CN205051874U - Mems麦克风 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种MEMS麦克风，包括：衬底；第一支撑层，设置于衬底上；振膜层，振膜层包括锚区和可振动的膜层，锚区设置于第一支撑层上，膜层可移动地连接锚区；第二支撑层，设置于振膜层的锚区之上；背极板，背极板的一部分与膜层通过电介质流体分开，背极板的另一部分设置于第二支撑层上；第一导电层，设置于第二支撑层上；第一焊盘，设置于背极板上；以及第二焊盘，设置于第一导电层上，其中，第一导电层与背极板彼此电隔离，并且第一导电层连接振膜层。本实用新型的麦克风通过设置与背极板等高的第一导电层，第一导电层将振膜层引出，将第二焊盘设置在第一导电层上，减少了焊盘之间的高度差，使焊盘更容易制备，降低了打线的难度。

Description

MEMS麦克风

技术领域

本实用新型涉及麦克风领域，具体涉及一种MEMS麦克风。

背景技术

MEMS麦克风是采用微机电系统(MicroelectromechanicalSystems,MEMS)，与传统驻极体电容式麦克风(ECM)相比，具有更好的声学性能、更高的信噪比、更好的一致性的敏感度以及更低的功耗。MEMS麦克风已经广泛应用在语音通信、助听装置、智能手机、笔记本电脑等领域以提供更高的语音质量。电容性麦克风是一种非常合乎期望并且广泛使用的麦克风类型。

现有技术的MEMS麦克风的结构如图1所示。振膜层300包括锚区、可振动的膜层以及连接锚区和膜层的弹簧，MEMS麦克风通过背极板400和膜层组成的电容将声音信号转换为电信号，该电信号传送到ASIC芯片进一步处理。为了将电信号输出，需要设置第二焊盘301和第一焊盘401。参照图1，振膜层300的锚区通过第一支撑层200固定连接衬底100。背极板400通过第二支撑层500固定连接振膜层300的锚区，背极板400和振膜层300的膜层通过电介质流体(例如空气)分开。衬底100设置有声腔101，声腔101使得振膜层300的膜层暴露。其中，第二焊盘301设置于振膜层300的锚区；第一焊盘401设置于背极板上。由于振膜层300和背极板400存在高度的差异，不同高度的金属焊盘在制备时容易出现残缺、脱落、致密度不一致以及变色等异常，因此所述高度差异提高了焊盘制备工艺的难度和风险。此外，在量产时，如果焊盘的高度差异较大，可能导致井样结构(底部为焊盘，侧壁设置有其他电极)，会造成短路的风险。

期望一种MEMS麦克风结构使得第二焊盘301和第一焊盘401的高度大致相同，降低焊盘制备工艺的难度与风险。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提出一种MEMS麦克风能够降低第二焊盘和第一焊盘的制备工艺难度。

根据本实用新型的一个方面，提供了一种MEMS麦克风，包括：衬底；第一支撑层，设置于所述衬底上；振膜层，所述振膜层包括锚区和可振动的膜层，所述锚区设置于所述第一支撑层上，所述膜层可移动地连接所述锚区；第二支撑层，设置于所述振膜层的锚区之上；背极板，所述背极板的一部分与所述膜层通过电介质流体分开，所述背极板的另一部分设置于所述第二支撑层上；第一导电层，设置于所述第二支撑层上；第一焊盘，设置于所述背极板上；以及第二焊盘，设置于所述第一导电层上，其中，所述第一导电层与所述背极板彼此电隔离，并且所述第一导电层连接所述振膜层。

优选地，所述第二支撑层设置有第一通孔，所述第一导电层通过所述第一通孔连接所述振膜层的锚区。

优选地，所述第二支撑层包括彼此隔开的第一部分和第二部分，

所述背极板的一部分与所述振膜层的可振动的膜层通过电介质流体分开，所述背极板的另一部分设置于所述第二支撑层的第一部分上；

所述第一导电层设置于所述第二支撑层的第二部分上，并沿着所述第二部分的侧壁延伸连接所述振膜层。

优选地，所述背极板和所述第一导电层的高度相同。

优选地，所述第二支撑层的一部分位于所述衬底上，所述MEMS麦克风还包括第二导电层，所述第一导电层、所述背极板以及所述第二导电层彼此电隔离，所述第二导电层电连接所述衬底。

优选地，所述第二支撑层设置有第二通孔，所述第二导电层通过所述第二通孔连接所述衬底。

优选地，所述第二支撑层包括彼此隔开的第一部分、第二部分和第三部分，

所述背极板的一部分与所述振膜层的可振动的膜层通过电介质流体分开，所述背极板的另一部分设置于所述第二支撑层的第一部分上；

所述第一导电层设置于所述第二支撑层的第二部分上，并沿着所述第二部分的侧壁延伸连接所述振膜层；

所述第二导电层设置于所述第二支撑层的第三部分上，并沿着所述第三部分的侧壁延伸连接所述衬底。

优选地，所述背极板设置有第一凹槽，所述第一焊盘设置于所述第一凹槽中，所述第一导电层设置有第二凹槽，所述第二焊盘设置于所述第二凹槽中。

优选地，在所述第一凹槽的下方，所述第二支撑层的第一部分设置有第三凹槽；在所述第二凹槽的下方，所述第二支撑层的第二部分设置有第四凹槽。

根据本实用新型的另一方面，提供一种MEMS麦克风，包括：衬底，所述衬底包括相对的第一表面和第二表面，并且所述衬底设有声腔；支撑层，设置于所述衬底的第一表面上；锚区，所述锚区设置于所述支撑层上；膜层，所述膜层设置于所述衬底的上方，并且可移动地连接所述锚区，所述膜层的一部分悬于所述声孔上方；第一导电层，所述第一导电层设置于所述支撑层上；第一焊盘，设置于所述第一导电层上；以及第二焊盘，设置于所述锚区上，其中，所述第一导电层与所述锚区彼此电隔离，并且所述第一导电层连接所述衬底的第一表面。

优选地，所述支撑层设置有第一通孔，所述第一导电层通过所述第一通孔连接所述衬底的第一表面。

优选地，所述支撑层包括彼此隔开的第一部分和第二部分，

所述锚区设置于所述支撑层的第一部分上；

所述第一导电层设置于所述支撑层的第二部分上，并沿着所述第二部分的侧壁延伸连接所述衬底的第一表面。

优选地，所述第一导电层设置有第一凹槽，所述第一焊盘设置于所述第一凹槽中；所述锚区设置有第二凹槽，所述第二焊盘设置于所述第二凹槽中。

本实用新型的MEMS麦克风通过设置与背极板等高的第一导电层，第一导电层将振膜层引出，将第二焊盘设置在第一导电层上，降低了焊盘制作环节的工艺难度和风险。在量产时，使得打线(wirebond)设备的高度参数调整次数较少甚至不调整，提高了效率。此外避免了产生井样结构，消除了短路风险。

附图说明

通过以下参照附图对本发明实施例的描述，本发明的上述以及其它目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：

图1是现有技术的MEMS麦克风的示意性结构图；

图2a是本实用新型第一实施例的MEMS麦克风的俯视图；

图2b是本实用新型第一实施例的MEMS麦克风的截面图；

图3a是本实用新型第二实施例的MEMS麦克风的俯视图；

图3b是本实用新型第二实施例的MEMS麦克风的截面图；

图4是本实用新型第三实施例的MEMS麦克风的部分截面图；

图5是本实用新型第四实施例的MEMS麦克风的截面图；

图6是本实用新型第五实施例的MEMS麦克风的截面图；

图7至图11是本实用新型的第一实施例的MEMS麦克风的一个制造实例的不同阶段的截面图。

具体实施方式

以下将参照附图更详细地描述本实用新型。在各个附图中，相同的元件采用类似的附图标记来表示。为了清楚起见，附图中的各个部分没有按比例绘制。此外，可能未示出某些公知的部分。

应当理解，在描述某个结构时，当将一层、一个区域称为位于另一层、另一个区域“上面”或“上方”时，可以指直接位于另一层、另一个区域上面，或者在其与另一层、另一个区域之间还包含其它的层或区域。并且，如果将该结构翻转，该一层、一个区域将位于另一层、另一个区域“下面”或“下方”。如果为了描述直接位于另一层、另一个区域上面的情形，本文将采用“A直接在B上面”或“A在B上面并与之邻接”的表述方式。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。此外，在本实用新型的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

第一实施例

图2a是根据本实用新型第一实施例的MEMS麦克风的俯视图，图2b是根据本实用新型第一实施例的MEMS麦克风的截面图，图2a中示出了AA线，表示了图2b截取的位置。

MEMS麦克风10包括：衬底100、第一支撑层200、振膜层300、第二支撑层500、背极板400、第一导电层600、第二焊盘301以及第一焊盘401。

衬底100包括相对的第一表面和第二表面。衬底100例如为体硅衬底、绝缘体上硅(SOI)衬底等，在一些实施例中，衬底100还包括其他结构层，MEMS麦克风的功能层形成于所述结构层上。

振膜层300包括锚区和膜层，其中，锚区和膜层通过弹簧连接。振膜层300例如为多晶硅层或单晶硅层等。膜层和背极板400组成MEMS麦克风的工作电容，膜层的下方为声腔101，膜层随着声音信号振动，从而将声音信号转变为电信号。在一些实施例中，声音信号从声腔101到达膜层；在另一些实施例中，背极板400设置有多个孔，声音信号从所述多个孔到达膜层。背极板400的材料例如为多晶硅或单晶硅。在本实施例中，膜层和背极板400为圆形。

第一支撑层200设置于衬底100的第一表面与振膜层300的锚区之间。第一支撑层200例如为二氧化硅、氮化硅等。

第二支撑层500设置于振膜层300的锚区之上，第二支撑层500例如为二氧化硅、氮化硅等。第二支撑层500设置有第一通孔，该第一通孔暴露振膜层300的锚区的表面。

背极板400的一部分与振膜层300的可振动的膜层通过电介质流体(例如空气)分开，背极板400的另一部分设置于所述第二支撑层500的一部分表面上，通过第二支撑层固定连接振膜层300的锚区。

第一导电层600设置于第二支撑层500的另一部分表面上。第一导电层600和背极板400高度相同，并且与背极板400彼此电隔离。第一导电层600通过第二支撑层500的第一通孔与振膜层300的锚区连接。

第一焊盘401设置于背极板400上，第二焊盘301设置于第一导电层600上。由于第一导电层600和背极板400的高度相同，降低了焊盘制备工艺的难度与风险。在量产时，使得打线设备的高度参数调整次数较少甚至不调整，提高了效率。此外避免了产生井样结构，消除了短路风险。

第二实施例

图3a是根据本实用新型第二实施例的MEMS麦克风的俯视图，图3b是根据本实用新型第二实施例的MEMS麦克风的截面图，图3a中示出了BB线，表示了图3b截取的位置。

参照图3a和3b，第二实施例的MEMS麦克风20包括：衬底100、第一支撑层200、振膜层300、第二支撑层、背极板400、第一导电层600、第二焊盘301以及第一焊盘401。

衬底100包括相对的第一表面和第二表面。衬底100例如为体硅衬底、绝缘体上硅(SOI)衬底等，在一些实施例中，衬底100还包括其他结构层，MEMS麦克风的功能层形成于所述结构层上。

振膜层300包括锚区和膜层，其中，锚区和膜层通过弹簧连接。振膜层300例如为多晶硅层或单晶硅层等。膜层和背极板400组成MEMS麦克风的工作电容，膜层的下方为声腔101，膜层随着声音信号振动，从而将声音信号转变为电信号。

第一支撑层200设置于衬底100的第一表面与振膜层300的锚区之间。第一支撑层200例如为二氧化硅、氮化硅等。

第二支撑层包括第一部分501和第二部分502，第一部分501和第二部分502彼此隔离。第二支撑层例如为二氧化硅、氮化硅等。第一部分501设置于振膜层300的锚区的一部分和背极板400之间，第二部分502设置于振膜层300的锚区的另一部分上。第一部分501和第二部分502的高度相同。

背极板400的一部分与振膜层300的可振动的膜层通过电介质流体(例如空气)分开，背极板400的另一部分通过第二支撑层的第一部分501固定连接振膜层300的锚区。

第一导电层600包括设置于第二支撑层的第二部分502之上的横向部分以及沿着第二部分502的侧壁延伸的纵向部分，第一导电层600的纵向部分连接到振膜层300的锚区。第一导电层600和背极板400的高度相同，并且和背极板400电隔离。

第一焊盘401设置于背极板400上，第二焊盘301设置于第一导电层600的横向部分之上。由于第一导电层600和背极板400的高度相同，降低了焊盘制备工艺的难度与风险。在量产时，使得打线设备的高度参数调整次数较少甚至不调整，提高了效率。此外避免了产生井样结构，消除了短路风险。

第三实施例

图4是第三实施例的MEMS麦克风的部分截面图。第三实施例的MEMS麦克风30包括：衬底100、第一支撑层200、振膜层300、第二支撑层、背极板400、第一导电层600、第二焊盘301以及第一焊盘401。

衬底100包括相对的第一表面和第二表面。衬底100例如为体硅衬底、绝缘体上硅(SOI)衬底等，在一些实施例中，衬底100还包括其他结构层，MEMS麦克风的功能层形成于所述结构层上。

振膜层300包括锚区和膜层，其中，锚区和膜层通过弹簧连接。振膜层300例如为多晶硅层或单晶硅层等。膜层和背极板400组成MEMS麦克风的工作电容，膜层的下方为声腔101，膜层随着声音信号振动，从而将声音信号转变为电信号。

第一支撑层200设置于衬底100的第一表面与振膜层300的锚区之间。第一支撑层200例如为二氧化硅、氮化硅等。

第二支撑层包括第一部分501和第二部分502，第一部分501和第二部分502彼此隔离。第二支撑层例如为二氧化硅、氮化硅等。第一部分501设置于振膜层300的锚区的一部分和背极板400之间，第二部分502设置于振膜层300的锚区的另一部分。第一部分501和第二部分502的高度相同。

背极板400的一部分与振膜层300的可振动的膜层通过电介质流体(例如空气)分开，背极板400的另一部分通过第二支撑层的第一部分501固定连接振膜层300的锚区。

第一导电层600包括设置于第二支撑层的第二部分502之上的横向部分以及沿着第二部分502的侧壁延伸的纵向部分，第一导电层600的纵向部分连接到振膜层300的锚区。第一导电层600和背极板400的高度相同，并且和背极板400电隔离。

背极板400设置有第一凹槽403，在第一凹槽403的下方，第二支撑层的第一部分501设置有与第一凹槽403对应的第三凹槽。第一导电层600的横向部分设置有第二凹槽603，在第二凹槽603的下方，第二支撑层的第二部分502设置有与第二凹槽603对应的第四凹槽。第一凹槽403和第二凹槽603的深度相同或者大致相同。第一焊盘401设置于第一凹槽403中，第二焊盘301设置于第二凹槽603中。

第三实施例的MEMS麦克风不仅能够降低焊盘制备工艺的难度，降低短路风险，而且通过将第一焊盘401和第二焊盘301设置在凹槽中，不易磨损，结构稳定，同时提高了打线时的可靠性。

第四实施例

图5是第四实施例的MEMS麦克风的截面图。第四实施例的MEMS麦克风40包括：衬底100、支撑层200、膜层300、锚区306、机械弹簧305、第一导电层600、第一焊盘301以及第二焊盘103。

衬底100包括相对的第一表面和第二表面。衬底100的第一表面具有较低的电阻率。例如衬底100为掺杂的硅衬底或SOI衬底，或者衬底100为设置有导电层的玻璃。

衬底100上设有贯通的声腔。支撑层200设置在衬底100的第一表面。支撑层200的材料例如为二氧化硅、氮化硅等。锚区306设置在支撑层200上。

膜层300悬于衬底100的第一表面的上方，并且通过机械弹簧305可移动地连接锚区306。膜层300的一部分悬于所述声孔上方，另一部分对应衬底100的第一表面。在一些实施例中，膜层300上设有多个孔。膜层300和衬底100构成了MEMS麦克风40的工作电容。膜层300、机械弹簧305、锚区306以及第一导电层600的材料相同，高度相同。

第一导电层600设置于支撑层200上。支撑层200上设置有第一通孔，第一导电层600通过该第一通孔连接衬底的第一表面。第一导电层600与膜层300彼此电隔离，第一导电层600与锚区306彼此电隔离。

第一焊盘103设置于第一导电层600上，第二焊盘301设置于所述锚区306上。第一焊盘和第二焊盘可以是由导电材料如Cr、Au、Al、Ti、Ta、Ni、Pt或Cu构成的单层或者复合层。

在另一个实施例中，支撑层200包括彼此隔离的第一部分和第二部分。锚区306设置于支撑层200的第一部分上，第一导电层600设置于支撑层200的第二部分上，并沿着第二部分的侧壁延伸连接衬底的第一表面。

在优选的实施例中，第一导电层600设置有第一凹槽，第一焊盘103设置于所述第一凹槽中；锚区306设置有第二凹槽，第二焊盘301设置于所述第二凹槽中。

第四实施例的MEMS麦克风40是一种没有专用背极板结构的MEMS麦克风。第一焊盘103设置于第一导电层600上，第一导电层600将衬底引出，第二焊盘301设置于锚区。第一导电层600和锚区306的高度相同，降低了焊盘制备工艺的难度与风险。在量产时，使得打线设备的高度参数调整次数较少甚至不调整，提高了效率。此外避免了产生井样结构，消除了短路风险。

第五实施例

图6是本实用新型第五实施例的MEMS麦克风的截面图。第五实施例的MEMS麦克风50包括：衬底100、第一支撑层200、振膜层300、第二支撑层500、背极板400、第一导电层600、第二导电层700、第二焊盘301、第一焊盘401以及第三焊盘103。

相比于第一实施例的MEMS麦克风10，第五实施例的MEMS麦克风50还包括第二导电层700和第三焊盘103。第五实施例的MEMS麦克风50的第二支撑层500不仅包括设置于振膜层300的锚区上的部分，还包括设置于衬底100上的部分。第二支撑层500位于衬底100上的部分设置有第二通孔，第二导电层700穿过该第二通孔连接衬底100，用于将衬底引出。第三焊盘103设置于第二导电层700上。

第二导电层700、第一导电层600以及背极板400彼此电隔离。并且第二导电层700、第一导电层600以及背极板400为相同的材料和厚度。在制备中，通过一步沉积步骤同时形成第二导电层700、第一导电层600以及背极板400，再通过蚀刻将第二导电层700、第一导电层600以及背极板400分开以实现彼此电隔离。

图7至图11是第一实施例的MEMS麦克风的一个制造实例中的各个阶段的截面图。第一实施例的MEMS麦克风可以通过如下步骤获得：

首先，提供衬底100，然后在衬底上依次沉积第一支撑层200、振膜层300以及第二支撑层500。图7示出了第二支撑层500形成后的中间结构的截面图。

进一步，通过蚀刻在第二支撑层500上形成通孔503，通孔503暴露振膜层300的锚区。图8示出了通孔503形成后的中间结构的截面图。

进一步，通过沉积同时形成功能层700。图9示出了功能层700形成后的中间结构的截面图。

进一步，通过蚀刻将功能层700分为彼此电隔离的背极板400和第一导电层600。图10示出了背极板400和第一导电层600形成后的中间结构的截面图。

进一步，形成声腔、通过湿法腐蚀释放结构，并设置第一焊盘401和第二焊盘301，最终得到如图11所示的MEMS麦克风。

本实用新型的MEMS麦克风通过设置与背极板等高的第一导电层，第一导电层将振膜层引出，将第二焊盘设置在第一导电层上，实现了第一焊盘和第二焊盘等高，降低了焊盘制作环节的工艺难度和风险。在量产时，使得打线设备的高度参数调整次数较少甚至不调整，提高了效率。此外避免了产生井样结构，消除了短路风险。

在以上的描述中，对公知的结构要素和步骤并没有做出详细的说明。但是本领域技术人员应当理解，可以通过各种技术手段，来实现相应的结构要素和步骤。另外，为了形成相同的结构要素，本领域技术人员还可以设计出与以上描述的方法并不完全相同的方法。另外，尽管在以上分别描述了各实施例，但是这并不意味着各个实施例中的措施不能有利地结合使用。

以上对本实用新型的实施例进行了描述。但是，这些实施例仅仅是为了说明的目的，而并非为了限制本实用新型的范围。本实用新型的范围由所附权利要求及其等价物限定。不脱离本实用新型的范围，本领域技术人员可以做出多种替代和修改，这些替代和修改都应落在本实用新型的范围之内。

Claims (13)

1.一种MEMS麦克风，其特征在于，包括：

衬底；

第一支撑层，设置于所述衬底上；

振膜层，所述振膜层包括锚区和可振动的膜层，所述锚区设置于所述第一支撑层上，所述膜层可移动地连接所述锚区；

第二支撑层，设置于所述振膜层的锚区之上；

背极板，所述背极板的一部分与所述膜层通过电介质流体分开，所述背极板的另一部分设置于所述第二支撑层上；

第一导电层，设置于所述第二支撑层上；

第一焊盘，设置于所述背极板上；以及

第二焊盘，设置于所述第一导电层上，

其中，所述第一导电层与所述背极板彼此电隔离，并且所述第一导电层连接所述振膜层。

2.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述第二支撑层设置有第一通孔，所述第一导电层通过所述第一通孔连接所述振膜层的锚区。

3.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述第二支撑层包括彼此隔开的第一部分和第二部分，

所述背极板的一部分与所述振膜层的可振动的膜层通过电介质流体分开，所述背极板的另一部分设置于所述第二支撑层的第一部分上；

所述第一导电层设置于所述第二支撑层的第二部分上，并沿着所述第二部分的侧壁延伸连接所述振膜层。

4.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述背极板和所述第一导电层的高度相同。

5.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述第二支撑层的一部分位于所述衬底上，所述MEMS麦克风还包括第二导电层，所述第一导电层、所述背极板以及所述第二导电层彼此电隔离，所述第二导电层电连接所述衬底。

6.根据权利要求5所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述第二支撑层设置有第二通孔，所述第二导电层通过所述第二通孔连接所述衬底。

7.根据权利要求5所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述第二支撑层包括彼此隔开的第一部分、第二部分和第三部分，

所述背极板的一部分与所述振膜层的膜层通过电介质流体分开，所述背极板的另一部分设置于所述第二支撑层的第一部分上；

所述第一导电层设置于所述第二支撑层的第二部分上，并沿着所述第二部分的侧壁延伸连接所述振膜层；

所述第二导电层设置于所述第二支撑层的第三部分上，并沿着所述第三部分的侧壁延伸连接所述衬底。

8.根据权利要求3所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述背极板设置有第一凹槽，所述第一焊盘设置于所述第一凹槽中，所述第一导电层设置有第二凹槽，所述第二焊盘设置于所述第二凹槽中。

9.根据权利要求8所述的MEMS麦克风，其特征在于，在所述第一凹槽的下方，所述第二支撑层的第一部分设置有第三凹槽；在所述第二凹槽的下方，所述第二支撑层的第二部分设置有第四凹槽。

10.一种MEMS麦克风，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括相对的第一表面和第二表面，并且所述衬底设有声腔；

支撑层，设置于所述衬底的第一表面上；

锚区，所述锚区设置于所述支撑层上；

膜层，所述膜层设置于所述衬底的上方，并且可移动地连接所述锚区，所述膜层的一部分悬于所述声孔上方；

第一导电层，所述第一导电层设置于所述支撑层上；

第一焊盘，设置于所述第一导电层上；以及

第二焊盘，设置于所述锚区上，

其中，所述第一导电层与所述锚区彼此电隔离，并且所述第一导电层连接所述衬底的第一表面。

11.根据权利要求10所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述支撑层设置有第一通孔，所述第一导电层通过所述第一通孔连接所述衬底的第一表面。

12.根据权利要求10所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述支撑层包括彼此隔开的第一部分和第二部分，

所述锚区设置于所述支撑层的第一部分上；

所述第一导电层设置于所述支撑层的第二部分上，并沿着所述第二部分的侧壁延伸连接所述衬底的第一表面。

13.根据权利要求10所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述第一导电层设置有第一凹槽，所述第一焊盘设置于所述第一凹槽中；所述锚区设置有第二凹槽，所述第二焊盘设置于所述第二凹槽中。