CN105448788B - 一种反应腔室、晶片传输方法及等离子体加工设备 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种反应腔室、晶片传输方法及等离子体加工设备，其包括承载装置和托片机构，承载装置上设有多个用于承载晶片的承载位，托片机构设于承载装置的上方，其用于在机械手和承载装置的多个承载位之间传输晶片。相比现有技术，上述反应腔室中，机械手向每个承载位传输晶片所需的时间明显减少，使机械手传输晶片的效率明显提高，从而在一定程度上使反应腔室对晶片进行工艺处理的效率相应提高。同时，托片机构设置于承载装置的上方，使得二者之间不产生干涉，简化了托片机构和承载装置的控制程序，从而可以在一定程度上提高机械手传输晶片的可靠性和稳定性，减小故障率。

Description

一种反应腔室、晶片传输方法及等离子体加工设备

技术领域

本发明涉及半导体设备制造领域，具体地，涉及一种反应腔室、晶片传输方法及等离子体加工设备。

背景技术

等离子体加工设备一般包括机械手和多个工艺腔室，机械手用于在多个工艺腔室之间传输晶片，使晶片在多个工艺腔室中进行不同的工艺处理。

图1为现有的物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，以下简称为PVD)设备的结构示意图。如图1所示，PVD设备包括去气腔室1、预清洗腔室2和溅射腔室3，其分别用于对晶片进行去气工艺、预清洗工艺和溅射沉积工艺；其中，去气腔室1、预清洗腔室2和溅射腔室3均与传输腔室4连接；传输腔室4内设有用于传输晶片的机械手5，在工艺过程中，机械手5将晶片依次传输至去气腔室1、预清洗腔室2和溅射腔室3，进行相应的去气工艺、预清洗工艺和溅射沉积工艺。

图2为图1所示PVD设备中溅射腔室的俯视示意图。图3为图2所示溅射腔室在竖直方向的截面示意图。如图2和图3所示，溅射腔室3内设有承载盘6、顶针机构7和第一驱动装置8。其中，承载盘6上设有承载位9和传输位10；承载位9用于承载晶片，其数量为多个；传输位10为机械手向承载位9传输晶片时，承载位9所在的位置。第一驱动装置8设于承载盘6下方，其用于驱动承载盘6作旋转运动，使多个承载位9在承载盘6旋转时依次到达传输位10。顶针机构7设于传输位10下方，其包括第二驱动装置11和多个顶针12，每个承载位9上与多个顶针12对应的位置处设有通孔，第二驱动装置11用于在承载位9到达传输位10时，驱动多个顶针12在竖直方向上作升降运动，使多个顶针12到达高位或低位，即多个顶针12的顶端高出或低于承载盘6的上表面。

在上述PVD设备中，机械手向承载位9上传输晶片的过程如下：首先，第一驱动装置8驱动承载盘6旋转，使承载位9到达传输位10；其次，第二驱动装置11驱动多个顶针12作上升运动，使多个顶针12由低位到达高位；而后，机械手进入到反应腔室中，到达多个顶针12的竖直上方，并与多个顶针12在竖直方向上相对运动，使其低于多个顶针12的顶端，从而将放置于机械手上的晶片转移至多个顶针12上；最后，机械手退出反应腔室，第二驱动装置11驱动多个顶针12在竖直方向上作下降运动，使多个顶针12由高位到达低位，从而将放置于多个顶针12上的晶片转移至承载盘6上，完成晶片由机械手向承载盘9的传输。

上述PVD设备在实际使用中不可避免地存在下述问题：

首先，在上述传输过程中，只有在第一驱动装置8驱动承载盘6旋转，使承载位9到达传输位10后，第二驱动装置11方可驱动多个顶针12上升，同时，只有在第二驱动装置11驱动多个顶针12作上升运动，使多个顶针12到达高位时，机械手方可进入反应腔室中，向承载位9传输晶片，这导致上述多个传输步骤依次进行，其传输过程较长，从而影响了PVD设备进行溅射沉积工艺的效率。

其次，在上述过程中，第一驱动装置8驱动承载盘6旋转时，多个顶针12必须位于低位；第二驱动装置11驱动多个顶针12作升降运动时，承载位9必须位于传输位10，这就要求顶针机构7和承载盘6的控制程序中进行相应的互锁，以使彼此的运动过程不相冲突；同时，顶针机构7和机械手之间也必须进行互锁，使多个顶针12在第二驱动装置11的驱动下到达高位后，机械手方可进入到反应腔室中，以及使机械手退出反应腔室后，第二驱动装置11方可驱动多个顶针12作下降运动；这导致上述传输过程中具有较多的故障点，从而使上述PVD设备的传输系统的故障率较高。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种反应腔室、晶片传输方法及等离子体加工设备，其可以使机械手具有较高的向承载装置的多个承载位上传输晶片的效率，并使传输过程安全稳定，具有较低的故障率。

为实现本发明的目的而提供一种反应腔室，包括承载装置和托片机构，所述承载装置上设有多个用于承载晶片的承载位，所述托片机构设于所述承载装置的上方，其用于在机械手和承载装置的多个承载位之间传输晶片。

其中，所述托片机构包括驱动装置和爪手，所述爪手下端设有可在水平方向伸缩的伸缩部，用以支撑晶片。

其中，所述爪手的数量为多个，每个爪手下端设有一个伸缩部；或者所述爪手的数量为一个，所述爪手下端设有多个伸缩部。

其中，所述驱动装置为气缸或电机。

其中，所述反应腔室内有多个工艺腔室，用于同时对晶片进行工艺处理。

其中，所述反应腔室用于对晶片进行溅射沉积工艺，其内每个工艺腔室中设有一个靶材。

其中，所述托片机构设于相邻的两个工艺腔室之间。

作为另一个技术方案，本发明还提供一种晶片传输方法，用于在本发明提供的上述反应腔室内在机械手和承载装置的多个承载位之间传输晶片，所述晶片传输方法包括下述步骤：

S10，机械手进入反应腔室内，将放置于其上的晶片转移至托片机构上；同时，承载装置旋转，使承载位到达托片机构竖直下方位置处；

S20，机械手退出反应腔室，托片机构由预设位置下降至承载位处，将晶片放置于该承载位上；

S30，托片机构上升至预设位置；

S40，重复步骤S10-S30，直至承载装置上的多个承载位上均放置有晶片；

S50，对放置于多个承载位上的晶片进行工艺处理；

S60，承载装置旋转，使承载位到达托片机构竖直下方位置处；

S70，托片机构由预设位置下降至承载位处，将放置于承载位上的晶片抓取，并上升至预设位置；

S80，机械手进入反应腔室，将放置于托片机构上的晶片转移至机械手上；同时，重复步骤S60，将下一个承载位旋转至托片机构竖直下方；

S90，机械手退出反应腔室；

S100，重复步骤S70-S90，直至承载装置的每个承载位上放置的晶片被传输至反应腔室外部。

其中，在步骤S10中，机械手到达处于伸张状态的伸缩部上方，通过与伸缩部在竖直方向上的相对运动，使其低于所述伸缩部，将放置于其上的晶片转移至托片机构的多个伸缩部上。

其中，在步骤S20中，托片机构下降至承载位处，通过伸缩部由伸张状态变为伸缩状态，将多个伸缩部上的晶片放置于该承载位上。

其中，在步骤S70中，托片机构由预设位置下降至承载位处，通过伸缩部由收缩状态变为伸张状态，将放置于该承载位上的晶片抓取。

其中，在步骤S80中，机械手到达处于伸张状态的伸缩部竖直下方，通过与伸缩部在竖直方向上的相对运动，使其高出托片机构的伸缩部，将放置于伸缩部上的晶片转移至机械手上。

作为另一个技术方案，本发明还提供一种等离子体加工设备，包括反应腔室，用于对晶片进行工艺处理，所述反应腔室采用本发明提供的上述反应腔室。

本发明具有以下有益效果：

本发明提供的反应腔室，其托片机构设于承载装置的上方，使机械手向托片机构传输晶片的过程与第一驱动装置驱动承载装置旋转的过程彼此独立，从而，在机械手向承载装置的多个承载位上传输晶片时，机械手向托片机构传输晶片的步骤和第一驱动装置驱动承载装置可同时进行，相比现有技术，这样明显较少了机械手向每个承载位传输晶片所需的时间，从而明显提高了机械手传输晶片的效率，在一定程度上使反应腔室对晶片进行工艺处理的效率相应提高。同时，托片机构设置于承载装置的上方，使得二者之间不产生干涉，可以简化托片机构和承载装置的控制程序，从而可以在一定程度上提高机械手传输晶片的可靠性和稳定性，减小故障率。

本发明提供的晶片传输方法，在其传输过程中，向托片机构传输晶片的步骤和承载装置的旋转同时进行，相比现有技术，这样明显较少了向每个承载位传输晶片所需的时间，从而明显提高了晶片传输的效率。同时，在其传输过程中，托片机构和承载装置之间不产生干涉，从而可以简化托片机构和承载装置的控制程序，在一定程度上提高晶片传输过程的可靠性和稳定性，减小故障率。

本发明提供的等离子体加工设备，其采用本发明提供的上述反应腔室，使机械手向承载装置的多个承载位上传输晶片时，机械手向托片机构传输晶片的步骤和第一驱动装置驱动承载装置同时进行，相比现有技术，这样明显较少了机械手向每个承载位传输晶片所需的时间，从而明显提高了机械手传输晶片的效率，在一定程度上使反应腔室对晶片进行工艺处理的效率相应提高。同时，托片机构设置于承载装置的上方，使得二者之间不产生干涉，可以简化托片机构和承载装置的控制程序，从而可以在一定程度上提高机械手传输晶片的可靠性和稳定性，减小故障率。

附图说明

图1为现有的物理气相沉积设备的结构示意图；

图2为图1所示PVD设备中溅射腔室的俯视示意图；

图3为图2所示溅射腔室在竖直方向的截面示意图；

图4为本发明实施例提供的反应腔室的结构示意图；

图5为图4所示反应腔室中托片机构的结构示意图；

图6为图5所示托片机构的仰视示意图；

图7A为机械手向承载位传输晶片的过程中，机械手进入反应腔室内的示意图；

图7B为机械手向承载位传输晶片的过程中，机械手将晶片转移至托片机构上的示意图；

图7C为机械手向承载位传输晶片的过程中，机械手退出反应腔室的示意图；

图7D为机械手向承载位传输晶片的过程中，托片机构下降至承载位处的示意图；

图7E为机械手向承载位传输晶片的过程中，托片机构将晶片放置于承载位上的示意图；

图7F为机械手向承载位传输晶片的过程中，托片机构上升至预设位置的示意图；

图8为图4所示反应腔室的俯视示意图；

图9为托片机构中爪手的数量为一个的示意图；

图10为多个爪手在沿圆周均匀设置的示意图；

图11A为晶片由承载位向机械手传输的过程中，承载装置旋转，使承载位到达托片机构竖直下方位置处的示意图；

图11B为晶片由承载位向机械手传输的过程中，托片机构由预设位置下降至承载位处的示意图；

图11C为晶片由承载位向机械手传输的过程中，托片机构将放置于承载位上的晶片抓取的示意图；

图11D为晶片由承载位向机械手传输的过程中，托片机构抓取则晶片上升至预设位置的示意图；

图11E为晶片由承载位向机械手传输的过程中，机械手进入反应腔室内的示意图；

图11F为晶片由承载位向机械手传输的过程中，晶片由托片机构转移至机械手上的示意图；以及

图11G为晶片由承载位向机械手传输的过程中，机械手承载着晶片退出反应腔室的示意图。

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明提供的反应腔室、晶片传输方法及等离子体加工设备进行详细描述。

图4为本发明实施例提供的反应腔室的结构示意图。请参看图4，反应腔室20用于对晶片进行工艺处理，其包括承载装置21和托片机构22。其中，承载装置21上设有多个用于承载晶片的承载位23；承载装置21下方设有第一驱动装置24，第一驱动装置24用于驱动承载装置21旋转。托片机构22设于承载装置21的上方，其用于在机械手30和承载装置22的多个承载位之间传输晶片。具体地，如图5和图6所示，托片机构22包括第二驱动装置221和爪手222；其中，第二驱动装置221具体为气缸或电机，其用于驱动爪手222在竖直方向上作升降运动；爪手222下端设有可在水平方向伸缩的伸缩部223，用以支撑晶片；在本实施例中，爪手222的数量为多个，每个爪手222下端设有一个伸缩部223；多个伸缩部223处于伸张状态时，可以将晶片支撑于其上。

在本实施例中，反应腔室20的腔室壁的与机械手30对应的位置处设有隔离门31，其在机械手30进入反应腔室20时打开，供机械手30通过；在机械手30退出反应腔室20时关闭，使反应腔室20内为真空密封环境。

在本实施例中，第一驱动装置24驱动承载装置21旋转，使多个承载位23依次到达托片机构22竖直下方位置处，在每个承载位23到达托片机构22竖直下方位置处时，机械手30向其传输晶片。而机械手30向承载装置21上的每个承载位23传输晶片的过程包括两个步骤：将晶片转移至托片机构22上和托片机构22将晶片传输至相应的承载位23上。

具体地，如图7A-7C所示，机械手30向托片机构22上传输晶片时，托片机构22位于反应腔室20内的预设位置。在此情况下，隔离门31开启，机械手30承载着晶片通过隔离门31，进入反应腔室20内部，并运动至托片机构22的多个爪手222上的伸缩部223上方，此时伸缩部223处于伸张状态；而后，机械手30与多个爪手222在竖直方向上作相对运动，使机械手30低于多个爪手222的下端，从而将放置于机械手30上的晶片转移至多个伸缩部223上，最后，机械手30退出反应腔室20，隔离门31关闭。

如图7D-7F所示，托片机构22将晶片传输至相应的承载位23上时，第一驱动装置24驱动承载装置21旋转，使相应的承载位23到达托片机构22竖直下方的位置处。在此情况下，第二驱动装置221驱动多个爪手222下降至位于托片机构22竖直下方的承载位23处，通过伸缩部223变换状态，由伸张状态变为收缩状态，将多个伸缩部223上的晶片放置于该承载位23上，从而完成晶片由机械手30向承载位23的传输，最后，第二驱动装置221驱动多个爪手222上升至预设位置。

在完成上述过程后，第一驱动装置24驱动承载装置21作旋转运动，使下一个承载位23到达托片机构22竖直下方的位置处，重复上述过程，可以向承载装置21上的多个承载位23传输晶片。

在本实施例中，托片机构22设于承载装置21上方，这样使机械手30向托片机构22传输晶片的过程和第一驱动装置24驱动承载装置21旋转的过程彼此独立，从而使上述两个过程可以同时进行，即在机械手30向托片机构22传输晶片的同时，第一驱动装置24可以驱动承载装置21旋转，使承载装置21上的承载位23到达托片机构22竖直下方的位置处；在晶片被转移至托片机构22上后，托片机构22进行将晶片传输至相应的承载位23的步骤；而在该步骤完成后，第一驱动装置24驱动承载装置21旋转，使下一个承载位23到达托片机构22竖直下方的位置处，与此同时，机械手30可以向托片机构22传输晶片。相比现有技术，这样明显减少了机械手30向承载位23传输晶片所需要的时间，提高了机械手30向承载位23传输晶片的效率，从而在一定程度上可以提高反应腔室20对晶片进行工艺处理的效率。同时，托片机构22设于承载装置21的上方，使得二者之间不产生干涉，简化了托片机构22和承载装置21的控制程序，从而在一定程度上减少了故障率。

在本实施例中，如图8所示，反应腔室20内设由多个工艺腔室201，其用于同时对晶片进行工艺处理。具体地，反应腔室20用于对晶片进行溅射沉积工艺，其内每个工艺腔室201内设有一个靶材202，该靶材202位于承载装置21的上方。在此情况下，托片机构22设于相邻的两个工艺腔室201之间，以使靶材202与托片机构22之间不产生干扰。

本实施例提供的反应腔室，其托片机构22设于承载装置21的上方，使机械手30向托片机构22传输晶片的过程与第一驱动装置24驱动承载装置21旋转的过程彼此独立，从而，在机械手30向承载装置21的多个承载位23上传输晶片时，机械手30向托片机构22传输晶片的步骤和第一驱动装置24驱动承载装置21可同时进行，相比现有技术，这样明显较少了机械手30向每个承载位23传输晶片所需的时间，从而明显提高了机械手30传输晶片的效率，在一定程度上使反应腔室20对晶片进行工艺处理的效率相应提高。同时，托片机构22设置于承载装置21的上方，使得二者之间不产生干涉，简化了托片机构22和承载装置21的控制程序，从而可以在一定程度上提高机械手传输晶片的可靠性和稳定性，减小故障率。

需要说明的是，在本实施例中，爪手222的数量为多个，每个爪手222下端设有一个水平方向的伸缩部223，但本发明并不限于此，在实际应用中，如图9所示，爪手222的数量还可以为一个，而在该爪手222上设置多个水平方向的伸缩部223，从而将晶片支撑于托片机构22上。

还需要说明的是，在本实施例中，机械手30承载着晶片运动至多个伸缩部223上方，或从多个伸缩部223上方退出反应腔室20，在此情况下，爪手222不能设置在机械手30的运动路径上，以免使机械手30无法承载着晶片到达伸缩部223的上方，但本发明并不限于此，在实际应用中，还可以使机械手30承载着晶片进入到多个伸缩部223的竖直下方，通过设置伸缩部223在预设位置时处于收缩状态，向下运动至机械手下方时处于伸张状态，而后通过机械手30和爪手222在竖直方向上的相对运动，使晶片由机械手30转移至多个伸缩部223上；以及使爪手222上升至预设位置，机械手30进入反应腔室20，并到达多个伸缩部223的竖直下方，通过伸缩部223变换状态，由伸张状态变为收缩状态，使多个伸缩部223上的晶片转移至机械手30上；在此情况下，如图10所示，多个伸缩部223可以沿圆周方向均有设置，从而可以使晶片位于多个伸缩部223上时更加稳固。

作为另一个技术方案，本发明实施例还提供一种晶片传输方法，其用于在机械手和承载装置的多个承载位之间传输晶片，具体地，其包括下述步骤：

S10，机械手进入反应腔室内，如图7A所示，将放置于其上的晶片转移至托片机构上，如图7B所示；同时，承载装置旋转，使承载位到达托片机构竖直下方位置处；

S20，机械手退出反应腔室，如图7C所示，托片机构由预设位置下降至承载位处，如图7D所示，将晶片放置于该承载位上，如图7E所示；

S30，托片机构上升至预设位置，如图7F所示；

S40，重复步骤S10-S30，直至承载装置上的多个承载位上均放置有晶片；

S50，对放置于多个承载位上的晶片进行工艺处理；

S60，承载装置旋转，使承载位到达托片机构竖直下方位置处，如图11A所示；

S70，托片机构由预设位置下降至承载位处，如图11B所示，将放置于承载位上的晶片抓取，如图11C所示，并上升至预设位置，如图11D所示；

S80，机械手进入反应腔室，如图11E所示，将放置于托片机构上的晶片转移至机械手上，如图11F所示；同时，重复步骤S60，将下一个承载位旋转至托片机构竖直下方；

S90，机械手退出反应腔室，如图11G所示；

S100，重复步骤S70-S90，直至承载装置上每个承载位上放置的晶片传输至反应腔室外部。

具体地，在上述步骤S10中，如图7A所示，机械手到达处于伸张状态的伸缩部上方，通过与伸缩部在竖直方向上的相对运动，使其低于托片机构的伸缩部，将放置于其上的晶片转移至托片机构的多个伸缩部上。在上述步骤S20中，如图7D和图7E所示，托片机构下降至承载位处，通过伸缩部变换状态，由伸张状态变为伸缩状态，将多个伸缩部上的晶片放置于该承载位上。在上述步骤S70中，如图11B和图11C所示，托片机构由预设位置下降至承载位处，通过伸缩部变换状态，由收缩状态变为伸张状态，将放置于该承载位上的晶片抓取。在步骤S80中，如图11E和图11F所示，机械手到达托片机构的爪手的处于伸张状态的伸缩部竖直下方，通过与伸缩部在竖直方向上的相对运动，使其高出托片机构的伸缩部，将放置于多个伸缩部上的晶片转移至机械手上。

本实施例提供的晶片传输方法，在其传输过程中，向托片机构传输晶片的步骤和承载装置的旋转同时进行，相比现有技术，这样明显较少了向每个承载位传输晶片所需的时间，从而明显提高了晶片传输的效率。同时，在其传输过程中，托片机构和承载装置之间不产生干涉，从而可以简化托片机构和承载装置的控制程序，在一定程度上提高晶片传输的可靠性和稳定性，减小故障率。

作为另一个技术方案，本发明还提供一种等离子体加工设备，包括反应腔室，用于对晶片进行工艺处理，并且，该反应腔室采用本发明上述实施例提供的反应腔室。

本发明实施例提供的等离子体加工设备，其采用本发明上述实施例提供的反应腔室，使机械手向承载装置的多个承载位上传输晶片时，机械手向托片机构传输晶片的步骤和第一驱动装置驱动承载装置同时进行，相比现有技术，这样明显较少了机械手向每个承载位传输晶片所需的时间，从而明显提高了机械手传输晶片的效率，在一定程度上使反应腔室对晶片进行工艺处理的效率相应提高。同时，托片机构设置于承载装置的上方，使得二者之间不产生干涉，简化了托片机构和承载装置的控制程序，从而可以在一定程度上提高机械手传输晶片的可靠性和稳定性，减小故障率。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (12)

1.一种反应腔室，包括承载装置和托片机构，所述承载装置上设有多个用于承载晶片的承载位，其特征在于，所述托片机构设于所述承载装置的上方，其用于在机械手和承载装置的多个承载位之间传输晶片，所述托片机构包括驱动装置和爪手，所述爪手下端设有可在水平方向伸缩的伸缩部，用以支撑晶片。

2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述爪手的数量为多个，每个爪手下端设有一个伸缩部；或者

所述爪手的数量为一个，所述爪手下端设有多个伸缩部。

3.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述驱动装置为气缸或电机。

4.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述反应腔室内有多个工艺腔室，用于同时对晶片进行工艺处理。

5.根据权利要求4所述的反应腔室，其特征在于，所述反应腔室用于对晶片进行溅射沉积工艺，其内每个工艺腔室中设有一个靶材。

6.根据权利要求4或5所述的反应腔室，其特征在于，所述托片机构设于相邻的两个工艺腔室之间。

7.一种晶片传输方法，用于在权利要求1-6任意一项所述的反应腔室内在机械手和承载装置的多个承载位之间传输晶片，其特征在于，所述晶片传输方法包括下述步骤：

S10，机械手进入反应腔室内，将放置于其上的晶片转移至托片机构上；同时，承载装置旋转，使承载位到达托片机构竖直下方位置处；

S20，机械手退出反应腔室，托片机构由预设位置下降至承载位处，将晶片放置于该承载位上；

S30，托片机构上升至预设位置；

S40，重复步骤S10-S30，直至承载装置上的多个承载位上均放置有晶片；

S50，对放置于多个承载位上的晶片进行工艺处理；

S60，承载装置旋转，使承载位到达托片机构竖直下方位置处；

S70，托片机构由预设位置下降至承载位处，将放置于承载位上的晶片抓取，并上升至预设位置；

S80，机械手进入反应腔室，将放置于托片机构上的晶片转移至机械手上；同时，重复步骤S60，将下一个承载位旋转至托片机构竖直下方；

S90，机械手退出反应腔室；

S100，重复步骤S70-S90，直至承载装置的每个承载位上放置的晶片被传输至反应腔室外部。

8.根据权利要求7所述的晶片传输方法，其特征在于，在步骤S10中，机械手到达处于伸张状态的伸缩部上方，通过与伸缩部在竖直方向上的相对运动，使其低于所述伸缩部，将放置于其上的晶片转移至托片机构的多个伸缩部上。

9.根据权利要求7所述的晶片传输方法，其特征在于，在步骤S20中，托片机构下降至承载位处，通过伸缩部由伸张状态变为伸缩状态，将多个伸缩部上的晶片放置于该承载位上。

10.根据权利要求7所述的晶片传输方法，其特征在于，在步骤S70中，托片机构由预设位置下降至承载位处，通过伸缩部由收缩状态变为伸张状态，将放置于该承载位上的晶片抓取。

11.根据权利要求7所述的晶片传输方法，其特征在于，在步骤S80中，机械手到达处于伸张状态的伸缩部竖直下方，通过与伸缩部在竖直方向上的相对运动，使其高出托片机构的伸缩部，将放置于伸缩部上的晶片转移至机械手上。

12.一种等离子体加工设备，包括反应腔室，用于对晶片进行工艺处理，其特征在于，所述反应腔室采用权利要求1-6任意一项所述的反应腔室。