RU2541439C1 - Электростатический мэмс ключ - Google Patents

Электростатический мэмс ключ Download PDF

Info

Publication number
RU2541439C1
RU2541439C1 RU2013147485/28A RU2013147485A RU2541439C1 RU 2541439 C1 RU2541439 C1 RU 2541439C1 RU 2013147485/28 A RU2013147485/28 A RU 2013147485/28A RU 2013147485 A RU2013147485 A RU 2013147485A RU 2541439 C1 RU2541439 C1 RU 2541439C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
movable electrode
movable
electrode
key
current
Prior art date
Application number
RU2013147485/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Владимир Викторович Амеличев
Владимир Витальевич Платонов
Сергей Сергеевич Генералов
Сергей Владимирович Шаманаев
Дмитрий Михайлович Григорьев
Анастасия Владимировна Якухина
Original Assignee
Общество С Ограниченной Ответственностью "Научно-Производственное Предприятие "Технология"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Общество С Ограниченной Ответственностью "Научно-Производственное Предприятие "Технология" filed Critical Общество С Ограниченной Ответственностью "Научно-Производственное Предприятие "Технология"
Priority to RU2013147485/28A priority Critical patent/RU2541439C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2541439C1 publication Critical patent/RU2541439C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Micromachines (AREA)

Abstract

Изобретение относится к микроструктурным микроэлектромеханическим системам. Электростатический микроэлектромеханический ключ содержит кремниевый кристалл со сформированным подвижным электродом в виде консоли с выполненными в ней симметричными щелевидными отверстиями, образующими гибкие поддерживающие балки разной длины, перпендикулярные друг другу, и подложку, на которой размещен, по меньшей мере, один неподвижный электрод и токовые шины, соединенную с кремниевым кристаллом с образованием зазора между подвижным и неподвижным электродами, причем подвижный электрод снабжен шунтом, закорачивающим токовые шины при контакте и расположенным со смещением относительно центра в сторону от свободного края подвижного электрода. Технический результат заключается в уменьшении напряжения управления МЭМС ключом и увеличении максимально допустимого тока коммутации. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

Description

Изобретение относится к микроструктурным микроэлектромеханическим системам (МЭМС). Изобретение может быть использовано в качестве коммутационного устройства для приборов с маломощными источниками питания, например, такими как автономные станции мониторинга окружающей среды и промышленных объектов, аэрокосмической техники, бортовой аппаратуры.
Известно электростатическое микрореле по патенту США US 6396372 (МПК H01H 57/00, опубликован 26.11.2002 г.), состоящее из подложки, на которой расположены неподвижные электроды и токовые шины, и подвижной части, расположенной с некоторым зазором от неподвижной части, включающей подвижные электроды, закрепленные к неподвижной части гибкими балками, и шунт, закорачивающий токовые шины. Опорные балки в расположены таким образом, что при этом упругость подвижного электрода распределена равномерно.
К недостаткам устройства-прототипа относятся: значительное напряжение управления микрореле, возможность слипания шунта и токовых шин при коммутировании тока.
Наиболее близкой по совокупности существенных признаков к предлагаемому изобретению является конструкция МЭМС ключа, описанная в заявке США US 20060290443 (МПК H01P 1/10, опубликовано 28.12.2006 г.). Известный по этому патенту МЭМС ключ состоит из подложки, выполненной из диэлектрического или полупроводникового материала, на которой расположены управляющий электрод, высокочастотный электрод и один из концов подвижного электрода, подвижная часть которого расположена параллельно поверхности управляющего электрода с зазором между ними. Указанные электроды выполнены из электропроводящих материалов (полупроводники и металлы). В описанной конструкции предложен подвижный электрод с переменной силой упругости вдоль его длины. Признаками аналога, совпадающими с существенными признаками заявляемого изобретения, являются подвижный электродом в виде консоли с гибкими поддерживающими балками, и подложка, на которой размещен, по меньшей мере, один неподвижный электрод и токовые шины, соединенная с кремниевым кристаллом с образованием зазора между подвижным и неподвижным электродами, причем подвижный электрод снабжен шунтом, закорачивающим токовые шины при контакте.
Недостатками данного технического решения являются: высокое управляющее напряжение и низкий максимально допустимый ток коммутации.
Задачей изобретения является разработка электростатического МЭМС ключа с более низким управляющим напряжением и большим максимально допустимым током коммутации.
Технический результат заключается в уменьшении напряжения управления МЭМС ключом и увеличении максимально допустимого тока коммутации.
Для достижения вышеуказанного технического результата электростатический МЭМС ключ содержит кремниевый кристалл со сформированным подвижным электродом в виде консоли с выполненными в ней симметричными щелевидными отверстиями, образующими гибкие поддерживающие балки разной длины, перпендикулярные друг другу, и подложку, на которой размещен, по меньшей мере, один неподвижный электрод и токовые шины, соединенную с кремниевым кристаллом с образованием зазора между подвижным и неподвижным электродами, причем подвижный электрод снабжен шунтом, закорачивающим токовые шины при контакте и расположенным со смещением относительно центра в сторону от свободного края подвижного электрода. В качестве подложки используется кремниевая или металлическая плата, а неподвижные электроды изолированы.
От прототипа МЭМС ключ отличается тем, что в подвижном электроде в виде консоли выполнены симметричные щелевидные отверстия, образующие гибкие поддерживающие балки разной длины, перпендикулярные друг другу, а шунт, расположенный на подвижном электроде, смещен относительно центра в сторону от свободного края подвижного электрода. Как и в прототипе подвижный электрод в предложенном изобретении имеет переменную упругость. В отличие от прототипа, поддерживающие подвижный электрод балки выполнены таким образом, что распределение переменной упругости по консоли подвижного электрода обеспечивает меньшее напряжение притягивания и большую силу отрыва шунта от токовых шин при выключении напряжения. Шунт, расположенный на подвижном электроде, смещен относительно центра в сторону от свободного края подвижного электрода, т.е. к более упругой части подвижного электрода.
При приложении смещения на электроды, под действием электростатических сил расстояние между электродами сначала начинает уменьшаться в области более гибкого края подвижного электрода (свободного края подвижного электрода). Далее этот процесс распространяется на остальную часть подвижного электрода. Область в районе шунта соединяется с неподвижным электродом в конце процесса включения. При выключении шунт отсоединяется от силовых шин упругой частью подвижного электрода. Изобретение позволяет, с одной стороны, уменьшить напряжение управления ключом, а, с другой стороны, обеспечить достаточную упругость конструкции для размыкания шунта от токовых шин.
Совокупность признаков, характеризующих изобретение, позволяет изготовить МЭМС ключ с более низким управляющим напряжением и большим максимально допустимым током коммутации.
Изобретение поясняется чертежами, где
на фиг.1 - схема электростатического МЭМС ключа, вид сверху,
на фиг.2 - схема электростатического МЭМС ключа, разрез А-А по фиг.1,
на фиг.3 - фотография кремниевого кристалла МЭМС ключа размером 6×7 мм (вид со стороны монтажа кристалла на печатную плату).
Электростатический МЭМС ключ содержит кремниевый кристалл 1 со сформированным подвижным электродом 2, снабженным шунтом 3. Подложку 4, на которой размещен, по меньшей мере, один неподвижный электрод 5 и токовые шины 6 (фиг. 1, 2).
Подвижный электрод 2 выполнен в виде консоли с выполненными в ней симметричными щелевидными отверстиями ⊥-образной формы, образующими гибкие поддерживающие балки 7 и 8 разной длины, перпендикулярные друг другу. Подвижный электрод 2 снабжен шунтом 3, закорачивающим токовые шины 6 при контакте и расположенным со смещением относительно центра в сторону от свободного края подвижного электрода 2. В качестве подложки 4 используется кремниевая или металлическая плата. Неподвижные электроды 5 изолированы от подложки 4 диэлектрическим слоем.
Технология изготовления такого ключа состоит из двух этапов: изготовление кремниевого кристалла и соединение этого кристалла с печатной платой, на которой сформированы неподвижные электроды. Цикл изготовления кремниевого кристалла содержит ряд стандартных операций, применяемых в технологии микроэлектронных приборов: формирование маски для анизотропного травления кремния и исходной мембраны для последующего создания подвижного электрода; локальное травление мембраны для создания выступов под шунты и создания поддерживающих гибких балок, формирования металлизации под шунты толщиной 1 мкм и локальное сквозное травление кремниевой мембраны с образованием подвижной части электрода. Таким образом, формируется подвижный электрод с шунтом, закрепленный с помощью гибких балок на несущей части кристалла.
Для увеличения теплоотвода целесообразно применять печатные платы с металлическим основанием. Можно использовать платы на алюминиевой основе толщиной 2 мм с изоляционным слоем толщиной 150 мкм на основе композитов. В качестве металлизации можно использовать медь толщиной 35 мкм со слоями никеля 2,5÷5 мкм и золота 0,1÷0,25 мкм, нанесенного иммерсионным способом. В качестве подложки можно использовать платы типа Т-111 фирмы Totking с разрешением токопроводящих шин и зазоров между элементами не менее 250 мкм.
Шины толщиной около 40 мкм и шириной 250 мкм позволяют пропускать ток до 5 А, что в большинстве случаев является достаточным для питания устройств средней мощности.
Поверхность металлизации печатных плат, в отличие от напыленных слоев металла на кремний или стекло, имеет существенную шероховатость. Измерения показали, что шероховатость гальванической металлизации на текстолите составляла 4÷5 мкм, а металлизации с иммерсионным золотом на плате с металлическим основанием 2÷3 мкм. Из-за возникновения межмолекулярных сил взаимодействия на гладких поверхностях электроды трудно разъединяются, что приводит к необходимости делать искусственную шероховатость в виде выступов, например на кремниевом электроде. В предлагаемом изобретении вследствие использования в качестве подложки печатных плат подвижные кремниевые электроды можно делать гладкими.
На фиг.3 представлена фотография кремниевого кристалла МЭМС ключа размером 6×7 мм (вид со стороны монтажа кристалла на печатную плату). Подвес подвижного электрода 2 с помощью балок 7, 8 к несущей части осуществлен несимметричным образом относительно одной из осей, таким образом подвижный электрод имеет неравномерную упругость. Более гибкая область подвижного электрода 2 расположена дальше от замыкающего шунта 3 и соединяется с несущей частью кристалла 1 более длинными и гибкими балками 7. Область расположения шунта 3 расположена ближе к коротким и жестким балкам 8 крепления подвижного электрода 2.
Изготовленные экспериментальные образцы кремниевых кристаллов МЭМС ключей имели площадь подвижного электрода 5×4 мм и толщину мембраны 15 мкм. Толщина золотого шунта составляла 1 мкм при ширине 0,5 мм. При обеспечении расстояния между электродами 3÷4 мкм расчетные данные показывали величину управляющего напряжения 35÷50 B. Экспериментальные образцы МЭМС ключей подвергались испытанию током нагрузки 3,0 А, при этом они оставались работоспособными. Следует отметить, что согласно нормативам ОСТ В 11 0998-99 по максимально допустимой плотности тока металлизированных дорожек данный ток является максимально допустимым для используемого шунта.

Claims (2)

1. Электростатический микроэлектромеханический ключ, содержащий кремниевый кристалл со сформированным подвижным электродом в виде консоли с выполненными в ней симметричными щелевидными отверстиями, образующими гибкие поддерживающие балки разной длины, перпендикулярные друг другу, и подложку, на которой размещен, по меньшей мере, один неподвижный электрод и токовые шины, соединенную с кремниевым кристаллом с образованием зазора между подвижным и неподвижным электродами, причем подвижный электрод снабжен шунтом, закорачивающим токовые шины при контакте и расположенным со смещением относительно центра в сторону от свободного края подвижного электрода.
2. Электростатический микроэлектромеханический ключ по п.1, отличающийся тем, что в качестве подложки используется кремниевая или металлическая плата, а неподвижные электроды изолированы.
RU2013147485/28A 2013-10-25 2013-10-25 Электростатический мэмс ключ RU2541439C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2013147485/28A RU2541439C1 (ru) 2013-10-25 2013-10-25 Электростатический мэмс ключ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2013147485/28A RU2541439C1 (ru) 2013-10-25 2013-10-25 Электростатический мэмс ключ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2541439C1 true RU2541439C1 (ru) 2015-02-10

Family

ID=53287180

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2013147485/28A RU2541439C1 (ru) 2013-10-25 2013-10-25 Электростатический мэмс ключ

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2541439C1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2802162C2 (ru) * 2021-04-09 2023-08-22 Александр Александрович Горшков Микроэлектромеханический переключатель

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6373007B1 (en) * 2000-04-19 2002-04-16 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Series and shunt mems RF switch
US6529093B2 (en) * 2001-07-06 2003-03-04 Intel Corporation Microelectromechanical (MEMS) switch using stepped actuation electrodes
US6875936B1 (en) * 1998-12-22 2005-04-05 Nec Corporation Micromachine switch and its production method
US7321275B2 (en) * 2005-06-23 2008-01-22 Intel Corporation Ultra-low voltage capable zipper switch
RU2406688C1 (ru) * 2009-07-16 2010-12-20 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" Микроэлектромеханический ключ
US7898371B2 (en) * 2006-06-20 2011-03-01 Intel Corporation Electromechanical switch with partially rigidified electrode

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6875936B1 (en) * 1998-12-22 2005-04-05 Nec Corporation Micromachine switch and its production method
US6373007B1 (en) * 2000-04-19 2002-04-16 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Series and shunt mems RF switch
US6529093B2 (en) * 2001-07-06 2003-03-04 Intel Corporation Microelectromechanical (MEMS) switch using stepped actuation electrodes
US7321275B2 (en) * 2005-06-23 2008-01-22 Intel Corporation Ultra-low voltage capable zipper switch
US7898371B2 (en) * 2006-06-20 2011-03-01 Intel Corporation Electromechanical switch with partially rigidified electrode
RU2406688C1 (ru) * 2009-07-16 2010-12-20 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" Микроэлектромеханический ключ

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2802162C2 (ru) * 2021-04-09 2023-08-22 Александр Александрович Горшков Микроэлектромеханический переключатель

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6714105B2 (en) Micro electro-mechanical system method
US20100015744A1 (en) Micro-Electromechanical Device and Method of Making the Same
JP2005523823A5 (ru)
US8054147B2 (en) High voltage switch and method of making
WO2000024021A9 (en) Micromechanical switching devices
KR20010030305A (ko) 접이식 스프링을 구비한 초소형 전기 기계 고주파 스위치및 그 제조 방법
JP2012004112A5 (ru)
KR20060098379A (ko) 전자 장치 및 그 제조 방법
KR20110017838A (ko) 스위치 구조물
JP5973274B2 (ja) 電気分配システム
CN108293304A (zh) 电路基板以及制造电路基板的方法
RU2541439C1 (ru) Электростатический мэмс ключ
JP4386767B2 (ja) 高分子アクチュエータを用いた電気素子
CN108352275B (zh) 高功率rf mems开关的热管理
CN1251960C (zh) 微机电结构的制造方法和其集成电路
US7754986B1 (en) Mechanical switch that reduces the effect of contact resistance
RU2527942C1 (ru) Способ изготовления электростатического силового мэмс ключа
KR100549275B1 (ko) 진동 센서 유닛 및 이 유닛의 제조 방법
RU2705792C1 (ru) Интегральный микроэлектромеханический переключатель
Ozkeskin et al. A Hybrid Technology for Pt-Rh and SS316L High Power Micro-relays
RU2696369C1 (ru) Коммутационная плата на нитриде алюминия для силовых и мощных СВЧ полупроводниковых устройств, монтируемая на основании корпуса прибора
KR101467107B1 (ko) 미세전극으로 된 정전 척의 탈부착 시스템
EP2593588B1 (en) A contact sheet for arrangement between a chuck and a master electrode in an ecpr process
KR20160094499A (ko) 공기중 국부적으로 높은 전계 강도 발생을 위한 적층 pcb전극 장치
Yonezawa et al. Non arcing electric contact device using the MEMS multi-electrodes