TWI768170B - 半導體元件處理系統、半導體元件處理裝置及半導體元件處理方法 - Google Patents

半導體元件處理系統、半導體元件處理裝置及半導體元件處理方法 Download PDF

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Abstract

在一實施例中，一種系統包括：氣閘；第一半導體處理腔室；第二半導體處理腔室；及傳送模組，配置以將感測器移動到第一半導體處理腔室及第二半導體處理腔室中，及移動出第一半導體處理腔室及第二半導體處理腔室，其中感測器配置以：當在第一半導體處理腔室內時，收集表徵第一半導體處理腔室的感測器資料；及當在第二半導體處理腔室內時，收集表徵第二半導體處理腔室的感測器資料，其中傳送模組、第一半導體處理腔室及第二半導體處理腔室在氣閘的第一側面上的受控內部大氣內，並且藉由氣閘而與在氣閘的第二側面上的不受控外部大氣分離。

Description

半導體元件處理系統、半導體元件處理 裝置及半導體元件處理方法
本揭示有關於半導體元件處理系統、半導體元件處理裝置及半導體元件處理方法。
現代製造製程通常經高度自動化來操縱材料及裝置，並且產生成品。品質控制及維護製程經常依賴於在製造及成為成品期間人類對檢查所製造產品的經驗、知識及專業技術。
本揭示提供一種半導體元件處理系統，其包含氣閘；第一半導體處理腔室；第二半導體處理腔室；以及傳送模組，配置以將感測器移動到第一半導體處理腔室及第二半導體處理腔室中，以及移動出第一半導體處理腔室及第二 半導體處理腔室。感測器配置以：當在第一半導體處理腔室內時，收集表徵第一半導體處理腔室的感測器資料；以及當在第二半導體處理腔室內時，收集表徵第二半導體處理腔室的感測器資料。傳送模組、第一半導體處理腔室及第二半導體處理腔室在氣閘的第一側面上的受控內部大氣內，並藉由氣閘而與在氣閘的第二側面上的不受控外部大氣分離。
本揭示另提供一種半導體元件處理裝置，其包含機器臂。機器臂配置以將晶圓移動到第一腔室及第二腔室中，以及移動出第一腔室及第二腔室。機器臂包含感測器。感測器配置以：當在第一腔室內時，收集表徵第一腔室的感測器資料；以及當在第二腔室內時，收集表徵第二腔室的感測器資料。
本揭示另提供一種半導體元件處理方法，其包含：在氣閘處接收晶圓；將氣閘中的氣壓轉換為與設定壓力位準相等；在處於設定壓力位準的環境中將晶圓從氣閘傳送到第一半導體處理腔室；從在夾持手處之感測器收集第一感測器資料，第一感測器資料表徵當晶圓在第一半導體處理腔室內時的第一半導體處理腔室；在處於設定壓力位準的環境中將晶圓從第一半導體處理腔室傳送到第二半導體處理腔室；以及從感測器收集第二感測器資料，第二感測器資料表徵當晶圓在第二半導體處理腔室內時的第二半導體處理腔室。
102、176、202:夾持手感測器
104、170、204、304、326A、342A、346A、362A、370A:機器臂
106、206:基底
108、208:鏈接
110、210:夾持手
112:表面
114、212:接頭
152A、152B、174、306、330、344、366:半導體處理腔室
160:加壓區域
178:門
214:手指
216:夾持手接頭
302:工作站
308、364:晶圓
310、342、368:氣閘
312:自動材料搬運系統
320、340、360:工作站
322A:輸入氣閘
322B:輸出氣閘
324、348、372:載入埠
326、346、370:介面模組
328、362:傳送模組
402:夾持手感測器功能模組
404:處理器
406:電腦可讀取儲存模組
408:網路連接模組
410:使用者介面模組
412:控制器模組
414:感測器模組
500:傳送流程
502、508、510、512、514、602、604、606、608:操作
600:流程
當結合隨附圖式閱讀時，自以下詳細描述將很好地理解本揭示的態樣。注意到，各個特徵並非必須按比例繪製。事實上，出於論述清晰之目的，可任意增加或減小各個特徵之尺寸及幾何形狀。
第1A圖係根據一些實施例繪示機器臂上的夾持手感測器的示意圖。
第1B圖係根據一些實施例繪示可在不同半導體處理腔室之間移動的機器臂上的夾持手感測器的示意圖。
第1C圖係根據一些實施例繪示到達半導體處理腔室中的機器臂的橫截面圖。
第2圖係根據一些實施例繪示機器臂上的夾持手感測器的示意圖。
第3A圖係根據一些實施例繪示其中機器臂可起作用的工作站的示意圖。
第3B圖係根據一些實施例繪示具有輸入及輸出氣閘的工作站的示意圖。
第3C圖係根據一些實施例繪示具有用於每個半導體處理腔室的獨立氣閘的工作站的示意圖。
第3D圖係根據一些實施例繪示具有一次可運輸多個晶圓的機器臂的工作站的示意圖。
第4圖係根據一些實施例繪示夾持手感測器功能模組的各個功能模組的方塊圖。
第5圖係根據一些實施例繪示到受控環境中的傳送流程的流程圖。
第6圖係根據一些實施例繪示夾持手感測器製程的流程圖。
以下揭示內容描述了各個示例性實施例，以便實施標的之不同特徵。下文描述部件及排列之具體實例以簡化本揭示。當然，此等僅為實例且並不意欲為限制性。例如，將理解，當元件被稱為「連接到」或「耦合到」另一元件時，其可直接連接到或耦合到其他元件，或可能存在一或多個中間元件。
另外，本揭示可在各個實例中重複元件符號及/或字母。此重複係出於簡便性及清晰的目的且本身並不指示所論述之各個實施例及/或配置之間的關係。
此外，為了便於描述，本文可使用空間相對性術語(諸如「之下」、「下方」、「下部」、「上方」、「上部」及類似者)來描述諸圖中所示出之一個元件或特徵與另一元件(或多個元件)或特徵(或多個特徵)之關係。除了諸圖所描繪之定向外，空間相對性術語意欲包含使用或操作中裝置之不同定向。設備可經其他方式定向(旋轉90度或處於其他定向)且由此可類似解讀本文所使用之空間相對性描述詞。
本揭示內容提供了在半導體工件處理期間感測機器臂的夾持手的各個實施例。機器臂可為可程式化機械臂，此機械臂用於握持、固持及操縱物體(例如，有效負載)， 諸如晶圓。機器臂的鏈接可藉由接頭來連接，從而允許旋轉運動(諸如，在關節型機器人中)或平移(線性)位移。機器臂的鏈接可形成運動鏈。運動鏈機器臂的終端可為夾持手。夾持手可為任何類型的末端執行器，此末端執行器用於藉由機器臂握持或固持物體，諸如晶圓。
用於機器臂的感測器可配置以從夾持手周圍收集感測器資料。例如，感測器可安裝在夾持手上或中來從夾持手的視角收集感測器資料。機器臂可執行自動程序，作為半導體組裝線製程的部分。例如，機器臂可配置以執行自動機器臂程序，從而以自動方式將晶圓移動到半導體處理腔室、氣閘、載入埠或包括機器臂的工作站的部件或從半導體處理腔室、氣閘、載入埠或包括機器臂的工作站的部件移動晶圓。由此，隨著操作夾持手，可從夾持手的視角收集感測器資料，來確定是否存在不利條件，以便修改(例如，停止)機器臂程序及/或執行半導體組裝線製程(例如，如下文論述的傳送流程)的修復。不利條件可為可能期望停止或修改機器臂程序的任何條件。例如，不利條件可為預測即將發生的夾持手與物體(諸如半導體處理腔室的壁或另一機器臂)的碰撞。此不利條件可由從夾持手周圍收集的感測器資料(例如，夾持手感測器資料，亦更簡單地稱為感測器資料)來決定，此感測器資料指示夾持手已經移動到距表面小於最小距離。由此，在基於夾持手感測器資料決定不利條件之後，原本已經導致夾持手碰撞的自動機器臂程序可停止及/或修改以避免不利條件。
此外，夾持手感測器(例如，從夾持手周圍收集感測器資料的感測器)可藉由從自動機器臂程序的每個迭代收集感測器資料來隨時間評估夾持手與其相互作用的環境。例如，夾持手感測器可收集半導體處理腔室上的溫度資料，夾持手將晶圓放置到此半導體處理腔室中或從此半導體處理腔室取回晶圓。作為另一實例，夾持手感測器可從夾持手可搬運的各個晶圓收集重量資料。由此，藉由分析從機器臂程序的各個迭代聚集的資料，可基於從所聚集的資料偵測異常值來決定不利條件。在某些實施例中，此等異常值可決定閾值，當通過此等閾值時可定義不利條件。可根據針對異常值的統計分析來決定此等異常值。例如，此等異常值可定義針對過重或過輕的晶圓的閾值，其可指示破壞或者不適當地握持或固持的晶圓。作為另一實例，此等異常值可定義針對過熱或過冷的半導體處理腔室的閾值(其可指示可能不正常工作的半導體處理腔室)。
此外，在某些實施例中，夾持手感測器可能係具有加壓區域的加壓工作站的一部分，此加壓區域在穩定大氣壓下操作以在執行半導體處理時在各個半導體處理腔室之間運輸晶圓。術語加壓可指控制為在純真空環境處或之上的任何位準的壓力位準。半導體處理腔室可為相同或不同工具的一部分。此等半導體處理腔室可為可在處理晶圓時利用的任何工具的一部分，此工具諸如物理氣相沉積(PVD)工具、化學氣相沉積(CVD)工具、化學機械平坦化(CMP)工具、擴散(DIF)工具、濕式蝕刻工具、乾式蝕刻工具、光微 影工具(例如，G-線、H-線及/或I-線工具)、深紫外線(DUV)工具、顯影後檢查(ADI)工具、蝕刻後檢查(AEI)工具、關鍵尺寸(CD)檢查工具、掃描電子顯微鏡(SEM)工具、關鍵尺寸掃描電子顯微鏡(CD-SEM)工具、覆蓋(OVL)工具、中電流植入(MCI)工具、高電流植入(HCI)工具、濕式清潔工具、乾式清潔工具、電漿灰化(PR灰化)工具、及散射度量關鍵尺寸(SCD)工具以及類似者。然而，如下文進一步論述，夾持手感測器可在工作站中的每個工具之中移動以積累感測器資料，此感測器資料表徵在各個腔室之中及/或夾持手感測器周圍的條件。
工作站可具有與處於工作站的穩定大氣壓下的加壓區域不同地加壓的環境對接的至少一氣閘。例如，工作站可與外部環境對接，此外部環境可處於與工作站的穩定大氣壓不同的大氣壓下。在某些實施例中，工作站可具有由相應氣閘所描繪的不同大氣壓的區域，或可包括加壓及不加壓區域。如上文所介紹，夾持手可用作材料搬運系統，此材料搬運系統用於在或不在工作站的穩定大氣壓下的工作站內的相同或不同工具內的半導體處理腔室之中運輸晶圓。此外，夾持手可以具有夾持手感測器，此夾持手感測器表徵處於或不處於具有穩定大氣壓的區域的工作站內的環境。
氣閘可包括在兩個門(例如，入口)之間的中間區。門中的一個可在工作站的中間區之間且在加壓區域外部，並且被稱為外門。另一門可在工作站的中間區與加壓區域之間，並且被稱為內門。當將晶圓轉移到工作站的加壓區 域及從工作站的加壓區域轉移晶圓時，中間區可用於使大氣壓相等。此轉移可藉由將晶圓放置在中間區內來促進。當密封中間區時，內部及外門可關閉，等待中間區中的大氣壓的改變。隨後，基於大氣壓是改變為工作站的加壓區域的穩定大氣壓(來打開內門)還是改變為工作站的加壓區域外部的外部大氣壓(以打開外門)，可打開外門或內門。在某些實施例中，在打開內門之後，內門可保持打開，直到晶圓經傳送出工作站的加壓區域。藉由保持內門打開，由於每次晶圓經傳送出工作站的加壓區域時內門不需要再次打開，額外負擔(例如，功率消耗)可減少。例如，當中間區處於工作站的加壓區域的穩定大氣壓下時，內門可打開並且外門可關閉。此外，當中間區不處於工作站的加壓區域的穩定大氣壓下時，中間區可能不與工作站的加壓區域連通。例如，當中間區不處於工作站的加壓區域的穩定大氣壓下時，內門可關閉。
在特定實施例中，工作站的加壓區域的穩定大氣壓可小於1atm。在某些實施例中，工作站的加壓區域的穩定大氣壓可從約10-1Torr至約10-3Torr。在另外實施例中，工作站的加壓區域的穩定大氣壓可從約0atm至小於1atm。在各個實施例中，工作站的大氣壓越低，工作站中的粒子量越低(例如，單位給定空間體積的粒子越少，並且在半導體處理期間可能不當地沉積在晶圓上的粒子越少)。在又一實施例中，工作站的加壓區域的穩定大氣壓可在高於1atm的設置位準下。
第1A圖係根據一些實施例繪示機器臂104上的夾持手感測器102的示意圖。如上文引用，機器臂104可用於握持、固持及操縱物體的可程式化的機械臂。機器臂104可包括基底106、至少一鏈接108以及夾持手110。夾持手110可用於藉由機器臂104握持或固持物體，諸如晶圓，的任何類型的末端執行器。夾持手可利用任何類型的夾持機構來操縱物體(諸如晶圓)。例如，夾持機構可為壓力夾持器(例如，藉由向物體施加壓力來夾持，諸如利用鉗式運動)、區域夾持器(例如，藉由圍繞待操縱的物體來夾持)、真空夾持器(例如，藉由吸引力來夾持)、以及磁性夾持器(例如，藉由使用電磁力來夾持)。在某些實施例中，夾持手可利用至少兩個手指，其中一個手指與另一個相對。多個手指可作為壓力夾持器及或作為包絡夾持器用於施加壓力。
基底106可為機器臂的終端處的固定點。基底106可用於穩定機器臂。例如，基底106可為與表面112相互作用的機器臂的一部分，並且關於安置機器臂的表面112固定機器臂。表面112可為地面或平台，其上可安置各個半導體處理裝置，諸如半導體處理腔室。在某些實施例中，基底106可經由螺釘或其他機械黏著力來固定，此等機械黏著力將基底黏附到表面112。
機器臂的至少一鏈接108可為連接夾持手110與固定基底106的至少一件。至少一鏈接可由接頭114互連，從而允許旋轉運動(諸如，在關節型機器人中)或平移(線性)位移。由此，機器臂的至少一鏈接108可與夾持手 110或基底106處的終端形成運動鏈。例如，機器臂104可包括在鏈接與夾持手110及基底106之間具有兩個接頭的單個鏈接，或可包括在鏈接之間具有相應接頭114的多個鏈接(例如，兩個鏈接108)。接頭114可由各種構件(包括電動馬達)提供動力。接頭可提供具有自由度的機器臂或其中可移動夾持手的獨立運動量。
夾持手感測器102可為安裝在夾持手110上或內的感測器。此外，在某些實施例中，可能存在一或多個夾持手感測器102。夾持手感測器102可從夾持手110的視角收集感測器資料。此感測器資料可用於表徵夾持手110所暴露的環境，諸如夾持手110周圍環境、由夾持手110夾持的物體或接觸夾持手110的表面。如下文將進一步論述的，此感測器資料可用於執行夾持手感測器製程，此製程可決定是否存在不利條件。夾持手感測器可為用於收集感測器資料的任何類型的感測器。例如，夾持手感測器可為下列中的至少一者：雷達監視器(例如，頻率調制連續波(FMCW)雷達監視器)、影像感測器(例如，電荷耦合裝置(CCD)影像感測器)、重量感測器(例如，重量感測器)、電子鼻感測器(例如，氣體分子偵測器)、紅外測距器及/或紅外溫度計。在某些實施例中，可能期望利用儘可能小的夾持手感測器，諸如不向夾持手添加不必要的體積，此不必要的體積可干擾夾持手的操作。
在各個實施例中，不同類型的夾持手感測器可收集不同類型的感測器資料來用於不同用途。例如，雷達監 視器感測器可收集頻率調制連續波(FMCW)感測器資料，其可以用於決定移動的空間關係、速度(velocity)、速度(speed)或速率(rate)以及到物體的距離。出於諸如決定半導體處理腔室是否具有任何異常的目的，影像感測器可收集影像資料，此影像資料可以用於表徵夾持手周圍的影像或視訊。出於諸如決定晶圓碎裂或破壞的目的，重量感測器可收集實時重量感測器資料，此重量感測器資料表徵晶圓重量。出於諸如決定夾持手周圍(例如，在半導體處理腔室內)是否存在異常濃度的氣體分子的目的，電子鼻感測器可收集氣體分子感測器資料(例如，存在特定氣體分子)。例如，電子鼻感測器可收集氣體分子感測器資料，來決定在半導體處理期間是否已經發生晶圓除氣。出於諸如控制機器臂調平的目的，測距器(諸如紅外測距器)可收集到表面的距離(例如，從夾持手到半導體處理腔室表面的距離)的紅外距離資料。溫度計(諸如紅外溫度計)可用於決定在夾持手處及/或在夾持手可與其相互作用的半導體處理腔室內的溫度。
此外，可促進匯聚感測器資料的各個感測器工具亦可共置或鄰近夾持手感測器。例如，光源(諸如微雷射發光二極體(LED)光)可為用於影像感測器照明從其收集感測器資料的區域的感測器工具。由此，感測器工具可配置以與相應感測器(諸如當影像感測器正在收集影像資料時提供照明(例如，閃光)的光源)結合工作。作為感測器工具的另一實例，氣體噴嘴及/或真空尖端可用於促進藉由電子鼻感測器偵測氣體分子。例如，真空尖端可用於真空或朝向電 子鼻感測器攜帶氣體分子，並且氣體噴嘴可用於從電子鼻感測器噴射出氣體分子。
儘管第1A圖示出具有僅單個基底106及單個夾持手110的機器臂104，如根據各個實施例針對不同應用所期望的，機器臂可能具有任何數量的基底及/或夾持手。例如，機器臂可具有單個基底及兩個或多個夾持手。
第1B圖係根據一些實施例繪示可在不同半導體處理腔室152A、152B之間移動的機器臂104上的夾持手感測器102的示意圖。如上文引用，此等半導體處理腔室152A、152B可為半導體處理腔室，此等半導體處理腔室可為相同或不同工具的一部分。機器臂104可在半導體處理腔室152A、152B之間移動夾持手感測器102。此移動可替代移動晶圓或在亦移動晶圓的過程期間。此外，半導體處理腔室152A、152B的整體以及具有夾持手感測器102的機器臂104可在工作站的加壓區域160內(例如，在工作站的加壓大氣內)。換言之，工作站可包括具有可運輸晶圓的穩定大氣壓下的環境的加壓區域160。例如，晶圓可在執行半導體處理時在各個半導體處理腔室152A、152B之間運輸。此外，在運輸的過程中，可聚集並分析表徵由安裝在機器臂104上的夾持手感測器102平移的區域的感測器資料。
第1C圖係根據一些實施例繪示到達半導體處理腔室174中的機器臂170的橫截面圖。機器臂170可包括夾持手感測器176。半導體處理腔室174可經由門178(例如，入口)封閉，此門可選擇性打開以允許機器臂170延伸 到半導體處理腔室174中。此外，半導體處理腔室174可為相對窄的，從而允許在半導體處理腔室174內延伸的機器臂170上方及下方的小間隙。此外，當機器臂170在半導體處理腔室174內延伸時，沒有感測器可表徵除了夾持手感測器176之外還感測半導體處理腔室174內的環境。
第2圖係根據一些實施例繪示機器臂204上的夾持手感測器202的示意圖。機器臂204可包括基底206、至少一鏈接208以及夾持手210。基底206、至少一鏈接208及夾持手210可經由相應接頭212互連。此外，至少一鏈接208的每一個鏈接208亦可經由相應接頭212連接。如上文指出，接頭212可提供具有自由度的機器臂、或其中可移動夾持手的獨立運動量。
夾持手210可包括至少兩個相對手指214的集合。相對手指214的集合在鉗式運動中可用作壓力夾持器，此壓力夾持器滑動到晶圓中並且隨後施加壓力來握持晶圓，使得晶圓在夾持手210運動時不移動。每個相對手指214的集合可由兩個手指214之間的夾持手接頭216打開或關閉，這促進夾持器的手指214的移動。
鏈接208及相關聯的接頭212可配置以提供到夾持手210的旋轉及/或橫向移動。例如，每個接頭212可配置以旋轉及提供圍繞針對夾持手210的旋轉軸的旋轉及/或夾持手的橫向運動，使得夾持手210可為到達及縮回運動的一部分。
夾持手感測器202可為配置以用於收集如上文引用的感測器資料的任何類型的感測器。可能期望在夾持手210上夾持手感測器佔用儘可能小的佔據面積，以便不干擾夾持手210的操作，或在夾持手210的操作期間受到破壞。夾持手感測器202可為任何類型的感測器，諸如如上文論述的感測器中的至少一者。儘管單個夾持手感測器202示出為位於相對手指214的集合的手指214上，如根據各個實施例針對不同應用所期望的，夾持手感測器202可位於任何位置中或以任何數量。例如，如與位於夾持手210上相對，夾持手感測器202可嵌入夾持手210內。此外，可僅將一個夾持手感測器202用於相對手指214的多個集合中的一個。此外，多個夾持手感測器202可放置在相同位置中(例如，作為具有多個感測器功能的整合感測器)或可放置在不同位置中(例如，在相對手指214的集合的相對手指214上)。另外，在某些實施例中，夾持手可具有關節型指，其中關節型指的部分由至少一夾持器手接頭連接，並且感測器安裝在關節型指的部分的一個上或利用夾持手接頭安裝。
第3A圖係根據一些實施例繪示其中機器臂304可起作用的工作站302的示意圖。工作站302可包括多個半導體處理腔室306，每個半導體處理腔室306配置以接收用於半導體處理的晶圓308。在某一時間點，某些半導體處理腔室306可能不包括晶圓308，而其他半導體處理腔室306可能包括晶圓308。工作站302亦可包括與自動材料搬運系統312對接的氣閘310，此自動材料搬運系統312可將晶圓 308攜帶到氣閘310中並且攜帶出氣閘310。工作站302可包括配置以在半導體處理腔室306與氣閘310之中傳送晶圓的機器臂304。機器臂304可包括配置以用於收集如上文引用的感測器資料的夾持手感測器。
半導體處理腔室306可包括用於接收和處理晶圓或其他半導體工件的任何半導體處理腔室。可在此等半導體處理腔室中執行的示例製程包括關於下列的製程：物理氣相沉積(PVD)、化學氣相沉積(CVD)、化學機械平坦化(CMP)、擴散(DIF)、濕式蝕刻、乾式蝕刻、光微影、顯影後檢查(ADI)、蝕刻後檢查(AEI)、關鍵尺寸(CD)檢查、掃描電子顯微鏡(SEM)檢查、關鍵尺寸掃描電子顯微鏡(CD-SEM)檢查、濕式清潔、乾式清潔及電漿蝕刻。
第3B圖係根據一些實施例繪示具有輸入氣閘322A及輸出氣閘322B的工作站320的示意圖。工作站320可包括載入埠324、介面模組326、輸入氣閘322A、輸出氣閘322B、傳送模組328及各個半導體處理腔室330。載入埠324可為與工作站320外部的系統的外部介面。例如，晶圓或晶圓盒(例如，晶圓集合，諸如在前開式晶圓盒(FOUP)內的晶圓)可在載入埠324上沉積。介面模組326可包括配置以在載入埠324、輸入氣閘322A及輸出氣閘322B之中傳送晶圓的機器臂326A。機器臂326A可在各個載入埠324、輸入氣閘322A及輸出氣閘322B之間移動及/或延伸為足夠操縱在載入埠324、輸入氣閘322A及輸出氣閘322B內的晶圓。機器臂326A可包括配置以收集如上文引用的感測器資 料的夾持手感測器。在其他實施例中，介面模組326可具有多個機器人，諸如在輸入氣閘322A與最近載入埠324之間的機器人以及在輸出氣閘322B與最近載入埠324之間的另一機器人。
輸入氣閘322A及輸出氣閘322B可定義在工作站320的加壓區域與工作站320的未加壓區域之間的邊界。氣閘操作的細節(例如，氣閘的中間區可如何在不同加壓環境之間轉移)在上文詳細論述並且出於簡便性本文將不再重複。由此，傳送模組328及半導體處理腔室330可在工作站320的加壓區域內(例如，經控制為加壓低於標準大氣壓或從真空到小於1atm的工作站的區域)。此外，載入埠324及介面模組326可在工作站320的不加壓區域內(例如，工作站不被具體控制為特定壓力位準內的區域)。
如上文引用，傳送模組328可包括機器臂328A，此機器臂可在半導體處理腔室330、輸入氣閘322A及輸出氣閘322B之間及/或之中運輸晶圓。機器臂328A可包括配置以收集如上文引用的感測器資料的夾持手感測器。此外，輸入氣閘322A可配置以或用於正在由半導體處理腔室330處理的途中的晶圓。輸出氣閘322B可配置以或用於在由半導體處理腔室330處理之後的晶圓。
第3C圖係根據一些實施例繪示具有用於每個半導體處理腔室344的獨立氣閘342的工作站340的示意圖。工作站340可包括四個半導體處理腔室344，每個半導體處理腔室與獨立氣閘342對接。每個氣閘342可具有機器 臂342A，利用機器臂342A在相應半導體處理腔室344與氣閘342及/或介面模組346之間移動晶圓。每個機器臂342A可包括配置以用於收集如上文引用的感測器資料的夾持手感測器。四個半導體處理腔室344中的每一個可維持在相同或不同的大氣壓(例如，小於1atm)下。然而，介面模組346及載入埠348可能不處於特定的受控大氣壓下。介面模組346可包括機器臂346A，此機器臂可在介面模組346內移動並且在各個氣閘342及載入埠348之中傳送晶圓。機器臂346A可包括配置以收集如上文引用的感測器資料的夾持手感測器。藉由在氣閘內具有機器臂，由於由氣閘內的機器臂342A可在半導體處理腔室344與氣閘342及/或介面模組370之間直接傳送晶圓，分離的傳送模組可能不係必須的。
第3D圖係根據一些實施例繪示具有可一次運輸多個晶圓364的機器臂362A的工作站360的示意圖。機器臂362A可為傳送模組362的一部分並且可配置以用於運輸一或多個晶圓，用於在半導體處理腔室366處處理。機器臂362A亦可配置以在半導體處理腔室366與氣閘368之間運輸晶圓364。機器臂362A亦可包括配置以用於收集如上文引用的感測器資料的夾持手感測器。此外，介面模組370可具有機器臂372A，此機器臂可在氣閘368與相應載入埠372之間運輸晶圓。機器臂370A亦可包括配置以用於收集如上文引用的感測器資料的夾持手感測器。由此，半導體處理腔室366及傳送模組362可維持在穩定大氣壓(例如，小於1 atm)下。然而，介面模組370及載入埠372可能不在穩定大氣壓下。
第4圖係根據一些實施例繪示夾持手感測器功能模組402的各個功能模組的方塊圖。夾持手感測器功能模組402可為包括至少一機器臂的工作站的部分，此機器臂具有夾持手感測器。夾持手感測器功能模組402可包括處理器404。在另外的實施例中，處理器404可實現為一或多個處理器。
處理器404可操作地連接到電腦可讀取儲存模組406(例如，記憶體及/或資料庫)、網路連接模組408、使用者介面模組410、控制器模組412及感測器模組414。在一些實施例中，電腦可讀取儲存模組406可包括夾持手感測器製程邏輯，其可配置處理器404來執行本文論述的各種製程。電腦可讀取儲存模組406亦可儲存資料，諸如由感測器收集的感測器資料、用於辨識不利條件的資料、用於晶圓的辨識符、用於機器臂的辨識符、用於夾持手的辨識符、用於感測器的辨識符、以及可用於執行本文論述的各種製程的任何其他參數或資訊。
網路連接模組408可促進工作站與工作站的各個裝置及/或部件的網路連接，此等裝置及/或部件可在夾持手感測器功能模組402內或外部通訊。在某些實施例中，網路連接模組408可促進實體連接，諸如線或匯流排。在其他實施例中，網路連接模組408可藉由使用發射器、接收器及/或收發機促進無線連接，諸如在無線區域網(WLAN)上。 例如，網路連接模組408可促進與各個夾持手感測器、處理器404及控制器模組412的無線或有線連接。
夾持手感測器功能模組402亦可包括使用者介面模組410。使用者介面可包括用於輸入及/或輸出到工作站的操作方(包括但不限於監視器、膝上型電腦、平板電腦或行動裝置等)的任何類型的介面。
夾持手感測器功能模組402可包括控制器模組412。在某些實施例中，控制器模組412可藉由處理器404來實現(例如，作為處理器404的一部分)。控制器模組412可配置以控制各種實體設備，此等實體設備控制工作站、機器臂及/或機器臂的部件的移動或功能。例如，控制器模組412可配置以控制用於門、氣閘、半導體處理腔室、鏈接、夾持手、手指、夾持手感測器、感測器工具及/或接頭中的至少一者的移動或功能。例如，控制器模組412可控制馬達，此馬達可移動門、接頭、手指、夾持手、感測器、感測器工具及/或機器臂的鏈接中的至少一者。控制器可由處理器控制並且可執行本文所論述的各個製程的各個態樣。
第5圖係根據一些實施例繪示具有受控環境的傳送流程500的流程圖。傳送流程可藉由如上文引用的工作站來執行。注意到，傳送流程500僅係實例，並且不意欲限制本揭示。由此，將理解額外操作可在第5圖的傳送流程500之前、期間及之後提供，某些操作可省略，某些操作可與其他操作同時執行，並且一些其他操作僅可在本文中簡單描 述。夾持手感測器在傳送流程的上下文中可如何起作用的具體細節將結合第6圖更詳細論述。
於操作502，晶圓可從載入埠傳送到介面模組。例如，在某些實施例中，介面模組處的機器臂可到達載入埠中來搬運晶圓。介面模組處的機器臂亦可包括配置以用於收集感測器資料的夾持手感測器。在某些實施例中，如下文進一步論述，收集感測器資料可在夾持手感測器製程的上下文中。
於操作504，晶圓可從介面模組傳送到氣閘。介面模組的機器臂可將晶圓傳送到氣閘(例如，釋放氣閘內的晶圓)，並且隨後縮回到介面模組中。
於操作506，晶圓可使用傳送模組的機器臂從氣閘傳送到傳送模組。傳送模組的機器臂亦可包括配置以用於收集如上文引用的感測器資料的夾持手感測器。在某些實施例中，如下文進一步論述，收集感測器資料可在夾持手感測器製程的上下文中。此外，如上文提及，氣閘可定義不同大氣壓的工作站的區域之間的隔開。當氣閘的中間區內的大氣壓與傳送模組的大氣壓相等時，內門可打開以允許由傳送模組的機器臂運輸晶圓。此外，當氣閘的中間區內的大氣壓與介面模組的大氣壓相等時，外門可打開以允許由介面模組的機器臂運輸晶圓。
於操作508，晶圓可移動至一或多個半導體處理腔室或在一或多個半導體處理腔室之中移動。在某些實施例中，工作站可具有多個相同的半導體處理腔室，此等半導 體處理腔室可並行處理多個晶圓(例如，同時分別地處理)。在其他實施例中，工作站可具有多個不同的半導體處理腔室，此等半導體處理腔室可順序地處理晶圓(例如，分別由不同工具一個接一個處理)。由此，傳送模組的機器臂可在不同半導體處理腔室之中傳送晶圓及/或將晶圓傳送到半導體處理腔室及氣閘並且從半導體處理腔室及氣閘傳送晶圓。
於操作510，在由相應半導體處理腔室處理之後，晶圓可從傳送模組傳送到氣閘。這可為操作506的相反過程並且由傳送模組的機器臂執行。
於操作512，晶圓可從氣閘傳送到介面模組。這可為操作504的相反過程並且由介面模組的機器臂執行。
於操作514，晶圓可從介面模組傳送回到載入埠。這可為操作502的相反過程並且由介面模組的機器臂執行。
儘管結合傳送流程500來論述特定操作，如根據各個實施例針對不同應用所期望的，不同操作可用於執行傳送流程500。例如，傳送流程500可省略傳送模組，從而有利於使用包括機器臂的氣閘，此機器臂可與如上文結合第3C圖所論述的傳送模組的機器臂類似地起作用。
第6圖係根據一些實施例繪示夾持手感測器製程的流程圖。夾持手感測器製程可由如上文論述的工作站來執行。注意到，流程600僅係實例，並且不意欲限制本揭示。由此，將理解額外操作可在第6圖的流程600之前、期間及 之後提供，某些操作可省略，某些操作可與其他操作同時執行，並且一些其他操作僅可在本文中簡單描述。
於操作602，機器臂程序可在工作站處開始。機器臂程序可包括用於機器臂的任何操作集合。例如，機器臂程序可包括以下操作的迭代：從第一位置向上拾取晶圓，將晶圓移動到第二位置，在第二位置處沉積晶圓用於半導體處理(例如，在半導體處理腔室、載入埠、氣閘、介面模組、或自動材料搬運系統中，使得可運輸晶圓用於進一步處理)，在半導體處理之後從第二位置取回晶圓，並且使晶圓返回到第一位置(例如，諸如半導體處理腔室、載入埠、氣閘、介面模組或自動材料搬運系統，使得晶圓可經運輸用於進一步處理)。通常，機器臂可在執行半導體處理時執行機器臂程序的多個迭代。例如，工作站的機器臂可在不同時間在不同位置之間傳送多個晶圓，其中每個晶圓可以相同方式並且在不同位置之中傳送。此等位置中的每一個可為晶圓可位於此處及/或在半導體處理的過程中處理晶圓的位置(例如，作為組裝線的站或工作站的一部分)。在某些實施例中，機器臂可執行處理，而不是作為在不同腔室或站之間用於半導體處理的晶圓傳送的儀器。
於操作604，在機器臂執行機器臂程序時，感測器資料可在工作站的夾持手感測器處收集。當正在執行機器臂程序時，感測器資料的收集可實時發生。此感測器資料可用於分析是否存在不利條件。在各個實施例中，感測器資 料可本端儲存在收集感測器資料的相應感測器處及/或可儲存在上文論述的電腦可讀取儲存中。
如上文引用，夾持手感測器可為用於收集感測器資料的任何類型的感測器。例如，雷達監視器感測器可收集頻率調制連續波(FMCW)感測器資料，其可以用於決定移動的速度(velocity)、速度(speed)或速率(rate)以及到物體的距離。影像感測器可收集影像資料，此影像資料可以用於表徵夾持手周圍的影像或視訊。重量感測器可收集實時重量感測器資料，此重量感測器資料表徵晶圓重量。電子鼻感測器可收集氣體分子感測器資料(例如，存在特定氣體分子)。測距器(諸如紅外測距器)可收集到表面的距離(例如，從夾持手到腔室表面的距離)的紅外距離資料。溫度計(諸如紅外溫度計)可用於決定夾持手處的溫度。
此外，可促進匯聚感測器資料的各個感測器工具亦可共置或鄰近相應夾持手感測器。例如，光源(諸如微雷射發光二極體(LED)光)可為用於影像感測器照明從其收集感測器資料的區域的感測器工具。作為感測器工具的另一實例，氣體噴嘴及/或真空尖端可用於促進藉由電子鼻感測器偵測氣體分子。例如，真空尖端可用於真空或朝向電子鼻感測器攜帶氣體分子(例如，氬氣或氮氣)，並且氣體噴嘴可用於從電子鼻感測器噴射出氣體分子。
於操作606，感測器資料可由工作站分析來決定是否已經出現不利條件。具體而言，夾持手感測器功能模組可基於由至少一夾持手感測器匯聚的感測器資料來執行 此分析。不利條件可為可能期望停止或修改機器臂程序的任何條件。例如，不利條件可為預測即將發生的夾持手與表面(諸如腔室壁)碰撞。此類型不利條件可藉由下列操作來偵測：利用感測器(諸如測距器或雷達監視器)來決定夾持手在機器臂程序期間的接近程度或軌跡；以及當夾持手到表面(諸如半導體處理腔室的壁)的距離低於閾值(例如，在夾持手(或夾持手感測器)到表面之間的最小安全距離)時，觸發不利條件。在特定實施例中，相應感測器資料(例如，來自測距器、雷達監視器、影像感測器及類似者的感測器資料)可由處理器或控制器模組收集並分析，來決定是否已經出現不利條件。
在某些實施例中，雷達監視器可為用於決定夾持手到附近表面的接近程度或軌跡的FMCW感測器。此FMCW感測器可在夾持手的尖端(例如，最極端)處。在另外的實施例中，來自FMCW感測器的FMCW感測器資料可與來自另一感測器的其他感測器資料(諸如來自功能位置感測器的功能位置感測器資料)結合，以更準確地計算夾持手到附近表面的接近程度或軌跡。功能位置感測器的實例可包括能夠產生表徵夾持手的位置的感測器資料的任何類型的感測器，諸如影像感測器、測距器、雷達監視器、或可決定夾持手相對於表面的位置的其他類型的感測器。
作為不利條件的另一實例，可收集並分析來自感測器的感測器資料以決定是否已經發生不利條件，諸如感測器故障。例如，被破壞或不存在的感測器資料可指示故障 感測器。更具體而言，當期望產生感測器資料時(例如，在操作夾持手期間或在啟動感測器的週期期間)，被破壞或不存在的感測器資料可指示故障感測器。感測器故障可為指示工作站的一部分(例如，夾持手感測器)被損壞或不正常工作的不利條件。
在某些實施例中，多個感測器(例如，夾持手感測器)可用在夾持手上，使得當發生感測器故障時，可啟動另一感測器(例如，備用感測器)來接管故障感測器。例如，當存在兩個夾持手感測器(例如，FMCW感測器、位置感測器或影像感測器)時，感測器中的一個的故障可引起其他感測器的啟動。作為另一實例，當位置感測器經歷感測器故障時，另一感測器(例如，FMCW感測器或影像感測器)可經啟動來接管位置感測器，用於替代位置感測器收集感測器資料。
作為不利條件的另一實例，可收集並分析來自影像感測器的感測器資料來決定是否存在來自影像感測器資料的不利條件，諸如火災或其他異常。例如，夾持手感測器功能模組可經由習知影像分析技術分析用於指示火災的影像感測器資料。
作為不利條件的又一實例，來自重量感測器的感測器資料可收集實時重量感測器資料，此重量感測器資料表徵晶圓重量來偵測晶圓碎裂或破壞。例如，夾持手感測器功能模組可監視晶圓重量感測器資料，並且當晶圓重量低於最小重量閾值時(其可指示碎裂、破壞或不完整的晶圓)或 高於最大重量閾值(其可指示晶圓，其上具有不期望工件，諸如另一晶圓或意外落到用於由夾持手運輸的意欲晶圓上的工件)，偵測不利條件。
作為不利條件的又一實例，可分析來自電子鼻感測器的感測器資料來決定是否存在不期望的特定分子或分子濃度的特定分子。例如，若來自電子鼻感測器的感測器資料偵測到異常濃度的特定氣體，可決定不利條件。
作為不利條件的又一實例，可分析來自溫度感測器的感測器資料來決定其中在半導體處理期間存在異常條件，諸如當由溫度感測器偵測的操作溫度超過閾值或低於閾值時過熱或過冷。
於操作608，可基於不利條件的偵測由工作站修改或調節機器臂程序。由此，隨著移動夾持手，可從夾持手的視角收集感測器資料來確定是否存在不利條件，以便補償所偵測的不利條件。在某些實施例中，在偵測到特定不利條件之後，機器臂程序可暫停及/或移動到重新開始位置。例如，在偵測到機器臂程序偵測到不利條件(例如，夾持手到表面的距離低於閾值)之後，機器臂程序可停止並且機器臂重置回(例如，縮回)到較早位置，以重新開始或繼續機器臂程序。
在特定實施例中，機器臂程序可無定期停止，等待修復所偵測的不利條件，而不移動到較早位置。例如，某些類型的不利條件(例如，機器臂或半導體處理腔室故障)可能不能由重啟或重新開始機器臂程序來解決。
在另外的實施例中，在偵測到特定不利條件之後，機器臂程序可藉由重新配置工作站以執行與當偵測到不利條件時正在執行的機器臂程序不同或新的機器臂程序來調節。例如，基於偵測到在特定半導體處理腔室中偵測的不利條件，工作站可重新開始或繼續執行不同的機器臂程序，其避免其中偵測到不利條件的半導體處理腔室。作為另一實例，基於偵測到表徵為感測器故障的不利條件，工作站可啟動先前未啟動的備用夾持手感測器來接管經歷感測器故障的夾持手感測器。
儘管在上文論述特定不利條件、感測器資料及機器臂程序調節，如根據各個實施例針對不同應用所期望的，其他不利條件、感測器資料及機器臂程序調節可用於執行夾持手感測器製程。例如，可收集並交叉參考不同感測器資料的組合來決定發生不利條件。
在一實施例中，一種半導體元件處理系統包括：氣閘；第一半導體處理腔室；第二半導體處理腔室；以及傳送模組，配置以將感測器移動到第一半導體處理腔室及第二半導體處理腔室中，以及移動出第一半導體處理腔室及第二半導體處理腔室。感測器配置以：當在第一半導體處理腔室內時，收集表徵第一半導體處理腔室的感測器資料；以及當在第二半導體處理腔室內時，收集表徵第二半導體處理腔室的感測器資料。傳送模組、第一半導體處理腔室及第二半導體處理腔室在氣閘的第一側面上的受控內部大氣內，並藉由氣閘而與在氣閘的第二側面上的不受控外部大氣分離。
在一實施例中，傳送模組包含夾持手。感測器安裝在夾持手的手指上。
在一實施例中，傳送模組包含：基底；至少一鏈接，固定到基底；以及夾持器，固定到所述至少一鏈接。夾持器包含手指。夾持器配置以在所述至少一鏈接運動時固定晶圓，並且夾持器配置以在所述至少一鏈接停止時釋放晶圓。感測器安裝在手指上。感測器配置以在使用手指固定晶圓時收集感測器資料。
在一實施例中，感測器配置以表徵在夾持器與第一半導體處理腔室或第二半導體處理腔室的表面之間的空間關係。
在一實施例中，感測器資料表徵第一半導體處理腔室或第二半導體處理腔室內的條件。
在一實施例中，受控內部大氣小於標準大氣壓(atm)。
在一實施例中，受控內部大氣係10-1Torr至10-3Torr。
在一實施例中，一種半導體元件處理裝置包含機器臂。機器臂配置以將晶圓移動到第一腔室及第二腔室中，以及移動出第一腔室及第二腔室。機器臂包含感測器。感測器配置以：當在第一腔室內時，收集表徵第一腔室的感測器資料；以及當在第二腔室內時，收集表徵第二腔室的感測器資料。
在一實施例中，機器臂、第一腔室及第二腔室在氣閘的第一側面上的受控內部大氣內，並藉由氣閘而與在氣閘的第二側面上的不受控外部大氣分離。
在一實施例中，氣閘包含在第一門與第二門之間的腔室。在任何時間僅一個門配置以打開。
在一實施例中，感測器安裝在夾持手的手指上。
在一實施例中，機器臂包含：基底；至少一鏈接，固定到該基底；以及夾持器，固定到所述至少一鏈接。夾持器包含手指。夾持器配置以在所述至少一鏈接運動時固定晶圓，並且夾持器配置以在所述至少一鏈接停止時釋放晶圓。感測器安裝在手指上。感測器配置以在使用手指固定晶圓時收集感測器資料。
在一實施例中，感測器配置以表徵在夾持器與第一腔室或第二腔室的表面之間的空間關係。在一實施例中，感測器資料表徵第一腔室或第二腔室內的條件。
在一實施例中，感測器係下列中的至少一者：頻率調制連續波(FMCW)裝置、電荷耦合裝置(CCD)、重量感測器、電子鼻感測器、紅外測距器及紅外溫度計。
在一實施例中，一種半導體元件處理方法包括：在氣閘處接收晶圓；在氣閘處接收晶圓；將氣閘中的氣壓轉換為與設定壓力位準相等；在處於設定壓力位準的環境中將晶圓從氣閘傳送到第一半導體處理腔室；從在夾持手處之感測器收集第一感測器資料，第一感測器資料表徵當晶圓在第一半導體處理腔室內時的第一半導體處理腔室；在處於 設定壓力位準的環境中將晶圓從第一半導體處理腔室傳送到第二半導體處理腔室；以及從感測器收集第二感測器資料，第二感測器資料表徵當晶圓在第二半導體處理腔室內時的第二半導體處理腔室。
在一實施例中，半導體元件處理方法進一步包含：使用機器臂的夾持手將晶圓從第一半導體處理腔室傳送到第二半導體處理腔室。在一實施例中，半導體元件處理方法進一步包含：基於第一感測器資料偵測不利條件，其中在夾持手運動時夾持手固定晶圓；以及回應於偵測到不利條件來控制夾持手。
在一實施例中，半導體元件處理方法進一步包含：回應於偵測到不利條件將夾持手縮回到重新開始位置。
在一實施例中，第一感測器資料係下列中的至少一者：影像資料、距離資料、溫度資料、氣體組成資料、晶圓重量資料以及夾持手移動速度。
上文概述了若干實施例之特徵，使得熟習此項技術者可更好地理解本揭示之態樣。熟習此項技術者應瞭解，可輕易使用本揭示作為設計或修改其他製程及結構的基礎，以便實施本文所引用之實施例的相同目的及/或實現相同優勢。熟習此項技術者亦應認識到，此類等效結構並未脫離本揭示之精神及範疇，且可在不脫離本揭示之精神及範疇的情況下產生本文的各種變化、替代及更改。
在此文件中，如本文所使用的術語「模組」指軟體、韌體、硬體及用於執行本文所描述的相關聯功能的此 等元件的任何組合。此外，出於論述的目的，將各個模組描述為離散模組；然而，如將為本領域技藝人士顯而易見，兩個或多個模組可經組合來形成單個模組，此單個模組執行根據本揭示的實施例的相關聯功能。
本領域技藝人士將進一步瞭解到，結合本文揭示的態樣描述的各個說明性邏輯區塊、模組、處理器、構件、電路、方法及功能中的任一者可以藉由下列來實現：電子硬體(例如，數位實現方式、類比實現方式或兩者的組合)、韌體、各種形式的程式或包含設計碼的指令(為了方便，在本文中可以被稱為「軟體」或「軟體模組」)、或此等技術的任何組合。為了清楚地說明硬體、韌體及軟體的此可互換性，上文已經大體關於其功能來描述各個說明性部件、方塊、模組、電路及步驟。至於此功能是被實現為硬體、韌體還是軟體或此等技術的組合，取決於特定應用及施加在整個系統上的設計約束。熟習此項技術者可以針對每個特定應用以各種方式實現所描述的功能，但此等實現方式決定不導致脫離本揭示的範疇。
此外，本領域技藝人士將理解，本文描述的各個說明性邏輯區塊、模組、裝置、部件及電路可以在下列內實現或由下列執行：積體電路(IC)，其可以包括通用處理器、數位訊號處理器(DSP)、特殊應用積體電路(ASIC)、現場可程式化閘陣列(FPGA)或其他可程式化邏輯裝置或其任何組合。邏輯區塊、模組及電路可以進一步包括用於與網路內或裝置內的各個部件通訊的天線及/或收發機。通用 處理器可以係微處理器，但在替代方案中，處理器可以係任何習知處理器、控制器或狀態機。處理器亦可以實現為計算裝置的組合，例如，DSP與微處理器的組合、複數個微處理器、一或多個微處理器與DSP核心結合、或用於執行本文所描述的功能的任何其他適宜配置。
除非另外具體聲明，否則條件語言，諸如，尤其是「可以(can)」、「可以(could)」、「可能(might」或「可(may」，在上下文中被另外理解為通常用於表達某些實施例包括，而其他實施例不包括某些特徵、元件及/或步驟。因此，此條件語言大體不意欲暗指特徵、元件及/或步驟以任何方式為一或多個實施例所需要或一或多個實施例必須包括在具有或不具有使用者輸入或提示的情況下用於決定此等特徵、元件及/或步驟是否包括在內或將在任何特定實施例中執行的邏輯單元。
此外，在閱讀本揭示之後，本領域技藝人士將能夠配置功能實體來執行本文描述的操作。如本文關於具體操作或功能所使用的術語「配置」指實體上或虛擬地配置、程式化及/或佈置來執行規定操作或功能的系統、裝置、部件、電路、機器等等。
除非另外具體聲明，分離語言，諸如片語「X、Y或Z中的至少一者」，在上下文中被另外理解為通常表示可為X、Y或Z或其任何組合(例如，X、Y及/或Z)的項目、術語等等。因此，此分離語言大體不意欲，並且應當不暗指某些實施需要至少一X、至少一Y、或至少一Z各者均存在。
應當強調，可實現對上文描述的實施例的眾多變化及修改，其元件將理解為在其他可接受的實例之中。此等修改及變化意欲在本文中包括在本揭示的範疇內並由以下申請專利範圍保護。
102:夾持手感測器
104:機器臂
106:基底
108:鏈接
110:夾持手
112:表面
114:接頭
152A、152B:半導體處理腔室
160:加壓區域

Claims (8)

  1. 一種半導體元件處理系統，包含：一氣閘；一第一半導體處理腔室；一第二半導體處理腔室；以及一傳送模組，包含一夾持手，並配置以將一感測器移動到該第一半導體處理腔室及該第二半導體處理腔室中，以及移動出該第一半導體處理腔室及該第二半導體處理腔室，其中該感測器安裝在該夾持手，並配置以：當在該第一半導體處理腔室內時，收集表徵該第一半導體處理腔室的感測器資料；以及當在該第二半導體處理腔室內時，收集表徵該第二半導體處理腔室的感測器資料，其中該傳送模組、該第一半導體處理腔室及該第二半導體處理腔室在該氣閘的一第一側面上的一受控內部大氣內，並藉由該氣閘而與在該氣閘的一第二側面上的一不受控外部大氣分離，其中該感測器包含一電子鼻感測器，配置以偵測該夾持手周圍的一氣體分子的一濃度。
  2. 如請求項1所述之半導體元件處理系統，其中該傳送模組包含：一基底；以及至少一鏈接，固定到該基底， 其中該夾持手，固定到該至少一鏈接，並包含一手指，該夾持手配置以在該至少一鏈接運動時固定一晶圓，並且該夾持手配置以在該至少一鏈接停止時釋放該晶圓，該感測器安裝在該手指上，其中該感測器配置以在使用該手指固定該晶圓時收集感測器資料。
  3. 如請求項1所述之半導體元件處理系統，其中該感測器資料表徵該第一半導體處理腔室或該第二半導體處理腔室內的一條件。
  4. 一種半導體元件處理裝置，包含：一機器臂，配置以將一晶圓移動到一第一腔室及一第二腔室中，以及移動出該第一腔室及該第二腔室，其中該機器臂包含一感測器，設置於該機器臂的尖端，該感測器配置以：當在該第一腔室內時，收集表徵該第一腔室的感測器資料；以及當在該第二腔室內時，收集表徵該第二腔室的感測器資料，其中該感測器係一電子鼻感測器。
  5. 如請求項4所述之半導體元件處理裝置，其中該機器臂、該第一腔室及該第二腔室在一氣閘的一第一側面上的一受控內部大氣內，並藉由該氣閘而與在該氣閘的一第二側面上的一不受控外部大氣分離。
  6. 如請求項5所述之半導體元件處理裝置，其中該氣閘包含在一第一門與一第二門之間的一腔室，其中在任何時間僅一個門配置以打開。
  7. 一種半導體元件處理方法，包含：在一氣閘處接收一晶圓；將該氣閘中的氣壓轉換為與一設定壓力位準相等；在處於該設定壓力位準的一環境中將該晶圓從該氣閘傳送到一第一半導體處理腔室；從在一夾持手之尖端之一感測器收集第一感測器資料，該第一感測器資料表徵當該晶圓在該第一半導體處理腔室內時的該第一半導體處理腔室；在處於該設定壓力位準的該環境中將該晶圓從該第一半導體處理腔室傳送到一第二半導體處理腔室；從該感測器收集第二感測器資料，該第二感測器資料表徵當該晶圓在該第二半導體處理腔室內時的該第二半導體處理腔室；基於該第一感測器資料偵測一不利條件，其中在該夾持手運動時該夾持手固定該晶圓；以及回應於偵測到該不利條件將該夾持手縮回到一重新開始位置。
  8. 如請求項7所述之半導體元件處理方法，進一步包含： 使用該夾持手將該晶圓從該第一半導體處理腔室傳送到該第二半導體處理腔室。
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