CN101154936A - 声波器件、谐振器以及滤波器 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及声波器件、谐振器以及滤波器。一种滤波器，其包括：并联谐振器，该并联谐振器具有设置在压电基板上的第一梳状电极，和覆盖该第一梳状电极的第一介电膜；和串联谐振器，该串联谐振器具有设置在所述压电基板上的第二梳状电极，和覆盖该第二梳状电极并且由和所述第一介电膜的材料相同的材料制成的第二介电膜。所述第一介电膜具有和所述第二介电膜的厚度不同的厚度。

Description

声波器件、谐振器以及滤波器
技术领域
本发明涉及滤波器和双工器，更具体地说，涉及利用声波器件的滤波器和利用该声波器件的双工器。
背景技术
近来，利用声波器件的带通滤波器已经被用于诸如蜂窝电话的高频无线电设备中。蜂窝电话近来性能的发展需要减小频率的温度系数(经常缩写为TCF)的绝对值。TCF是频率响应于环境温度中的变化而改变的速率。在谐振器中，针对环境温度中等于1℃的变化的谐振频率的变化按单位ppm/℃来表示。TCF基本上取决于在压电基板的表面上传播的SAW(表面声波)的速度的温度系数。对于由铌酸锂(LiNbO3)和钽酸锂(LiTaO3)制成的压电基板来说，SAW器件的TCF差到了-80～-40ppm/℃，因此需要改进。
日本专利申请公开2003-209458中公开了一种在铌酸锂基板上的梳状电极上涂覆有氧化硅膜的声波器件。声波不仅在铌酸锂基板中传播，而且在氧化硅膜中传播。声波在氧化硅膜中的传播速度的温度系数具有与声波沿铌酸锂基板的传播速度的温度系数的符号相反的符号。由此，通过优化氧化硅膜的厚度可以与温度无关地保持传播速度的总传播速度恒定。即，可以通过最优地选择氧化硅膜的厚度来减小TCF。
图1是带通滤波器的带通特性的图。利用在上述申请中公开的技术，能将通带的高频侧上的肩部a的TCF大致减小至零。然而，通带的低频侧上的肩部b未被很好地改进。例如，当温度上升时，肩部b移位至b′。
发明内容
本发明是鉴于上述情况而提出，并且提供了一种改进的滤波器和具有更小TCF的双工器。
根据本发明的一个方面，提供了一种滤波器，其包括：并联谐振器，该并联谐振器具有设置在压电基板上的第一梳状电极，和覆盖该第一梳状电极的第一介电膜；和串联谐振器，该串联谐振器具有设置在所述压电基板上的第二梳状电极，和覆盖该第二梳状电极并且由和所述第一介电膜的材料相同的材料制成的第二介电膜，所述第一介电膜具有和所述第二介电膜的厚度不同的厚度。
根据本发明的另一方面，提供了一种配备有上述并联谐振器和串联谐振器的滤波器。
根据本发明的又一方面，提供了一种配备有上述并联谐振器和串联谐振器的双工器。
附图说明
参照下列附图，对本发明的优选实施方式进行说明，其中：
图1是滤波器的带通特性的图；
图2A是利用界面声波的谐振器的平面图；
图2B是沿A-A′线截取的截面图；
图3示出了当使用由铌酸锂制成的压电基板时谐振频率的TCF和反谐振频率的TCF；
图4是根据第一比较例的滤波器的平面图；
图5是第一比较例的滤波器的截面图；
图6是根据第一实施方式的滤波器的平面图；
图7是第一实施方式的滤波器的截面图；
图8是根据第二实施方式的滤波器的平面图；
图9是根据第三实施方式的滤波器的平面图；
图10是根据第四实施方式的双工器的平面图；
图11是双工器的带通特性的图；
图12是利用勒夫波(Love wave)的声波器件的截面图；以及
图13示出了当压电膜由钽酸锂制成时谐振频率的TCF和反谐振频率的TCF。
具体实施方式
下面，参照附图，对本发明的实施方式进行说明。
首先，对本发明的原理进行说明。图2A是实验中使用的谐振器的平面图，而图2B是沿图2A所示A-A′线截取的截面图。为简单起见，省略了多个电极指。压电基板10是30°Y切X传播铌酸锂基板。在压电基板10上形成有由例如铜制成的电极12。电极12包括一对形成叉指式换能器IDT0的梳状电极和形成一对反射器R0的格栅电极。形成可以由例如氧化硅制成的第一介电膜14，以覆盖电极12。在第一介电膜14上设置有可以由例如氧化铝制成的第三介电膜16。梳状电极对IDT0介于反射器R0之间。当将高频信号施加至梳状电极对IDT0中的一个梳状电极时，在压电基板10的表面中并且在第一介电膜14中激发声界面波。声界面波在由梳状电极的周期λ和声界面波的传播速度确定的频率处谐振。在梳状电极对IDT0中的另一个梳状电极处激发谐振频率的高频信号。由此，谐振器作为滤波器进行工作。第三介电膜16由具有比第一介电膜14的材料的声速大的声速的材料制成，从而能把声界面波限制在压电基板10的表面和第一介电膜14中。
图3是谐振频率的TCF(ppm/℃)和反谐振频率的TCF的图，其中TCF是氧化硅膜的厚度(λ)的函数。在图3中，圆圈“○”和“●”是测量的结果，并且实线和虚线为近似线。氧化铝膜为2μm厚。
在作为氧化硅膜的厚度的函数的TCF中，谐振频率和反谐振频率具有不同关系。当氧化硅膜大约为0.8λ厚时，反谐振频率的TCF近似为零。当氧化硅膜大约为0.6λ厚时，谐振频率的TCF近似为零。反谐振频率的TCF为零时氧化硅膜的厚度不同于谐振频率的TCF为零时氧化硅膜的厚度。由此，氧化硅膜不能同时使得谐振频率的TCF和反谐振频率的TCF等于零。例如，梯型滤波器被设计成，使得串联谐振器的反谐振频率在通带的高频侧形成衰减极点，而并联谐振器的谐振频率在通带的低频侧形成衰减极点。由此，即使将图1所示通带的高频侧的肩部a处的TCF设置成等于零，也不能足够地改善通带的低频侧的肩部b处的TCF。
压电基板10和第一介电膜14的机电耦合系数和介电常数的温度变化影响声界面波的TCF。谐振频率和反谐振频率处的温度变化不同地影响TCF。由此，谐振频率的TCF不同于反谐振频率的TCF。
根据本发明的一个方面，利用反谐振点作为衰减极点的声波器件的第一介电膜14具有和利用谐振点作为衰减极点的另一声波器件的第一介电膜14的厚度不同的厚度。由此，可以同时改进由反谐振点限定的衰减极点的TCF和由谐振点限定的衰减极点的TCF。
[第一实施方式]
本发明的第一实施方式是具有1.9GHz频带的梯型滤波器。图4是根据第一比较例的梯型滤波器的示意平面图。参照图4，实线表示形成在压电基板10上的电极12和连接谐振器的互连线11。串联谐振器S1到S3串联连接在输入端子Tin与输出端子Tout之间。并联谐振器P1连接在地与连接串联谐振器S1和S2的节点之间。并联谐振器P2连接在地与连接串联谐振器S2和S3的节点之间。串联谐振器S1到S3以及并联谐振器P1和P2中的每一个谐振器都是单端谐振器。对于串联谐振器S1到S3以及并联谐振器P1和P2都设置了介电积层膜18。电极12被例示为通过介电积层膜18看到。
图5是第一比较例的截面图，其中例示了串联谐振器S1到S3中的一个以及并联谐振器P1和P2中的一个。将具有厚度180nm并且主要成分为铜的电极12设置在由30°Y切X传播铌酸锂制成的压电基板10上。周期λ为2μm的电极12具有0.5μm的指宽。可以由氧化硅制成并且可以为1.26μm厚的第一介电膜14被设置成覆盖电极12。将由氧化铝制成并且为2μm厚的第三介电膜16设置在第一介电膜14上。第一介电膜14和第三介电膜16形成介电积层膜18。
图6是根据第一实施方式的梯型滤波器的平面图。与图4所示的第一比较例相比，针对并联谐振器P1和P2设置介电积层膜18a，并针对串联谐振器S1到S3设置另一介电积层膜18b。在并联谐振器P1和P2中，电极12a覆盖有可由氧化硅制成并且可具有1.26μm厚的第一介电膜14a。第一介电膜14a和设置在其上的第三介电膜形成介电积层膜18a。在串联谐振器S1到S3中，电极12b覆盖有可由氧化硅制成并且可具有1.6μm厚的第二介电膜14b。第二介电膜14b比第一介电膜14a厚0.34μm。第一介电膜14a与第二介电膜14b之间的高度差被表示为图7中的h1。第二介电膜14b和第三介电膜16形成介电积层膜18b。第一实施方式的其它结构和第一比较例的结构相同。
在第一比较例中，第一介电膜对于串联谐振器S1到S3以及并联谐振器P1和P2是均匀的。由此，根据图3，在串联谐振器S1到S3的反谐振频率的TCF与并联谐振器P1和P2的谐振频率的TCF之间存在近似等于20ppm的差别。由此，即使将通带的低频侧(对应于并联谐振器的谐振频率)的肩部处的TCF设置成近似等于零，其高频侧(对应于串联谐振器的反谐振频率)的肩部处的TCF也近似等于-20ppm/℃。
在第一实施方式中，串联谐振器S1到S3的第二介电膜14b比并联谐振器P1和P2的第一介电膜14a厚。由此，可以将并联谐振器P1和P2的谐振频率的TCF和串联谐振器S1到S3的反谐振频率的TCF设置成近似等于零。
根据第一实施方式的梯型滤波器的并联谐振器P1和P2具有设置在压电基板10上的电极12a(第一梳状电极)和覆盖电极12a的第一介电膜14a。而且，串联谐振器S1到S3具有设置在压电基板10上的电极12b(第二梳状电极)和覆盖电极12b的由和第一介电膜14a的材料相同的材料制成但厚度和第一介电膜14a的厚度不同的第二介电膜14b。由此，通过恰当地选择第一介电膜14a的厚度和第二介电膜14b的厚度，通带的两个肩部可以具有相同的TCF。
下面，考虑这样的结构，其中压电基板10由铌酸锂制成而第一介电膜14a和第二介电膜14b由氧化硅制成。参照图3，当第一介电膜14a和第二介电膜14b具有相同的厚度并且将反谐振频率的TCF设置成近似等于零时，谐振频率的TCF近似等于20ppm/℃。当试图将谐振频率的TCF的绝对值减小至上述值的一半(即，10ppm/℃或以下)时，应当将氧化硅膜的厚度减小至0.1λ到0.3λ。即，优选的是，第一介电膜14a与第二介电膜14b之间的厚度差为彼此相差0.1λ到0.3λ。
[第二实施方式]
第二实施方式是其中串联连接单端谐振器和多模滤波器的滤波器。图8是第二实施方式的滤波器的平面图。第一声波滤波器F1的截面和图7所示的第一实施方式的并联谐振器的截面相同，而第二声波滤波器F2的截面和图7所示的第一实施方式的串联谐振器的截面相同。因此，在下面对第二实施方式的说明中将引用图7。参照图8，将第一声波滤波器F1和第二声波滤波器F2串联连接在输入端子Tin与输出端子Tout之间。第一声波滤波器F1是具有一对梳状电极IDT0和在IDT0的两侧处设置的一对反射器R0的单端谐振器。所述一对梳状电极IDT0连接至输入端子Tin和第二声波滤波器F2的输入IDT1。第一声波滤波器F1设置有由第一介电膜14a和第三介电膜16组成的介电积层膜18a。第一声波滤波器F1的电极12a具有180nm的厚度、2μm的周期，以及0.5μm的指宽。第一滤波器F1的第一介电膜14a可以具有1.26μm的厚度，而其第三介电膜16可以具有2μm的厚度。
第二声波滤波器F2是具有输入IDT1、设置在输入ITD1的两侧处的两个输出IDT2以及设置在比两个输出IDT2更外侧的两个反射器R1的双模滤波器(DMS)。输入IDT1连接至第一声波滤波器F1的IDT0，而输出IDT2连接至输出端子Tout。第二声波滤波器F2设置有由第二介电膜14b和第三介电膜16组成的介电积层膜18b。第二声波滤波器F2的电极12b具有180nmn的厚度、1.9μm的周期，以及0.5μm的指宽。第二滤波器F2的第二介电膜14b可以为1.6μm厚，而其第三介电膜16可以为2μm厚。
在第二实施方式中，第一声波滤波器F1的谐振点在通带的低频侧上形成了衰减极点，而第二声波滤波器F2的反谐振点在上述通带的高频侧上形成了衰减极点。由此，如在第一实施方式中的情况下，通过恰当地选择第一介电膜14a的厚度和第二介电膜14b的厚度，可以同时改善通带的两个肩部处的TCF。
[第三实施方式]
第三实施方式是其中串联连接或级联多模滤波器的滤波器。图9是第三实施方式的滤波器的平面图。第三实施方式和图7所示的第二实施方式具有相同截面，在下面对第三实施方式的说明中有时将引用图7。参照图9，第一声波滤波器F3和第二声波滤波器F4串联连接在输入端子Tin与输出端子Tout之间。第一声波滤波器F3是具有输入IDT1、设置在输入ITD1的两侧处的两个输出IDT2以及设置在比两个输出IDT2更外侧的两个反射器R1的双模滤波器。输入IDT1连接至输入端子Tin，而输出IDT2连接至第二声波滤波器F4的输入端子IDT3。第一声波滤波器F3设置有由第一介电膜14a和第三介电膜16组成的介电积层膜18a。第一声波滤波器F3的电极12a具有180nm的厚度、2μm的周期，以及0.5μm的指宽。第一介电膜14a可以为1.26μm厚，而第三介电膜16可以为2μm厚。
第二声波滤波器F4是具有输出IDT4、两个输入ITD3以及设置在比两个输入IDT3更外侧两个反射器R2的双模滤波器。两个输入IDT3连接至第一声波滤波器F3的两个输出IDT2，而输出IDT4连接至输出端子Tout。第二声波滤波器F4设置有由第二介电膜14b和第三介电膜16组成的介电积层膜18b。第二声波滤波器F4的电极12b具有180nm的厚度、1.9μm的周期，以及0.5μm的指宽。第二介电膜14b可以为1.6μm厚，而第三介电膜16可以为2μm厚。
在第三实施方式中，第一声波滤波器F3的谐振点在通带的低频侧上形成了衰减极点，而第二声波滤波器F4的反谐振点在上述通带的高频侧上形成了衰减极点。由此，如在第一实施方式中的情况下，通过恰当地选择第一介电膜14a的厚度和第二介电膜14b的厚度，可以同时改善通带的两个肩部处的TCF。
如上所述，在第二和第三实施方式中，第一介电膜14a和第二介电膜14b可以被设计成具有不同厚度值，其中，第一介电膜14a覆盖第一声波滤波器F1或F3的电极12a(第一梳状电极)，而第二介电膜14b覆盖第二声波滤波器F2或F4的电极12b(第二梳状电极)。第一声波滤波器F1或F3的谐振点形成通带的低频侧上的衰减极点，而第二声波滤波器F2或F4的反谐振点形成通带的高频侧上的衰减极点。由此，如在第一实施方式的情况下，通过恰当地选择第一介电膜14a的厚度和第二介电膜14b的厚度，可以同时改善通带的两个肩部的TCF。
[第四实施方式]
第四实施方式是示例性的双工器。图10是根据第四实施方式的双工器的平面图。第四实施方式具有第一声波滤波器F5和第二声波滤波器F6。第一声波滤波器F5具有和图7所示的第一实施方式的并联谐振器相同的截面，第二声波滤波器F6具有和图7所示的第一实施方式中的串联谐振器相同的截面，在下面对第四实施方式的说明中将引用图7。如图10所示，将第一声波滤波器F5设置在公共端子Ant与第一端子T1之间，并且作为高频侧滤波器进行工作。第二声波滤波器F6设置在公共端子Ant与第二端子T2之间，并且作为低频侧滤波器进行工作。匹配电路(未示出)设置在公共端子Ant与第一滤波器F5和第二滤波器F6中的至少一个之间。
第一声波滤波器F5具有连接在公共端子Ant与第一端子T1之间的串联谐振器S11到S13，和连接在地与插入在相邻串联谐振器之间的节点之间的并联谐振器P11和P12。第一声波滤波器F5设置有由第一介电膜14a和第三介电膜16组成的介电积层膜18a。第一介电膜14a可以为1.26μm厚，而第三介电膜16可以为2μm厚。
第二声波滤波器F6具有连接在公共端子与第二端子T2之间的串联谐振器S21到S23，和连接在地与插入在相邻串联谐振器之间的节点之间的并联谐振器P21和P22。第二声波滤波器F6设置有由第二介电膜14b和第三介电膜16组成的介电积层膜18b。第二介电膜14b可以为1.6μm厚，而第三介电膜16可以为2μm厚。
图11示意性示出了第四实施方式的双工器的带通特性。第一声波滤波器F5和第二声波滤波器F6具有不同的各自通带的中心频率。双工器的滤波器需要在截止频带中具有大的衰减。例如，要求第一声波滤波器F5在第二声波滤波器F6的通带中具有大的衰减。如果截止频带的TCF不同于另一滤波器的通带的TCF，则截止频带和另一滤波器的通带将偏离交叠状态，致使另一滤波器不能在通带中被充分抑制。具体来说，第一声波滤波器F5的通带的低频侧上的肩部c和第二声波滤波器F6的通带的高频侧的肩部d具有急剧变化的衰减。由此，如果肩部c的TCF和肩部d的TCF彼此不同，则另一滤波器的通带中的抑制将突然劣化。由此肩部c和肩部d优选为具有近似等于零的TCF。
在第四实施方式的双工器中，第一声波滤波器F5的第一介电膜14a的厚度不同于第二声波滤波器F6的第二介电膜14b的厚度。由此，通过恰当地选择第一介电膜14a的厚度和第二介电膜14b的厚度，可以同时改善滤波器F5和F6的通带和截止频带的TCF。具体来说，将用于第二声波滤波器F6的串联谐振器S21到S23的第二介电膜14b制成为比用于第一声波滤波器F5的并联谐振器P11和P12的第一介电膜14a厚。由此，可以将第一声波滤波器F5的通带的低频侧上的肩部c的TCF和第二声波滤波器F6的通带的高频侧上的肩部d的TCF设置成近似等于零。由此，可以抑制因温度变化而造成所述多个滤波器中的一个的通带由于另一滤波器而突然劣化。
在第一到第四实施方式中，将第三介电膜16设置在第一介电膜14a和第二介电膜14b上，其中第三介电膜16具有比第一介电膜14a和第二介电膜14b的声速大的声速。由此，可以同时改善声波滤波器的通带的两个肩部的TCF特性，在该声波滤波器中，把界面声波限制在压电基板10的表面中和第一介电膜14a或第二介电膜14b中。
可以将第一到第三实施方式的滤波器和第四实施方式的双工器应用于图12所示使用勒夫波的另一类型的声波器件。参照该图，介电膜14b比第一介电膜14a厚h2。图12所示器件没有设置有图7所示的第一实施方式中所用的第三介电膜16。即使在图12所示器件中，声波在压电基板10的表面和第二介电膜14b中传播。由此，通过使第一介电膜14a和第二介电膜14b具有不同厚度值(如在第一到第四实施方式的情况下)，可以同时改善滤波器的通带的两个肩部的TCF特性。
优选的是，第一介电膜14a和第二介电膜14b由氧化硅制成，但不限于此。
压电基板10可以由钽酸锂代替铌酸锂而制成。图13示出了由钽酸锂制成的压电基板10的谐振频率的TCF和反谐振频率的TCF，其中TCF是氧化硅膜的厚度的函数。如在图3的情况下，作为氧化硅膜的厚度的函数的谐振频率的TCF不同于反谐振频率的TCF。由此，可以将其中第一介电膜14a和第二介电膜14b具有不同厚度值的第一到第四实施方式应用至具有由钽酸锂制成的压电基板的器件。由此，可以同时改善通带的两个肩部的TCF特性。声波在压电基板10的表面中和第一介电膜14a以及第二介电膜14b中传播。由此，具有由钽酸锂制成的压电基板器件的效果类似于第一到第四实施方式的效果。
优选的是，电极12a和12b由具有比形成第一介电膜14a和第二介电膜14b的材料的密度高的密度的材料制成。电极12a和12b由具有比第一介电膜14a和第二介电膜14b的密度高的密度的元素制成，电极12a和12b可以能够非常好地反射声波。电极12a和12b可以被制成薄的。在这点上，电极12a和12b优选地由铜制成。
本发明不限于具体公开的实施方式，而是在不脱离本发明的范围的情况下可以有其它实施方式和变型例。
本申请基于2006年9月25日提交的日本专利申请2006-258956，其全部公开通过引用被并入于此。

Claims (17)

1.一种滤波器，该滤波器包括：
并联谐振器，该并联谐振器具有设置在压电基板上的第一梳状电极，和覆盖该第一梳状电极的第一介电膜；和
串联谐振器，该串联谐振器具有设置在所述压电基板上的第二梳状电极，和覆盖该第二梳状电极并且由和所述第一介电膜的材料相同的材料制成的第二介电膜，
所述第一介电膜具有和所述第二介电膜的厚度不同的厚度。
2.根据权利要求1所述的滤波器，所述滤波器还包括设置在所述第一介电膜和所述第二介电膜上的第三介电膜，
所述第三介电膜具有比所述第一介电膜和所述第二介电膜的声速大的声速。
3.根据权利要求1或2所述的滤波器，其中，所述第一介电膜和所述第二介电膜含有氧化硅。
4.根据权利要求1或2所述的滤波器，其中，所述压电基板含有铌酸锂和钽酸锂中的一种。
5.根据权利要求1或2所述的滤波器，其中，所述第一梳状电极和所述第二梳状电极含有铜。
6.一种滤波器，该滤波器包括：
第一声波滤波器，该第一声波滤波器具有设置在压电基板上的第一梳状电极，和覆盖该第一梳状电极的第一介电膜；和
第二声波滤波器，该第二声波滤波器具有设置在所述压电基板上的第二梳状电极，和覆盖该第二梳状电极并且由和所述第一介电膜的材料相同的材料制成的第二介电膜，
其中，所述第一介电膜具有和所述第二介电膜的厚度不同的厚度，
所述第一声波滤波器和所述第二声波滤波器串联连接。
7.根据权利要求6所述的滤波器，其中，所述第一声波滤波器是单端谐振器，而所述第二声波滤波器是多模声波滤波器。
8.根据权利要求6所述的滤波器，其中，所述第一声波滤波器和所述第二声波滤波器分别是多模声波滤波器。
9.根据权利要求6所述的滤波器，其中，
所述滤波器还包括设置在所述第一介电膜和所述第二介电膜上的第三介电膜，
所述第三介电膜具有比所述第一介电膜和所述第二介电膜的声速大的声速。
10.根据权利要求6所述的滤波器，其中，所述第一介电膜和第二介电膜含有氧化硅。
11.根据权利要求6所述的滤波器，其中，所述压电基板含有铌酸锂和钽酸锂中的一种。
12.根据权利要求6所述的滤波器，其中，所述第一梳状电极和所述第二梳状电极含有铜。
13.一种滤波器，该滤波器包括：
第一声波滤波器，该第一声波滤波器具有设置在压电基板上的第一梳状电极，和覆盖该第一梳状电极的第一介电膜；和
第二声波滤波器，该第二声波滤波器具有设置在所述压电基板上的第二梳状电极，和覆盖该第二梳状电极并且由和所述第一介电膜的材料相同的材料制成的第二介电膜，
所述第一介电膜具有和所述第二介电膜的厚度不同的厚度，
所述第一声波滤波器和所述第二声波滤波器串联连接并且连接至公共端子。
14.根据权利要求13所述的滤波器，其中，
所述滤波器还包括设置在所述第一介电膜和所述第二介电膜上的第三介电膜，
所述第三介电膜具有比所述第一介电膜和所述第二介电膜的声速大的声速。
15.根据权利要求13所述的滤波器，其中，所述第一介电膜和所述第二介电膜含有氧化硅。
16.根据权利要求13所述的滤波器，其中，所述压电基板含有铌酸锂和钽酸锂中的一种。
17.根据权利要求13所述的滤波器，其中，所述第一梳状电极和所述第二梳状电极含有铜。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102204094A (zh) * 2008-11-10 2011-09-28 松下电器产业株式会社 弹性波元件及使用了该弹性波元件的电子设备
CN103329437A (zh) * 2011-01-18 2013-09-25 株式会社村田制作所 弹性表面波滤波器装置
CN105210294A (zh) * 2013-05-13 2015-12-30 株式会社村田制作所 振动装置
CN106664072A (zh) * 2014-07-31 2017-05-10 天工滤波方案日本有限公司 声波滤波器和使用其的双工器
CN107710615A (zh) * 2015-06-25 2018-02-16 株式会社村田制作所 多工器、高频前端电路以及通信装置
CN110022134A (zh) * 2017-12-28 2019-07-16 太阳诱电株式会社 声波器件、滤波器以及复用器
CN110048691A (zh) * 2018-01-12 2019-07-23 太阳诱电株式会社 声波谐振器、滤波器和复用器
CN112352382A (zh) * 2018-06-15 2021-02-09 谐振公司 一种横向激励的薄膜体声波谐振器

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100821483B1 (ko) * 2004-01-19 2008-04-10 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성 경계파 장치
DE102005055870A1 (de) * 2005-11-23 2007-05-24 Epcos Ag Elektroakustisches Bauelement
JP2008078739A (ja) * 2006-09-19 2008-04-03 Fujitsu Media Device Kk 弾性波デバイスおよびフィルタ
EP2104228A4 (en) * 2006-12-25 2014-10-08 Murata Manufacturing Co ELASTIC LIMIT WAVE DEVICE
CN101796727B (zh) * 2007-08-14 2016-04-27 太阳诱电株式会社 弹性边界波装置
JP4775978B2 (ja) * 2007-10-30 2011-09-21 太陽誘電株式会社 弾性波素子、デュープレクサ、通信モジュール、および通信装置
JP2010011440A (ja) * 2008-05-30 2010-01-14 Hitachi Ltd 弾性波装置及びそれを用いた高周波フィルタ
JP5339582B2 (ja) * 2008-07-31 2013-11-13 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス
JP4943462B2 (ja) 2009-02-27 2012-05-30 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス、デュープレクサ、通信モジュール、通信装置、弾性波デバイスの製造方法
JP4841640B2 (ja) * 2009-03-25 2011-12-21 太陽誘電株式会社 弾性波デバイスおよびその製造方法
CN102365822B (zh) * 2009-04-07 2014-07-09 株式会社村田制作所 弹性边界波谐振器以及梯型滤波器
JP5581739B2 (ja) * 2009-04-14 2014-09-03 株式会社村田製作所 弾性境界波装置
WO2010146826A1 (ja) 2009-06-18 2010-12-23 パナソニック株式会社 ラダー型弾性波フィルタ及びこれを用いたデュプレクサ
JP5299521B2 (ja) * 2009-12-15 2013-09-25 株式会社村田製作所 弾性境界波装置
JP5672050B2 (ja) * 2011-02-21 2015-02-18 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ装置
CN103004085B (zh) 2011-06-23 2015-04-15 天工松下滤波方案日本有限公司 梯型弹性波滤波器及使用该弹性波滤波器的天线双工器
KR101853740B1 (ko) 2011-07-27 2018-06-14 삼성전자주식회사 체적 음향 공진기 및 체적 음향 공진기를 이용한 듀플렉서
JP5892762B2 (ja) * 2011-10-12 2016-03-23 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス
JP5877043B2 (ja) * 2011-11-22 2016-03-02 太陽誘電株式会社 デュプレクサ
CN106253877B (zh) 2011-11-30 2019-03-08 天工滤波方案日本有限公司 梯型弹性波滤波器和天线共用器
KR101918282B1 (ko) * 2012-03-23 2018-11-13 삼성전자주식회사 체적 음향 공진기를 이용한 ｒｆ 필터 및 ｒｆ 트랜시버
JP6183932B2 (ja) * 2013-03-15 2017-08-23 スナップトラック・インコーポレーテッド 音響波で動作する共鳴器を備えるリアクタンスフィルタ
US9641151B2 (en) 2014-07-31 2017-05-02 Skyworks Filter Solutions Japan Co., Ltd. Elastic wave filters and duplexers using same
US10355668B2 (en) * 2015-01-20 2019-07-16 Taiyo Yuden Co., Ltd. Acoustic wave device
US10284176B1 (en) * 2015-06-03 2019-05-07 Qorvo Us, Inc. Temperature compensated surface acoustic wave device and methods of manufacturing the same
US10812038B2 (en) * 2015-08-25 2020-10-20 Avago Technologies International Sales Pte. Limited Acoustic wave resonator
JP6494545B2 (ja) * 2016-02-23 2019-04-03 太陽誘電株式会社 デュプレクサ
JP6390819B2 (ja) * 2016-04-25 2018-09-19 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法
US10187039B2 (en) 2016-06-07 2019-01-22 Skyworks Filter Solutions Japan Co., Ltd. Filter devices having reduced spurious emissions from lamb waves
WO2018042964A1 (ja) * 2016-09-05 2018-03-08 株式会社村田製作所 弾性波装置
KR102280381B1 (ko) * 2016-12-20 2021-07-22 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성파 장치, 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치
WO2019049830A1 (ja) * 2017-09-05 2019-03-14 株式会社村田製作所 フィルタ装置およびフィルタ装置の製造方法
JP6913619B2 (ja) * 2017-12-12 2021-08-04 株式会社村田製作所 マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置
WO2019188864A1 (ja) 2018-03-28 2019-10-03 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置
DE102018109974B3 (de) * 2018-04-25 2019-09-12 RF360 Europe GmbH Elektroakustisches Filter, Multiplexer und Verfahren zur Herstellung eines elektroakustischen Filters
US10917072B2 (en) * 2019-06-24 2021-02-09 Resonant Inc. Split ladder acoustic wave filters
US10992284B2 (en) * 2018-06-15 2021-04-27 Resonant Inc. Filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators with multiple frequency setting layers
DE102018124157B4 (de) * 2018-10-01 2023-11-09 Rf360 Singapore Pte. Ltd. Für hohe Frequenzen ausgelegte SAW-Vorrichtung
JP2022524136A (ja) * 2019-03-14 2022-04-27 レゾナント インコーポレイテッド ハーフラムダ誘電体層を有する横方向に励起されたフィルムバルク音響共振器
DE102019121082A1 (de) * 2019-08-05 2021-02-11 RF360 Europe GmbH SAW-Filtervorrichtung mit verbessertem Wärmeverhalten und Verfahren für Design und Herstellung

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06152299A (ja) * 1992-11-09 1994-05-31 Fujitsu Ltd 弾性表面波デバイス
JP3189508B2 (ja) * 1993-07-08 2001-07-16 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ
JP3407459B2 (ja) * 1995-03-23 2003-05-19 株式会社村田製作所 表面波共振子フィルタ
US5632909A (en) * 1995-06-19 1997-05-27 Motorola, Inc. Filter
US5654680A (en) * 1996-01-30 1997-08-05 Motorola, Inc. Saw-based ladder filter including multiple coUpling coefficients (K2), Method therefor and radio incorporating same
CN100347953C (zh) * 1997-05-08 2007-11-07 东芝株式会社 声界面波器件及其制造方法
JP4063414B2 (ja) * 1998-08-25 2008-03-19 沖電気工業株式会社 弾性表面波フィルタ
JP2000196409A (ja) * 1998-12-28 2000-07-14 Kyocera Corp 弾性表面波フィルタ
JP3317274B2 (ja) 1999-05-26 2002-08-26 株式会社村田製作所 弾性表面波装置及び弾性表面波装置の製造方法
US6720842B2 (en) * 2000-02-14 2004-04-13 Murata Manufacturing Co., Ltd. Surface acoustic wave filter device having first through third surface acoustic wave filter elements
JP3435639B2 (ja) * 2000-04-13 2003-08-11 株式会社村田製作所 弾性表面波装置の製造方法及び弾性表面波装置
JP3414384B2 (ja) * 2001-01-12 2003-06-09 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ、およびそれを用いた通信機装置
JP4109877B2 (ja) 2001-03-04 2008-07-02 和彦 山之内 弾性表面波機能素子
JP3801083B2 (ja) 2001-06-06 2006-07-26 株式会社村田製作所 弾性表面波装置
CN1914801B (zh) * 2004-02-06 2011-11-23 松下电器产业株式会社 声表面波滤波器和使用该滤波器的天线共用器
WO2005088835A1 (ja) * 2004-03-12 2005-09-22 Murata Manufacturing Co., Ltd. 分波器及び弾性表面波フィルタ

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102204094A (zh) * 2008-11-10 2011-09-28 松下电器产业株式会社 弹性波元件及使用了该弹性波元件的电子设备
CN102204094B (zh) * 2008-11-10 2014-01-15 松下电器产业株式会社 弹性波元件及使用了该弹性波元件的电子设备
CN103329437A (zh) * 2011-01-18 2013-09-25 株式会社村田制作所 弹性表面波滤波器装置
CN103329437B (zh) * 2011-01-18 2016-03-16 株式会社村田制作所 弹性表面波滤波器装置
CN105210294A (zh) * 2013-05-13 2015-12-30 株式会社村田制作所 振动装置
CN106664072A (zh) * 2014-07-31 2017-05-10 天工滤波方案日本有限公司 声波滤波器和使用其的双工器
CN107710615A (zh) * 2015-06-25 2018-02-16 株式会社村田制作所 多工器、高频前端电路以及通信装置
CN110022134A (zh) * 2017-12-28 2019-07-16 太阳诱电株式会社 声波器件、滤波器以及复用器
CN110048691A (zh) * 2018-01-12 2019-07-23 太阳诱电株式会社 声波谐振器、滤波器和复用器
CN112352382A (zh) * 2018-06-15 2021-02-09 谐振公司 一种横向激励的薄膜体声波谐振器

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KR100900874B1 (ko) 2009-06-04
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US7741931B2 (en) 2010-06-22
JP2008079227A (ja) 2008-04-03

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