CN102074771A - 一种微固支梁式射频开关 - Google Patents

一种微固支梁式射频开关 Download PDF

Info

Publication number
CN102074771A
CN102074771A CN2011100017776A CN201110001777A CN102074771A CN 102074771 A CN102074771 A CN 102074771A CN 2011100017776 A CN2011100017776 A CN 2011100017776A CN 201110001777 A CN201110001777 A CN 201110001777A CN 102074771 A CN102074771 A CN 102074771A
Authority
CN
China
Prior art keywords
transmission line
microwave transmission
cpw
clamped beam
switch
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2011100017776A
Other languages
English (en)
Inventor
乔志斌
宋竟
黄庆安
唐洁影
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Southeast University
Original Assignee
Southeast University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Southeast University filed Critical Southeast University
Priority to CN2011100017776A priority Critical patent/CN102074771A/zh
Publication of CN102074771A publication Critical patent/CN102074771A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Micromachines (AREA)

Abstract

本发明公开了一种微固支梁式射频开关,包括:衬底硅片(1),其从左到由分布有左端CPW微波传输线(21)、中间CPW微波传输线(22)、右端CPW微波传输线(23);介质二氧化硅层(3),位于中间CPW微波传输线(22)的顶部;具有内应力的双端固支梁(4),位于介质二氧化硅层(3)的上方,其两端分别与左端CPW微波传输线(21)和右端CPW微波传输线(23),双端固支梁(4)两端与左、右CPW微波传输线连接的弯曲部分为锚区(6);顶部电极(5),位于两端固支梁(4)的上方,其两端与衬底硅片(1)相连。本发明结构简单,易于实现,可以用来提高射频开关的隔离度和插入损耗,很大的提高了开关的性能。

Description

一种微固支梁式射频开关
技术领域
本发明涉及微电子机械系统制造、性能及其可靠性测试的技术领域,尤其涉及一种用于MEMS(微机械系统)的微固支梁式射频开关。
背景技术
微固支梁是许多MEMS器件的基本构件。微固支梁在制作过程中,会由于各种原因导致应力较大,从而引起的弯曲变形,甚至粘附问题。因此,如何较好的利用这些应力梁成为一个急待解决的问题。由于与集成电路的制造工艺相兼容,用固支梁构成的电容式射频开关,可以实现大批来那个生产,且采用静电驱动的方式有许多优点如:零直流功耗,小的电极尺寸,较薄的薄膜,相对短的开关时间等等。
发明内容
为解决上述现有技术存在的问题,本发明提供一种应用有内应力固支梁来构造的微固支梁式射频开关。
本发明所述微固支梁式射频开关为电容式开关,包括:
衬底硅片,其从左到由分布有左端CPW微波传输线、中间CPW微波传输线、右端CPW微波传输线;
介质二氧化硅层,位于中间CPW微波传输线的顶部;
具有内应力的双端固支梁,位于介质二氧化硅层的上方,其两端分别与左端CPW微波传输线和右端CPW微波传输线,双端固支梁两端与左、右CPW微波传输线连接的弯曲部分为锚区; 
上述CPW传输线由磁控溅射金属金构成,上述双端固支梁的材质为金,具有内应力,中间部分向内自然下弯。上述顶部电极为金电极,用于向固支梁施加静电驱动力。
本发明充分结合具有内应力的固支梁和电容式射频MEMS开关的技术,使双端固支梁由于内应力和锚区压应力,发生弯曲形变。然后利用静电驱动的方式控制弯曲形变的方向,化不利因素为提高开关性能的有利条件,通过简单的结构就可以实现高的隔离度,
-1-
有效提高射频开关的插入损耗,从而大大提高了开关的射频性能。
附图说明
图1为本发明的结构示意图。
图2为本发明在up状态时的示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作更进一步的说明。
如图1所示,本发明为电容式开关,衬底硅片(1)从左到由分布有左端CPW微波传输线(21)、中间CPW微波传输线(22)、右端CPW微波传输线(23),中间CPW微波传输线(22)的顶部覆盖有介质二氧化硅层(3)、双端固支梁(4)位于介质二氧化硅层(3)的上方,其两端通过向内弯曲的锚区(6),分别与左端CPW微波传输地线(21)和右端CPW微波传输地线(23),相连;顶部电极(5)位于双端固支梁(4)的上方,其两端与衬底硅片(1)相连。
本发明采由现有微机械系统加工工艺来进行制备,首先通过标准工艺先刻蚀出CPW传输线,然后制作双端固支梁,制作时先用各向异性粒子刻蚀的方法,定义向内弯曲的锚区,然后用磁控溅射的方法,溅射金属金,图形化刻蚀开关结构,控制磁控溅射条件使其具有内应力,加上锚区对其的压应力,使固支梁自然发生弯曲变形。最后再通过标准光刻刻蚀溅射工艺,制备上层电极,上层电极用来施加静电驱动力。
本发明的工作原理是:利用静电驱动的原理,当在顶部电极(中间传输线)和双端固支梁上施加直流电压,由于静电力吸引,使得双端固支梁弯曲形变方向改变,从而改变双端固支梁与中间CPW微波传输线的距离,提高隔离度和插入损耗。
本发明的工作过程如下:
测量时,当开关在down态时,可在双端固支梁(4)和中间传输线(22)上施加电压,来产生静电驱动吸引力,使双端固支梁(4)向下面弯曲。这样由于弯曲部分增大了同中间传输线(22)的接触面积,从而可以很好的减小插入损耗。当开关在up态时,可在上电极(5)和双端固支梁(4)上施加电压,来产生静电驱动吸引力,使双端固支梁(4)向上面弯曲。这样增大了固支梁弯曲部分同中间传输线(22)的距离,减小了电容,从而有效的提高了隔离度。

Claims (2)

1.一种微固支梁式射频开关,其特征在于包括:
衬底硅片(1),其从左到由分布有左端CPW微波传输线(21)、中间CPW微波传输线(22)、右端CPW微波传输线(23);
介质二氧化硅层(3),位于中间CPW微波传输线(22)的顶部;
具有内应力的双端固支梁(4),位于介质二氧化硅层(3)的上方,其两端分别与左端CPW微波传输线(21)和右端CPW微波传输线(23),双端固支梁(4)两端与左、右CPW微波传输线连接的弯曲部分为锚区(6);
顶部电极(5),位于两端固支梁(4)的上方,其两端与衬底硅片(1)相连。
2.如权利要求1所述的微固支梁式射频开关,其特征在于上述双端固支梁(4)的中间部分向内自然下弯。
CN2011100017776A 2011-01-06 2011-01-06 一种微固支梁式射频开关 Pending CN102074771A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2011100017776A CN102074771A (zh) 2011-01-06 2011-01-06 一种微固支梁式射频开关

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2011100017776A CN102074771A (zh) 2011-01-06 2011-01-06 一种微固支梁式射频开关

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102074771A true CN102074771A (zh) 2011-05-25

Family

ID=44033187

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2011100017776A Pending CN102074771A (zh) 2011-01-06 2011-01-06 一种微固支梁式射频开关

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102074771A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109932561A (zh) * 2019-03-27 2019-06-25 南京邮电大学 基于复合拱形梁的微波功率传感器
CN114551166A (zh) * 2022-02-22 2022-05-27 北京京东方光电科技有限公司 微机电系统开关及其制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1311158A (zh) * 2001-03-23 2001-09-05 中国科学院上海冶金研究所 一种射频微电子机械单刀双掷开关及其制造方法
US20040091203A1 (en) * 2000-09-07 2004-05-13 Teraop (Usa) Inc. Ultra-fast RF MEMS switch and method for fast switching of RFsignals
US20080237024A1 (en) * 2005-03-21 2008-10-02 Olivier Millet Rf Mems Switch With a Flexible and Free Switch Membrane

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040091203A1 (en) * 2000-09-07 2004-05-13 Teraop (Usa) Inc. Ultra-fast RF MEMS switch and method for fast switching of RFsignals
CN1311158A (zh) * 2001-03-23 2001-09-05 中国科学院上海冶金研究所 一种射频微电子机械单刀双掷开关及其制造方法
US20080237024A1 (en) * 2005-03-21 2008-10-02 Olivier Millet Rf Mems Switch With a Flexible and Free Switch Membrane

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109932561A (zh) * 2019-03-27 2019-06-25 南京邮电大学 基于复合拱形梁的微波功率传感器
CN114551166A (zh) * 2022-02-22 2022-05-27 北京京东方光电科技有限公司 微机电系统开关及其制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100726436B1 (ko) 정전기력 및 압전력에 의해 구동되는 멤스 스위치
US7978045B2 (en) Multi-actuation MEMS switch
US6982616B2 (en) Switch with current potential control
CN102486972B (zh) 双通道射频mems开关及其制造方法
TWI425547B (zh) Cmos微機電開關結構
JP2007006696A (ja) 静電アクチュエータ、静電アクチュエータを有するデバイス、このようなデバイスを有するマイクロシステム及びこのようなアクチュエータの製造方法
CN110853985B (zh) 一种并联式电容开关
CN103518248A (zh) Rf mems交叉点式开关及包括rf mems交叉点式开关的交叉点式开关矩阵
CN114758928A (zh) 一种直板型实用化射频mems开关
CN102074771A (zh) 一种微固支梁式射频开关
CN103843089A (zh) 具有可动电极的可动电气设备
CN101777461A (zh) 一种低应力高可靠的射频微机械系统电容式开关
CN102324344B (zh) 一种带有可双向推拉的梳齿单元的射频微机械开关
CN103943420A (zh) Mems继电器、悬臂梁开关及其形成方法
CN109375096B (zh) 一种基于柔性基板弯曲条件下的rf mems静电驱动开关微波特性分析方法
CN111627759B (zh) 一种基于驻极体的可重构驱动电压rf mems开关及其制备方法
CN202085146U (zh) 具有低驱动电压的射频微机械系统电容式并联开关
CN104021995B (zh) 基于静电斥力的电容式射频mems开关
CN112839429A (zh) 一种环形触点射频微机械开关及其制备方法
CN111180837B (zh) 一种抗粘附的射频机械开关及其制备方法
TWI384518B (zh) 低吸附電壓之射頻微機電開關及其製造方法
CN106698322A (zh) 一种静电驱动结构及其制作方法
Yang et al. Design and fabrication of dual substrate RF MEMS switch with low actuation voltage
CN201886965U (zh) 常关态场发射型射频微机械开关
CN214381559U (zh) 一种环形触点射频微机械开关

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C12 Rejection of a patent application after its publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20110525