CN101103452A - 基板处理装置 - Google Patents

基板处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN101103452A
CN101103452A CNA200680002224XA CN200680002224A CN101103452A CN 101103452 A CN101103452 A CN 101103452A CN A200680002224X A CNA200680002224X A CN A200680002224XA CN 200680002224 A CN200680002224 A CN 200680002224A CN 101103452 A CN101103452 A CN 101103452A
Authority
CN
China
Prior art keywords
handled object
processing module
transport mechanism
wafer
relay
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA200680002224XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN100511628C (zh
Inventor
池田岳
长田圭司
鹰野国夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN101103452A publication Critical patent/CN101103452A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100511628C publication Critical patent/CN100511628C/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67184—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the presence of more than one transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

当将从第二组件(12)返回至第一组件(10)的晶片(W101)交给通路部(PA)时，第一组件(10)的真空搬送机械手(RB1)，在使晶片(W101)在通路部(PA)中等待的状态下，优先进行第一组件(10)内的串行搬送。然后，真空搬送机械手(RB1)在利用一个臂保持从第一组件(10)送至第二组件(12)的晶片(W104)的状态下，利用拾取和放置动作，由另一个臂取回在通路部(PA)上的晶片(W101)，与它替换，利用所述一个臂，将晶片(W104)交给通路部(PA)。根据这个顺序，使用着两个组件(多腔室装置)(10、12)的多个处理模块的连续处理的生产率会尽可能地提高。

Description

基板处理装置
技术领域
本发明涉及多腔室方式构成的基板处理装置，特别是涉及将两个多腔室装置串联连接的基板处理装置。
背景技术
在现有技术中，在半导体制造装置领域中，为了连续地进行多个半导体制造工序，采用在主搬送室周围配置多个处理模块的多腔室方式。
一般，在真空处理用的多腔室基板处理装置、即所谓组件装置(cluster tool)中，不只是在各处理模块的腔室中，组件(cluster)中心部的搬送室也被维持在真空。作为接口模块的负载锁定室经由闸阀与搬送室连接。被处理体、例如半导体晶片被搬入大气压状态下的负载锁定室中，然后，从成为减压状态后的负载锁定室搬入搬送室中。设置在搬送室中的搬送机构，将从负载锁定室中取出的半导体晶片搬入第一个处理模块中。该处理模块，根据预先设定的方案，花费规定的时间，进行第一工序的处理。当该第一工序的处理结束时，搬送室的搬送机构将该半导体晶片从第一个处理模块中搬出，接着将其搬入第二个处理模块中。在该第二个处理模块中，也是根据预先设定的方案，花费规定的时间，进行第二工序的处理。如果该第二工序的处理结束，则搬送室的搬送机构，将该半导体晶片从第二个处理模块中搬出；当有下一工序时，将其搬入第三个处理模块中，当没有下一工序时，将其返回至负载锁定室。在第三个以后的处理模块中进行处理的情况下，也是一样，当以后有下一工序时，搬入后段的处理模块中，当没有下一工序时，返回负载锁定室中。这样，当将结束多个处理模块的一连串处理后半导体晶片搬入负载锁定室中时，将负载锁定室从减压状态切换至大气压状态。然后，经由与搬送室相反一侧的晶片出入口，从负载锁定室中搬出该半导体晶片。
在串联连接两个多腔室装置的串联(tandem)式的基板处理装置中，包含负载锁定室的第一组件的搬送室和不包含负载锁定室的第二组件的搬送室通过闸阀连接，并且在两个搬送室的搬送机构之间，设置进行半导体晶片交换用的中继部(参照日本特开2004-119635号公报，特别是图3)。作为搬送顺序的一个典型例子，第一组件侧的第一搬送机构将从负载锁定室导入的各半导体晶片依次搬送至第一组件内的一个或多个处理模块中，接受由一个或多个工序构成的第一阶段的处理，如果处理结束则交给中继部。第二组件侧的第二搬送机构接受留置在中继部的半导体晶片，依次搬送至第二组件内的一个或多个处理模块中，接受由一个或多个工序构成的第二阶段的处理，如果处理结束则交给中继部。第一搬送机构取回返回至中继部的处理后的半导体晶片，返回至负载锁定室。
这样，串联连接两个组件的串联式基板处理装置可以连续地进行第一组件的一个或多个处理和第二组件的一个或多个处理。另外，由于能够利用闸阀分离第一组件内的气氛和第二组件内的气氛，有尽力抑制交叉污染(污染的传播或扩散)的优点。
在上述的串联式处理系统中，使从第一组件向第二组件移动的半导体晶片和从第二组件向第一组件移动的半导体晶片的停留时间不同，暂时留置在共同的中继部中。
在现有技术中，如果使从一个组件向另一个组件移动的半导体晶片在中继部中等待，考虑到系统内的全部晶片的搬送最好不堵塞，当从第二组件的第二搬送机构将半导体晶片交给中继部时，第一组件的第一搬送机构立刻取回该半导体晶片，当从第一组件的第一搬送机构将半导体晶片交给中继部时，第二组件的第二搬送机构立刻取回该半导体晶片。
然而，这样，优先从中继部取回晶片的搬送顺序成为在处理系统整体或一个处理批次整体中看的生产率恶化的原因。即：在最重视处理系统整体的生产率的情况下，在横跨第一组件和第二组件，按工序顺序将各半导体晶片搬送至多个处理模块的串行搬送中，对于各处理模块，搬出刚刚在其中结束处理的半导体晶片，与其进行替换，搬入刚刚从前工序的处理模块中搬出的下一个半导体晶片，这样的替换搬送方式是最有利的。在现有技术中，在这种串行搬送方式中，如上所述，另一个组件的搬送机构立刻取回从一个组件的搬送机构交给中继部的半导体晶片，搬送至下一个目的地。但是，这样，优先从中继部取回半导体晶片和搬送至下一个目的地，而推迟对于处理模块的晶片搬送，结果，使从系统整体乃至一个处理批次整体看的生产率恶化。
发明内容
本发明是为了解决上述现有技术的问题而提出的，其目的是提供一种基板处理装置，该基板处理装置可提高依靠横跨两个多腔室装置的多个处理模块而进行的连续处理的生产率。
为了达到上述目的，根据本发明的第一观点，提供了一种基板处理装置，包括串联连接的第一多腔室装置和第二多腔室装置，上述第一多腔室装置具有第一搬送机构；配置在上述第一搬送机构周围的第一组处理模块；和配置在上述第一搬送机构的周围，在上述第一多腔室装置的外部和上述第一多腔室装置之间，进行被处理体的交接用的接口模块，上述第二多腔室装置具有第二搬送机构；和配置在上述第二搬送机构周围的第二组处理模块，为了在上述第一搬送机构和上述第二搬送机构之间交接被处理体，将暂时留置被处理体用的中继部，设置在上述第一搬送机构和上述第二搬送机构之间，该基板处理装置还具有控制器，上述控制器以控制上述第一和第二搬送机构的方式构成，使得上述第一和第二搬送机构根据规定的处理顺序，依次将各被处理体搬送至上述第一组和第二组的处理模块中，并且，对于上述第一组和第二组的各个处理模块，将在该处理模块中结束处理后的被处理体搬出，与其进行替换，搬入应该在该处理模块中接着接受处理的后续其它被处理体，上述基板处理装置的特征在于：上述控制器以控制上述第一搬送机构的方式构成，使得在利用第二搬送机构将结束在上述第二多腔室装置中的规定处理后的第一被处理体搬入上述中继部中时，在处于不能够从上述第一多腔室装置将接着应该搬入上述第二多腔室装置中的第二被处理体搬入上述中继部中的状态的情况下，使上述第一被处理体在上述中继部中待机至变为能够将上述第二被处理体搬入上述中继部中的状态，然后，当从上述中继部搬出上述第一被处理体时，与其进行替换，将上述第二被处理体搬入上述中继部中。
另外，根据本发明的第二观点，提供了一种基板处理装置，包括串联连接的第一多腔室装置和第二多腔室装置，上述第一多腔室装置具有第一搬送机构；配置在上述第一搬送机构周围的第一组处理模块；和配置在上述第一搬送机构的周围，在上述第一多腔室装置的外部和上述第一多腔室装置之间，进行被处理体的交接用的接口模块，上述第二多腔室装置具有第二搬送机构；和配置在上述第二搬送机构周围的第二组处理模块，为了在上述第一搬送机构和上述第二搬送机构之间交接被处理体，将暂时留置被处理体用的中继部，设置在上述第一搬送机构和上述第二搬送机构之间，该基板处理装置还具有控制器，该控制器以控制上述第一和第二搬送机构的方式构成，使得上述第一和第二搬送机构根据规定的处理顺序，依次将各被处理体搬送至上述第一组和第二组的处理模块中，并且，对于上述第一组和第二组的各个处理模块，将在该处理模块中结束处理后的被处理体搬出，与其进行替换，搬入应该在该处理模块中接着接受处理的后续其它被处理体，上述基板处理装置的特征在于：上述控制器以控制上述第二搬送机构的方式构成，使得在利用第一搬送机构将结束在上述第一多腔室装置中的规定处理后的第一被处理体搬入上述中继部中时，在处于不能够从上述第二多腔室装置将接着应该搬入上述第一多腔室装置中的第二被处理体搬入上述中继部中的状态的情况下，使上述第一被处理体在上述中继部中待机至变为能够将上述第二被处理体搬入上述中继部中的状态，然后，当从上述中继部搬出上述第一被处理体时，与其进行替换，将上述第二被处理体搬入上述中继部中。
在本发明中，当将被处理体从附带在一方多腔室装置上的搬送机构交给中继部时，如果附带在另一方多腔室装置上的搬送机构不立即取回该被处理体(第一被处理体)，在附带于上述另一方多腔室装置上的搬送机构周围的处理模块中接受(或接受过)处理的被处理体至少为一个，则待机至能够将其中前边的被处理体(第二被处理体)与已在中继部中的被处理体按照替换的形式交给中继部为止。这样，通过使相对于处理模块的被处理体的搬送比从中继部取回第一被处理体优先，能够提高系统整体的生产率。
在本发明的一个优选形式中，监视在从接口模块经由第一组的处理模块至中继部的搬送路径上是否存在被处理体，在利用第二搬送机构将第一被处理体交给中继部时，当在该搬送路径上一个被处理体也没有时，实质上，第一搬送机构并不使第一被处理体等待，而将其从中继部取回。另外，监视在从中继部经由第二组的处理模块至返回中继部的搬送路径上是否存在被处理体，在将第一被处理体交给中继部时，当在该搬送路径上一个被处理体也没有时，实质上，第二搬送机构并不使第一被处理体等待，而将其从中继部取回。这样，在不在处理模块上进行被处理体的替换的情况下，从中继部直接取回第一被处理体也可以。
另外，根据优选的一个形式，第一搬送机构进行如下搬送，按照工序顺序将各被处理体串行地搬送至第一组的处理模块中，将在该处理模块中结束处理后的被处理体搬出各个处理模块，与其替换，搬入应该在该处理模块中接着接受处理的后续其它被处理体。在这种串行搬送方式中，能够充分发挥本发明的效果。
作为串行搬送方式的优选的一个形式，第一搬送机构具有可在第一组的处理模块中出入的两个搬送臂，在对于各处理模块的一次进出中，利用一个搬送臂搬出处理后的被处理体，与其替换，利用另一个搬送臂搬入后续其它被处理体。在这种情况下，第一搬送机构也可以，在对于中继部的一次进出中，利用一个搬送臂从中继部取回返回的被处理体，与其替换，利用另一个搬送臂，将前进的被处理体交给中继部。另外，第一搬送机构，在对于接口模块的一次进出中，利用一个搬送臂从该接口模块取出未处理的被处理体，与其替换，利用另一个搬送臂将返回的被处理体放入该接口模块中。第一搬送机构也可以直接将从中继部取回的返回的被处理体搬送至接口模块。
另外，作为一个优选的形式，第二搬送机构进行如下搬送，按照工序顺序将各被处理体串行地搬送至第二组的处理模块中，将在该处理模块中结束处理后的被处理体搬出各个处理模块，与其替换，搬入应该在该处理模块中接着接受处理的后续其它被处理体。在这种情况下，最好第二搬送机构具有可在第一组的处理模块中出入的两个搬送臂，在对于各处理模块的一次进出中，利用一个搬送臂搬出结束处理后的被处理体，与其替换，利用另一个搬送臂搬入后续其它被处理体。
本发明可在真空处理系统中使用。根据本发明的一个优选形式，第一和第二搬送机构分别设置在第一和第二真空搬送室内，中继部配置在第一真空搬送室和第二真空搬送室的边界附近，第一组的各个处理模块具有经由闸阀与第一真空搬送室连结的真空处理室，第二组的各个处理模块具有经由闸阀与第二真空搬送室连结的真空处理室。并且，接口模块具有负载锁定室，该负载锁定室经由闸阀与第一真空搬送室连结，并且为了暂时留置在大气压空间和减压空间之间传送的被处理体，可选择地将室内切换为大气压状态或减压状态。第一搬送机构，为了搬送被处理体可在减压下的第一真空搬送室内移动，进出第一组的处理模块的真空处理室、中继部和负载锁定室。另一方面，第二搬送机构，为了搬送被处理体可在减压下的第二真空搬送室内移动，进出第二组的处理模块的真空处理室和中继部。第一搬送机构和第二搬送机构能够互相不同步地进行晶片搬送。
在这种两组件连接的真空处理系统中，一般上述第一真空搬送室和上述第二真空搬送室经由闸阀互相连接。本发明还可在两个真空搬送室经常连通的真空处理系统中应用。
另外，作为一个优选的形式，还包括：
在大气压下支承可收容多个被处理体的盒的负载端口，与该负载端口连接或邻接，经由门阀与负载锁定模块连结的大气压下的搬送模块，和为了在负载端口上的盒和负载锁定模块之间搬送被处理体，设置在大气压搬送模块内的第三搬送机构。
附图说明
图1为表示本发明的一个实施方式的基板处理装置的结构的大致平面图；
图2为说明图1所示的搬送机构(搬送机械手)的拾取和放置动作的示意图；
图3为表示图1所示基板处理装置的本发明实施方式的搬送顺序初期阶段的图；
图4表示图3所示的搬送顺序阶段的下一阶段的图；
图5表示图4所示的搬送顺序阶段的下一阶段的图；
图6表示图5所示的搬送顺序阶段的下一阶段的图；
图7表示图6所示的搬送顺序阶段的下一阶段的图；
图8表示图7所示的搬送顺序阶段的下一阶段的图；
图9表示图8所示的搬送顺序阶段的下一阶段的图；
图10表示图9所示的搬送顺序阶段的下一阶段的图；
图11表示图10所示的搬送顺序阶段的下一阶段的图；
图12表示图11所示的搬送顺序阶段的下一阶段的图；
图13表示图12所示的搬送顺序阶段的下一阶段的图；
图14表示图13所示的搬送顺序阶段的下一阶段的图；
图15表示图14所示的搬送顺序阶段的下一阶段的图；
图16表示图15所示的搬送顺序阶段的下一阶段的图；
图17为表示比较例的搬送顺序的一个阶段的图；
图18为表示比较例的搬送顺序在图17中所示阶段的下一阶段的图；
图19为表示比较例的搬送顺序在图18中所示阶段的下一阶段的图；
图20为按本发明的搬送顺序和比较例的搬送顺序，对比表示图1所示的基板处理装置的各部和整体的循环时间的图表；
图21为表示图1所示基板处理装置的本发明另一实施方式的搬送顺序的一个阶段的图；
图22为表示图21所示搬送顺序的阶段的下一阶段的图；
图23为表示图22所示搬送顺序的阶段的下一阶段的图；
图24为表示比较例的搬送顺序的一个阶段的图；
图25为表示比较例的搬送顺序在图24中所示阶段的下一阶段的图；
图26为按本发明的搬送顺序和比较例的搬送顺序，对比表示图1所示的基板处理装置的各部和整体的循环时间的图表。
具体实施方式
以下，参照附图，说明本发明的优选实施方式。
图1中表示本发明的一个实施方式的基板处理装置的结构。该基板处理装置串联连接两个组件10、12。第一组件10为在构成真空搬送室的多角形的第一传送模块TM1周围呈环状配置多个、例如4个处理模块PM1、PM7、PM8、PM6和两个负载锁定模块LLM1、LLM2的多腔室装置。在该第一组件10中，各个模块具有能够按所希望的真空度分别形成减压空间的真空腔室或处理室；中心部的第一传送模块TM1经由闸阀GV和周边的各模块PM1、PM7、PM8、PM6、LLM1、LLM2连结。
另一方面，第二组件12为在构成真空搬送室的多角形的第二传送模块TM2的周围，呈环状配置多个、例如4个处理模块PM2、PM3、PM4、PM5的多腔室装置。在第二组件12中，各个模块具有能够按所希望的真空度分别形成减压空间的真空腔室或处理室，中心部的第二传送模块TM2经由闸阀GV和周边的各模块PM2、PM3、PM4、PM5连接。
另外，第一组件10的第一传送模块TM1和第二组件12的第二传送模块TM2经由闸阀GV互相连接，在接近该闸阀GV的第一传送模块TM1的突出部分上设置作为中继部的通路部PA。通路部PA具有能够水平地支承一个被处理体、例如半导体晶片(以下简单地称为“晶片”)的多根支承销。为了辅助晶片的交接，支承销可以升降。
在第一传送模块TM1的室内，设置有具有一对可旋转和伸缩的搬送臂FA、FB的第一真空搬送机械手RB1。该第一真空搬送机械手RB1的各搬送臂FA、FB能够在各个叉形的末端操作装置上各保持一个晶片。第一真空搬送机械手RB1通过在开状态下的闸阀GV，将搬送臂FA或FB插入其周围的各模块PM1、PM7、PM8、MP6、LLM1、LLM2中再将其抽出，能够进行晶片的搬入(装载)和搬出(卸载)。同样，第一真空搬送机械手RB1对于通路部PA也能够进行晶片的交接。两个搬送臂FA、FB互相背面对合地放置在机械手本体上，一体地作回转运动，在一个搬送臂停止于原位置、即双动位置上的状态下，另一个搬送臂伸缩，在原位置和正面前方的往动位置之间进退。
同样，在第二传送模块TM2的室内，设置具有可以转动伸缩的一对搬送臂FC、FD的第二真搬送机械手RB2。第二搬送机械手RB2的各个搬送臂FC、FD能够在各个叉形的末端操作装置上各保持一个晶片。第二真空搬送机械手RB2通过开状态的闸阀GV将搬送臂FC或FD插入圆周的各模块PM2、PM3、PM4、PM5中再将其抽出，这样能够进行晶片的搬入(装载)和搬出(卸载)。同样，第二真空搬送机械手RB2通过开状态的闸阀GV，也能够对通路部PA进行晶片的交接。两个搬送臂FC、FD互相背面对合地放置在机械手本体上，一体地作回转运动，在一个搬送臂停止在原位置、即双动位置上的状态下，另一个搬送臂伸缩，在原位置和正面前方的往动位置之间进退。
就处理模块PM1～PM8来说，分别在腔室内，利用规定的手段(处理气体，电力等)，进行规定的枚叶处理、例如CVD或溅射等的成膜处理、热处理、干蚀刻加工等。另外，负载锁定模块LLM1、LLM2还可根据需要装备加热部或冷却部。
负载锁定模块LLM1、LLM2在与传送模块TM相反的一侧，经由门阀DV，与通常为大气压环境下的装载模块LM连结。另外，与该装载模块LM邻接，设置有负载端口LP和定向平面对准机构ORT。负载端口LP用于在与外部搬送车之间的晶片盒CR的投入和取出。定向平面对准机构ORT用于使晶片W的取向平面(orientation flat)或缺口(notch)在规定的位置或朝向上一致。
设置在装载模块LM内的大气搬送机械手RB3具有可伸缩的上下两段(一对)的搬送臂，可在直线导向器(直线滑动器)LG上沿水平方向移动，并且可以升降回转，在负载端口LP、定向平面对准机械ORT和负载锁定模块LLM1、LLM2之间移动，每一个或每两个地搬送晶片。直线导向器LG由永久磁铁、驱动用励磁线圈和刻度头(scalehead)等构成，根据从主控制器发出的命令，进行大气搬送机械手RB3的直线驱动控制。
在这里，说明在投入到负载端口LP中的晶片盒CR内的一个晶片上，使其在该基板处理装置内接受一连串处理用的基本的晶片搬送顺序。利用第一组件10的处理模块PM7、PM1按这个顺序进行第一和第二工序的枚页处理，接着，利用第二组件12的处理模块PM4、PM3，按这个顺序进行第三和第四工序的枚页处理。在这种情况下，第一和第二工序的枚页处理为第一阶段的处理，第三和第四工序的枚页处理为第二阶段的处理。该基板处理装置内的搬送顺序通过在总括控制整体系统的主控制器和控制各个模块的动作的各个局部控制器之间交换所要的控制信号而执行。另外，也可以取代上述情况，用单一的控制器直接控制各模块的动作。在图1中，用符号20表示的控制器(CNTL)也可以为上述任何一种形式。
装载模块LM的大气搬送机械手RB3从负载端口LP上的晶片盒CR中取出一个晶片Wi、将该晶片Wi搬送至定向平面对准机构ORT中。在定向平面对准机构ORT中进行定向平面对准。在结束定向平面对准后，大气搬送机械手RB3将晶片Wi移动至负载锁定模块LLM1、LLM2中的任何一个(这里为LLM1)中。负载锁定模块LLM1在大气压状态下，接收晶片Wi，然后，将室内抽真空，在减压状态下，将晶片Wi交给第一传送模块TM1的第一真空搬送机械手RB1。
第一真空搬送机械手RB1利用搬送臂FA、FB的一个，将从负载锁定模块LLM1取出的晶片Wi搬入第一处理模块PM7中。处理模块PM7根据预先设定的方案，在规定的处理条件(气体、压力、电力、温度时间等)下，进行第一工序的枚页处理。在该第一工序的枚页处理结束后，第一真空搬送机械手RB1将晶片Wi从处理模块PM7搬出，接着，搬入第二个处理模块PM1中。处理模块PM1根据预先设定方案，在规定的条件下，进行第二工序的枚页处理。当第二工序的枚页处理结束时，第一真空搬送机械手RB1将晶片Wi从处理模块PM1搬出，将它交给通路部PA。通路部PA水平支承、留置所接收的晶片Wi。
第二传送模块TM2的第二真空搬送机械手RB2从通路部PA取回晶片Wi，将它搬入第三个处理模块PM4中。处理模块PM4根据预先设定的方案，在规定的处理条件下，进行第三工序的枚页处理。在第三工序的枚页处理结束后，第二真空搬送机械手RB2从处理模块PM4搬出晶片Wi，接着，搬入第四个处理模块PM3中。处理模块PM3根据预先设定的方案，在规定的处理条件下，进行第四工序的枚页处理。当第四工序的枚页处理结束时，第二真空搬送机械手RB2从处理模块PM3中搬出处理后的晶片Wi将它返回通路部PA。通路部PA水平支承、留置所接收的处理后、即所返回的晶片Wi。
然后，第一传送模块TM1的第一真空搬送机械手RB1，取回返回至通路部PA的返回晶片Wi，将该晶片返回负载锁定模块LLM1、LLM2中的一个中。
当将在基板处理装置内的多个处理模块PM7、PM1、PM4、PM3中接受过连续处理的处理后的晶片Wi搬入负载锁定模块中的一个(这里为LLM2)中时，该负载锁定模块LLM2的室内从减压状态切换至大气压状态。然后，装载模块LM的大气搬送机械手RB3从大气压状态的负载锁定模块LLM2取出晶片Wi，返回该晶片盒CR中。另外，能够对停留在负载锁定模块LLM1、LLM2中的晶片Wi，在所希望的气氛下，进行加热或冷却处理。
如上所述，该基板处理装置，可在串联连接的两个组件10、12内，按工序顺序，依次将晶片搬送至多个处理模块，连续地进行一连串的处理。例如，采用该基板处理装置，通过使用横跨两个组件的多个处理模块，在各个处理模块中，进行不同的处理条件下的真空处理，可在晶片上层积多种薄膜。
特别是，为了最大限度地发挥这种基板处理装置的生产率能力，最适合采用下述替换搬送方式，按工序顺序，跨过第一组件10和第二组件12，将各晶片W搬送至多个处理模块(上述例中为PM7、PM1、PM4、PM3)中的串行搬送中，对于各个处理模块PM，搬出刚刚在其中结束处理后的晶片Wi，与之替换，搬入刚刚从前工序的处理模块中搬出后的下一个晶片Wi+1。
不过，由于使从第一组件10向第二组件12前进的晶片W→和从第二组件12向第一组件10返回的晶片W←的时间不同并暂时留置在共同的中继部PA上，在前进的晶片W→的搬送顺序和返回的晶片W←的搬送顺序在中继部PA中冲突或竞争的情况下，产生生产率降低。但是，在产生这种竞争的情况下，通过使用基于后述的本发明的搬送顺序，可将生产率的降低抑制至最小限度。
在该基板处理装置中，如上所述，第一传送模块TM1的第一真空搬送机械手RB1具有一对搬送臂FA、FB，对其周围的各个处理模块PM1、PM7、PM8、PM6，对由该模块刚刚进行处理后的晶片和接着该在该模块中接受处理的晶片进行一连串的存取动作，以此实现替换的拾取和放置动作。
参照图2，说明拾取和放置动作。如图2(A)所示，第一真空搬送机械手RB1利用一个搬送臂、例如FA保持该搬入处理模块PMn中的未处理(处理前)的晶片Wj，使没有晶片的空的另一个搬送臂FB与处理模块PMn相对。又如图2(B)、(C)所示，将空的搬送臂FB插入处理模块PMn的腔室中，取出在那里结束处理后的晶片Wi(拾取动作)。接着，如图2(D)所示，将搬送臂FA、FB转动180°(翻转)，使保持未处理的晶片Wj的搬送臂FA与处理模块PMn相对。接着，如图2(E)、(F)所示，将搬送臂FA插入处理模块PMn的腔室中，将晶片Wj交给其内部载置台或支承销等晶片支承单元上，抽出变空的搬送臂FA(放置动作)。在拾取和放置动作时，设置在该处理模块PMn的晶片出入口上的闸阀GV(参见图1)一直为开状态。
这样，传送模块TM1的第一真空搬送机械手RB1通过对于各个处理模块PMn的一连串存取动作(即、在进行向某一个模块的一连串存取动作时，不进行向另一模块的存取动作)，通过进行上述的拾取和放置动作能够替换由该模块进行处理后的晶片Wi和接着该在该模块中接受处理的半导体晶片Wj。另外，第一真空搬送机械手RB1，利用与上述同样的拾取和放置动作，能够对各负载锁定模块LLM1、LLM2进行未处理晶片和处理后晶片的替换或传递。
另外，第一真空搬送机械手RB1通过与上述同样的拾取和放置动作，也能够对通路部PA进行前进的晶片W→和返回的晶片W←的替换。即：利用空的搬送臂FB从通路部PA取回返回晶片W←(拾取动作)，接着，使搬送臂FA、FB转动(翻转)180°，使保持前进晶片W→的搬送臂FA与通路部PA相对，接着，使搬送臂FA突出，将前进晶片W→交给通路部PA的支承销，抽出变空后的搬送臂FA(放置动作)。
另外，第一真空搬送机械手RB1在进行上述一连串的存取动作时，如果可能在拾取动作后立即进行放置动作，则可以在拾取动作后，留下稍许等待时间后，进行放置动作。另外，单独只进行搬出(取回)晶片Wi(W←)的拾取动作或搬入(接收)晶片Wj(W→)的放置动作也可以。
同样，第二传送模块TM2的第二真空搬送机械手RB2具有一对搬送臂FC、FD，利用上述拾取和放置动作，可对其周围的各个处理模块PM2、PM3、PM4、PM5，替换由该处理模块刚刚完成处理后的晶片Wi和接着该在该处理模块中接受处理的晶片Wj。另外，第二真空搬送机械手RB2，利用与上述同样的拾取和放置动作，也可对通路部PA进行前进晶片W→和返回晶片W←的替换。又同样，第二真空搬送机械手RB2，如果可能接着拾取动作，即刻进行放置动作，则也可以在拾取动作后，留下稍许等待时间后进行放置动作。另外，第二真空搬送机械手RB2也可单独地只进行搬出(取回)晶片Wi(W→)的拾取动作或搬入(接收)晶片Wj(W←)的放置动作。
接着，参照图3～图20说明在图1所示的基板处理装置中的下述搬送顺序的一个实施方式，为了对以盒单位投入负载端口LP中的一组晶片连续地进行一连串的处理，将各晶片W按串行搬送方式，依次搬送至组件装置内的多个处理模块中。在串行搬送方式中最好将各个处理模块中的处理时间全部设定为相同。
在这个实施方式中，在镀铜膜的铜线处理中，在下层(Cu)上连续形成阻挡金属的TaN/Ta层积膜和Cu种子层。即：在各个晶片W上，最初，在第一组件10内的处理模块PM7中，利用脱气(Degas)处理，使吸附在下层(Cu)表面上的气体脱离，接着，在相同的第一组件10内的处理模块PM1中，通过刻蚀(etching)，清洁下层(Cu)表面，接着，在第二组件12内的处理模块PM4中，利用iPVD法(ionized PhysicalVapor Deposition：离子物理气相沉积)，形成TaN/Ta层积膜，最后，在第二组件12内的处理模块PM3中，利用iPVD法，形成Cu种子层。另外，在负载锁定模块LLM1、LLM2中冷却处理后的晶片。在这种情况下，其余的处理模块PM8、PM6、PM2、PM5不工作。
如图3所示，收容在负载端口LP上的晶片盒CR中的多个、例如25个(在这里，取一个制造批次为25个)晶片W101～W125中，将最初的晶片W101经由定向平面对准机构ORT，搬送至负载锁定模块LLM1、LLM2中的任何一个中(这里为第一负载锁定模块LLM1)。当搬入晶片W101后的负载锁定模块LLM1的室内在进行抽真空时，第二个晶片W102通过定向平面对准机构ORT接受定向平面对准。如上所述，在负载端口LP、定向平面对准机构ORT、负载锁定模块LLM1、LLM2之间的晶片搬送，全部利用装载模块LM的大气搬送机械手RB3进行。
接着，如图4所示，当在负载锁定模块LLM1中抽真空结束时，将晶片W101从负载锁定模块LLM1，通过第一传送模块TM1，搬送至第一工序用的处理模块PM7。又如上所述，第一组件10内的晶片搬送，全部利用第一真空搬送机械手RB1进行。另一方面，在大气搬送系统中，在晶片W102从定向平面对准机构ORT向另一个(第二)负载锁定模块LLM2移动的同时，第三个晶片W103从盒CR向定向平面对准机构ORT移载。
处理模块PM7根据预先设定的方案，对所搬入的晶片W101在规定的处理条件下进行脱气处理。这期间，如图5所示，负载锁定模块LLM2中抽真空结束，第一真空搬送机械手RB1从负载锁定模块LLM2取出晶片W102。另外，在大气搬送系统中，将晶片W103从定向平面对准机构ORT移至第一负载锁定模块LLM1，而第四个晶片W104从盒CR移放至定向平面对准机构ORT上。
在处理模块PM7中，当晶片W101的脱气处理结束时，如图6所示，将晶片W101从处理模块PM7移至相同的第一组件10内的第二工序用的处理模块PM1，而将在第一传送模块TM1内待机的晶片W102搬入处理模块PM7中。在这种情况下，在处理模块PM7中，利用上述拾取和放置动作搬出晶片W101，并替换地搬入晶片W102。
当搬入晶片W102时，处理模块PM7在与晶片W101相同的处理条件下，开始脱气处理。少许延迟，处理模块PM1根据预先设定的方案，在规定的处理条件下，对所搬入的晶片W101开始下层表面蚀刻乃至清洁处理。另一方面，晶片W103进入的负载锁定模块LLM1进行室内抽真空。另外，在大气搬送系统中，将晶片W104移至负载锁定模块LLM2，将第五个晶片W105从盒CR移放至定向平面对准机构ORT上。
然后，当在处理模块PM7中脱气处理结束，在处理模块PM1中清洁处理结束时，如图7所示，将晶片W101从处理模块PM1移至通路部PA，将晶片W102从处理模块PM7移至处理模块PM1，将晶片W103从负载锁定模块LLM1移至处理模块PM7。
这种情况下的搬送顺序如下。首先，负载锁定模块LLM1的抽真空结束，将晶片W103取出至第一传送模块TM1。然后，当在处理模块PM7中，脱气处理结束时，利用拾取和放置动作，将晶片W102从处理模块PM7搬出，与它替换，将在第一传送模块TM1内待机的晶片W103搬入处理模块PM7中。接着，在处理模块PM1中清洁处理结束，利用拾取和放置动作，将晶片W101从处理模块PM1搬出，与它替换，将从处理模块PM7搬出的晶片W102搬入处理模块PM1中。然后，将从处理模块PM1搬出的晶片W101交给通路部PA。
在将晶片W103从负载锁定模块LLM1搬出至第一传送模块TM1内后，将负载锁定模块室内切换为大气压，将结束定向平面对准的晶片W105搬入其中。将第六个晶片W106从盒CR移放在定向平面对准机构ORT上。
然后，如图8所示，第二组件12的第二真空搬送机械手RB2从通路部PA取回晶片W101，将它搬入第三工序用的处理模块PM4中。处理模块PM4根据预先设定方案，在规定的处理条件下，利用iPVD法对搬入的晶片W101开始TaN/Ta层积膜的成膜处理。另一方面，在第一组件10内，当在负载锁定模块LLM2中抽真空结束时，将晶片W104搬出至第一传送模块TM1中。另外，在大气搬送系统中，利用大气搬送机械手RB3从定向平面对准机构ORT取回晶片W106，而将第七个晶片W107从盒CR移放在定向平面对准机构ORT上。
然后，当在处理模块PM7中脱气处理结束，在处理模块PM1中清洁处理结束时，如图9所示，将晶片W102从处理模块PM1移至通路部PA，将晶片W103从处理模块PM7移至处理模块PM1，将晶片W104搬入处理模块PM7中。在这种情况下，各晶片W102、103、104的搬送以与上述晶片W101、102、103的搬送时完全相同的顺序进行。两个处理模块PM7、PM1在与上述相同的处理条件下，分别对新搬入的晶片W104、W103进行脱气处理和清洁处理。
如图10所示，在第二组件12中，第二真空搬送机械手RB2将晶片W101从结束TaN/Ta层成膜处理的处理模块PM4中搬出，将它搬入第四工序用的处理模块PM3中。处理模块PM3根据预先设定的方案，在规定的处理条件下，利用iPVD法对搬入的晶片W101开始Cu种子层成膜处理。另外，第二真空搬送机械手RB2将从通路部PA取回的晶片W102搬入空的处理模块PM4中。处理模块PM4在与晶片W101相同处理条件下，对新搬入的晶片W102进行TaN/Ta层成膜处理。
在这种情况下，第二真空搬送机械手RB2能够采用如下搬送顺序，先从通路部PA取回晶片W102，接着，利用拾取和放置动作，对于处理模块PM4进行两晶片W101、102的替换，然后，利用单独的放置动作，将晶片W101搬入处理模块PM3中。不这样的话，也可以按如下顺序进行，由于晶片W101为批次前边的晶片(由于没有比它靠前的晶片)，先利用单独的拾取动作，从处理模块PM4搬出晶片W101，然后，利用单独的放置动作，搬入处理模块PM3中，再然后，利用单独的拾取动作，从通路部PA取回晶片W102，利用单独的放置动作，将其搬入处理模块PM4中。
另一方面，如图10所示，在第一组件10中，第一真空搬送机械手RB1，从结束抽真空的负载所定模块LLM1取出晶片W105。另外，在大气搬送系统中，利用大气搬送机械手RB3将晶片W107从定向平面对准机构ORT取回，而将第八个晶片W108从盒CR移放在定向平面对准机构ORT上。
然后，第一组件10中，当在处理模块PM7中脱气处理结束，在处理模块PM1中清洁处理结束时，如图11所示，将晶片W103从处理模块PM1移至通路部PA，将晶片W104从处理模块PM7移至处理模块PM1，将晶片W105搬入处理模块PM7中。在这种情况下，各晶片W103、104、105的串行搬送以与上述晶片W102、103、104的串行搬送完全相同的顺序进行。两个处理模块PM7、PM1，在与上述相同的处理条件下，分别对新搬入的晶片W105、W104进行脱气处理和清洁处理。
然后，如图12所示，在第二组件12中，第二真空搬送机械手RB2将晶片W101从结束Cu种子层成膜处理的处理模块PM3搬出，将它返回至通路部PA，从结束Ti/TiN层成膜处理的处理模块PM4搬出晶片W102，将它移至处理模块PM3，将从第一组件10交给通路部PA的前进晶片W103搬入处理模块PM4中。两个处理模块PM4、PM3在与上述相同的处理条件下，分别对新搬入的晶片W103、W102进行TaN/Ta层成膜处理和Cu种子层成膜处理。
在这种情况下，第二真空搬送机械手RB2能够采用如下搬送顺序，先从通路部PA取回晶片W103，接着，利用拾取和放置动作，对于处理模块PM4进行两个晶片W102、W103的替换，然后，利用拾取和放置动作，对于处理模块PM3进行两个晶片W101、W102的替换，最后，将从处理模块PM3取出的晶片W101交给通路部PA。但是，即使在这种情况下，由于晶片W101为批次前边的晶片(由于没有比它先行的晶片)，也可以采用例外的顺序。即：先利用单独的拾取动作，从处理模块PM3搬出晶片W101，在前进晶片W103到达通路部PA后，利用拾取和放置动作在通路部PA上进行晶片W101、W103的替换，然后利用拾取和放置动作，在处理模块PM4上进行两晶片W102、W103的替换，最后，利用单独的放置动作，将从处理模块PM4取出的晶片W102搬入处理模块PM3中。这种搬送顺序，能够以更快的时间，使处理后的前边晶片W101返回通路部PA。
另一方面，如图12所示，在第一组件10中，在将从第二组件12返回的晶片W101交给通路部PA前，从结束抽真空的负载锁定模块LLM2取出晶片W106。另外，在大气搬送系统中，将晶片W107搬入负载锁定模块LLM1中，利用大气搬送机械手RB3从定向平面对准机构ORT取回晶片W108，而将第九个晶片W109从盒CR移放至定向平面对准机构ORT上。
这样，如图12所示，当将从第二组件12返回的晶片W101交给通路部PA时，在第一组件10中，第一真空搬送机械手RB1将未处理的晶片W106保持在一个搬送臂上，两个处理模块PM7、PM1，分别对晶片W105、W104进行脱气处理和清洁处理，在放入未处理的晶片W107的状态下，一个负载锁定模块LLM1正在进行抽真空中。这时，由于第一真空搬送机械手RB1的另一个搬送臂为空的，可以使用该空搬送臂，取回从第二组件12交给通路部PA的返回的晶片W101。
但是，根据本发明，第一真空搬送机械手RB1，在使返回的晶片W101在通路部PA中等待的状态下，优先执行第一组件10内的串行搬送。即：如图13所示，利用拾取和放置动作，对结束脱气处理后的处理模块PM7进行晶片W105、W106的替换，接着，通过拾取和放置动作，对处理模块PM1进行晶片W104、W105的替换。然后，在利用一个搬送臂保持从处理模块PM1搬出的晶片W104的状态下，第一真空搬送机械手RB1使空的另一个搬送臂与在通路部PA中等待着的返回晶片W101对峙。又如图14所示，利用拾取和放置动作，从通路部PA取回返回的晶片W101、与它替换，将前进的晶片W104交给通路部PA。
然后，如图15所示，在第二组件12内，第二真空搬送机械手RB2从通路部PA取回前进的晶片W104，在第一组件10内，第一真空搬送机械手RB1，利用拾取和放置动作，对结束抽真空的负载锁定模块LLM1进行晶片107、101的替换。即：从减压状态的负载锁定模块LLM1取出未处理的晶片W107，与它替换，将处理后的晶片101返回至负载锁定模块LLM1。在负载锁定模块LLM1中，将处理后的晶片101冷却至室温附近的设定温度。
然后，如图16所示，负载锁定模块LLM1的室内切换至大气压状态，大气搬送机械手RB3将处理后的晶片101，从负载锁定模块LLM1移至负载端口LP的盒CR中。另外，在第二组件12中，利用拾取和放置动作，在结束TaN/Ta层成膜处理后的处理模块PM4中进行晶片W103、104的替换，接着，利用拾取和放置动作，在结束Cu种子层成膜处理后的处理模块PM3中进行晶片W102、103的替换，将从处理模块PM3搬出的处理后的晶片W102交给通路部PA。另一方面，在第一组件10中，即使将处理后的晶片W102交给通路部PA，也可以无视它(即、不立刻取出晶片W102)，进行前进的串行搬送。即：利用拾取和放置动作，对结束脱气处理后的处理模块PM7进行晶片W106、W107的替换，接着，利用拾取和放置动作，对结束清洁处理后的处理模块PM1进行晶片W105、W106的替换。另外，在利用一个搬送臂保持从处理模块PM1搬出的晶片W105的状态下，第一真空搬送机械手RB1使另一个空的搬送臂与在通路部PA中等待着的返回的晶片W102对峙。图中省略表示，在以后，利用拾取和放置动作，第一真空搬送机械手RB1从通路部PA取回返回的晶片W102，与它替换，将前进的晶片W105交给通路部PA。另外，利用拾取和放置动作，在负载锁定模块LLM2中进行晶片108、102的替换。即：从减压状态的负载锁定模块LLM2取出未处理的晶片108，与它替换，将处理后的晶片102交给负载锁定模块LLM2。
以后，按照与上述相同的顺序，重复搬送顺序。但是，在一个制造批次将要结束时，由于在末尾的晶片W125后没有接着的晶片，所以使用例外的搬送顺序。例如，当从各处理模块PM搬出末尾的晶片W125时，进行单独的拾取动作，不进行与它替换的放置动作。另外，当从末尾数的第三个晶片W123作为返回晶片W←，从处理模块PM3移至通路部PA时，后续的晶片W124、W125已搬入第二组件12内的处理模块PM4、PM3中，因此，在第一组件10内的搬送路径上存在的晶片一个也没有。各部的控制器和主控制器(CNTL20)经常或随时监视系统内的各部搬送路径上的晶片的有无和识别。因此，如上所述，在批次即将结束时，当将从第二组件返回的晶片W←交给通路部PA时，在确认在第一组件10内的搬送路径上一个也不存在晶片的状况的情况下，第一真空搬送机械手RB1也可以立即从通路部PA取回返回的晶片W，返回在减压状态下的负载锁定模块LLM1(LLM2)内。
如上所述，在这个实施方式中，在从第二组件12向着第一组件10返回的晶片W←到达通路部PA的时刻，当在第一组件10内的搬送路径上存在送至第二组件12的前进晶片W→时，优先进行第一组件10内的串行搬送，使返回的晶片W←在通路部PA中等待，直到与在第一组件10内结束所需要(第一阶段)的处理的前进晶片W→在通路部PA中进行替换为止。如果从该返回晶片W←在通路部PA中进行滞溜的状况来看，当乍一看时，会认为搬送循环时间或搬送节拍(搬送间隔)只延长该滞留时间。
但是，在替换搬送方式中，各个晶片Wi与搬送路径上后续的下一晶片Wi+1通过利用拾取和放置动作的替换从各个处理模块PMn传递至后段的处理模块PMn+1，由从将一个晶片搬入至一个处理模块中到搬入下一个晶片为止的PM循环时间，特别是最大PM循环时间决定系统内的搬送循环时间或搬送节拍。在决定搬送顺序和搬送时间时，可使不延长PM循环时间(特别是最大的PM循环时间)优先。在系统内的晶片搬送路径上的处理模块以外的点上，由于产生与最大PM循环时间和其以外的各PM循环时间的差相当的等待时间，在处理模块以外的点(也包含通路部PA)上，如果为比一定时间短的时间，则即使在该点上使晶片停留，也不会对生产率有不利影响。因此，使在处理模块之间的串行搬送优先相比使从通路部PA立即取回晶片优先，不但不会是使生产率恶化的原因，而且可提高生产率。
与此相对，在先前的搬送方式中，如图12所示，如果将从第二组件12向第一组件10返回的晶片W←(W101)交给通路部PA，则其以后的搬送顺序如图17、图18和图19所示。即：如图17所示，第一组件10的第一真空搬送机械手RB1利用空的搬送臂从通路部PA取回返回的晶片W101。另外，这时，即使负载锁定模块LLM1结束抽真空，但是第一真空搬送机械手RB1同时保持返回的晶片W101和未处理的晶片106，两个搬送臂FA、FB都塞满，所以也不能进行拾取和放置动作。即：对负载锁定模块LLM1不能替换未处理的晶片107和返回的晶片W101。结果，必需在同时保持返回晶片W101和未处理晶片106的状态下等待至空的负载锁定模块LLM2抽真空结束。
如图18所示，当负载锁定模块LLM2结束抽真空时，第一真空搬送机械手RB1将返回晶片W101搬入负载锁定模块LLM2中。这时，一个搬送臂变为空，可以进行拾取和放置动作。以后，如图19所示，开始第一组件10内的串行搬送，利用拾取和放置动作，在结束脱气处理进行待机的处理模块PM7中进行晶片W105、W106的替换，接着，利用拾取和放置动作，在结束清洁处理进行待机的处理模块PM1中进行晶片W104、W105的替换，将从处理模块PM1搬出的前进晶片W104交给通路部PA。
这样，根据现有技术中的搬送方式，即使第一组件10的第一真空搬送机械手RB1立即取回从第二组件12交给通路部PA的返回晶片W←，但是不但不能平稳地进行向作为下一个前进目的地的负载锁定模块LLM1(LLM2)的搬送或搬入，而且通过使对处理模块PM的串行搬送往后推，PM循环时间(特别是PM循环时间中占据的待机时间)增大，结果，一个处理批次的搬送循环时间的平均值延长。
图20为通过对比本发明的搬送顺序(特别是图13、图14、图15)和比较例的搬送顺序(图17、图18、图19)，表示本实施方式的基板处理装置的各部和整体循环时间的表。该表的数据为利用模拟求出的在搬送一个批次25个晶片时，各部循环时间的最小值(Min)、最大值(Max)和平均值(Ave)。这里，“LP Cycle Time(LP循环时间)”为从负载端口LP搬出各晶片Wi至返回负载端口LP为止的时间。“PMnCycle Time(PMn循环时间)”(n＝1、3、4、7)为从将各晶片Wi搬入各处理模块PMn中开始至搬入下一个晶片Wi+1为止的时间。各个处理模块PMn(n＝1、3、4、7)的处理时间都为60秒，负载锁定模块LLM1(LLM2)的冷却时间为30秒。不论处理时间是否一定(60秒)，PMn循环时间(PM循环时间)产生差别，都是由于一个循环内的搬送或待机时间有差别。相对地说，批次最后阶段的循环时间短，批次中间阶段的循环时间长。
在图20中，各LP循环时间和PM循环时间的最小值(Min)，在本发明和比较例中几乎没有不同。这是因为它是由末尾的晶片W125得出的循环时间，在本发明和比较例的任何一个的情况下，没有在搬送路径的途中等待的情况。然而，利用本发明可显著改善各部的循环时间的最大值(Max)和平均值(Ave)，大约缩短10％左右。一般，由于组件装置进行长时间的连续处理，所以即使搬送循环时间只缩短数个百分比，也可大幅提高生产性。
上述实施方式中，由于在镀铜膜的铜线路处理中，利用一连串(inline)的连续成膜处理形成阻挡金属的TaN/Ta层积膜和Cu种子层，作为第一组件10中的第一阶段的处理，在处理模块PM7、PM1中分别依次进行脱气处理、蚀刻处理；作为第二组件12中的第二阶段的处理，在处理模块PM4、PM3中分别依次进行TaN/Ta层成膜处理和Cu种子层成膜处理。作为一个变形例，为了进行实质上相同的真空薄膜加工，作为第一组件10中的第一阶段的处理，在处理模块PM1、PM6、PM7中分别依次进行蚀刻处理、ALD(Atomic Layer Deposition：原子层沉积)法的TaN/Ta层成膜处理和脱气处理；作为第二组件12中的第二阶段的处理，在处理模块PM3中，可以进行用iPVD法的Cu种子层成膜处理。
在这种情况下，如图21所示，省略途中的搬送顺序。当将从第二组件12向第一组件10的返回晶片W←(W101)交给通路部PA时，除了制造批次的最后阶段以外，在第一组件10内的搬送路径上存在1个或多个前进晶片W。典型的，如图21所示，第一真空搬送机械手RB1用一个搬送臂保持未处理的晶片W106，处理模块PM1、PM6、PM7对晶片W105、W104、W103分别进行清洁处理、TaN/Ta层成膜处理和脱气处理，一个负载锁定模块LLM1在放入未处理的晶片W107的状态下，进行抽真空。这里，第一真空搬送机械手RB1的另一搬送臂是空的，利用该空的搬送臂，可以取回从第二组件12交给通路部PA的返回的晶片W107。
但是，在这种情况下，根据本发明，第一真空搬送机械手RB1，在使返回的晶片W101在通路部PA中等待的状态下，优先进行第一组件10内的串行搬送。即：如图22所示，利用拾取和放置动作，在结束清洁处理后的处理模块PM1中进行晶片W105、W106的替换；接着，利用拾取和放置动作，在结束TaN/Ta层成膜处理后的处理模块PM6中进行晶片W104、W105的替换；再接着，利用拾取和放置动作，在结束脱气处理后的处理模块PM7中进行晶片W103、W104的替换。这样，在利用一个搬送臂保持从处理模块PM7搬出的晶片W103的状态下，使另一空的搬送臂与在通路部PA中等待的返回晶片W101对峙。又如图23所示，利用拾取和放置动作，从通路部PA取回返回的晶片W101，与它替换，将前进的晶片W103交给通路部PA。这样，可以使在处理模块PM1、PM6、PM7中的晶片替换比从通路部PA取回返回的晶片W101优先，可适应提高一个批次整体的生产率的目的。
与此相对，采用先前的搬送方式，如图21所示，当将从第二组件12向着第一组件10的返回晶片W←(W101)交给通路部PA时，其后，如图24所示，第一组件10的第一真空搬送机械手RB1，利用空的搬送臂从通路部PA取回返回的晶片W101。但是，在这种情况下，不能利用拾取和放置动作，在负载锁定模块LLM1中替换未处理晶片W107和返回晶片W101，必需在第一真空搬送机械手RB1保持返回晶片W101的状态下，等待至空的负载锁定模块LLM2的抽真空结束。然后，如图25所示，在第一真空搬送机械手RB1利用单独的放置动作将返回的晶片W101搬入结束抽真空的负载负紧模块LLM2后，开始在第一组件10内的串行搬送。这样，即使第一组件10的第一真空搬送机械手RB1立即取回从第二组件12交给通路部PA的返回晶片W←，但是向作为下一个前进目的地的负载锁定模块LLM1(LLM2)的搬送也不但不能平稳地进行，而且处理模块PM侧的串行搬送和晶片的替换被推迟，结果，系统整体和批次基本的生产率恶化。
在图26中，利用本发明的搬送顺序(图22，图23)和比较例的搬送顺序(图24，图25)，以一览表的形式对比表示第二实施方式的各部和整体的循环时间。但是，PMn循环时间(n＝1、3、6、7)为从将各个晶片Wi搬入各个处理模块PMn中开始至搬入下一个晶片Wi+1为止的时间、即PM循环时间。各个处理模块PMn(n＝1、3、6、7)的处理时间都为60秒，负载锁定模块LLM1(LLM2)的冷却时间为30秒。从图25的数据可看出，在这个实施方式中，利用本发明，可以显著改善各部的循环时间的最大值(Max)和平均值(Ave)，缩短约10％左右。
上述搬送顺序和处理顺序只不过是基于本发明的搬送顺序和处理顺序的一个例子，其他，在横跨第一组件10和第二组件12，从处理模块PM1～PM8中，按任意的顺序组合任意的模块，进行所希望的一连串复合处理的情况下，也能够适用基于本发明的搬送顺序和处理顺序。
另外，在上述实施方式中，在第一组件10中进行第一阶段的处理，接着，在第二组件12中进行第二阶段的处理，将结束第二阶段的全部处理后的晶片直接从通路部PA搬送至负载锁定模块LLM1(LLM2)。然而，在本发明中，这种搬送顺序为一个例子，例如可以将在第二组件12中结束第二阶段的晶片，从通路部PA搬送至第一组件10内剩余的处理模块PM中。另外，在第二组件12中进行第一阶段处理，接着，在第一组件10中，进行第二阶段的处理的复合处理的搬送顺序或在第二组件12中，进行第一阶段处理，在第一组件10中，进行第二阶段处理，在第二组件12中，进行第三阶段处理的复合处理的搬送顺序等也可以。
另外，在上述实施方式中，说明了第一组件10侧的第一真空搬送机械手RB1取回从第二组件12侧的第二真空搬送机械手RB2交给通路部PA的晶片W的情况，但本发明在相反的情况下，即第二组件12侧的第二真空搬送机械手RB2取回从第一组件10侧的第一真空搬送机械手RB1交给通路部PA的晶片W的情况下也可使用。即：在该情况下，进行如下搬送控制，使从第一真空搬送机械手RB1交给通路部PA的晶片W在通路部PA中等待，直到第二真空搬送机械手RB2将之与在第二组件12内的处理模块中结束一个或一系列处理并向着第一组件10的晶片进行替换。
本发明的基板处理装置不是仅限于上述实施方式的真空系统的处理系统，一部分或整体在大气系统的处理系统中也可使用。本发明的被处理体不是仅限于半导体晶片，也包含平板显示器用的各种基板或光掩模、CD基板、和印刷基板等。

Claims (14)

1.一种基板处理装置，包括串联连接的第一多腔室装置和第二多腔室装置，
所述第一多腔室装置具有第一搬送机构；配置在所述第一搬送机构周围的第一组处理模块；和配置在所述第一搬送机构的周围，在所述第一多腔室装置的外部和所述第一多腔室装置之间，进行被处理体的交接用的接口模块，
所述第二多腔室装置具有第二搬送机构；和配置在所述第二搬送机构周围的第二组处理模块，
为了在所述第一搬送机构和所述第二搬送机构之间交接被处理体，将暂时留置被处理体用的中继部，设置在所述第一搬送机构和所述第二搬送机构之间，
该基板处理装置还具有控制器，所述控制器以控制所述第一和第二搬送机构的方式构成，使得所述第一和第二搬送机构根据规定的处理顺序，依次将各被处理体搬送至所述第一组和第二组的处理模块中，并且，对于所述第一组和第二组的各个处理模块，将在该处理模块中结束处理后的被处理体搬出，与其进行替换，搬入应该在该处理模块中接着接受处理的后续其它被处理体，所述基板处理装置的特征在于：
所述控制器以控制所述第一搬送机构的方式构成，使得在利用第二搬送机构将结束在所述第二多腔室装置中的规定处理后的第一被处理体搬入所述中继部中时，在处于不能够从所述第一多腔室装置将接着应该搬入所述第二多腔室装置中的第二被处理体搬入所述中继部中的状态的情况下，使所述第一被处理体在所述中继部中待机至变为能够将所述第二被处理体搬入所述中继部中的状态，然后，当从所述中继部搬出所述第一被处理体时，与其进行替换，将所述第二被处理体搬入所述中继部中。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：
所述控制器以控制所述第一搬送机构的方式构成，使得监视在从所述接口模块经由所述第一组的处理模块至所述中继部的搬送路径上是否存在被处理体，在利用所述第二搬送机构将所述第一被处理体交给所述中继部时，当在所述搬送路径上一个被处理体也没有时，所述第一搬送机构立刻搬出在所述中继部中的第一被处理体。
3.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：
所述第一搬送机构具有可在所述第一组的各处理模块中出入的两个搬送臂，
所述控制器以控制所述第一搬送机构的方式构成，使得对于所述第一组的各处理模块，当搬出在该处理模块中结束处理后的被处理体，与其进行替换，搬入应该在该处理模块中接着接受处理的后续其它被处理体时，使用所述两个搬送臂中的一个，从该处理模块搬出结束所述处理后的被处理体，接着，利用另一个搬送臂，将所述后续其它被处理体搬入该处理模块中。
4.如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于：
所述第一搬送机构的两个搬送臂以对所述中继部也能够交接被处理体的方式构成，
所述控制器以控制所述第一搬送机构的方式构成，使得当从所述中继部搬出所述第一被处理体，与其进行替换，将所述第二被处理体搬入所述中继部时，利用所述两个搬送臂中的一个，从所述中继部搬出所述第一被处理体，接着，利用另一个搬送臂，将所述第二被处理体搬入所述中继部中。
5.如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于：
所述第一搬送机构的两个搬送臂以对所述接口模块也能够交接被处理体的方式构成，
所述控制器以控制所述第一搬送机构的方式构成，使得利用所述两个搬送臂中的一个，从所述接口模块搬出未处理的被处理体，接着利用另一个搬送臂，将结束应该在所述第一和第二多腔室装置中进行的全部处理后的被处理体搬入所述接口模块中。
6.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：
所述控制器以控制所述第一搬送机构的方式构成，使得所述第一搬送机构将从所述中继部搬出的所述第一被处理体直接搬送至所述接口模块中。
7.一种基板处理装置，包括串联连接的第一多腔室装置和第二多腔室装置，
所述第一多腔室装置具有第一搬送机构；配置在所述第一搬送机构周围的第一组处理模块；和配置在所述第一搬送机构的周围，在所述第一多腔室装置的外部和所述第一多腔室装置之间，进行被处理体的交接用的接口模块，
所述第二多腔室装置具有第二搬送机构；和配置在所述第二搬送机构周围的第二组处理模块，
为了在所述第一搬送机构和所述第二搬送机构之间交接被处理体，将暂时留置被处理体用的中继部，设置在所述第一搬送机构和所述第二搬送机构之间，
该基板处理装置还具有控制器，该控制器以控制所述第一和第二搬送机构的方式构成，使得所述第一和第二搬送机构根据规定的处理顺序，依次将各被处理体搬送至所述第一组和第二组的处理模块中，并且，对于所述第一组和第二组的各个处理模块，将在该处理模块中结束处理后的被处理体搬出，与其进行替换，搬入应该在该处理模块中接着接受处理的后续其它被处理体，所述基板处理装置的特征在于：
所述控制器以控制所述第二搬送机构的方式构成，使得在利用第一搬送机构将结束在所述第一多腔室装置中的规定处理后的第一被处理体搬入所述中继部中时，在处于不能够从所述第二多腔室装置将接着应该搬入所述第一多腔室装置中的第二被处理体搬入所述中继部中的状态的情况下，使所述第一被处理体在所述中继部中待机至变为能够将所述第二被处理体搬入所述中继部中的状态，然后，当从所述中继部搬出所述第一被处理体时，与其进行替换，将所述第二被处理体搬入所述中继部中。
8.如权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于：
所述控制器以控制所述第二搬送机构的方式构成，使得监视在从所述接口模块经由所述第二组的处理模块至所述中继部的搬送路径上是否存在被处理体，在利用所述第一搬送机构将所述第一被处理体交给所述中继部时，当在所述搬送路径上一个被处理体也没有时，所述第二搬送机构立刻搬出在所述中继部中的第一被处理体。
9.如权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于：
所述第二搬送机构具有可在所述第二组的各处理模块中出入的两个搬送臂，
所述控制器以控制所述第二搬送机构的方式构成，使得对于所述第二组的各处理模块，当搬出在该处理模块中结束处理后的被处理体，与其进行替换，搬入应该在该处理模块中接着接受处理的后续其它被处理体时，使用所述两个搬送臂中的一个，从该处理模块搬出结束所述处理后的被处理体，接着，利用另一个搬送臂，将所述后续其它被处理体搬入该处理模块中。
10.如权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于：
所述第二搬送机构的两个搬送臂以对所述中继部也能够交接被处理体的方式构成，
所述控制器以控制所述第二搬送机构的方式构成，使得当从所述中继部搬出所述第一被处理体，与其进行替换，将所述第二被处理体搬入所述中继部时，利用所述两个搬送臂中的一个，从所述中继部搬出所述第一被处理体，接着，利用另一个搬送臂，将所述第二被处理体搬入所述中继部中。
11.如权利要求1～10中任一项所述的基板处理装置，其特征在于：
所述第一和第二搬送机构分别设置在第一和第二真空搬送室内，
所述中继部配置在所述第一真空搬送室和所述第二真空搬送室的连结部附近，
所述第一组的各个处理模块具有经由闸阀与所述第一真空搬送室连结的真空处理室，
所述第二组的各个处理模块具有经由闸阀与所述第二真空搬送室连结的真空处理室，
所述接口模块具有至少一个负载锁定室，所述负载锁定室经由闸阀与所述第一真空搬送室连结，并且为了暂时留置在大气压空间和减压空间之间传送的被处理体，可选择地将室内切换为大气压状态或减压状态，
所述第一搬送机构，为了搬送被处理体可在减压下的所述第一真空搬送室内移动，进出所述第一组的处理模块的真空处理室、所述中继部和所述负载锁定室，
所述第二搬送机构，为了搬送被处理体可在减压下的所述第二真空搬送室内移动，进出所述第二组的处理模块的真空处理室和所述中继部。
12.如权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于：
所述第一真空搬送室和所述第二真空搬送室经由闸阀互相连结。
13.如权利要求11或12所述的基板处理装置，其特征在于，还包括：
在大气压下支承可收容多个被处理体的盒的负载端口，
与所述负载端口连接或邻接，经由门阀与所述负载锁定模块连结的大气压下的搬送模块，和
为了在所述负载端口上的盒和所述负载锁定模块之间搬送被处理体，设置在所述大气压搬送模块内的第三搬送机构。
14.如权利要求11～13中任一项所述的基板处理装置，其特征在于：
所述第一组和第二组的处理模块中的至少一个为在减压下，在被处理体上形成薄膜的成膜处理模块。
CNB200680002224XA 2005-11-28 2006-11-28 基板处理装置的控制方法 Active CN100511628C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP342433/2005 2005-11-28
JP2005342433A JP4925650B2 (ja) 2005-11-28 2005-11-28 基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101103452A true CN101103452A (zh) 2008-01-09
CN100511628C CN100511628C (zh) 2009-07-08

Family

ID=38067336

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB200680002224XA Active CN100511628C (zh) 2005-11-28 2006-11-28 基板处理装置的控制方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20090259335A1 (zh)
JP (1) JP4925650B2 (zh)
KR (1) KR100970516B1 (zh)
CN (1) CN100511628C (zh)
TW (1) TWI389236B (zh)
WO (1) WO2007061116A1 (zh)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101859723A (zh) * 2009-04-01 2010-10-13 东京毅力科创株式会社 基板交换方法以及基板处理装置
CN102403249A (zh) * 2010-09-07 2012-04-04 上海凯世通半导体有限公司 真空传输制程设备及方法
CN102456595A (zh) * 2010-10-26 2012-05-16 上海凯世通半导体有限公司 真空传输制程设备及方法
CN102714170A (zh) * 2010-10-14 2012-10-03 东京毅力科创株式会社 处理系统
CN103227233A (zh) * 2012-01-31 2013-07-31 上海凯世通半导体有限公司 真空传输制程设备及方法
CN104812686A (zh) * 2013-11-26 2015-07-29 科磊股份有限公司 用于拾取工件的取放头及方法
US9230842B2 (en) 2010-09-22 2016-01-05 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
CN105448788A (zh) * 2014-07-01 2016-03-30 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种反应腔室、晶片传输方法及等离子体加工设备
CN111968935A (zh) * 2019-05-20 2020-11-20 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和基板处理方法

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009053435A1 (en) * 2007-10-24 2009-04-30 Oc Oerlikon Balzers Ag Method for manufacturing workpieces and apparatus
CN107028678B (zh) 2008-09-04 2020-02-21 Swat医疗有限公司 临时的防栓塞保护装置及提供该装置的医学方法
JP5384925B2 (ja) * 2008-12-18 2014-01-08 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
US8666551B2 (en) * 2008-12-22 2014-03-04 Asm Japan K.K. Semiconductor-processing apparatus equipped with robot diagnostic module
TWI532114B (zh) * 2009-11-12 2016-05-01 Hitachi High Tech Corp Vacuum processing device and operation method of vacuum processing device
JP5557516B2 (ja) * 2009-12-09 2014-07-23 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置
JP5665454B2 (ja) * 2010-09-22 2015-02-04 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP5883232B2 (ja) 2011-03-26 2016-03-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP6002532B2 (ja) * 2012-10-10 2016-10-05 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置及び真空処理方法
TWI658531B (zh) * 2013-11-04 2019-05-01 應用材料股份有限公司 具有增加的側面數量之傳送腔室、半導體裝置製造處理工具、及處理方法
JP6420609B2 (ja) * 2013-11-21 2018-11-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板搬送方法および基板処理装置
US10269606B2 (en) * 2014-05-05 2019-04-23 Persimmon Technologies Corporation Two-link arm trajectory
JP6430156B2 (ja) * 2014-06-19 2018-11-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム、仕切弁及び基板搬送方法
KR101642919B1 (ko) * 2015-02-24 2016-07-26 코스텍시스템(주) 웨이퍼 이송 장치 및 이송 방법
CN106449466A (zh) * 2015-08-11 2017-02-22 中微半导体设备(上海)有限公司 一种基片处理系统
KR101837552B1 (ko) * 2015-10-02 2018-03-13 에이피시스템 주식회사 Tsv 공정용 진공 라미네이팅 장치
JP6842828B2 (ja) 2015-12-24 2021-03-17 東京エレクトロン株式会社 処理システム及び処理プログラム
KR101912772B1 (ko) * 2016-12-26 2019-01-14 주식회사 한화 광기전력 소자 제조 장치 및 제조 방법
JP7316121B2 (ja) * 2019-07-05 2023-07-27 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置及び基板搬送方法
KR20220124210A (ko) 2020-01-06 2022-09-13 램 리써치 코포레이션 기판 프로세싱 툴의 다양한 모듈들의 하드웨어 컴포넌트들의 자동 구성
KR102595638B1 (ko) * 2020-09-25 2023-10-31 주식회사 히타치하이테크 진공 처리 장치의 운전 방법

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3193904B2 (ja) * 1997-08-01 2001-07-30 株式会社日立国際電気 基板搬送制御方法及び基板製品の製造方法
US6275744B1 (en) * 1997-08-01 2001-08-14 Kokusai Electric Co., Ltd. Substrate feed control
JPH11163087A (ja) * 1997-12-01 1999-06-18 Toshiba Microelectronics Corp 基板処理装置及び搬送スケジューリング方法
US7105434B2 (en) * 1999-10-02 2006-09-12 Uri Cohen Advanced seed layery for metallic interconnects
US6684122B1 (en) * 2000-01-03 2004-01-27 Advanced Micro Devices, Inc. Control mechanism for matching process parameters in a multi-chamber process tool
JP2002261148A (ja) * 2001-03-05 2002-09-13 Tokyo Electron Ltd 処理システム及び被処理体の予熱方法
US20020159864A1 (en) * 2001-04-30 2002-10-31 Applied Materials, Inc. Triple chamber load lock
JP2003036107A (ja) * 2001-07-26 2003-02-07 Nec Corp 設備処理時間算出方法、設備処理時間算出装置および設備処理時間算出プログラムを記録した記録媒体
JP4821074B2 (ja) * 2001-08-31 2011-11-24 東京エレクトロン株式会社 処理システム
JP4348921B2 (ja) * 2002-09-25 2009-10-21 東京エレクトロン株式会社 被処理体の搬送方法
JP4239572B2 (ja) * 2002-11-27 2009-03-18 東京エレクトロン株式会社 搬送システムの搬送位置合わせ方法及び処理システム
US8078311B2 (en) * 2004-12-06 2011-12-13 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate transfer method adopted in substrate processing apparatus
US8244391B2 (en) * 2008-05-28 2012-08-14 International Business Machines Corporation Method for minimizing productivity loss while using a manufacturing scheduler
TW201135613A (en) * 2010-04-07 2011-10-16 Inotera Memories Inc Method for planning production schedule of equipment and associated computer readable medium
JP5654807B2 (ja) * 2010-09-07 2015-01-14 東京エレクトロン株式会社 基板搬送方法及び記憶媒体
JP2012061585A (ja) * 2010-09-17 2012-03-29 Tokyo Electron Ltd 真空処理装置、真空処理方法及び微細加工装置

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101859723B (zh) * 2009-04-01 2012-05-09 东京毅力科创株式会社 基板交换方法以及基板处理装置
CN101859723A (zh) * 2009-04-01 2010-10-13 东京毅力科创株式会社 基板交换方法以及基板处理装置
CN102403249B (zh) * 2010-09-07 2014-03-05 上海凯世通半导体有限公司 真空传输制程设备及方法
CN102403249A (zh) * 2010-09-07 2012-04-04 上海凯世通半导体有限公司 真空传输制程设备及方法
US9230842B2 (en) 2010-09-22 2016-01-05 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
CN102714170B (zh) * 2010-10-14 2015-06-10 东京毅力科创株式会社 处理系统
CN102714170A (zh) * 2010-10-14 2012-10-03 东京毅力科创株式会社 处理系统
CN102456595A (zh) * 2010-10-26 2012-05-16 上海凯世通半导体有限公司 真空传输制程设备及方法
CN102456595B (zh) * 2010-10-26 2014-04-30 上海凯世通半导体有限公司 真空传输制程设备及方法
CN103227233B (zh) * 2012-01-31 2015-07-22 上海凯世通半导体有限公司 真空传输制程设备及方法
CN103227233A (zh) * 2012-01-31 2013-07-31 上海凯世通半导体有限公司 真空传输制程设备及方法
TWI670152B (zh) * 2013-11-26 2019-09-01 克萊譚克公司 取放頭及用於提取工件之方法
US9586325B2 (en) 2013-11-26 2017-03-07 Kla-Tencor Corporation Pick-and-place head and method for picking work-pieces
CN104812686A (zh) * 2013-11-26 2015-07-29 科磊股份有限公司 用于拾取工件的取放头及方法
US10543600B2 (en) 2013-11-26 2020-01-28 Kla-Tencor Corporation Pick-and-place head and method for picking work-pieces
US11020862B2 (en) 2013-11-26 2021-06-01 Kla-Tencor Corporation Pick-and-place head and method for picking work-pieces
CN105448788A (zh) * 2014-07-01 2016-03-30 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种反应腔室、晶片传输方法及等离子体加工设备
CN105448788B (zh) * 2014-07-01 2018-12-11 北京北方华创微电子装备有限公司 一种反应腔室、晶片传输方法及等离子体加工设备
CN111968935A (zh) * 2019-05-20 2020-11-20 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和基板处理方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP4925650B2 (ja) 2012-05-09
JP2007149973A (ja) 2007-06-14
KR100970516B1 (ko) 2010-07-16
CN100511628C (zh) 2009-07-08
US20090259335A1 (en) 2009-10-15
KR20080008411A (ko) 2008-01-23
WO2007061116A1 (ja) 2007-05-31
TWI389236B (zh) 2013-03-11
TW200729380A (en) 2007-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100511628C (zh) 基板处理装置的控制方法
CN101577220B (zh) 群集式工具的被处理体的处理方法
US10752987B2 (en) System architecture for combined static and pass-by processing
EP1592822B1 (en) Disk coating system
KR100940135B1 (ko) 처리 시스템 및 그 운전 방법
US6257827B1 (en) Apparatus and method for transporting substrates
US6970770B2 (en) Cluster tool and method for controlling transport
US9147592B2 (en) Linked vacuum processing tools and methods of using the same
JP2008520837A (ja) ウエハファブ
KR100659413B1 (ko) 피처리체의 반송 방법
KR20070095098A (ko) 반도체 기판의 이송 장치 및 이를 이용한 기판 이송 방법
JP2001135704A (ja) 基板処理装置及び基板搬送用トレイの搬送制御方法
JPH04190840A (ja) 真空処理装置
JP4494523B2 (ja) インライン型ウェハ搬送装置および基板搬送方法
JP5247094B2 (ja) 基板処理システム
CN106716617B (zh) 基板搬送方法和处理系统
KR102125122B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101019212B1 (ko) 기판 처리 설비 및 방법
CN110544660B (zh) 模块化晶圆传输系统和半导体设备
US20050221603A1 (en) System architecture of semiconductor manufacturing equipment
KR20100025229A (ko) 기판 이송 유닛 및 기판 이송 방법
KR20160059268A (ko) 기판처리장치

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant