CN102447001B - 光电元件、显示单元及其制造方法、显示面板 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种光电元件、显示单元及其制造方法以及显示面板。该光电元件包括透明底电极、光敏感层、第一电极、第二电极以及透明顶电极。光敏感层位于透明底电极上方，第一电极与第二电极配置于光敏感层上。透明顶电极位于光敏感层上方。
Description
技术领域
本发明涉及一种显示单元及其制造方法，且特别是有关于一种具有内嵌式光电元件的显示单元及其制造方法。
背景技术
触控面板依照其感测方式的不同而大致上区分为电阻式触控面板、电容式触控面板、光学式触控面板、声波式触控面板以及电磁式触控面板。由于光学式触控面板不但具备触控的功能，更具备图像扫描(scanner)的功能，因此光学式触控面板已逐渐被使用于各式各样的电子产品中。在各种型态的光学式触控面板中，又以具有内嵌式光电元件的设计较受到青睐，主要原因在于：内嵌式光电元件的制作可被整合于显示面板的制作中，使得具有内嵌式光电元件的显示面板(触控显示面板)具有较薄厚度，且重量较轻。然而，已知具有内嵌式光电元件的显示面板仍处于研发初期，如何制造出成本低廉、高灵敏度且具有双面感测(dual side photo-sensing)功能的触控显示面板，仍是目前研发的重点之一。
发明内容
本发明的一实施例提供一种光电元件，其包括透明底电极、光敏感层、第一电极、第二电极以及透明顶电极。光敏感层位于透明底电极上方。第一电极与第二电极配置于光敏感层上。此外，透明顶电极位于光敏感层上方。
本发明的另一实施例提供一种显示单元，可配置在基板上。显示单元包括像素、顶电极、显示介质以及光电元件。像素可配置于基板上，像素包括至少一薄膜晶体管以及一像素电极，薄膜晶体管包括通道层、第一底电极、第一电极与第二电极，其中第一底电极位于通道层下方，且像素电极与第二电极电性连接。顶电极，位于像素电极上方，且显示介质，位于像素电极与顶电极之间。光电元件可配置于基板上，光电元件包括光敏感层、第二底电极、第三电极与第四电极，其中第二底电极位于光敏感层的下方，且顶电极延伸至光敏感层上方。
本发明的又一实施例提供一种显示单元的制造方法，其包括形成像素电极、至少一第一底电极以及一第二底电极，第二底电极系与第一底电极同时形成，或者第二底电极系与像素电极同时形成；形成绝缘层，以覆盖第一底电极、第二底电极以及像素电极的部分区域；于绝缘层上同时形成通道层与光敏感层，通道层位于第一底电极上方，而光敏感层位于第二底电极上方；同时形成第一电极、第二电极、第三电极与第四电极，第一电极以及第二电极与通道层接触，而第三电极以及第四电极与光敏感层接触；于像素电极上形成显示介质；以及于显示介质上形成顶电极，其中顶电极延伸至光敏感层上方。
本发明的再一实施例提供一种双面感测触控显示面板，其包括基板、多条扫描线、多条数据线、多个像素以及多个呈阵列排列的双面感测型光电元件。扫描线与数据线配置于基板上，其中扫描线与数据线交错，并于基板上定义出多个像素区域；像素，配置于像素区域内，分别与对应的扫描线以及对应的数据线电性连接；双面感测型光电元件，配置于基板上。
本发明的另一实施例提供一种双面感测触控显示面板，其包括基板、多条扫描线、多条数据线、多个像素、多个呈阵列排列的顶面感测型光电元件以及多个呈阵列排列的底面感测型光电元件。扫描线与数据线配置于基板上，其中扫描线与数据线交错，并于基板上定义出多个像素区域；像素，配置于像素区域内，分别与对应的扫描线以及对应的数据线电性连接；顶面与底面感测型光电元件，皆配置于基板上。
为让本发明的上述特征能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图示作详细说明如下。
附图说明
图1为本发明第一实施例的光电元件的剖面示意图。
图2A至图2G为本发明第二实施例的显示单元的制造流程示意图。
图3为本发明第二实施例的另一种显示单元的剖面示意图。
图4A至图4G为本发明第三实施例的显示单元的制造流程示意图。
图5为本发明第三实施例的另一种显示单元的剖面示意图。
图6为本发明第四实施例的显示单元的剖面示意图。
图7为本发明第五实施例的双面感测触控显示面板的示意图。
主要元件符号说明
100：光电元件
110：透明底电极
120：光敏感层
130：图案化介电层
130a：接触开口
140S：第一电极
140D：第二电极
150：透明顶电极
160：绝缘层
170：保护层
180S、180D：欧姆接触层
200、200a、200b、200c、200d：显示单元
SUB：基板
300：双面感测触控显示面板
310：基板
320：扫描线
330：数据线
340：像素
350：双面感测型光电元件
360：顶面感测型光电元件
370：底面感测型光电元件
L：光线
-Vs、+Vd：电压
Vgs1、Vgs2：电压差
TC：透明导电层
BG1：第一底电极
TG1：第一顶电极
BG2：第二底电极
TG2：第二顶电极
PE：像素电极
B：缓冲层
DI1：第一介电层
C：图案化导电层
E1：电容下电极
E2：电容上电极
GI：绝缘层
CH：通道层
PS：光敏感层
DI2：图案化介电层
TFT：薄膜晶体管
PT：光电元件
PV：保护层
DM：显示介质
TE：顶电极
P：像素
TG：不透明顶电极
OC：欧姆接触层
具体实施方式
【第一实施例】
图1为本发明第一实施例的光电元件的剖面示意图。请参照图1，本实施例的光电元件100适于制作于基板SUB上，光电元件100包括透明底电极110、光敏感层120、图案化介电层130、第一电极140S、第二电极140D以及透明顶电极150。光敏感层120位于透明底电极110上方，图案化介电层130覆盖光敏感层120，其中图案化介电层130具有二接触开口130a，且接触开口130a分别暴露光敏感层120的部分区域。第一电极140S与第二电极140D配置于图案化介电层130的部分区域以及二接触开口130a所暴露的光敏感层120上。透明顶电极150位于光敏感层120上方。值得注意的是，本实施例中的图案化介电层130为选择性的构件，在其他架构的光电元件100中，可以不需要制作图案化介电层130。
本实施例的光电元件100例如是光晶体管。当光电元件为光晶体管时，透明底电极110的功能相当于透明底栅极，第一电极140S与第二电极140D的功能相当于源极与漏极，而透明顶电极150的功能相当于透明顶栅极。
在本实施例中，透明底电极110的材料可包括透明导电氧化物(Transparent Conductive Oxide，TCO)。详言之，透明底电极110的材料例如为铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等。光敏感层120的材料例如为非晶硅(a-Si)或其他适合的半导体材料。值得注意的是，光敏感层120的厚度可例如是介于100纳米至200纳米之间。
图案化介电层130的材料包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)或其他适当的介电材料。在本实施例中，图案化介电层130可由单层介电材料所构成，或者由多层彼此堆叠的介电材料所构成，如氮化硅/氧化硅(SiNx/SiOx)的叠层。除此的外，图案化介电层130的材料例如是有机介电材料(organicdielectric layer)或是有机-无机复合型介电层(organic-inorganic hybriddielectric layer)。
承上述，本实施例的第一电极140S与第二电极140D的材料包括金属。举例而言，第一电极140S与第二电极140D的材料例如为三层金属的叠层，诸如钛/铝/钛(Ti/Al/Ti)、钼/铝/钼(Mo/Al/Mo)、铬/铝/铬(Cr/Al/Cr)、钼/铝/钛(Mo/Al/Ti)等金属叠层。当然，本实施例并不限定第一电极140S与第二电极140D必须是由三层金属的叠层所构成。举例而言，第一电极140S与第二电极140D可以是钛、铝、钼、铬金属层或是其他适合的单一导电材料。此外，本实施例的透明顶电极150的材料可包括透明导电氧化物(TransparentConductive Oxide，TCO)。详言之，透明顶电极150的材料例如为铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等。
从图1可知，本实施例的光电元件100可进一步包括绝缘层160，此绝缘层160系覆盖透明底电极110，而前述的光敏感层120则配置于绝缘层160上。同样地，绝缘层160的材料包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)或其他适当的介电材料。在本实施例中，绝缘层160可由单层介电材料所构成，或者由多层彼此堆叠的介电材料所构成，如氮化硅/氧化硅(SiNx/SiOx)的叠层。除此的外，绝缘层160的材料例如是有机介电材料(organic dielectric layer)或是有机-无机复合型介电层(organic-inorganic hybrid dielectric layer)。
本实施例的光电元件100可进一步包括保护层170，此保护层170覆盖第一电极140S、第二电极140D与图案化介电层130，其中透明顶电极150配置于保护层170上。在本实施例中，保护层170的材料包括氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)。举例而言，保护层170可由单层介电材料所构成，或者由多层彼此堆叠的介电材料所构成，如氮化硅/氧化硅(SiNx/SiOx)的叠层。除此的外，保护层170的材料例如是有机介电材料(organic dielectric layer)或是有机-无机复合型介电层(organic-inorganic hybrid dielectric layer)。
为了进一步降低第一电极140S与光敏感层120之间的接触阻抗以及第二电极140D与光敏感层120之间的接触阻抗，本实施例的光电元件可进一步包括二欧姆接触层(ohmic contact layers)180S、180D，其中欧姆接触层180S配置于第一电极140S与光敏感层120之间，而欧姆接触层180D则配置于第二电极140D与光敏感层120之间。在本实施例中，欧姆接触层180S、180D的材料例如为n+型掺杂的微晶硅(n+ doped micro-crystalline Si)、n+型掺杂的MoSi、n+型掺杂的CrSi、n+型掺杂的TiSi等。
由于本实施例的光电元件100具有透明底电极110与透明顶电极150，因此光线L能够穿透透明底电极110与透明顶电极150而照射光敏感层120，换言之，光敏感层120具有双面感测的功能。除此的外，由于光敏感层120受到两个电极(即透明底电极110与透明顶电极150)的控制，因此光敏感层120可以具有较大的厚度，在光敏感层120较厚情况下，光电元件100的感测灵敏度亦可以获得一定程度的提升。再者，由于光电元件100具有两个电极(即透明底电极110与透明顶电极150)，因此光电元件100具有十分良好的感测灵敏度、不易发生临界电压飘移(threshold voltage shift，Vth shift)与崩溃现象(breakdown)。
【第二实施例】
第一实施例中所提及的光电元件100可进一步应用于显示单元(如具备触控功能的显示面板或是具备图像扫描功能的显示面板)中，以下将搭配图2A至图2G对显示单元的制造方法做出详细的说明。
图2A至图2G为本发明第二实施例的显示单元的制造流程示意图。请参照图2A，首先于基板SUB上形成透明导电层TC，此透明导电层TC包括第二底电极BG2与像素电极PE。在本实施例中，透明导电层TC的材料包括透明导电氧化物。详言之，透明导电层TC的材料例如可为铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等。在其他实施例中，在形成透明导电层TC之前，可先于基板SUB上形成缓冲层B，此缓冲层B的材料包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)或其他适当的介电材料。在本实施例中，缓冲层B可由单层介电材料所构成，或者由多层彼此堆叠的介电材料所构成，如氮化硅/氧化硅(SiNx/SiOx)的叠层。除此的外，缓冲层B的材料例如是有机介电材料(organicdielectric layer)或是有机-无机复合型介电层(organic-inorganic hybriddielectric layer)。
接着请参照图2B，于基板SUB上形成第一介电层DI1，以覆盖透明导电层TC。在本实施例中，第一介电层DI1的材料包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)或其他适当的介电材料。举例而言，第一介电层DI1可由单层介电材料所构成，或者由多层彼此堆叠的介电材料所构成，如氮化硅/氧化硅(SiNx/SiOx)的叠层。除此之外，第一介电层DI1的材料例如是有机介电材料(organic dielectric layer)或是有机-无机复合型介电层(organic-inorganic hybriddielectric layer)。
在形成第一介电层DI1之后，于第一介电层DI1上形成图案化导电层C，此图案化导电层C包括一个或多个第一底电极BG1，本实施例以2个第一底电极BG1为例进行说明。在本实施例中，图案化导电层C可进一步包括一电容下电极E1。一般来说，图案化导电层C的材料包括金属，其中可为单层金属或为多层的金属叠层。举例而言，图案化导电层C的材料例如为三层金属的叠层，诸如钛/铝/钛(Ti/Al/Ti)、钼/铝/钼(Mo/Al/Mo)、铬/铝/铬(Cr/Al/Cr)、钼/铝/钛(Mo/Al/Ti)等金属叠层。当然，本实施例并不限定图案化导电层C必须是由三层金属的叠层所构成。举例而言，图案化导电层C可以是钛/铝/钼/铬(Ti/Al/Mo/Cr)。
请参照图2C，接着形成绝缘层GI，以覆盖第一底电极BG1，并绝缘层GI上依序形成半导体层(未绘示)与第二介电层(未绘示)，之后，图案化半导体层与第二介电层，以形成通道层CH与光敏感层PS以及覆盖于通道层CH与光敏感层PS上的图案化介电层DI2，其中通道层CH与光敏感层PS的材料可为相同，通道层CH位于第一底电极BG1上方，而光敏感层PS位于第二底电极BG2上方。在本实施例中，绝缘层GI的材料包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)或其他适当的介电材料。举例而言，绝缘层GI可由单层介电材料所构成，或者由多层彼此堆叠的介电材料所构成，如氮化硅/氧化硅(SiNx/SiOx)的叠层。除此的外，绝缘层GI的材料例如是有机介电材料(organic dielectric layer)或是有机-无机复合型介电层(organic-inorganic hybriddielectric layer)。
接着请参照图2D，图案化前述的绝缘层GI、第一介电层DI1以及图案化介电层DI2，以将像素电极PE的部分区域暴露，并于图案化介电层DI2中形成第一接触开口V1与第二接触开口V2，其中第一接触开口V1暴露通道层CH的部分区域，而第二接触开口V2则暴露光敏感层PS的部分区域。
请参照图2E，同时形成第一电极S1、第二电极D1、第三电极S2与第四电极D2，其中第一电极S1以及第二电极D1与通道层CH接触，而第三电极S2以及第四电极D2与光敏感层PS接触。详言之，第一电极S1以及第二电极D1分别通过第一接触开口V1与通道层CH接触，而第三电极S2以及第四电极D2则分别通过第二接触开口V2与光敏感层PS接触。值得注意的是，在制作第一电极S1、第二电极D1、第三电极S2与第四电极D2的同时，本实施例可选择性地于电容下电极E1上方形成电容上电极E2。此外，在制作第一电极S1、第二电极D1、第三电极S2与第四电极D2的同时，本实施例还可选择性地于第一底电极BG1上方的图案化介电层DI2形成第一顶电极TG1，以使通道层CH位于第一底电极BG1与第一顶电极TG1之间。
值得注意的是，在制作第一电极S1、第二电极D1、第三电极S2与第四电极D2之前，可以同时于第一电极S1、第二电极D1、第三电极S2与第四电极D2下方制作欧姆接触层OC。
在制作完第一电极S1、第二电极D1、第三电极S2与第四电极D2之后，薄膜晶体管TFT以及光电元件PT便初步制作完成。
请参照图2F，形成保护层PV，以覆盖第一电极S1、第二电极D1、第三电极S2、第四电极D2与图案化介电层DI2，其中保护层PV暴露出像素电极PE的部分区域。在本实施例中，保护层PV的材料包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)或其他适当的介电材料。举例而言，保护层PV可由单层介电材料所构成，或者由多层彼此堆叠的介电材料所构成，如氮化硅/氧化硅(SiNx/SiOx)的叠层。除此的外，保护层PV的材料例如是有机介电材料(organic dielectric layer)或是有机-无机复合型介电层(organic-inorganic hybriddielectric layer)。
接着请参照图2G，于像素电极PE上形成显示介质DM，并于显示介质DM上形成顶电极TE，其中顶电极TE系延伸至光敏感层PS上方，以做为光电元件PT的第二顶电极TG2。在本实施例中，顶电极TE的材料包括透明导电氧化物。详言之，顶电极TE的材料例如为铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等。
值得注意的是，显示介质DM例如为有机电激发光层。然而，本发明并不限定显示介质DM的材料，其他可用于显示的自发光材料或光阀材料(lightvalve)亦可应用于本发明。
由于本实施例的光电元件PT与第一实施例的光电元件100具有类似的结构，故本实施例的光电元件PT同样具有十分良好的感测灵敏度、不易发生临界电压飘移(Vth shift)与崩溃现象。
由图2G可知，本实施例的显示单元200适于配置在基板SUB上，且显示单元200包括像素P、顶电极TE、显示介质DM以及光电元件PT，其中像素P包括至少一薄膜晶体管TFT以及一像素电极PE，薄膜晶体管TFT包括前述的通道层CH、第一底电极BG1、第一电极S1与第二电极D1，且像素电极PE与第二电极D1电性连接。此外，光电元件PT包括前述的光敏感层PS、第二底电极BG2、第三电极S2与第四电极D2，其中第二底电极BG2、顶电极TE与像素电极PE的材料可同为透明导电材料，且顶电极TE延伸至光敏感层PS上方。值得注意的是，本实施例的像素P具有双面发光的功能，且光电元件PT具有双面感测的功能。
图3为本发明第二实施例的另一种显示单元的剖面示意图。本实施例的显示单元200a与前述的显示单元200类似，惟二者主要差异之处在于：显示单元200a中的光电元件PT进一步包括位于光敏感层PS上方的不透明顶电极TG，且不透明顶电极TG位于第三电极S2与第四电极D2之间。值得注意的是，不透明顶电极TG可以与第一电极S1、第二电极D1、第三电极S2以及第四电极D2一并制作，因此，不透明顶电极TG、第一电极S1、第二电极D1、第三电极S2以及第四电极D2的材料会相同。
承上述，本实施例的像素P具有双面发光的功能，而光电元件PT仅具有单面感测的功能。
【第三实施例】
图4A至图4G为本发明第三实施例的显示单元的制造流程示意图。请参照图4A至图4G，本实施例的显示单元200b(绘示于图4G)的制造方法与第二实施例中所披露者类似，主要差异在于第二底电极BG2的形成方法，如图4A至图4B所示。以下将搭配图4A与图4B，针对主要差异之处进行描述。图4C至图4G中的工艺步骤与图2C至图2G中的工艺步骤类似，故于此不再重述。
首先请参照图4A，首先于基板SUB上形成透明导电层TC，此透明导电层TC包括像素电极PE。在本实施例中，透明导电层TC的材料包括透明导电氧化物。详言之，透明导电层TC的材料例如为铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等。在其他实施例中，在形成透明导电层TC之前，可先于基板SUB上形成缓冲层B，此缓冲层B的材料包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)或其他适当的介电材料。在本实施例中，缓冲层B可由单层介电材料所构成，或者由多层彼此堆叠的介电材料所构成，如氮化硅/氧化硅(SiNx/SiOx)的叠层。除此的外，缓冲层B的材料例如是有机介电材料(organic dielectric layer)或是有机-无机复合型介电层(organic-inorganic hybrid dielectric layer)。
接着请参照图4B，于基板SUB上形成第一介电层DI1，以覆盖透明导电层TC。在本实施例中，第一介电层DI1的材料包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)或其他适当的介电材料。举例而言，第一介电层DI1可由单层介电材料所构成，或者由多层彼此堆叠的介电材料所构成，如氮化硅/氧化硅(SiNx/SiOx)的叠层。除此之外，第一介电层DI1的材料例如是有机介电材料(organic dielectric layer)或是有机-无机复合型介电层(organic-inorganic hybriddielectric layer)。
在形成第一介电层DI1之后，于第一介电层DI1上形成图案化导电层C，此图案化导电层C包括一个或多个第一底电极BG1以及一个或多个第二底电极BG2，本实施例以2个第一底电极BG1以及1个第二底电极BG2为例进行说明。
在本实施例中，图案化导电层C可进一步包括电容下电极E1。一般来说，图案化导电层C的材料包括金属，其中可为单层金属或为多层的金属叠层。举例而言，图案化导电层C的材料例如为三层金属的叠层，诸如钛/铝/钛(Ti/Al/Ti)、钼/铝/钼(Mo/Al/Mo)、铬/铝/铬(Cr/Al/Cr)、钼/铝/钛(Mo/Al/Ti)等金属叠层。当然，本实施例并不限定图案化导电层C必须是由三层金属的叠层所构成。举例而言，图案化导电层C可以是钛/铝/钼/铬(Ti/Al/Mo/Cr)。从图4B可清楚得知，由于第二底电极BG2为不透明(opaque)底电极，因此本实施例的光电元件PT仅具有单面感测的功能。
图5为本发明第三实施例的另一种显示单元的剖面示意图。本实施例的显示单元200c与图2G中的显示单元200类似，惟二者主要差异之处在于：显示单元200c中的顶电极TE为不透明顶电极。很明显地，显示单元200c中的光电元件PT同样仅具有单面感测的功能。
【第四实施例】
图6为本发明第四实施例的显示单元的剖面示意图。请参照图6，本实施例的显示单元200d与图5的显示单元200c类似，惟二者主要差异之处在于：显示单元200d中的光电元件PT进一步包括位于光敏感层PS上方的不透明顶电极TG，且不透明顶电极TG位于第三电极S2与第四电极D2之间。在本实施例中，不透明顶电极TG可以与第一电极S1、第二电极D1、第三电极S2以及第四电极D2一并制作，因此，不透明顶电极TG、第一电极S1、第二电极D1、第三电极S2以及第四电极D2的材料会相同。
综上所述，上述多个实施例中的光电元件可以与现有显示面板整合，以应用于触控或图像扫描，且光电元件在制作上亦可以与现有显示面板的工艺相容。此外，本发明的光电元件具备优越的元件特性。
【第五实施例】
前述第一实施例至第四实施例已针对单面感测型光电元件(包含顶面感测型光电元件与底面感测型光电元件)以及双面感测型光电元件PT进行详细的描述，本实施例将说明不同型态的光电元件PT在双面感测触控显示面板中的应用。
图7为本发明第五实施例的双面感测触控显示面板的示意图。请参照图7，本实施例的双面感测触控显示面板300具备双面感测的功能，使用者在双面感测触控显示面板300的二主要表面上皆可通过触控方式输入指令。双面感测触控显示面板300包括基板310、多条与栅极驱动芯片(gate driver)连接的扫描线320、多条与源极驱动芯片(source driver)连接的数据线330、多个像素340以及多个呈阵列排列的双面感测型光电元件350。扫描线320、数据线330以及双面感测型光电元件350皆配置基板310上，且数据线330与扫描线320交错以于基板310上定义出多个像素区域。此外，像素340配置于像素区域内，各像素340分别与对应的扫描线320以及对应的数据线330电性连接。基本上，双面感测型光电元件350的设置已使得双面感测触控显示面板300具备了双面感测的功能，但在本实施例中，设计者可以选择性地在基板310上设置多个呈阵列排列的顶面感测型光电元件360及/或多个呈阵列排列的底面感测型光电元件370。详言之，双面感测触控显示面板300可同时具有双面感测型光电元件350与顶面感测型光电元件360，或者，双面感测触控显示面板300亦可同时具有双面感测型光电元件350与底面感测型光电元件370。当然，双面感测触控显示面板300可同时具有双面感测型光电元件350、顶面感测型光电元件360以及底面感测型光电元件370。
在本实施例中，双面感测触控显示面板300可以不具有双面感测型光电元件350，而仅同时具有顶面感测型光电元件360以及底面感测型光电元件370。
承上述，不论是何种型态的光电元件(350、360、370)，其可通过信号读出导线(read-out lines)将其所感测的信号传送到感测芯片(read-out IC)，以利感测信号的判读。此外，光电元件350、360、370的排列方式以及所需的数量可视设计需求而做适度的更动。
Claims (38)
1.一种光电元件，包括：
透明底电极；
光敏感层，位于该透明底电极上方；
第一电极与第二电极，配置于该光敏感层上；
透明顶电极，位于该光敏感层上方且位在该第一电极与该第二电极之间；以及
保护层，覆盖该第一电极与该第二电极，其中该透明顶电极配置于该保护层上且与该保护层接触。
2.如权利要求1所述的光电元件，其中该透明底电极的材料包括透明导电氧化物。
3.如权利要求1所述的光电元件，其中该光敏感层的材料包括非晶硅。
4.如权利要求1所述的光电元件，还包括图案化介电层，覆盖该光敏感层，其中该图案化介电层具有二接触开口，而该二接触开口分别暴露该光敏感层的部分区域，且该第一电极与该第二电极配置于该图案化介电层的部分区域以及该二接触开口所暴露的该光敏感层上。
5.如权利要求4所述的光电元件，其中该图案化介电层的材料包括氮化硅、氧化硅、氮化硅/氧化硅的叠层、有机介电材料或是有机-无机复合型介电层。
6.如权利要求1所述的光电元件，其中该第一电极与该第二电极的材料包括金属。
7.如权利要求1所述的光电元件，其中该透明顶电极的材料包括透明导电氧化物。
8.如权利要求1所述的光电元件，还包括一绝缘层，覆盖该透明底电极，其中该光敏感层配置于该绝缘层上。
9.如权利要求8所述的光电元件，其中该绝缘层的材料包括氮化硅、氧化硅、氮化硅/氧化硅的叠层、有机介电材料或是有机-无机复合型介电层。
10.如权利要求1所述的光电元件，其中该保护层的材料包括氮化硅、氧化硅、氮化硅/氧化硅的叠层、有机介电材料或是有机-无机复合型介电层。
11.如权利要求1所述的光电元件，还包括二欧姆接触层，分别配置于该第一电极与该光敏感层之间以及该第二电极与该光敏感层之间。
12.一种显示单元，包括：
像素，配置于基板上，包括至少一薄膜晶体管以及一像素电极，该薄膜晶体管包括通道层、第一底电极、第一电极与第二电极，其中该第一底电极位于该通道层下方，且该像素电极与该第二电极电性连接；
顶电极，位于该像素电极上方；
显示介质，位于该像素电极与该顶电极之间；
光电元件，配置于该基板上，该光电元件包括光敏感层、第二底电极、第三电极与第四电极，其中该第二底电极位于该光敏感层的下方，且该顶电极延伸至该光敏感层上方；以及
绝缘层，覆盖该第一底电极、该第二底电极以及该像素电极的部分区域，其中该通道层与该光敏感层配置于该绝缘层上。
13.如权利要求12项中所述的显示单元，其中该像素电极为透明像素电极，该顶电极为透明顶电极，且该第二底电极为透明底电极。
14.如权利要求13项中所述的显示单元，其中该光电元件还包括位于该光敏感层上方的不透明顶电极，且该不透明顶电极位于该第三电极与该第四电极之间。
15.如权利要求14项中所述的显示单元，其中该不透明顶电极、该第一电极、该第二电极、该第三电极与该第四电极的材料相同。
16.如权利要求12项中所述的显示单元，其中该像素电极为透明像素电极，该顶电极为透明顶电极，且该第二底电极为不透明底电极。
17.如权利要求12项中所述的显示单元，其中该像素电极为透明像素电极，该顶电极为不透明顶电极，且该第二底电极为透明底电极。
18.如权利要求17项中所述的显示单元，其中该光电元件还包括位于该光敏感层上方的不透明顶电极，且该不透明顶电极位于该第三电极与该第四电极之间。
19.如权利要求18项中所述的显示单元，其中该不透明顶电极、该第一电极、该第二电极、该第三电极与该第四电极的材料相同。
20.如权利要求12项中所述的显示单元，其中该显示介质包括有机电激发光层。
21.如权利要求12项中所述的显示单元，其中该通道层的材料与该光敏感层的材料相同。
22.如权利要求12项中所述的显示单元，其中该第一电极、该第二电极、该第三电极与该第四电极的材料相同。
23.如权利要求12项中所述的显示单元，其中该薄膜晶体管还包括图案化介电层，其中该图案化介电层具有多个第一接触开口，而该多个第一接触开口暴露该通道层的部分区域，且该第一电极与该第二电极通过该多个第一接触开口与该通道层接触。
24.如权利要求12项中所述的显示单元，其中该光电元件还包括图案化介电层，其中该图案化介电层具有多个第二接触开口，而该多个第二接触开口暴露该光敏感层的部分区域，且该第三电极与该第四电极通过该多个第二接触开口与该光敏感层接触。
25.如权利要求12项中所述的显示单元，还包括保护层，其中该保护层覆盖该第一电极、该第二电极、该第三电极与该第四电极，且该保护层暴露出该像素电极的部分区域。
26.如权利要求12项中所述的显示单元，该第二底电极的材料与该像素电极的材料相同。
27.如权利要求12项中所述的显示单元，该第二底电极的材料与该第一底电极的材料相同。
28.一种显示单元的制造方法，包括：
于基板上形成像素电极、至少一第一底电极以及一第二底电极，其中该第二底电极系与该第一底电极同时形成，或者该第二底电极系与该像素电极同时形成；
形成绝缘层，以覆盖该第一底电极、该第二底电极以及该像素电极的部分区域；
于该绝缘层上同时形成通道层与光敏感层，其中该通道层位于该第一底电极上方，而该光敏感层位于该第二底电极上方；
同时形成第一电极、第二电极、第三电极与第四电极，其中该第一电极以及该第二电极与该通道层接触，而该第三电极以及该第四电极与该光敏感层接触；
于该像素电极上形成显示介质；以及
于该显示介质上形成顶电极，其中该顶电极延伸至该光敏感层上方。
29.如权利要求28所述的显示单元的制造方法，其中当该第二底电极系与该像素电极同时形成时，该像素电极、该第一底电极与该第二底电极的形成方法包括：
于该基板上形成透明导电层，该透明导电层包括该第二底电极与该像素电极；
于该基板上形成第一介电层，以覆盖该透明导电层；以及
于该第一介电层上形成图案化导电层，该图案化导电层包括该第一底电极。
30.如权利要求29所述的显示单元的制造方法，其中该通道层、该光敏感层、该第一电极、该第二电极、该第三电极与该第四电极的形成方法包括：
于该绝缘层上依序形成半导体层与第二介电层；
图案化该半导体层与该第二介电层，以形成该通道层与该光敏感层以及覆盖于该通道层与该光敏感层上的图案化介电层；以及
图案化该绝缘层、该第一介电层以及该图案化介电层，以将该像素电极的部分区域暴露，并于该图案化介电层中形成多个第一接触开口与多个第二接触开口，其中该多个第一接触开口暴露该通道层的部分区域，而该多个第二接触开口暴露该光敏感层的部分区域。
31.如权利要求28所述的显示单元的制造方法，其中当该第二底电极系与该第一底电极同时形成时，该像素电极、该第一底电极与该第二底电极的形成方法包括：
于该基板上形成透明导电层，该透明导电层包括该像素电极；
于该基板上形成第一介电层，以覆盖该透明导电层；
图案化该第一介电层与该绝缘层，以将该像素电极的部分区域暴露；以及
于该第一介电层上形成图案化导电层，该图案化导电层包括该第一底电极与该第二底电极。
32.如权利要求31所述的显示单元的制造方法，其中该通道层、该光敏感层、该第一电极、该第二电极、该第三电极与该第四电极的形成方法包括：
于该绝缘层上依序形成半导体层与第二介电层；
图案化该半导体层与该第二介电层，以形成该通道层与该光敏感层以及覆盖于该通道层与该光敏感层上的图案化介电层；以及
图案化该绝缘层、该第一介电层以及该图案化介电层，以将该像素电极的部分区域暴露，并于该图案化介电层中形成多个第一接触开口与多个第二接触开口，其中该多个第一接触开口暴露该通道层的部分区域，而该多个第二接触开口暴露该光敏感层的部分区域。
33.如权利要求30所述的显示单元的制造方法，在形成该显示介质之后以及形成该显示介质之前还包括形成保护层，以覆盖该第一电极、该第二电极、该第三电极、该第四电极与该图案化介电层，其中该保护层暴露出该像素电极的部分区域。
34.一种双面感测触控显示面板，包括：
基板；
多条扫描线，配置该基板上；
多条数据线，配置该基板上并与该多条扫描线交错，该多条扫描线与该多条数据线于该基板上定义出多个像素区域；
多个像素，配置于该多个像素区域内，各该像素分别与对应的扫描线以及对应的数据线电性连接，各该像素包括至少一薄膜晶体管以及一像素电极，该薄膜晶体管包括通道层、第一底电极、第一电极与第二电极，其中该第一底电极位于该通道层下方，且该像素电极与该第二电极电性连接；
顶电极，位于该像素电极上方；
多个呈阵列排列的双面感测型光电元件，配置于基板上，各该双面感测型光电元件包括光敏感层、第二底电极、第三电极与第四电极，其中该第二底电极位于该光敏感层的下方，且该顶电极延伸至该光敏感层上方；以及
绝缘层，覆盖该第一底电极、该第二底电极以及该像素电极的部分区域，其中该通道层与该光敏感层配置于该绝缘层上，且该顶电极为透明顶电极及该些第二底电极为透明底电极。
35.如权利要求34所述的双面感测触控显示面板，还包括多个呈阵列排列的顶面感测型光电元件，配置于基板上。
36.如权利要求35所述的双面感测触控显示面板，还包括多个呈阵列排列的底面感测型光电元件，配置于基板上。
37.如权利要求34所述的双面感测触控显示面板，还包括多个呈阵列排列的底面感测型光电元件，配置于基板上。
38.一种双面感测触控显示面板，包括：
基板；
多条扫描线，配置该基板上；
多条数据线，配置该基板上并与该多条扫描线交错，该多条扫描线与该多条数据线于该基板上定义出多个像素区域；
多个像素，配置于该多个像素区域内，各该像素分别与对应的扫描线以及对应的数据线电性连接，各该像素包括至少一薄膜晶体管以及一像素电极，该薄膜晶体管包括通道层、第一底电极、第一电极与第二电极，其中该第一底电极位于该通道层下方，且该像素电极与该第二电极电性连接；
顶电极，位于该像素电极上方；
多个呈阵列排列的顶面感测型光电元件，配置于基板上，各该顶面感测型光电元件包括第一光敏感层、第二底电极、第三电极与第四电极，其中该第二底电极位于该第一光敏感层的下方，且该顶电极延伸至该第一光敏感层上方；
多个呈阵列排列的底面感测型光电元件，配置于基板上，各该底面感测型光电元件包括第二光敏感层、第三底电极、第五电极与第六电极，其中该第三底电极位于该第二光敏感层的下方，且该顶电极延伸至该第二光敏感层上方；以及
绝缘层，覆盖该第一底电极、该第二底电极、第三底电极以及该像素电极的部分区域，其中该通道层、该第一光敏感层与该第二光敏感层配置于该绝缘层上，且该顶电极为透明顶电极、该些第二底电极为不透明底电极及该些第三底电极为透明底电极。
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