CN106101968B - 一种埋容埋阻结构的制作方法及mems麦克风 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种埋容埋阻结构，其可用于线路板中，所述埋容埋阻结构从上到下依次包括堆叠设置的第二金属层、介电层、第一金属层以及电阻层。本发明还提供了埋容埋阻结构的制作方法及应用该埋容埋阻结构的MEMS麦克风。本发明提供的埋容埋阻结构的厚度变薄，成本较低，并且更有利于产品的微型化。

Description

一种埋容埋阻结构的制作方法及MEMS麦克风
技术领域
本发明涉及一种麦克风，尤其涉及一种埋容埋阻结构、埋容埋阻结构的制作方法及应用该埋容埋阻结构的MEMS麦克风。
背景技术
随着无线通讯的发展，全球移动电话用户越来越多，用户对移动电话的要求已不仅满足于通话，而且要能够提供高质量的通话效果，尤其是目前移动多媒体技术的发展，移动电话的通话质量更显重要，移动电话的麦克风作为移动电话的语音拾取装置，其设计好坏直接影响通话质量。
而目前应用较多且性能较好的麦克风是微电机系统麦克风 (Micro-Electro-Mechanical-System Microphone，简称MEMS)，与本发明相关的麦克风包括线路板、置于线路板上的控制电路芯片和微机电芯片、与线路板盖接形成收容空腔的外壳。所述线路板设有埋容埋阻结构，所述埋容埋阻结构包括一介电层、金属层、胶水层以及电阻层，但是此种埋容埋阻结构厚度偏厚、成本偏高。
因此，有必要提供一种新的埋容埋阻结构解决上述问题。
发明内容
本发明需解决的技术问题是提供一种可以厚度较薄、成本较低的埋容埋阻结构。
根据上述需解决的技术问题，设计了一种埋容埋阻结构，其可用于线路板中，所述埋容埋阻结构从上到下依次包括堆叠设置的第二金属层、介电层、第一金属层以及电阻层。
优选的，所述第一金属层和第二金属层为铜箔。
本发明还提供了一种MEMS麦克风，其包括壳体、与所述壳体盖接形成收容空间的线路板以及置于所述收容空间中的MEMS芯片和ASIC芯片，所述线路板中设有上述埋容埋阻结构。
本发明还提供了一种埋容埋阻结构的制作方法，该方法包括如下步骤：
S1：提供一第一金属层和介电材料，将所述介电材料通过丝印工艺丝印至所述第一金属层的上表面；
S2：提供一第二金属层，通过层压工艺将第二金属层设置在介电材料的远离第一金属层的表面；
S3：将上述第一金属层、介电材料以及第二金属层放入高温炉中烘烤固化，以使得介电材料形成介电层，得到埋容层；
S4：将埋容层置于镍磷镀液中，加热，所述埋容层的上下表面将分别形成第一镍磷层和第二镍磷层；
S5：清洗，并烘干；
S6：在第二镍磷层远离所述埋容层的表面贴设掩膜；
S7：放入蚀刻液中，将第一镍磷层溶解；
S8：清洗并去除掩膜，烘干，则第二镍磷层形成电阻层，得到埋容埋阻结构。
优选的，所述介电材料为聚酰亚胺。
优选的，所述第一金属层、第二金属层和第三金属层均为铜箔。
优选的，在步骤S3中，高温炉中的温度为220℃，烘烤时间为20 分钟，所述介电层的厚度为20μm。
优选的，所述蚀刻液使用硫酸、硫酸铜和水配制形成，硫酸铜含量为120-180g/L，硫酸含量为2-8ml/L。
本发明的有益效果在于：在本发明中，埋容层和埋阻层通过电镀工艺集合为一体，可以极大的降低材料成本和后期的加工成本，另外去掉了胶水层，可以使得埋容埋阻结构的厚度更薄，更有利于产品的微型化。
附图说明
图1是本发明MEMS麦克风的剖视图。
具体实施方式
下面结合附图和实施方式对本发明作进一步说明。
如图1所示，本发明提供了一种MEMS麦克风100，其包括壳体10、与所述壳体10盖接形成收容空间的线路板20以及置于所述收容空间中的MEMS芯片31和ASIC芯片32，所述壳体10上设有入声孔11。
所述线路板中设有埋容埋阻结构201，该埋容埋阻结构201从上到下依次包括堆叠设置的第二金属层212、介电层213、第一金属层211以及电阻层220。其中，所述第一金属层211和第二金属层212为铜箔。
本发明还提供了上述埋容埋阻结构的制作方法，该方法包括如下步骤：
S1：提供一第一金属层211和介电材料，将所述介电材料通过丝印工艺丝印至所述第一金属层211的上表面；
S2：提供一第二金属层212，通过层压工艺将第二金属层212设置在介电材料的远离第一金属层211的表面；
S3：将上述第一金属层211、介电材料以及第二金属层212放入高温炉中烘烤固化，以使得介电材料形成介电层213，得到埋容层210，其中，高温炉中的温度为220℃，烘烤时间为20分钟，所述介电层213的厚度为20μm，在其它实施方式中，所述高温炉的温度、烘烤时间，可以根据所需介电层的厚度在调整；
S4：将埋容层210置于镍磷镀液中，加热，所述埋容层210的上下表面将分别形成第一镍磷层和第二镍磷层；
S5：清洗，并烘干；
S6：在第二镍磷层远离所述埋容层210的表面贴设掩膜；
S7：放入蚀刻液中，将第一镍磷层溶解，其中，蚀刻液使用硫酸、硫酸铜和水配制形成，硫酸铜含量为120-180g/L，硫酸含量为2-8ml/L；
S8：清洗并去除掩膜，烘干，则第二镍磷层形成电阻层220，得到埋容埋阻结构201。
在本发明中，埋容层和埋阻层通过电镀工艺集合为一体，可以极大的降低材料成本和后期的加工成本，另外去掉了胶水层，可以使得埋容埋阻结构的厚度更薄，更有利于产品的微型化。
本发明的保护范围并不以上述实施方式为限，但凡本领域普通技术人员根据本发明所揭示内容所作的等效修饰或变化，皆应纳入权利要求书中记载的保护范围内。

Claims (6)

1.一种埋容埋阻结构的制作方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：
S1：提供一第一金属层和介电材料，将所述介电材料通过丝印工艺丝印至所述第一金属层的上表面；
S2：提供一第二金属层，通过层压工艺将第二金属层设置在介电材料的远离第一金属层的表面；
S3：将上述第一金属层、介电材料以及第二金属层放入高温炉中烘烤固化，以使得介电材料形成介电层，得到埋容层；
S4：将埋容层置于镍磷镀液中，加热，所述埋容层的上下表面将分别形成第一镍磷层和第二镍磷层；
S5：清洗，并烘干；
S6：在第二镍磷层远离所述埋容层的表面贴设掩膜；
S7：放入蚀刻液中，将第一镍磷层溶解；
S8：清洗并去除掩膜，烘干，则第二镍磷层形成电阻层，得到埋容埋阻结构。
2.根据权利要求1所述的埋容埋阻结构的制作方法，其特征在于：所述介电材料为聚酰亚胺。
3.根据权利要求2所述的埋容埋阻结构的制作方法，其特征在于：所述第一金属层、第二金属层和第三金属层均为铜箔。
4.根据权利要求1所述的埋容埋阻结构的制作方法，其特征在于：在步骤S3中，高温炉中的温度为220℃，烘烤时间为20分钟，所述介电层的厚度为20μm。
5.根据权利要求1所述的埋容埋阻结构的制作方法，其特征在于：所述蚀刻液使用硫酸、硫酸铜和水配制形成，硫酸铜含量为120-180g/L，硫酸含量为2-8ml/L。
6.一种MEMS麦克风，其包括壳体、与所述壳体盖接形成收容空间的线路板以及置于所述收容空间中的MEMS芯片和ASIC芯片，所述MEMS芯片和ASIC芯片通过导线电连接，其特征在于，所述线路板中设有一种应用权利要求1所述制作方法制备的埋容埋阻结构，所述第一金属层和所述第二金属层为铜箔。
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