CN101194326A - 用于形成电阻器和电容器的多层构造 - Google Patents
用于形成电阻器和电容器的多层构造 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101194326A CN101194326A CNA2006800057499A CN200680005749A CN101194326A CN 101194326 A CN101194326 A CN 101194326A CN A2006800057499 A CNA2006800057499 A CN A2006800057499A CN 200680005749 A CN200680005749 A CN 200680005749A CN 101194326 A CN101194326 A CN 101194326A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- conductive layer
- thermosetting polymer
- resistance elements
- sandwich construction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 47
- 238000010276 construction Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 8
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims abstract description 57
- 239000004634 thermosetting polymer Substances 0.000 claims abstract description 57
- OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynenickel Chemical compound [P].[Ni] OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 26
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 14
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 12
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 claims description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 9
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 6
- 150000002118 epoxides Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004760 aramid Substances 0.000 claims description 4
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 4
- 229920006305 unsaturated polyester Polymers 0.000 claims description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 4
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 claims description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 3
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 claims description 2
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 claims description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 claims description 2
- 238000005937 allylation reaction Methods 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010951 brass Substances 0.000 claims description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 2
- ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N chromate(2-) Chemical compound [O-][Cr]([O-])(=O)=O ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 claims description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 claims description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 claims description 2
- 229920005644 polyethylene terephthalate glycol copolymer Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 claims description 2
- HGTDVVTWYKXXMI-UHFFFAOYSA-N pyrrole-2,5-dione;triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1.O=C1NC(=O)C=C1 HGTDVVTWYKXXMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 12
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 9
- LVIYYTJTOKJJOC-UHFFFAOYSA-N nickel phthalocyanine Chemical compound [Ni+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 LVIYYTJTOKJJOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-M phosphinate Chemical compound [O-][PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 7
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 7
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 6
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 239000000047 product Substances 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- -1 hypophosphites ion Chemical class 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 4
- ZULUUIKRFGGGTL-UHFFFAOYSA-L nickel(ii) carbonate Chemical compound [Ni+2].[O-]C([O-])=O ZULUUIKRFGGGTL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N phosphinic acid Chemical compound O[PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 3
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910000008 nickel(II) carbonate Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021586 Nickel(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L nickel dichloride Chemical compound Cl[Ni]Cl QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 2
- KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 5-[3-(trifluoromethyl)phenyl]-2h-tetrazole Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=CC(C2=NNN=N2)=C1 KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910020646 Co-Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001634 Copolyester Polymers 0.000 description 1
- 229910020709 Co—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018100 Ni-Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018532 Ni—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018605 Ni—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000220317 Rosa Species 0.000 description 1
- 229910020816 Sn Pb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020922 Sn-Pb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020994 Sn-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008783 Sn—Pb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910009069 Sn—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 1
- 229910052454 barium strontium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002146 bilateral effect Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 238000002309 gasification Methods 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- WFKAJVHLWXSISD-UHFFFAOYSA-N isobutyramide Chemical compound CC(C)C(N)=O WFKAJVHLWXSISD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000011244 liquid electrolyte Substances 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- VUZPPFZMUPKLLV-UHFFFAOYSA-N methane;hydrate Chemical compound C.O VUZPPFZMUPKLLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000013425 morphometry Methods 0.000 description 1
- 229910001453 nickel ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000159 nickel phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- JOCJYBPHESYFOK-UHFFFAOYSA-K nickel(3+);phosphate Chemical compound [Ni+3].[O-]P([O-])([O-])=O JOCJYBPHESYFOK-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000012744 reinforcing agent Substances 0.000 description 1
- 230000000246 remedial effect Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 229910001379 sodium hypophosphite Inorganic materials 0.000 description 1
- NQXGLOVMOABDLI-UHFFFAOYSA-N sodium oxido(oxo)phosphanium Chemical compound [Na+].[O-][PH+]=O NQXGLOVMOABDLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/20—Dielectrics using combinations of dielectrics from more than one of groups H01G4/02 - H01G4/06
- H01G4/203—Fibrous material or synthetic material
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
- H05K1/162—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor incorporating printed capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
- H05K1/167—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor incorporating printed resistors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0313—Organic insulating material
- H05K1/0353—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
- H05K1/036—Multilayers with layers of different types
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/03—Conductive materials
- H05K2201/0332—Structure of the conductor
- H05K2201/0335—Layered conductors or foils
- H05K2201/0355—Metal foils
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/03—Metal processing
- H05K2203/0361—Stripping a part of an upper metal layer to expose a lower metal layer, e.g. by etching or using a laser
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
- H05K2203/0703—Plating
- H05K2203/0723—Electroplating, e.g. finish plating
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12535—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.] with additional, spatially distinct nonmetal component
- Y10T428/12556—Organic component
- Y10T428/12569—Synthetic resin
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12806—Refractory [Group IVB, VB, or VIB] metal-base component
- Y10T428/12826—Group VIB metal-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
- Y10T428/24917—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including metal layer
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
- Y10T428/24926—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including ceramic, glass, porcelain or quartz layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
本发明涉及可用于形成电阻器和电容器的多层结构,用于印刷电路板或其它微电子装置的生产。所述多层结构包括顺序附着的层,包含:第一导电层、第一热固性聚合物层、耐热的薄膜层、第二热固性聚合物层、以及电镀到第二导电层层上的镍-磷电阻材料层。
Description
发明背景
技术领域
本发明涉及可用于形成电容器和电阻器的多层构造,其在印刷电路板和其它微电子装置等之上的。所述多层构造包含顺序附着的层,包括第一导电层、第一热固性聚合物层、耐热的薄膜层、第二热固性聚合物层、和电镀到第二导电层上的镍-磷电阻材料层。
相关技术的描述
由于中央处理单元(CPU)的电路设计不断地寻求获得增加的运算速度,集成电路的性能日益变得更加重要。固定这些集成电路的印刷电路板的电路设计也是很重要的。
电容器和电阻器是在印刷电路板及其他微电子学设备上的通用的元件。电容器用来稳定此类装置的操作电源供应。电容器是用来将电容引入到电路之中的装置,并且其作用主要是存储电能、阻碍直流电流、或允许交变电流的流动。其包括夹在两个导电金属层(例如铜箔)之间的绝缘材料。通常,所述绝缘材料经由粘合剂层、通过层压或通过气相沉积与所述导电金属层相连接。
迄今为止,排列印刷电路板表面上的电容器已经是常见的。但是,近年来,电容器由在多层的电路板层之内的薄的、双面的覆铜层压片所形成,从而产生了优异的特性。有了这些选择之后,现已优选形成具有嵌入型电容器的印刷电路板,以最大化所述电路板的表面面积,供其它目的使用。为了获得增强的信号传送速度,印刷电路板制造商通常在这种多层结构之内形成印刷电路板。所述电容器的电容主要依赖于所述电容器层的形状和尺寸以及所述绝缘材料的介电常数。本领域已知有各种类型的介电材料。例如,所述绝缘材料可以是气体例如空气、真空、液体、固体或其结合。每种材料具有其固有的特定性能。
供印刷电路板使用的常规电容器的性能受到某些因素的限制,例如绝缘材料有限的最小厚度(其降低了所述电容器的柔性)、可得到的电容、在所述金属箔上结合增强剂的作用、低的介电常数、以及差的绝缘强度。
期望形成用于电路板的具有高介电常数和极薄绝缘材料层的电容器,从而增强所述电容器的电容和柔性。为了优化所述电容器的性能,重要的是所使用的绝缘材料具有良好的材料性能,显示出下述性质如优越的粘着力、高的绝缘强度和良好的柔性。但是,经常地与极薄介电层相伴随的普遍问题是微小缺陷或其它结构缺陷的形成以及杂质的夹杂。这些导致了电短路。例如,美国专利5,155,655和5,161,086描述了一种用于形成电容器的方法,其中单片绝缘材料与两个导电箔一起被层压。该类型的介电层对于缺陷形成和杂质夹杂来说是很脆弱的,并且探测以及补救过程是非常消耗时间的。
美国专利No.6,693,793涉及一种具有一对导电箔和一对薄介电层的结构,其中一个介电层在每一个所述箔的表面之上。所述两个导电箔被粘附一起,从而使所述介电层经由中间的耐热薄膜层而彼此附着。相对于现有技术的电容器和印刷电路板,该电容器提供了性能上的显著改进。所述薄的介电层允许所述电容器具有更高的电容、更大的导热性和更大的柔性。所述中间耐热层阻止了在所述导电箔之间电短路的形成。
希望形成兼而具有电容性和电阻性元件的多层结构。本发明提供了这样的一个多层结构,其用于电阻器和电容器的形成。所述发明的结构提供了高的电容、更大的导热性以及更大的柔性,同时还结合了电阻元件。所述多层结构包括顺序附着的层包含:第一导电层、第一热固性聚合物层、耐热的薄膜层、第二热固性聚合物层、以及电镀到第二导电层上的镍-磷电阻材料层。
本发明概述
本发明提供了一种适于形成电阻器和电容器的多层结构,其中所述多层的结构包括顺序附着的层,包含:第一导电层、第一热固性聚合物层、耐热的薄膜层、第二热固性聚合物层、以及电镀到第二导电层上的镍-磷电阻材料层。
本发明还提供了一种电容器,其包括顺序附着的层,包含:第一导电层、第一热固性聚合物层、耐热的薄膜层、第二热固性聚合物层、以及电镀到第二导电层上的镍-磷电阻材料层。
本发明进一步地提供了一种形成多层结构的方法,其包含:将第一热固性聚合物层附着到第一导电层的表面;将镍-磷电阻材料层电镀到第二导电层的表面上;将第二热固性聚合物层附着到所述电阻材料层的表面;然后将所述第一和第二热固性聚合物层附着到耐热薄膜层的相对表面上。
附图说明
图1为根据本发明的一种多层结构的示意图,包括以下顺序附着的层:第一导电层、第一热固性聚合物层、耐热的薄膜层、第二热固性聚合物层、以及电镀到第二导电层上的镍-磷电阻材料层。
图2是根据图1的多层结构的示意图,其中附加的镍-磷电阻材料层已经被电镀到所述第一导电层上,从而使所述附加的镍-磷电阻材料层被附着在所述第一热固性聚合物层和所述第一导电层之间。
具体实施方式
本发明涉及适于形成电阻器、电容器等的多层结构。如图1所示,所述多层结构1包括顺序附着的层,包含:第一导电层2、第一热固性聚合物层4、耐热的薄膜层6、第二热固性聚合物层8、以及电镀到第二导电层12上的镍-磷电阻材料层10。所述第一和第二热固性聚合物层4、8可以为同样的或不同的材料,并且所述第一和第二导电层2、12可以为同样的或不同的材料。
在另一个优选的实施方案中,如图2所示,所述多层的结构1还包括电镀到所述第一导电层2上的附加镍-磷电阻材料层14,从而使所述附加的镍-磷电阻材料层14被附着在所述热固性聚合物层4和所述第一导电层2之间。这样,如图2所示,所述层顺序附着为:第一导电层2、电镀到所述第一导电层2上的附加镍-磷电阻材料层14、第一热固性聚合物层4、耐热的薄膜层6、第二热固性聚合物层8、以及电镀到第二导电层12上的镍-磷电阻材料层10。
对于本发明的目的来说,附着的意思是指任何将单层附加到邻近层的方法,非排他地包括涂覆、层压、溅射、气相沉积、电沉积、镀覆、或气化,同时地或者顺序地进行。
所述第一导电层2和所述第二导电层12优选以导电层或箔等形式而存在。在一个最优选的实施方案中,它们各自是以箔的形式而存在的。每个导电层可以包括同样的金属或者可以包括不同的金属。适合于本发明目的的导电金属可以依赖于所期望的应用而有所不同。优选地,所述导电层2、12包括选自由铜、锌、黄铜、铬、镍、锡、铝、不锈钢、铁、金、银、钛、铂和其结合与合金所组成的组的材料。最优选地,所述导电层包括铜。所述导电层优选的厚度为约0.5-约200微米,更优选约9-约70微米。用于本发明所述电容器的导电材料可以用光洁侧表面与无光表面来被生产。这种导电材料的例子在美国专利No.5,679,230中被公开,在此处其被结合作为参考。
所述导电层2、12可以在其一侧或两侧被提供结合增强处理。所述层的一侧或两侧可以任选地被粗糙化,例如通过微蚀刻、通过电解处理以形成粗糙的铜沉积、和/或在所述表面上或在所述表面中用金属或金属合金的微球粒沉积来进行电解处理。其包括用镍、铬、铬酸盐、锌、以及硅烷偶联剂或其结合进行处理。所述球粒可以包括与所述导电层同样的或不同的金属。所述球粒优选为铜或铜合金、并增加对于高分子膜的粘着。此种球粒可以根据在美国专利No.5,679,230中所描述的技术而被施加,其在此处被结合以作为参考。在优选实施方案中,第一导电层和所述第二导电层中的至少一个在其一侧或两侧上被提供以结合增强处理。
所述导电层的表面微结构可以通过表面光度仪(例如PerthometerM4P或S5P型,其可从辛辛那提,俄亥俄的Mahr Feinpruef公司市售得到)而被调节。根据互连和包装电路协会(2115 Sanders Road,Northbrook I11.60062)的工业标准IPC-TM-650 2.2.17节来进行对表面颗粒结构的峰谷的形态测量。进行所述表面处理以产生具有峰谷的表面结构,所述峰谷产生了粗糙度参数,其中算术平均粗糙度(Ra)为约0.2-约1微米,并且根据ISO 64287-1的不规则十点高度表面粗糙度(Rz)可以为约0.5μm-约7μm,更优选为约0.5μm-约5μm,并且最优选地为约0.5μm-3μm。
所述第一热固性聚合物层4和所述第二热固性聚合物层8可以独立地包括环氧化物、环氧化物与用环氧化物、三聚氰胺、不饱和聚酯、尿烷,醇酸树脂、双-马来酰亚胺三嗪、聚酰亚胺、酯、烯丙基化的聚苯醚(或烯丙基聚苯醚)或其结合聚合而得到的材料的结合。所述热固性聚合物层4、8典型地是干燥、固态的,并且可以包括约100%的以上任何化合物,或可以包括这些化合物的混合物,或可以含有其它添加剂。其它可接受的材料包括芳香热固化共聚聚酯,例如描述于美国专利No.5,439,541和5,707,782中的那些。在这些材料中,最优选的电介质是具有约100℃-约250℃,优选约150℃-约200℃的玻璃态转化温度(Tg)的环氧化物。
所述热固性聚合物层4、8也可任选地包括填料金属。优选的填料非排他地包括粉末铁电材料、钛酸钡(BaTiO3)、氮化硼、氧化铝、钛酸锶、钛酸锶钡、及其他陶瓷填料和其组合。如果相结合的话,填料优选存在于所述热固性聚合物层之中,其量为按所述层体积的约5%-约80%,更优选为按所述层体积的约10%-约50%。优选所述第一热固性聚合物层4、所述耐热的薄膜层6和所述第二热固性聚合物层8中的至少一个包含具有约10或更高介电常数的粉末填料。此外,所述热固性聚合物层4、8的一个或两个可以含有染料或颜料以赋予颜色、改变电介质的不透明性或影响对比度。
在一个优选的实施方案中,所述热固性聚合物层4、8以液态聚合物溶液的形式被施加到所述导电层或耐热的薄膜层,以实现所述聚合物厚度的控制和均匀。所述溶液典型地粘度为约50-约35,000厘泊,优选的粘度为100-27,000厘泊。所述聚合物溶液包括约10-约80%并且优选15-60重量%的聚合物,所述溶液的其余部分包含一种或多种溶剂。有用的溶剂包括丙酮、甲乙酮、N-甲基吡咯烷酮、N,N二甲基甲酰胺、N,N二甲基乙酰胺及其混合物。最优选的单一溶剂是甲乙酮。
所述热固性聚合物层也可以以固体片材的形式被施加到所述导电层2、12或耐热的薄膜层6上。在这样一个实施方案中,通过层压来实施将所述第一和第二热固性聚合物层附着到耐热薄膜层的相对表面上。可以在约150℃-约310℃,更优选约160℃-约200℃的温度下进行压制,从而实施所述层压。层压可以进行约30分钟-约120分钟,优选约40分钟-约80分钟。优选地,所述压制在至少70厘米(28英寸)汞柱真空度之下进行,并维持在约3.5kgf/cm2(50psi)-约28kgf/cm2(400psi)的压力下,优选约4.9kgf/cm2(70psi)-约14kgf/cm2(200psi)。
优选地,所述热固性聚合物层4、8的厚度为约2-约200微米,更优选约2-约100微米。优选所述热固性聚合物层具有至少约19,685伏特/mm厚度(500伏特/密耳)的绝缘强度。
所述耐热的薄膜层6优选包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚乙烯咔唑、聚苯硫醚、芳族聚酰胺、聚酰亚胺、聚酰胺-聚酰亚胺、聚醚腈、聚醚-醚-酮、或其结合。其具有约12.5μm或更少的优选厚度。所述第一热固性聚合物层4、耐热的薄膜层6、和第二热固性聚合物层8的结合厚度约为25μm或更少。所述耐热的薄膜层6具有约150℃或更高的VICAT软化点,通过ISO 306测定。所述耐热的薄膜层6优选具有约300kgf/mm2或更高的杨氏模量、约20kgf/mm2或更高的抗张强度、约5%或更多的伸长率以及比所述第一热固性聚合物层4和所述第二热固性聚合物层8的层压温度更高的软化温度。所述第一热固性聚合物层4、耐热的薄膜层6、和第二热固性聚合物层8中每一个的介电常数约为2.5或更多。所述耐热的薄膜层6优选具有至少约50伏特,更优选至少约250伏特,和最优选地至少约500伏特的介电击穿电压。
在附着所述层以形成多层的结构之前,所述耐热的薄膜层6可以经受结合增强处理,其可以包括等离子处理、电晕处理、化学处理或其结合。
所述镍-磷电阻材料层10优选使用常规的电镀工艺电镀到所述第二导电层上。电镀是在本领域中众所周知的技术,其典型地通过将基材放置在液体电解质溶液中,并在所述基材上的导电区域与所述液体中的反电极之间施加电势而进行。实施化学加工以在所述基材上形成材料层。
使用电镀浴来沉积电阻性的薄膜,典型地在显著大于室温的温度下运行,也就是说,在超过100°F(38℃)的温度下运行。事实上,大多数先前用于沉积电阻性的合金薄膜的电镀浴运行在150°F(65℃)-约212°F(100℃)的温度下。在已知工艺中,沉积在所述导电层上的所述电沉积的电阻层的厚度是镀覆效率的函数,其反过来又是温度的函数。
适合的电镀浴的一个例子包含次磷酸盐离子的水溶液,并且特别地,所述次磷酸盐离子由次磷酸镍(Ni(H2PO2)2)形成。次磷酸镍容易由碳酸镍(NiCO3)与次磷酸(H3PO2)的反应而制备。也就是说,适于导电层上镍-磷电阻层的电沉积的次磷酸镍是通过如下过程制备的:形成约半摩尔碳酸镍和一摩尔次磷酸以及有限量水的水溶液,从而产生结晶反应产物,其当用水稀释到约0.67摩尔每升的浓度时完全溶解。并不意图对本发明进行限制,所述反应被确信是根据以下方程而进行的:
NiCO3+2H3PO2=Ni(H2PO2)2+CO2+H2O
或者,由次磷酸镍所形成的包含次磷酸盐离子的电镀浴可以通过氯化镍(NiCl2)与次磷酸钠(NaH2PO2)的反应而生产。所述反应方程式假定为:
NiCl2+2NaH2PO2=Ni(H2PO2)2+2NaCl
尽管如此,优选地使用由碳酸镍和次磷酸与作为反应产物的次磷酸镍所形成的电镀浴,这是由于该反应所产生的副产物为二氧化碳和水;然而,由氯化镍和次磷酸钠产生次磷酸镍而形成的电镀浴经常产生副产品氯化钠,其必须被除去以防止在连续工艺中随时间而产生的浓度累积。由次磷酸镍形成的包含次磷酸盐离子的电镀浴在约20℃-50℃温度下操作。可期望的,所述浴在室温下(20℃-25℃)运行。这样的浴实际上是温度不敏感的。
在一个优选的实施方案中,所形成的电阻材料层含有至多约50重量%的磷。在另一个优选的实施方案中,所述电阻材料层含有至多约30重量%的磷。在另一个实施方案中,所述电阻材料包含30-约50重量%的磷。本发明的另一个实施方案包括在包含镍离子源、H3PO3和H3PO4的水溶液的浴中对所述第二导电层进行电镀,其中所述浴基本上不含硫酸盐和氯化物。
在本领域中已知,电路板材料中电阻层的电阻取决于所述电阻层的厚度以及其中所使用材料的电阻率。当所述电阻层的厚度下降时,所述层的电阻上升。所述电阻材料层10优选具有约5欧姆/平方-约500欧姆/平方,更优选具有约10欧姆/平方-约300欧姆/平方,以及最优选具有约25欧姆/平方-约250欧姆/平方的电阻。所述镍-磷电阻材料层优选具有约0.02μm-约0.2μm,更优选约0.03μm-约1μm,以及最优选约0.04μm-约0.4μm的厚度。
在一个附加的优选的实施方案中,所述电阻材料层顶部至少约十个原子的层是不含硫的。在另一个优选的实施方案中,所述电阻材料层的表面是基本上无缺陷(pit)的。
所述任选附加的镍-磷电阻材料层14可以与所述镍-磷电阻材料层10相同或不同。优选地这两个层10、14基本上相同。
本发明所述多层结构包括第一导电层、第一热固性聚合物层、耐热的薄膜层、第二热固性聚合物层、以及电镀到第二导电层层上的镍-磷电阻材料层的顺序附着的层。顺序附着是指所述的层必须以所指示的次序而存在;但是,其它中间层可以任选地存在于所述指定的层之间。例如,在一个优选实施方案中,所述的多层结构还包括电镀到所述第一导电层层上的额外镍-磷电阻材料层,从而使所述额外的镍-磷电阻材料层被附着于所述第一热固性聚合物层和所述第一导电层之间。
在本发明的一个附加的实施方案中(未显示),所述多层结构还包括粘附在所述电阻材料层10和所述第二导电层12之间的阻挡层,其中所述阻挡的厚度为小于约0.1μm,其与所述电阻材料层组成不同,并且能够保护所述电阻材料层10不受来自碱性铜氨蚀刻剂的侵蚀。所述阻挡层优选地具有小于约0.1μm的厚度,更优选约50埃-约0.1μm,以及最优选约150埃-约600埃。在优选实施方案中,所述阻挡层是使用传统方法电镀的。所述阻挡层可以是具有良好蚀刻剂选择性的无机材料。同样重要的是,用作所述阻挡层的材料对于在其下的所述电阻层的电阻率和其他功能性质的一致性基本没有不利影响。所述阻挡层优选地包括选自由Ni-Sn、Co-Sn、Cd-Sn、Cd-Ni、Ni-Cr、Ni-Au、Ni-Pd、Ni-Zn、Sn-Pb、Sn-Zn、Ni、Sn和其组合所组成的组的材料。优选的阻挡层包含镍-锡。
本发明所述的多层结构优选用于所述电阻器或电容器的形成。其可以用于形成印刷电路板、电子器件等。
在本发明的优选实施方案中,根据本发明的电容器的电容优选为至少约100pF/cm2,更优选约100pF/cm2-约4,000pF/cm2。本发明的电容器可以用于各种印制电路应用。例如,可以在所述第一导电层上存在电连接,并且另一个电连接到第二导电层。所述电容器可以被连接到或被结合进印刷电路板或其它电子器件,或者所述电子器件可以包括含所述电容器的印刷电路板。它们可以结合于或包埋进刚性的、柔性的或者刚性/柔性的电路、印刷电路板或其它微电子装置例如芯片封装。通常,它们被用于在一个或两个导电材料层上制作第一电路图案。通过电沉积、溅射、气相沉积或者其它方式,第二电路图案也可以以导电箔的形式被施加到所述聚合物表面。此外,可能必需在所述电容器中产生孔洞以与相对的电路层连接。
一旦形成电容器,也可使用已知的蚀刻技术在所述导电材料层中制作电路图案。在蚀刻中,可光成像的抗蚀剂层、干燥薄膜或液体材料被施加到所述导电箔层上。使用覆盖在所述抗蚀剂上的负片图案,所述光致抗蚀剂被暴露于光化学辐射例如UV辐射下,制作期望的电路图案。然后,所述成像的电容器被暴露于薄膜显影化学过程,其将选择性地除去不需要的未曝光部分。然后所述电容器与电路图像与已知的化学蚀刻剂浴接触,以除去所述暴露的导电层,留下最终所期望的导电的图案化电容器。各个导电材料层也可以任选地被电连接,其通过形成通过整个电容器的孔并且用导电金属填充所述孔而实现。优选在最少150℃下进行层压步骤。
本发明所述的多层结构相对于现有技术的电容器和印刷电路板在性能上提供了显著的进步。该结构提供了更好的一致性、更高的电容、更强的导热性以及更好的柔性,同时还结合了电阻元件。
以下非限制性的实施例用来对本发明进行说明。
实施例1
提供厚度为35μm的电镀(ED)铜箔,该箔具有3微米的表面粗糙度并且已经电镀了镍-磷层。所述镍-磷层的厚度和组成导致了25欧姆/平方的电阻层。厚度为6微米的环氧树脂层被施加到12微米聚酰胺薄膜的一侧。一个厚度6微米的环氧树脂层被施加到另一个35微米的ED铜箔上。所述两个被施涂的箔与一张在所述箔之间的12微米聚酰胺薄膜一起被层压,其中所述电阻层与所述薄膜涂覆了树脂的一侧相接触。在液压机中在250psi和350°F下进行层压1小时。所述压力室还处于25mm Hg的真空度之下。在层压之后,所述结合的产品在500伏特进行高电势试验以检查可能的短路。使用工业标准技术用碱性蚀刻剂将一个图案蚀刻到所述铜表面中。这个化学过程将对铜进行蚀刻而不侵蚀所述电阻(镍-磷)层。进行第二成像过程,通过真空层压光致抗蚀剂、暴露和显影来形成电阻器图案。留在所述镍-磷层上的光致抗蚀剂限定了所述电阻器的图案。用酸性蚀刻剂(例如氯化铜或硫酸铜)来除去所述本底镍-磷。所述光致抗蚀剂被剥离并且用自动化光学检验和/或电气测试(包括高电压试验)来检查所述电路。所述电路产品经过加工来制备用于再次层压的铜。该加工是黑氧化处理或其替换物。所述电路产品被层压到多层印刷电路板之内并使用工业标准技术来完成。
实施例2
重复实施例1,除了在聚酰胺薄膜的两侧施加铜层和电阻层,得到了双侧的电阻器产品。
实施例3
一卷一盎司铜箔被切割为预定尺寸的箔样品。预定量的箔样品被电镀以磷酸镍电阻材料层,并且还有预定量的箔样品不接收所述电镀。
对于那些要被电镀的箔样品来说,使用分批工工艺,使所述电解槽保持恒定。通过循环泵在所述电解槽中提供轻微搅动,以维持均匀的浴组成。所使用的阴极是电沉积的一盎司铜箔,其被镀覆在所述粗糙侧上。所述箔的光洁侧或鼓侧通过涂覆橡胶的背衬夹具来掩模。所述阴极尺寸是11.5英寸×14.25英寸。所述阳极是铂包铌,其中阳极对阴极的比例是1.3∶1。在进入所述电解槽之前,所述铜箔被浸入盐酸水溶液(相等体积)中一分钟。然后,在通过所述电解槽之前,所述铜箔通过包含苯并三唑水溶液的活化溶液30秒。
形成包含0.5摩尔/升的次磷酸镍电镀液。通过如下过程制造电镀浴液,将20摩尔碳酸镍(2508克碱式碳酸镍,NiCO32Ni(OH)24H2O,分子量376.24)与40摩尔次磷酸(8.6升的50%H3PO2,9.3M/L,用相等体积的水稀释)反应,并且随后将所述反应产物稀释到40升。所述电镀浴液的温度冷却至室温后为23℃,电流为10安培,并且所述电镀浴液的停留时间为30秒。
然后所述被电镀的箔样品与非电镀的箔样品各自接受环氧树脂的层。在一个不锈钢混合桶中用甲乙酮(MEK)调出30%固体、约500厘泊粘度的液体环氧树脂。调节刮刀来生产15微米厚的湿膜,得到具有厚度为约5微米的干燥高分子膜的柔性复合物。在所述刮刀的上游侧维持连续的液头高度与抑制材料体积,以维持恒定的柔性复合物薄膜厚度以及使所述薄膜不含气泡。
所述溶剂被蒸发掉,并且所述环氧树脂在烘箱内被固化。当所述涂覆的箔进入所述烘箱时,应该预料到会有最初的温度下降。一旦在所述烘箱中获得稳态温度,薄膜厚度将被检查,其通过以下过程来实现,取一个箔样品,并比较所述涂覆后的重量与所述箔的基重,然后使用所述环氧树脂的密度来将重量转换为薄膜厚度。基于这些测量来校正对所述环氧树脂的分配速率和/或刮刀在所述箔之上的高度的调节。这些过程被重复,直到获得所期望的薄膜厚度,以在第一和第二铜箔层上生产第一和第二热固性聚合物层。
通过将两片涂覆了环氧化物的箔层压到芳族聚酰胺中间耐热片材上来形成电容器,所述芳族聚酰胺片材的厚度为4μm,杨氏模量为1500kg/mm2,抗张强度为40kg/mm2并且在25℃的伸长率为约20%。所述涂覆的铜箔的一个已经被电镀以镍-磷电阻材料层。在165℃和10kgf/cm2(150psi)下在液压机中进行层压60分钟。所述压制处于71厘米(28英寸)汞柱的真空度下。所述电容器被分割到一定尺寸并被加工以在铜中提供图案。所得到的电容器被目视检查然后在500伏特下进行电气检测以检查短路。所得到的电容器层具有至少300pF/cm2的电容以及至少7.87×104伏特/mm(2000伏特/密耳)的介电击穿电压。
实施例4
重复实施例3,除了两个所述层压到耐热的片材上的铜箔都已经被电镀以镍-磷电阻材料层。
虽然参考优选的实施方案本发明已经被特别地显示和描述,能够被本领域技术人员容易理解的是,各种变化和改进可以被得到,而并不违反本发明的精神和范围。意图用以下权利要求来概括所公开的实施方案、如上面所讨论的替代方案及其所有同等物。
Claims (20)
1.一种适于形成电阻器和电容器的多层结构,其中所述多层的结构包括顺序附着的层,包含:第一导电层、第一热固性聚合物层、耐热的薄膜层、第二热固性聚合物层、以及电镀到第二导电层上的镍-磷电阻材料层。
2.权利要求1所述的多层结构,其还包括电镀到所述第一导电层上的附加镍-磷电阻材料层,从而使所述附加的镍-磷电阻材料层被附着在所述第一热固性聚合物层和所述第一导电层之间。
3.权利要求1所述的多层结构,其中所述电阻材料层具有约5欧姆/平方-约500欧姆/平方的电阻。
4.权利要求1所述的多层结构,其中所述第一导电层和所述第二导电层独立地包括选自由铜、锌、黄铜、铬、镍、锡、铝、不锈钢、铁、金、银、钛、铂和其组合所组成的组的材料。
5.权利要求1所述的多层结构,其中所述第一导电层和所述第二导电层包括铜。
6.权利要求1所述的多层结构,其中所述第一导电层和所述第二导电层包括具有约0.5μm-约7μm的表面粗糙度Rz的铜箔。
7.权利要求1所述的多层结构,其中第一导电层和所述第二导电层中的至少一个在其一侧或两侧上被提供以结合增强处理。
8.权利要求1所述的多层结构,其中所述第一导电层和所述第二导电层中的至少一个被提供结合增强处理,其包含用金属球粒、镍、铬、铬酸盐、锌、硅烷偶联剂或其结合来进行处理。
9.权利要求1所述的多层结构,其中所述第一热固性聚合物层和所述第二热固性聚合物层中的一个或两个包括环氧化物、三聚氰胺、不饱和聚酯、尿烷、醇酸树脂、双-马来酰亚胺三嗪、聚酰亚胺、酯、烯丙基化的聚苯醚或其结合。
10.权利要求1所述的多层结构,其中所述耐热的薄膜层包含聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚乙烯咔唑、聚苯硫醚、芳族聚酰胺、聚酰亚胺、聚酰胺-聚酰亚胺、聚醚-腈、聚醚-醚-酮、或其结合。
11.权利要求1所述的多层结构,其中所述电阻材料层含有至多约30重量%的磷。
12.权利要求1所述的多层结构,其中所述电阻材料层顶部至少约十个原子层是不含硫的。
13.权利要求1所述的多层结构,还包括粘附在所述电阻材料层和所述第二导电层之间的阻挡层,其中所述阻挡层的厚度为小于约0.1μm,其与所述电阻材料层组成不同,并且能够保护所述电阻材料层不受来自碱性铜氨蚀刻剂的侵蚀。
14.一种电容器,其包括顺序附着的层,包含:第一导电层、第一热固性聚合物层、耐热的薄膜层、第二热固性聚合物层、以及电镀到第二导电层层上的镍-磷电阻材料层。
15.权利要求14所述的电容器,其还包括电镀到所述第一导电层上的附加镍-磷电阻材料层,从而使所述附加的镍-磷电阻材料层被附着在所述第一热固性聚合物层和所述第一导电层之间。
16.包含权利要求14所述电容器的印刷电路板。
17.包含权利要求16所述印刷电路板的电子装置。
18.包含权利要求14所述电容器的电子装置。
19.一种形成多层结构的方法,其包含:将第一热固性聚合物层附着到第一导电层的表面;将镍-磷电阻材料层电镀到第二导电层的表面上;将第二热固性聚合物层附着到所述电阻材料层的表面;然后将所述第一和第二热固性聚合物层附着到耐热薄膜层相对的表面上。
20.权利要求19所述的方法,其中通过层压将所述第一和第二热固性聚合物层附着到耐热薄膜层的相对表面上。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/062,751 | 2005-02-22 | ||
US11/062,751 US7192654B2 (en) | 2005-02-22 | 2005-02-22 | Multilayered construction for resistor and capacitor formation |
PCT/US2006/005423 WO2006091462A2 (en) | 2005-02-22 | 2006-02-15 | Multilayerred construction for resistor and capacitor formation |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101194326A true CN101194326A (zh) | 2008-06-04 |
CN101194326B CN101194326B (zh) | 2011-04-27 |
Family
ID=36913052
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2006800057499A Active CN101194326B (zh) | 2005-02-22 | 2006-02-15 | 用于形成电阻器和电容器的多层构造 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7192654B2 (zh) |
EP (1) | EP1851049A4 (zh) |
JP (1) | JP2008536292A (zh) |
KR (1) | KR101204546B1 (zh) |
CN (1) | CN101194326B (zh) |
CA (1) | CA2595300C (zh) |
MY (1) | MY144218A (zh) |
TW (1) | TWI368465B (zh) |
WO (1) | WO2006091462A2 (zh) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102516896A (zh) * | 2011-12-30 | 2012-06-27 | 常熟市富邦胶带有限责任公司 | 覆铜用导热涂层型聚酰亚胺薄膜及其制作方法 |
WO2012151738A1 (zh) * | 2011-05-06 | 2012-11-15 | 广东生益科技股份有限公司 | 埋容材料及其制作方法 |
CN103402311A (zh) * | 2013-07-19 | 2013-11-20 | 广东生益科技股份有限公司 | 一种埋容材料、制备方法及其用途 |
CN103594456A (zh) * | 2013-11-08 | 2014-02-19 | 溧阳市江大技术转移中心有限公司 | 一种粗化表面的透明电容 |
CN107768054A (zh) * | 2017-09-25 | 2018-03-06 | 江苏时瑞电子科技有限公司 | 一种热敏电阻铜电极阻挡层及其制备方法 |
CN108323008A (zh) * | 2018-03-06 | 2018-07-24 | 深圳崇达多层线路板有限公司 | 一种埋电阻软硬结合板的制作方法 |
CN109661100A (zh) * | 2019-01-21 | 2019-04-19 | 广东生益科技股份有限公司 | 一种低插损高频导热基板及其应用 |
CN109688697A (zh) * | 2019-01-21 | 2019-04-26 | 广东生益科技股份有限公司 | 一种低插损高频高导热基板及其应用 |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW561102B (en) * | 2001-10-22 | 2003-11-11 | Hrl Lab Llc | Preparing composites by using resins |
US7596842B2 (en) * | 2005-02-22 | 2009-10-06 | Oak-Mitsui Inc. | Method of making multilayered construction for use in resistors and capacitors |
WO2007047627A2 (en) * | 2005-10-14 | 2007-04-26 | Georgia Tech Research Corporation | Process development and optimization of embedded thin film resistor on body |
US20070258190A1 (en) * | 2006-05-05 | 2007-11-08 | Irwin Patricia C | High temperature capacitors and method of manufacturing the same |
CN101553888B (zh) * | 2006-10-12 | 2012-07-11 | Abb研究有限公司 | 多层导电材料 |
US7605048B2 (en) * | 2007-04-06 | 2009-10-20 | Kemet Electronics Corporation | Method for forming a capacitor having a copper electrode and a high surface area aluminum inner layer |
KR100851067B1 (ko) * | 2007-04-18 | 2008-08-12 | 삼성전기주식회사 | 캐패시터 및 그 제조방법 |
KR100966638B1 (ko) * | 2008-03-25 | 2010-06-29 | 삼성전기주식회사 | 커패시터 내장형 인쇄회로기판 및 그 제조방법 |
CN101983408B (zh) * | 2008-03-31 | 2012-11-14 | 三井金属矿业株式会社 | 电容器形成材料和带有电容器的印刷电路板 |
KR100999918B1 (ko) * | 2008-09-08 | 2010-12-13 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 및 그 제조 방법 |
US7791897B2 (en) * | 2008-09-09 | 2010-09-07 | Endicott Interconnect Technologies, Inc. | Multi-layer embedded capacitance and resistance substrate core |
US8866018B2 (en) * | 2009-01-12 | 2014-10-21 | Oak-Mitsui Technologies Llc | Passive electrical devices and methods of fabricating passive electrical devices |
CN103448317B (zh) * | 2009-12-22 | 2016-12-28 | Jx日矿日石金属株式会社 | 层积体的制造方法及层积体 |
WO2014113703A1 (en) * | 2013-01-18 | 2014-07-24 | Ohmega Technologies, Inc. | Improved circuit board material |
JP2016529130A (ja) * | 2013-06-11 | 2016-09-23 | ソルベイ スペシャルティ ポリマーズ ユーエスエー, エルエルシー | 改良された携帯用電子機器部品 |
CN105101626B (zh) * | 2015-08-04 | 2018-04-24 | 东莞市毅联电子科技有限公司 | 一种柔性复合铝基板及其制备方法 |
US9707738B1 (en) | 2016-01-14 | 2017-07-18 | Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. | Copper foil and methods of use |
CN106101968B (zh) * | 2016-07-18 | 2019-08-02 | 瑞声科技(新加坡)有限公司 | 一种埋容埋阻结构的制作方法及mems麦克风 |
FR3059201B1 (fr) * | 2016-11-18 | 2019-06-21 | Safran Electrical & Power | Circuit imprime a isolation renforcee et procede de fabrication |
US10032856B1 (en) | 2017-01-24 | 2018-07-24 | International Business Machines Corporation | Nanosheet capacitor |
KR102281132B1 (ko) * | 2019-10-24 | 2021-07-26 | 일진머티리얼즈 주식회사 | 박막형 커패시터 제조용 전해니켈박 및 그의 제조방법 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3808576A (en) * | 1971-01-15 | 1974-04-30 | Mica Corp | Circuit board with resistance layer |
US4808967A (en) | 1985-05-29 | 1989-02-28 | Ohmega Electronics | Circuit board material |
US4888574A (en) | 1985-05-29 | 1989-12-19 | 501 Ohmega Electronics, Inc. | Circuit board material and method of making |
US4892776A (en) | 1987-09-02 | 1990-01-09 | Ohmega Electronics, Inc. | Circuit board material and electroplating bath for the production thereof |
US5155655A (en) * | 1989-08-23 | 1992-10-13 | Zycon Corporation | Capacitor laminate for use in capacitive printed circuit boards and methods of manufacture |
JPH09500762A (ja) * | 1993-07-21 | 1997-01-21 | オーメガ エレクトロニクス インコーポレーテッド | バリア層を伴う回路基板材料 |
US6356455B1 (en) | 1999-09-23 | 2002-03-12 | Morton International, Inc. | Thin integral resistor/capacitor/inductor package, method of manufacture |
US6657849B1 (en) | 2000-08-24 | 2003-12-02 | Oak-Mitsui, Inc. | Formation of an embedded capacitor plane using a thin dielectric |
JP3770537B2 (ja) * | 2001-07-30 | 2006-04-26 | 三井金属鉱業株式会社 | キャパシター及びそれを形成するための両面銅張積層板の製造方法 |
US6693793B2 (en) | 2001-10-15 | 2004-02-17 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Double-sided copper clad laminate for capacitor layer formation and its manufacturing method |
JP2004040073A (ja) * | 2002-01-11 | 2004-02-05 | Shipley Co Llc | 抵抗器構造物 |
US6870436B2 (en) * | 2002-03-11 | 2005-03-22 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method and apparatus to attenuate power plane noise on a printed circuit board using high ESR capacitors |
JP2004140268A (ja) * | 2002-10-18 | 2004-05-13 | Matsushita Electric Works Ltd | 高周波用多層プリント配線板の製造方法 |
JP3954958B2 (ja) * | 2002-11-26 | 2007-08-08 | 古河テクノリサーチ株式会社 | 抵抗層付き銅箔及び抵抗層付き回路基板材料 |
US6873219B2 (en) * | 2003-01-28 | 2005-03-29 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Printed circuit board noise attenuation using lossy conductors |
-
2005
- 2005-02-22 US US11/062,751 patent/US7192654B2/en active Active
-
2006
- 2006-02-15 JP JP2007556279A patent/JP2008536292A/ja active Pending
- 2006-02-15 CA CA2595300A patent/CA2595300C/en active Active
- 2006-02-15 KR KR1020077019863A patent/KR101204546B1/ko active IP Right Grant
- 2006-02-15 CN CN2006800057499A patent/CN101194326B/zh active Active
- 2006-02-15 WO PCT/US2006/005423 patent/WO2006091462A2/en active Search and Examination
- 2006-02-15 EP EP06735202A patent/EP1851049A4/en not_active Withdrawn
- 2006-02-16 MY MYPI20060658A patent/MY144218A/en unknown
- 2006-02-17 TW TW095105536A patent/TWI368465B/zh active
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012151738A1 (zh) * | 2011-05-06 | 2012-11-15 | 广东生益科技股份有限公司 | 埋容材料及其制作方法 |
CN102516896A (zh) * | 2011-12-30 | 2012-06-27 | 常熟市富邦胶带有限责任公司 | 覆铜用导热涂层型聚酰亚胺薄膜及其制作方法 |
CN103402311A (zh) * | 2013-07-19 | 2013-11-20 | 广东生益科技股份有限公司 | 一种埋容材料、制备方法及其用途 |
CN103402311B (zh) * | 2013-07-19 | 2016-09-07 | 广东生益科技股份有限公司 | 一种埋容材料、制备方法及其用途 |
CN103594456A (zh) * | 2013-11-08 | 2014-02-19 | 溧阳市江大技术转移中心有限公司 | 一种粗化表面的透明电容 |
CN107768054B (zh) * | 2017-09-25 | 2019-07-19 | 江苏时恒电子科技有限公司 | 一种热敏电阻铜电极阻挡层及其制备方法 |
CN107768054A (zh) * | 2017-09-25 | 2018-03-06 | 江苏时瑞电子科技有限公司 | 一种热敏电阻铜电极阻挡层及其制备方法 |
CN108323008A (zh) * | 2018-03-06 | 2018-07-24 | 深圳崇达多层线路板有限公司 | 一种埋电阻软硬结合板的制作方法 |
CN108323008B (zh) * | 2018-03-06 | 2020-10-02 | 深圳崇达多层线路板有限公司 | 一种埋电阻软硬结合板的制作方法 |
CN109661100A (zh) * | 2019-01-21 | 2019-04-19 | 广东生益科技股份有限公司 | 一种低插损高频导热基板及其应用 |
CN109688697A (zh) * | 2019-01-21 | 2019-04-26 | 广东生益科技股份有限公司 | 一种低插损高频高导热基板及其应用 |
WO2020151052A1 (zh) * | 2019-01-21 | 2020-07-30 | 广东生益科技股份有限公司 | 一种低插损高频导热基板及其应用 |
WO2020151051A1 (zh) * | 2019-01-21 | 2020-07-30 | 广东生益科技股份有限公司 | 一种低插损高频高导热基板及其应用 |
CN109688697B (zh) * | 2019-01-21 | 2021-05-11 | 广东生益科技股份有限公司 | 一种低插损高频高导热基板及其应用 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1851049A4 (en) | 2009-09-23 |
TWI368465B (en) | 2012-07-11 |
CA2595300A1 (en) | 2006-08-31 |
WO2006091462A3 (en) | 2007-11-22 |
WO2006091462A2 (en) | 2006-08-31 |
CN101194326B (zh) | 2011-04-27 |
TW200637443A (en) | 2006-10-16 |
US7192654B2 (en) | 2007-03-20 |
CA2595300C (en) | 2013-01-29 |
MY144218A (en) | 2011-08-15 |
KR101204546B1 (ko) | 2012-11-23 |
KR20070112458A (ko) | 2007-11-26 |
JP2008536292A (ja) | 2008-09-04 |
EP1851049A2 (en) | 2007-11-07 |
US20060188701A1 (en) | 2006-08-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101194326B (zh) | 用于形成电阻器和电容器的多层构造 | |
CN101501795B (zh) | 制造用于电阻器和电容器的多层结构的方法 | |
JP6475781B2 (ja) | 表面処理銅箔、キャリア付銅箔、基材の製造方法、プリント配線板の製造方法、プリント回路板の製造方法、銅張積層板 | |
CN1299544C (zh) | 用作嵌置无源器件的电极并涂覆有镍的铜 | |
TWI450817B (zh) | 金屬箔疊層聚醯亞胺樹脂基板 | |
KR101799177B1 (ko) | 도금 부착 금속 기재 | |
TW515812B (en) | Composite film made from low dielectric constant resin and para-oriented aromatic polyamide | |
KR101660663B1 (ko) | 표면 처리 동박 및 그것을 사용한 적층판, 구리 피복 적층판, 프린트 배선판 그리고 전자 기기 | |
WO2005060324A1 (ja) | 多層プリント配線板及びその多層プリント配線板の製造方法 | |
US8383230B2 (en) | Flexible printed wiring board, multilayered flexible printed wiring board, and mobile telephone terminal employing multilayered flexible printed wiring board | |
CN104822525A (zh) | 附载体铜箔 | |
US20030015345A1 (en) | Laminated base sheet for flexible printed circuit board | |
JP2015061758A (ja) | キャリア付銅箔及びそれを用いた積層板、プリント配線板、電子機器、並びに、プリント配線板の製造方法 | |
JP2003086936A (ja) | フレキシブル印刷配線用基板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
TR01 | Transfer of patent right | ||
TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20190221 Address after: Japan Osaki Tokyo Shinagawa, 1 chome 11 No. 1 Co-patentee after: Ohmega Technologies Inc. Patentee after: Mitsui Mining & Smelting Co. Address before: American New York Co-patentee before: Ohmega Technologies Inc. Patentee before: Oak Mitsui Inc. |