CN101147223A - 具有挠性和自由开关膜的rf mems开关 - Google Patents

具有挠性和自由开关膜的rf mems开关 Download PDF

Info

Publication number
CN101147223A
CN101147223A CNA2006800092844A CN200680009284A CN101147223A CN 101147223 A CN101147223 A CN 101147223A CN A2006800092844 A CNA2006800092844 A CN A2006800092844A CN 200680009284 A CN200680009284 A CN 200680009284A CN 101147223 A CN101147223 A CN 101147223A
Authority
CN
China
Prior art keywords
switch
film
mems switch
mems
dielectric layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2006800092844A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101147223B (zh
Inventor
奥利弗·米莱特
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Delfmems SAS
Original Assignee
Delfmems SAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Delfmems SAS filed Critical Delfmems SAS
Publication of CN101147223A publication Critical patent/CN101147223A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101147223B publication Critical patent/CN101147223B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H1/00—Contacts
    • H01H1/0036—Switches making use of microelectromechanical systems [MEMS]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H59/00—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B5/00—Devices comprising elements which are movable in relation to each other, e.g. comprising slidable or rotatable elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H59/00—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays
    • H01H59/0009—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays making use of micromechanics
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/01—Switches
    • B81B2201/012—Switches characterised by the shape
    • B81B2201/018—Switches not provided for in B81B2201/014 - B81B2201/016
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H1/00—Contacts
    • H01H1/0036—Switches making use of microelectromechanical systems [MEMS]
    • H01H2001/0063—Switches making use of microelectromechanical systems [MEMS] having electrostatic latches, i.e. the activated position is kept by electrostatic forces other than the activation force

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Electrotherapy Devices (AREA)
  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
  • Switches That Are Operated By Magnetic Or Electric Fields (AREA)
  • Push-Button Switches (AREA)
  • Burglar Alarm Systems (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

一种RF MEMS开关，其包括由衬底(1)承载的可以在第一位置(断开状态/图1)和第二位置(接通状态)的两个位置之间受驱动的微机械开关装置，以及用于驱动开关装置的位置的驱动装置。微机械开关装置包括由支撑装置(3)自由地支撑的，在驱动装置(7)的动作下可弯曲的，以及可以在其弯曲运动过程中相对于支撑装置(3)自由地滑动的挠性膜(6)。

Description

具有挠性和自由开关膜的RF MEMS开关
技术领域
本发明涉及由微电子机械系统(MEMS)实施的射频(RF)开关的技术领域。
背景技术
微电子机械系统(MEMS)开关现在广泛地用于射频(RF)通信系统，例如相位阵列天线、移相器、可开关调谐部件，等等。
RF MEMS开关本质上是使用电驱动的机械运动以便实现RF传输线中的短路或断路的小型化器件。RF MEMS开关因此本质上包括两个不同装置：
-微机械装置，其将一般地称作“开关装置”，并且能够被移动到两个不同位置：对应于开关的断开状态即其中传输线被断开且不能用于传输RF信号的状态的断开位置，以及对应于开关的接通状态即其中传输线被“闭合”且能够用于传输RF信号的状态的接通位置。
-电装置，其将一般地称作“驱动装置”，所述电子驱动装置一般地用于产生施加到机械开关装置上以便将后者移动到它们的接通位置和/或它们的断开位置的力。
可以基于所使用的电驱动装置即静电的、电磁的、压电的或电热的驱动装置将MEMS RF开关分成几个类别。静电驱动是至今在用的盛行技术，因为它能够达到更短的开关时间(典型地小于200μs)以及近乎零功耗。此外，在RF MEMS开关设计中，可以组合不同的驱动技术(例如，静电电压保持可以结合热驱动)。
也可以基于用于开关传输线的接触将MEMS RF开关分成两个类别即“金属-金属接触开关”或“电容性接触开关”。所谓的金属-金属接触开关(也称作“欧姆接触开关”)典型地用于开关DC～60GHz的信号。电容性开关更特别地用于开关6GHz～120GHz的RF信号。
至今为止，也可以基于它们的微机械开关装置的结构将MEMSRF开关分成两个主要类别。
第一主要类别包括其微机械开关装置包括锚定在开关的衬底上的挠性膜的RF MEMS开关。第二类别包括其微机械开关装置包括自由地装配在开关的衬底上的无应力刚性梁的RF MEMS开关。
具有挠性锚定膜的RF MEMS
在第一配置中，挠性膜在两个末端锚定在衬底上，因此形成桥梁。使用挠性桥梁作为开关元件的MEMS开关例如在下面发表物中公开：美国专利申请2004/0091203号，美国专利6,621,387号，欧洲专利申请EP1343189，PCT申请WO2004/076341。
在第二配置中，挠性膜仅在一个末端锚定在衬底上，因此形成悬臂。使用挠性悬臂膜作为开关元件的MEMS开关例如在美国专利5,638,946号中公开。
具有挠性锚定膜(桥梁或悬臂)作为开关元件的RF MEMS开关的使用遇到以下主要缺点。这些开关对于温度变动以及衬底的机械和/或热变形是非常敏感的(第一主要缺点)。在驱动过程中，当锚定开关膜在驱动装置所产生的力之下变形时，所述膜受到高的机械应力，这又显著地降低RF MEMS开关的寿命(第二主要缺点)。
具有无应力刚性粱的RF MEMS开关
具有无应力刚性梁的RF MEMS开关例如在欧洲专利申请EP1489639中公开。在该发表物中，开关元件是能够在平行于衬底的平面内在接通位置和断开位置之间自由地移动的刚性梁。在另一个变型中，刚性梁可以是能够在垂直于衬底的方向上在接通位置和断开位置之间自由地移动的浮式梁。
该类型的开关有利地克服具有锚定开关膜的RF MEMS开关的上述缺点。作为回报，具有无应力刚性开关梁的这些RF MEMS开关具有较长的开关时间(即在接通位置和断开位置之间移动开关梁所需的时间)。此外，它们对于机械冲击或振动更敏感。
发明内容
发明的主要目的在于提出RF MEMS开关的新结构。
发明的另一个目的在于提出克服使用锚定开关膜的RF MEMS开关的上述缺点的新RF MEMS开关。
发明的另一个目的在于提出与具有无应力刚性开关梁的上述RFMEMS开关相比具有短的开关时间的新RF MEMS开关。
发明的另一个目的在于提出与具有无应力刚性开关梁的上述RFMEMS开关相比对于机械冲击或振动较不敏感的新RF MEMS开关。
发明概要
至少上面的主要目的通过权利要求1的RF MEMS开关获得。
发明的RF MEMS开关包括：
-微机械开关装置，其能够在两个位置之间受驱动：第一位置(断开状态)和第二位置(接通状态)，以及
-驱动装置，其用于驱动开关装置的位置。
根据发明的一个主要新特征，微机械开关装置包括由支撑装置自由地支撑的，在驱动装置的动作下可弯曲的，并且在其弯曲运动过程中能够相对于支撑装置(3)自由地滑动的挠性膜。
这里(在说明书中和在权利要求书中)所使用的措词“自由地支撑”意指开关膜能够在断开位置和接通位置之间的膜的开关运动过程中相对于支撑装置自由地滑动。
附图说明
当阅读下面的作为非详尽的和非限制的例子并且参考附图而做出的详细描述时，发明的其他特征和优点将变得更清楚，其中：
-图1是发明的电容性RF MEMS开关的剖视图(图3的平面1-1中)，开关处于断开状态，
-图2是图1的开关的剖视图，开关处于接通状态，
-图3是电容性RF MEMS开关的顶视图，以及
-图4是在制造过程中且刚好在最终释放步骤之前的开关的剖视图。
具体实施方式
图1～3显示根据发明的优选实施方案制造的电容性RF MEMS开关。为了清楚起见，但是必须强调发明的范围不限于电容性RFMEMS开关，而是也包括欧姆接触RF MEMS开关。图1～3的电容性RF MEMS开关具有现在将详述的新结构，并且能够通过使用常规的表面微机械加工技术来制造。
参考图1，RF MEMS开关包括形成开关的衬底的晶片1(例如，由硅制成)。薄的电介质层2沉积在所述晶片1的表面上。在电介质层2上，开关包括：
-两个隔开且平行的侧部支撑元件3，其在图1的横断方向上延伸(参看图3-方向Y)。
-一个中央支撑元件4，其在基本平行于侧部支撑元件3的主方向的方向上延伸(即在图1的横断方向上-参看图3)，所述中央支撑元件4布置在两个侧部支撑元件3之间，并且优选地处于侧部支撑元件3之间的中央。
与侧部支撑元件3形成对比，中央支撑元件4的上表面由薄的电介质层5覆盖。
两个侧部支撑元件3和电介质层2形成共面波导(CPW)，两个侧部支撑元件3对应与地面线。中央支撑元件4形成RF电信号在共面波导(CPW)中传输的信号线。
侧部和中央支撑元件3，4例如由金属例如金制成。层2和5的电介质材料可以是具有非常低的导电性的任何材料，特别地是聚合物。例如，电介质层2和5由氮化硅制成。
RF MEMS开关还包括由薄的挠性膜6构成的电容性开关元件，该挠性膜6由金属例如铝、金或任何导电合金制成。挠性开关膜6至少由侧部支撑元件3自由地支撑。
参考图3，挠性开关膜6具有主要的中央部件6a以及板形式的两个相对末端6b。在附图的特定实施方案中，中央部件6a是矩形的，并且在侧部支撑元件3上方在横向(X)上延伸。板6b具有在支撑元件3的纵向(Y)上获取的尺寸(E)，其大于矩形部件6a的宽度(e)。挠性膜6的形状对于发明不是重要的。
每个支撑元件3在其顶部还包括形成通道3b的桥梁部分3a，通过通道3b自由地布置膜的中央部件6a。膜的板6b结合桥梁部分3a用作使膜保持在支撑元件3上但不会妨碍膜6在开关的正常使用过程中相对于支撑元件3自由地移动的扣紧装置。
RF MEMS开关还包括静电驱动装置，其用于使膜6弯曲，并且由两个侧部掩埋电极7形成。在图1～3的优选实施方案中，掩埋电极有利地布置在共面波导(CPW)外在开关膜6的两个板6a下方。每个电极7的顶表面由电介质层8覆盖，以便避免膜板6b和电极7之间的任何欧姆接触。电介质层8可以用能够避免膜板6b和电极7之间的欧姆接触的任何其他等效装置代替。
断开状态
图1显示RF MEMS开关的断开状态配置。在该断开状态配置中，没有电驱动信号施加到电极7上。
在断开状态中，开关膜6静止并且与电介质层5接触。信号线4断开并且不能在共面波导(CPW)中传输任何RF信号。
优选地，DC信号施加到中央支撑元件4，以便在膜6上施加小的静电力(F1)并且保持膜6和电介质层5之间的完美接触。所述的断开状态DC电压可以有利地非常低(低消耗)。
该偏置DC信号在当膜静止时电介质层5和膜6之间存在非常小的初始间隙的情况下也是有用的。在这种情况中，偏置DC信号的电压必须是足够的，以便在膜6的中央部分上施加高于膜的反向安静力的接触力F1(图1)。
在断开状态位置中，膜6由三个支撑元件3，4有利地支撑在稳定位置中，因此与使用无应力刚性开关梁(发表物EP 1489639)的RF MEMS开关相比，对于机械振动或冲击较不敏感。
优选地，当膜6处于断开状态位置时，在板6b和侧部支撑元件3的桥梁部分3a之间仍然有小的间隙〔图3-尺寸(d)〕。因此，支撑元件3仅垂直地支撑膜6(图1的方向Z)，并且在平面(X，Y)内在膜上不施加任何机械力。因此，当膜6处于断开状态位置时，在膜6中没有由侧部支撑元件3引起的机械应力。
接通状态
图2显示RF MEMS开关的接通状态配置。在该接通状态配置中，膜6弯曲离开衬底1并且不再与电介质层5接触，RF信号线能够用于传输RF信号。
在该弯曲状态中，平面向外方向上的膜劲度增加，这又增加开关膜6对振动或冲击的抵抗力。
从断开状态到接通状态
为了实现接通状态配置，DC信号施加到电极7上，以便在电极7和膜板6b之间产生静电力(F2)。所述静电力F2结合侧部支撑元件3引起膜的弯曲(图2)，这样，膜6的中央部分6a移离电介质层5(RF信号线闭合)。
必须强调，在膜6的该开关运动过程中(以及在从接通状态到断开状态的反向开关运动过程中)，膜6在所述支撑膜3的通道3b中相对于支撑元件3完全自由地滑动。
由于膜6在开关操作过程中的该自由运动，与膜(桥梁或悬臂)被钳制在支撑结构上的现有技术的RF开关相比，在膜6中有较少的由支撑元件3引起的机械应力。避免了在膜6的末端的由于周期应力引起的机械疲劳和蠕变，并且与使用钳制在衬底上的膜的现有技术RF MEMS开关相比，膜寿命因此有利地增加了。
由于膜6相对于支撑元件自由移动的事实，当RF MEMS开关受到温度变动时，开关膜6的扩张和松弛不引起膜的额外弯曲。因此，与使用钳制在衬底上的膜的现有技术RF MEMS开关形成对比，发明的RF MEMS开关有利地不依赖于温度。
此外，由于使用完全自由的膜6，所以结构不依赖于衬底(晶片)曲率。特别地，例如在热变动或其他机械约束下或在制造过程中，衬底1的小的变形可以发生而不损害开关操作。因此，与使用钳制在衬底上的膜的现有技术RF MEMS开关相比，发明的RF MEMS开关有利地对于衬底变形较不敏感。
一般地，在电容性RF MEMS开关中，由于电介质层的湿度或静电电荷，开关元件在断开状态中粘住电介质层是经常发生的。对于发明的开关，由于使用用于将膜6移向接通状态位置的驱动力(静电力F2)，解决了膜粘在电介质层5上的问题。
从接通状态到断开状态
当电极7上的DC接通状态驱动信号低于预先确定的阈值(拔拉电压)时，静电驱动力F2不再施加到膜6的末端(板6a)上，并且膜6弯回图1的断开状态位置中。膜6从接通状态位置(图2)到断开状态位置(图1)的运动膜6的恢复力引起，归因于膜6的固有劲度。
由于使用膜的固有劲度，从接通状态位置到断开状态位置的运动是非常快的且不需要高的电能。因此，与使用无应力刚性开关梁的RF MEMS开关(发表物EP 1489639)相比，发明的RF MEMS开关的开关时间(在图1～3的特定实施方案的情况下从接通状态到断开状态)是非常短的且不需要电能。
图4/制造工艺
可以通过使用常规的表面微机械加工技术(即通过在晶片上沉积几个层并制作图案)来制造图1～3的RF MEMS开关。
图4显示刚好在制造过程之后并且在释放步骤之前的RF MEMS开关。使用三个牺牲层9，10和11。这些牺牲层可以由任何材料(金属、聚合物、电介质材料)制成。
一个第一牺牲层9用于将膜6沉积到电介质层2上。一旦在最终的释放步骤中去除该牺牲层9，膜6的两个板6b以及在侧部支撑元件3之间延伸的膜6的部分被释放。其他牺牲层10和11用于从电介质层5释放膜6，并且形成侧部支撑元件3(地面线)。
在制造工艺过程中，膜6和电介质层5之间的距离(即牺牲层10的厚度)是非常短的。典型地，该距离小于0.1μm。这有利地涉及膜6和电介质层5的轮廓是相同的。因为在断开状态中膜6处于静止而且不变形并且膜6的轮廓与电介质层5的轮廓是相同的，那么在膜6的断开状态位置中在膜和电介质层5之间获得完美的表面-表面接触。
发明不限于图1～3的优选实施方案，而可以延伸到包括通过支撑元件等自由地支撑在衬底上且在驱动装置的动作下可弯曲的挠性开关膜的所有RF MEMS开关。
驱动装置优选地是静电装置，但不一定是静电装置。
发明允许制造具有非常低的驱动参数、非常快的开关和改善的RF性能的电容性RF MEMS开关。发明更特别地且主要地关注于制造能够在非常高的RF信号频率特别是高于25GHz的RF频率下使用的电容性RF MEMS开关。
但是，发明不限于电容性RF MEMS开关，而也能够用于制造欧姆接触RF MEMS开关(通常也称作“金属-金属接触RF MEMS开关”)。在发明的欧姆接触RF MEMS开关中，挠性且被自由支撑的膜6例如被设计，以便在布置于侧部支撑元件3之间的一个第一金属触点和能够例如与膜6永久接触的第二金属触点之间的接通状态位置中形成短路。在断开状态位置中，膜不再与所述第一金属触点接触。
在电容性RF MEMS开关的情况中，电介质层5可以由膜6承载，而不一定由信号线4承载。可选地，电介质层既可以由信号线4也可以由膜6承载。
在图1～3的优选实施方案中，驱动电极7布置在膜6下方(即在电介质层2和膜6之间)以及在由侧部支撑元件3形成的共面波导(CPW)外部。电极的该特定位置涉及下面的优点。在接通状态配置中，有利地在用于驱动膜6的位置的静电力(F2)和在共面波导中传输的RF信号之间没有相互作用的危险。因此，电极7的表面可以是大的，并且施加到电极7上的“接通状态电压”可以有利地是非常低的。但是，电极7的该特定位置仅是发明的优选特征。在发明的另一个变形中，RF MEMS开关可以例如被设计，使得驱动电极7布置在膜6上。

Claims (11)

1.一种RF MEMS开关，其包括可以在第一位置(断开状态)和第二位置(接通状态)的两个位置之间被驱动的微机械开关装置、以及用于驱动所述开关装置的位置的驱动装置，其特征在于，所述微机械开关装置包括挠性膜(6)，该挠性膜由支撑装置(3)自由地支撑，在所述驱动装置(7)的作用下可弯曲，并且在其弯曲运动过程中相对于所述支撑装置(3)可以自由地滑动。
2.根据权利要求1的RF MEMS开关，其中所述挠性膜(6)在所述第一位置和所述第二位置中的一个上，并且优选地在所述开关断开的所述第一位置(断开状态)上静止。
3.根据权利要求2的RF MEMS开关，其中所述RF MEMS开关包括用于使所述膜(6)保持在其静止位置的静电装置(4)。
4.根据权利要求1～3中的任一项的RF MEMS开关，其中所述膜(6)形成电容性开关元件。
5.根据权利要求4的电容性RF MEMS开关，其中第一电介质层(2)沉积在衬底(1)的表面上，其中所述电容性RF MEMS开关还包括与所述第一电介质层(2)形成共面波导的两个金属支撑元件(3)，并且其中所述膜(6)由所述两个金属支撑元件(3)自由地支撑。
6.根据权利要求5的电容性RF MEMS开关，其中每个支撑元件(3)包括通过它自由地布置所述开关膜(6)的通道(3b)，并且所述膜(6)在其两个末端包括用于将所述膜(6)向所述支撑元件(3)扣紧但在所述膜的开关运动过程中不妨碍所述膜(6)相对于所述支撑元件(3)自由地滑动的两个超尺寸部件(6b)。
7.根据权利要求5或6的电容性RF MEMS开关，其中所述RF MEMS开关包括布置在所述两个金属支撑元件(3)之间的且用作RF信号的信号线的第三金属支撑元件(4)，并且其中至少一个第二电介质层(5)夹置在所述膜(6)和所述第三金属支撑元件(4)之间。
8.根据权利要求7的电容性RF MEMS开关，其中第二电介质层(5)由所述第三金属支撑元件(4)承载。
9.根据权利要求2和8的电容性RF MEMS开关，其中当所述膜(6)处于静止时所述膜(6)与所述第二电介质层(5)接触。
10.根据权利要求1～9中的任一项的RF MEMS开关，其中所述驱动装置是静电装置。
11.根据权利要求5～9中的任一项的电容性RF MEMS开关，其中所述驱动装置是包括用于使所述膜弯离衬底(1)的两个电极(7)的静电装置，并且，其中所述两个电极(7)布置在所述衬底(1)上且在所述共面波导外部。
CN2006800092844A 2005-03-21 2006-03-07 具有挠性和自由开关膜的rf mems开关 Expired - Fee Related CN101147223B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP05370005.0 2005-03-21
EP05370005A EP1705676B9 (en) 2005-03-21 2005-03-21 RF MEMS switch with a flexible and free switch membrane
PCT/EP2006/002076 WO2006099945A1 (en) 2005-03-21 2006-03-07 Rf mems switch a flexible and free switch membrane

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101147223A true CN101147223A (zh) 2008-03-19
CN101147223B CN101147223B (zh) 2010-09-08

Family

ID=34942756

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2006800092844A Expired - Fee Related CN101147223B (zh) 2005-03-21 2006-03-07 具有挠性和自由开关膜的rf mems开关

Country Status (19)

Country Link
US (1) US7834722B2 (zh)
EP (1) EP1705676B9 (zh)
JP (1) JP4637234B2 (zh)
KR (1) KR101230284B1 (zh)
CN (1) CN101147223B (zh)
AT (1) ATE376704T1 (zh)
AU (1) AU2006226642B2 (zh)
BR (1) BRPI0611549A2 (zh)
CA (1) CA2602187C (zh)
DE (1) DE602005003008T2 (zh)
DK (1) DK1705676T3 (zh)
ES (1) ES2296116T3 (zh)
IL (1) IL185992A (zh)
MX (1) MX2007011641A (zh)
PT (1) PT1705676E (zh)
RU (1) RU2433499C2 (zh)
UA (1) UA94039C2 (zh)
WO (1) WO2006099945A1 (zh)
ZA (1) ZA200707988B (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103518248A (zh) * 2011-03-28 2014-01-15 德尔福芒斯公司 Rf mems交叉点式开关及包括rf mems交叉点式开关的交叉点式开关矩阵
CN103762123A (zh) * 2014-01-21 2014-04-30 西安电子科技大学 一种静电驱动双稳态rfmems开关
CN105680132A (zh) * 2016-03-16 2016-06-15 西安电子科技大学 一种太赫兹波阻抗易调谐空气共面波导结构及其制备方法
CN105712292A (zh) * 2014-12-22 2016-06-29 德尔福芒斯公司 具有可移动厚隔膜的微机电系统结构
CN109155221A (zh) * 2016-05-24 2019-01-04 埃尔曼斯公司 一种具有集成传输线的mems膜
CN110212805A (zh) * 2019-05-30 2019-09-06 上海集成电路研发中心有限公司 一种改善翘曲程度的mems结构
CN113195399A (zh) * 2018-10-16 2021-07-30 弗劳恩霍夫应用研究促进协会 作为致动器的弯曲换能器、作为传感器的弯曲换能器、以及弯曲换能器系统

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7627812B2 (en) 2005-10-27 2009-12-01 Microsoft Corporation Variable formatting of cells
US8461948B2 (en) * 2007-09-25 2013-06-11 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Electronic ohmic shunt RF MEMS switch and method of manufacture
DE102009006421A1 (de) * 2009-01-22 2010-07-29 E.G.O. Elektro-Gerätebau GmbH Bedieneinrichtung für ein Elektrogerät
ES2388126T3 (es) * 2009-03-20 2012-10-09 Delfmems Estructura de tipo MEMS con una membrana flexible y medios de accionamiento eléctrico mejorados
US8354899B2 (en) * 2009-09-23 2013-01-15 General Electric Company Switch structure and method
CN102074771A (zh) * 2011-01-06 2011-05-25 东南大学 一种微固支梁式射频开关
US9641174B2 (en) * 2011-04-11 2017-05-02 The Regents Of The University Of California Use of micro-structured plate for controlling capacitance of mechanical capacitor switches
US9085454B2 (en) * 2011-07-05 2015-07-21 Duality Reality Energy, LLC Reduced stiffness micro-mechanical structure
WO2013112608A1 (en) 2012-01-23 2013-08-01 The Regents Of The University Of Michigan Photoconductive device with plasmonic electrodes
EP2969912A4 (en) 2013-03-15 2016-11-09 Wispry Inc DEVICES AND METHODS FOR CONTROLLING AND SEPARATING ACTUATOR PLATES
FR3006808B1 (fr) * 2013-06-06 2015-05-29 St Microelectronics Rousset Dispositif de commutation integre electriquement activable
US9859079B2 (en) 2013-08-06 2018-01-02 The Regents Of The University Of Michigan Reconfigurable device for terahertz (THz) and infrared (IR) filtering and modulation
RU2527942C1 (ru) * 2013-11-05 2014-09-10 Общество С Ограниченной Ответственностью "Научно-Производственное Предприятие "Технология" Способ изготовления электростатического силового мэмс ключа
EP3038125A1 (en) * 2014-12-22 2016-06-29 DelfMEMS SAS Mems structure with multilayer membrane
FR3031098A1 (fr) * 2014-12-26 2016-07-01 Delfmems Dispositif microelectromecanique ou nanoelectromecanique comportant une membrane mobile en translation et une electrode d'actionnement isolee de la membrane par une couche dielectrique
FR3031096A1 (fr) * 2014-12-26 2016-07-01 Delfmems Dispositif microelectromecanique ou nanoelectromecanique comportant une membrane qui est mobile en translation et est profilee pour reduire les courts-circuits et la formation d'arcs electriques
WO2016196309A2 (en) 2015-05-27 2016-12-08 The Regents Of The University Of California Terahertz endoscopy through laser-driven terahertz sources and detectors
KR102557074B1 (ko) * 2015-12-07 2023-07-18 닐스 아에이지 줄 에일러센 로드 셀
KR200480523Y1 (ko) 2015-12-31 2016-06-29 한지흠 펄스모양 회전축을 구비한 중풍 손 물리치료 기구
KR200481233Y1 (ko) 2015-12-31 2016-09-01 한지흠 마비된 중풍 손가락의 관절과 근육 물리치료용 운동기구
RU169456U1 (ru) * 2016-07-06 2017-03-21 Общество с ограниченной ответственностью "Базовые технологии" Трехбитный РЧ МЭМС варактор
EP3612812A4 (en) 2017-04-20 2021-01-06 The Regents of the University of California SYSTEMS AND PROCEDURES FOR HIGH FREQUENCY NANOSCOPY
WO2018223068A1 (en) 2017-06-01 2018-12-06 The Regents Of The University Of California Metallo-graphene nanocomposites and methods for using metallo-graphene nanocomposites for electromagnetic energy conversion
RU2705564C1 (ru) * 2018-12-20 2019-11-08 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет) Интегральный микроэлектромеханический переключатель
RU2705792C1 (ru) * 2018-12-26 2019-11-12 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет) Интегральный микроэлектромеханический переключатель
US11906424B2 (en) 2019-10-01 2024-02-20 The Regents Of The University Of California Method for identifying chemical and structural variations through terahertz time-domain spectroscopy

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6717496B2 (en) * 2001-11-13 2004-04-06 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Electromagnetic energy controlled low actuation voltage microelectromechanical switch
US20040050674A1 (en) * 2002-09-14 2004-03-18 Rubel Paul John Mechanically bi-stable mems relay device
KR100513723B1 (ko) * 2002-11-18 2005-09-08 삼성전자주식회사 Ｍｅｍｓ스위치
JP4066928B2 (ja) 2002-12-12 2008-03-26 株式会社村田製作所 Ｒｆｍｅｍｓスイッチ
JP2004319215A (ja) * 2003-04-15 2004-11-11 Murata Mfg Co Ltd 静電駆動素子
US6882256B1 (en) * 2003-06-20 2005-04-19 Northrop Grumman Corporation Anchorless electrostatically activated micro electromechanical system switch
JP4364565B2 (ja) * 2003-07-02 2009-11-18 シャープ株式会社 静電アクチュエーター，マイクロスイッチ，マイクロ光スイッチ，電子機器および静電アクチュエーターの製造方法
FR2858459B1 (fr) * 2003-08-01 2006-03-10 Commissariat Energie Atomique Commutateur micro-mecanique bistable, methode d'actionnement et procede de realisation correspondant
US20070188846A1 (en) * 2003-09-03 2007-08-16 Slicker James M MEMS switch with bistable element having straight beam components
US7348870B2 (en) * 2005-01-05 2008-03-25 International Business Machines Corporation Structure and method of fabricating a hinge type MEMS switch

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103518248A (zh) * 2011-03-28 2014-01-15 德尔福芒斯公司 Rf mems交叉点式开关及包括rf mems交叉点式开关的交叉点式开关矩阵
CN103762123A (zh) * 2014-01-21 2014-04-30 西安电子科技大学 一种静电驱动双稳态rfmems开关
CN105712292A (zh) * 2014-12-22 2016-06-29 德尔福芒斯公司 具有可移动厚隔膜的微机电系统结构
CN105680132A (zh) * 2016-03-16 2016-06-15 西安电子科技大学 一种太赫兹波阻抗易调谐空气共面波导结构及其制备方法
CN105680132B (zh) * 2016-03-16 2018-06-29 西安电子科技大学 一种太赫兹波阻抗易调谐空气共面波导结构及其制备方法
CN109155221A (zh) * 2016-05-24 2019-01-04 埃尔曼斯公司 一种具有集成传输线的mems膜
CN109155221B (zh) * 2016-05-24 2020-03-10 埃尔曼斯公司 一种具有集成传输线的mems膜
CN113195399A (zh) * 2018-10-16 2021-07-30 弗劳恩霍夫应用研究促进协会 作为致动器的弯曲换能器、作为传感器的弯曲换能器、以及弯曲换能器系统
CN110212805A (zh) * 2019-05-30 2019-09-06 上海集成电路研发中心有限公司 一种改善翘曲程度的mems结构

Also Published As

Publication number Publication date
KR20080004467A (ko) 2008-01-09
BRPI0611549A2 (pt) 2010-09-21
KR101230284B1 (ko) 2013-02-06
IL185992A (en) 2011-08-31
AU2006226642B2 (en) 2010-11-11
ZA200707988B (en) 2008-06-25
UA94039C2 (en) 2011-04-11
RU2007134310A (ru) 2009-04-27
EP1705676A1 (en) 2006-09-27
RU2433499C2 (ru) 2011-11-10
CA2602187A1 (en) 2006-09-28
DE602005003008T2 (de) 2008-08-14
MX2007011641A (es) 2008-01-18
US20080237024A1 (en) 2008-10-02
AU2006226642A1 (en) 2006-09-28
DE602005003008D1 (de) 2007-12-06
WO2006099945A1 (en) 2006-09-28
US7834722B2 (en) 2010-11-16
JP2008533690A (ja) 2008-08-21
ATE376704T1 (de) 2007-11-15
DK1705676T3 (da) 2008-02-18
CN101147223B (zh) 2010-09-08
CA2602187C (en) 2014-05-06
IL185992A0 (en) 2008-01-20
EP1705676B1 (en) 2007-10-24
EP1705676B9 (en) 2010-08-11
JP4637234B2 (ja) 2011-02-23
ES2296116T3 (es) 2008-04-16
PT1705676E (pt) 2008-02-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101147223B (zh) 具有挠性和自由开关膜的rf mems开关
US6307169B1 (en) Micro-electromechanical switch
EP1535297B1 (en) Diaphragm activated micro-electromechanical switch
EP1807856B1 (en) Spring structure for mems device
US7605675B2 (en) Electromechanical switch with partially rigidified electrode
US8446070B2 (en) Micro-electro-mechanical device with a piezoelectric actuator
US7583169B1 (en) MEMS switches having non-metallic crossbeams
US20070024403A1 (en) MEMS switch actuated by the electrostatic force and piezoelectric force
KR20080087730A (ko) Ｍｅｍｓ 디바이스 및 상기 ｍｅｍｓ 디바이스를 구비한휴대용 통신 단말기
JP4739173B2 (ja) マイクロスイッチング素子
EP2230679B1 (en) Mems structure with a flexible membrane and improved electric actuation means
JP2006159356A (ja) 圧電駆動型ｍｅｍｓ装置
US8207460B2 (en) Electrostatically actuated non-latching and latching RF-MEMS switch
KR100619110B1 (ko) 미세전자기계적 스위치 및 그 제조 방법
US7109560B2 (en) Micro-electromechanical system and method for production thereof
KR100977917B1 (ko) 마이크로-전자기계 시스템을 갖춘 마이크로스위치
CN101465242A (zh) 具有改进的关态电压控制的mems开关

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20100908

Termination date: 20160307