CN101120406B - 记录介质及其制造方法、用于记录介质的母盘及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

预先记录在最内侧的边缘侧的二进制信息能被稳定地再现。记录介质通过顺序地在基板(1)上层叠第一信息层(2)、中间层(3)、第二信息层(4)和覆盖层(5)形成。第一组事先形成于基板(1)的最内侧周缘区域内，和第二组事先形成于记录数据的区域内。第一组被设置为比第二组更浅或更窄。结果，BCA信号更少地被组的衍射调制。

Description

记录介质及其制造方法、用于记录介质的母盘及其制造方法 
技术领域
本发明涉及一种记录介质及其制造方法，用于该记录介质的母盘及其制造方法。更具体地，本发明涉及至少具有第一信息层和第二信息层的记录介质。 
背景技术
作为在DVD(数字通用盘，Digital Versatile Disc)-ROM(只读存储器，Read Only Memory)和记录型DVD等中一种版权保护技术，为介质所特有的并被称作介质ID的二进制信息被预先记录在最里面的边缘侧区域(称为BCA(群刻区，Burst Cutting Area))和被记录的内容数据通过使用该介质ID加密。 
也在比如蓝光光盘(Blu-ray disc)(注册商标；在下文称为BD)的高密度光盘中，如在JP-A-2005-518055中所描述的，提出了类条码标记(在下文称为BCA标记)作为二进制信息被记录到最里面的边缘侧区域中的这样的技术。 
在JP-A-2005-518055中，公开了下面的技术：BCA标记通过使用相变记录膜的结晶状态和非晶状态被记录；沟槽或凹坑以五倍或更多于相邻区域的轨道节距的轨道节距形成于BCA中；BCA标记形成于径向的方向以跨过多个轨道等。此外，在JP-A-2005-518055中，公开了下面的技术：在再现BCA标记的情况，BCA标记的变化通过比较使用沟槽再现BCA标记时由跟踪伺服控制获得的再现波形和没有使用跟踪伺服控制再现BCA标记获得的再现波形来探测。 
在信号被记录到正常轨道的记录区域中，信号在激光束的斑点通过聚焦伺服控制对焦到信号表面和轨道通过跟踪伺服控制被精确地跟踪的状态被记录或再现。在另一方面，BCA是考虑到使得信息在仅获得根据聚焦伺服控制的对焦状态而不进行跟踪伺服控制的状态下能被更容易的读出的目的而形成的区域。 
也对于BCA，假定沟槽(即轨道)已形成和对应于相变系统的信号记录层已连续地从例如导入区(lead-in area)形成。在如上所述的形成以具有对应于相变系统的信号记录层的BCA中，BCA标记可以如下形成。 
例如，在制造阶段，在初始化之前的状态，信号记录层为非晶状态。例如，对于数据区域，通过由例如红色高功率激光的激光束照射整个区域来执行初始化，该层从非晶状态变化到结晶状态。BCA的信号记录层在初始化之前也为非晶状态。关于初始化，信号记录层不是通过初始化整个BCA而被设置成结晶状态，而是通过照射激光束仅到与BCA标记一致的周缘方向中的期望部分，例如对应于盘ID的内容的条形码的图形，而被设置成结晶状态。作为这样的步骤的结果，在BCA中，通过基于沿周缘方向预定宽度的非晶状态的条形部分和在结晶状态的条形部分的图形以条形码形式执行信息记录。 
近年来，为了在可记录的DVD或高密度光盘中提高存储容量，提出了多层盘的记录和再现格式。在两层的高密度光盘中，例如两层的BD，BCA标记被记录到位于信息读取侧的边缘侧上的信息层中(称为L0层；位于这侧的信息层称为L1层)。 
图14示出了这样的双层BD的BCA标记的再现信号的波形的实例(在没有跟踪伺服控制的情况)。在结晶状态，因为反射系数高，所以获得高电平(level)IH的再现信号。在非晶状态，因为反射系数低，所以获得低电平IL的再现信号。 
然而，在相关技术的高密度光盘中，例如在BD中，当没有跟踪伺服控制时，再现激光束从多个沟槽读取BCA标记。信号通过由沟槽引起的衍射调制。这样，存在这样的缺陷，如图14所示，由于沟槽信号的串扰，电平波动发生在BCA标记的再现信号中，BCA标记的信号再现变得不稳定。 
根据BD的标准，作为适于稳定地再现BCA标记的参考，指定BCA标记的再现信号的高电平IH和低电平IL之间的比率IH/IL(也称为对比度)等于或大于4倍。如图14中所示，当电平波动大时，高电平的最小值IHmin和低电平的最大值ILmax之间的比率难以满足前述的标准值。 
因此，本发明的目标是提供一种记录介质及其制造方法，记录介质的母盘及其制造方法，其中预先记录在最内侧的边缘侧区域的二进制信息能被稳定地再现。 
发明内容
为了解决上述问题，根据第一发明，提供了至少具有第一信息层和位于第一信息层之上的第二信息层的记录介质，其中， 
第一信息层形成于预先在第一区域内形成有第一沟槽和在第二区域内形成有第二沟槽的基板上， 
第二信息层形成于位于第一信息层上并且其上预先形成有第三沟槽的透明中间层上， 
透明保护层形成于第二信息层上， 
预定的二进制信息预先被记录在第一沟槽上，和 
第一沟槽比第二沟槽更浅或更窄。 
根据本发明的第二发明，提供了记录介质的母盘，用于制造其上形成有记录介质的第一信息层的基板，该记录介质至少具有第一信息层和位于第一信息层之上的第二信息层，其中， 
第一沟槽形成于第一区域内和第二沟槽形成于第二区域内，和 
第一沟槽比第二沟槽更浅和/或更窄。 
根据本发明的第三发明，提供了记录介质的制造方法，包括步骤： 
转移压模的转移表面的形状到树脂材料并成型基板； 
形成第一信息层到基板上； 
形成中间层到第一信息层上； 
形成第二信息层到中间层上；以及 
形成透明保护层到第二信息层上， 
其中，该压模具有 
形成第一沟槽到基板的最内侧的边缘区域中的第一压模沟槽， 
形成第二沟槽到基板的数据记录区域中的第二压模沟槽，和 
第一压模沟槽比第二压模沟槽更浅或更窄。 
根据本发明的第四发明，提供了记录介质的母盘的制造方法，包括步骤有： 
形成抗蚀剂层到基板上； 
通过曝光存在于基板的最内侧的边缘区域中的抗蚀剂层形成第一沟槽图形； 
通过曝光存在于基板的数据记录区域中的抗蚀剂层形成第二沟槽图形；和 
显影曝光的抗蚀剂层， 
其中形成第一沟槽图形的曝光束的功率小于形成第二沟槽图形的曝光束的功率。 
根据本发明，因为在最内侧的边缘区域中的每个沟槽的深度和宽度比在数据记录区域中的每个沟槽的深度和宽度更浅或更窄，所以由于在最内侧的边缘区域中的沟槽所引起的衍射的信号被调制的情况被抑制。也就是，发生在最内侧的边缘区域中的二进制信息的信号再现中的电平波动能被减少。 
根据本发明，通过设置在最内侧的边缘区域中的每个沟槽的深度和宽度比在数据记录区域中的每个沟槽的深度和宽度更浅或更窄，由沟槽引起的衍射减小和二进制信息能被很好地再现。 
附图说明
图1是解释L0层的反射率和L1层的反射率之间的关系的示意图， 
图2是示出反射率R1和反射率R0之间的关系的图， 
图3是示出反射率和调制度之间的关系的图， 
图4是示出对比度Rc/Ra和反射率Rc之间的关系的图， 
图5是示出根据本发明实施例的光盘的结构的实例的剖面图， 
图6是示出根据本发明实施例的光盘的更具体的构造的实例的剖面图， 
图7是示出根据本发明实施例的光盘的具体的膜构造的实例的剖面图， 
图8是概念地示出根据本发明实施例的光盘的L0层的沟槽的排列的实例的示意图， 
图9是解释根据本发明实施例的光盘的制造方法的实例的示意图， 
图10是解释根据本发明实施例的光盘的制造方法的实例的剖面图， 
图11是解释按照本发明实施例的光盘的制造方法的实例的剖面图， 
图12是示出用来制造玻璃母盘的光学记录设备的构造的示意图， 
图13是解释实施例的光盘的制造方法的剖面图，以及 
图14是示出双层BD的BCA标记的再现信号的波形的实例的示意图。 
具体实施方式
(1)本发明的概要 
为了容易地理解本发明，下面以两层的BD为例来描述本发明的概要。 
第一，将参考图1描述L0层2的反射率与L1层4的反射率之间的关系。 
假设从L0层2的反射光的量等于从L1层4的反射光的量满足下面的关系式。 
R1＝T1·R0·T1...(1) 
其中， 
R0：L0层2的反射率 
R1：L1层4的反射率 
T1：L1层4的透射率 
假设L1层2的热吸收量与L1层4的热吸收量相等，即敏感度(sensitivity)相等，满足下面的关系式。 
1-R1-T1＝T1-T1·R0...(2) 
通过从式(1)和(2)消去T1， 
R 0 = ( ( R 1 + 2 ) 2 ± ( ( R 1 + 1 ) 4 - 16 R 1 2 ) / 2 R 1 . . . ( 3 )
因为0≤R1≤1，所以仅仅符号“-”成为解。因此，在式(3)中反射率R1与反射率R0的关系如图2的图所示。 
通过多重干涉的计算，反射率与调制度之间的关系如图3中所示。这表明当反射率提高时，对比度降低。 
根据该标准，因为需要反射率R1位于从4％到8％的范围内，所以反射率R0的范围被设置在从15％到28％。因此，在设计中，使用这样的范围的中心附近接近20％的值。 
接下来，将参考表1和图4描述对比度Rc/Ra(Rc：在结晶状态的反射率，Ra在非晶状态的反射率)和反射率Rc之间的关系。 
现在将描述用于获得这些关系的样品的结构。 
每个样品具有这样的结构，其中Ag合金层(反射层)、SiN层(第二介电层)、ZnS-SiO2层(第一介电层)、SbTe系相变记录层(相变记录层)、SiN层(第一介电层)、ZnS-SiO2层(第二介电层)和SiN层(第三介电层)被顺序地层叠在基板上。每个样品的膜厚和Sb/Te比率如表1所示变化。 
表1示出了每层的膜厚、L0层2的Sb/Te比率、反射率、对比度Rc/Ra 等。图4是示出以表1为基础形成的对比度Rc/Ra和反射率Rc之间的关系的图。 
在表1中的反射率和对比度的评价栏中，“o”示出反射率等于或大于20％和对比度Rc/Ra等于或大于4.4的情况。“Δ”示出Rc＞20％和4＜Rc/Ra＜4.4的情况。“×”示出那些数字值范围不被满足的情况。在表1中，考虑制造余量等，对比度Rc/Ra等于或大于4.4的情况被确定为好的并由“o”标记。然而，即使对比度Rc/Ra大于4，也可以满足标准。 
Figure S06805109820070820D000071
Figure DEST_PATH_G200680005109801D00021
如上所述，为满足(反射率R1＝4至8％的范围)作为标准值，需要约20％的反射率作为L0层2的反射率R0。根据该标准，需要将对比度IH/IL，即对比度Rc/Ra，设置成等于或大于4。 
然而，如图4所示，即使每层的膜厚和组分被调整，反射率(R0)和对比度(Rc/Ra)也不可能同时分别相当地大于作为标准值所需的20％和4。仅约20％的反射率(R0)和仅约4的对比度(Rc/Ra)被获得。这是因为对比度和反射率具有如由多重干涉的计算所示的对立的本质。因此，本发明的重点是抑制由图3所示的沟槽引起的衍射的影响及最大化调制度。 
因此，如上面所提及的，如果BCA再现信号由于沟槽信号的衍射而不稳定(参考图14)，那么就不能满足对比度IH/IL等于或大于4的标准。因此，在本发明中，在BCA中的沟槽的深度被设置为比数据记录区的沟槽的深度浅，因此能够使BCA再现信号被稳定地再现。 
(2)光盘的构造 
下面将参考附图描述本发明的实施例。图5示出根据本发明的实施例的光盘的构造的实例。图6示出根据本发明的实施例的光盘的更具体的结构的实例。图7示出根据本发明的实施例的光盘的具体的构造的实例。 
这种光盘是两层的高密度光盘，具有其中L0层2、中间层3、L1层4和覆盖层5被顺序地堆叠在基板1上的构造。L0层2由顺序地堆叠反射层6a、下介电层7a、相变记录层8a和上介电层9a到基板1上形成。L1层4由顺序地堆叠反射层6b、下介电层7b、相变记录层8b和上介电层9b到中间层3上形成。 
光盘具有在中心开口的盘状形状。BCA11、PIC(盘控制数据)区和数据记录区从盘的内边缘侧到外边缘侧被设置到L0层2上。内边缘区、PIC区和数据记录区从光盘的内边缘侧到外边缘侧被设置到L1层4上。 
在这种光盘中，信息信号通过从覆盖层5照射激光束到作为信息记录层的L0层2和L1层4被记录和再现。例如，具有从400nm到410nm的范围的波长的激光束被具有0.84至0.86的数值孔径的物镜透镜10会聚并从覆盖层5侧照射到作为信息记录层的L0层2和L1层4中的一层，这样信息信号被记录和再现。作为这样的光盘，例如可以有双层BD。 
下面将顺序地描述组成光盘的基板1、L0层2、L1层4、中间层3和覆盖层5。 
(基板) 
基板1具有形成于中心的开口(在下文称为中心孔)的环状。基板1的主平面是凹/凸表面。L0层2形成于该凹/凸表面上。在下文，在凹/凸表面内的远离激光束入射平面S的凹部分称为槽内Gin(in-groove)和在凹/凸表面上的接近激光束入射平面S的凸部分称为槽上Gon(on-groove)。形成于基板1的BCA11内的凸形槽上Gon是第一沟槽的实例。形成于基板1的数据记录区内的凸形槽上Gon是第二沟槽的实例。 
作为凹形槽内Gin和凸形槽上Gon的形状，例如可以有比如螺旋形和同心形的各种形状。槽内Gin和/或槽上Gon为了增加地址信息而被摆动(蛇行)。 
在BCA11内的槽上Gon的宽度d比在记录区13内的槽上Gon的宽度d更窄。在BCA11内的槽上Gon的深度(高度)h比在记录区13内的槽上Gon的深度(高度)h更浅(更低)。相邻的槽上Gon之间的距离，即在BCA11内的轨道节距Tp，不同于在数据记录区13内的轨道节距Tp。在BCA11内的轨道节距Tp宽于在数据记录区13内的轨道节距Tp。通过如上所述的构造，可以抑制由槽上Gon引起的衍射调制BCA信号的情况。也就是，在BCA标记的再现信号中的电平波动能减小。换句话说，可以改善对比度IH/IL。 
优选的是槽上Gon的相深度λ/αn(其中，λ：记录或再现激光束的波长，α：沟槽深度的系数，n：中间层对记录或再现激光束的折射率)位于从λ/304.8n至λ/16.4n的范围内，更优选地，从λ/304.8n至λ/65.3n的范围。这是因为通过设置相深度在这个范围内，可以改善对比度IH/IL。 
优选的是槽上Gon的深度位于从0.9nm至16.7nm的范围内，更优选地，位于从0.9nm至4.2nm的范围内。这是因为通过设置深度在这个范围内，可以改善对比度IH/IL。 
优选的是槽上Gon的宽度位于从55nm至126nm的范围内，更优选地，位于从55nm至95nm的范围内。这是因为通过设置宽度到在这个范围内的值，可以改善对比度IH/IL。 
优选的是槽上Gon的宽度d与轨道节距Tp之间的比率(d/Tp)位于从0.0275至0.063的范围内，更优选地，位于从0.0275至0.0475的范围内。这是因为通过设置比率到在这个范围内的值，可以改善对比度IH/IL。槽上Gon的宽度d是在激光束入射平面S一侧的槽上Gon的宽度d1中的最大宽度 d1max与相对于激光束入射平面S侧的底部的侧的槽上Gon的宽度d2中的最小宽度d2min的平均值(d1max+d2min)/2。 
例如，选择120mm作为基板的直径。考虑基板1的刚性而选择基板1的厚度。优选地，其选择为从0.3mm或更多到1.3mm或更少的范围，更优选地，从0.6mm或更多到1.3mm或更少的范围。例如选择1.1mm。例如，选择15mm作为中心孔的直径。 
作为基板1的材料，可以使用比如聚碳酸脂系树脂、聚烯烃系树脂、丙烯酸树脂等的树脂或玻璃。考虑成本等优选使用树脂材料。作为树脂材料，可以使用例如非晶型聚烯烃(ZEONEX)或聚碳酸脂(在下文，适当地简称为PC)(折射率等于1.59)。 
作为基板1的成型方法，使用获得期望的形状和光学上足够的基板表面的平整度的方法就足够了。该方法不被具体地限定。例如，可以使用注射成型方法(注射方法)或使用紫外硬化型树脂的光聚合物方法(2P方法)。在注射成型方法中，形成的母压模被布置在制造盘基板的模具腔内和聚碳酸酯的透明树脂被注入，这样就制造了基板1，对应于形成于信号形成表面上的L0层2的沟槽图形的微型的凹凸部分被转移至基板1。 
(L0层，L1层) 
作为信息记录层的每个L0层2和L1层4表示由形成于基板1的凹凸部分上的记录膜等形成的层。L0层2是层叠膜，其中反射层6a、第二介电层52a、第一介电层51a、相变记录层8a、第一介电层53a、第二介电层54a和第三介电层55a被顺序地形成到基板1上。 
例如，SiN可以用作构建第二介电层52a、第一介电层53a和第三介电层55a的材料。例如，ZnS-SiO2可以用作构建第一介电层51a和第二介电层54a的材料。 
其中通过接受激光束的照射引起可逆状态转变的相变材料可以用作构建相变记录层8a的材料。作为这种相变材料，例如，可以使用其中引起非晶状态和结晶状态之间的可逆相变的共晶系相变材料或化合物系相变材料。从反射率和结晶速度的观点，最好使用共晶系相变材料。 
SbTe系的共晶系材料可以用作共晶系相变材料。为了改善保藏耐久性，调节结晶速度，改善调制度等，最好添加比如Ag、In、Ge等的添加剂元素到该共晶系材料中。例如，可以有下面的体系：包括Sb-Te，Ge-Sb-Te、 In-Sb-Te、Ag-In-Sb-Te、Au-In-Sb-Te、Ge-Sb-Te-Pd、Ge-Sb-Te-Se、Ge-Sb-Te-Bi，Ge-Sb-Te-Co或Ge-Sb-Te-Au的体系；通过引入比如氮气、氧气等的气体填充材料到那些体系得到的体系；等等。 
作为构建反射层6a的材料，例如，可以有比如Al、Ag、Au、Ni、Cr、Ti、Pd、Co、Si、Ta、W、Mo、Ge等的单质或包含它们中的一个作为主要成分的合金。在它们之中，从实用性的观点，Al系、Ag系、Au系、Si系或Ge系材料是特别优选的。作为合金，例如，最好使用Al-Ti、Al-Cr、Al-Cu、Al-Mg-Si、Ag-Pd-Cu、Ag-Pd-Ti、Si-B等。最好考虑光学特性和热特性来设置那些材料中的一种。例如，考虑Al系或Ag系材料即使在短波长区域也具有高反射率，最好使用Al系或Ag系材料。 
L1层4通过顺序地层叠第二介电层52b、第一介电层51b、相变记录层8b、第一介电层53b和第二介电层54b到中间层3上形成。 
例如，ZnS-SiO2可以用作构建第一介电层51b和53b的材料。例如，SiN可以用作构建第二介电层52b和54b的材料。 
其中通过接受激光束的照射引起可逆状态转变的相变材料可以用作构建相变记录层8b的材料。作为这种相变材料，例如，可以使用其中引起非晶状态和结晶状态之间的可逆相变的共晶系相变材料或化合物系相变材料。 
作为构建反射层6b的材料，例如，可以有比如Al、Ag、Au、Ni、Cr、Ti、Pd、Co、Si、Ta、W、Mo、Ge等的单质或包含它们中的一个作为主要成分的合金。在它们之中，特别地，就实用性而言，Al系、Ag系、Au系、Si系或Ge系材料是优选的。作为合金，例如，最好使用Al-Ti、Al-Cr、Al-Cu、Al-Mg-Si、Ag-Pd-Cu、Ag-Pd-Ti、Si-B等。最好考虑光学特性和热特性来设置那些材料中的一种。例如，考虑Al系或Ag系材料即使在短波长区域也具有高反射率，最好使用Al系或Ag系材料。 
(中间层) 
作为具有例如25μm的厚度的树脂层的中间层3形成于形成在基板1的L0层2上。中间层3由透明树脂材料制成。作为这种材料，例如，可以使用比如聚碳酸脂系树脂、聚烯烃系树脂、丙烯酸树脂等的塑性材料。以类似于基板1的方式，用作中间层3的覆盖层5的表面是由槽内Gin和槽上Gon构建的凹/凸表面。L1层4形成于这种凹/凸表面上。 
中间层3如下形成。例如，在真空环境下，透明树脂压模被压至涂覆有 L0层2的平的紫外硬化型树脂。压模的凹凸部分被转移到紫外硬化型树脂。紫外射线照射到紫外硬化型树脂，因此将其硬化。 
也在中间层3中，以类似于前述的基板1的方式，在凹/凸表面中的远离激光束入射平面S的凹部分称为槽内Gin，在凹/凸表面中的接近激光束入射平面S的凸部分称为槽上Gon。形成于中间层内的凸型槽上Gon是第三沟槽的实例。 
作为凹型槽内Gin和凸形槽上Gon的形状，例如，可以有比如螺旋形和同心形等各种形状。槽内Gin和/或槽上Gon被摆动(蛇行)以增加地址信息。 
在内边缘区域11’中的槽上Gon具有与例如在数据记录区13中的槽上Gon相同的形状。也就是，在内边缘区域11’中的槽上Gon的宽度d和深度(高度)h等于例如在数据记录区13中的槽上Gon的宽度d和深度(高度)h。形成于数据记录区13和中间层3的内边缘区11’中的槽内Gin和槽上Gon具有类似于设置于例如基板1的数据记录区13中的那些的形状。 
在相邻的槽上Gon之间的距离，即在内边缘区域11’中的轨道节距，不同于在数据记录区13中的轨道节距。在BCA11中的轨道节距Tp宽于在数据记录区13中的轨道节距。 
(覆盖层) 
覆盖层5形成于形成在中间层3的L1层4上。出于保护光盘的目的，形成覆盖层5。信息信号的记录和再现由例如经覆盖层5会聚激光束到信息记录层来执行。 
作为覆盖层5，例如，可以使用由粘连性层和PC片、由UV树脂、或由UV树脂和PC片构建的层。覆盖层5具有例如约75μm的厚度，并由例如具有20μm厚度的粘连性层和具有55μm厚度的PC片构建。 
(光盘的每个区) 
现在将描述根据本发明的实施例为光盘设置的BCA、PIC区和数据记录区。 
图8概念性地示出了根据本发明的实施例的光盘的L0层的沟槽的排列的实例。槽上Gon成为记录数据的轨道的情况将作为实例描述。在图8中，为了使说明简单，假设设置于BCA11和PIC区12内中每个的槽上Gon的宽度和设置于数据记录区13内的槽上Gon的宽度几乎相等。然而，如上面所 提及的，设置于BCA11内的槽上Gon的宽度d比设置于PIC区12和数据记录区13中每个内的槽上Gon的宽度d更窄。 
2000nm的轨道节距的沟槽的布局形成于最内侧的边缘侧上的BCA11中。350nm的轨道节距的摆动沟槽的布局形成于BCA11的外侧的PIC区12中。320nm的轨道节距的摆动沟槽形成于PIC区12的更外侧的数据记录区13内。形成于那些区域中每个的沟槽形成于基板表面上以螺旋形行进。转换轨道节距的轨道节距转变区域(没有示出)被布置在轨道节距变化的区域之间。 
BCA11设置于半径r(＝21.3mm至22.0mm)的区域中。沟槽形轨道形成于BCA11内。轨道节距等于2000nm并保证足够宽的间隔。BCA标记14被记录在BCA11内。BCA标记14是比如序列号、标签号等的二进制信息被转换成条形码的数据。BCA标记14用作光盘独有的信息以保护版权。根据BCA标记14，在径向延伸以跨过多个BCA11的沟槽的带状标记形成于例如一个周缘之上。 
BCA标记14在光盘的初始化时被记录。在光盘的初始化之前的状态，作为信息记录层的L0层2和L1层4处于非晶状态。至于数据记录区13，通过照射激光束到整个区域以进行将状态从非晶状态转变为结晶状态的初始化。在初始化时，L0层2的整个BCA11被初始化和L0层被设置成结晶状态的工艺没有被执行，但是通过仅照射激光束到期望的部分(在图8中的阴影部分)，它们被设置成与BCA标记14一致的结晶状态。作为上述处理步骤的结果，在L0层2的BCA11中，信息通过沿周缘方向具有期望的宽度的非晶状态的条形部分和结晶状态的条形部分所构建的图形被记录成条形码形式。在L1层4的BCA11中，没有如在L0层2中将信息记录成条形码形式，但是，进行例如通过照射激光束到整个区域状态从非晶状态转变为结晶状态的初始化。 
PIC区12是只读区域和设置于半径r(＝22.4mm至23.197mm)的区域中。由矩形摆动沟槽的布局构建的每个沟槽轨道以350nm的轨道节距形成于PIC区12内。信息从矩形摆动沟槽的布局再现。 
数据记录区13设置于半径r(＝23.2mm至58.5mm)的区域中。正弦波的摆动沟槽形成于数据记录区13内。轨道节距等于320nm。这是因为，通过使轨道节距变窄，可以获得高容量，由此可以执行更长时间的记录和再现。 数据实际被记录的区域存在于半径r(＝24.0mm)的外部边缘侧上。 
为形成适合于每个区域的沟槽，为每个区域使用控制信号。在形成BCA11的DC沟槽的情况，控制信号是直流(DC)信号。在形成PIC区12的矩形摆动沟槽的情况，控制信号是双相调制的矩形信号。在形成数据记录区13的摆动沟槽的情况，使用956[kHz]的MSK(最小频移键控)和双波的STW(锯齿摆动)的叠加信号。MSK和STW的叠加信号被使用以记录地址的摆动信息。 
使用MSK和STW的叠加信号的原因是有这样的问题，虽然MSK体系在S/N比率(信噪比)方面优秀，但是如果有摆动移动，则难于探测它，然而STW抗摆动移动性强并可以探测它而没有实际的恶化，因此，地址可以通过结合它们被当然地探测。 
在可再写型BD-RE(蓝光盘可再写)盘中，一个比特“0”或“1”总共通过56个摆动表达。那些56个摆动被设置为单元，这个单元称为ADIP(地址在前沟槽)单元。通过持续地读出83个ADIP单元，表示一个地址的ADIP字被导出。ADIP字由这些构建：24比特长的地址信息；12比特长的辅助数据；参考(标定)区域；错误纠正数据等。在BD-RE中，对每个用于记录主要数据的RUB(记录单元块，64k比特的单元)分配三个ADIP字。 
(3)光盘的制造方法 
现在将参考图9至图11描述具有上面提及的构造的光盘的制造方法的实例。 
首先，L0主压模61通过例如激光曝光等形成(图9A)。L0主压模61具有在中心部分形成有开口和在一个主平面上形成有沟槽的环形。在下文，形成于L0主压模61上的沟槽，即凹部分，被称为槽内Gin，设置于槽内Gin之间的凸部分被称为槽上Gon。槽内Gin和槽上Gon具有与基板1的槽内Gin和槽上Gon相同的形状。 
以类似于前述基板1的方式，BCA11、PIC区(没有示出)和数据记录区13从中心部分到外部边缘侧顺序地形成于L0主压模61的一个主平面上。BCA11的槽上Gon的宽度d比数据记录区13的槽上Gon的宽度d更窄和/或BCA11的槽上Gon的深度h比数据记录区13的槽上Gon的深度h更浅。相邻槽上Gon之间的距离，即在BCA11中的轨道节距Tp，不同于数据记录区13中的轨道节距。在BCA11中轨道节距Tp宽于数据记录区13的轨道节 距。 
接下来，从L0主压模61，作为反压模的L0母压模62由例如MMS(主母压模转移技术)形成(图9B)。具有L0主压模61的槽内Gin和槽上Gon的那些的相反形状的槽上Gon和槽内Gin形成于L0母压模62的一个主平面上。 
接下来，L0母压模62例如被附加在注射成型设备的模具，并且基板1由注射成型形成(图9C)。 
接下来，反射层6a、下介电层7a、相变记录层8a和上介电层9a通过例如溅射方法被顺序地层叠到基板1上。这样，L0层2形成于基板1上(图9D)。 
接下来，L1主压模63由例如激光曝光等形成(图10A)。L1主压模63具有在中心部分形成有开口和在一个主平面上形成有沟槽的环形。在下文，形成于L1主压模63上的沟槽，即凹部分，被称为槽内Gin，设置于槽内Gin之间的凸部分被称为槽上Gon。槽内Gin和槽上Gon具有与中间层3的槽内Gin和槽上Gon相同的形状。 
以类似于前述L0主压模61的方式，内边缘区11’、PIC区(没有示出)和数据记录区13从中心部分到外边缘侧顺序地形成于L1主压模63的一个主平面上。L1主压模63的内边缘区11’和数据记录区13分别存在于半径与L0主压模61的BCA11和数据记录区13的半径几乎相同的区域内。存在于L1主压模63的内边缘区11’中的槽内Gin和槽上Gon分别具有与存在于L1主压模63的数据记录区中的槽内Gin和槽上Gon的形状几乎相同的形状。存在于L1主压模63的内边缘区11’和数据记录区13中的槽内Gin和槽上Gon分别具有类似于设置于例如L0主压模61的数据记录区13中的槽内Gin和槽上Gon的形状的形状。 
在内边缘区11’的相邻槽上Gon之间的距离，即轨道节距Tp，不同于在数据记录区13中的轨道节距。在内边缘区11’中轨道节距Tp宽于在数据记录区13中的轨道节距。 
接下来，L1母压模63被附着到例如注射成型设备的模具，并且L1树脂压模64由注射成型形成(图10B)。 
接下来，基板1通过例如旋涂方法用紫外硬化型树脂均匀地涂敷。之后，L1树脂压模64的槽内Gin和槽上Gon被转移到均匀涂敷基板1的紫外硬化 型树脂。这样，形成设有槽内Gin和槽上Gon的中间层3(图11A)。 
接下来，反射层6b、下介电层7b、相变记录层8b和上介电层9b通过例如溅射方法顺序地层叠在基板1之上。这样，L1层4形成于基板1之上(图11B)。 
接下来，环形光传输片通过使用PSA(压强敏感胶粘剂)被贴附在基板1的凹/凸表面侧，这个片的一个主平面用PSA预先均匀地涂覆。这样覆盖层5形成于L1层4上(图11C)。 
以这种方式，获得了目标光盘。 
(实施例) 
在下文将就实施例描述本发明。本发明不仅仅限定于这些实施例。在下面的实施例中，对应于前述实施例中的那些的部分由相同的标号指代。 
图12是示出用来制造玻璃母盘的光记录设备的构造的示意图。图13是解释实施例的光盘的制造方法的剖面图。 
(光记录设备) 
首先参考图12描述用来制造玻璃母盘的光记录设备(也称为切割设备)。 
光记录设备具有作为主要部分的激光光源21、移动光学平台25、转台32和轴伺服(spindle servo)33。 
激光光源21是曝光沉积到作为记录介质的玻璃母盘41的表面上成膜的抗蚀剂层42的光源。激光光源21振荡具有例如波长λ(＝266nm)用于记录的激光束。曝光的光源不特别地仅限于这种激光光源。从激光光源21发射的激光束以平行束状态直行和被镜M1和M2反射，这样它的方向被改变和激光束被引导到移动光学平台25。 
AOM/AOD(声学光学调制器/声学光学偏向器(deflector))23和两个楔形棱镜22被安排在移动光学平台25中。AOM/AOD和楔形棱镜22布置来使得以平行束状态进入的激光束和由AOM/AOD23形成的晶格平面满足布拉格条件并且束的水平高度没有改变。碲氧化物(TeO2)优选作为用在AOM/AOD23中的声学光器件。 
预定的信号从用于驱动的驱动器24供给AOM/AOD23。在直线形的槽上Gon形成于BCA11内的情况这个信号是预定电平的DC信号。高频信号从电压频率控制器(VCO：电压授控振荡器)26供给驱动24。控制信号从格式器(formatter)27供给VCO26。 
AOM/AOD23利用了布拉格衍射中的主衍射光的强度几乎正比于超声功率的原理。AOM/AOD23以记录信号为基础调制超声功率，因此进行激光束的光调制。为了实现布拉格衍射，AOM/AOD23到激光束的光轴的位置和位置关系被设置以满足布拉格条件：2dsinθ＝nλ(d：晶格节距，λ：激光束的波长，θ：界定于激光束和晶格平面之间的角度，n：整数)。 
作为从VCO26的控制信号，直流(DC)信号用在BCA11中，双相调制的矩形信号用在PIC区12中，956[kHz]的MSK(最小频移键控)和双波的STW(锯齿摆动)的叠加信号用在数据记录区中。 
如上述提及的调制的和偏转的激光束通过镜面M3和物镜透镜L2照射到玻璃母盘41的抗蚀剂层42。形成期望的BCA11、PIC区12和数据记录区13每个的槽上Gon的潜像。 
通过使用具有如上所述的构造的光学记录设备在下面的条件下进行切割。 
在光学记录设备中，在玻璃母盘41上的抗蚀剂层42中形成这样的图形，其中由BCA11中2000nm的轨道节距的槽上Gon的布局形成的沟槽轨道、由PIC区12中350nm的轨道节距的矩形摆动沟槽(槽上Gon)的布局形成的沟槽轨道、和在数据记录区13中正弦波摆动的作为摆动沟槽(槽上Gon)的沟槽轨道以螺旋线行进。 
在切割时，控制转台32的转速以使得在轨道的纵向上的线性速度等于5.28[m/sec]，每个区域改变移动光学平台25的进给节距，和进行曝光。进给节距在BCA11中设置为2.000μm(2000nm)，在PIC区12为0.350μm(350nm)，和在数据记录区13为0.320μm(320nm)。 
在上述的光学记录设备中，移动光学平台25的位置由位置传感器31探测，在对应于每个区域的时间和节距进行曝光，和BCA11、PIC区12和数据记录区13的沟槽图形的潜像被暴露至玻璃母盘41上的抗蚀剂膜上。 
由激光尺30探测的波长(例如，0.78μm)用作参考，进给伺服29的操作和空气滑块(slider)28被控制，移动光学平台25的进给节距被逐渐改变。 
在BCA11(半径r＝21.0mm至22.0mm)中进给节距等于2000nm。在BCA11和PIC区12之间的轨道节距转变区域(半径r＝22.0mm至22.4mm)中，进给节距被逐渐从2000nm变化到350nm。在PIC区12(半径r＝22.4nm至23.197nm)中的进给节距等于350nm。在PIC区12和数据记录区13之 间的轨道节距转变区域(半径r＝23.197mm至23.2mm)中，进给节距被逐渐从350nm变化到320nm。在数据记录区13(半径r＝23.2mm至58.5mm)中，进给节距等于320nm。槽上Gon以这样的进给节距形成。 
接下来，抗蚀剂基板通过使用显影设备(没有示出)被显影。首先，其上已如上所述形成槽上Gon的潜像的抗蚀基板40被放入到显影设备的转台32上以使得抗蚀剂层42位于上部。转台被旋转。之后，显影液滴到抗蚀剂层42上和该抗蚀剂被显影。这样，获得了抗蚀基板40。 
也就是，通过上述步骤，显影了抗蚀基板40，并且获得了抗蚀基板40，其中在BCA11中作为槽上Gon的沟槽轨道(2000nm的轨道节距)、在PIC区12中的矩形摆动沟槽(槽上Gon)(350nm的轨道节距)、和在数据记录区13中的MSK和STW的多路编排的摆动沟槽(槽上Gon)(320nm的轨道节距)在它们以螺旋线行进的状态在表面上被图形化。 
接下来，由镍涂层膜制成的导电膜层通过化学镀等形成于抗蚀基板40的凹/凸图形上。之后，其中已形成导电膜层的抗蚀基板被附着到电铸设备，镍镀层通过电镀方法形成在导电膜层上以具有约300μm的厚度。 
接下来，镍镀层由刀具等从其上形成有镍镀层的玻璃母盘41被剥落。然后，剥落的镍度层的信号形成表面上的抗蚀剂使用丙酮等清除并形成压模61。之后，形成具有相反的凹凸图形的母压模62。此外，通过使用母压模62和聚碳酸脂(折射率：1.59)的透明树脂由注射成型形成基板1。转移L1层的凹凸图形到中间层3的树脂压模也以类似于基板1的形式形成。 
如图5所示的双层BD通过使用前述的基板1和树脂压模64形成。在实施例中，其中L0层的BCA11中的槽上Gon的深度和宽度如表2中变化的盘形成为用作评价的盘的双层BD。 
双层BD的膜构造如下： 
L0层2 
反射层6a：Ag，140nm 
第二介电层52a：SiN，10nm 
第一介电层51a：ZnS-SiO2，10nm 
相变记录层8a：GeSbTe，10nm 
第一介电层53a：SiN，10nm 
第二介电层54a：ZnS-SiO2，30nm 
第三介电层55a：SiN，10nmL1层4 
反射层6b：Ag，10nm 
第二介电层52b：SiN，10nm 
第一介电层51b：ZnS-SiO2，10nm 
相变记录层8b：GeSbTe，6nm 
第一介电层53b：ZnS-SiO2，10nm 
第二介电层54a：SiN，10nm 
中间层3通过按压树脂压模64到紫外硬化型树脂和硬化紫外硬化型树脂形成。中间层3的厚度被设置为25μm。 
覆盖层5通过由PSA粘结光传输片形成。光传输片的厚度和PSA的厚度设置以使得覆盖层5的厚度等于75μm。 
接下来，对于如上所述制造的双层BD，BCA标记的再现信号的IH/IL特性被测量。测量结果示于表2中。BCA标记的再现通过使用具有406nm波长和NA＝0.85的光学摄像管的光盘评价设备来评价。该评价设备具有5μm分辨率的磁尺(magnescale)并能够精确地测量地址的半径位置。槽上Gon的深度h和宽度d是那些在基板1涂覆了作为信息记录层的L0层2之前的基板1的阶段的那些深度h和宽度d。槽上Gon的深度h对应于从基板1的表面到槽上Gon的底部的距离。槽上Gon的宽度d等于在表面侧上的最大宽度d1max和在底部侧上的最小宽度d2min的平均值(d1max+d2min)/2。槽上Gon的形状由AFM(原子力显微镜)测量。 
(表2) 
Figure S06805109820070820D000211
在如表2所示的测量结果中，示出了在BCA11被分割成带1至7和切割功率从带1至带7每次降低10％的情况下槽上Gon的深度和宽度和对比度(IH/IL)。表2的切割功率通过使用形成沟槽的有限激光功率(带7的激光功率)作为参考的百分比在表2中被示出。 
如从表2所了解的，当带1的切割功率等于160％时，在到玻璃母盘41上的位置的范围的抗蚀剂层42被除去和槽上Gon的剖面形状时U-字形状。该沟槽形状类似于在数据记录区13中的槽上Gon的沟槽形状。在从带2(切割功率＝150％)到带7(切割功率＝100％)的范围，满足(IH/IL＞4.0)的标准。也就是，在BCA11中的BCA标记能被很好地再现。 
在从带2到带7范围内的切割功率，抗蚀剂层42直到玻璃母盘41的表面出现才被除去。槽上Gon的剖面形状时V-字形。在从带5(切割功率＝120％)到带7(切割功率＝100％)的范围内，IH/IL≥4.09。也就是，在BCA11中的BCA标记能被很好地再现。更优选地，带5(切割功率＝120％，IH/IL＝4.09)，带6(切割功率＝110％，IH/IL＝4.10)和带7(切割功率＝100％，IH/IL＝4.12)被设置。 
因此，期望设置BCA11中的切割功率小于在数据记录区13中的切割功 率。具体地说，期望BCA11中的切割功率位于从100％至150％范围内，更优选地，在从100％到120％的范围内。 
从表2将了解的是，如果深度被设置为带2至带7中每个的槽上Gon的深度h，那么满足(IH/IL＞4.0)的标准。此外，如果深度被设置为带5至带7中的每个的槽上Gon的深度h，那么IH/IL≥4.09。 
因此，优选地槽上Gon的深度位于从0.9nm到16.7nm的范围内，更优选地，在0.9nm到4.2nm的范围内。带2到带7中的每个的沟槽的相深度λ/αn在这种情况下如下： 
λ/304.8n至λ/16.4n(n是中间层的折射系数；1.48) 
λ/304.8n(这里，α＝406nm/(1.48×0.9[nm])＝304.8) 
λ/16.4n(这里，α＝406nm/(1.48×16.7[nm])＝16.4) 
带5到带7中每个的沟槽的相深度μ/αn如下： 
λ/304.8n至λ/65.3n(n是中间层的折射系数；1.48) 
λ/304.8n(这里，α＝406nm/(1.48×0.9[nm])＝304.8) 
λ/65.3n(这里，α＝406nm/(1.48×16.7[nm])＝65.3) 
从表2将了解的是，如果深度被设置为带2至带7中每个的槽上Gon的宽度，那么满足(IH/IL＞4.0)的标准。此外，如果宽度被设置为带5至带7中的每个槽上Gon的宽度，那么IH/IL≥4.09。 
因此，优选在BCA11中槽上Gon的宽度位于从55nm到126nm的范围内，更优选地，在55nm到95nm的范围内。 
如果槽上Gon的宽度被轨道节距正规化，则带2至带7每个的槽上Gon的宽度d/轨道节距Tp如下： 
0.0275至0.063 
0.0275(其中，55nm/2000nm＝0.0275) 
0.063(其中，126nm/2000nm＝0.063) 
带5至带7的每个的槽上Gon的宽度d/轨道节距Tp如下： 
0.0275至0.0475 
0.0275(这里，55nm/2000nm＝0.0275) 
0.0475(这里，95nm/2000nm＝0.0475) 
在上面提及的BCA11中的槽上Gon的形状中，满足(IH/IL＞4.0)的标准。记录在BCA11中的条形码信号能被很好地再现。 
从表2将了解，如果在BCA11中的槽上Gon的深度h和宽度d被设置为比在数据记录区13中槽上Gon的深度h和宽度d更浅和更窄，记录在BCA11中的条形码信号能被很好地再现。 
在BCA11中的槽上Gon的深度h浅于数据记录区13中槽上Gon的深度h和BCA11中的槽上Gon的宽度d被设置为几乎等于数据记录区13中槽上Gon的宽度d的情况，也获得记录在BCA11中的条形码信号能被很好地再现的效果。 
即使在BCA11中的槽上Gon的宽度d窄于数据记录区13中槽上Gon的宽度d和BCA11中的槽上Gon的深度h被设置为几乎等于数据记录区13中槽上Gon的深度h的情况，也能类似地得到上述效果。 
从上述结果，即使在密度高于或低于双层BD的密度的光盘中，应被了解的是，通过设置相深度λ/αn和槽上Gon的宽度d和轨道节距Tp之间的比率(d/Tp)为在前述的数字值范围内的值，记录在BCA11中的条形码信号能被很好地再现。 
虽然本发明的实施例在上面被具体地描述，但是本发明并不应限制于前述实施例而基于本发明的技术思想的各种修改是可能的。 
例如，虽然关于格式被螺旋地记录和从内边缘向外边缘形成的实例描述了前述实施例，但是在当格式被相反地从外边缘向内边缘记录和形成时进给精度高的情况，格式也能在不同的信息层从外边缘至内边缘被记录和形成。本发明不限制于双层，也能应用于比如三层、四层等的多层格式。 
虽然关于本发明应用于可再写型光盘作为实例的情况描述了前述实施例，但是本发明不限于这种实例，也能应用于只读型光盘和WORM型光盘。 
本发明也能应用于除BD之外的各种光盘，而且不仅能应用于相关技术中的关盘，而且能应用于密度比例如BD等的光盘的密度更高的下一代光盘。 
虽然关于通过使用有机抗蚀剂作为实例来制造记录介质的母盘的情况描述了前述实施例，但是记录介质的母盘也能通过使用无机抗蚀剂制造。 
虽然关于第一区域(BCA)设置于最内侧的边缘侧的情况描述了前述实施例，但是设置第一区域的位置不被限定于最内侧的边缘侧，也能设置于比如最外层的边缘侧，最内侧的边缘与最外层的边缘之间的中间区域等的光盘的任意区域。 

Claims (2)

1.一种至少具有第一信息层和位于所述第一信息层之上的第二信息层的记录介质，其中
所述第一信息层形成于基板上，在所述基板中第一沟槽预先形成于第一区域内和第二沟槽预先形成于第二区域内，
所述第二信息层形成于位于所述第一信息层上并且其上预先形成有第三沟槽的透明中间层上，
透明保护层形成于所述第二信息层上，
预定的二进制信息被预先记录在所述第一沟槽上，以及
所述第一沟槽比所述第二沟槽更浅或更窄，其中
所述第一沟槽的深度位于从0.9至16.7nm的范围内。
2.一种记录介质的母盘，用于制造在其上形成有所述记录介质的第一信息层的基板，所述记录介质至少具有所述第一信息层和位于所述第一信息层之上的第二信息层，其中
在所述母盘中，第一沟槽形成于第一区域内和第二沟槽形成于第二区域内，和
所述第一沟槽比所述第二沟槽更浅或更窄，其中
所述第一沟槽的深度位于从0.9至16.7nm的范围内。
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