RU2527942C1 - Способ изготовления электростатического силового мэмс ключа - Google Patents

Способ изготовления электростатического силового мэмс ключа Download PDF

Info

Publication number
RU2527942C1
RU2527942C1 RU2013148911/07A RU2013148911A RU2527942C1 RU 2527942 C1 RU2527942 C1 RU 2527942C1 RU 2013148911/07 A RU2013148911/07 A RU 2013148911/07A RU 2013148911 A RU2013148911 A RU 2013148911A RU 2527942 C1 RU2527942 C1 RU 2527942C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
membrane
circuit board
silicon
micromechanical element
frame
Prior art date
Application number
RU2013148911/07A
Other languages
English (en)
Inventor
Владимир Викторович Амеличев
Владимир Витальевич Платонов
Сергей Сергеевич Генералов
Сергей Александрович Поломошнов
Сергей Владимирович Шаманаев
Анастасия Владимировна Якухина
Original Assignee
Общество С Ограниченной Ответственностью "Научно-Производственное Предприятие "Технология"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Общество С Ограниченной Ответственностью "Научно-Производственное Предприятие "Технология" filed Critical Общество С Ограниченной Ответственностью "Научно-Производственное Предприятие "Технология"
Priority to RU2013148911/07A priority Critical patent/RU2527942C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2527942C1 publication Critical patent/RU2527942C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Micromachines (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области электротехники, а именно к способу изготовления электростатического силового микроэлектромеханического ключа, в котором формируется плоскопараллельное соединение поверхности кремниевого кристалла и печатной платы за счет сформированного микрорельефа на соединяемой поверхности кремниевого кристалла с использованием проводящего клеевого соединения. Обеспечение заданного зазора между подвижной структурой кремниевого кристалла и печатной платой и создание за счет этого оптимального соотношения между величиной управляющего напряжения и жесткостью подвижной структуры кремниевого кристалла является техническим результатом изобретения. Способ изготовления микромеханического элемента включает формирование на подложке кремния (1) технологической мембраны (2), выступов (3), рабочей мембраны (5), микрорельефа (4), приповерхностного высоколегированного n+ слоя (6) и изоляции (7) фотолитографией, формирование металлического шунта (8) путем напыления золота на подслой вольфрама и формирование подвижного электрода в виде консоли с гибкими поддерживающими балками сквозным плазмохимическим травлением щелевидных отверстий (9) в рабочей мембране, а также изготовление металлической печатной платы (10), силовых шин (11), нижнего электрода (12) и рамки для верхнего электрода (13), с последующим соединением микромеханического элемента и металлической печатной платы при помощи проводящего клея. 4 з.п. ф-лы, 9 ил.

Description

Изобретение относится к микроструктурным микроэлектромеханическим системам. Изобретение может быть использовано в коммутирующих устройствах цепей питания и управления изделий бортовой и космической аппаратуры, автоэлектронике, бытовых устройствах, схемах управления электродвигателями и компрессорами, защитных устройствах различного назначения.
Известен способ изготовления электростатического реле по патенту США US 6486425 (МПК H01H 59/0009, опубликован 26.11.2002 г.). Признаками аналога, совпадающими с существенными признаками заявляемого изобретения, являются следующие операции способа: изготовление микромеханического элемента, в котором на первом этапе на обратной стороне подложки кремния формируют глубоким анизотропным травлением технологическую мембрану, затем с лицевой стороны кремниевой подложки жидкостно-химическим травлением формируют выступы на технологической мембране, на лицевой стороне формируют изоляционный слой, после чего формируют металлический шунт; с лицевой стороны формируют подвижный электрод в виде консоли с гибкими поддерживающими балками сквозным плазмохимическим травлением щелевидных отверстий; изготовление основания, содержащего силовые шины и нижний электрод; соединение микромеханического элемента и основания.
В отличие от заявляемого изобретения рабочую мембрану формируют после процесса соединения подложки и основания, материалом основания по указанному патенту является стекло.
Наиболее близким по совокупности существенных признаков к предлагаемому изобретению является способ изготовления электростатического ключа, описанный в заявке США US 2008223700 (МПК H01H 59/00, опубликовано 19.09.2008 г.). Признаками аналога, совпадающими с существенными признаками заявляемого изобретения, являются следующие операции способа: изготовление микромеханического элемента, в котором формируют приповерхностный высоколегированный n+слой путем диффузии фосфора, формируют металлический шунт с напылением золота; формируют подвижный электрод в виде консоли; изготовление основания, содержащего силовые шины и нижний электрод; соединение микромеханического элемента и основания.
Недостатками данного технического решения являются высокое управляющее напряжение и низкий максимально допустимый ток коммутации.
Задачей изобретения является разработка способа изготовления электростатического МЭМС ключа, где основанием является печатная плата с обеспечением заданного зазора между подвижным электродом и печатной платой.
Технический результат заключается в обеспечении плоскопараллельного соединения поверхности кремниевого кристалла и печатной платы, обеспечении заданного зазора между подвижной структурой кремниевого кристалла и печатной платой, что определяет оптимальное соотношение между величиной управляющего напряжения и жесткостью подвижной структуры кремниевого кристалла.
Для достижения вышеуказанного технического результата способ изготовления электростатического силового МЭМС ключа включает изготовление микромеханического элемента, в котором на первом этапе на обратной стороне подложки кремния формируют глубоким анизотропным травлением технологическую мембрану, затем с лицевой стороны кремниевой подложки формируют маску нитрида кремния и проводят глубокое термическое окисление кремния в парах воды с последующим жидкостно-химическим травлением с образованием выступов на технологической мембране, далее с лицевой стороны путем анизотропного травления через маску формируют рабочую мембрану и микрорельеф на кремниевой рамке микромеханического элемента, с лицевой и обратной сторон подложки формируют приповерхностный высоколегированный n+ слой путем диффузии фосфора из парогазовой фазы с последующим удалением жидкостно-химическим методом образующегося фосфоросиликатного стекла, на лицевой стороне формируют изоляционный слой путем окисления с последующим осаждением нитрида кремния и формированием рисунка изоляции фотолитографией, после чего обратной фотолитографией формируют металлический шунт путем напыления золота на подслой вольфрама; с лицевой стороны формируют подвижный электрод в виде консоли с гибкими поддерживающими балками сквозным плазмохимическим травлением щелевидных отверстий в рабочей мембране; изготовление металлической печатной платы, на которой на диэлектрический слой методом накатки медной фольги и иммерсионным осаждением золота и фотолитографии формируют силовые шины, нижний электрод и рамку для верхнего электрода; соединение микромеханического элемента и металлической печатной платы при помощи проводящего клея в месте совмещения рамки для верхнего электрода, расположенной на металлической печатной плате, и кремниевой рамки микромеханического элемента с микрорельефом.
От прототипа способ изготовления электростатического силового МЭМС ключа отличается тем, что при изготовлении микромеханического элемента на первом этапе на обратной стороне подложки кремния формируют глубоким анизотропным травлением технологическую мембрану, затем с лицевой стороны кремниевой подложки формируют маску нитрида кремния и проводят глубокое термическое окисление кремния в парах воды с последующим жидкостно-химическим травлением с образованием выступов на технологической мембране, далее с лицевой стороны путем анизотропного травления через маску формируют рабочую мембрану и микрорельеф на кремниевой рамке микромеханического элемента, на лицевой стороне формируют изоляционный слой путем окисления с последующим осаждением нитрида кремния и формированием рисунка изоляции фотолитографией, с лицевой стороны формируют подвижный электрод в виде консоли с гибкими поддерживающими балками сквозным плазмохимическим травлением щелевидных отверстий в рабочей мембране; основание изготавливают в виде металлической печатной платы, на которой на диэлектрический слой методом накатки медной фольги и иммерсионным осаждением золота и фотолитографии формируют силовые шины, нижний электрод и рамку для верхнего электрода; соединяют микромеханический элемент и металлическую печатную плату при помощи проводящего клея в месте совмещения рамки для верхнего электрода, расположенной на металлической печатной плате, и кремниевой рамки микромеханического элемента с микрорельефом.
При соединении клеевым способом поверхности кремниевого кристалла и печатной платы, клей заполняет объем сформированного микрорельефа, обеспечивая минимальное содержание клея и минимальный зазор между соединяемыми плоскостями. Использование данного соединения позволяет наиболее точно обеспечивать заданные зазоры между элементами структуры кремниевого кристалла и печатной платы. Использование данного соединения позволяет снизить напряжение включения силового МЭМС ключа, а также обеспечить последовательно-параллельные схемы из кремниевых кристаллов силовых МЭМС ключей на металлической печатной плате.
В частном случае выполнения изобретения технологическую мембрану формируют толщиной 35-40 мкм.
В частном случае выполнения изобретения рабочую мембрану формируют толщиной 20-25 мкм.
В частном случае выполнения изобретения формируют приповерхностный высоколегированный n+слой с поверхностным сопротивлением 5-10 Ом на квадрат.
В частном случае выполнения изобретения металлический шунт формируют путем напыления золота толщиной 1 мкм на подслой вольфрама толщиной 0,05 мкм.
Совокупность признаков, характеризующих изобретение, позволяет изготовить силовой МЭМС ключ с более низким управляющим напряжением и большим максимально допустимым током коммутации.
Изобретение поясняется чертежами, где
на фиг.1 - кремниевый кристалл;
на фиг.2 - формирование технологической мембраны;
на фиг.3 - формирование выступов;
на фиг.4 - формирование рабочей мембраны и выступов;
на фиг.5 - формирование приповерхностного высоколегированного n+ слоя;
на фиг.6 - формирование изоляционного слоя;
на фиг.7 - формирование металлического шунта;
на фиг.8 - формирование подвижного электрода;
на фиг.9 - соединение чувствительного элемента силового МЭМС ключа с металлической печатной платой.
Способ изготовления электростатического силового МЭМС ключа включает следующие операции.
В качестве исходного материала для создания кремниевого кристалла силового МЭМС ключа используют подложки монокристаллического электронного кремния типа КЭФ-4,5 (100) 420-430 мкм с двусторонней полировкой (Фиг.1).
Формирование технологической мембраны (2) при помощи глубокого анизотропного травления в 33% растворе КОН толщиной 35-40 мкм. (Фиг.2).
Формирование выступов (3) проводится методом локального глубокого термического окисления кремния с использованием маски (Si3N4) в парах воды при температуре 950°C, с образованием и последующим удалением 2,0 мкм SiO2 методом житкостно-химического травления (Фиг.3).
Формирование микрорельефа (4) и мембраны подвижного электрода (5) при помощи анизотропного травления кремниевой пластины в 33% растворе КОН (Фиг.4).
Создание приповерхностного высоколегированного n+ слоя (6) с поверхностным сопротивлением 5-10 Ом на квадрат путем диффузии фосфора из парогазовой фазы при температуре 950°С с последующим удалением образующегося фосфоросиликатного стекла (Фиг.5).
Формирование изоляционного слоя путем окисления пластины до 0,65 мкм SiO2 с последующим осаждением 0,19 мкм Si3N4 и формированием рисунка изоляции (7) в фотолитографическом цикле (Фиг.6).
Формирование металлического шунта (8) при помощи напыления 1 мкм золота на подслой 0,05 мкм вольфрама с использованием обратной фотолитографии (Фиг.7).
Формирование подвижного электрода в виде консоли с выполненными в ней симметричными щелевидными отверстиями (9), образующими гибкие поддерживающие балки при помощи процесса глубокого плазмохимического травления кремния (Bosch-процесса) (Фиг.8).
Соединение микромеханического элемента силового МЭМС ключа с металлической печатной платой (10), на которой на диэлектрическом слое методом накатки медной фольги и иммерсионным осаждением золота и фотолитографией сформированы силовые шины (11), нижний электрод (12) и рамка для верхнего электрода (13) с использованием проводящего клея в месте совмещения рамки для верхнего электрода, расположенной на металлической печатной плате, и области микрорельефа (4) микромеханического элемента. Микрорельеф обеспечивает распределение клея таким образом, что позволяет провести плоскопараллельное соединение микромеханического элемента и металлической печатной платы с требуемым зазором между нижним и верхним электродами.

Claims (5)

1. Способ изготовления электростатического силового микроэлектромеханического ключа, включающий изготовление микромеханического элемента, в котором на первом этапе на обратной стороне подложки кремния формируют глубоким анизотропным травлением технологическую мембрану, затем с лицевой стороны кремниевой подложки формируют маску нитрида кремния и проводят глубокое термическое окисление кремния в парах воды с последующим жидкостно-химическим травлением с образованием выступов на технологической мембране, далее с лицевой стороны путем анизотропного травления через маску формируют рабочую мембрану и микрорельеф на кремниевой рамке микромеханического элемента, с лицевой и обратной сторон подложки формируют приповерхностный высоколегированный n+ слой путем диффузии фосфора из парогазовой фазы с последующим удалением жидкостно-химическим методом образующегося фосфоросиликатного стекла, на лицевой стороне формируют изоляционный слой путем окисления с последующим осаждением нитрида кремния и формированием рисунка изоляции фотолитографией, после чего обратной фотолитографией формируют металлический шунт путем напыления золота на подслой вольфрама; с лицевой стороны формируют подвижный электрод в виде консоли с гибкими поддерживающими балками сквозным плазмо-химическим травлением щелевидных отверстий в рабочей мембране; изготовление металлической печатной платы, на которой на диэлектрический слой методом накатки медной фольги и иммерсионным осаждением золота и фотолитографии формируют силовые шины, нижний электрод и рамку для верхнего электрода; соединение микромеханического элемента и металлической печатной платы при помощи проводящего клея в месте совмещения рамки для верхнего электрода, расположенной на металлической печатной плате, и кремниевой рамки микромеханического элемента с микрорельефом.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что технологическую мембрану формируют толщиной 35-40 мкм.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что рабочую мембрану формируют толщиной 20-25 мкм.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что формируют приповерхностный высоколегированный n+слой с поверхностным сопротивлением 5-10 Ом на квадрат.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что металлический шунт формируют путем напыления золота толщиной 1 мкм на подслой вольфрама толщиной 0,05 мкм.
RU2013148911/07A 2013-11-05 2013-11-05 Способ изготовления электростатического силового мэмс ключа RU2527942C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2013148911/07A RU2527942C1 (ru) 2013-11-05 2013-11-05 Способ изготовления электростатического силового мэмс ключа

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2013148911/07A RU2527942C1 (ru) 2013-11-05 2013-11-05 Способ изготовления электростатического силового мэмс ключа

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2527942C1 true RU2527942C1 (ru) 2014-09-10

Family

ID=51540182

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2013148911/07A RU2527942C1 (ru) 2013-11-05 2013-11-05 Способ изготовления электростатического силового мэмс ключа

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2527942C1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2802162C2 (ru) * 2021-04-09 2023-08-22 Александр Александрович Горшков Микроэлектромеханический переключатель

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5489556A (en) * 1994-06-29 1996-02-06 United Microelectronics Corp. Method for the fabrication of electrostatic microswitches
US6486425B2 (en) * 1998-11-26 2002-11-26 Omron Corporation Electrostatic microrelay
RU2433499C2 (ru) * 2005-03-21 2011-11-10 Дельфмемс Радиочастотный микроэлектромеханический переключатель (рч мэмс-переключатель) с гибкой и свободной мембраной переключателя
RU125769U1 (ru) * 2012-04-03 2013-03-10 Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное предприятие "НЭСТ" Микрореле высокочастотное

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5489556A (en) * 1994-06-29 1996-02-06 United Microelectronics Corp. Method for the fabrication of electrostatic microswitches
US6486425B2 (en) * 1998-11-26 2002-11-26 Omron Corporation Electrostatic microrelay
RU2433499C2 (ru) * 2005-03-21 2011-11-10 Дельфмемс Радиочастотный микроэлектромеханический переключатель (рч мэмс-переключатель) с гибкой и свободной мембраной переключателя
RU125769U1 (ru) * 2012-04-03 2013-03-10 Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное предприятие "НЭСТ" Микрореле высокочастотное

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2802162C2 (ru) * 2021-04-09 2023-08-22 Александр Александрович Горшков Микроэлектромеханический переключатель

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6746891B2 (en) Trilayered beam MEMS device and related methods
Giacomozzi et al. A flexible fabrication process for RF MEMS devices
JP5313903B2 (ja) 誘電体薄膜を用いたウエハ貫通電気相互接続及びその他構造の形成
CN1874955B (zh) 电子器件的制造方法和电子器件
US20140009035A1 (en) Electronic device and method of manufacturing the same
US8199963B2 (en) Microphone arrangement and method for production thereof
US7346981B2 (en) Method for fabricating microelectromechanical system (MEMS) devices
Giacomozzi et al. A flexible technology platform for the fabrication of RF-MEMS devices
JP5129456B2 (ja) 梁部を備えた構造体の製造方法およびmemsデバイス
KR100495603B1 (ko) 실리콘 마이크로기계구조의 제작
RU2527942C1 (ru) Способ изготовления электростатического силового мэмс ключа
JP4555950B2 (ja) 微小電気機械装置を製造するための方法及びこの方法により得られる微小電気機械装置
US20240150166A1 (en) Encapsulated MEMS Switching Element, Device and Production Method
US8685777B2 (en) Method for fabricating a fixed structure defining a volume receiving a movable element in particular of a MEMS
JP2014075193A (ja) 電子装置の製造方法
CN110931288B (zh) 一种平行双触点接触式开关的制造方法
Giridhar et al. An X band RF MEMS switch based on silicon-on-glass architecture
RU2541439C1 (ru) Электростатический мэмс ключ
JP5743383B2 (ja) 圧電素子及び圧電装置の製造方法
JP5376472B2 (ja) 共振器およびその製造方法
JP2007111831A (ja) Mems素子の製造方法およびmems素子
CN105712287A (zh) 半导体器件的制作方法
KR100777905B1 (ko) 전기 접점 장치
TW580734B (en) Method to fabricate vertical comb actuator by surface micromachining technology
KR101467107B1 (ko) 미세전극으로 된 정전 척의 탈부착 시스템