CN103594456A - 一种粗化表面的透明电容 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种粗化表面的透明电容，包括：第一透明电极（1），位于第一透明电极（1）上的透明绝缘介质层（2），其用作透明电容的电荷存储部；以及位于透明绝缘介质层（2）上的第二透明电极（3），其用作透明电容的上电极，其中第一透明电极（1）和第二透明电极（3）与透明绝缘介质层（2）之间的接触表面是粗化表面（4）。本发明的粗化表面的透明电容的各层都为透明材料，对光的透过性良好，不遮光，从而可提高整个显示面板的光分布性以及透光性，进而提高显示面板的性能。而且透明电容的下电极和上电极与绝缘介质接触的表面是粗化表面，从而增强透明电容的下电极和上电极与绝缘介质之间的粘附性，从而提高透明电容的性能。

Description

一种粗化表面的透明电容
技术领域
本发明涉及半导体器件领域，特别涉及一种粗化表面的透明电容。
背景技术
在显示领域，特别是有源矩阵显示面板领域，有源矩阵显示面板包括用于驱动像素单元的薄膜晶体管，位于薄膜晶体管上的像素电极以及电连接像素电极的存储电容器。存储电容器用于存储电荷，通常包括电容下电极、电容上电极以及两者之间的绝缘介质。在有源矩阵显示面板中，可利用透明材料制作透明薄膜晶体管，例如ZnO等材料，这样可以提高显示面板的整体透明度，提高光取出效率，而用于存储电荷的存储电容器通常都采用常规材料进行制造，常用的材料不透明，因此会遮光，从而影响显示面板的透明度，进而影响整个显示面板的性能。且现有技术中的电容的各层之间的粘附性较差，容易导致剥离、脱落等现象发生，因此会劣化电容的性能。
发明内容
有鉴于此，本发明针对现有技术的问题，提出了一种粗化表面的透明电容。其应用于有源矩阵显示面板中并用作存储电容器，透明电容的下电极、上电极以及其间的绝缘介质都为透明材料，对光的透过性良好，不遮光，从而可提高整个显示面板的光分布性以及透光性，进而提高显示面板的性能。而且透明电容的下电极和上电极与绝缘介质接触的表面是粗化表面，从而增强透明电容的下电极和上电极与绝缘介质之间的粘附性，从而提高透明电容的性能。
本发明提出的粗化表面的透明电容包括：
第一透明电极1；
位于第一透明电极1上的透明绝缘介质层2；以及
位于透明绝缘介质层2上的第二透明电极3，其中
第一透明电极1和第二透明电极3与透明绝缘介质层2之间的接触表面是粗化表面4。
附图说明
附图1为本发明提出的粗化表面的透明电容的整体结构。
具体实施方式
以下参考图1详细说明本发明的粗化表面的透明电容的结构及其制造方法。为清楚起见，附图中所示的各个结构均未按比例绘制，且本发明并不限于图中所示结构。
如图1中所示，本发明的粗化的透明电容包括第一透明电极1，其用作透明电容的下电极；位于第一透明电极1上的透明绝缘介质层2，其用作透明电容的电荷存储部；以及位于透明绝缘介质层2上的第二透明电极3，其用作透明电容的上电极，其中第一透明电极1和第二透明电极3与透明绝缘介质层2接触的表面是粗化表面4。
其中第一透明电极1和第二透明电极3的材料可以是具有透明导电性的材料，例如TCO（透明导电氧化物），具体可以是ITO（氧化铟锡）、ZnO（氧化锌）、SnO2（氧化锡）、FTO（氟掺杂铟氧化物）、ATO（锑掺杂铟氧化物）、AZO（铝掺杂锌氧化物）中的一种或多种或上述材料的复合薄膜。第一透明电极1和第二透明电极3的材料可以相同或不同，且它们的厚度小于等于3μm，优选0.3μm-3μm，更优选1μm-2.6μm，更优选1.2μm-2.2μm，更优选1.45-1.75μm。
透明绝缘介质层2的材料可以是透明无机材料或透明有机材料，优选透明有机材料，具体包括：透明聚丙烯薄膜、透明聚酯薄膜（PET）、透明聚苯硫醚薄膜（PPS）、透明聚碳酸酯薄膜（PC）、透明聚苯亚甲萘薄膜（PEN）、透明聚偏二氟乙烯薄膜（PVPF）等等，或上述材料的复合膜，且透明绝缘介质层2的厚度小于等于3μm，优选0.3μm-3μm，更优选1μm-2.6μm，更优选1.2μm-2.2μm，更优选1.45-1.75μm。
以下说明图1中的透明电容的制造方法。
实施例1：
步骤一：提供第一透明电极1和第二透明电极3；
步骤二：将含镍纳米粒子分散液旋涂在第一透明电极1的上表面以及第二透明电极3的下表面，从而形成单层镍纳米粒子薄膜；
步骤三：对单层镍纳米粒子薄膜进行烘干，形成ICP刻蚀所需的单层镍纳米粒子的掩模层；
步骤四：利用单层镍纳米粒子的掩模层对第一透明电极1和第二透明电极3进行ICP刻蚀，从而在第一透明电极1的上表面以及第二透明电极3的下表面形成粗化表面4；
步骤五：去除单层镍纳米粒子的掩模层；
步骤六：提供透明绝缘介质层2；
步骤七：顺序层合第一透明电极1、透明绝缘介质层2以及第二透明电极3，形成具有粗化表面4的透明电容。
其中第一透明电极1和第二透明电极3的材料可以是具有透明导电性的材料，例如TCO（透明导电氧化物），具体可以是ITO（氧化铟锡）、ZnO（氧化锌）、SnO2（氧化锡）、FTO（氟掺杂铟氧化物）、ATO（锑掺杂铟氧化物）、AZO（铝掺杂锌氧化物）。第一透明电极1和第二透明电极3的材料可以相同或不同，且它们的厚度小于等于3μm，优选0.3μm-3μm，更优选1μm-2.6μm，更优选1.2μm-2.2μm，更优选1.45-1.75μm。
透明绝缘介质层2的材料可以是透明无机材料或透明有机材料，优选透明有机材料，具体包括：透明聚丙烯薄膜、透明聚酯薄膜（PET）、透明聚苯硫醚薄膜（PPS）、透明聚碳酸酯薄膜（PC）、透明聚苯亚甲萘薄膜（PEN）、透明聚偏二氟乙烯薄膜（PVPF）等等，且透明绝缘介质层2的厚度小于等于3μm，优选0.3μm-3μm，更优选1μm-2.6μm，更优选1.2μm-2.2μm，更优选1.45-1.75μm。
实施例2：
实施例2与实施例1的不同之处在于第一透明电极1的上表面以及第二透明电极3的下表面的粗化方法不同，即与实施例1中的步骤一、六和七相同，因此省略相同步骤的说明。
步骤二：在第一透明电极1的上表面以及第二透明电极3的下表面分别排列单层自组装聚苯乙烯颗粒，并在单层自组装聚苯乙烯颗粒的间隙之间填充二氧化硅凝胶；
步骤三：对单层自组装聚苯乙烯颗粒进行加热，从而使单层自组装聚苯乙烯颗粒气化，形成二氧化硅凹凸图案；
步骤四：利用二氧化硅凹凸图案对第一透明电极1和第二透明电极3进行ICP刻蚀，从而将凹凸图案转移到在第一透明电极1的上表面以及第二透明电极3的下表面，从而形成粗化表面4；
至此，上文已经详细的说明了本发明的粗化表面的透明电容及其制造方法，相对于现有方法制得的电容，本发明的粗化表面的透明电容由于其下电极、上电极以及其间的绝缘介质都为透明材料，因此对光的透过性良好，不遮光，从而可提高整个显示面板的光分布性以及透光性，进而提高显示面板的性能。而且透明电容的下电极和上电极与绝缘介质接触的表面是粗化表面，从而增强透明电容的下电极和上电极与绝缘介质之间的粘附性，从而提高透明电容的性能。上文所述实施例仅是本发明的优选实施例，其旨在对本发明进行说明而非对其进行限定。在不脱离本发明所附权利要求的精神和范围的情况下，本领域技术人员显然可对本发明做出任何改变和改进，且本发明的保护范围由所附权利要求进行限定。

Claims (4)

1.一种粗化表面的透明电容，包括：
第一透明电极，其用作透明电容的下电极；
位于第一透明电极上的透明绝缘介质层，其用作透明电容的电荷存储部；以及
位于透明绝缘介质层上的第二透明电极，其用作透明电容的上电极，其中
第一透明电极和第二透明电极与透明绝缘介质层之间的接触表面是粗化表面。
2.根据权利要求1所述的粗化表面的透明电容，其中：
第一透明电极和第二透明电极的材料是具有透明导电性的材料，例如TCO，且TCO是ITO、ZnO、SnO2、FTO、ATO、AZO中的一种或多种或上述材料的复合薄膜，而且透明绝缘介质层的材料包括：透明聚丙烯薄膜、透明聚酯薄膜（PET）、透明聚苯硫醚薄膜（PPS）、透明聚碳酸酯薄膜（PC）、透明聚苯亚甲萘薄膜（PEN）、透明聚偏二氟乙烯薄膜（PVPF）或上述材料的复合膜，且第一透明电极和第二透明电极以及透明绝缘介质层的厚度小于等于3μm，优选0.3μm-3μm，更优选1μm-2.6μm，更优选1.2μm-2.2μm，更优选1.45-1.75μm。
3.根据权利要求2所述的粗化表面的透明电容，其中粗化表面如下构成：
将含镍纳米粒子分散液旋涂在第一透明电极的上表面以及第二透明电极的下表面，从而形成单层镍纳米粒子薄膜；
对单层镍纳米粒子薄膜进行烘干，形成ICP刻蚀所需的单层镍纳米粒子的掩模层；
利用单层镍纳米粒子的掩模层对第一透明电极和第二透明电极进行ICP刻蚀，从而在第一透明电极的上表面以及第二透明电极的下表面形成粗化表面；
去除单层镍纳米粒子的掩模层。
4.根据权利要求2所述的粗化表面的透明电容，其中粗化表面如下构成：
在第一透明电极的上表面以及第二透明电极的下表面分别排列单层自组装聚苯乙烯颗粒，并在单层自组装聚苯乙烯颗粒的间隙之间填充二氧化硅凝胶；
对单层自组装聚苯乙烯颗粒进行加热，从而使单层自组装聚苯乙烯颗粒气化，形成二氧化硅凹凸图案；
利用二氧化硅凹凸图案对第一透明电极和第二透明电极进行ICP刻蚀，从而将凹凸图案转移到在第一透明电极的上表面以及第二透明电极的下表面，从而形成粗化表面。
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