CN101201521A - 显示面板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种显示面板及其制造方法，其中，存储电极形成在第一底基板上，和绝缘层形成在第一底基板上以覆盖存储电极。绝缘层在存储电极正上方处凹入。像素电极面向存储电极并形成在绝缘层上。凸起部分形成在面向第一底基板的第二底基板上。凸起部分朝向绝缘层的凹入部分凸起。

Description

显示面板及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种显示面板及其制造方法。具体的说，本发明涉及一种减少了制造成本的显示面板和该显示面板的制造方法。
背景技术
通常，液晶显示器包括阵列基板、面向阵列基板的滤色器基板以及插置在阵列基板和滤色器基板之间的液晶层。
阵列基板包括多个像素，从而通过其显示图像。每一个像素包括栅线、数据线、薄膜晶体管、存储线和像素电极。栅线和数据线分别接收栅信号和数据信号，并分别与薄膜晶体管的栅电极和源电极耦合。像素电极与薄膜晶体管的漏电极耦合。
滤色器基板包括滤色器层和公共电极。滤色器层包括红、绿和蓝滤色器。公共电极设置在滤色器层上并且面向像素电极，且液晶层插置在公共电极和像素电极之间。
阵列基板可通过使用五次掩模的工艺或使用四次掩模的工艺制造。在五次掩模工艺中，使用与晶体管的源电极和漏电极图案化所使用的掩模不同的掩模，使薄膜晶体管的有源层和欧姆接触层图案化。然而，在四次掩模工艺中，仅仅使用一个掩模对薄膜晶体管的有源层、欧姆接触层以及源电极和漏电极顺序图案化。因此，四次掩模工艺比五次掩模工艺简单。
通过使用四次掩模的工艺完成的阵列基板包括：存储电容器，该存储电容器由存储电极、像素电极和插置在存储电极和像素电极之间的作为电容器电介质的绝缘层限定。为增加存储电容器的电容量，绝缘层可以向存储电极部分地凹入。然而，当绝缘层凹入时，填充在绝缘层凹入部分中的液晶的量增加。
发明内容
本发明提供了一种具有均匀的盒间隙和低制造成本的显示面板。
本发明也提供了一种适合制造上面的显示面板的方法。
发明的其他特征将在随后的说明中列出，和部分地从说明中是显而易见地，或者可以从发明的实践中认识到。
本发明公开了一种显示面板，该显示面板包括阵列基板、面向阵列基板的对向基板和插置在阵列基板和对向基板之间的液晶。该阵列基板包括具有多个像素区域的第一底基板、存储电极、绝缘层和像素电极。该存储电极设置在第一底基板的每个像素区域中。绝缘层覆盖该存储电极，并具有位于该存储电极正上方的凹入部分。像素电极设置在绝缘层上并面向存储电极。该对向基板包括面向第一底基板的第二底基板和凸起部分。该凸起部分设置在第二底基板上相应于存储电极的位置，且它朝第一底基板凸起。
本发明还公开了一种制造显示面板的方法。根据该方法，在第一底基板的像素区域中形成栅电极和存储电极，并且绝缘层形成在第一底基板上以覆盖栅电极和存储电极。有源图案、欧姆接触图案、源电极和漏电极形成在栅绝缘层上。该源电极和该漏电极具有和该欧姆接触图案相同的形状。形成绝缘层来覆盖源电极和漏电极，和该绝缘层包括位于存储电极正上方的凹入部分。像素电极形成在绝缘层上。凸起部分形成在第二底基板上。第一底基板和第二底基板耦合在一起，以使该第一底基板面向该第二底基板，且凸起部分向存储电极凸起。液晶层形成在第一底基板和第二底基板之间。
可以理解，以上总体说明和以下详细说明都是示例性和解释性的，目的在于提供对所要求保护发明的进一步解释。
附图说明
附图被包括以提供本发明进一步的理解，并被引入此说明书作为此说明书的一部分，用来说明本发明的实施例，并与描述一起来解释本发明的原理。
图1是表示根据本发明一示范性实施例的显示面板的平面图；
图2是沿图1中的线I-I’和II-II’的横截面图；
图3是显示根据本发明另一示范性实施例中显示面板的存储电极区域的横截面图；
图4是显示根据本发明另一示范性实施例中显示面板的存储电极区域的横截面图；
图5是显示根据本发明另一示范性实施例中显示面板的存储电极区域的横截面图；
图6是显示根据本发明另一示范性实施例中显示面板的存储电极区域的横截面图；
图7是显示根据本发明另一示范性实施例中显示面板的平面图；
图8A、8B、8C、8D、8E、8F、8G、8H、8I、8J和8K是显示根据本发明一示范性实施例如图2所示的显示面板的制造工艺的横截面图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图更充分地描述发明的示范性实施例，附图中示出了发明的实施例。然而，本发明可以通过很多不同的方式来实现，而不应该理解为局限于这里所提出的实施例。更确切的说，提供这些实施例以便本发明是完全的，并将向本领域技术人员充分传达本发明的范围。在附图中，为清晰起见，可放大层和区域的尺寸和相对尺寸。在附图中，类似的附图标记指代类似的元件。
应当理解的是，当称元件或层在另一元件或层“上”，与另一元件或层“连接”或“耦合”时，其可能直接位于另一元件或层上，与另一元件或层直接连接或直接耦合，也可能存在中间元件或层。相反，在称某一元件“直接”位于另一元件或层“上”，或与另一元件或层“直接连接”或“直接耦合”时，则不存在中间元件或层。这里使用的词语“和/或”包括一个或多个列出项的任意和所有的组合。
应当理解的是，尽管词语第一、第二等等可以在此用来表示不同的元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应被这些词所限制。这些词仅仅用于把一个元件、组件、区域、层或部分与另一个区域、层或部分区分开来。因此，在不脱离本发明教导的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分也可称为第二元件、组件、区域、层或部分。
这里使用的术语是仅仅为了描述特定的实施例，而不限制本发明。除非上下文清楚的指示，这里使用的单数形式“一”和“该”也包括复数形式。可以进一步理解，说明书中使用的词“包含”和/或“包括”，是指所述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但不排除还有一个或多个其他的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组群的存在或添加。
除非另有限定，这里使用的所有术语(包括技术和科技术语)具有与本发明所属技术领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。可以进一步理解，例如那些在通常使用的字典中定义的术语，应该解释为具有与相关技术背景下的意思一致的含义，除非在此明确定义，否则不应该解释为理想化的或过于正式化的含义。
图1是表示根据本发明示范性实施例的显示面板的平面图。图2是沿图1中线I-I’和II-II’的横截面图。
如图1和图2所示，显示面板100包括阵列基板110、面向阵列基板110的滤色器基板120和插置在阵列基板110和滤色器基板120之间的液晶层300。
阵列基板110包括第一底基板111和多个像素。多个像素区以矩阵结构限定在第一底基板111上，并且像素分别设置在像素区域中。在本示范性实施例中，由于像素具有相同的结构和功能，因此仅仅参考图1和图2说明多个像素中的一个像素，和省略剩余像素的详细描述。
第一数据线DL1、第一栅线GL1和第二栅线DL2设置在第一底基板111上并与像素电耦合。第三栅线GL3和第二数据线DL2进一步设置在第一底基板111上并与相邻像素电耦合。
第一栅线GL1、第二栅线GL2和第三栅线GL3沿第一方向D1延伸，且第一数据线DL1和第二数据线DL2沿第二方向D2延伸，第二方向D2与第一方向D1基本上垂直。第二栅线GL2和第三栅线GL3与第一数据线DL1和第二数据线DL2在第一底基板111上限定出矩形像素区域PA。第一数据线DL1和第二数据线DL2设置在与第一栅线GL1、第二栅线GL2和第三栅线GL3不同的层上，从而第一数据线DL1和第二数据线DL2可与第一栅线GL1、第二栅线GL2和第三栅线GL3电绝缘。
设置在像素区域PA中的像素包括第一薄膜晶体管112、第二薄膜晶体管113、栅绝缘层114、钝化层115、有机绝缘层116、存储电极117和像素电极118。
第一薄膜晶体管112包括第一栅电极112a、第一有源图案112b、第一欧姆接触图案112c、第一源电极112d和第一漏电极112e。
第一栅电极112a从第一栅线GL1分支，并设置在第一底基板111上。第一栅电极112a被栅绝缘层114覆盖。第一有源图案112b和第一欧姆接触图案112c顺序形成在栅绝缘层114上。部分去除在第一栅电极112a上方的第一欧姆接触图案112c。第一源电极112d和第一漏电极112e形成在欧姆接触图案112c上，并在第一欧姆接触图案112c被部分去除的区域中彼此相隔。
第二薄膜晶体管113包括第二栅电极113a、第二有源图案(未示出)、第二欧姆接触图案(未示出)、第二源电极113d和第二漏电极113e。
图2显示了第一薄膜晶体管112的横截面图。第二薄膜晶体管113具有与第一薄膜晶体管112相同的横截面结构。
第二薄膜晶体管113的第二栅电极113a从第二栅线GL2分支，并设在第一底基板111上。第二栅电极113a被栅绝缘层114覆盖。第二有源图案和第二欧姆接触图案顺序形成在栅绝缘层114上，并且在第二栅电极113a上方部分去除第二欧姆接触图案。第二源电极113d和第二漏电极113e形成在第二欧姆接触图案上，并在部分去除第二欧姆接触图案的区域中彼此相隔。
存储电极117包括与第一栅电极112a和第二栅电极113a相同的材料，并形成在第一栅线GL1和第二栅线GL2之间。存储电极117为矩形形状并沿第一方向D1延伸。存储电极117被栅绝缘层114覆盖，其设置在像素区域PA之上。
钝化层115覆盖栅绝缘层114、第一薄膜晶体管112和第二薄膜晶体管113。有机绝缘层116设置在钝化层115上。钝化层115和有机绝缘层116包括分别暴露第一漏电极112e和暴露第二漏电极113e的第一接触孔H1和第二接触孔H2。有机绝缘层116在存储电极117正上方以预定深度凹入。因此，有机绝缘层116包括在存储电极117正上方限定的凹入部分116c。
像素电极118设置在有机绝缘层116上。在平面图中，像素电极118具有关于位于像素区域PA中心部分的存储电极117对称的形状。
像素电极118和存储电极117与作为电容器的电介质的有机绝缘层116、钝化层115和栅绝缘层114一起限定出存储电容器Cst。可完全或部分地除去位于存储电极117正上方的有机绝缘层116。因此，存储电容器Cst的电容量可增加与有机绝缘层116厚度的减少成比例。
像素电极118包括第一子像素电极118a以接收第一像素电压以及第二子像素电极118b以接收小于第一像素电压的第二像素电压的。第一子像素电极118a和第二子像素电极118b电耦合至不同的薄膜晶体管以接收不同的像素电压。
第一子像素电极118a通过第一接触孔H1电耦合至第一漏电极112e，和第二子像素电极118b通过第二接触孔H2电耦合至第二漏电极113e。当第一薄膜晶体管112响应于通过第一栅线GL1施加的第一栅信号而导通时，第一像素电压通过第一薄膜晶体管112和第一数据线DL1供应给第一子像素电极118a。然后，当第二薄膜晶体管113响应于通过第二栅线GL2施加的第二栅信号而导通时，第二像素电压通过第二薄膜晶体管113和第一数据线DL1供应给第二子像素电极118b。
由于第一子像素电极118a和第二子像素电极118b接收到彼此不同的电压，从而位于第一子像素电极118a和第二子像素电极118b上方的液晶以彼此不同的方向排列。结果，穿过相应于第一子像素电极118a和第二子像素电极118b的区域的光具有不同的特性，从而通过光特性间的相互补偿提高了显示面板100的显示质量(如，侧视角)。
如图1所示，第一子像素电极118a可具有沿顺时针方向转成的V形，并与存储电极117部分地交叠。第一子像素电极118a关于存储电极117对称定位。第二子像素电极118b设置在剩余的像素区域PA中。
第一子像素电极118a和第二子像素电极118b电绝缘，并依靠第一开口图案118c彼此隔开。第一开口图案118c穿过第二子像素电极118b形成，并且以预定距离彼此隔开。第一开口图案118c把像素区域PA分成多个区域。
面向阵列基板110的滤色器基板120包括第二底基板121、第一黑矩阵122、滤色器层123、公共电极124、第一凸起部分125和柱形隔垫135。
第一黑矩阵122包括挡光材料，并设置在第二底基板121上。如图1所示，第一黑矩阵122设置在第一数据线DL1、第二数据线DL2、第一薄膜晶体管112和第二薄膜晶体管113正上方。第一黑矩阵122防止光通过像素区域PA的相邻区域泄漏。
滤色器层123包括红、绿和蓝滤色器，和该红、绿和蓝滤色器分别设置在相应于阵列基板110的像素区域PA的区域中。图2示出了相应于像素区域PA的一个像素区域PA的绿滤色器G。
公共电极124设置在具有均匀厚度的滤色器层123上。多个第二开口图案124a穿过公共电极124形成，且通过预定距离彼此隔开。像素电极118中的每个第一开口图案118c插置在两个相邻第二开口图案124a之间。第一开口图案118c和第二开口图案124a把一个像素区域PA分成多个区域(如18个区域)。
液晶层300插置在阵列基板110和滤色器基板120之间，和在不同区域中提供的液晶层300的液晶分子在彼此不同的方向排列。因此，显示面板100的视角可增加。
柱形隔垫135设置在公共电极124上，并且插置在阵列基板110和滤色器基板120之间，以维持阵列基板110和滤色器基板120之间的空隙。因此，液晶可注入到阵列基板110和滤色器基板120之间限定的空间中。
尽管由于存储电极117挡光使得在设置存储电极117的区域不显示图像，但仍然在此区域注入液晶。第一凸起部分125设置在第二底基板121上以朝向阵列基板110凸起，以防止过多的液晶在凹入部分116c处积累。
在本示范性实施例中，第一凸起部分125包括第二黑矩阵，该第二黑矩阵的制造材料与第一黑矩阵122相同，并经过相同工艺与第一黑矩阵122基本上同时图案化。如上所述，由于存储电极117不透光，当第一凸起部分125形成为位于存储电极117正上方的第二黑矩阵，显示面板100的开口率仍没有减小。
第一凸起部分125的高度小于或等于凹入部分116c的深度。第一凸起部分125的宽度小于或等于存储电极117的宽度。在本示范性实施例中，第一凸起部分125的高度与第一黑矩阵122的厚度基本相同。
由于第一凸起部分125设置在滤色器基板120的对应于存储电极117的区域，因此在凹入部分116c处液晶层300的厚度可与第一凸起部分125的高度成比例地减少。因此，在凹入部分116c处液晶的量可以减少，从而减少了液晶的总量。
第一凸起部分125均匀地保持显示面板100的盒间隙(也即阵列基板110和滤色器基板120之间的距离)。由于第一凸起部分125的高度被控制与凹入部分116c的深度成比例，显示面板100的盒间隙可以保持均匀，从而提高了显示面板100的显示质量。
图3是表示按照本发明另一示范性实施例中显示面板的存储电极区域的横截面图。在图3中，同样的参考标记表示与图2中相同的元件，因此对相同元件的详细描述在此省略。
参考图3，第二凸起部分126设置在滤色器基板120上对应于存储电极117的区域，该第二凸起部分126包括第二黑矩阵126a和虚设滤色器126b。绿滤色器G设置在滤色器基板120上以覆盖第二凸起部分126。
第二黑矩阵126a包括与第一黑矩阵122(如图2所示)相同的材料，并经过同一过程与第一黑矩阵122基本上同时图案化。虚设滤色器126b具有与相邻于绿滤色器G的滤色器中一个滤色器相同的颜色，并与该一个滤色器经过同一过程基本上同时图案化。在本示范性实施例中，虚设滤色器126b是红(R)滤色器R。
当第二凸起部分126包括虚设滤色器126b，第二凸起部分126的高度超过图2中所示的第一凸起部分125的高度。因此，液晶层300的厚度在凹入部分116c处可进一步减小，从而减少了注入进显示面板100的液晶的总量。
图4是表示根据本发明另一示范性实施例中显示面板的存储电极区域的横截面图。图5是表示根据本发明另一示范性实施例中显示面板的存储电极区域的横截面图。图4和图5中，同样的参考标记表示与图2中相同的元件，因此对相同元件的详细描述在此省略。
参考图4，滤色器基板120包括设置在与有机绝缘层116的凹入部分116c相对应区域上的第三凸起部分127，和该第三凸起部分127作为第一虚设滤色器。绿滤色器G设置在滤色器基板120上以覆盖第三凸起部分127。
第一虚设滤色器具有与相邻于绿滤色器G的滤色器中一个滤色器相同的颜色，并与这一个滤色器经过同一过程基本上同时图案化。在本示范性实施例中，第一虚设滤色器127是红滤色器R。
参考图5，滤色器基板120包括设置在存储电极117正上方的第四凸起部分128，且该第四凸起部分128包括第一虚设滤色器128a和第二虚设滤色器128b。绿滤色器G设置在滤色器基板120上以覆盖第一虚设滤色器128a，和第二虚设滤色器128b设置在绿滤色器G上。
第一虚设滤色器128a具有与相邻于绿滤色器G的滤色器中选定的某一滤色器相同的颜色，并且第二虚设滤色器128b具有与相邻于绿色滤光器G的剩余的滤色器相同的颜色。第一虚设滤色器128a和第二虚设滤色器128b分别与该选定的一个滤色器和该剩余的滤色器基本上同时图案化。在本示范性实施例中，第一虚设滤色器128a是红滤色器R，和第二虚设滤色器128b是蓝滤色器B。
如图4和图5所示，相应于有机绝缘层116的凹入部分116c的液晶层300的厚度可以由第三凸起部分127和第四凸起部分128而减小，从而可减少凹入部分116c处液晶的量。
图6是表示根据本发明另一示范性实施例中显示面板的存储电极区域的横截面图。图6中，同样的参考标记表示与图2中相同的元件，因此对相同元件的详细描述在此省略。
参考图6，滤色器基板120包括设置在其上相应于存储电极117的区域的第五凸起部分137，和第五凸起部分137作为虚设柱形隔垫。虚设柱形隔垫137包括与图2中柱形隔垫135相同的材料，并与柱形隔垫135经过同一制造过程基本上同时图案化。
虚设柱形隔垫137的高度可以比柱形隔垫135小。当形成柱形隔垫135时，可使用狭缝掩模使虚设柱形隔垫137图案化，以便虚设柱形隔垫137低于柱形隔垫135。在本示范性实施例中，虚设柱形隔垫137的高度可小于或等于有机绝缘层116的凹入部分116c的深度。
由于虚设柱形隔垫137设置在滤色器基板120上，在凹入部分116c处液晶层300的厚度可减小。结果，在凹入部分116c中液晶的量可减少。
图7是表示根据本发明另一示范性实施例中显示面板的平面图。
参考图7，显示面板200包括第一数据线DL1、第二数据线DL2、第一栅线GL1、第二栅线GL2和第三栅线GL3。第一栅线GL1、第二栅线GL2和第三栅线GL3沿第一方向D1延伸，以及第一数据线DL1和第二数据线DL2沿第二方向D2延伸，第二方向D2与第一方向D1基本上垂直。
显示面板200进一步包括第一薄膜晶体管212、第二薄膜晶体管213、存储电极217和像素电极218。第一薄膜晶体管212与第一栅线GL1和第一数据线DL1电耦合，和第二薄膜晶体管213与第二栅线GL2和第一数据线DL1电耦合。
像素电极218设置在第二栅线GL2和第三栅线GL3之间，和存储电极217在像素的中心部分介于第一栅线GL1和第三栅线GLS之间沿第一方向延伸。像素电极218具有Z字形，并关于存储电极217对称设置。
像素电极218包括第一子像素电极218a和第二子像素电极218b。第一子像素电极218a具有沿顺时针方向转成的V形，并关于存储电极217对称设置。第二子像素电极218b设置在像素的剩余区域。第一子像素电极218a与第一薄膜晶体管212电耦合，和第二子像素电极218b与第二薄膜晶体管213电耦合。并且第一子像素电极218a和第二子像素电极218b彼此电绝缘。
在第一子像素电极218a和第二子像素电极218b之间形成第一开口图案218c，使得第一子像素电极218a和第二子像素电极218b彼此绝缘。在预定区域中，第一数据线DL1基本上平行于像素电极218延伸。结果，在像素区域中第一数据线DL1部分地与第一开口图案218c重叠。
显示面板200包括设置在与像素区域相邻的外围部分中的第一黑矩阵222，以阻止光通过该外围部分泄漏。显示面板200还包括第三黑矩阵229和第四黑矩阵225。第三黑矩阵229位于第一数据线DL1和第一开口图案218c彼此重叠的区域。第四黑矩阵225在第一方向D1上与存储电极217基本上平行地延伸。第三黑矩阵229阻止光通过第一数据线DL1和第一开口图案218c彼此重叠的区域泄漏。第四黑矩阵225从第三黑矩阵229分支并设置在存储电极217正上方。
如参考图1和图2的描述，有机绝缘层在存储电极217正上方以预定深度凹入，以增加存储电容器的电容量。在有机绝缘层116的凹入部分116c正上方，第四黑矩阵225向存储电极217凸出。第四黑矩阵225可防止过量的液晶积累在凹入部分116c，使得注入显示面板200中的液晶的总量可减少。
作为本实施例的一个例子，第四黑矩阵225的宽度等于或小于存储电极217的宽度。并且，第四黑矩阵225和第一黑矩阵222的厚度可以相同。因此，第四黑矩阵225在没有减小显示面板200开口率的情况下可以减少液晶层需要的液晶的量。
图7示出了在Z字形像素电极218的情况下设于存储电极217正上方的第四黑矩阵225。然而，显示面板200可以具有各种不同的凸出部分，这些设置在相应于存储电极217的区域内的凸出部分具有如图3、图4、图5和图6所示的不同结构。
图8A、8B、8C、8D、8E、8F、8G、8H、8I、8J和8K是表示制造如图2所示显示面板的方法的横截面图。由于制造第一薄膜晶体管112和第二薄膜晶体管113的过程可以相同，第一薄膜晶体管112的制造过程将通过参考图8A至8K说明，而略去对第二薄膜晶体管113制造过程的说明。
参考图8A，通过在第一底基板111之上涂覆栅金属层并使用第一掩模(未示出)对栅金属层构图，可在第一底基板111上形成第一栅电极112a和存储电极117。栅金属层可以包括金属材料，如铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、铬(Cr)或金属合金。可使用蚀刻剂通过湿法蚀刻工艺对栅金属层蚀刻。
参考图8B，栅绝缘层114形成在第一底基板111上以覆盖第一栅电极112a和存储电极117。栅绝缘层114可包括无机化合物如氮化硅。在栅绝缘层114上涂覆包含非晶硅层的有源层119a。掺杂了杂质离子的欧姆接触层119b涂覆在有源层119a上。使用等离子化学气相沉积技术，栅绝缘层114、有源层119a和欧姆接触层119b可顺序涂覆在第一底基板111整个表面上。
数据金属层119c涂覆在欧姆接触层119b上。数据金属层119c、欧姆接触层119b和有源层119a通过光刻工艺图案化。虽未在图中示出，第一光刻胶图案形成在数据金属层119c上。为形成第一光刻胶图案，将光刻胶层涂覆在数据金属层119c上，并在显影曝光的光刻胶层前，使用第二掩模(未示出)将光刻胶层曝光。
第一光刻胶图案按照其位置具有不同的厚度。第一光刻胶图案在相应于第一栅电极112a的区域内相对较薄。第二掩模可为狭缝掩模或半色调掩模。
接着，通过使用第一光刻胶图案作为蚀刻掩模的蚀刻工艺，顺序地蚀刻数据金属层119c、欧姆接触层119b和有源层119a。通过蚀刻工艺形成数据金属图案、前欧姆接触图案和有源图案。此处，数据金属图案、前欧姆接触图案和有源图案具有相同结构。
当均匀地除去第一光刻胶图案，就形成了第二光刻胶图案。通过使用第二光刻胶图案作为蚀刻掩模的蚀刻工艺，把数据金属图案和前欧姆接触图案从第一栅电极112a正上方去除。
参考图8C，通过蚀刻工艺在第一栅电极112a上方形成第一源电极112d、第一漏电极112e和欧姆接触图案112c。欧姆接触图案112c被分成两个部分，其分别与第一源电极112d和第一漏电极112e耦合。有源图案112b形成在欧姆接触图案112c下面。
通过上述工艺完成第一薄膜晶体管112。如上所述，有源图案112b、欧姆接触图案112c、第一源电极112d和第一漏电极112e使用同一掩模构图，从而简化了显示面板的制造工艺并减少了生产成本。
参考图8D，顺序的将第一透明绝缘层119e和第二透明绝缘层119f涂覆在第一薄膜晶体管112和栅绝缘层114上。第二透明绝缘层119f包含光敏丙烯酸树脂，以便第二透明绝缘层119f可通过光刻工艺图案化。第二透明绝缘层119f可以具有负型光刻胶或正型光刻胶。在本示范性实施例中，以包括正型光刻胶的第二透明绝缘层119f为例描述。
如图8E所示，使用第三掩模119d使第二透明绝缘层119f曝光。第三掩模119d包括透射部分OP1、狭缝透射部分SL1和阻光部分。第三掩模119d可包含狭缝掩模。
从相应于透射部分OP1的区域完全去除第二透明绝缘层119f，和从相应于狭缝透射部分SL1的区域部分地移除第二透明绝缘层119f，从而形成了有机绝缘图案119g，该有机绝缘图案119g具有相应于透射部分OP1的第一开口部分116a和相应于狭缝透射部分SL1的第一凹槽116b。第一凹槽116b形成在存储电极117正上方。
然后，使用有机绝缘图案119g作为蚀刻掩模对第一透明绝缘层119e进行蚀刻。
参考图8F，通过蚀刻工艺去除相应于第一开口部分116a的区域的第一透明绝缘层119e，从而形成了具有第一接触孔H1的钝化层115。通过第一接触孔H1暴露第一薄膜晶体管112的第一漏电极112e。
此外，以预定厚度均匀去除有机绝缘图案119g，从而形成有机绝缘层116。可完全去除或部分地去除对应于第一凹槽116b的位置的有机绝缘图案119g。如图8F所示，有机绝缘层116在该位置被部分地去除，以便有机绝缘层116具有朝存储电极117凹入的凹入部分116c。
参考图8G，透明导电层(未示出)形成在有机绝缘层116上，并通过使用第四掩模(未示出)的蚀刻工艺图案化，从而在有机绝缘层116上形成第一子像素电极118a和第二子像素电极118b。第一子像素电极118a和第二子像素电极118b通过第一开口图案118c彼此绝缘。
通过第一接触孔H1，第一子像素电极118a与第一薄膜晶体管112的第一漏电极112e电耦合。并且，第一子像素电极118a面向存储电极117。有机绝缘层116、钝化层115和栅绝缘层114插置在第一子像素电极118a和存储电极117之间并作为存储电容器的电介质。
通过上述工艺完成阵列基板100(如图2所示)，和通过以下工艺制造滤色器基板120(如图2所示)。
参考图8H，通过形成并构图包括铬(Cr)或有机材料的阻光层(未示出)，在第二底基板121上形成第一黑矩阵122和第二黑矩阵125。第一黑矩阵122形成在相应于第一薄膜晶体管112和第一数据线DL1的区域，且第二黑矩阵125形成在相应于存储电极117的区域。
如图8I所示，在第二底基板121上方形成滤色器层123以覆盖第一黑矩阵122和第二黑矩阵125。滤色器层123与形成在像素区域外围部分中的第一黑矩阵122部分地交叠，但是滤色器层123覆盖形成在像素区域内的第二黑矩阵125的整个表面。滤色器层123包括红滤色器、绿滤色器和蓝滤色器。利用构图工艺或喷墨印刷方法，可使红滤色器、绿滤色器和蓝滤色器顺序地形成。
参考图8J，透明导电层(未示出)形成在滤色器层123上并图案化，从而在滤色器层123上形成了公共电极124。通过上述构图工艺，第二开口图案124a穿过公共电极124形成。
参考图8K，与预定盒间隙有相同厚度的绝缘层(未示出)沉积在公共电极124上。对绝缘层构图以在公共电极124上形成柱形隔垫135。如图8K所示，柱形隔垫135形成在第一黑矩阵122上方。因此，柱形隔垫135可保持显示面板100(如图1所示)的盒间隙而不减少显示面板100的开口率。
通过上述工艺完成的滤色器基板120与阵列基板110结合。在滤色器基板120与阵列基板110彼此装配前，可把液晶滴在滤色器基板120上。这样，第二黑矩阵125可导致凹入部分116c处液晶量的减少，从而减少了滴在滤色器基板120上液晶的总量。
在本实施例的另一例子中，在阵列基板110与滤色器基板120装配后，可把液晶注入阵列基板110和滤色器基板120之间。第二黑矩阵125减小了阵列基板110与滤色器基板120之间的距离，使得在凹入部分116c处的液晶量可减少。
如上所述，形成在阵列基板上的有机绝缘层具有位于存储电极正上方的凹入部分，以及形成在滤色器基板上的凸起部分朝向该凹入部分凸起。
因此，可减少在凹入部分的液晶量，从而显示面板所需液晶的总量也可减少。而且，由于相应于凹入部分形成凸起部分，因此显示面板可具有均匀的盒间隙。
对本领域的普通技术人员而言，显然，在不脱离本发明精神或范围的情况下，可以对本发明做出各种改进和变型。因此，本发明意在涵盖那些落入所附权利要求及其等同物范围内的本发明的改进和变型。
本申请要求享有2006年10月12日在韩国提交的申请号为2006-99408的韩国专利申请的优先权，将其在此完全包含并引作参考。

Claims (21)

1.一种显示面板，包括：
阵列基板，包括：
包括多个像素区域的第一底基板；
设置在该第一底基板的每个像素区域中的存储电极；
设置在该第一底基板上以覆盖该存储电极的绝缘层，该绝缘层包括位于该存储电极正上方的凹入部分；以及
像素电极，设置在该绝缘层上并面向该存储电极；
对向基板，包括：
面向该第一底基板的第二底基板；以及
凸起部分，设置在该第二底基板上相应于该存储电极的位置，并朝向该第一底基板凸起；和
插置在该阵列基板和该对向基板之间的液晶层。
2.如权利要求1所述的显示面板，其中，该对向基板进一步包括第一黑矩阵，该第一黑矩阵设置在该第二底基板上与相邻于该像素区域的外围区域相相应的位置。
3.如权利要求2所述的显示面板，其中，该凸起部分包括第二黑矩阵，该第二黑矩阵包括与该第一黑矩阵相同的材料。
4.如权利要求3所述的显示面板，其中，该对向基板进一步包括滤色器层，该滤色器层包括与像素区域分别相应的滤色器，并且该滤色器覆盖所述第二黑矩阵。
5.如权利要求4所述的显示面板，其中，该凸起部分进一步包括虚设滤色器，该虚设滤色器设置在所述第二黑矩阵与设于所述第二黑矩阵上方的滤色器中一个滤色器之间，该虚设滤色器与相邻于所述一个滤色器的滤色器中至少一个滤色器具有相同的颜色。
6.如权利要求1所述的显示面板，其中，该对向基板进一步包括滤色器层，该滤色器层包括分别与像素区域相应的滤色器。
7.如权利要求6所述的显示面板，其中，该凸起部分包括第一虚设滤色器，该第一虚设滤色器设置在所述滤色器中的相应滤色器和该第二底基板之间，和该第一虚设滤色器与相邻于所述相应滤色器的滤色器之一具有相同的颜色。
8.如权利要求7所述的显示面板，其中，所述凸起部分进一步包括设置在该相应滤色器上的第二虚设滤色器，所述第二虚设滤色器与相邻滤色器中一个滤色器具有相同的颜色，并与所述第一虚设滤色器的颜色不同。
9.如权利要求6所述的显示面板，其中，该对向基板进一步包括：
设置在该滤色器层上的公共电极；和
间隙维持图案，设置在该阵列基板和该对向基板之间以维持该阵列基板和该对向基板之间的间隙。
10.如权利要求9所述的显示面板，其中，该凸起部分包括设置在该公共电极上的虚设间隙维持图案，该虚设间隙维持图案包括与所述间隙维持图案相同的材料。
11.如权利要求1所述的显示面板，其中，该凸起部分的高度等于或小于所述绝缘层的所述凹入部分的深度。
12.如权利要求1所述的显示面板，其中，该绝缘层包括：
覆盖该存储电极的栅绝缘层；
设置在该栅绝缘层上的钝化层；和
设置在该钝化层上的有机绝缘层，该有机绝缘层包括该凹入部分。
13.如权利要求1所述的显示面板，其中，该像素电极包括：
接收第一像素电压的第一子像素电极；和
接收第二像素电压的第二子像素电极，该第二像素电压小于该第一像素电压。
14.如权利要求13所述的显示面板，其中，该像素电极包括穿过其形成的多个第一开口，从而将该第一子像素电极和第二子像素电极彼此电分隔，并将每个像素区域分成多个域。
15.如权利要求14所述的显示面板，其中，该对向基板进一步包括面向该像素电极的公共电极，该公共电极包括穿过其形成的多个第二开口，该第二开口与该第一开口设置在不同位置上来分割上述域。
16.如权利要求13所述的显示面板，其中，该阵列基板进一步包括：
第一栅线；
与该第一栅线分隔开的第二栅线；
与该第一栅线和第二栅线交叉且电绝缘的数据线；
与该第一栅线和数据线电耦合以输出第一像素电压的第一薄膜晶体管；和
与该第二栅线和数据线电耦合以输出第二像素电压的第二薄膜晶体管。
17.如权利要求16所述的显示面板，其中，该第一子像素电极与该第一薄膜晶体管的输出电极电耦合以接收该第一像素电压，和该第二子像素电极与该第二薄膜晶体管的输出电极电耦合以接收所述第二像素电压。
18.一种制造显示面板的方法，包括：
在第一底基板的像素区域中形成栅电极和存储电极；
在该第一底基板上形成栅绝缘层以覆盖该栅电极和存储电极；
在该栅绝缘层上形成有源图案、欧姆接触图案、源电极和漏电极，该源电极和漏电极具有与该欧姆接触图案相同的形状；
形成绝缘层以覆盖该源电极和漏电极并包括位于该存储电极正上方的凹入部分；
在该绝缘层上形成像素电极；
在第二底基板上形成凸起部分；
把该第一底基板和第二底基板相互耦合，以使该第二底基板面向该第一底基板并且该凸起部分朝向该存储电极凸起；及
在该第一底基板和该第二底基板之间插置液晶层。
19.如权利要求18所述的方法，其中，形成该凸起部分包括：
在该第二底基板上涂覆挡光层；和
对该挡光层构图以形成第一黑矩阵和第二黑矩阵，该第一黑矩阵位于相应于该像素区域的外围区域的区域内，该第二黑矩阵位于相应于该存储电极的区域内。
20.如权利要求19所述的方法，进一步包括在该第二底基板上形成彼此颜色不同的滤色器之中的第一滤色器，和其中，形成该凸起部分进一步包括在该第一滤色器上形成滤色器之中的第二滤色器，该第二滤色器具有与该第一滤色器不同的颜色并形成在与该存储电极相对应的位置上。
21.如权利要求20所述的方法，进一步包括在该滤色器和凸起部分上形成公共电极。
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