所示的，腐蚀之后保留的条带状金属层就是第二金属层15。如图2c所示，第二金属层15为两个分立条带状结构。

除上述之外，要保留的第二金属层的位置可以根据不同的连线需要来确定，最后留存下来的第二金属层可以是任意的形状。

除上述之外，在绝缘层上形成第二金属层也可以用其他的方式，例如电镀、刻蚀的方式。

在本实施例中，用第二金属层连接SIM卡芯片和第一金属层之后，进一步包括，将芯片16的PAD和条带状的第二金属层15的一端用金属线19连接，将条带状第二金属层15的另一端与芯片26用金属线19连接。

在图2c中只是示出了芯片的一个PAD和第一金属层11的一个触点之间通过第二金属层15和金属线19连接；两个芯片之间的PAD通过第二金属层和金属线19连接的情况。另外图2c中示出的芯片为两个，当然根据实际情况芯片可以是一个或者是多个。根据实际需要芯片的其他PAD和第一金属层11的其它触点之间的连接可以根据具体情况通过第二金属层、第二金属层和金属线、或者只由金属线来实现。各个芯片的PAD之间的连接也可能通过第二金属层、第二金属层和金属线、或者只由金属线来实现。

在另一个实施例中，例如在单芯片SIM卡封装结构中，不存在多芯片的封装，只存在大尺寸芯片的封装问题，因此不包括将不同芯片的PAD用第二金属层连接的步骤。

在大容量SIM卡的封装中，由于芯片设计时需要尽可能的减小芯片本身的面积，对芯片上PAD的排列有所限制，不能完全按照芯片封装的最佳需要进行PAD排列，或者在多芯片封装时，一般需要将控制芯片、存储芯片和第一金属层的触点连接起来以便进行信号传送，但由于连接金属线很长，对于金属线的高度和强度很难控制，大大降低的产品的可靠性。本发明用第二金属层代替了一部分金属线，使得金属线的长度减小，保证了金属线的连接强度。

图3是根据本发明一个实施例的SIM卡模块塑封过程示意图。

在另一个实施例中，SIM卡封装方法进一步，如图3所示，用灌注的方法将SIM卡的芯片16、芯片26、第二金属层15、金属线19、第一金属层的触点13，以及绝缘层12整体塑封成为长25mm、宽15mm、厚度760μm的结构。

进一步的，所述塑封的步骤为：A、使用模具的上模21和下模22将SIM卡模块夹在中间，在SIM卡芯片16、芯片26、第二金属层15、金属线19、第一金属层11的触点以及绝缘层12上方形成一个矩形空腔25；B、将模具加热到塑封材料的熔点温度；C、将固体的塑封材料送至模具通孔23，塑封材料在模具通孔23处融化为液态灌入所述空腔25内；D、待塑封材料注满空腔25后冷却，使塑封材料变为固态。

在一个实施例中，所述塑封的步骤具体实现为：

如图3所示，本实施例中，使用的模具包括上模21和下模22。其中，上模21的下表面具有矩形凹槽，矩形凹槽的尺寸为长25mm，宽15mm，矩形凹槽的高度加上绝缘层和第一金属层的厚度为760μm。上模21在矩形凹槽的对应位置具有通孔23，通孔23位于矩形凹槽的底面或者侧面上，贯穿上模21。通孔23的轴截面直径为30μm到60μm。下模22的上表面为平面。

当进行SIM卡模块塑封时，上模21的矩形凹槽边缘与绝缘层12接触，下模22的上表面紧贴第一金属面，将SIM卡模块紧密夹在模具中间。芯片16、芯片26、第二金属层15，金属线19以及触点位于上模21的凹槽的对应位置。上模21下表面的凹槽和SIM卡模块的需要塑封的表面围成一个封闭空腔25。芯片16、芯片26、第二金属层15，金属线19以及第一金属层的触点位于空腔25内。上模21的通孔23贯穿上模的凹槽和上表面，使所述空腔25与外界连通。

优选的，所述塑封材料为添加特定比例金刚砂和固化剂的环氧树脂。

之后，把模具加热到塑封材料的熔点温度，本实施例中为添加特定比例金刚砂和固化剂的环氧树脂，因此把模具加热到170度至180度之间，塑封材料在此温度时从固态变为液态。

然后，将固体的塑封材料送至上模的通孔23处。通孔23位于上模21的顶部。塑封材料在通孔23处融化为液态，从通孔23流入空腔25内。在本实施例中，塑封材料在40秒至50秒的时间注满腔体并固化为固体。此为塑封料的特性决定，它是在一定的温度下可以转化为液体，保持很短的时间后又转换为固体，40秒至50秒的时间为塑封料从液体转化为固体后又有一定时间的固化，保证了塑封料转化为固体后可以充分的固化。

待塑封材料固化后，取下模具。这样就形成了塑封之后的SIM卡模块。

对SIM卡模块塑封，在传统的SIM卡封装过程中，由于SIM卡模块要与PLUG-IN卡粘接，在PLUG-IN卡中冲出SIM卡模块的卡槽时，需要留出一定的厚度，限制了SIM卡模块封装时的厚度，为了两者很好的配合，一般限制SIM模块的厚度必须小于580μm。利用本发明的SIM卡封装方法进行SIM卡模块塑封时，可以塑封SIM卡模块的尺寸和PLUG-IN小卡的尺寸一致，长为25mm，宽为15mm，厚度760μm。因为，塑封SIM卡模块的尺寸和PLUG-IN小卡的尺寸一致，因此也就不需要再嵌入到PLUG-IN小卡内，因此SIM卡封装的厚度塑封的与7816大卡的厚度一致，保持为760μm。

在一个实施例中，所述SIM卡封装方法在塑封之后进一步的还包括：将塑封之后的SIM卡模块嵌入7816大卡内的步骤。

图4是本发明一个实施例的SIM卡模块冲切之后的结构示意图。

图5是本发明一个实施例的7816大卡冲切结构示意图。

在本发明的一个实施例中，将塑封之后的SIM卡模块嵌入7816大卡内的步骤具体实现为：

首先，将塑封之后的SIM卡模块冲切成PLUG-IN小卡的形状，如图4所示，由于采用本发明塑封后的SIM卡模块的尺寸和PLUG-IN小卡尺寸相同，因此不需要再嵌入PLUG-IN小卡。这样，为了冲切之后的PLUG-IN小卡能和7816大卡很好的连接，本发明采用了在SIM卡模块的至少两侧冲出突出部分31。

然后，如图5所示，相应的将7816大卡内部冲出与PLUG-IN小卡尺寸相当的凹槽32，用来容纳PLUG-IN小卡。并且，在凹槽32的边缘冲切出与PLUG-IN小卡的突出部分31的尺寸和厚度相当的缺口33，用来容纳小卡的突出部分31。

最后，将冲切之后的PLUG-IN小卡放置于7816大卡的凹槽32处，小卡的突出部分31至于大卡的缺口33中，将小卡的突出部分31与大卡的缺口33黏结。这样就形成了符合7816标准的大卡。为了保证PLUG-IN小卡和7816大卡两者之间更好的强度，根据粘接剂的强度可以增加多个粘接区域，保证两者之间最终的粘接强度不小于25N即可。

由于模块封装的基材没有改变，可以完全适用传统的SIM卡模块封装设备。本发明的PLUG-IN小卡与7816大卡之间连接的方法既适用于大面积及多芯片封装的接触式智能卡产品，又兼容传统的reel-to-reel生产设备。

图6a为根据本发明的一种实施方式的SIM卡的封装结构剖视图，图6b为根据本发明的一种实施方式的SIM卡的第一金属层，绝缘层、第二金属层及芯片连接示意图的俯视图。

如图6a和6b所示，所述封装结构的最底层为第一金属层11；第一金属层11的上层为绝缘层12；绝缘层12的上层包括第二金属层15和SIM卡芯片16，SIM卡芯片26，第二金属层15为分立的两个条带状结构。第二金属层15的条带状结构的一端用金属线19与SIM卡芯片16的PAD相连，第二金属层15的另一端与第一金属层的触点13相连；绝缘层12、第二金属层15、金属线19、触点13以及SIM卡芯片16上方具有塑封层60。

根据不同的连线需要第二金属层可以是任意的形状。

在图6b中只是示出了芯片的一个PAD和第一金属层11的一个触点之间通过第二金属层15和金属线19连接；两个芯片之间的PAD通过第二金属层和金属线19连接的情况。另外图6b中示出的芯片为两个，当然根据实际情况芯片可以是一个或者是多个。根据实际需要芯片的其他PAD和第一金属层11的其它触点之间的连接可以根据具体情况通过第二金属层、第二金属层和金属线、或者只由金属线来实现。各个芯片的PAD之间的连接也可能通过第二金属层、第二金属层和金属线、或者只由金属线来实现。

其中，所述的SIM卡的封装结构还包括：第二金属层15还连接SIM卡芯片16的PAD和SIM卡芯片26的PAD。

其中，所述的SIM卡的封装结构长a为25mm，宽b为15mm，高度c为760μm。

另外本发明的智能卡的封装方法还可以应用于除SIM之外的其它形式的智能卡中。

以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

Claims (12)

1.一种智能卡的封装方法，步骤包括：

提供一绝缘层；

在绝缘层上形成第一金属层；

确定芯片在绝缘层上不具有第一金属层的一面的连线位置，并在所述连线位置形成第二金属层；

将芯片黏结在绝缘层上第二金属层所在的一面；

用第二金属层或者、第二金属层和金属线连接芯片和第一金属层，使芯片和第一金属层导电互连。

2.如权利要求1所述的智能卡的封装方法，其特征在于：用电镀、腐蚀或蚀刻的方法形成第二金属层。

3.如权利要求1所述的智能卡的封装方法，其特征在于：所述第一金属层的平面尺寸与PLUG-IN小卡的平面尺寸相同，为15×25mm。

4.如权利要求1所述的智能卡的封装方法，其特征在于：用第二金属层或者、第二金属层和金属线连接芯片和第一金属层之后，还包括：用第二金属层或者、第二金属层和金属线连接不同的芯片，使不同的芯片导电互连。

5.如权利要求1所述的智能卡的封装方法，其特征在于：用第二金属层或者、第二金属层和金属线连接芯片和第一金属层之后，还包括塑封的步骤，具体为：使用灌注方法将芯片、第二金属层、金属线以及绝缘层塑封为长25mm、宽15mm、厚度760μm的结构。

6.如权利要求5所述的智能卡的封装方法，其特征在于：所述塑封的步骤包括：

A、使用模具的上模和下模将智能卡模快夹在中间，在芯片、第二金属层、金属线以及绝缘层上方形成一个矩形空腔；

B、将模具加热到塑封材料的熔点温度；

C、将固体的塑封材料送至模具的通孔，塑封材料在通孔处融化为液态灌入所述空腔内；

D、待塑封材料注满空腔后冷却，使塑封材料变为固态。

7.如权利要求6所述的智能卡的封装方法，其特征在于：所述的塑封材料为环氧树脂，所述环氧树脂包含金刚砂和固化剂。

8.如权利要求5所述的智能卡的封装方法，其特征在于：在所述塑封的步骤之后还包括：将塑封之后的智能卡模块嵌入7816大卡内的步骤，具体为：

将塑封之后的智能卡模块冲切成PLUG-IN小卡的形状，并且至少两侧冲出突出部分，将7816大卡内部冲出与PLUG-IN小卡尺寸相当的凹槽，在凹槽的边缘具有与PLUG-IN小卡的突出部分尺寸和厚度相当的缺口，将冲切之后的智能卡放置于7816大卡的凹槽处，将所述智能卡的突出部分与7816大卡的缺口黏结。

9.一种智能卡的封装结构，其特征在于：

所述封装结构的最底层为第一金属层；

第一金属层的上层为绝缘层；

绝缘层的上层设有第二金属层和芯片，第二金属层或者、第二金属层和金属线导电连接芯片和第一金属层；

绝缘层、第二金属层、金属线以及芯片上方或者绝缘层、第二金属层以及芯片上方为塑封层。

10.如权利要求9所述的智能卡的封装结构，其特征在于：所述芯片至少为两个，所述第二金属层或者、第二金属层和金属线导电连接不同的芯片。

11.如权利要求9所述的智能卡的封装结构，其特征在于：所述的智能卡的封装结构长为25mm，宽为15mm，厚度为760μm。

12.如权利要求9所述的智能卡的封装结构，其特征在于：所述第一金属层的平面尺寸与PLUG-IN小卡的平面尺寸相同，为15×25mm。

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