KR19980038039A - 액정표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents

액정표시장치 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR19980038039A
KR19980038039A KR1019960056875A KR19960056875A KR19980038039A KR 19980038039 A KR19980038039 A KR 19980038039A KR 1019960056875 A KR1019960056875 A KR 1019960056875A KR 19960056875 A KR19960056875 A KR 19960056875A KR 19980038039 A KR19980038039 A KR 19980038039A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
forming
region
electrode
pixel
active layer
Prior art date
Application number
KR1019960056875A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100223879B1 (ko
Inventor
김홍규
Original Assignee
구자홍
엘지전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 구자홍, 엘지전자 주식회사 filed Critical 구자홍
Priority to KR1019960056875A priority Critical patent/KR100223879B1/ko
Publication of KR19980038039A publication Critical patent/KR19980038039A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100223879B1 publication Critical patent/KR100223879B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)

Abstract

액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 블랙 매트릭스를 박막 트랜지스터 영역, 게이트 라인 및 데이타 라인과 화소전극의 일측과 중첩되도록 일체형으로 형성하고, 블랙 매트릭스를 공통전극으로 사용하여 화소 전극과 블랙 매트릭스에 의해 형성되는 커패시터를 스토리지 커패시터로 이용함으로써, 화소 영역에서 스토리지 커패시터가 차지하는 면적을 줄일 수 있어 고개구율의 액정표시장치를 제작할 수 있다.

Description

액정표시장치 및 그 제조방법
본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로서, 특히 개구율을 향상시키기 위한 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.11 12 21 22 LC패시터(CLC)를 충전시키면 액정표시장치가 동작하게 된다.여 활성층(2)의 소오스 영역이 노출되도록 금속 콘택홀(7)을 형성한다.
종래 기술에 따른 액정표시장치는 스토리지 커패시터가 활성층-게이트 절연막-게이트 전극으로 구성되므로 스토리지 커패시터가 차지하는 면적이 크고 불투명하므로 개구율이 떨어지는 문제점이 있다. 또한, 스토리지 커패시터의 하부전극을 형성하기 위해 활성층상에 감광막을 패터닝하여 불순물을 이온주입하는 공정에서 활성층의 오염이 발생하는 문제점도 있다. 또한, 감광막의 제거시 활성층의 표면이 손상되어 제작된 디바이스의 성능이 저하되는 문제점도 있다.
도 1은 일반적인 액정표시장치의 회로도,
도 2는 종래 기술에 따른 액정표시장치의 레이아웃도,
도 3a 내지 3h는 도 2의 I - I 선에 따른 액정표시장치의 제조공정을 보여주는 공정 단면도,
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치의 레이아웃도,
도 5a내지 5g는 도 4의 II-II 선에 따른 액정표시장치의 제조 공정을 보여주는 공정 단면도,
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치의 레이아웃도,
도 7a 내지 7h는 도 6의 III-III 선에 따른 액정표시장치의 제조 공정을 보여주는 공정 단면도이다.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
49, 71 : 제 2 콘택홀 50, 72 : 화소전극
본 발명에 따른 액정표시장치 및 그 제조방법은 블랙 매트릭스를 박막 트랜지스터 영역, 게이트 라인 및 데이타 라인과 화소전극의 일측과 중첩되도록 일체형으로 형성하고, 블랙 매트릭스를 공통전극으로 사용하여 화소 전극과 블랙 매트릭스에 의해 형성되는 커패시터를 스토리지 커패시터로 이용함으로써, 화소 영역에서 스토리지 커패시터가 차지하는 면적을 줄여 고개구율의 액정표시장치를 제작할 수 있는 특징이 있다.보여주는 공정 단면도이다.게이트 절연막(43)을 포함한 기판(41) 전면에 게이트 전극물질을 증착하고 패터닝하여 게이트 전극(44)을 형성한다. 이어, 게이트 전극(44)을 마스크로 활성층(42)에 불순물(P또는B)을 이온주입하고 열처리 공정으로 주입되어진 불순물 이온을 활성화시켜 박막 트랜지스터의 소오스 영역과 드레인 영역을 형성한다.전극(50)의 일측과 중첩되도록 일체형으로 형성한후 공통전극으로 연결한다. 여기서, 화소 전극(50) - 절연막(51) - 블랙 매트릭스(52)가 적층되어 스토리지 커패시터가 형성된다. 또한, 블랙 매트릭스(52)는 스토리지 커패시터의 상부전극으로 사용된다.연막(도시되지 않음) - 화소전극(72)으로 형성되는 커패시터를 스토리지 커패시터로 사용한다.
본 발명에 따른 액정표시장치 및 그 제조방법은 스토리지 커패시터가 화소 전극과 블랙 매트릭스가 서로 겹쳐지는 부분에 형성되므로 화소 영역에서 스토리지 커패시터가 차지하는 면적이 크게 줄어 고개구율을 갖는 액정표시장치의 제작이 가능하다. 또한, 종래 기술에서는 스토리지 커패시터의 하부 전극을 정의하기 위한 감광막 패턴 형성 및 불순물 주입공정으로 인해 활성층이 오염되거나 손상되었으나 본 발명은 화소 전극과 블랙 매트릭스에 의해 스토리지 커패시터를 형성함으로써 특성이 우수한 액정표시장치의 제작이 가능하다.

Claims (7)

  1. 매트릭스 형태의 화소영역과 상기 화소영역 사이에 수직한 방향으로 형성되는 복수개의 게이트 라인과 데이타 라인을 갖는 액정표시장치에 있어서, 각각 화소 영역의 기판상에 소오스 영역과 드레인 영역을 갖고 형성되는 활성층; 상기 활성층을 활성영역으로 하고 상기 게이트 라인을 게이트 전극으로 하며 상기 데이타 라인을 소오스 전극으로 하여 형성되는 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터의 불순물 영역에 연결되어 상기 화소 영역에 형성되는 화소 전극; 상기 화소 전극 상측에 형성되고 상기 박막 트랜지스터 영역, 게이트 라인, 데이타 라인, 화소전극의 일측과 중첩되어 일체형으로 형성되는 스토리지 커패시터용 블랙 매트릭스를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 액정표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 스토리지 커패시터용 블랙 매트릭스는 공통전극으로 사용됨을 특징으로 하는 액정표시장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 스토리지 커패시터용 블랙 매트릭스는 화소전극의 하부에도 위치할 수 있음을 특징으로 하는 액정표시장치.
  4. 매트릭스 형태의 화소 영역과 상기 화소 영역사이에 서로 수직한 방향으로 형성되는 복수개의 게이트 라인과 데이타 라인을 갖는 액정표시장치의 제조방법에 있어서, 기판상의 일정영역에 활성층을 형성하고 상기 활성층상에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 상기 활성층 상부의 일정영역에 게이트 전극을 형성하고 상기 게이트 전극을 마스크로 불순물 이온을 주입하여 소오스 영역과 드레인 영역을 형성하는 단계; 상기 활성층을 포함한 기판 전면에 제 1 층간 절연막을 형성한 후 소오스 영역이 노출되도록 제 1 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 제 1 콘택홀을 통해 소오스영역과 연결되도록 데이타 라인을 형성하고 기판 전면에 제 2 층간 절연막을 형성하는 단계; 상기 활성층의 드레인 영역이 노출되도록 제 2 콘택홀을 형성하여 제 2 콘택홀을 통해 드레인 영역과 연결되도록 화소전극을 형성하는 단계; 상기 화소전극을 포함한 기판 전면에 절연막을 형성하고 상기 절연막 상에 블랙 매트릭스를 증착하고 패터닝하여 박막 트랜지스터, 게이트 라인 및, 데이타라인과, 화소 전극의 일측을 커버하도록 형성하여 공통전극으로 연결하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 블랙 매트릭스는 스토리지 커패시터의 상부 전극으로 사용됨을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  6. 매트릭스 형태의 화소 영역과 상기 화소 영역사이에 서로 수직한 방향으로 형성되는 복수개의 게이트 라인과 데이타 라인을 갖는 액정표시장치의 제조방법에 있어서, 기판상의 일정영역에 활성층을 형성하고 상기 활성층상에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 상기 활성층 상부의 일정영역에 게이트 전극을 형성하고 상기 게이트 전극을 마스크로 불순물 이온을 주입하여 소오스 영역과 드레인 영역을 형성하는 단계; 상기 활성층을 포함한 기판 전면에 제 1 층간 절연막을 형성한 후 소오스영역이 노출되도록 제 1 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 제 1 콘택홀을 통해 소오스영역과 연결되도록 데이타 라인을 형성하고 기판 전면에 제 2 층간 절연막을 형성하는 단계; 상기 제 2 층간 절연막 상에 블랙 매트릭스를 증착하고 패터닝하여 드레인 영역 상부를 제외한 박막 트랜지스터, 게이트 라인 및, 데이타 라인과, 화소영역의 일측을 커버하도록 형성하고 공통전극으로 연결하는 단계; 상기 블랙 매트릭스를 포함한 기판 전면에 절연막을 형성하고 드레인 영역이 노출되도록 제 2 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 제 2 콘택홀을 통해 드레인 영역과 연결되도록 화소 영역에 화소전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 블랙 매트릭스는 스토리지 커패시터의 하부 전극으로 사용됨을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
KR1019960056875A 1996-11-23 1996-11-23 액정표시장치 및 그 제조방법 KR100223879B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960056875A KR100223879B1 (ko) 1996-11-23 1996-11-23 액정표시장치 및 그 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960056875A KR100223879B1 (ko) 1996-11-23 1996-11-23 액정표시장치 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19980038039A true KR19980038039A (ko) 1998-08-05
KR100223879B1 KR100223879B1 (ko) 1999-10-15

Family

ID=19483313

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960056875A KR100223879B1 (ko) 1996-11-23 1996-11-23 액정표시장치 및 그 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100223879B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005114315A1 (en) * 2004-04-23 2005-12-01 Iljin Display Co., Ltd. Liquid crystal panel using thin film transistor and manufacturing method of the same
US7483009B2 (en) 2002-12-27 2009-01-27 Sharp Kabushiki Kaisha Display device substrate and liquid crystal display device having the same

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101230307B1 (ko) 2006-02-17 2013-02-06 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
CN105511189B (zh) * 2016-02-16 2018-10-26 深圳市华星光电技术有限公司 Va型coa液晶显示面板
KR102013223B1 (ko) 2017-08-11 2019-08-22 (주)국제환경기술 외부 제트 이젝터

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7483009B2 (en) 2002-12-27 2009-01-27 Sharp Kabushiki Kaisha Display device substrate and liquid crystal display device having the same
US7576721B2 (en) 2002-12-27 2009-08-18 Sharp Kabushiki Kaisha Display device substrate and liquid crystal display device having the same
US7602358B2 (en) 2002-12-27 2009-10-13 Sharp Kabushiki Kaisha Display device substrate and liquid crystal display device having the same
US8605016B2 (en) 2002-12-27 2013-12-10 Sharp Kabushiki Kaisha Display device substrate and liquid crystal display device having the same
WO2005114315A1 (en) * 2004-04-23 2005-12-01 Iljin Display Co., Ltd. Liquid crystal panel using thin film transistor and manufacturing method of the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR100223879B1 (ko) 1999-10-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6067132A (en) LCD having contact electrode coupling gate electrode of first pixel to region active layer of second pixel region
US5942310A (en) Liquid crystal display with increased aperture ratio
KR100205373B1 (ko) 액정표시소자의 제조방법
US5834328A (en) Method for fabricating liquid crystal display
US20050170564A1 (en) Thin film tansistor array panel and fabricating method thereof
KR0156178B1 (ko) 액정표시 소자의 제조방법
US5751020A (en) Structure of a liquid crystal display unit having exposed channel region
KR100364771B1 (ko) 액정표시장치의구조및제조방법
KR19980038039A (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
KR19980021018A (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100267995B1 (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100209622B1 (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100267993B1 (ko) 액정표시장치와그제조방법
KR100339346B1 (ko) 액정표시소자제조방법
US6100566A (en) Multi-layer semiconductor device and method for fabricating the same
KR100267981B1 (ko) 액정표시장치제조방법
KR20000002472A (ko) 액정표시장치 제조방법
US20020047949A1 (en) Liquid crystal displays
KR100272588B1 (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100218578B1 (ko) 액정표시장치의 구조와 그 제조방법
KR100267994B1 (ko) 액정표시장치의제조방법
KR100226857B1 (ko) 액정표시장치의 제조방법
KR100249222B1 (ko) 액정표시장치및그제조방법
KR100306805B1 (ko) 박막트랜지스터의제조방법
KR100267980B1 (ko) 액정표시장치및그제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20070629

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee