CN101171633A - 信息记录介质以及光学信息记录再生装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种信息记录介质，其具有：基板；和记录部，可在上述基板上将记录凹坑以三维进行记录；其中，上述记录部具有：多个记录层，通过对其聚集具有波长λ2的记录光来对上述记录凹坑进行记录，并且，通过对其聚集具有短于上述波长λ2的波长λ1的再生光来使上述记录凹坑再生；和中间层，与上述记录层交替层叠；其中，记录层中的未记录区域对记录光波长λ2的反射率，小于记录层中的未记录区域对再生光波长λ1的反射率。

Description

信息记录介质以及光学信息记录再生装置
技术领域
本发明涉及可将作为信息位的记录凹坑以三维进行记录的信息记录介质以及光学信息记录再生装置。尤其涉及不仅确保聚焦伺服用的反射光，并且在位于远离物镜的下层的记录层中也使记录光的光量的降低减少，可以高精度地进行良好的记录/再生的信息记录介质及其信息记录介质的记录再生中所采用的光学信息记录再生装置。
背景技术
作为光学信息记录介质，CD(Compact Disc：小型激光唱片)、DVD(Digital Versatile Disc：数字多用途盘)等的光盘或光卡式存储器等被正在利用。
在非专利文献1中记载有：为了实现记录信息的更大容量化，以图20所示那样的三维方式层叠形成有多个记录层101的信息记录介质。
该信息记录介质121，由玻璃的透明基板104、记录层101a～101d、和中间层102a～102c形成，在该透明基板104上以交替的方式层叠有记录层101a～101d和中间层102a～102c，该记录层101a～101d采用光子模式(photon-mode)记录材料即氨基甲酸酯尿素共聚物材料(urethane-ureacopolymer material)，该中间层102a～102c由PVA(聚乙烯醇)膜和PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)膜构成。
在记录时，记录用光源120a的Ti蓝宝石(sapphire)激光器所射出的波长0.790μm的峰值功率大的记录光122a，通过分束器(beam splitter)118a后由扩束器(beam expander)123放大光束直径，且通过分束器118b后由物镜106聚集到能以三维方式记录再生的多层信息记录介质121的期望的记录层101c(会聚光107)。如果对这种会聚光107进行聚集，则由于双光子吸收(two-photon absorption)过程等的非线性现象，只有光的功率密度高的部分(聚光点及其附近)产生使波长变为一半的吸收，由此对记录凹坑105进行记录。因此，即使记录层增加，其他记录层相对于记录光也是大致透明的，只在规定的记录位置产生双光子吸收，因此抑制记录光的衰减，从而在位于下层的记录层中也能进行充分的记录。
另一方面，在再生时，再生用光源120b的He-Ne激光器所射出的波长0.6328μm的峰值功率小的再生光122b，同样由物镜106聚集到期望的记录层101c的记录凹坑105(会聚光107)。之后，所反射的光经由分束器118b沿Y轴方向弯曲后由检测透镜111聚集，通过配置在检测透镜111的聚光点的针孔114并且由光检测器119检测出，从而将信号再生。
然而，虽然在非专利文献1中没有研究，但在现有的光盘记录再生装置中，在记录时或再生时，进行聚焦伺服，以使来自光源的记录光或再生光通过物镜在光盘上准确地聚集。因此，即使在对非专利文献1那样的由双光子吸收记录等的非线性记录所记录的记录凹坑105进行记录或再生时，也优选进行聚焦伺服。即在记录光122a或再生光122b照射到信息记录介质121时，如果得到来自记录层101的一定的反射光，则通过将该反射光用作聚焦伺服用的光，就能够准确地聚集到期望的记录层101c。
但是，根据本发明者等的研究，认为在由非专利文献1所述那样的可三维记录的信息记录介质121中进行上述那样的聚焦伺服时，存在下述的问题。
即为了在信息记录介质121的记录时或再生时准确地将记录光或再生光聚集到期望的记录层101c，对于记录光波长和再生光波长中的任一个也需要由各记录层101产生一定强度的聚焦伺服用的反射光。
然而，信息记录介质121为了三维地形成记录凹坑，层叠有多个记录层101。因此，在记录层101的层数较多时，记录光以及再生光不仅在期望的记录层101c而且在各记录层101中也产生反射及吸收。通过由该各记录层101的反射以及吸收，至距物镜最远的最下层(图20中为101d)为止而使记录光以及再生光的光量降低。因此，如果采用记录光或再生光来得到聚焦伺服用的反射光，则引起记录光或再生光的透射量的减少，由此存在以下问题：在需要双光子吸收过程那样的大光量的记录中，随着到达下层的记录层而不能形成良好的记录凹坑。具体地说，在利用例如双光子吸收记录、多光子吸收记录或等离子吸收记录等的非线性记录的情况下，尤其在记录时，与通常的一光子吸收记录相比，随着光量的降低而记录灵敏度显著降低。该记录灵敏度降低的原因在于，在双光子吸收记录的情况下，记录灵敏度与光量的二次方特性(n光子记录中为n次方特性)成比例。例如当记录光的光量变为0.8倍时，在通常的一光子吸收记录中记录灵敏度降低到0.8倍，但在双光子吸收记录中，记录灵敏度降低到其二次方即0.64倍。因此，在非专利文献1那样的现有的信息记录介质中，难以不仅确保聚焦伺服用的反射光，并且确保至下层的记录层为止在记录时充足的光量。此时，也考虑将记录用光源的功率通过记录层的位置来进行调整，但非线性记录，需要将峰值功率高例如具有数100mW～1W以上的峰值功率的半导体激光器用作记录用光源，因此在现实中光源向高输出方向的功率调整几乎没有余量。因此，当为了在记录部上以三维进行记录凹坑的记录而针对置于下层的记录层进行记录时，则难以将记录用的光源的功率增高得比针对置于上层的记录层进行记录时的功率高。因此，优选记录时不需要进行功率调整，或者以小功率调整就可进行良好的记录的信息记录介质(例如调整量优选为30％以内)。
非专利文献1：川田善正他：“采用具有多层膜结构的有机记录介质的三维光存储器”，OpticsJapan 2000讲演稿集pp.95-96(2000年)。
发明内容
本发明正是为了解决上述现有技术中的问题而提出的，其目的在于，提供一种能够确保聚焦伺服用的反射光，并且即使对于远离物镜的下层的记录层而减少记录光的光量的降低，由此可高精度地进行良好的记录及再生的信息记录介质以及光学信息记录再生装置。
本发明的一个方面的信息记录介质具有：基板；和记录部，可在上述基板上将记录凹坑以三维进行记录；其中，上述记录部具有：多个记录层，通过对其聚集具有波长λ2的记录光来对上述记录凹坑进行记录，并且，通过对其聚集具有短于上述波长λ2的波长λ1的再生光来使上述记录凹坑再生；和中间层，与上述记录层交替层叠；其中，记录层中的未记录区域对记录光波长λ2的反射率，小于记录层中的未记录区域对再生光波长λ1的反射率。
本发明的目的、特征、方式以及优点，通过以下详细的说明和附图可清楚。
附图说明
图1为表示本发明的信息记录介质的结构和对记录凹坑进行记录/再生的情况的说明图。
图2A为表示本发明的实施方式1的信息记录介质的记录层的膜厚、和再生光以及记录光在记录层的未记录区域中的反射率之间的关系的一例的图，图2B为表示在图2A的记录层的未记录区域中记录光的反射率低于再生光的反射率的记录层膜厚的范围的图。
图3A为表示本发明的实施方式1的信息记录介质的记录层的膜厚、和再生光以及记录光在记录层的未记录区域中的反射率之间的关系的另一例的图，图3B为表示在图3A的记录层的未记录区域中记录光的反射率低于再生光的反射率的记录层膜厚的范围的图。
图4A为表示图2A的信息记录介质的记录层的膜厚、和再生光在记录层的未记录区域以及在记录完成区域中的反射率之间的关系的图，图4B为表示图2A的信息记录介质的记录层的膜厚、和记录光在记录层的未记录区域以及在记录完成区域中的反射率之间的关系的图。
图5A为表示图3A的信息记录介质的记录层的膜厚、和再生光在记录层的未记录区域以及在记录完成区域中的反射率之间的关系的图，图5B为表示图3A的信息记录介质的记录层的膜厚、和记录光在记录层的未记录区域以及在记录完成区域中的反射率之间的关系的图。
图6为表示本发明的实施方式1的信息记录介质的制造工序的图。
图7为表示本发明的实施方式1的光学信息记录再生装置的结构和信息记录介质中对信号进行记录/再生的状态的图。
图8A为表示本发明的实施方式2的信息记录介质的记录层的膜厚、和再生光以及记录光在记录层的未记录区域中的反射率之间的关系的一例的图，图8B为表示在图8A的记录层的未记录区域中记录光的反射率低于再生光的反射率的记录层膜厚的范围的图。
图9A为表示本发明的实施方式2的信息记录介质的记录层的膜厚、和再生光以及记录光在记录层的未记录区域中的反射率之间的关系的另一例的图，图9B为表示在图9A的记录层的未记录区域中记录光的反射率低于再生光的反射率的记录层膜厚的范围的图。
图10A为表示图8A的信息记录介质的记录层的膜厚、和再生光在记录层的未记录区域以及在记录完成区域中的反射率之间的关系的图，图10B为表示图8A的信息记录介质的记录层的膜厚、和记录光在记录层的未记录区域以在及记录完成区域中的反射率之间的关系的图。
图11A为表示图9A的信息记录介质的记录层的膜厚、和再生光在记录层的未记录区域以及在记录完成区域中的反射率之间的关系的图，图11B为表示图9A的信息记录介质的记录层的膜厚、和记录光在记录层的未记录区域以及在记录完成区域中的反射率之间的关系的图。
图12A为表示本发明的实施方式3的信息记录介质的记录层的膜厚、和再生光以及记录光在记录层的未记录区域中的反射率之间的关系的一例的图，图12B为表示在图12A的记录层的未记录区域中记录光的反射率低于再生光的反射率的记录层膜厚的范围的图。
图13A为表示本发明的实施方式3的信息记录介质的记录层的膜厚、和再生光以及记录光在记录层的未记录区域中的反射率之间的关系的另一例的图，图13B为表示在图13A的记录层的未记录区域中记录光的反射率低于再生光的反射率的记录层膜厚的范围的图。
图14A为表示图12A的信息记录介质的记录层的膜厚、和再生光在记录层的未记录区域以及在记录完成区域中的反射率之间的关系的图，图14B为表示图12A的信息记录介质的记录层的膜厚、和记录光在记录层的未记录区域以及在记录完成区域中的反射率之间的关系的图。
图15A为表示图13A的信息记录介质的记录层的膜厚、和再生光在记录层的未记录区域以及在记录完成区域中的反射率之间的关系的图，图15B为表示图3A的信息记录介质的记录层的膜厚、和记录光在记录层的未记录区域以及在记录完成区域中的反射率之间的关系的图。
图16A为表示本发明的实施方式4的信息记录介质的记录层的膜厚、和再生光以及记录光在记录层的未记录区域中的反射率之间的关系的一例的图，图16B为表示在图16A的记录层的未记录区域中记录光的反射率低于再生光的反射率的记录层膜厚的范围的图。
图17A为表示本发明的实施方式4的信息记录介质的记录层的膜厚、和再生光以及记录光在记录层的未记录区域中的反射率之间的关系的另一例的图，图17B为表示在图17A的记录层的未记录区域中记录光的反射率低于再生光的反射率的记录层膜厚的范围的图。
图18A为表示图16A的信息记录介质的记录层的膜厚、和再生光在记录层的未记录区域以及在记录完成区域中的反射率之间的关系的图，图18B为表示图16A的信息记录介质的记录层的膜厚、和记录光在记录层的未记录区域以及在记录完成区域中的反射率之间的关系的图。
图19A为表示图17A的信息记录介质的记录层的膜厚、和再生光在记录层的未记录区域以及在记录完成区域中的反射率之间的关系的图，图19B为表示图17A的信息记录介质的记录层的膜厚、和记录光在记录层的未记录区域以及在记录完成区域中的反射率之间的关系的图。
图20为表示现有的光学信息记录再生装置的结构和信号的记录/再生的情况的说明图。
具体实施方式
本发明的信息记录介质的特征在于，在记录光和再生光的关系中，在再生光波长λ1(以下有时只省略为λ1)比记录光波长λ2(以下有时只省略为λ2)短的情况下，记录层的未记录区域对记录光波长λ2的反射率为小于上述记录层的未记录区域对再生光波长λ1的反射率，使得确保聚焦伺服用的反射光并且利用非线性记录来对记录凹坑进行三维的记录、再生。
图1为表示本发明的信息记录介质的结构和对信号进行记录/再生的情况的说明图。
如图1所示，本发明的信息记录介质21具备例如厚度为1.1mm的基板9和包括在上述基板9上形成的多个记录层1(图1中图示了1a～1f共6层，其各膜厚为t)的记录部3。记录部3，在记录层1之间设置有例如ts＝3～10μm厚度的中间层2(图1中图示有2a～2e共5层)，具有将记录层1和中间层2交替地层叠多层的结构。
在记录部3的记录光7a、7a′(7a为朝向信息记录介质21的记录光的会聚光，7a′为来自信息记录介质21的记录光的反射光)以及再生光7b、7b′(7b为朝向信息记录介质21的再生光的会聚光，7b′为来自信息记录介质21的再生光的反射光)的入射侧或输入输出侧，也可还设置例如50～100μm厚度的保护层4。通过设置保护层4，即使在信息记录介质上存在一些灰尘、垃圾、伤痕等，也可进行记录以及再生。
本发明的信息记录介质，在记录时，将记录光波长λ2的会聚光7a照射到目标层即例如作为记录层1d的记录区域的信息道(track)25。此时，如果由光检测器(图1中未图示)检测出来自记录层1d的反射光7a′，则可将反射光7a′用作聚焦伺服用的光。并且，通过利用该反射光7a′的聚焦伺服，在记录时能够准确地将记录光聚集到作为目标的记录层1d，并且使记录层的光学常数变化，优选的是使折射率变化，来对记录凹坑5进行记录。
此外，在再生时也相同，将再生光波长λ1的会聚光7b例如照射到作为目标的记录层1d。此时，如果由光检测器(图1中未示出)检测出来自记录层1d的反射光7b′，则也可将反射光7b′用作聚焦伺服用的光。并且，通过利用该反射光7b′的聚焦伺服，在再生时，将再生光准确地聚集到作为目标的记录层1d的信息道25，并且通过来自作为记录完成区域的记录凹坑5的反射光7b′来对信号进行再生。
在再生时，由于在记录层1d的信息道25上如未记录区域24和记录完成区域23那样部分地对记录凹坑5进行了记录(形成有记录凹坑5的区域为记录完成区域23)，因此作为聚焦伺服用的反射光，只要采用从未记录区域24和记录完成区域23(记录凹坑5)所得到的反射光内任一个较大一方的反射光即可。即本发明的利用例如双光子吸收记录等的非线性记录的信息记录介质，通过利用随着记录而使记录层的光学常数变化、例如让折射率变化来形成记录凹坑，因此通过记录层和中间层的组合而在记录前后使记录层的反射率变化。因此，例如中间层2的折射率n2和记录层1的未记录区域24的折射率n之差(|n2-n|)比中间层2的折射率n2和记录层1的记录完成区域23的折射率n1之差(|n2-n1|)大时，未记录区域24的反射率较大，但记录完成区域23的反射率变小。因此，在具有这种特性的信息记录介质中，主要检测出未记录区域24中的反射光用于聚焦伺服。将上述那样的随着记录而使反射率降低的特性称作H→L(High-to-Low)。另一方面，中间层2的折射率n2和记录层1的未记录区域24的折射率n之差(|n2-n|)比中间层2的折射率n2和记录层1的记录完成区域23的折射率n1之差(|n2-n1|)小时，未记录区域24的反射率较小，但记录完成区域23的反射率变大。因此，在具有这种特性的信息记录介质中，主要检测出记录完成区域23(即记录凹坑5)中的反射光用于聚焦伺服。将上述那样的随着记录而使反射率增高的特性称作L→H(Low-to-High)。
此外，通常基于记录的折射率的变化量(|n1-n|)不是非常大，因此如果考虑反射光的光量，则在H→L的情况下，优选具有折射率n2的中间层，该折射率n2比记录层的未记录区域的折射率n以及记录完成区域的折射率n1的任一个高，即优选各折射率满足n＜n1＜n2的关系的中间层。另一方面，在L→H的情况下，优选具有折射率n2的中间层，该折射率n2比记录层的未记录区域的折射率n以及记录完成区域的折射率n1的任一个低，即优选各折射率满足n1＞n＞n2的关系的中间层。另外，优选中间层2的折射率与记录层1的未记录区域24的折射率之差、或与记录完成区域23的折射率之差在0.05以上。如果上述折射率之差为0.05以上，则得到相对再生光至少大约0.1％以上的反射率，由此可确认再生时能够进行良好的聚焦伺服。
如果要确保上述那样的聚焦伺服用的反射光，则在远离物镜的下层的记录层中使记录时或再生时的光量降低，从而记录或再生变得困难。尤其，在非线性记录的情况下，记录时的光量的减少将以乘数方式影响记录灵敏度，因此，下层的记录层中的记录凹坑的形成也变得困难。
根据本发明，发现了以下内容，即如果按照利用非线性记录中的λ1和λ2的波长的不同而使未记录区域24对λ2的反射率比未记录区域24对λ1的反射率小的方式来形成记录层，则能够不仅进行聚焦伺服，并且在下层的记录层中也实现高精度的良好的记录及再生。
也就是，如果为具有本发明的反射率的关系的记录层，则各记录层1中的记录光的透射率较大。因此，在距物镜6最远的最下层的记录层(图1中为1a)中，记录光7a的光量的降低也较少，从而可进行良好的记录。并且，在非线性记录中，作为记录光需要数100mW～1W以上的大峰值功率，因此所利用的记录用光源在增加其峰值功率的调整上是困难的，与此相对，再生用光源所需的峰值功率较小，并且为了防止基于再生光的记录，优选按照比记录光的功率小的方式抑制再生光的功率(一般数mW～数10mW左右)。因此，再生用光源的功率为记录用光源的大致1/10，其最大输出还有余量。因此，按照记录层的未记录区域对再生光波长的反射率比相对记录光波长的反射率大的方式进行设定，即使随着目标的记录层变为离开物镜6的下层而使来自记录层的再生光的反射光强度缓缓降低，如果根据需要使再生用光源的功率以再生光的反射光强度降低所对应的方式增大，则也可在能检测的程度为止防止其反射光强度的降低。并且，在使用上述记录用光源以及再生用光源的情况下，由于相对再生光波长的反射率较高，因此即使再生光的功率较小也能确保充足的光量。另一方面，由于记录光的功率为再生光的功率的10倍左右，因此也可将相对记录光波长的反射率以低至相对再生光波长的反射率的1/10左右的方式进行设定。
根据本发明，发现了虽然上述那样的记录层的各反射率的特性随着所使用的记录光波长和再生光波长而不同，但通过调整记录层的膜厚，能够确保适合于各波长的组合的反射率。在以下的各实施方式中，对于满足上述记录光和再生光的反射率的关系的信息记录介质，以各记录光波长以及再生光波长的组合进行划分后具体地进行说明。
(实施方式1)
在本实施方式中，针对记录光以及再生光满足再生光波长λ1比记录光波长λ2短，例如：再生光的波长满足0.6μm≤λ1≤0.7μm、且记录光的波长满足0.73μm≤λ2≤0.83μm，利用这样的记录光以及再生光的信息记录介质以及光学信息记录再生装置进行说明。作为具有这种波长的光源，具体来说，可举出例如射出λ1＝0.66μm的半导体激光器以及射出λ2＝0.78μm的半导体激光器。
采用图2到图5，对本实施方式中的信息记录介质21的记录层1的优选膜厚进行详细的说明。图2A及图2B表示本发明的实施方式1的信息记录介质的记录层的膜厚、和再生光以及记录光在记录层的未记录区域中的反射率之间的关系的一例。图3A及图3B表示本发明的实施方式1的信息记录介质的记录层的膜厚、和再生光以及记录光在记录层的未记录区域中的反射率之间的关系的另一例。图4A表示图2A的信息记录介质的记录层的膜厚、和再生光在记录层的未记录区域以及在记录完成区域中的再生光的反射率之间的关系，图4B表示图2A的信息记录介质的记录层的膜厚、和记录光在记录层的未记录区域以及在记录完成区域的反射率之间的关系。图5A表示图3A的信息记录介质的记录层的膜厚、和再生光在记录层的未记录区域以及在记录完成区域中的反射率之间的关系，图5B表示图3A的信息记录介质的记录层的膜厚、和记录光在记录层的未记录区域以及在记录完成区域中的反射率之间的关系。还有，图6表示本发明的实施方式1的信息记录介质的制造工序。图7表示本发明的实施方式1的光学信息记录再生装置的结构和信息记录介质中对记录凹坑进行记录/再生的状态。在各图中，λ1表示再生光波长，λ2表示记录光波长，n表示记录层1的未记录区域24的折射率，n1为记录层的记录完成区域23的折射率，n2为中间层2的折射率。
作为本实施方式的记录层1的光色敏材料(photochromic material)，在采用例如二芳基乙烯(diarylethene)之一的、顺-1，2-二氰基-1，2-双(2，4，5-三甲基-3-噻吩基)乙烯(cis-1，2-Dicyano-1，2-bis(2，4，5-trimethyl-3-thienyl)ethene)时的情况下，其开环体构成未记录区域24，其闭环体构成记录完成区域23。在这种记录层1中，例如典型而言各折射率为n＝1.55、n1＝1.60。并且，在中间层2采用紫外线固化树脂时，根据其种类而折射率n2不同，但如果采用例如由n2＝1.64的紫外线固化树脂构成的中间层2，则成为n2比n1大的信息记录介质(n＜n1＜n2)、即具有H→L特性的信息记录介质。确认了在该信息记录介质中，记录层的膜厚和记录层1的未记录区域24对λ1(0.66μm)以及λ2(0.78μm)的各反射率之间的关系，分别如图2A以及图2B中由虚线及实线所示那样，表示出正弦波状的周期性的变化。在该反射率的变量中，再生光的最大反射率为r1max＝0.32％，记录光的最大反射率为r2max＝0.32％，再生光的最小反射率为r1min＝0％，记录光的最小反射率为r2min＝0％。并且，如图2A所示，未记录区域24对λ1的反射率表示最大值的记录层1的膜厚，由pλ1/(4n)表示，其中p为任意的正的奇数，此外，未记录区域24对λ2的反射率表示最大值的记录层1的膜厚由pλ2/(4n)表示。此外，相对于记录层的膜厚t，由虚线表示的相对λ1以正弦波状变化的反射率的变量由式R1(t)＝r1max[1-cos(4nπt/λ1)]/2表示，由实线表示的相对λ2以正弦波状变化的反射率的变量由式R2(t)＝r2max[1-cos(4nπt/λ2)]/2表示。另外，如本实施方式所示，对于λ1和λ2，基于波长色散所引起的折射率之差对反射率的影响在大部分情况下较小(例如折射率在有效数字为2～3位时为相同值)，因此在具有上述的折射率的信息记录介质中，可将相对λ1的r1max和相对λ2的r2max看作相同，从而也能简化上式。
如图2B所示，如果由虚线表示的未记录区域中的λ1的反射率相对于记录层膜厚的变量R1(t)和由实线表示的未记录区域中的λ2的反射率相对于记录层膜厚的变量R2(t)处于满足下述式(1)的条件的膜厚t的范围内，则在使用本实施方式的再生光波长以及记录光波长时，记录层的未记录区域对λ2的反射率比记录层的未记录区域对λ1的反射率小。
rlmax[1-cos(4nπt/λ1)]/2＞r2max[1-cos(4nπt/λ2)]/2(1)
式中，λ1为再生光波长，λ2为记录光波长，n为记录层的未记录区域的折射率，t为记录层的膜厚，r1max为记录层的未记录区域对λ1的最大反射率，r2max为记录层的未记录区域对λ2的最大反射率。
具体地说，若将R1(t)和R2(t)的0以上的交点中的膜厚，从较小方依次设为t0、t1、t2、t3、…、ti、…、(i为0以上的任意的整数，0≤ti＜ti+1、…意味着反复)时，则t0＝0μm、t1＝0.12μm、t2＝0.23μm、t3＝0.35μm、t4＝0.46μm、t5＝0.58μm、t6＝0.69μm、t7＝0.81μm、…。因此，由虚线表示的R1(t)比由实线表示的R2(t)大的记录层的膜厚的范围为图2B中由横向方向的箭头表示的T1、T2、T3、…的范围。采用ti表示的各范围为t0＜T1＜t1、t2＜T2＜t3、t4＜T3＜t5、…。即记录层的膜厚的范围为满足下式(2)的Ti+1。
t2i＜Ti+1＜t2i+1  (2)
其中，i为0以上的任意的整数，且0≤ti＜ti+1。
交点的膜厚ti通过求解出上述式(1)中R1(t)＝R2(t)、即r1max[1-cos(4nπt/λ1)]/2＝r2max[1-cos(4nπt/λ2)]/2的式子，能够以数学方式容易求得。此时，如上所述，对于λ1和λ2由波长色散所引起的折射率之差较小时，可近似为r1max＝r2max，因此式(1)被简化为cos(4nπt/λ1)＝cos(4nπt/λ2)。
接下来，对将记录完成区域中的反射光用于聚焦伺服的L→H的信息记录介质的反射率特性进行说明。例如，如果采用由中间层2的折射率n2＝1.46的紫外线固化型树脂构成的中间层，则成为n2比n小的信息记录介质(n2＜n＜n1)、即具有L→H特性的信息记录介质。确认了以下性质，即在该信息记录介质中，记录层的膜厚和各记录层1的未记录区域24相对于λ1(0.66μm)和λ2(0.78μm)的反射率的关系，分别如图3A及图3B由虚线及实线所示，表示出正弦波状的周期性的变化。在该反射率的变量中，再生光的最大反射率为r1max＝0.36％，记录光的最大反射率为r2max＝0.36％，再生光的最小反射率为r1min＝0％，记录光的最小反射率为r2min＝0％。并且，如图3所示，可知具有L→H的特性的信息记录介质的反射率的变量与具有上述的图2的H→L特性的信息记录介质的反射率的变量相比，只有r1max、r2max不同，用于表示反射率的周期、最大值以及最小值的记录层的膜厚相同。因此，图3B中所示的两个反射率的变量的交点中的膜厚ti(i为任意的0以上的整数)的值与图2所示的值相同。其结果，相对λ1的反射率比相对λ2的反射率低的所优选的记录层的膜厚Ti+1(i为任意的0以上的整数)的范围也相同，且t0＝0μm＜T1＜t1＝0.12μm、t2＝0.23μm＜T2＜t3＝0.35μm、t4＝0.46μm＜T3＜t5＝0.58μm、…。根据以上内容，可判明以下性质，即如果记录层的未记录区域的折射率n、再生光波长λ1以及记录光波长λ2相同，则在具有H→L或L→H中的任一个特性的信息记录介质中，所优选的记录层1的膜厚也相同。尤其，如果T2(t2～t3)或T3(t4～t5)即式(2)中的i为1或2的范围的膜厚，则由于再生光和反射光的反射率之差变大，因此优选。
接下来，对记录层1中对记录凹坑5进行记录并进行再生的情况进行说明。确认了以下性质，即在具有H→L(n＜n1＜n2)的特性的信息记录介质中，例如各反射率为n＝1.55、n1＝1.60、n2＝1.64时，未记录区域24以及记录完成区域23相对于λ1的各反射率，如图4A分别由虚线以及实线所示那样，表示出正弦波状的周期性的变化。由于该信息记录介质具有H→L的特性，因此未记录区域24中的最大反射率为r1max＝0.32％，但作为记录凹坑5的记录完成区域23中的最大反射率降低到r1max＝0.06％(最小值均为0％)。并且，如图4A所示，未记录区域24对λ1的反射率表示最大值的记录层1的膜厚由pλ1/(4n)表示，其中p为任意的正的奇数，此外，记录完成区域23对λ1的反射率表示最大值的记录层的膜厚由pλ1/(4n1)表示。因此记录层1的膜厚越厚，各区域中的反射率的最大值的偏差量就越大。
如上所述，记录完成区域23的再生光的反射光7b′成为记录凹坑5的再生信号光。因此，作为优选，在再生时，未记录区域24对λ1的反射光强度和记录完成区域23对λ1的反射光强度之差越大，再生信号的调制率越大。因此，在记录未完成区域23的再生光的反射光强度较小且为固定时，优选来自未记录区域24的再生光的反射光强度较大。通过研究，确认了以下内容，即如果确保该反射率为未记录区域24中的再生光的最大反射率r1max的0.7倍以上的反射率，则不改变现有的光学信息记录再生装置中所使用的光检测器的检测电路的IC的结构，且得到良好的再生信号。
表示该再生光的最大反射率r1max的0.7倍以上的反射率的所优选的记录膜的膜厚，为从较小一方起依次由图4A中横向方向的箭头所示的、Ta、Tb、Tc、…、(…表示反复)的范围。该记录层的膜厚t为满足以下的式(3)的范围。
(p-0.369)λ1/(4n)≤t≤(p+0.369)λ1/(4n)  (3)
式中，λ1为再生光波长，λ2为记录光波长，t为记录层的膜厚，n为记录层的未记录区域的折射率，p为任意的正奇数。
具体的记录层的膜厚，例如为0.07μm≤Ta≤0.15μm、0.28μm≤Tb≤0.36μm、0.49μm≤Tc≤0.57μm、0.71μm≤Td≤0.78μm、…。
综合考虑以上的结果，在具有H→L(n＜n1＜n2)的特性的信息记录介质中，更优选的各记录层1的膜厚的范围为：确保良好的再生信号强度(最大反射率r1max的0.7倍以上)并且未记录区域24相对λ2的反射率比相对λ1的反射率小的范围。即优选同时满足由T1、T2、T3、…表示的范围和由Ta、Tb、Tc、…表示的范围的膜厚的范围。具体来说，同时满足两膜厚的范围的更优选的膜厚为：由图4A的横向方向的箭头所示那样，从较小一方起依次满足例如0.07μm≤Tr1＜0.12μm、0.28μm≤Tr2＜0.35μm、0.49μm≤Tr3≤0.57μm、0.71μm≤Tr4≤0.78μm、…、(…表示反复)的Tr1、Tr2、Tr3、Tr4、…。上述更优选的膜厚的范围，当然根据波长和折射率的组合而不同。
另外，如图4B所示，未记录区域24以及记录完成区域23对λ2的反射率也成为与它们对λ1的反射率相同的正弦波的周期函数(最大反射率值和最小反射率成为与再生光的各反射率相同的值)，表示记录后反射率降低的H→L的动作。未记录区域24对λ2的反射率表示最大值的记录层1的膜厚，由pλ2/(4n)表示，其中p为任意的正的奇数，记录完成区域23对λ2的反射率表示最大值的记录层1的膜厚，由pλ2/(4n1)表示。因此，记录层1的膜厚越厚，各区域中的反射率的最大值的偏差量就越大。
接下来，确认了以下内容，即在具有L→H(n1＞n＞n2)的特性的记录介质中，例如在各折射率为n＝1.55、n1＝1.60、n2＝1.46时，未记录区域24以及记录完成区域23相对于λ1的各反射率，分别由图5A的虚线以及实线所示那样，表示出正弦波状的周期性的变化。由于该信息记录介质具有L→H的特性，因此记录层的未记录区域24中的最大反射率为r1max＝0.36％，但记录凹坑5的记录完成区域23中的最大反射率增加到r1max＝0.83％(最小值都为0％)。并且，如图5A所示，未记录区域24对λ1的反射率表示最大值的记录层1的膜厚由pλ1/(4n)表示，其中p为任意的正的奇数，此外，表示记录完成区域23的反射率为最大值的记录层1的膜厚由pλ1/(4n1)表示。因此记录层1的膜厚越厚，它们的反射率的最大值的偏差量就越大。
具有该L→H的特性的信息记录介质也与具有H→L的信息记录介质同样，在再生时，未记录区域24对λ1的反射光强度与记录完成区域23对λ1的反射光强度之差越大，再生信号的调制率就越大，从而优选。因此，在未记录区域24对λ1的反射光强度较小且为固定时，优选记录区域23对λ1的反射光强度较大。如上所述，确认了以下内容，即如果该反射率确保为最大反射率的0.7倍以上的反射率，则不改变检测电路的IC的结构就可得到良好的再生信号。得到该再生光的最大反射率r1max的0.7倍以上的反射率的所优选的记录膜的膜厚，为从较小一方起依次由图5A中横向方向的箭头所示的Ta、Tb、Tc、…、(…表示反复)的范围。该记录层的膜厚t处于满足以下的式(4)的范围。
(p-0.369)λ1/(4n1)≤t≤(p+0.369)λ1/(4n1)(4)
式中，λ1为再生光波长，λ2为记录光波长，t为记录层的膜厚，n1为记录层的未记录区域的折射率，p为任意的正奇数。
具体的记录层的膜厚，例如为0.07μm≤Ta≤0.14μm、0.27μm≤Tb≤0.35μm、0.48μm≤Tc≤0.55μm、0.68μm≤Td≤0.76μm、…。
综合考虑以上的结果，在具有L→H(n1＞n＞n2)的特性的信息记录介质中，更优选的各记录层1的膜厚的范围为：确保良好的再生信号强度(最大反射率r1max的0.7倍以上)并且未记录区域24对λ2的反射率比对λ1的反射率小的范围。即优选同时满足由T1、T2、T3、…表示的范围和由Ta、Tb、Tc、…表示的范围的膜厚的范围。具体来说，同时满足两膜厚的范围的更优选的膜厚为：如图5A的横向方向的箭头所示那样，从膜厚较小一方起依次满足例如0.07μm≤Tr1＜0.12μm、0.27μm≤Tr2＜0.35μm、0.48μm≤Tr3≤0.55μm、0.68μm≤Tr4≤0.76μm、…、(…表示反复)的Tr1、Tr2、Tr3、Tr4、…。上述更优选的膜厚的范围，当然根据波长和折射率的组合而不同。
并且，在上述各Tr的范围中，从制造的角度来说，具有H→L和L→H中的任一个特性的信息记录介质，记录层的膜厚为例如大致0.6μm以下的较薄的一方容易制造。因此，记录层1的膜厚的范围优选设定为如上述的各结果和图4A和图5A所示的Tr1、Tr2或Tr3的附近。
另外，如图5B所示，未记录区域24以及记录完成区域23对λ2的反射率也成为与它们对λ1的反射率相同的正弦波状的周期函数(最大反射率和最小反射率与再生光波长的各反射率值相同)，表示记录后反射率增加的L→H的动作。未记录区域24对λ2的反射率表示最大值的记录层1的膜厚，由pλ2/(4n)表示，其中p为任意的正的奇数，记录完成区域23对λ2的反射率表示最大值的记录层1的膜厚，由pλ2/(4n1)表示。因此，记录层1的膜厚越厚，各区域中的反射率的最大值的偏差量就越大。
此外，能够理解下述内容：也就是如本实施方式的记录光以及再生光所示那样，在再生光波长λ1满足0.6μm≤λ1≤0.7μm，记录光的波长λ2满足0.73μm≤λ2≤0.83μm的关系的情况下，具有H→L或L→H的特性的信息记录介质中的任一个，也如图2以及图3(λ1＝0.66μm、λ2＝0.78μm)所示那样，尤其在T2(t2～t3)和T3(t4～t5)即式(2)中的i为1或2的范围中，由实线所示的未记录区域24对λ2的反射率与由虚线表示的未记录区域24对λ1的反射率相比大幅度地减小。例如记录层1的膜厚被设定为T2的膜厚的范围内的3λ1/(4n)＝0.32μm时(该膜厚包括在如上所述的更优选的记录层1的膜厚Tr2中)，未记录区域24对λ1的反射率在H→L的信息记录介质中为0.32％，在L→H的信息记录介质中为0.36％。与此相对，在相同的记录层的厚度下，未记录区域24对λ2的反射率在H→L的信息记录介质中为0.18％，在L→H的信息记录介质中为0.20％。由此，即使在任一情况下，也可得到未记录区域24对λ2的反射率比未记录区域24对λ1的反射率明显小的信息记录介质。
因此，根据本发明，当考虑记录层1为例如30层的信息记录介质21时，则在距物镜6最远的最下层的记录层1a中，未记录区域24中的再生光7b的光量在具有H→L特性的信息记录介质中为(1-0.0032)29＝0.91，在具有L→H特性的信息记录介质中为(1-0.0036)29＝0.90，在任一信息记录介质中均大约降低10％。另一方面，最下层的记录层1a中，未记录区域24中的记录光7a的光量在具有H→L特性的信息记录介质中为(1-0.0018)29＝0.95，在具有L→H特性的信息记录介质中为(1-0.0020)29＝0.94，记录光的光量降低5～6％。因此，记录光的光量降低与再生光的光量的降低相比能够减小到一半左右。因此，记录层1的层数越多，本发明的效果就越大。
在通过非线性吸收现象对记录凹坑进行记录的情况下，记录灵敏度相对于光量以乘数方式变化(例如在双光子吸收记录中，记录灵敏度与光量的二次方特性成比例)，尤其在涉及记录时光量的降低成为问题(例如在双光子吸收记录中，记录光的光量变为0.9倍时，记录灵敏度降低为其二次方的0.81倍)。然而，根据本发明，由于将记录光的光量的降低减小，因此可不仅确保聚焦伺服用的反射光，并且在具有多个记录层的信息记录介质中以三维的方式对记录凹坑进行高精度的、良好的记录以及再生。
此外，记录层1的膜厚被设定为T3的区域例如5λ1/(4n)＝0.53μm时(该膜厚，包括在如上所述的更优选的记录层1的膜厚Tr3的范围中)，未记录区域24对λ1的反射率在H→L的信息记录介质中为0.32％，在L→H的信息记录介质中为0.36％。与此相对，在相同记录层的厚度下，未记录区域24对λ2的反射率在H→L的信息记录介质中为0.04％，在L→H的信息记录介质中为0.05％。因此，与具有0.32μm的膜厚的记录层相比，相对记录光的反射率变得更小。如上所述，记录光的光量与再生光的光量相比较大(例如10倍左右)。另一方面，用于通过再生光进行聚焦伺服的充足的反射率为0.1％左右。因此，未记录区域24对λ2的反射率确保为约0.01％以上就足够。在本实施方式中，在T3的范围中，用于相对λ1付与最大反射率的记录层的膜厚中的未记录区域24对λ2的反射率，可比T1或T2中的反射率小。因此，在记录层1的层数较多的信息记录介质中特别优选T3的膜厚的范围。例如在具有50层的记录层1的信息记录介质的情况下，在距物镜6最远的最下层的记录层1a中，未记录区域24中的再生光7b的光量，在H→L的信息记录介质中为(1-0.0032)49＝0.85，在L→H的信息记录介质中为(1-0.0036)49＝0.84，再生光的光量降低15～16％。与此相对，未记录区域24中的记录光7a的光量在H→L特性的信息记录介质中为(1-0.004)49＝0.98，在L→H的信息记录介质中为(1-0.005)49＝0.98，即使第50层的记录层中也可将记录光的光量的降低抑制到2％。因此，记录光的光量的降低与再生光的光量的降低相比，大幅度地下降到1/8左右。因此，如果形成具有T3的范围的膜厚的记录层，则不仅确保记录光中的聚焦伺服用的反射光，并且高精度且良好地进行记录以及再生。
接下来，对本发明的信息记录介质的各构成进行说明。本实施方式的信息记录介质21采用非线性吸收现象之一的双光子、多光子或等离子吸收过程，来形成记录凹坑5。因此，不仅中间层2，而记录层1也相对于λ2和λ1，除上述所述的反射光外几乎不产生损耗，可高效地进行三维的记录凹坑的记录/再生。也就是，通过利用非线性吸收现象，采用大致透明的记录层1，实现较高的光利用效率。其中，例如为了利用双光子吸收过程来进行记录，记录层1采用相对记录光波长为大致透明，但相对于其一半的波长表示吸收的记录材料。
上述信息记录介质中，采用λ2＝0.78μm、脉冲宽度为100飞秒～10纳秒的例如峰值光量较高的数100mW～数W以上的脉冲激光作为记录光的会聚光7a，通过物镜6被聚集到期望的记录层1d。通过该记录光的聚集，例如经由作为非线性吸收现象之一的双光子吸收过程，只在光子密度高的部分(聚光点及其附近)产生使波长变为一半(0.39μm)的吸收，从而对记录凹坑5进行写入。在本实施方式1中，对记录凹坑5按照使记录层1的光学常数中的折射率变化的方式进行记录，但光学常数也可为其他特性。其中，利用记录层1的折射率的变化的方案要比利用吸收变化的方案光损耗小，因此在具有多层结构的记录部3的信息记录介质中，是优选的方案。此外，即使利用三光子吸收那样的多光子吸收，也可成为适于具有多层结构的记录部3的信息记录介质的记录。例如在三光子吸收记录中，采用相对记录光波长为大致透明，但相对其1/3波长表示吸收的记录材料。此外，在利用双光子吸收过程等的非线性吸收现象来对记录凹坑进行记录时，记录凹坑5与通常的记录的情况相比变小(例如在双光子吸收中记录凹坑5的直径与通过一光子吸收所记录的情况相比成为0.71倍)。因此，如果使用比记录光波长短的再生光波长(双光子吸收中具有记录光波长的约0.7倍的波长的再生光波长)，则记录时和再生时实质的光斑(spot)径接近得大致相同，可实现记录以及再生的最优化或者高密度化。
在本实施方式1中，各记录层1分别具有信息道引导槽(track guidegroove，图1中未图示)。信息道间距Tp为例如0.59μm，槽深为例如0.49μm。通过由光检测器(未图示)检测出来自该槽的±1级次衍射光而得到跟踪(tracking)误差信号，从而准确地沿轨道上进行记录再生。
作为在基板9上包含的树脂，除聚碳酸酯外，采用PMMA、降冰片烯(norbornene)树脂(例如“Atron”(JSR株式会社制))、或者环烯树脂(例如“Zeonex”(日本瑞翁株式会社(Zeon Corporation)制))等。
记录层1，作为记录材料，将例如作为光色敏材料之一的二芳基乙烯或其衍生物、根据需要和整体10～50wt％约透明的树脂混入而形成。通过采用光色敏材料，能实现以光子模式可记录的一次写入和可记录删除的可重写记录。由于其中二芳基乙烯或其衍生物可进行热稳定的记录，从而优选。
二芳基乙烯中有各种衍生物，具体地说，可举出1，2-Bis[2-methylbenzo[b]thiophen-3-yl]-3，3，4，4，5，5-hexafluoro-1-cyclopentene、2，3-Bis(2，4，5-trimethyl-3-thienyl)maleic Anhydride、2，3-Bis(2，4，5-trimethyl-3-thienyl)maleimide、cis-1，2-Dicyano-1，2-bis(2，4，5-trimethyl-3-thienyl)ethene等，但本发明并不限于上述材料，如果为具有二芳基乙烯的骨架结构的材料，就没有特别限定。
此外，通过二芳基乙烯或其衍生物和例如PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)或紫外线固化树脂等的大致透明的树脂的混合，可得到防止二芳基乙烯的再结晶化的防止效果。其中，如果为没有再结晶化的情况，则透明树脂不特别需要，也可采用100％的二芳基乙烯或其衍生物。
还有，本发明的记录层也可含有例如以在记录光的二光子吸收过程中使光色敏材料感光的波长进行高效率的发光的荧光材料。如果记录层含有这种荧光材料，则实现记录材料的灵敏度提高，从而优选。即光色敏材料一般在二光子吸收过程中的记录灵敏度低，但荧光材料在二光子吸收过程中的记录灵敏度高。因此，通过该二光子荧光，使一般一光子吸收的灵敏度良好的光色敏材料在一光子吸收过程中被感光。
作为上述的荧光材料，具体来说，可举出例如带铕活焦磷酸锶/镁[(Sr，Mg)2P2O7:Eu]那样的无机荧光材料或对三联苯(p-Terphenyl)那样的有机荧光色素等。
本发明的记录层中采用的其他记录材料，优选侧链型液晶性高分子或光聚合物等的能以光子模式进行记录的材料。由侧链型液晶性高分子构成的记录层，具有记录后的记录凹坑的折射率变化(例如Δn＝0.2)较大的特征，此外在偏振光方向也被记录，因此与通常记录相比，可将记录容量增加到大致2倍。此外，光聚合物适用于一次写入记录，并且在记录后为稳定的材料，从而优选。
作为用于上述以外的记录层中的记录材料，也优选：有机色素、混入有ZnO等的超微粒子的树脂膜、TeO2膜等。通过利用这些记录材料的折射率变化，减少光的吸收损耗，从而优选。在本发明中，折射率的变化量也可通过记录光的照射方法来控制。并且，采用数W～数10kW的峰值功率较高的脉冲光作为记录光，也可对称作空隙(void))的空的凹坑进行记录。在凹坑为空隙时，由于折射率为1，因此在记录层的折射率为例如1.7时，折射率变化量为Δn＝-0.7，绝对值变大。因此，将对比度良好的信号再生。此外，由于相变化材料利用光的吸收来进行记录，因此不适于层数多的记录，但可使用作为2～6层左右的多层光盘用的记录层的记录材料。
作为形成在记录层1之间的中间层2，为了在与记录层1之间的界面得到规定的反射率，采用与记录层1所使用的树脂相同或不同的树脂。作为这种树脂，例如采用紫外线(UV)固化树脂、热固化树脂、PMMA、降冰片烯树脂或环烯树脂等的透明树脂。
另外，在本实施方式中，按照来自物镜6的会聚光7a不通过已被记录的记录凹坑的顺序，在记录层1中依次对记录凹坑5进行三维的记录。通过以这种顺序对记录凹坑5进行记录，例如在目标层1d中，能够得到减小由透过目标层1d的上层的记录层1e以及1f的记录完成的记录凹坑5所产生的散射光、不需要的衍射光等的杂散光(干扰光)的影响的效果(SN比提高)。具体地说，如果对例如记录层1中的从距物镜6最远的位置(在图1中为记录层1a)起依次对记录凹坑5进行记录，则不通过已记录完成的记录凹坑，而对其他记录凹坑5进行记录。在图1的结构中，只要按照依次1a列、1b列、1c列的方式，沿Z轴方向进行三维的记录即可。
作为本实施方式的信息记录介质21的制造方法，可采用以往公知的制法。具体来说，如图6所示，在基板9通过旋涂等的涂敷来形成记录层1a(图6B)，在其上通过例如涂敷来形成中间层2a(图6C)。并且在该中间层2a上同样地反复形成记录层1b、中间层2b、记录层1c、…。最后通过例如涂敷或膜形成法在光的入射侧形成保护膜4(图6D)。通过涂敷法来形成记录层1和中间层2，从而可使信息记录介质的制作容易且低成本化。
在本实施方式中，也可过剩地形成中间层2以及记录层1。并且，也可将过剩地形成的中间层2以及记录层1的部分(即记录部的一部分且为入射光侧的部分)用作保护层4。根据该记录部的结构，不需要采用其他工序形成保护层4，而形成由与记录部3实质上相同材料构成的保护层。
接下来，对用于在本实施方式的信息记录介质中对记录凹坑进行记录及/或再生的光学信息记录再生装置进行说明。如图7所示，本实施方式的光学信息记录再生装置70，具有记录用光源20a和再生用光源20b的各自波长不同的两种的光源。并且，在从光源20a、20b到信息记录介质21为止的光路中，配置有分束器18a、准直透镜16、分束器18b、立起镜12、波片(wave plate)10、球面象差补正元件13以及物镜6。
在返回路径中的从分束器18b到光检测器19为止的光路中，配置有聚焦/跟踪误差信号检测元件15、检测透镜11以及用于减小信息记录介质21的层间干扰的针孔14。
记录用光源20a是射出脉冲宽度为例如100飞秒到10纳秒且波长λ2为0.78μm的记录光的半导体脉冲激光光源。再生用光源20b是射出例如波长λ1为0.66μm的再生光的半导体激光光源。通过使用射出波长比记录用光源20a的波长短的再生用光源，在例如双光子吸收记录或多光子吸收记录、等离子吸收记录等的非线性记录中，使记录密度更高密度化。另外，使用两光源阵列化的光源也可。
如图7所示，波片10被配置在物镜6和光源20为止的记录再生光的共同光路中。该波片10利用两波长的不同，按照相对记录光22a实质上为λ/4板或接近λ/4板的方式进行设计，并且按照相对再生光22b实质上为λ/2板或λ板，或者接近于λ/2板或λ板的方式进行设计。此外，分束器18a也利用两波长的不同而使记录光22a透过，再生光22b反射，并且分束器18b也利用波长的不同，按照相对记录光22a作为偏振光分束器发挥功能而相对再生光22b作为几乎不依赖于偏振光方向的半透明镜的功能进行设计。
如图7所示，本实施方式的光学信息记录再生装置70，在记录时，从记录用光源20a沿Y轴方向所射出的直线偏振光且峰值功率较大的脉冲激光的记录光22a，首先通过分束器18a。之后，记录光22a通过准直透镜16成为大致平行光，通过作为光束分路元件的分束器18b之后，经由立起镜12将光路沿-Z轴方向弯曲。之后，沿-Z轴方向弯曲的记录光22a(激光8)由波片10实质上变换为圆偏振光，并通过球面象差补正元件13后，经由例如数值孔径NA＝0.85、焦距2mm的物镜6，通过具有之前所说明的结构的信息记录介质21的保护层4后被聚集在记录部3的期望的记录层1b上(会聚光7a)。于是，不仅利用该反射光7a′进行聚焦伺服以及跟踪伺服，并且采用例如双光子或多光子吸收过程等的非线性现象，在记录层1上对记录凹坑5的列进行记录。在本实施方式中，使用相对记录光波长的未记录区域的反射率比相对再生光波长的未记录区域的反射率小的信息记录介质，因此在记录层的最下层(图7中为记录层1a)中，将记录功率的降低减少后对记录凹坑5也进行高精度的记录。
此时，由于会聚光7a通过的记录部3的厚度随记录深度而不同，因此如果从光源20到物镜6为止的光路中所设置的球面象差补正元件13中，按照记录部3中的被记录的信息凹坑5的记录深度，由球面象差补正元件13控制球面象差量的同时，进行记录，则可高精度地形成良好的记录凹坑5。球面象差补正元件13，采用折射率分布可变的液晶元件，或通过组合凹透镜和凸透镜且由执行元件(actuator)可使两透镜的光轴方向的间隔可变的扩束器等。
在再生时，从再生用光源20b所射出的直线偏振光的激光即再生光22b，经由分束器18a沿Y轴方向弯曲，同样通过准直透镜16成为大致平行光，透过分束器18b后由立起镜12将光路沿-Z轴方向弯曲。之后，沿-Z轴方向被弯曲的再生光22b(激光8)通过波片10、球面象差补正元件13后，在直线偏振光的状态下，经由物镜6被聚集在信息记录介质21的记录部3的记录层1的记录凹坑5(会聚光7b)。于是，由记录凹坑5反射的激光7b′沿反方向折回，依次通过物镜6、球面象差补正元件13、波片10、立起镜12后，经由分束器18b将光轴沿Z轴方向弯曲，并通过衍射型聚焦/跟踪误差信号检测元件15被分路为多束光，且通过检测透镜11成为检测会聚光17、17′。成为再生信号光的检测会聚光17通过针孔14后由光检查器19a检测出信号。被分路的成为聚焦/跟踪误差信号的检测会聚光17′不通过针孔，而由其他光检测器19b检测。通过成为聚焦/跟踪误差信号的检测会聚光17′不通过针孔的结构，采用例如象散象差法(astimatism method)、SSD法(光斑尺寸检测法)、三光束跟踪法等的现有方法，分别检测出聚焦和跟踪误差信号。即不仅利用反射光7a′、7b′进行聚焦伺服以及跟踪伺服，并且通过利用记录层的光学常数来对记录凹坑进行记录/再生。
检测透镜11的焦距例如为33mm，光检测器19侧的艾里斑(airy disk)径为例如9.6μm。针孔14被设置在检测会聚光17的大致焦点的位置，但通过设置针孔14，而使来自其他的记录凹坑的不需要的反射光即干扰光(层间干扰)分布在针孔14的外部，该其他的记录凹坑是在期望的记录层1b的光轴方向的上下的记录层1a、1c、1d中的由物镜6的会聚光7所照射的凹坑。由于上述光没有进入针孔14内，因此使层间干扰减少。此外，通过光检测部的受光部具有针孔直径的大小的光检测器19a代替针孔14，来对检测会聚光17进行检测，也能得到同样的效果。
在本实施方式中，如果针孔14的大小在再生信号光的检测会聚光17的艾里斑径的5倍以下，则即使记录层1的层间隔Δd为5～8μm，在没有问题的程度(层间干扰量≤30dB)内提高再生信号的品质。其中，缩小针孔14的大小，可使记录层1的间隔(中间层2的膜厚)更小，但如果过小，则或使进入到针孔14的光量减少，随着环境温度而光学系统变形，有时检测会聚光17具有从针孔14的中心偏离的倾向。此外，在光量降低时，通过使用APD(雪崩光电二极管)可增强信号强度。因此，在本发明的三维多层记录再生装置中，在由材料的限制而使检测光量降低过多时，利用APD是有效的。
此外，上述方式的光学信息记录再生装置，进一步在记录时，与记录光22a一起也射出再生光22b，并通过上述再生光7b进行聚焦伺服也可。也就是，在记录时射出再生光，不仅将会聚光7b聚集在期望的记录层1b上并利用其反射光7b′来进行聚集伺服，并且也能将会聚光7a聚集在期望的记录层1b上来对记录凹坑5进行记录。如上所述，如果记录层的膜厚为表示相对记录光波长较低的反射率的范围，则在最下层的记录层中也能抑制记录光的功率的降低，但存在利用记录光的聚焦伺服变得困难的倾向。因此在记录时，如果利用再生光进行聚焦伺服，则不仅确保聚焦伺服用的反射光，并在最下层的记录层1a中对记录凹坑5进行更高精度的记录。尤其，在利用非线性吸收现象时，例如利用双光子吸收过程时，记录灵敏度具有光量的二次方的特性。因此，如果通过再生光进行聚焦伺服，则可抑制聚集伺服所引起的记录光的衰减，因此其效果较大。在这种记录时通过再生光进行聚焦伺服的光学信息记录再生装置中所采用的信息记录介质21，尤其优选具有使未记录区域对λ2的反射率例如减少为0.01％以下的记录层的膜厚(即仅通过记录光难以进行聚焦伺服的膜厚)。如果考虑未记录区域对λ2的反射率的变量，则这种记录层的膜厚由满足下式(5)的范围表示。
(q-0.104)λ2/(4n)≤t≤(q+0.104)λ2/(4n)  (5)
其中，λ2为记录光波长，n为记录层的未记录区域的折射率，q为任意的正偶数。
例如，在本实施方式中使用的再生光波长λ1为0.6μm≤λ1≤0.7μm而记录光波长λ2为0.73μm≤λ2≤0.83μm的范围时，设定为满足q＝4即以下的式(6)的范围的膜厚t。
3.90λ2/(4n)≤t≤4.10λ2/(4n)    (6)
在具有上述所说明的折射率n的记录层时，在具有H→L和L→H的任一个特性的信息记录介质中，满足式(6)的记录层的膜厚的范围处于0.49μm≤t≤0.52μm。该膜厚t的范围，也包括在上述的图4A以及图5A所图示的更优选的膜厚Tr3的范围内，该更优选的膜厚Tr3的范围内能够确保未记录区域对上述λ1的反射率，并且确保良好的再生信号强度(最大反射率r1max的0.7倍以上)。因此，记录时，由再生光进行聚焦伺服也可抑制记录光的光路的降低，因此即使下层的记录层中不调整光源的峰值功率也可对记录凹坑进行高精度的记录。并且，在再生时，由于使再生光的反射率比记录光的反射率大，因此由再生光进行聚焦伺服。另外，在再生时，当下层的记录层中光量不足时，再生用光源与记录用光源相比为低功率，由此通过调整能够容易地提高光量，从而随着作为目标的记录层远离物镜，如果为了得到期望的反射光强度根据需要进行功率调整，则也能改善光量的不足。此外，根据图4以及图5的对比可理解，具有H→L特性的信息记录介质的记录后的反射率比具有L→H特性的信息记录介质的记录后的反射率低，由此在记录前后可得到较大的反射率的差，其结果可增大调制率，从而优选。
(实施方式2)
接下来，对本发明的实施方式2的信息记录介质进行说明。实施方式2，使用比记录光波长λ2短的再生光波长λ1这点与实施方式1相同，但利用再生光波长满足0.35μm≤λ1≤0.45μm且记录光波长满足0.6μm≤λ2≤0.7μm的记录光以及再生光这点不同。作为具有这种波长的光源，具体地说，可举出λ1＝0.405μm的半导体激光器以及λ2＝0.66μm的半导体激光器。
从图8～图11为详细地说明本实施方式2的信息记录介质的图。图8A及图8B表示本发明的实施方式2的信息记录介质的记录层的膜厚、和再生光以及记录光在记录层的未记录区域中的反射率之间的关系的一例。图9A及图9B表示本发明的实施方式2的信息记录介质的记录层的膜厚、和再生光以及记录光在记录层的未记录区域中的反射率之间的关系的另一例。图10A表示图8A的信息记录介质的记录层的膜厚、和再生光在记录层的未记录区域以及在记录完成区域中的反射率之间的关系，图10B表示图8A的信息记录介质的记录层的膜厚、和记录光在记录层的未记录区域以及在记录完成区域中的反射率之间的关系。图11A表示图9A的信息记录介质的记录层的膜厚、和再生光在记录层的未记录区域以及在记录完成区域中的反射率之间的关系，图11B表示图9A的信息记录介质的记录层的膜厚、和记录光在记录层的未记录区域以及在记录完成区域中的反射率之间的关系。
首先，与实施方式1的信息记录介质相同，在具有H→L(n＜n1＜n2)的特性的信息记录介质中，确认了例如当各折射率为n＝1.55、n1＝1.60，n2＝1.64时，如图8A以及图8B中由虚线以及实线所示，记录层的膜厚和未记录区域24相对于λ1(0.405μm)和λ2(0.66μm)的反射率之间的关系表示出正弦波状的周期性的变化。该反射率的变量与实施方式1相同，由R1(t)＝r1max[1-cos(4nπt/λ1)]/2、R2(t)＝r2max[1-cos(4nπt/λ2)]/2来表示。并且，最大反射率r1max＝r2max＝0.32％，最小反射率r1min＝r2min＝0％。
接下来，在具有L→H(n1＞n＞n2)的特性的信息记录介质中，确认了例如当各折射率为n＝1.55、n1＝1.60，n2＝1.46时，如图9A以及图9B中由虚线以及实线所示，各反射率表示与实施方式1相同的正弦波状的周期性的变化。即分别由R1(t)＝r1max[1-cos(4nπt/λ1)]/2、R2(t)＝r2max[1-cos(4nπt/λ2)]/2来表示。这里，最大反射率r1max＝r2max＝0.36％，最小反射率r1min＝r2min＝0％。
因此，如图8B以及图9B所示，如果处于由虚线表示的记录层的未记录区域中的λ1的反射率相对于记录层的膜厚的变量R1(t)、比由实线表示的记录层的未记录区域中的λ2的反射率相对于记录层的膜厚的变量R2(t)大的膜厚的范围，则在使用本实施方式的再生光波长及记录光波长时，对λ2的未记录区域的反射率比对λ1的未记录区域的反射率小。也就是，与实施方式1相同，如果为满足式(1)的记录层的膜厚，则不仅能确保聚焦伺服用的反射光，并且能高精度地进行良好的记录再生。
两反射率曲线的交点中的膜厚ti，在任一种情况下均相同，从较小方开始依次为t0＝0μm、t1＝0.08μm、t2＝0.16μm、t3＝0.24μm、t4＝0.32μm、t5＝0.34μm、t6＝0.40μm、t7＝0.48μm、t8＝0.57μm、t9＝0.67μm…。因此，由虚线表示的相对λ1的反射率曲线比由实线表示的相对λ2的反射率曲线大的记录层的膜厚的范围，分别为图8B和图9B中由横向方向的箭头表示的T1、T2、T3、…的范围。采用ti表示的各范围，与实施方式1中的式(2)的条件相同，为t0＜T1＜t1、t2＜T2＜t3、t4＜T3＜t5、t6＜T4＜t7、…。
对于在记录层1中对记录凹坑5进行记录并再生的情况按照与实施方式1的情况同样的方式进行说明。即在具有H→L(n＜n1＜n2)的特性的信息记录介质中，确认了例如当各反射率为n＝1.55、n1＝1.60、n2＝1.64时，未记录区域24以及记录完成区域23对λ1的各反射率，分别如图10A由虚线以及实线所示那样，表示出正弦波状的周期性的变化。由于该信息记录介质具有H→L的特性，因此未记录区域24中的最大反射率为r1max＝0.32％，但作为记录凹坑5的记录完成区域23中的最大反射率降低到r1max＝0.06％(最小反射率均为0％)。并且，如图10A所示，未记录区域24对λ1的反射率表示最大值的记录层1的膜厚由pλ1/(4n)表示，其中p为任意的正的奇数，此外，记录完成区域23对λ1的反射率表示最大值的记录层的膜4厚由pλ1/(4n1)表示。
因此，在本发明的实施方式中，与实施方式1相同，得到未记录区域24中的再生光的反射率为最大反射率的0.7倍以上的所优选的记录膜的膜厚，处于满足式(3)的范围。
(p-0.369)λ1/(4n)≤t≤(p+0.369)λ1/(4n)    (3)
具体的记录层的膜厚，例如在图10A中由横向方向的箭头所示的Ta、Tb、Tc、…、(…表示反复)的范围，且为0.04μm≤Ta≤0.09μm、0.17μm≤Tb≤0.22μm、0.30μm≤Tc≤0.35μm、0.43μm≤Td≤0.48μm、0.56μm≤Te≤0.61μm、…。
综合考虑以上的结果，在本实施方式的具有H→L(n＜n1＜n2)的特性的信息记录介质中，更优选的记录层1的膜厚的范围与实施方式1相同，为同时满足由未记录区域24相对λ2的反射率比相对λ1的反射率小的T1、T2、T3、…表示的范围和由能够确保良好的再生信号强度(最大值的0.7倍以上)的Ta、Tb、Tc、…表示的范围的膜厚的范围。即具体地说，同时满足两膜厚的范围的更优选的膜厚为：由图10A的横向方向的箭头所示的、从较小一方开始依次满足例如0.04μm≤Tr1＜0.08μm、0.17μm≤Tr2≤0.22μm、0.32μm＜Tr3＜0.34μm、0.43μm≤Tr4＜0.48μm、0.57μm＜Tr5≤0.61μm、…、(…表示反复)的Tr1、Tr2、Tr3、Tr4、Tr5、…。
接下来，在具有L→H(n1＞n＞n2)的特性记录介质中，确认了例如当各折射率为n＝1.55、n1＝1.60、n2＝1.46时，未记录区域24以及记录完成区域23相对于λ1的反射率，如图11A中分别由虚线以及实线所示那样，表示出正弦波状的周期性的变化。由于该信息记录介质具有L→H的特性，因此未记录区域24中的最大反射率为r1max＝0.36％，但记录凹坑5的记录完成区域23中的最大反射率增加到r1max＝0.83％(最小值均为0％)。并且，如图11A所示，未记录区域24对λ1的反射率表示最大值的记录层1的膜厚由pλ1/(4n)表示，其中p为任意的正的奇数，此外，记录完成区域23对λ1的反射率表示最大值的记录层1的膜厚由pλ1/(4n1)表示。
因此，在本发明的实施方式中，与实施方式1相同，得到记录完成区域23中的再生光的反射率为最大反射率的0.7倍以上的所优选的记录膜的膜厚，处于满足式(4)的范围。
(p-0.369)λ1/(4n1)≤t≤(p+0.369)λ1/(4nl)(4)
具体的记录层的膜厚，例如处于图11A中由横向方向的箭头所示的Ta、Tb、Tc、…、(…表示反复)的范围，且为0.04μm≤Ta≤0.09μm、0.17μm≤Tb≤0.21μm、0.29μm≤Tc≤0.34μm、0.42μm≤Td≤0.47μm、0.55μm≤Te≤0.59μm、…。
综合考虑以上的结果，在具有L→H(n1＞n＞n2)的特性的信息记录介质中，更优选的各记录层1的膜厚的范围为：确保良好的再生信号强度(最大反射率r1max的0.7倍以上)并且未记录区域24相对λ2的反射率比相对λ1的反射率小的范围。即优选同时满足由T1、T2、T3、…表示的范围和由Ta、Tb、Tc、…表示的范围的膜厚的范围。具体来说，同时满足两膜厚的范围的更优选的膜厚为：由图11A的横向方向的箭头所示的从膜厚较小一方开始依次满足例如0.04μm≤Tr1＜0.08μm、0.17μm≤Tr2≤0.21μm、0.32μm＜Tr3＜0.34μm、0.42μm≤Tr4≤0.47μm、0.57μm＜Tr5≤0.59μm、…、(…表示反复)的Tr1、Tr2、Tr3、Tr4、Tr5、…。
另外，在本实施方式的记录光波长以及再生光的范围内也好，当然根据波长和折射率的组合而更优选膜厚的范围也不同。
此外，在上述各Tr的范围中，从制造的角度来说，具有H→L和L→H中的任一个特性的信息记录介质，记录层的膜厚为例如0.6μm以下程度的较薄一方也容易制造。因此，记录层1的膜厚的范围优选设定为如上述的各结果和图10A和图11A所示的Tr1、Tr2、Tr3、Tr4或Tr5的附近。
此外，能够理解下述内容：如本实施方式的记录光以及再生光那样，在再生光波长λ1满足0.35μm≤λ1≤0.45μm，记录光的波长λ2满足0.6μm≤λ2≤0.7μm的关系的情况下，具有H→L或L→H的特性的信息记录介质中的任一个也如图8以及图9(λ1＝0.405μm、λ2＝0.66μm)所示，尤其在T2(t2～t3)和T4(t6～t7)即式(2)中的i为1或3的范围中，由实线所示的未记录区域24对λ2的反射率与由虚线表示的未记录区域24对λ1的反射率相比大幅度地减小。例如在记录层1的膜厚被设定为T2的区域的3λ1/(4n)＝0.20μm时(该膜厚包括在如上所述的更优选的记录层1的膜厚Tr2中)，未记录区域24对λ1的反射率在H→L的信息记录介质中为0.32％，在L→H的信息记录介质中为0.36％。与此相对，未记录区域24对λ2的反射率在任一情况下都大致相同且为0.02％。由此，即使在任一情况下，也可得到未记录区域24对λ2的反射率比未记录区域24对λ1的反射率明显小的信息记录介质。
此外，在记录层1的膜厚被设定为T4的范围内例如7λ1/(4n)＝0.46μm时(该膜厚包括在如上所述的更优选的记录层1的膜厚Tr4的范围中)，未记录区域24相对λ1的反射率在H→L的信息记录介质中为0.32％，在L→H的信息记录介质中为0.36％。与此相对，未记录区域24相对λ2的反射率在H→L的信息记录介质中为0.06％，在L→H的信息记录介质中为0.07％。因此，能够得到与再生光的光量降低相比可大幅度地抑制记录光的光量降低的信息记录介质。另外，更优选的膜厚的范围，当然根据波长和折射率的组合而不同。
本实施方式的信息记录介质的制造方法和光学信息记录再生装置使用与实施方式1中所说明的构成相同的方法和装置。
还有，在本实施方式中，与实施方式1相同，在记录时，射出记录光和再生光双方，将再生光聚集在期望的记录层后利用其反射光来进行聚焦伺服也可。此时，使相对λ2的反射率例如减小到0.01％以下的膜厚，与实施方式1相同，为满足式(5)的范围。
(q-0.104)λ2/(4n)≤t≤(q+0.104)λ2/(4n)  (5)
因此，在使用再生光波长满足0.35μm≤λ1≤0.45μm且记录光波长满足0.6μm≤λ2≤0.7μm的记录光以及再生光的情况下，优选具有满足q＝2即以下的式(7)的范围的膜厚t。
1.90λ2/(4n)≤t≤2.10λ2/(4n)  (7)
例如在上述所说明的具有折射率n的记录层的情况下，在具有H→L、L→H中的任一个特性的信息记录介质中，满足式(7)的记录层的膜厚的范围为0.20μm≤t≤0.22μm。该膜厚的范围包括在上述的图10A以及图11A所示的更优选的膜厚Tr2的范围内。
或者，在本实施方式的情况下，优选具有满足q＝4即以下的式(8)的范围的膜厚t的记录层。
3.90λ2/(4n)≤t≤4.10λ2/(4n)    (8)
此时，采用上述记录层的折射率且满足式(8)的膜厚的范围为0.41μm≤t≤0.44μm。该膜厚的范围中与图10A或图11A所示的更优选的膜厚Tr3的范围共同的范围，在H→L的信息记录介质中为0.43μm≤t≤0.44μm，在L→H的信息记录介质中为0.42μm≤t≤0.44μm。
(实施方式3)
接下来，对本发明的实施方式3的信息记录介质进行说明。实施方式3，使用比记录光波长λ2短的再生光波长λ1这点与实施方式1相同，但利用再生光波长满足0.48μm≤λ1≤0.58μm，记录光波长满足0.6μm≤λ2≤0.7μm的记录光以及再生光这点不同。作为具有这种波长的光源，具体地说，可举出λ1＝0.532μm的Nd:YAG-SHG激光器以及λ2＝0.66μm的半导体激光器。
从图12～图15为详细地说明本实施方式3的信息记录介质的图。图12A及图12B表示本发明的实施方式3的信息记录介质的记录层的膜厚、和再生光以及记录光在记录层的未记录区域中的反射率之间的关系的一例。图13A及图13B表示本发明的实施方式3的信息记录介质的记录层的膜厚、和再生光以及记录光在记录层的未记录区域中的反射率之间的关系的另一例。图14A表示图12A的信息记录介质的记录层的膜厚、和再生光在记录层的未记录区域以及在记录完成区域中的反射率之间的关系，图14B表示图12A的信息记录介质的记录层的膜厚、和记录光在记录层的未记录区域以及在记录完成区域中的反射率之间的关系。图15A表示图13A的信息记录介质的记录层的膜厚、和再生光在记录层的未记录区域以及在记录完成区域中的反射率之间的关系，图15B表示图13A的信息记录介质的记录层的膜厚、和记录光在记录层的未记录区域以及在记录完成区域中的反射率之间的关系的图。
首先，与实施方式1的信息记录介质同样，在具有H→L(n＜n1＜n2)的特性的信息记录介质中，确认了例如当各折射率为n＝1.55、n1＝1.60，n2＝1.64时，如图12A以及图12B中由虚线以及实线所示那样，未记录区域24相对λ1(0.532μm)和λ2(0.66μm)的反射率表示出正弦波状的周期性的变化。该反射率的变量与实施方式1相同，由R1(t)＝r1max[1-cos(4nπt/λ1)]/2、R2(t)＝r2max[1-cos(4nπt/λ2)]/2来表示。并且，最大反射率r1max＝r2max＝0.32％，最小反射率r1min＝r2min＝0％。
接下来，在具有L→H(n1＞n＞n2)的特性的信息记录介质中，确认了例如当各折射率为n＝1.55、n1＝1.60，n2＝1.46时，如图13A以及图13B中虚线以及实线所示那样，各反射率表示出相同的正弦波状的周期性的变化。即分别由R1(t)＝r1max[1-cos(4nπt/λ1)]/2、R2(t)＝r2max[1-cos(4nπt/λ2)]/2来表示。这里，最大反射率r1max＝r2max＝0.36％，最小反射率r1min＝r2min＝0％。
因此，如图12B以及图13B所示，如果处于由虚线表示的记录层的未记录区域中的λ1的反射率相对于记录层的膜厚的变量R1(t)、比由实线表示的记录层的未记录区域中的λ2的反射率相对于记录层的膜厚的变量R2(t)大的膜厚的范围，则在使用本实施方式的再生光波长及记录光波长时，未记录区域相对λ2的反射率比未记录区域相对λ1的反射率小。即与实施方式1相同，如果为满足式(1)的记录层的膜厚，则不仅能确保聚焦伺服用的反射光，并且能高精度地进行良好的记录再生。
两反射率曲线的交点中的膜厚ti，在任一情况下都相同，从较小方开始依次为t0＝0μm、t1＝0.10μm、t2＝0.19μm、t3＝0.29μm、t4＝0.38μm、t5＝0.48μm、t6＝0.57μm、t7＝0.67μm、t8＝0.76μm、t9＝0.88μm…。因此，由虚线表示的相对λ1的反射率曲线比由实线表示的相对λ2的反射率曲线大的记录层的膜厚的范围，分别为图12B和图13B中由横向方向的箭头表示的T1、T2、T3、…的范围。采用ti表示的各范围，与实施方式1中的式(2)的条件相同，为t0＜T1＜t1、t2＜T2＜t3、t4＜T3＜t5、t6＜T4＜t7、…。
对于在记录层1中对记录凹坑5进行记录并再生的情况按照与实施方式1的情况同样的方式进行说明。即在具有H→L(n＜n1＜n2)的特性的信息记录介质中，确认了例如当各反射率为n＝1.55、n1＝1.60、n2＝1.64时，未记录区域24以及记录完成区域23相对于λ1的各反射率，分别如图14A中由虚线以及实线所示那样，表示出正弦波状的周期性的变化。由于该信息记录介质具有H→L的特性，因此未记录区域24中的最大反射率为r1max＝0.32％，但作为记录凹坑5的记录完成区域23中的最大反射率降低到r1max＝0.06％(最小值都为0％)。并且，如图14A所示，未记录区域24对λ1的反射率表示最大值的记录层1的膜厚由pλ1/(4n)表示，其中p为任意的正的奇数，此外，记录完成区域23对λ1的反射率表示最大值的记录层的膜厚由pλ1/(4n1)表示。
因此，在本发明的实施方式中，与实施方式1相同，得到未记录区域24中的再生光的反射率为最大反射率的0.7倍以上的所优选的记录膜的膜厚，处于满足式(3)的范围。
(p-0.369)λ1/(4n)≤t≤(p+0.369)λ1/(4n)  (3)
具体的记录层的膜厚，例如处于图14A中横向方向的箭头所示的Ta、Tb、Tc、…、(…表示反复)的范围，且为0.05μm≤Ta≤0.12μm、0.23μm≤Tb≤0.29μm、0.40μm≤Tc≤0.46μm、0.57μm≤Td≤0.63μm、0.74μm≤Te≤0.80μm、…。
综合考虑以上的结果，在本实施方式的具有H→L(n＜n1＜n2)的特性的信息记录介质中，更优选的各记录层1的膜厚的范围与实施方式1相同，为同时满足由未记录区域24相对λ2的反射率比相对λ1的反射率小的T1、T2、T3、…表示的范围和由能够确保良好的再生信号强度(最大值的0.7倍以上)的Ta、Tb、Tc、…表示的范围的膜厚的范围。即具体地说，同时满足两膜厚的范围的更优选的膜厚为：由图14A的横向方向的箭头所示的从较小一方开始依次满足例如0.05μm≤Tr1＜0.10μm、0.23μm≤Tr2＜0.29μm、0.40μm≤Tr3≤0.46μm、0.57μm＜Tr4≤0.63μm、0.76μm＜Tr5≤0.80μm、…、(…表示反复)的Tr1、Tr2、Tr3、Tr4、Tr5、…。
接下来，在具有L→H(n1＞n＞n2)的特性记录介质中，确认了例如当各折射率为n＝1.55、n1＝1.60、n2＝1.46时，各反射率如图15A中分别由虚线以及实线所示那样，表示出正弦波状的周期性的变化。由于该信息记录介质具有L→H的特性，因此未记录区域24中的最大反射率为r1max＝0.36％，但作为记录凹坑5的记录完成区域23中的最大反射率增加到r1max＝0.83％(最小值都为0％)。并且，如图15A所示，未记录区域24对λ1的反射率表示最大值的记录层1的膜厚由pλ1/(4n)表示，其中p为任意的正的奇数，此外，记录完成区域23对λ1的反射率表示最大值的记录层的膜厚由pλ1/(4n1)表示。
因此，在本发明的实施方式中，与实施方式1相同，得到记录完成区域23中的再生光的反射率为最大反射率的0.7倍以上的所优选的记录膜的膜厚，为满足式(4)的范围。
(p-0.369)λ1/(4n1)≤t≤(p+0.369)λ1/(4n1)  (4)
具体的记录层的膜厚，例如处于图15A中由横向方向的箭头所示的Ta、Tb、Tc、…、(…表示反复)的范围，且为0.05μm≤Ta≤0.11μm、0.22μm≤Tb≤0.28μm、0.38μm≤Tc≤0.45μm、0.55μm≤Td≤0.61μm、0.72μm≤Te≤0.78μm、…。
综合考虑以上的结果，在具有L→H(n1＞n＞n2)的特性的信息记录介质中，为确保良好的再生信号强度(最大值的0.7倍以上)并且未记录区域24相对λ2的反射率比相对λ1的反射率小的范围。即优选同时满足由T1、T2、T3、…表示的范围和由Ta、Tb、Tc、…表示的范围的膜厚的范围。具体地说，同时满足两膜厚的范围的更优选的膜厚为：由图15A的横向方向的箭头所示的从膜厚较小一方开始依次满足例如0.05μm≤Tr1＜0.10μm、0.22μm≤Tr2≤0.28μm、0.38μm＜Tr3≤0.45μm、0.57μm＜Tr4≤0.61μm、0.76μm＜Tr5≤0.78μm、…、(…表示反复)的Tr1、Tr2、Tr3、Tr4、Tr5、…。
另外，在本实施方式的记录光波长以及再生光的范围内也好，当然根据波长和折射率的组合而更优选膜厚的范围就不同。
此外，本实施方式的信息记录介质，从制造的角度来说，具有H→L和L→H中的任一个特性的信息记录介质，记录层的膜厚在例如0.6μm以下程度的较薄方为容易制造。因此，记录层1的膜厚的范围优选设定在上述图14A和图15A所示的Tr1、Tr2、Tr3或Tr4的附近。
此外，能够理解下述内容：如本实施方式的记录光以及再生光那样，在再生光波长λ1满足0.48μm≤λ1≤0.58μm，记录光的波长λ2满足0.6μm≤λ2≤0.7μm的关系的情况下，具有H→L或L→H的特性的信息记录介质中的任一个也如图12以及图13(λ1＝0.532μm、λ2＝0.66μm)所示，尤其在T2(t2～t3)和T3(t4～t5)即式(2)中的i为1或2的范围中，由实线所示的未记录区域24对λ2的反射率与由虚线表示的未记录区域24对λ1的反射率相比大幅度地减小。例如记录层1的膜厚被设定为T2的区域的3λ1/(4n)＝0.26μm时(该膜厚包括在如上所述的更优选的记录层1的膜厚Tr2中)，未记录区域24对λ1的反射率在H→L的信息记录介质中为0.32％，在L→H的信息记录介质中为0.36％。与此相对，未记录区域24对λ2的反射率在H→L的信息记录介质中减小到0.12％，在L→H的信息记录介质中减小到0.13％。由此，即使在任一情况下，也可得到未记录区域24对λ2的反射率比未记录区域24对λ1的反射率明显小的信息记录介质。
此外，在记录层1的膜厚被设定为T3的区域的例如5λ1/(4n)＝0.43μm时(该膜厚包括在如上所述的更优选的记录层1的膜厚Tr3的范围中)，未记录区域24相对λ1的反射率在H→L的信息记录介质中为0.32％，在L→H的信息记录介质中为0.36％。与此相对，未记录区域24相对λ2的反射率在H→L的信息记录介质中减小到非常小的0.0007％，在L→H的信息记录介质中减小到非常小的0.0008％。因此，在任一情况下，能够得到与再生光的光量降低相比可大幅度地抑制记录光的光量降低的信息记录介质。另外，更优选的膜厚的范围，当然根据波长和折射率的组合而不同。
本实施方式的信息记录介质的制造方法和光学信息记录再生装置使用与实施方式1中所说明的构成相同的方法和装置。
还有，在本实施方式中，也可与实施方式1相同，在记录时，射出记录光和再生光双方，将再生光聚集在期望的记录层后利用其反射光来进行聚焦伺服也可。此时，使相对λ2的反射率例如减小为0.01％以下的膜厚，与实施方式1相同，为满足式(5)的范围。
(q-0.104)λ2/(4n)≤t≤(q+0.104)λ2/(4n)  (5)
因此，在使用再生光波长满足0.48μm≤λ1≤0.58μm且记录光波长满足0.6μm≤λ2≤0.7μm的情况下，优选具有满足q＝4即以下的式(9)的范围的膜厚t。
3.90λ2/(4n)≤t≤4.10λ2/(4n)  (9)
例如在上述所说明的具有折射率n的记录层的情况下，在具有H→L、L→H中的任一个特性的信息记录介质中，满足式(9)的记录层的膜厚的范围为0.41μm≤t≤0.44μm。该膜厚的范围包括在上述的图14A以及图15A所示的更优选的膜厚Tr3的范围内。
(实施方式4)
接下来，对本发明的实施方式4的信息记录介质进行说明。实施方式4，使用比记录光波长λ2短的再生光波长λ1这点与实施方式1相同，但利用再生光波长满足0.35μm≤λ1≤0.45μm且记录光波长满足0.48μm≤λ2≤0.58μm的记录光以及再生光这点不同。作为具有这种波长的光源，具体地说，可举出λ1＝0.405μm的半导体激光器以及λ2＝0.532μm的Nd:YAG-SHG激光器。
图16～图19为详细地说明本实施方式4的信息记录介质的图。图16A及图16B表示本发明的实施方式4的信息记录介质的记录层的膜厚、和再生光以及记录光在记录层的未记录区域中的反射率之间的关系的一例。图17A及图17B表示本发明的实施方式3的信息记录介质的记录层的膜厚、和再生光以及记录光在记录层的未记录区域中的反射率之间的关系的另一例。图18A表示图16A的信息记录介质的记录层的膜厚、和再生光在记录层的未记录区域以及在记录完成区域中的反射率之间的关系，图18B表示图16A的信息记录介质的记录层的膜厚、和记录光在记录层的未记录区域以及在记录完成区域中的反射率之间的关系。图19A表示图17A的信息记录介质的记录层的膜厚、和再生光在记录层的未记录区域以及在记录完成区域中的反射率之间的关系，图19B表示图17A的信息记录介质的记录层的膜厚、和记录光在记录层的未记录区域以及在记录完成区域中的记录光的反射率之间的关系。
首先，与实施方式1的信息记录介质同样，在具有H→L(n＜n1＜n2)的特性的信息记录介质中，确认了例如当各折射率为n＝1.55、n1＝1.60，n2＝1.64时，如图16A以及图16B中由虚线以及实线所示那样，未记录区域24相对λ1(0.405μm)和λ2(0.532μm)的反射率表示出与实施方式1相同的正弦波状的周期性的变化。该反射率的变量与实施方式1相同，由R1(t)＝r1max[1-cos(4nπt/λ1)]/2、R2(t)＝r2max[1-cos(4nπt/λ2)]/2来表示。并且，最大反射率r1max＝r2max＝0.32％，最小反射率r1min＝r2min＝0％。
接下来，在具有L→H(n1＞n＞n2)的特性的信息记录介质中，确认了例如当各折射率为n＝1.55、n1＝1.60，n2＝1.46时，如图17A以及图17B中由虚线以及实线所示那样，各反射率表示出与实施方式1相同的正弦波状的周期性的变化。即分别由R1(t)＝r1max[1-cos(4nπt/λ1)]/2、R2(t)＝r2max[1-cos(4nπt/λ2)]/2来表示。这里，最大反射率r1max＝r2max＝0.36％，最小反射率r1min＝r2min＝0％。
因此，如图16B以及图17B所示，如果处于由虚线表示的记录层的未记录区域中的λ1的反射率相对于记录层的膜厚的变量R1(t)、比由实线表示的记录层的未记录区域中的λ2的反射率相对于记录层的膜厚的变量R2(t)大的膜厚的范围，则在使用本实施方式的再生光波长及记录光波长时，相对λ2的未记录区域的反射率比相对λ1的未记录区域的反射率小。也就是，与实施方式1相同，如果为满足式(1)的记录层的膜厚，则不仅能确保聚焦伺服用的反射光，并且能高精度地进行良好的记录再生。
两反射率曲线的交点中的膜厚ti，在任一情况下都相同，从较小方开始依次为t0＝0μm、t1＝0.07μm、t2＝0.15μm、t3＝0.22μm、t4＝0.30μm、t5＝0.37μm、t6＝0.45μm、t7＝0.52μm、t8＝0.55μm、t9＝0.59μm…。因此，由虚线表示的相对λ1的反射率曲线比由实线表示的相对λ2的反射率曲线大的记录层的膜厚的范围，分别为图16B和图17B中由横向方向的箭头表示的T1、T2、T3、…的范围。采用ti表示的各范围，与实施方式1中的式(2)的条件相同，为t0＜T1＜t1、t2＜T2＜t3、t4＜T3＜t5、t6＜T4＜t7、…。
接下来，对于在记录层1中对记录凹坑5进行记录并再生的情况按照与实施方式1的情况同样的方式进行说明。即在具有H→L(n＜n1＜n2)的特性的信息记录介质中，确认了例如当各反射率为n＝1.55、n1＝1.60、n2＝1.64时，如图1 8A中分别由虚线以及实线所示那样，未记录区域24以及记录完成区域23相对λ1的各反射率表示出正弦波状的周期性的变化。由于该信息记录介质具有H→L的特性，因此未记录区域24中的最大反射率为r1max＝0.32％，但作为记录凹坑5的记录完成区域23中的最大反射率降低到r1max＝0.06％(最小值都为0％)。并且，如图18A所示，未记录区域24对λ1的反射率表示最大值的记录层1的膜厚由pλ1/(4n)表示，其中p为任意的正的奇数，此外，记录完成区域23对λ1的反射率表示最大值的记录层的膜厚由pλ1/(4n1)表示。
因此，在本发明的实施方式中，与实施方式1相同，得到未记录区域24中的再生光的反射率为最大反射率的0.7倍以上的所优选的记录膜的膜厚，处于满足式(3)的范围。
(p-0.369)λ1/(4n)≤t≤(p+0.369)λ1/(4n)  (3)
具体的记录层的膜厚，例如为图1 8A中由横向方向的箭头所示的、0.04μm≤Ta≤0.09μm、0.17μm≤Tb≤0.22μm、0.30μm≤Tc≤0.35μm、0.43μm≤Td≤0.48μm、0.56μm≤Te≤0.61μm、…。
综合考虑以上的结果，在本实施方式的具有H→L(n＜n1＜n2)的特性的信息记录介质中，更优选的各记录层1的膜厚的范围，与实施方式1相同，为同时满足由未记录区域24相对λ2的反射率比相对λ1的反射率小的T1、T2、T3、…表示的范围和由能够确保良好的再生信号强度(最大值的0.7倍以上)的Ta、Tb、Tc、…表示的范围的膜厚的范围。即具体地说，同时满足两膜厚的范围的更优选的膜厚为：由图18A的横向方向的箭头所示的从较小一方开始依次满足例如0.04μm≤Tr1＜0.07μm、0.17μm≤Tr2＜0.22μm、0.30μm＜Tr3≤0.35μm、0.45μm＜Tr4≤0.48μm、0.56μm≤Tr5＜0.59μm、…、(…表示反复)的Tr1、Tr2、Tr3、Tr4、Tr5、…。
接下来，在具有L→H(n1＞n＞n2)的特性记录介质中，确认了例如当各折射率为n＝1.55、n1＝1.60、n2＝1.46时，如图19A中分别由虚线以及实线所示那样，未记录区域24以及记录完成区域相对λ1的反射率表示出正弦波状的周期性的变化。由于该信息记录介质具有L→H的特性，因此未记录区域24中的最大反射率为r1max＝0.36％，但作为记录凹坑5的记录完成区域23中的最大反射率增加到r1max＝0.83％(最小值都为0％)。并且，如图19A所示，未记录区域24对λ1的反射率表示最大值的记录层1的膜厚由pλ1/(4n)表示，其中p为任意的正的奇数，此外，记录完成区域23对λ1的反射率表示最大值的记录层的膜厚由pλ1/(4n1)表示。
因此，在本发明的实施方式中，与实施方式1相同，得到记录完成区域23中的再生光的反射率为最大反射率的0.7倍以上的所优选的记录膜的膜厚，为满足式(4)的范围。
(p-0.369)λ1/(4n1)≤t≤(p+0.369)λ1/(4n1)(4)
具体的记录层的膜厚，例如处于图19A中由横向方向的箭头所示的Ta、Tb、Tc、…、(…表示反复)的范围，且为0.04μm≤Ta≤0.09μm、0.17μm≤Tb≤0.21μm、0.29μm≤Tc≤0.34μm、0.42μm≤Td≤0.47μm、0.55μm≤Te≤0.59μm、0.67μm≤Tf≤0.72μm、…。
综合考虑以上的结果，在具有L→H(n1＞n＞n2)的特性的信息记录介质中，更优选的各记录层1的膜厚的范围为：确保良好的再生信号强度(最大值的0.7倍以上)并且未记录区域24相对λ2的反射率比相对λ1的反射率小的范围。也就是，优选同时满足由T1、T2、T3、…表示的范围和由Ta、Tb、Tc、…表示的范围的膜厚的范围。具体地说，同时满足两膜厚的范围的更优选的膜厚为：由图19A的横向方向的箭头所示的从膜厚较小一方开始依次满足例如0.04μm≤Tr1＜0.07μm、0.17μm≤Tr2≤0.21μm、0.30μm＜Tr3≤0.34μm、0.45μm＜Tr4≤0.47μm、0.55μm＜Tr5≤0.59μm、…、(…表示反复)的Tr1、Tr2、Tr3、Tr4、Tr5、…。
另外，在本实施方式的记录光波长以及再生光的范围内也好，当然根据波长和折射率的组合而更优选膜厚的范围也不同。
此外，在上述各Tr的范围中，从制造的角度来说，具有H→L和L→H中的任一个特性的信息记录介质，记录层的膜厚在例如0.6μm以下程度的较薄方为容易制造。因此，记录层1的膜厚的范围优选设定在上述图18A和图19A所示的Tr1、Tr2、Tr3、Tr4或Tr5的附近。
此外，能够理解下述内容：如本实施方式的记录光以及再生光那样，在再生光波长λ1满足0.35μm≤λ1≤0.45μm且记录光的波长λ2满足0.48μm≤λ2≤0.58μm的关系的情况下，具有H→L或L→H的特性的信息记录介质中的任一个也如图16以及图17(λ1＝0.405μm、λ2＝0.66μm)所示那样，尤其在T2(t2～t3)和T3(t4～t5)即式(2)中的i为1或2的范围中，由实线所示的未记录区域24相对λ2的反射率与由虚线表示的未记录区域24相对λ1的反射率相比大幅度地减小。例如记录层1的膜厚被设定为T2的区域的3λ1/(4n)＝0.20μm时(该膜厚包括在如上所述的更优选的记录层1的膜厚Tr2中)，未记录区域24相对λ1的反射率在H→L的信息记录介质中为0.32％，在L→H的信息记录介质中为0.36％。与此相对，未记录区域24相对λ2的反射率在H→L的信息记录介质中减小到0.06％，在L→H的信息记录介质中减小到0.07％。由此，即使在任一情况下，也可得到未记录区域24相对λ2的反射率比未记录区域24相对λ1的反射率明显小的信息记录介质。
此外，记录层1的膜厚被设定为T3的区域的例如5λ1/(4n)＝0.33μm时(该膜厚包括在如上所述的更优选的记录层1的膜厚Tr3的范围中)，未记录区域24相对λ1的反射率在H→L的信息记录介质中为0.32％，在L→H的信息记录介质中为0.36％。与此相对，未记录区域24相对λ2的反射率在任一情况下都减小到0.03％。因此，能够得到与再生光的光量降低相比可大幅度地抑制记录光的光量降低的信息记录介质。另外，更优选的膜厚的范围，当然根据波长和折射率的组合而不同。
本实施方式的信息记录介质的制造方法和光学信息记录再生装置使用与实施方式1中所说明的构成相同的方法和装置。
还有，在本实施方式中，与实施方式1相同，在记录时，射出记录光和再生光双方，将再生光聚集在期望的记录层后利用其反射光来进行聚焦伺服也可。此时，使相对λ2的反射率例如减小为0.01％以下的膜厚，与实施方式1相同，为满足式(5)的范围。
(q-0.104)λ2/(4n)≤t≤(q+0.104)λ2/(4n)  (5)
因此，在使用再生光波长满足0.35μm≤λ1≤0.45μm且记录光波长满足0.48μm≤λ2≤0.58μm的情况下，优选具有满足q＝2即以下的式(10)的范围的膜厚t。
1.90λ2/(4n)≤t≤2.10λ2/(4n)    (10)
例如在上述所说明的具有折射率n的记录层的情况下，在具有H→L、L→H中的任一个特性的信息记录介质中，满足式(10)的记录层的膜厚的范围为0.16μm≤t≤0.18μm。该膜厚的范围中与上述的图18A以及图19A所示的更优选的膜厚Tr2共同的范围，在具有H→L、L→H的任一个特性的信息记录介质中为0.17μm≤t≤0.18μm。
或者，在本实施方式的情况下，优选具有满足q＝4即以下的式(11)的范围的膜厚t的记录层。
3.90λ2/(4n)≤t≤4.10λ2/(4n)  (11)
此时，在采用上述记录层的折射率且满足式(11)的膜厚的范围为0.33μm≤t≤0.35μm。该膜厚的范围中与图18A或图19A所示的更优选的膜厚Tr3的范围共同的范围，在H→L的信息记录介质中为0.33μm≤t≤0.35μm，在H→L的信息记录介质中为0.33μm≤t≤0.34μm。
另外，在上述的实施方式中，均对记录层的未记录区域的折射率n比记录完成区域的折射率n1小的情况进行了说明，但相反地在n＞n1的情况下也同样能适用本发明。即在将二芳基乙烯的闭环体用作为未记录区域且将其开环体用作为记录完成区域时，未记录区域的折射率n比记录完成区域的折射率n1大。此时，相对中间层的折射率n2，优选H→L的信息记录介质满足n2＜n1＜n的关系，L→H的信息记录介质满足n1＜n＜n2的关系。
以上，对实施方式1～实施方式4的信息记录介质以及对其进行记录再生的光学信息记录再生装置进行了说明，但本发明并不限于上述的实施方式，本发明也包括对各个实施方式的信息记录介质以及光学信息记录再生装置的构成进行组合后的信息记录介质以及光学信息记录再生装置，并且能够实现相同的效果。此外，上述的信息记录介质除了追记型以外，还包括改写型。还有，如果为记录有信息的信息记录介质，则当然也能够适用于只进行再生的光学信息再生装置中。
另外，为了确认相对记录光波长的记录层的未记录区域的反射率比相对再生光波长的记录层的未记录区域的反射率小，在中间层相对两种波长实质上透明的情况下，在未记录的信息记录介质中，将记录光和再生光分别入射后测定其透过率，如果相对记录光的透过率高，则认为满足上述关系。
此外，在上述实施方式中所采用的物镜和准直透镜、检测透镜，为了方便而指定名称，与一般所称的透镜相同。
还有，上述实施方式全均对在基板的单面具有记录部的信息记录介质进行了说明，但本发明也可适用于将基板上具有记录部的两个基板接合所形成的基板的双面上具有记录部的信息记录介质。
此外还有，在上述实施方式中，以光盘为例对信息记录介质进行了说明，但按照采用同样的信息记录再生装置对厚度、记录密度等多个规格的不同介质进行再生的方式所设计的卡状或鼓状、带状的制品的适用也包括在本发明的范围中。
如上所述，本发明的一个方面的信息记录介质，具有：基板；和记录部，可在上述基板上将记录凹坑以三维进行记录；其中，上述记录部具有：多个记录层，通过对其聚集具有波长λ2的记录光来对上述记录凹坑进行记录，并且，通过对其聚集具有短于上述波长λ2的波长λ1的再生光来使上述记录凹坑再生；和中间层，与上述记录层交替层叠；其中，记录层中的未记录区域对记录光波长λ2的反射率，小于记录层中的未记录区域对再生光波长λ1的反射率。根据上述构成，可实现不仅确保聚焦伺服用的反射光，并且对远离物镜的最下层的记录层也使记录光的光量的降低减小且进行高精度的良好的记录再生的信息记录介质。
在本发明中，上述记录层优选包括光色敏材料。根据上述构成，由于在最下层的记录层也能充分确保记录光量，因此即使为随着光量而记录灵敏度受到影响的光色敏材料，通过非线性现象也能进行良好的记录。
在本发明中，优选上述记录光以及再生光满足下述(i)～(iV)中的任一个的再生波波长λ1以及记录光波长λ2之间的关系：
(i)0.6μm≤λ1≤0.7μm，0.73μm≤λ2≤0.83μm；
(ii)0.35μm≤λ1≤0.45μm，0.6μm≤λ2≤0.7μm；
(iii)0.48μm≤λ1≤0.58μm，0.6μm≤λ2≤0.7μm；
(iv)0.35μm≤λ1≤0.45μm，0.48μm≤λ2≤0.58μm。
如果满足上述记录光以及再生光的关系，则由于利用具有波长比记录光波长短的再生光波长，因此不仅确保聚焦伺服用的反射光，并且可进行良好的记录。此外，由于通过利用非线性吸收现象而使已被记录的记录凹坑的大小与利用一光子吸收记录的记录凹坑的大小相比变小，因此使用上述关系的记录光以及再生光时，记录时和再生时的实质的光斑径接近得大致相同，可实现记录以及再生的最优化或高密度化。
在本发明中，优选上述记录层的膜厚t满足下述式(1)的条件，下述式(1)表示再生光在记录层的未记录区域中的反射率基于记录层膜厚的变量、和记录光在记录层的未记录区域中的反射率基于记录层膜厚的变量之间的关系
r1max[1-cos(4nπt/λ1)]/2＞r2max[1-cos(4nπt/λ2)]/2  (1)
式中，λ1为再生光波长，λ2为记录光波长，n为记录层的未记录区域的折射率，t为记录层的膜厚，r1max为记录层的未记录区域对λ1的最大反射率，r2max为记录层的未记录区域对λ2的最大反射率。
根据上述构成，可得到在未记录区域中再生光的反射率比记录光的反射率高的记录层，因此不仅确保聚焦伺服的反射光，并且可进行良好的记录。
在本发明中，优选的是，满足上述反射率的关系的记录层的膜厚t，与记录层的膜厚ti满足以下的式(2)的条件，该膜厚ti为在上述再生光在记录层的未记录区域中的反射率基于记录层膜厚的变量、和上述记录光在记录层的未记录区域中的反射率基于记录层膜厚的变量一致的时候的记录层的膜厚，
t2i＜t＜t2i+1  (2)
式中，ti为0以上，i为0以上的任意的整数，并且0≤ti＜ti+1。
此外，在本发明中，在由波长色散所引起的折射率之差较小的情况下，可将上述r1max和上述r2max实质上看作相同。
在本发明中，优选上述中间层的折射率和上述记录层的未记录区域的折射率之差大于上述中间层的折射率和上述记录层的记录完成区域的折射率之差，上述记录层的膜厚t满足下述式(3)的条件，
(p-0.369)λ1/(4n)≤t≤(p+0.369)λ1/(4n)  (3)
式中，λ1为再生光波长，λ2为记录光波长，t为记录层的膜厚，n为记录层的未记录区域的折射率，p为任意的正奇数。
根据上述构成，在具有H→L特性的信息记录介质中，能够充分得到再生时的聚焦伺服用的反射光的光量。
此外，本发明优选，上述中间层的折射率和上述记录层的未记录区域的折射率之差小于上述中间层的折射率和上述记录层的记录完成区域的折射率之差，上述记录层的膜厚t满足下述式(4)的条件，
(p-0.369)λ1/(4n1)≤t≤(p+0.369)λ1/(4n1)(4)
式中，λ1为再生光波长，λ2为记录光波长，t为记录层的膜厚，n1为记录层的记录完成区域的折射率，p为任意的正奇数。
根据上述构成，在具有L→H特性的信息记录介质中，能够充分得到再生时的聚焦伺服用的反射光的光量。
还有，本发明优选上述记录层的膜厚t满足下述式(5)的条件，
(q-0.104)λ2/(4n)≤t≤(q+0.104)λ2/(4n)    (5)
式中，λ2为记录光波长，t为记录层的膜厚，n为记录层的未记录区域的折射率，q为任意的正偶数。
根据上述构成，将记录时由再生光进行聚焦伺服时的记录层的膜厚的范围最佳化。
在本发明中，上述记录层的膜厚优选在0.6μm以下。根据上述构成，通过涂敷法可以容易地制作记录层。
在本发明中，记录层的膜厚t优选为上述式(2)中的ti的任一个，其中i＝1～3。根据上述构成，可得到未记录区域中的再生光的反射率和记录光的反射率之差显著增大的信息记录介质。
在本发明中，优选的是：上述中间层的折射率和上述记录层的未记录区域的折射率之差，或者上述中间层的折射率和上述记录层的记录完成区域的折射率之差在0.05以上。根据上述构成，由于可得到相对再生光至少为约0.1％以上的反射率，因此可在再生时进行良好的聚焦伺服。
并且，在本发明中，优选的是，在上述记录光以及再生光具有下述(i)～(iv)中的任一个的再生光波长λ1及记录光波长λ2的关系时，上述记录层的膜厚t分别满足下述式(6)～(1)的条件：
(i)在0.6μm≤λ1≤0.7μm、0.73μm≤λ2≤0.83μm时，
3.90λ2/(4n)≤t≤4.10λ2/(4n)    (6)；
(ii)在0.35μm≤λ1≤0.45μm、0.6μm≤λ2≤0.7μm时，
1.90λ2/(4n)≤t≤2.10λ2/(4n)    (7)或者
3.90λ2/(4n)≤t≤4.10λ2/(4n)    (8)；
(iii)在0.48μm≤λ1≤0.58μm、0.6μm≤λ2≤0.7μm时，
3.90λ2/(4n)≤t≤4.10λ2/(4n)    (9)；
(iv)在0.35μm≤λ1≤0.45μm、0.48μm≤λ2≤0.58μm时，
1.90λ2/(4n)≤t≤2.10λ2/(4n)    (10)  或者
3.90λ2/(4n)≤t≤4.10λ2/(4n)    (11)；
式(6)～(11)中，λ1为再生光波长，λ2为记录光波长，n为记录层的未记录区域的折射率，t为记录层的膜厚。
根据上述构成，在记录时以及再生时的任一情况下，由于充分确保聚焦伺服用的反射光，并且能够抑制记录时的记录光以及再生时的再生光的光量的降低，因此可进行良好的记录再生。
本发明的另一方面的光学信息记录再生装置，具备：第一光源，射出记录光；第二光源，射出具有波长短于上述记录光的波长的再生光；物镜，将上述第一以及第二光源所射出的记录光以及再生光聚集到上述的信息记录介质中；和光检测器，对来自上述信息记录介质的反射光进行检测；其中，在记录时，通过利用聚集有上述记录光的记录层的光学常数的变化，来对记录凹坑进行记录，在再生时，通过利用上述再生光的来自记录层的反射光来进行聚焦伺服，并且通过利用上述记录层的由光学常数的变化所引起的反射率的不同，来使上述记录凹坑再生。由于本发明的信息记录介质，相对再生光波长的未记录区域的反射率比相对记录光波长的未记录区域的反射率大，因此在再生时，不仅能够进行基于再生光的聚焦伺服，并且可减小记录光的光量的降低，从而能够进行良好的记录。
在本发明的上述光学信息记录再生装置中，在上述记录时，通过利用上述记录光的来自记录层的反射光来进行聚焦伺服也可。根据上述构成，由于在记录时也可进行聚焦伺服，因此可对记录凹坑进行高精度的记录。
此外，在本发明的上述光学信息记录再生装置中，在上述记录时，将上述记录光和上述再生光双方射出，并且利用上述再生光的来自记录层的反射光来进行聚焦伺服也可。由于本发明的信息记录介质，未记录区域中的再生光的反射率设定得比记录光的反射率大，因此在记录时通过再生光能够进行聚焦伺服，并且可对记录凹坑进行高精度的记录。
在本发明的上述光学记录再生装置中，射出上述记录光的光源优选为发出脉宽100飞秒到10纳秒的脉冲光的激光光源。根据上述构成，通过非线性现象可进行良好的记录。
在本发明的上述光学记录再生装置中，上述记录凹坑通过例如双光子吸收、多光子吸收、等离子吸收过程等的非线性吸收现象而被记录。根据上述构成，由于通过记录光的聚集而仅使规定的记录层的光学常数变化，因此可对记录凹坑进行三维的记录。
在本发明的上述光学记录再生装置中，优选的是，在上述记录光以及再生光具有下述(i)～(iv)中的任一个的再生光波长λ1以及记录光波长λ2的关系时，上述信息记录介质的记录层的膜厚t分别满足下式(12)～(17)的条件：
(i)在0.6μm≤λ1≤0.7μm、0.73μm≤λ2≤0.83μm时，
3.90λ2/(4n)≤t≤4.10λ2/(4n)    (12)；
(ii)在0.35μm≤λ1≤0.45μm、0.6μm≤λ2≤0.7μm时，
1.90λ2/(4n)≤t≤2.10λ2/(4n)    (13)  或者
3.90λ2/(4n)≤t≤4.10λ2/(4n)    (14)；
(iii)在0.48μm≤λ1≤0.58μm、0.6μm≤λ2≤0.7μm时，
3.90λ2/(4n)≤t≤4.10λ2/(4n)    (15)；
(iv)在0.35μm≤λ1≤0.45μm、0.48μm≤λ2≤0.58μm时，
1.90λ2/(4n)≤t≤2.10λ2/(4n)    (16)或者
3.90λ2/(4n)≤t≤4.10λ2/(4n)    (17)；
式(12)～(17)中，λ1为再生光波长，λ2为记录光波长，n为记录层的未记录区域的折射率，t为记录层的膜厚。
根据上述构成，在记录时以及再生时的任一情况下，也能够充分确保聚焦伺服用的反射光，并且能够充分确保记录时的记录光以及再生时的再生光的光量，因此可进行良好的记录再生。
在本发明的上述光学记录再生装置中，优选将上述记录凹坑以三维进行记录，使得由物镜聚集的记录光不通过已被记录的记录凹坑。根据上述构成，能够得到减小由透过记录完成的记录凹坑所产生的散射光、不需要的衍射光等的杂散光(干扰光)的影响的效果(SN比提高)。
在本发明的上述光学记录再生装置中，优选在记录时，在上述信息记录介质的记录部中，从距物镜最远的记录层起对记录凹坑进行记录。根据上述构成，减小由记录光透过记录完成的记录凹坑所产生的散射光、不需要的衍射光等的杂散光(干扰光)的影响。
并且，本发明的另一方面的光学信息记录再生装置，具备：第一光源，射出记录光；第二光源，射出具有波长短于上述记录光的波长的再生光；物镜，将上述第一以及第二光源所射出的记录光以及再生光聚集到上述的信息记录介质中；和光检测器，对来自上述信息记录介质的反射光进行检测；其中，在记录时，通过利用上述记录光的来自记录层的反射光来进行聚焦伺服，并且通过利用聚集有上述记录光的记录层的光学常数的变化来对记录凹坑进行记录，或者在记录时，将上述记录光和上述再生光双方射出，且利用上述再生光的来自记录层的反射光进行聚焦伺服，并且，通过利用聚集有上述记录光的记录层的光学常数的变化来对记录凹坑进行记录。本发明的信息记录介质，由于相对再生光的未记录区域的反射率比相对记录光的未记录区域的反射率大，因此通过在记录时照射记录光或再生光，能够利用其反射光进行聚焦伺服。并且，由于记录光的衰减小，因此即使在下层的记录层也能进行高精度的良好的记录。
产业上的利用可能性
根据本发明，在可对作为信息位的记录凹坑进行三维的记录的信息记录介质中，可提供不仅进行聚焦伺服，并且对距物镜最远的下层的记录层可进行良好的记录以及/或者再生的信息记录介质。

Claims (22)

1.一种信息记录介质，其特征在于具有：
基板；和
记录部，可在上述基板上将记录凹坑以三维进行记录；其中，
上述记录部具有：
多个记录层，通过对其聚集具有波长λ2的记录光来对上述记录凹坑进行记录，并且，通过对其聚集具有短于上述波长λ2的波长λ1的再生光来使上述记录凹坑再生；和
中间层，与上述记录层交替层叠；其中，
记录层中的未记录区域对记录光波长λ2的反射率，小于记录层中的未记录区域对再生光波长λ1的反射率。
2.根据权利要求1所述的信息记录介质，其特征在于，
上述记录层包括光色敏材料。
3.根据权利要求1所述的信息记录介质，其特征在于，
上述记录光以及再生光满足下述(i)～(iv)中的任一个的再生光波长λ1及记录光波长λ2之间的关系：
(i)0.6μm≤λ1≤0.7μm，0.73μm≤λ2≤0.83μm；
(ii)0.35μm≤λ1≤0.45μm，0.6μm≤λ2≤0.7μm；
(iii)0.48μm≤λ1≤0.58μm，0.6μm≤λ2≤0.7μm；
(iv)0.35μm≤λ1≤0.45μm，0.48μm≤λ2≤0.58μm。
4.根据权利要求1所述的信息记录介质，其特征在于，
上述记录层的膜厚t满足下述式(1)的条件，下述式(1)表示再生光在记录层的未记录区域中的反射率基于记录层膜厚的变量、和记录光在记录层的未记录区域中的反射率基于记录层膜厚的变量之间的关系，
r1max[1-cos(4nπt/λ1)]/2＞r2max[1-cos(4nπt/λ2)]/2  (1)
式中，λ1为再生光波长，λ2为记录光波长，n为记录层的未记录区域的折射率，t为记录层的膜厚，r1max为记录层的未记录区域对λ1的最大反射率，r2max为记录层的未记录区域对λ2的最大反射率。
5.根据权利要求4所述的信息记录介质，其特征在于，
上述记录层的膜厚t与记录层的膜厚ti满足以下的式(2)的条件，该膜厚ti为在上述再生光在记录层的未记录区域中的反射率基于记录层膜厚的变量、和上述记录光在记录层的未记录区域中的反射率基于记录层膜厚的变量一致的时候的记录层的膜厚，
t2i＜t＜t2i+1  (2)
式中，ti为0以上，i为0以上的任意的整数，并且0≤ti＜ti+1。
6.根据权利要求4所述的信息记录介质，其特征在于，
上述r1max和上述r2max实质上相同。
7.根据权利要求1所述的信息记录介质，其特征在于，
上述中间层的折射率和上述记录层的未记录区域的折射率之差大于上述中间层的折射率和上述记录层的记录完成区域的折射率之差，
上述记录层的膜厚t满足下述式(3)的条件，
(p-0.369)λ1/(4n)≤t≤(p+0.369)λ1/(4n)  (3)
式中，λ1为再生光波长，λ2为记录光波长，t为记录层的膜厚，n为记录层的未记录区域的折射率，p为任意的正奇数。
8.根据权利要求1所述的信息记录介质，其特征在于，
上述中间层的折射率和上述记录层的未记录区域的折射率之差小于上述中间层的折射率和上述记录层的记录完成区域的折射率之差，
上述记录层的膜厚t满足下述式(4)的条件，
(p-0.369)λ1/(4n1)≤t≤(p+0.369)λ1/(4n1)(4)
式中，λ1为再生光波长，λ2为记录光波长，t为记录层的膜厚，n1为记录层的记录完成区域的折射率，p为任意的正奇数。
9.根据权利要求1所述的信息记录介质，其特征在于，
上述记录层的膜厚t满足下述式(5)的条件，
(q-0.104)λ2/(4n)≤t≤(q+0.104)λ2/(4n)  (5)
式中，λ2为记录光波长，t为记录层的膜厚，n为记录层的未记录区域的折射率，q为任意的正偶数。
10.根据权利要求1所述的信息记录介质，其特征在于，
上述记录层的膜厚为0.6μm以下。
11.根据权利要求5所述的信息记录介质，其特征在于，
i为1～3中的任一个。
12.根据权利要求1所述的信息记录介质，其特征在于，
上述中间层的折射率和上述记录层的未记录区域的折射率之差，或者上述中间层的折射率和上述记录层的记录完成区域的折射率之差为0.05以上。
13.根据权利要求1所述的信息记录介质，其特征在于，
在上述记录光以及再生光具有下述(i)～(iv)中的任一个的再生光波长λ1及记录光波长λ2的关系时，上述记录层的膜厚t分别满足下述式(6)～(11)的条件：
(i)在0.6μm≤λ1≤0.7μm、0.73μm≤λ2≤0.83μm时，
3.90λ2/(4n)≤t≤4.10λ2/(4n)    (6)；
(ii)在0.35μm≤λ1≤0.45μm、0.6μm≤λ2≤0.7μm时，
1.90λ2/(4n)≤t≤2.10λ2/(4n)    (7)或者
3.90λ2/(4n)≤t≤4.10λ2/(4n)    (8)；
(iii)在0.48μm≤λ1≤0.58μm、0.6μm≤λ2≤0.7μm时，
3.90λ2/(4n)≤t≤4.10λ2/(4n)    (9)；
(iv)在0.35μm≤λ1≤0.45μm、0.48μm≤λ2≤0.58μm时，
1.90λ2/(4n)≤t≤2.10λ2/(4n)    (10)或者
3.90λ2/(4n)≤t≤4.10λ2/(4n)    (11)；
式(6)～(11)中，λ1为再生光波长，λ2为记录光波长，n为记录层的未记录区域的折射率，t为记录层的膜厚。
14.一种光学信息记录再生装置，其特征在于具备：
第一光源，射出记录光；
第二光源，射出具有波长短于上述记录光的波长的再生光；
物镜，将上述第一以及第二光源所射出的记录光以及再生光聚集到权利要求1所述的信息记录介质中；和
光检测器，对来自上述信息记录介质的反射光进行检测；其中，
在记录时，通过利用聚集有上述记录光的记录层的光学常数的变化，来对记录凹坑进行记录，
在再生时，通过利用上述再生光的来自记录层的反射光来进行聚焦伺服，并且通过利用上述记录层的由光学常数的变化所引起的反射率的不同，来使上述记录凹坑再生。
15.根据权利要求14所述的光学信息记录再生装置，其特征在于，
在上述记录时，通过利用上述记录光的来自记录层的反射光来进行聚焦伺服。
16.根据权利要求14所述的光学信息记录再生装置，其特征在于，
在上述记录时，将上述记录光和上述再生光双方射出，并且利用上述再生光的来自记录层的反射光来进行聚焦伺服。
17.根据权利要求14所述的光学信息记录再生装置，其特征在于，
上述射出记录光的光源为发出脉宽100飞秒～10纳秒的脉冲光的激光光源。
18.根据权利要求14所述的光学信息记录再生装置，其特征在于，
上述记录凹坑通过双光子吸收、多光子吸收、等离子吸收过程等的非线性吸收现象而被记录。
19.根据权利要求16所述的光学信息记录再生装置，其特征在于，
在上述记录光以及再生光具有下述(i)～(iv)中的任一个的再生光波长λ1以及记录光波长λ2的关系时，上述信息记录介质的记录层的膜厚t分别满足下式(12)～(17)的条件：
(i)在0.6μm≤λ1≤0.7μm、0.73μm≤λ2≤0.83μm时，
3.90λ2/(4n)≤t≤4.10λ2/(4n)    (12)；
(ii)在0.35μm≤λ1≤0.45μm、0.6μm≤λ2≤0.7μm时，
1.90λ2/(4n)≤t≤2.10λ2/(4n)    (13)  或者
3.90λ2/(4n)≤t≤4.10λ2/(4n)    (14)；
(iii)在0.48μm≤λ1≤0.58μm、0.6μm≤λ2≤0.7μm时，
3.90λ2/(4n)≤t≤4.10λ2/(4n)    (15)；
(iv)在0.35μm≤λ1≤0.45μm、0.48μm≤λ2≤0.58μm时，
1.90λ2/(4n)≤t≤2.10λ2/(4n)    (16)  或者
3.90λ2/(4n)≤t≤4.10λ2/(4n)     (17)；
式(12)～(17)中，λ1为再生光波长，λ2为记录光波长，n为记录层的未记录区域的折射率，t为记录层的膜厚。
20.根据权利要求14所述的光学信息记录再生装置，其特征在于，
将上述记录凹坑以三维进行记录，使得由物镜聚集的记录光不通过已被记录的记录凹坑。
21.根据权利要求14所述的光学信息记录再生装置，其特征在于，
在上述信息记录介质的记录部中，从距物镜最远的记录层起对记录凹坑进行记录。
22.一种光学信息记录再生装置，其特征在于具备：
第一光源，射出记录光；
第二光源，射出具有波长短于上述记录光的波长的再生光；
物镜，将上述第一以及第二光源所射出的记录光以及再生光聚集到权利要求1所述的信息记录介质中；和
光检测器，对来自上述信息记录介质的反射光进行检测；其中，
在记录时，通过利用上述记录光的来自记录层的反射光来进行聚焦伺服，并且通过利用聚集有上述记录光的记录层的光学常数的变化来对记录凹坑进行记录，或者
在记录时，将上述记录光和上述再生光双方射出，且利用上述再生光的来自记录层的反射光进行聚焦伺服，并且，通过利用聚集有上述记录光的记录层的光学常数的变化来对记录凹坑进行记录。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008099705A1 (ja) * 2007-02-16 2008-08-21 Sanyo Electric Co., Ltd. 記録媒体および記録再生装置
JP4625137B2 (ja) * 2007-07-11 2011-02-02 シャープ株式会社 光情報記録媒体
JP4805411B2 (ja) * 2008-09-15 2011-11-02 パナソニック株式会社 光情報媒体測定方法、光情報媒体、記録装置及び再生装置
JP5073632B2 (ja) * 2008-10-10 2012-11-14 シャープ株式会社 光情報記録媒体および光情報記録媒体駆動装置
JP2010097632A (ja) * 2008-10-14 2010-04-30 Fujifilm Corp 光記録媒体の情報再生方法および情報再生装置
WO2010067490A1 (ja) * 2008-12-08 2010-06-17 パナソニック株式会社 光情報媒体測定方法、光情報媒体、記録装置及び再生装置
JP5310423B2 (ja) * 2009-09-14 2013-10-09 ソニー株式会社 再生装置、再生方法
US8680076B2 (en) 2010-10-25 2014-03-25 Signal Pharmaceuticals, Llc Methods of treatment, improvement and prevention using haloaryl substituted aminopurines
JP2012094207A (ja) * 2010-10-26 2012-05-17 Sony Corp 記録装置、スポット位置制御方法
WO2023238487A1 (ja) * 2022-06-06 2023-12-14 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 記録媒体、情報の記録方法及び情報の読出方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5559784A (en) * 1993-03-26 1996-09-24 Fuji Xerox Co., Ltd. Multi-layer optical information detection by two laser beam and optical multilayer recording medium
AU5516598A (en) * 1996-12-05 1998-06-29 Omd Optical Memory Devices Ltd. Optical pickup for 3-d data storage reading from the multilayer fluorescent optical disk
AU1579799A (en) * 1998-11-25 2000-06-13 Eugen Pavel Three-dimensional optical memory with fluorescent photosensitive material
IL135309A0 (en) * 2000-03-28 2001-05-20 Ortal Apert Three-dimensional optical memory
JP4255230B2 (ja) 2001-12-07 2009-04-15 株式会社リコー フォトクロミック材料
JPWO2003085657A1 (ja) * 2002-04-08 2005-08-11 松下電器産業株式会社 情報記録媒体およびその製造方法、並びに光学情報記録再生装置
AU2003257862A1 (en) * 2002-08-21 2004-03-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical information processing device and recording medium
JP4136713B2 (ja) 2003-02-26 2008-08-20 株式会社リコー 多層記録媒体及び多層記録システム
CN1795417B (zh) 2003-05-28 2010-12-29 松下电器产业株式会社 信息记录媒体及其制造方法、以及记录再现方法、光学信息记录再现装置
CN1226724C (zh) * 2003-10-27 2005-11-09 中国科学院西安光学精密机械研究所 利用飞秒激光在透明介质中实现三维光存储的写读装置
EP1696429B1 (en) * 2003-12-04 2011-10-12 Panasonic Corporation Optical information reproduction device
JP2006172600A (ja) * 2004-12-15 2006-06-29 Hitachi Ltd ３次元情報記録方法及び再生方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110459243A (zh) * 2019-07-16 2019-11-15 中国科学院上海光学精密机械研究所 以二次谐波为读写方式的多级相变存储器及其制备方法

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