CN101199038A - 基体表面上的有机被膜的除去方法及除去装置 - Google Patents

基体表面上的有机被膜的除去方法及除去装置 Download PDF

Info

Publication number
CN101199038A
CN101199038A CNA2006800213800A CN200680021380A CN101199038A CN 101199038 A CN101199038 A CN 101199038A CN A2006800213800 A CNA2006800213800 A CN A2006800213800A CN 200680021380 A CN200680021380 A CN 200680021380A CN 101199038 A CN101199038 A CN 101199038A
Authority
CN
China
Prior art keywords
stripper
organic envelope
organic
matrix
envelope
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA2006800213800A
Other languages
English (en)
Inventor
新妻裕志
饭沼和久
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toagosei Co Ltd
Original Assignee
Toagosei Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toagosei Co Ltd filed Critical Toagosei Co Ltd
Publication of CN101199038A publication Critical patent/CN101199038A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D61/00—Processes of separation using semi-permeable membranes, e.g. dialysis, osmosis or ultrafiltration; Apparatus, accessories or auxiliary operations specially adapted therefor
    • B01D61/14—Ultrafiltration; Microfiltration
    • B01D61/145—Ultrafiltration
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31127—Etching organic layers
    • H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Water Supply & Treatment (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

本发明提供一种在不更换剥离液的情况下将半导体用晶片或液晶用基板等基板表面上的光敏抗蚀剂被膜从基板上除去的方法。使以在一个分子中具有两个以上氧的有机环状化合物例如碳酸亚烷基酯为主成分的剥离液与所述基体表面上的光敏抗蚀剂被膜接触，除去所述被膜后，对含在剥离液中的所述被膜成分进行超滤处理，由此从剥离液中去除，将去除了所述被膜成分的剥离液循环再利用于基体表面上的有机被膜的除去。提供具有有机被膜的基体表面的有机被膜的除去装置，其特征在于，包括：导入新剥离液，且导入处理后的剥离液的混合剥离液贮槽；从混合剥离液贮槽机构向接触槽供给剥离液的机构；收容具有有机被膜的基体的基体固定器；从基体固定器取出具有有机被膜的基体，并导入接触槽中，在接触槽内，使剥离液与基体的具有有机被膜的表面接触，使有机被膜溶解于剥离液中，从基体表面除去有机被膜，从接触槽捞出除去了有机被膜的基体的机构；从接触槽排出溶解有机被膜的剥离液；导入从接触槽排出的剥离液的膜滤装置；使从膜滤装置排出的剥离液循环，并使所述剥离液返回到混合剥离液贮槽的机构。本发明的除去方法在经济性或安全性上出色，对环境也不产生不良影响。

Description

基体表面上的有机被膜的除去方法及除去装置
技术领域
本发明涉及以电子设备用基板等的表面清洁化为目的的、基体表面上附着的有机被膜的除去方法、及除去装置。具体来说，本发明尤其涉及半导体用晶片或液晶用基板等的加工时使用的光敏抗蚀剂被膜的除去中有用的使用了剥离液的光敏抗蚀剂被膜的除去方法、及除去装置。
背景技术
在氧化膜或多晶硅膜的微细加工中使用的光敏抗蚀剂的除去中，以往开始知道的有使用剥离液的方法。作为所述剥离液，使用了苛性钠或苛性钾等无机强碱水溶液、硫酸及过氧化氢的混合物、IPA(异丙醇)或NMP(正甲基吡咯烷酮)等有机溶剂、单乙醇胺或TMAH(氢氧化四甲基铵)等有机碱性物质等。
但是，在使用了这些剥离液的剥离方法中，不仅不能忽视剥离液自身的危险性或有害性，而且已使用剥离液中混入光敏抗蚀剂树脂，导致抗蚀剂剥离能力降低，因此，难以再利用剥离液，故不得不废弃，从而存在产生大量废弃物，污染环境的问题。
作为解决这样的问题的解决对策，提出了为了再生使用混入有光敏抗蚀剂的剥离液，进行臭氧处理的方法。例如，公开了通过使臭氧作用于由醋酸及/或丙酸构成的剥离液，有选择性地只分解剥离液中的有机物，由此再生剥离液的方法(特开2001-345304号公报)。另外，公开有将由碳酸亚乙酯及/或碳酸亚丙酯构成的剥离液进行臭氧处理，将剥离液中的有机被膜构成物质分解，由此再生利用剥离液的方法(特开2003-330206号公报)。尤其，由碳酸亚乙酯及/或碳酸亚丙酯构成的剥离液几乎不被臭氧处理分解，能够由臭氧处理有选择性地只分解来源于有机被膜的成分，因此，能够构筑可循环再利用剥离液的剥离工序，而且还公开有若干个用于实施该工序的剥离装置(特开2003-305418号公报)。
专利文献1：特开2001-345304号公报
专利文献2：特开2003-330206号公报
专利文献3：特开2003-305418号公报
但是，在臭氧处理中，发现不是所有的来源于有机被膜的成分被完全氧化至水和二氧化碳，一部分变成羧酸及其酯而残留在剥离液中。这样的羧酸或其酯可能对剥离装置的材质产生不良影响，进而还发现降低剥离液剥离有机被膜的速度。
发明内容
本发明的目的在于提供在剥离液中不积蓄有机被膜的薄片或分解成分，因此能够在不降低有机被膜的剥离速度的情况下长期反复再使用剥离液，且对剥离装置的材质不产生不良影响的有机被膜的除去方法及除去装置。
根据本发明可知，为了消除臭氧处理引起的这样的缺陷而不使用臭氧处理，利用膜滤处理含有来源于有机被膜的成分的剥离液，由此，能够除去来源于有机被膜的成分。
根据本发明提供一种有机被膜的除去方法，其中，使剥离液与基体表面上的有机被膜接触，并除去有机被膜，然后膜滤处理含在剥离液中的来源于有机被膜的成分，由此将所述来源于有机被膜的成分从剥离液去除，根据需要将去除了来源于有机被膜的成分的剥离液再使用于基体表面上的有机被膜的除去中。
另外，根据本发明还提供具有有机被膜的基体表面的有机被膜的除去装置，其特征在于，包括：
A.贮槽，其贮存新剥离液；
B.导入新剥离液，且导入处理后的剥离液的混合剥离液贮槽；
C.从混合剥离液贮槽向接触槽供给剥离液的机构；
D.基体固定器(holder)，其收容具有有机被膜的基体；
E.从基体固定器取出具有有机被膜的基体，并导入接触槽，在接触槽内，使剥离液与基体的具有有机被膜的表面接触，使有机被膜溶解于剥离液中，从基体表面除去有机被膜，从接触槽捞出除去了有机被膜的基体的机构；
F.从接触槽排出溶解有机被膜的剥离液；
G.导入从接触槽排出的剥离液的膜滤装置；
H.使从膜滤装置排出的剥离液循环，并返回到混合剥离液贮槽的机构。
附图说明
图1是表示本发明的有机被膜的除去装置的例子的整体图。
具体实施方式
本发明的基体表面上的有机被膜的除去方法包括以下工序。
(1)使剥离液与基体表面上的有机被膜接触，剥离、除去有机被膜例如，抗蚀剂膜的工序；
(2)其次，向膜滤装置导入溶解及/或分散了剥离、除去的来源于有机被膜的成分的剥离液，进行过滤处理，从剥离液过滤来源于有机被膜的成分的工序；
(3)将膜滤处理后的剥离液再次再使用于基体表面上的有机被膜的剥离、溶解的工序。还有，再利用剥离液时，通过所有工序，剥离液发生损耗，因此，优选向工序补充新的剥离液。
在本发明中使用的剥离液优选以在一个分子中具有两个以上氧的有机环状化合物为主成分。在此，作为主成分是指在剥离液中含有50重量％以上的在一个分子中具有两个以上氧的有机环状化合物的情况。
作为在一个分子中具有两个以上氧的有机环状化合物，可以例示碳酸亚乙酯、碳酸亚丙酯等碳酸亚烷基酯类、二烷、三烷等环状醚类、β-丙内酯、γ-己内酯、γ-月桂内酯、δ-戊内酯等内酯类。其中，从沸点或燃点高且毒性小的方面出发，优选碳酸亚烷基酯、从对有机被膜的溶解性大的方面出发，优选碳酸亚乙酯及/或碳酸亚丙酯。
与在一个分子中具有两个以上氧的有机环状化合物一同使用的液体优选沸点为60℃以上的液体。作为所述液体，可以例示乙醇、异丙醇等醇类、聚乙二醇等醚类、甲苯、二甲苯等芳香族烃类、水等。
从有机被膜的剥离性和剥离液的安全性的方面出发，在一个分子中具有两个以上氧的有机环状化合物优选在剥离液中占70重量％以上，更优选90重量％以上。
为了进而提高抗蚀剂等有机被膜的溶解性，因此，可以加温使用所述剥离液。使用温度的范围是200℃以下，考虑燃点以下的使用，优选的使用温度是30～150℃。
作为使剥离液与基体表面上的有机被膜接触的方法，可以例示将附有有机被膜的基体浸渍在剥离液中溶解的方法、向基体上的有机被膜喷射剥离液进行冲洗的方法、将附有有机被膜的基体暴露在剥离液的蒸气中的方法等。关于向基体上的有机被膜喷射剥离液进行冲洗的方法，例如在特开2003-203856号公报中有记载。
在本发明中剥离的有机被膜是主要在电子材料用基板的光刻法工序中最后变得不需要的光敏抗蚀剂。即，可以列举作为正型抗蚀剂的酚醛清漆树脂系、作为负型抗蚀剂的环化聚异戊二烯系。
在本发明中所谓的“来源于有机被膜的成分”包括上述有机被膜的薄片、构成有机被膜的树脂或交联剂等的意思。
若使用所述剥离液，则能够简单地除去作为基板表面上的有机物的苯二甲酸二辛酯(DOP)等的油膜，同时也能够除去被这些油膜固着在表面的污染微粒。另外，也适合除去机械加工后的基体表面上的加工油等的油膜或金属表面的涂膜等。
还有，通常加热处理液进行除去处理，但根据基体的性质，也可以在需要室温或略微加温的条件下进行处理的情况下使用。在使用碳酸亚乙酯的情况下，可以在作为熔点的35℃以上的温度下适当使用。
根据本发明可知，能够在极短时间内且有效地除去基体表面上的有机被膜例如，以往需要磨碎的离子注入抗蚀剂膜，并且能够长期反复再利用高沸点且毒性小的剥离液，因此，经济性或安全性来说也优选，对环境不产生不良影响。
在本发明中，为了再利用在基体表面上的有机被膜的剥离、除去中所使用的剥离液，将溶解及/或分散了剥离、分散的来源于有机被膜的成分的剥离液接着导入膜滤装置中，进行过滤处理，从剥离液过滤来源于有机被膜的成分。通过除去来源于有机被膜的成分，剥离液恢复基体表面上的有机被膜剥离性能，从而能够多次再利用。
在本发明中使用的膜滤包括：微孔过滤器、超滤、反渗透、透析。其中，从基于来源于有机被膜的成分的过滤的除去性、过滤速度、膜的成本的方面出发，优选超滤。超滤是指使用具有5nm～0.2μm的细孔径的多孔膜进行分子量为几百至几十万的有机化合物或高分子化合物的分离的过滤方法的一种，通常使用模块(module)化的超滤膜，在0.1～0.2Mpa左右的正压或负压下进行过滤。
超滤膜具有表面由表皮层和多孔层构成的非对称结构，作为使用的材质，知道的有，聚丙烯腈、氯乙烯-丙烯腈共聚物、聚砜、聚醚砜、聚偏氟乙烯、芳香族聚酰胺、乙酸纤维素等高分子材料。从对剥离液的耐久性、在高温下的使用耐久性方面出发，优选聚丙烯腈、聚醚砜、聚偏氟乙烯。除了上述高分子以外，还可以使用陶瓷膜。
超滤膜的性能用不能透过膜的最小的溶质的分子量表示，将其称为截留分子量，截留分子量以上的分子量的溶质不透过，透过以下的溶质。
将所述超滤膜模块化而使用。膜模块是平坦膜型、中空系型、螺旋型等，可以根据使用温度或压力适当选择使用。
本发明的膜模块的超滤膜的截留分子量可以使用1,000～300,000的范围。优选选择与欲除去的抗蚀剂树脂的分子量一致的截留分子量。在没有最佳截留分子量的模块的情况下，可以通过向膜模块通入碱性液，微调模块自身的截留分子量大小。
还有，膜模块的膜面积也影响处理效率，因此，优选选择与所希望的处理量匹配的膜面积的模块。
以下，举例详细说明本发明。本发明不限于相关的实施例。
实施例
以下，对本实施例的有机被膜除去装置及除去方法的概要进行说明。
首先，参照附图，说明使本发明的剥离液循环而除去基体表面的有机被膜的装置。
图1是表示本发明的有机被膜的除去装置的例子的整体图，在新剥离液贮槽1中，调制本发明的剥离液并贮存。向混合剥离液的贮槽2供给剥离液。从混合剥离液的贮槽2经由管路3向接触槽4供给剥离液。若接触槽4中积存剥离液，则从基体固定器5取出具有有机被膜的基体，将其投入接触槽4中，使基体浸渍在剥离液中。在接触槽4中，通过搅拌、振动、摆动、起泡等向接触槽4内的剥离液赋予转动，有利于提高有机被膜的除去速度，因此有利。尤其，搅拌剥离液不仅促进自基体的有机被膜的剥离，而且使剥离的有机被膜微细化而有助于作为来源于有机被膜的成分，且在剥离液中均匀地溶解或分散来源于有机被膜的成分，因此，容易进行接下来实施的膜滤处理，也不发生堵塞，所以是有利的。目测确认基体表面上的有机被膜从基体表面除去，然后将基体从剥离液捞出，将其从接触槽4取出。作为将具有有机被膜的基体从基体固定器5取出，并将其浸渍在剥离液中，然后将基体从剥离液捞出的机构，可以使用能够夹持基体的器具、例如镊子等以手动进行。另外，还可以使用能够进行这样的操作的装置、例如特开2003-203856号公报中记载的机器人臂以手动或自动控制进行。其次，将含有来源于有机被膜的成分的剥离液从管路6排出，将其导入膜滤装置7中。在此，过滤剥离液中含有的有机被膜。为了向膜滤装置7导入剥离液，需要施加用于通过过滤膜的压力而导入。另外，膜滤装置7中，有机被膜逐渐堵塞过滤膜，因此，膜的流入口和流出口间的压差逐渐增大。压差变大而剥离液变得难以通过过滤膜时，中止膜滤装置7的运行，更换过滤膜或对过滤膜进行再生处理而再使用。在使过滤膜再生的情况下，通常，从与通常的剥离液的流动相反的方向对洗涤液(例如，碳酸亚乙酯(以下称为EC)等溶剂)施加压力而使其通过过滤膜，有效进行除去捕捉物的反向洗涤。将分离了有机被膜的剥离液从管路8排出，使其循环并返回到混合剥离液的贮槽2中。将含有来源于有机被膜的成分的剥离液从管路6向体系外连续或间歇地抽出一部分，且从新剥离液贮槽1补充新剥离液，使循环的剥离液中的来源于有机被膜的成分浓度不变高。
其次，例示使用了本发明的剥离液的有机被膜的除去方法。
实施例1
在300mm×300mm尺寸的液晶用玻璃基板的表面用旋涂涂敷酚醛清漆系抗蚀剂(东京应化制造TFR-B)，在110℃下预烘培90秒。准备所述涂敷了抗蚀剂的基板600张，分别将其浸渍在保持于70℃下溶解的EC10L中30秒，然后用40℃的超纯水冲洗，反复进行了所述抗蚀剂剥离操作。第1张至第600张基板能够良好地进行抗蚀剂的剥离。在剥离处理600张基板后，EC因所溶解的抗蚀剂而着色为深红色。然后，在以下的条件下，对该剥离液进行了超滤处理。超滤膜(UF)模块如下所述：旭化成制造ALC-1050(中空系类型、材质是聚丙烯腈、截留分子量是13,000、膜面积0.1m2)、液温60℃、模块入口压力是0.19Mpa、出口压力是0.1Mpa。经GPC测定超滤前后的剥离液，在超滤前的碳酸亚乙酯剥离液中观察到依赖于抗蚀剂树脂的高分子量成分的波峰，在超滤处理后的EC剥离液中没有高分子量成分的波峰，另外，剥离液的颜色也变为无色。如上所述，能够确认由于超滤而除去了EC剥离液中的树脂成分。另外，经基于气相色谱法分析已超滤处理的EC剥离液的结果，没有检测到羧酸，通过GC-MS法也没有检测到羧酸酯。进而，使用剥离液，反复进行了5次同样的操作的结果，没有问题地能够剥离。还有，在实施例及比较例中，手动实施了基板的浸渍及捞出。
比较例1
与实施例同样地处理600张基板，对着色为深红色的EC剥离液进行了臭氧处理。臭氧处理条件如下所述，即：在液温60℃下，利用无声放电型臭氧发生器(小野田cement工业制造臭氧莱克(オゾンレツクス)OR-3Z)，将臭氧浓度200mg/L的氧气以3L/分钟起泡10分钟。起泡后的EC是无色透明，经GPC分析结果，在处理后没有了来源于在臭氧处理前存在的抗蚀剂树脂的高分子量波峰。但是，经用离子色谱法分析所述液体的结果，检测到各种羧酸总计16.0重量％，另外，通过GC-MS法检测到各种羧酸酯15.6重量％。进而，将剥离液再利用于剥离的结果，在反复一次的时点，剥离速度降低到一半。
产业上的可利用性
本发明以电子设备用基板等的表面清洁化为目的，可用于除去基体上附着的有机被膜。本发明在加工半导体用晶片或液晶用基板等时所使用的抗蚀剂被膜的除去中有用，尤其适合在超微细图案设备中的抗蚀剂剥离。进而，本发明可以适用于基体上的油膜或涂膜等通常的有机被膜的除去。

Claims (7)

1.一种有机被膜的除去方法，其中，
使剥离液与基体表面上的有机被膜接触，并除去有机被膜，然后膜滤处理含在剥离液中的来源于有机被膜的成分，由此将所述来源于有机被膜的成分从剥离液中去除，根据需要将去除了来源于有机被膜的成分的剥离液再使用于基体表面上的有机被膜的除去中。
2.根据权利要求1所述的有机被膜的除去方法，其中，
剥离液以在一个分子中具有两个以上氧的有机环状化合物为主成分。
3.根据权利要求1或2所述的有机被膜的除去方法，其中，
剥离液以碳酸亚烷基酯作为主成分。
4.根据权利要求1～3中任意一项所述的有机被膜的除去方法，其中，
剥离液以碳酸亚乙酯、碳酸亚丙酯、或碳酸亚乙酯和碳酸亚丙酯的混合物为主成分。
5.根据权利要求1～4中任意一项所述的有机被膜的除去方法，其中，
膜滤为超滤。
6.一种有机被膜的除去装置，其是具有有机被膜的基体表面的有机被膜的除去装置，其特征在于，包括：
A.贮槽，其贮存新剥离液；
B.导入新剥离液，且导入处理后的剥离液的混合剥离液贮槽；
C.从混合剥离液贮槽机构向接触槽供给剥离液的机构；
D.基体固定器，其收容具有有机被膜的基体；
E.从基体固定器取出具有有机被膜的基体，并导入接触槽中，在接触槽内，使剥离液与基体的具有有机被膜的表面接触，使有机被膜溶解于剥离液中，从基体表面除去有机被膜，从接触槽捞出除去了有机被膜的基体的机构；
F.从接触槽排出溶解有机被膜的剥离液；
G.导入从接触槽排出的剥离液的膜滤装置；
H.使从膜滤装置排出的剥离液循环，并使所述剥离液返回到混合剥离液贮槽的机构。
7.根据权利要求6所述的有机被膜的除去装置，其中，
膜滤装置为超滤膜装置。
CNA2006800213800A 2005-06-22 2006-03-06 基体表面上的有机被膜的除去方法及除去装置 Pending CN101199038A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005181345 2005-06-22
JP181345/2005 2005-06-22

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN101199038A true CN101199038A (zh) 2008-06-11

Family

ID=37570231

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2006800213800A Pending CN101199038A (zh) 2005-06-22 2006-03-06 基体表面上的有机被膜的除去方法及除去装置

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JPWO2006137194A1 (zh)
KR (1) KR20080018215A (zh)
CN (1) CN101199038A (zh)
TW (1) TW200702943A (zh)
WO (1) WO2006137194A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105122143A (zh) * 2013-04-02 2015-12-02 富士胶片株式会社 化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液的制造方法、化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液、图案形成方法、电子元件的制造方法及电子元件
CN111045301A (zh) * 2019-11-19 2020-04-21 Tcl华星光电技术有限公司 剥离液机台及其工作方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100037037A (ko) * 2007-07-03 2010-04-08 도아고세이가부시키가이샤 나노 여과에 의한 레지스트 박리액 연속 사용 시스템
JP5019393B2 (ja) * 2008-04-14 2012-09-05 東亞合成株式会社 導電性高分子膜上のレジスト被膜の除去方法および除去装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63178888A (ja) * 1987-01-17 1988-07-22 Sumitomo Heavy Ind Ltd フオトレジスト含有廃液の処理方法
JPH0934121A (ja) * 1995-07-20 1997-02-07 Hitachi Ltd リサイクル型レジストプロセス
JP3914842B2 (ja) * 2001-10-23 2007-05-16 有限会社ユーエムエス 有機被膜の除去方法および除去装置
JP2003167358A (ja) * 2001-11-29 2003-06-13 Nagase & Co Ltd レジスト剥離廃液の再生装置及び再生方法
JP4439883B2 (ja) * 2003-11-17 2010-03-24 野村マイクロ・サイエンス株式会社 有機被膜除去装置、有機被膜除去・洗浄装置、有機被膜除去方法及び有機被膜除去・洗浄方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105122143A (zh) * 2013-04-02 2015-12-02 富士胶片株式会社 化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液的制造方法、化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液、图案形成方法、电子元件的制造方法及电子元件
CN111045301A (zh) * 2019-11-19 2020-04-21 Tcl华星光电技术有限公司 剥离液机台及其工作方法
US11747734B2 (en) 2019-11-19 2023-09-05 Tcl China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Stripping-solution machine and working method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
KR20080018215A (ko) 2008-02-27
TW200702943A (en) 2007-01-16
JPWO2006137194A1 (ja) 2009-01-08
WO2006137194A1 (ja) 2006-12-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103492054B (zh) 膜组件的洗涤方法
CN101689480A (zh) 采用纳米过滤的抗蚀剂剥离液连续使用系统
US7674382B2 (en) Method of cleaning fouled and/or scaled membranes
JP2001120963A (ja) 膜の洗浄方法
EP2172257A1 (en) Method for improving blocking rate of permeable membrane, blocking rate improved permeable membrane, and permebale membrane treatment method and apparatus
CN100506361C (zh) 选择性透过膜的洗涤剂及洗涤方法
CN101199038A (zh) 基体表面上的有机被膜的除去方法及除去装置
KR20000052756A (ko) 포토레지스트 현상액 및 제막액의 회수장치 및 회수방법
JP2006255567A (ja) 浸漬型膜分離装置及びその薬品洗浄方法
JP2003167358A (ja) レジスト剥離廃液の再生装置及び再生方法
CN105709616A (zh) 一种耐有机溶剂超滤膜的制备方法、所制备的超滤膜以及该超滤膜的应用
JP3622227B2 (ja) フォトレジスト含有廃液の濃縮方法
JP4631287B2 (ja) 透過膜の洗浄方法
CN110944736A (zh) 包括干燥膜的清洁膜的方法
JPS58119304A (ja) 浸透膜の処理方法
WO2011108589A1 (ja) 多孔質膜モジュールの洗浄方法および造水装置
JP3128250B2 (ja) 水洗水循環処理方法
US6457480B1 (en) Process and apparatus for cleaning filters
JP4085151B2 (ja) 中空糸膜モジュールの洗浄方法
JP2007193053A (ja) レジスト除去方法
JP2012210566A (ja) Ｔａａｈ回収装置の洗浄方法
JP4460373B2 (ja) 有機物の除去方法及び有機物除去装置
Jönsson Fouling during ultrafiltration of a low molecular weight hydrophobic solute
KR20090085247A (ko) 케미컬의 재생 방법
JP2014144389A (ja) 有機性廃水の処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication