CN101097363A - 减小白色色差的显示装置及其制造方法 - Google Patents

减小白色色差的显示装置及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101097363A
CN101097363A CNA2006101635483A CN200610163548A CN101097363A CN 101097363 A CN101097363 A CN 101097363A CN A2006101635483 A CNA2006101635483 A CN A2006101635483A CN 200610163548 A CN200610163548 A CN 200610163548A CN 101097363 A CN101097363 A CN 101097363A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mentioned
nesa coating
pixel
refractive index
thickness
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA2006101635483A
Other languages
English (en)
Inventor
阿部诚
田中勉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Future Vision Inc
Original Assignee
Future Vision Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Future Vision Inc filed Critical Future Vision Inc
Publication of CN101097363A publication Critical patent/CN101097363A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133371—Cells with varying thickness of the liquid crystal layer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
    • H10K71/611—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes using printing deposition, e.g. ink jet printing

Abstract

减小当构成像素的透明导电膜透射光时由透射比的差异引起的色差。构成像素的透明导电膜PXR、PXG、PXB的光学膜厚(折射率n和膜厚d的乘积nd)对于每个像素的滤色器RF、GF、BF来说不同。透明导电膜通过喷墨装置的喷嘴涂布在粘合剂中分散了ITO等透明导电膜材料微粒的墨水、然后烧结而形成。膜厚通过喷嘴的涂布量来控制，折射率通过在形成的透明导电膜中含有的导电性材料的微粒子和粘合剂的各折射率的体积比来控制。

Description

减小白色色差的显示装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及显示装置，特别是涉及通过减小由于每个像素的光学特性差异引起的白色显示的色差而实现高保真颜色再现性的显示装置及其制造方法。
背景技术
控制每个像素点亮的有源方式的平板型显示装置通过组合显示面板和周边电路及必要的构件而构成。该显示面板一般通过在绝缘基板上按行和列的矩阵配置多个像素而构成，所述像素具有以薄膜晶体管(TFT)为代表的开·关元件(下面用TFT说明)和驱动该TFT的像素电极。
然后，提供在每行选择矩阵配置的多个TFT的扫描信号的多个栅布线和对与选择的栅布线连接的TFT提供显示数据的多个数据布线按照与上述行和列对应地交叉配置成矩阵状。这些布线称作所谓的薄膜布线。其后，在各薄膜布线(栅布线和数据布线)的相交部分分别配置像素。另外，根据显示装置，其它栅布线和数据布线与该显示装置的显示方式对应具有必要的薄膜布线。下面的说明同样能够适用于如上的薄膜布线。
在每个像素具有像素电极的显示装置的典型例子是液晶显示装置。也已知有其它的有机EL显示装置等。下面以液晶显示装置为例进行说明。图17是说明现有的液晶显示装置的面板模式的剖面图。另外，有机EL显示装置在使用透明电极这一点也是一样的。
液晶显示装置通过在由最好是玻璃的绝缘基板构成的第一基板SUB1和第二基板SUB2之间夹持液晶LC而构成。在第一基板SUB1的内面，形成栅信号布线、扫描信号布线、薄膜晶体管TFT等，图中省略了。形成由薄膜晶体管控制开·关的3色(红、绿、蓝)像素电极PXR、PXG、PXB之后，在这些的上层形成第一取向膜ORI1。该第一基板SUB1也称作薄膜晶体管基板(TFT基板)
另一方面，在第二基板SUB2的内面，分别与第一基板SUB1的像素电极PXR、PXG、PXB相对应形成3色(红、绿、蓝)滤色器RF、GF、BF。然后，必然形成覆盖滤色器RF、GF、BF的对置电极AT(共用电极)，并在其上形成第二取向膜ORI2。该第二基板SUB2也称作滤色器基板(CF基板)。
像素电极PXR、PXG、PXB和对置电极AT(共用电极)最好是用ITO的透明导电膜形成。构成这些像素电极PXR、PXG、PXB和对置电极AT的透明导电膜的折射率、膜厚与像素无关是一定的。例如，在ITO的情况下，当折射率为2.0、膜厚为130nm时，透射率为94.98％，与CIE 1931 xy色度座标上的标准白色对应的色差为0.00441。在图18中示出了CIE 1931 xy色度座标。
上述色差定义为“与CIE 1931 xy色度座标的标准色相对应的座标上的距离”。标准白色表示与全波长区透射比为100％的光谱相比得到的色度座标(xw，yw)＝(0.333，0.333)。图18上的点(x，y)的色差由与座标(xw，yw)的距离ΔL表示。即，ΔL＝{(x-xw)2+(y-yw)2}1/2。
作为关于色差的一般观点，已知下面的事实。即，能够识别色差在0.004以上时的颜色差异。但是，对于蓝(G)方向的距离变化的认知迟钝(即使色差超过0.004的颜色差异也难以识别)，黄色(Y)方向的认知敏锐(即使色差在0.004以下的颜色差异也容易识别)。
另外，专利文献1公开了一种液晶显示装置，其通过控制构成像素的透明电极的折射率、膜厚，抑制由于光源峰值波长的干涉光谱差引起的显示灰度不匀。
[专利文献1]特开平4-166915号公报
在现有的显示装置中，构成像素的像素电极、对置电极的透明电极的折射率、膜厚在3色(红、绿、蓝)像素中同样形成。由于3色(红、绿、蓝)像素的透明电极的透射比不同，因此在透射透明电极的各色光中产生色差，在白色座标上产生移动(着色)。
发明内容
本发明的目的是提供一种显示装置及其制造方法，在构成像素的透明导电膜(透明电极)透射光时，能够通过减小由3色像素的透射比差引起的色差而进行具有高保真颜色再现性的图像显示。
为了实现上述目的，本发明中构成像素的透明导电膜的光学膜厚在像素的每个滤色器之间互不相同。光学膜厚由折射率n和膜厚d的乘积nd表示。
透明导电膜通过下述方法形成，即通过喷墨装置的喷嘴涂布(在喷墨的情况下也称作滴下)在粘合剂中分散了铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锡/锌氧化物(ITZO)等的透明导电膜材料的微粒的墨水，然后烧结。所希望的膜厚通过墨水的涂布量(滴下的数量)来控制，折射率通过在形成的透明导电膜中含有的导电性材料的微粒和粘合剂的各折射率的体积比来控制。
在构成彩色像素的多个像素的透明导电膜(透明电极)分别透射光时，由该透明导电膜喷墨的膜厚和折射率的不同而导致的3色像素透射比的差异引起的色差减小，从而得到具有高保真颜色再现性的图像显示。
附图说明
图1是说明根据本发明的显示装置用基板的实施例1的液晶面板的示意剖面图。
图2是说明根据本发明的显示装置用基板的实施例5的液晶面板的示意剖面图。
图3是说明在适用于本发明的制造方法的液晶显示装置中的第一基板的1个像素的结构例的示意平面图。
图4是沿图3的箭头x的示意剖面图。
图5是说明根据本发明的液晶显示装置的制造工艺的工序图。
图6是接着图5说明根据本发明的液晶显示装置的制造工艺的工序图。
图7是接着图6说明根据本发明的液晶显示装置的制造工艺的工序图。
图8是根据本发明的液晶显示装置的制造工艺的主要部分的结构图。
图9是根据本发明的液晶显示装置的制造工艺的主要部分的结构图。
图10是根据本发明的液晶显示装置的制造工艺的主要部分的结构图。
图11是根据本发明的液晶显示装置的制造工艺的主要部分的结构图。
图12是根据本发明的液晶显示装置的制造工艺的主要部分的结构图。
图13是根据本发明的液晶显示装置的制造工艺的主要部分的结构图。
图14是说明在本发明的液晶显示装置中像素电极的膜厚在每个颜色变化的方法的示意图。
图15是说明烧结之后像素电极的膜厚和像素电极用墨水滴的滴下数量的一个例子的图。
图16是说明通过喷墨方式形成的像素电极折射率的变化方法的示意剖面图。
图17是说明现有的液晶显示装置的面板的示意剖面图。
图18是CIE 1931 xy色度座标图。
符号说明
SUB  第一基板；SUB2  第二基板；PXR、PXG、PXB  像素电极；ORI1  第一取向膜；ORI2  第二取向膜；RF、GF、BF  滤色器；AT  共用电极(对置电极)；LC  液晶层
具体实施方式
下面参考实施例的附图详细说明本发明的实施方式。
[实施例1]
图1是说明根据本发明的显示装置用基板的实施例1的液晶面板的示意剖面图。虽然图中未示出，但是在该液晶面板的最好是玻璃的第一基板SUB1的主面(内面)制作了布线和薄膜晶体管等像素开·关控制电路。构成彩色像素的3色像素在第一基板SUB1的主面上具有作为第一透明导电膜的像素电极PXR、PXG、PXB。这些像素电极为ITO。然后，形成覆盖像素电极PXR、PXG、PXB的第一取向膜ORI1。
另一方面，在同样最好是玻璃的第二基板SUB2的主面上，形成分别与像素电极PXR、PXG、PXB相对的构成各像素的滤色器RF、GF、BF。形成覆盖滤色器RF、GF、BF的作为第二透明导电膜的共用电极(对置电极)AT。共用电极AT也为ITO。在共用电极AT上，形成第二取向膜ORI2。
在第一取向膜ORI1和第二取向膜ORI2之间密封液晶层LC以构成液晶显示面板。
在实施例1中，3色像素电极PXR、PXG、PXB的膜厚和折射率不同。具体地说，红像素的像素电极PXR的膜厚为160nm、折射率为1.9，绿像素的像素电极PXG的膜厚为130nm、折射率为2.1，蓝像素的像素电极PXR的膜厚为120nm、折射率为1.9。共用电极AT的膜厚和折射率就3色像素来说相同。
在实施例1的结构中，透射比为95.39％，色差为0.00225。该色差比0.004小很多，白色座标几乎没有位移，无法辨别白色显示的着色。顺便提及，图17说明的现有的结构，即3色像素的像素电极膜厚相同，且以使色差与实施例1相同的方式设计的情况下，透射比为93.61％，与此对应，实施例1的透射比提高了1.78％。
[实施例2]
在实施例2中，根据图1的结构，3色像素电极PXR、PXG、PXB的折射率相同，为2.0，红像素的像素电极的膜厚为150nm，绿像素的像素电极PXG的膜厚为140nm，蓝像素的像素电极PXB的膜厚为120nm。
在实施例2的结构中，透射比为95.34％，色差为0.00257。该色差也比0.004小很多，白色座标几乎没有位移，无法辨别白色显示的着色。顺便提及，图17说明的现有的结构，即3色像素中其像素电极膜厚相同，且以使色差与实施例2相同的方式设计的情况下，透射比为93.82％，与此对应，实施例2的透射比提高了1.52％。
[实施例3]
实施例3为在图17所示的现有例结构中3色像素电极PXR、PXG、PXB的膜厚相同、折射率不同的情况。具体地说，各像素的像素电极的膜厚为130nm，红像素的像素电极PXR的折射率为2.2，绿像素的像素电极PXG的折射率为1.9，蓝像素的像素电极PXR的折射率为1.8。共用电极AT的膜厚和折射率在3色像素中相同。
在实施例3的结构中，透射比为95.38％，色差为0.00298。该色差也比0.004小很多，白色座标几乎没有位移，在白色显示中没有识别出着色。
顺便提及，用图17说明的现有结构且以使色差与实旋例3相同的方式设计时的透射比是94.08％，与此相应，实施例3的透射比提高了1.30％。
[实施例4]
实施例4为：在图1所示的实施例1的结构中，3色像素电极PXR、PXG、PXB的折射率相同，为1.8，红像素的像素电极PXR的膜厚为170nm，绿像素的像素电极PXG的膜厚为150nm，蓝像素的像素电极PXB的膜厚为130nm。
在实施例4的结构中，透射比为9535％，色差为0.00235。该色差也比0.004小很多，白色座标几乎没有位移，无法辨别白色显示的着色。顺便提及，图17说明的现有的结构，即3色像素的像素电极膜厚相同，且以使色差与实施例4相同的方式设计的情况下，透射比为93.68％，与此对应，实施例4的透射比提高了1.67％。
[实施例5]
图2是说明根据本发明的显示装置用基板的实施例5的液晶面板的示意剖面图。虽然图中未示出，但是在该液晶面板的最好是玻璃的第一基板SUB1的主面(内面)也制作了布线和薄膜晶体管等像素开·关控制电路。构成彩色像素的3色像素在第一基板SUB1的主面上具有作为第一透明导电膜的像素电极PXR、PXG、PXB。这些像素电极为ITO。然后，形成覆盖像素电极PXR、PXG、PXB的第一取向膜ORI1。
另一方面，在同样最好是玻璃的第二基板SUB2的主面上，形成分别与像素电极PXR、PXG、PXB相对的构成各像素的滤色器RF、GF、BF。形成覆盖滤色器RF、GF、BF的作为第二透明导电膜的岛状的共用电极(对置电极)AT。该共用电极AT也为ITO，红、绿、蓝各色的岛状共用电极ATR、ATG、ATB对应于相应的像素电极PXR、PXG、PXB。另外，该共用电极ATR、ATG、ATB与显示面板的适当部分电连接。然后，覆盖共用电极ATR、ATG、ATB形成第二取向膜ORI2。
在第一取向膜ORI1和第二取向膜ORI2之间密封液晶层LC，以构成液晶显示面板。
在实施例5中，3色像素电极PXR、PXG、PXB的膜厚和对应的共用电极ATR、ATG、ATB的膜厚在各个颜色之间不同。在图2中，像素电极PXR、PXG、PXB和共用电极ATR、ATG、ATB的各膜厚对于各个颜色来说同样通过厚度的变化表示，但不限于此，各个颜色的电极的合计膜厚(像素电极的膜厚+共用电极的膜厚)不同即可。这里，红像素的合计电极膜厚为170nm，绿像素的合计电极膜厚为150nm，蓝像素的合计电极膜厚为130nm。3色像素电极PXR、PXG、PXB和共用电极ATR、ATG、ATB的折射率相同，为1.8。
在实施例5的结构中，透射比为95.73％，色差为0.00036。该色差小于0.004，白色座标几乎没有位移，无法辨别白色显示的着色。顺便提及，按照图17说明的现有的结构，即3色像素的像素电极膜厚相同时，不能够设计出与实施例5相同的色差，色差最小为(0.00069)，此时，透射比为92.36％，与此相应，实施例5的透射比提高了3.37％。
通常，ITO的折射率n具有在可见区内随着波长的增加逐渐减小的波长分散。在上述各实施例中，为了说明简单化，是假定不具有这样的波长分散而算出的。但是，作为可见光，大体上看，在上述各实施例的说明中没有错误。
下面说明本发明的制造方法。图3是说明适用本发明制造方法的液晶显示装置中第一基板的1个像素的结构例的示意平面图。另外，图4是沿着图3的箭头x的示意剖面图。在图3中，在2条扫描布线(栅线)GL和2条图像信号布线(数据线)DL包围的区域(像素区域)中形成1个像素。
在像素区的角部配置控制像素开·关的薄膜晶体管TFT。薄膜晶体管TFT由从栅线GL延伸的栅电极GT、从硅半导体层SI、数据线DL延伸的源电极SD1和漏电极SD2构成。另外，源电极SD1和漏电极SD2在显示动作中虽然相互替代，但在此为了防止混乱，像上述那样用固定标记来说明。
在漏电极SD2中，通过接触孔CH连接像素电极PX。另外，在该结构中，以横穿像素区的方式形成用于形成液晶保持电容的电容线CL。
本发明的液晶显示装置通过使用喷墨装置的涂布印刷方式(称作喷墨方式)形成其布线和电极的一部分或者全部。图4说明了该制造工艺的概况。首先，在第一基板SUB1的主面上形成具有栅线和栅电极的图形沟的栅堤(bank)BNK-G，然后通过喷墨方式形成栅线GL和栅电极GT。其上由栅绝缘膜GI覆盖。
覆盖硅半导体膜，通过布图(图案形成)形成作为薄膜晶体管的有源层的硅半导体层SI。此时，在硅半导体层的上层形成n+层，除去作为薄膜晶体管沟道的部分。在源电极和漏电极的图形沟中形成源·漏堤(下面称作源堤)BNK-SD，通过喷墨方式形成源电极SD1、漏电极SD2。
其后，形成保护膜PAS，在该保护膜PAS形成到达漏电极SD2的接触孔CH。在像素电极区形成具有开口的像素堤BNK-P，通过喷墨方式形成像素电极PX。最后，涂布图(图案形成)中未示出的第一取向膜，完成第一基板侧的制造。另外，上述各堤组通过使用感光性抗蚀剂的光刻形成，使用工艺完成之后仍然维持透明性的树脂材料。
然后，参考图5～图7的工序图和图8～图13的主要部分的结构图说明上述液晶显示装置的制造工艺。另外，图8示出了图5的工艺(P-7)完成之后的(a)像素部分的平面图；(b)沿着(a)的箭头x的剖面图。图9示出了图5的工艺(P-11)完成之后的(a)像素部分的平面图；(b)沿着(a)的箭头x的剖面图。图10示出了图6的工艺(P-14)完成之后的(a)像素部分的平面图；(b)沿着(a)的箭头x的剖面图。图11示出了图6的工艺(P-20)完成之后的(a)像素部分的平面图；(b)沿着(a)的箭头x的剖面图。图12示出了图7的工艺(P-24)完成之后的(a)像素部分的平面图；(b)沿着(a)的箭头x的剖面图。图13示出了图7的工艺(P-30)完成之后的(a)像素部分的平面图；(b)沿着(a)的箭头x的剖面图。
在图5中，对搬入的玻璃基板进行初期的清洗(P-1)，涂布栅堤BNK-G的感光性抗蚀剂(P-2)。通过与栅线和栅电极(和电容线)对应的图形的曝光掩模曝光、显影之后，除去栅线和栅电极(和电容线)图形的沟部的感光性抗蚀剂(P-3)。通过烧结残留的感光性抗蚀剂形成栅堤BNK-G(P-4)。
亲液处理栅堤BNK-G的沟时，同时疏液处理其它部分(P-5)，在沟内从喷墨方式的喷嘴喷射(滴下)涂布栅金属(在粘合剂中分散的栅线、栅电极用金属粒子墨水(P-6)。通过烧结形成栅线GL和栅电极GT(和电容线CT)(P-7)。图8示出了此状态下的像素部分的结构。
然后，通过溅射等形成氮化硅膜，从而形成栅绝缘层GI，在其上覆盖形成硅半导体(例如a-Si和n+Si)膜(P-8)。涂布感光性抗蚀剂，通过光刻工艺布图(图案形成)作为薄膜晶体管有源层的部分的岛状硅半导体层(P-8)。蚀刻a-Si和n+Si(P-10)，剥离除去感光性抗蚀剂(P-11)。图9示出了此状态下的像素部分的结构。
涂布感光性抗蚀剂，通过光刻工艺蚀刻(P-12)成使n+Si中央部分露出成为沟道的a-Si。(P-13)。此后，剥离除去感光性抗蚀剂(P-14)。在图10中示出了在该状态下的像素部分的结构。
涂布成为源堤BNK-SD的感光性抗蚀剂(P-15)，通过光刻工艺曝光成为源线、源电极、漏电极的部分，显影后除去(P-16)，烧结之后形成在源线、源电极、漏电极的部分具有沟的源堤BNK-SD(P-17)。
亲液处理源堤BNK-SD的沟，疏液处理其它部分(P-18)。在源堤BNK-SD的沟中通过喷墨方式喷射涂布作为成为源线、源电极、漏电极的导电性墨水的源金属(P-19)。烧结之后形成源电极SD1、漏电极SD2等(P-20)。图11示出了此状态下的像素部分的结构。
然后，通过溅射等在基板的前面形成氮化硅膜，从而形成保护膜PAS(P-21)。涂布光敏性的感光性抗蚀剂，通过光掩模曝光、显影，在保护膜PAS中形成到达漏电极SD2的接触孔CH(P-22)、(P-23)。图12示出了剥离除去残留的感光性抗蚀剂的状态(P-24)。
涂布像素堤用感光性抗蚀剂(P-25)，通过光刻工艺曝光、显影(P-26)、烧结(P-27)，在像素电极PX的区域形成具有开口的像素堤BNK-P。亲液处理像素电极PX区的开口，疏液处理其它部分(P-28)。在像素电极PX区的开口中通过喷墨方式涂布在粘合剂中分散了最好是ITO的透明导电材料微粒的像素电极用墨水(P-29)。烧结之后形成像素电极PX(P-30)。图13示出了此状态下的像素结构。
图14是说明在本发明的液晶显示装置中对每个颜色改变像素电极膜厚的方法的示意图。图14(a)示出了通过喷墨方式喷射涂布像素电极用墨水的状态，图14(b)示出了烧结之后像素电极的结构。在图14(a)中，在第一基板SUB1的主面上形成栅堤BNK-G、棚绝缘膜GI、数据线DL、源堤BNK-SD、保护膜PAS、像素堤BNK-P。
在本发明中，如图14(a)所示，喷墨装置的喷嘴头JHD一边在S方向扫描，一边在红像素R、绿像素G、蓝像素B的各个像素区中滴下涂布像素电极用墨水滴DLP。涂布的墨水PXRI、PXGI、PXBI在像素堤BNK-P中相互划分储留。通过烧结，如图14(b)所示，形成每个颜色的膜厚不同的像素电极PXR、PXG、PXB。该膜厚差通过各像素墨水滴的喷射量(涂布量、即滴下数量)控制烧结之后像素电极所需要的膜厚。
图15是说明烧结之后像素电极的膜厚和像素电极用墨水滴的滴下数量的一个例子的图。在该例子中，作为像素电极用墨水使用在粘合剂中分散了ITO的墨水。红像素R、绿像素G、蓝像素B的各个像素电极PXR、PXG、PXB的膜厚为160nm、130nm、120nm的情况下，像素电极用墨水的滴下数量分别为16滴、13滴、12滴。此外，在该例子中，像素电极区域的面积约为0.002mm2。
图16是说明通过喷墨方式形成的像素电极的折射率的变更方法的示意剖面图。作为导电性微粒，使用ITO。构成像素电极的透明导电膜的折射率成为在其中包含的导电性微粒PC和粘合剂BDR的各个折射率的体积比。例如，含有折射率2.0的导电性微粒50％和折射率1.5的粘合剂50％的透明导电膜的折射率为1.75。此外，含有折射率2.2的导电性微粒80％和折射率1.5的粘合剂20％的透明导电膜的折射率为2.06。
作为导电性微粒，可以使用除了ITO之外的含有锑的氧化锡(ATO)、含有铝的氧化锌、含有锑的氧化铟(AIO)等金属氧化物、从金(Au)、银(Ag)、铂(Pt)、钌(Ru)、铑(Rh)、钯(Pd)、锇(Os)、铱(Ir)等金属中选择的1种或者2种以上的金属微粒。
此外，作为上述粘合剂，可以是任何可以使用的有机类、无机类粘合剂，可以使用紫外线硬化型树脂、电子射线硬化型树脂、阳离子重合类树脂、热硬化型树脂、热可塑性树脂等有机类。其中，由于紫外线硬化型树脂便宜且容易得到，且和透明基材、特别是透明塑料基材的密着性优良，因此适用于本发明的粘合剂。
紫外线硬化型树脂由于下述理由是适用的，可以是在湿涂覆中使用的感光性树脂，例如丙烯酸类、丙烯酸尿烷类、硅类、环氧类等感光性树脂不会损害导电性微粒的分散性。
异常情况下，虽然说明了在第一基板上具有第一透明电极(像素电极)的实施例，但是在第二基板上形成的第二透明电极(对置电极)的膜厚、折射率的控制也是一样。
本发明不限于液晶显示装置，也可以适用于有机EL显示装置等、具有显示光透射透明导电膜的结构的显示装置、其它电子装置的色差的调整。

Claims (18)

1、一种显示装置，具有构成彩色像素的多种颜色的像素，
其特征在于，上述像素分别具有第一透明导电膜、第二透明导电膜、滤色器以及夹持在上述第一透明导电膜和上述第二透明导电膜之间的液晶层，
构成上述像素的上述第一导电膜和上述第二透明导电膜中的至少一个的由折射率和膜厚的乘积表示的光学膜厚在上述每个滤色器之间互不相同。
2、根据权利要求1的显示装置，其特征在于，上述第一透明导电膜和上述第二透明导电膜通过利用喷墨的涂布和烧结而形成。
3、根据权利要求1的显示装置，其特征在于，具有形成了上述第一透明导电膜的第一绝缘基板和形成了上述第二透明导电膜的第二绝缘基板，
在上述第一绝缘基板上，针对每个像素具有控制该像素的开·关的薄膜晶体管，
在上述第二绝缘基板上，针对每个像素具有使对应于该像素的颜色的波长的光透射的上述滤色器，
上述第一透明导电膜和上述第二透明导电膜中的至少一个在每个像素中形成岛状。
4、根据权利要求3的显示装置，其特征在于，
上述像素具有红色、绿色、蓝色的3种颜色，
上述形成岛状的透明导电膜为分别构成上述3色像素的上述第一透明导电膜，
上述第一透明导电膜的各个膜厚和折射率不同。
5、根据权利要求3的显示装置，其特征在于，
上述像素具有红色、绿色、蓝色的3种颜色，
上述形成岛状的透明导电膜为分别构成上述3色像素的上述第一透明导电膜，
上述第一透明导电膜的各个膜厚不同，折射率相同。
6、根据权利要求3的显示装置，其特征在于，
上述像素具有红色、绿色、蓝色的3种颜色，
上述形成岛状的透明导电膜为分别构成上述3色像素的上述第一透明导电膜，
上述第一透明导电膜的各个膜厚相同，折射率不同。
7、根据权利要求4的显示装置，其特征在于，
上述像素的滤色器分别为RF、GF、BF，
与上述滤色器RF、GF、BF对应的上述岛状的第一透明电极膜为PXR、PXG、PXB，
上述第一透明导电膜PXR、PXG、PXB的膜厚为dR、dG、dB，
上述滤色器RF、GF、PXB的透射波段中心值为λR、λG、λB，其中，λR＞λG＞λB，PXR的对于波长λR的折射率为nR、PXG的对于波长λG的折射率为nG、PXB的对于波长λB的折射率为nB时，作为折射率和膜厚满足以下关系，
nRdR＞nGdG＞nBdB。
8、根据权利要求5的显示装置，其特征在于，
上述像素的滤色器分别为RF、GF、BF，
与上述滤色器RF、GF、BF对应的上述岛状的第一透明电极膜为PXR、PXG、PXB，
上述第一透明导电膜PXR、PXG、PXB的膜厚为dR、dG、dB，
上述滤色器RF、GF、PXB的透射波段中心值为λR、λG、λB其中，λR＞λG＞λB时，作为膜厚满足以下关系，
dR＞dG＞dB。
9、根据权利要求6的显示装置，其特征在于，
上述像素的滤色器分别为RF、GF、BF，
与上述滤色器RF、GF、BF对应的上述岛状的第一透明电极膜为PXR、PXG、PXB，
上述第一透明导电膜PXR、PXG、PXB的膜厚相同，
上述滤色器RF、GF、PXB的透射波段中心值为λR、λG、λB，其中，λR＞λG＞λB时，
PXR的对于波长λR的折射率为nR、PXG的对于波长λG的折射率为nG、PXB的对于波长λB的折射率为nB时，作为折射率和膜厚满足以下关系，
nR＞nG＞nB。
10、根据权利要求3的显示装置，其特征在于，
上述像素为红色、绿色、蓝色的3种颜色，
上述形成岛状的透明导电膜为分别构成上述3色像素的上述第二透明导电膜，
上述第二透明导电膜的膜厚和折射率对于上述各个像素来说不同。
11、根据权利要求3的显示装置，其特征在于，
上述像素为红色、绿色、蓝色的3种颜色，
上述形成岛状的透明导电膜为分别构成上述3色像素的上述第一透明导电膜和第二透明导电膜，
上述第一透明导电膜和第二透明导电膜的合计膜厚和折射率对于上述各个像素来说不同。
12、根据权利要求3的显示装置，其特征在于，
上述第一透明导电膜和上述第二透明导电膜以ITO、IZO、ITZO中的任意一种为主要成分。
13、一种显示装置，至少具有在绝缘基板上形成大致相同的岛状的多个透明导电膜，
上述多个透明导电膜的至少3个作为彩色1像素，在上述彩色1像素内的岛状透明导电膜上层叠分别具有不同的波段的发光层，
彩色1像素内的上述发光层为R、G、B，对应于R、G、B发光层的岛状透明电极膜为ITOR、ITOG、ITOB，ITOR、ITOG、ITOB的膜厚为dR、dG、dB，R、G、B发光层的透射波段中心值为λR、λG、λB，ITOR的对于波长λR的折射率为nR、ITOG的对于波长λG的折射率为nG、ITOB的对于波长λB的折射率为nB的情况下，以使由折射率和膜厚的乘积规定的透明导电膜的光学膜厚满足nRdR＞nGdG＞nBdB的方式，形成规定的折射率、膜厚。
14、根据权利要求13的显示状态，其特征在于，
上述透明导电膜通过利用喷墨的涂布和烧结而形成。
15、一种显示装置的制造方法，
具有被独立地控制开·关的第一透明导电膜、作为全部像素共用的对置电极而起作用的第二透明导电膜、在多个上述第一透明导电膜和上述第二透明导电膜之间密封的液晶层、在与上述第二透明导电膜的液晶层相反的面配置的透射不同颜色的光的滤色器，由至少3个像素构成1个彩色像素，显示彩色图像，其特征在于：
使形成了用于控制像素开·关的电极和电路的第一绝缘基板的主面上的粘合剂分散导电膜材料墨水在上述至少3个像素之间互不相同，以使由上述第一透明导电膜的折射率和膜厚的乘积表示光学膜厚在上述至少3个像素之间互不相同，由此，在不降低透射比的情况下进行减小白色色差的显示。
16、根据权利要求15的显示装置的制造方法，其特征在于，包含：
在上述第一绝缘基板的主面上通过喷墨方式涂布粘合剂分散导电膜材料墨水的工序；
通过烧结所涂布的粘合剂分散导电膜材料墨水，形成上述第一透明导电膜的工序；
利用上述喷墨涂布方式的上述粘合剂分散导电膜材料墨水及其涂覆量，使由上述第一透明导电膜的折射率和膜厚的乘积表示的光学膜厚在上述至少3个像素之间互不相同，从而在不降低透射比的情况下进行减小了白色色差的显示。
17、根据权利要求15的显示装置的制造方法，其特征在于，在上述绝缘基板上形成的用于控制像素开·关的电极和电路通过喷墨涂布方式涂布和烧结导电性材料墨水而形成。
18、根据权利要求15的显示装置的制造方法，其特征在于，形成上述第一透明导电膜和上述第二透明导电膜使用以ITO、IZO、ITZO中的任意一种为主要成分的粘合剂分散导电膜材料墨水。
CNA2006101635483A 2006-06-30 2006-10-20 减小白色色差的显示装置及其制造方法 Pending CN101097363A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006180841A JP4542527B2 (ja) 2006-06-30 2006-06-30 白色の色度差を低減した表示装置とその製造方法
JP2006180841 2006-06-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN101097363A true CN101097363A (zh) 2008-01-02

Family

ID=38421543

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2006101635483A Pending CN101097363A (zh) 2006-06-30 2006-10-20 减小白色色差的显示装置及其制造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7733445B2 (zh)
EP (1) EP1873576A1 (zh)
JP (1) JP4542527B2 (zh)
KR (1) KR20080003164A (zh)
CN (1) CN101097363A (zh)
TW (1) TW200801667A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102955289A (zh) * 2012-11-23 2013-03-06 京东方科技集团股份有限公司 一种彩膜基板及其制作方法、显示面板、显示装置
CN103753995A (zh) * 2014-01-09 2014-04-30 湖南大学 一种基于彩色喷墨打印制备渐变折射率增透膜的方法

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7781784B2 (en) * 2007-05-07 2010-08-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Display apparatus with color pixels
US7935560B2 (en) * 2007-09-06 2011-05-03 International Business Machines Corporation Imagers having electrically active optical elements
US7642582B2 (en) * 2007-09-06 2010-01-05 International Business Machines Corporation Imagers having electrically active optical elements
US7661077B2 (en) * 2007-09-06 2010-02-09 International Business Machines Corporation Structure for imagers having electrically active optical elements
TWI375820B (en) * 2008-02-27 2012-11-01 Wintek Corp Color filter with touch screen and liquid crystal display having the same
KR101469038B1 (ko) * 2008-06-12 2014-12-04 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
WO2011135769A1 (ja) 2010-04-30 2011-11-03 シャープ株式会社 カラーフィルター基板、表示パネル及びカラーフィルター基板の製造方法
CH703828B1 (it) * 2010-09-24 2015-05-15 Suricate Sa Contenitore termico flessibile a busta o sacchetto con multicamere o multicelle incorporate.
JP2012108458A (ja) * 2010-10-26 2012-06-07 Seiko Epson Corp 投射型表示装置および光学ユニット
GB2509497B (en) * 2013-01-02 2017-09-13 Cambridge Display Tech Ltd Organic electronic device fabrication methods
US10170521B2 (en) * 2015-12-30 2019-01-01 Lg Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display device
KR20200044245A (ko) * 2018-10-18 2020-04-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5630117A (en) * 1979-08-20 1981-03-26 Seiko Epson Corp Liquid crystal display device
JPS6111724A (ja) * 1984-06-28 1986-01-20 Canon Inc 液晶素子
JP2885352B2 (ja) 1990-10-31 1999-04-19 三洋電機株式会社 液晶表示装置
JPH04190217A (ja) * 1990-11-22 1992-07-08 Ricoh Co Ltd 透過型カラー液晶パネル
JPH08122803A (ja) * 1994-10-25 1996-05-17 Casio Comput Co Ltd カラー液晶表示素子
JPH1026765A (ja) * 1996-07-10 1998-01-27 Toshiba Corp 液晶表示素子、投影型液晶表示装置及び基板
JP3736076B2 (ja) * 1997-10-31 2006-01-18 セイコーエプソン株式会社 液晶装置
US6872586B2 (en) * 2000-10-17 2005-03-29 Seiko Epson Corporation Method of manufacture of active matrix substrate and liquid crystal display device
JP5082172B2 (ja) * 2001-02-05 2012-11-28 ソニー株式会社 表示装置の製造方法
JP2004055461A (ja) * 2002-07-23 2004-02-19 Seiko Epson Corp 発光装置及びその製造方法、並びに電子機器
JP4593969B2 (ja) * 2003-05-16 2010-12-08 株式会社半導体エネルギー研究所 配線の作製方法及び表示装置の作製方法
JP2005013986A (ja) * 2003-05-30 2005-01-20 Seiko Epson Corp デバイスとその製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法及び電気光学装置並びに電子機器
KR100762550B1 (ko) * 2003-10-22 2007-10-01 도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 액정 표시 셀
JP4393968B2 (ja) * 2003-10-28 2010-01-06 株式会社半導体エネルギー研究所 配線の作製方法及び半導体装置の作製方法
US20050242712A1 (en) * 2004-04-29 2005-11-03 Chao-Chin Sung Multicolor electroluminescent display
JP2008500151A (ja) * 2004-05-28 2008-01-10 独立行政法人科学技術振興機構 パターン膜形成方法、装置と材料および製品
JP2006065019A (ja) * 2004-08-27 2006-03-09 Seiko Epson Corp アクティブマトリクス基板の製造方法、アクティブマトリクス基板、電気光学装置及び電子機器
JP4643956B2 (ja) * 2004-09-15 2011-03-02 株式会社フューチャービジョン 表示装置の製造方法
JP2006292801A (ja) * 2005-04-06 2006-10-26 Seiko Epson Corp 液晶装置並びに電子機器
US8102111B2 (en) * 2005-07-15 2012-01-24 Seiko Epson Corporation Electroluminescence device, method of manufacturing electroluminescence device, and electronic apparatus

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102955289A (zh) * 2012-11-23 2013-03-06 京东方科技集团股份有限公司 一种彩膜基板及其制作方法、显示面板、显示装置
CN102955289B (zh) * 2012-11-23 2015-05-20 京东方科技集团股份有限公司 一种彩膜基板及其制作方法、显示面板、显示装置
CN103753995A (zh) * 2014-01-09 2014-04-30 湖南大学 一种基于彩色喷墨打印制备渐变折射率增透膜的方法
CN103753995B (zh) * 2014-01-09 2016-01-20 湖南大学 一种基于彩色喷墨打印制备渐变折射率增透膜的方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20080003164A (ko) 2008-01-07
JP2008009214A (ja) 2008-01-17
EP1873576A1 (en) 2008-01-02
JP4542527B2 (ja) 2010-09-15
US20080002113A1 (en) 2008-01-03
TW200801667A (en) 2008-01-01
US7733445B2 (en) 2010-06-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101097363A (zh) 减小白色色差的显示装置及其制造方法
JP2008009214A5 (zh)
US7768603B2 (en) Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
US6825904B2 (en) Liquid crystal device, color filter substrate with vapor deposited metal oxide insulating layer under transparent conductor, method for manufacturing liquid crystal device, and method for manufacturing color filter substrate
TWI587009B (zh) 彩色濾光片及顯示裝置
CN101149546A (zh) 一种薄膜晶体管在彩膜之上的液晶显示器件及其制造方法
CN101071210A (zh) 彩色滤光基板及其液晶显示面板
US7646465B2 (en) Liquid crystal display and method of fabricating the same
US20080259261A1 (en) Display apparatus and method of fabricating the same
US20190285959A1 (en) Display panel, manufacturing method thereof and display device
CN1949041B (zh) 制造液晶显示装置的方法
US20040141127A1 (en) Liquid crystal display
KR101295113B1 (ko) 표시기판 및 이의 제조 방법
US20070058112A1 (en) Liquid crystal display panel, color filter, and manufacturing method thereof
US7342620B2 (en) Color filter array panel comprising a blue pixel contrast ratio greater than twice the red pixel contrast ratio and liquid crystal display including the same
CN101424837B (zh) 液晶显示装置阵列基板的制造方法
US20070171340A1 (en) Display apparatus and method of fabricating the same
US6806926B1 (en) Reflection-type color liquid crystal display apparatus and method for manufacturing the same
US20090206751A1 (en) Electro-luminescent device and method for manufacturing the same
US20150015837A1 (en) Color filter substrate, display panel and method for producing color filter substrate
US20210149244A1 (en) Preparation process of color film substrate, color film substrate thereof, and display device
KR100975772B1 (ko) 컬러필터 기판, 이의 제조방법 및 이를 포함하는액정표시장치
TWI304498B (zh)
KR101264864B1 (ko) 액정표시장치와 이의 제조방법
KR20060057196A (ko) 액정 표시 패널 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20080102