JP3736076B2

JP3736076B2 - 液晶装置

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Publication number: JP3736076B2
Application number: JP30124797A
Authority: JP
Inventors: 正幸矢崎; 豊土屋; 秀文坂田
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 1997-10-31
Filing date: 1997-10-31
Publication date: 2006-01-18
Anticipated expiration: 2017-10-31
Also published as: JPH11133391A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、内面上に電極を備えた２枚の基板の間に液晶層を挟持した構造の各種の液晶装置が製造されている。これらの中には、液晶層の裏面側に反射層を形成した反射型の液晶装置があり、この反射型の液晶装置にも、カラーフィルタを備えたカラー液晶装置が形成される場合がある。
【０００３】
図１０には、従来の反射型のカラー液晶装置の構造例を模式的に示す。ガラスなどで構成される表面側基板１０の内面上には予め設定された画素領域毎に形成され、所定の配列順に各色配列されたいずれかの色調を備えた着色層Ｒ，Ｇ，Ｂと、これらの着色層Ｒ，Ｇ，Ｂを覆う透明な保護膜Ｔとからなるカラーフィルタ１１が形成される。このカラーフィルタ１１の表面上にはＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）などの透明導電性材料からなる透明電極１２が上記着色層Ｒ，Ｇ，Ｂのいずれかに合わせて形成されている。透明電極１２の表面上にはポリイミドやポリビニルアルコールなどからなる配向膜１３が塗布、焼成などの工程を経て成膜され、その表面に公知のラビング処理が施される。
【０００４】
一方、裏面側基板２０の内面上には反射層と画素電極とを兼ねた反射電極２１がＡｌやＣｒなどの金属により形成される。また、この裏面側基板２０の内面上には図示しない配線層と反射電極２１との間に接続されたＭＯＳＦＥＴやＴＦＴ（薄膜トランジスタ）などのトランジスタ素子、ＭＩＭ（金属−絶縁体−金属）素子に代表されるＴＦＤ（薄膜ダイオード）などのダイオード素子などからなる公知のスイッチング素子２２が形成される。
【０００５】
上述の表面側基板１０と裏面側基板２０とは図示しないシール材を介して張り合わされ、表面側基板１０と裏面側基板２０との間に液晶が注入される。この従来例では表面側基板１０と裏面側基板２０との間に高分子分散型の液晶層３０を設けている。この高分子分散型の液晶層３０は、屈折率異方性及び誘電異方性を備えた液晶と高分子とが分散混合してなる液晶層のうちの一形態であり、液晶層３０の中には液晶分子３１と高分子粒子３２とが分散混合されている。図１０はこの液晶層３０を模式的に描いたものであり、たとえば、液晶中に高分子粒子が図示のように離散的に分散されている場合もあり、或いは高分子粒子が相互に接近してブドウの房状に配置されている場合もある。
【０００６】
この液晶装置の製造工程においては、表面側基板１０と裏面側基板２０との間隙は通常数μｍ程度であり、この間隙内に所定の液晶と、光重合性を備えた高分子前駆体（モノマー、プレポリマーなど。）との相溶した溶液が注入され、その後、表面側基板１０の側から液晶セルに紫外線を照射し、上記溶液中の高分子前駆体を光重合させ高分子粒子を析出させて上記の液晶層３０を形成する。
【０００７】
液晶層３０中の液晶分子３１と高分子粒子３２は、電界無印加状態においては図１０に示すように配向膜１３，２３に施されたラビング方向（水平方向）に沿ってそれぞれ配向されている。透明電極１２と反射電極２１との間に所定の閾値を越える電圧を印加すると、誘電異方性を有する液晶分子３１は電界方向（垂直方向）に配向され、姿勢を変える。この結果、屈折率異方性を備えた液晶分子３１の外部から見た屈折率は変わるため、高分子粒子３２とほぼ同方向に液晶分子３１が配向されていた電界無印加状態に対して、液晶分子３１と高分子粒子３２との光屈折率の差も変化する。
【０００８】
上記液晶層３０において、たとえば、電界無印加状態において液晶分子３１と高分子粒子３２との屈折率の差がほぼ０であるとすると、液晶層３０はほぼ透明状態になるため、セルに入射した光は液晶層３０を透過して反射電極２１にて反射され、そのまま再び外部へと放出される。逆に電界印加状態においては液晶分子３１の屈折率が変わることにより高分子粒子３２との屈折率に差が生ずるので、液晶層３０は白濁状態になり、セルに入射した光は液晶層３０にて散乱される。もちろん、電界無印加状態で液晶層を散乱状態に、電界印加状態で液晶層を透過状態にすることも可能である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上記従来の高分子分散型の液晶装置の製造工程においては、表面側基板１０の内面上にカラーフィルタ１１が形成されていることから、液晶セルに紫外線を照射した場合、紫外線はカラーフィルタ１１の各着色層Ｒ，Ｇ，Ｂを透過して溶液に照射される。この場合、着色層Ｒ，Ｇ，Ｂの紫外線に対する透過率は一般的に異なるので、各画素領域の着色層Ｒ，Ｇ，Ｂの色調により光照射量が増減するため、以下に述べるように駆動電圧に対する光学特性が着色層の色調毎に大きく異なってしまう。
【００１０】
たとえば、図４には、可視光領域における最低透過率が３０％である各着色層Ｒ（３０），Ｇ（３０），Ｂ（３０）における紫外線領域の透過率を測定した結果を示す。通常、上述の液晶層３０の形成過程においては３５０〜３６０ｎｍ程度の波長域の紫外線を用いるが、この波長域の各着色層の光透過率は着色層の色調毎に大きく異なるとともに、波長に対する透過率の変化が急峻である。この結果、図５に示すように、各画素領域において形成された着色層Ｒ，Ｇ，Ｂ毎にその画素の駆動電圧と液晶セルの反射率との関係を測定すると、着色層の色調により駆動特性、電気光学特性が大きく変化することが判る。この変化により、液晶セルの光学的閾値電圧Ｖｔｈと光学的飽和電圧Ｖｓａｔとが図６及び図７に示すように同じ紫外線照射強度において相互に大きく異なることとなり、しかも、紫外線照射強度を変えると色調間の特性差もまた変化するという複雑な状況になる。
【００１１】
このような電気光学特性の色調及び製造工程条件（光照射量）によるばらつきはカラー液晶装置の色調間の輝度の不整合を招くため、色表示の不良や色の再現性を損ない、重大な欠陥を生み出す原因になるという問題点がある。特に、中間調における色シフト量が発生したり、色再現性を有する駆動範囲が限定されてしまうため表示品位が低下する。
【００１２】
そこで本発明は上記問題点を解決するものであり、その課題は、高分子分散型などの液晶と高分子とを分散混合させた液晶層を備えた反射型のカラー液晶装置において、液晶セルの構造及び製法を改善することにより、色表示の不良や色の再現性その他の表示品位を向上させることのできる技術を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明が講じた手段は、一対の基板間に液晶層が挟持されてなる液晶装置であって、一方の基板の前記液晶層側に配置されるカラーフィルタと、
前記カラーフィルタ上に配置される透明電極とを有し、前記透明電極の厚さが前記カラーフィルタの着色層の色調にほぼ一致した波長の光に対して干渉可能な厚さに形成されていることを特徴とする。
この手段によれば、透光性電極がカラーフィルタの着色層の色調にほぼ対応した波長の光に干渉可能な厚さに形成されていることにより、各画素の色調をより鮮やかに表示することができるので、表示品位やコントラストを高めることができる。
【００１４】
更に本願発明は、前記透明電極の厚さは、対応する前記カラーフィルタの着色層の波長をλとし、当該透明電極の屈折率をεとした時に、λ/ε で求まる値、若しくは当該値の自然数倍の厚さであることは好ましい。
【００１５】
更に本願発明は、前記カラーフィルタが赤、緑、青の三色のいずれかからなり、各々のカラーフィルタの着色層の波長をλｒ、λｇ、λｂとし、前記カラーフィルタの赤、緑、青の各々の色のカラーフィルタに対応する前記透明電極の厚さをｄｒ、ｄｇ、ｄｂとし、当該透明電極の屈折率をεとした時に前記カラーフィルタが赤、緑、青の各々に対応する前記透明電極の厚さがｄｒ＝ λｒ/ ε、ｄｇ＝ λｇ/ ε、ｄｂ＝ λｂ/ εで求まる値、若しくは当該値の自然数倍の厚さであることは好ましい。
【００１６】
更に本願発明は、前記液晶層は、液晶の中に高分子を分散して形成されてなる事が好ましい。
【００１７】
更に本願発明は、前記カラーフィルタの表面に保護層が形成されており、当該保護層の表面が粗面化されてなることが好ましい。
【００１８】
更に本願発明は、前記一方の基板と前記カラーフィルタの間に反射層が形成されていることが好ましい。
【００１９】
更に本願発明は、前記反射層は前記透明電極とほぼ同じ平面パターンにて形成されていることが好ましい。
【００２０】
この手段によれば、表面側基板の内面上に対向電極とスイッチング素子とが形成されていることにより、不良発生率の高いスイッチング素子の形成基板と反射層の形成基板とを別基板とすることができるとともに、別々の製造工程にて製造することができるので、液晶装置全体としての歩留まりを向上させることができ、製造コストの低減を図ることができる。
【００２１】
次に、一対の基板間に液晶を挟持してなり、一方の基板に反射層、及びカラーフィルターが形成されてなる液晶装置の製造方法において、
前記一方の基板の液晶層側の面に反射層、カラーフィルタ、及び電極を形成する工程と、
他方の基板に対向電極を形成する工程と、
前記一対の基板を貼り合わせて液晶セルを形成する工程と、
該液晶セルの内部に液晶層を注入する工程と、
を少なくとも有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【００２２】
ここで、前記反射層は前記透光性電極とほぼ同じ平面パターンにて形成することが好ましい。また、液晶セルに光を照射して液晶の中に高分子が分散した液晶層を形成することが好ましい。
【００２３】
【発明の実施の形態】
次に、添付図面を参照して本発明に係る実施形態について説明する。なお、以下において参照する図１〜図３においては各実施形態の液晶装置の構造を簡略化して模式的に示しており、配線層やスイッチング素子の細部構造などを省略して描いてある。
【００２４】
（第１実施形態）
図１は本発明に係る液晶装置の第１実施形態の概略構成を示すものである。図１０に示す液晶装置と同様の表面側基板４０及び裏面側基板５０を備えた液晶セルの内部に液晶層３０が封止されており、この液晶層３０には、液晶分子３１と高分子粒子３２とが互いに分散配置されている。本実施形態において形成されている液晶層３０は、液晶中に高分子が分散配置されてなる高分子分散型の液晶層である。
【００２５】
この高分子分散型の液晶層としては、液晶と高分子前駆体とを相溶させた溶液から、高分子前駆体を重合させ、液晶と高分子とを相分離させてなるものが好ましい。一方、液晶としては、誘電異方性と屈折率異方性とを備えたネマチック液晶その他の各種液晶を用いることができる。液晶としては、たとえば、カイラル成分を添加したネマチック液晶など、液晶層内においてツイスト角を持たせてもよい。ツイスト角が０〜１８０度の範囲では光の入射方向による電気光学特性が発生するが、２７０度以上のツイスト角をもたせることにより光による電気光学特性の異方性を低減することができる。
【００２６】
また、高分子前駆体としては、重合制御可能な種々の高分子前駆体（モノマー、プレポリマーなど）を用いることができるが、特に、ベンゼン骨格あるいはビフェニル骨格を有するものであれば、熱可塑性高分子、熱硬化性高分子、光硬化性高分子の別を問わず、広く使用することができる。たとえば、フェニルフェノールのメタクリル酸エステルあるいはアクリル酸エステルあるいはこれらの化合物の誘導体を用いることができ、また、ヒドロキシターフェニルのメタクリル酸エステルあるいはアクリル酸エステルあるいはこれらの化合物の誘導体を用いることが可能である。また、前記高分子前駆体として前記エステルにビフェノールのメタクリル酸エステル誘導体あるいはアクリル酸エステル誘導体を混合したものを用いてもよい。
【００２７】
また、上記高分子分散型の液晶層としては、初期状態（電界無印加状態）において液晶分子及び高分子粒子を同一方向に配向させることが好ましい。この場合には、溶液中の液晶分子と高分子前駆体とを同一方向に配向させ、高分子前駆体の重合時に配向状態を保ったまま相分離させることが望ましい。このようにすると液晶層の屈折率の制御が確実に行えるため、液晶層の光学特性を高めることができる。
【００２８】
さらに、高分子としては、熱可塑性の高分子前駆体を用いて冷却硬化させて生成したものでも、熱硬化性や光硬化性の高分子前駆体を用いて加熱したり光照射を行ったりして重合させるものであってもよい。しかしながら、製造工程上の管理を容易化したり、他の材質への影響を防止したりするために、光硬化性の高分子前駆体を用い、光重合により高分子粒子を相分離させることが最も効果的である。特に紫外線照射による重合が最も現実的な方法である。
【００２９】
液晶層に含まれる液晶の割合は、全体の５０〜９７ｗｔ％が最適である。液晶含有量がこれより少ないと電界に対して応答しにくくなり、また、これより多いとコントラストが低下する。
【００３０】
本実施形態では、上述の表面側基板４０の内面上にはＩＴＯなどからなる透明電極４１及びスイッチング素子４２が形成されている。スイッチング素子４２は図示しない配線層と透明電極４１との間に設けられ、透明電極４１へ所定の電位を給断するスイッチング素子として用いられる。透明電極４１及びスイッチング素子４２の表面上には配向膜４３が形成され、ラビング処理が施される。
【００３１】
一方、裏面側基板５０の内面上には画素領域に対応して形成されたＡｌ，Ｃｒ，Ａｇなどを蒸着、スパッタリングなどにより堆積させた反射層５１が形成される。各反射層５１の表面上には着色層Ｒ（赤色），Ｇ（グリーン），Ｂ（青）のいずれかが形成され、全ての着色層Ｒ，Ｇ，Ｂは透明な保護膜Ｔによって被覆されてカラーフィルタ５２が構成されている。カラーフィルタ５２の着色層の製法は一般に着色材料の塗布と、フォトリソグラフィ法によるパターニングを各色毎に繰り返し行うものである。各着色層Ｒ，Ｇ，Ｂのうちの２層若しくは３層を互いに重ねたり、Ｒ，Ｇ，Ｂの顔料を共に含む黒色層を形成したりすることにより各画素領域の間の領域にブラックマトリクス層を形成してもよい。
【００３２】
カラーフィルタ５２の保護膜Ｔの表面上には、画素領域に対応してＩＴＯなどからなる透明電極５３が形成される。透明電極５３の表面には配向膜５４が被覆され、所定方向にラビング処理される。カラーフィルタの形成位置としては基板上に形成した反射層を兼ねた反射電極上にカラーフィルタを形成する構造も考えられるが、反射電極と液晶との間にカラーフィルタが介在することからカラーフィルタによる静電容量が液晶容量に対して無視できなくなるため、液晶層に充分な実効電圧がかからずコントラストの低下を招いたり、素子の閾値電圧の上昇や立ち上がりの急峻さを損なうという問題点がある。本実施形態では上記構造を採用することにより、液晶の駆動性能の低下を防止している。
【００３３】
一方、上記構造を採用すると、本実施形態のように反射層５１が金属などの導電体で形成されている場合に、反射層５１と透明電極５３とによって静電容量が形成されるので、反射層５１が裏面側基板５０の内面上に全面的に形成されていたり、ストライプ状に形成されていたりすると、画素間のクロストークが発生する恐れがある。しかしながら、本実施形態では反射層５１は透明電極５３とほぼ同一の平面パターンに形成されているので、反射層５１と透明電極５３との間の静電容量がクロストークを引き起こすことのないように構成されている。また、スイッチング素子４２は表面側基板４０の内面上に形成されているため、スイッチング素子と反射層５１との容量成分による影響も防止される。
【００３４】
なお、表面側基板４０の表面上に走査線が形成されている場合、上記反射層５１を走査線毎にストライプ状に設けてもよい。このようにすれば、同一の走査線に接続された画素間において反射層５１が連続していても、これらの画素には同一の電位が供給されるために反射層との間の静電容量に起因するクロストークは発生しないからである。
【００３５】
本実施形態では、表面側基板４０と裏面側基板５０とを図示しないシール材を介して数μｍ程度の間隔で貼り合わせて液晶セルを形成し、この液晶セル内に上述の溶液を注入すると配向膜のラビング方向（水平方向）に溶液中の液晶分子及び高分子前駆体が配向する。この状態で紫外線を照射することにより、高分子粒子を相分離させ、液晶層３０を形成することができる。紫外線は表面側基板４０の側から溶液に照射させる。
【００３６】
従来の液晶装置では紫外線がカラーフィルタを介して溶液に照射されていたので、図６及び図７に示すように光学的しきい値電圧Ｖｔｈ及び光学的飽和電圧Ｖｓａｔがカラーフィルタの着色層の色調及び紫外線の照射量の双方に対して大きくばらついていた。しかし、このような場合であっても、図８及び図９に示すように各着色層の紫外線透過率と紫外線照射強度との積と光学的しきい値電圧Ｖｔｈ及び光学的飽和電圧Ｖｓａｔとの関係はカラーフィルタの着色層の色調に依らず所定の曲線（図示点線）上に載ることが判明した。すなわち、従来の電気光学的特性のばらつきは、カラーフィルタによる紫外線の光透過率にのみほぼ影響されていることになる。
【００３７】
上記の図８及び図９のデータが示すように、本実施形態では表面側基板４０の側から紫外線をカラーフィルタを介することなく照射することにより、高分子の光重合を均一に行うことができるので、カラーフィルタの着色層の色調に影響されずに均一な液晶層の駆動状態を実現することができ、表示色の精度を向上せ、表示色のばらつきを低減することができる。特に、図５に示す電気光学的特性に起因する中間調での色シフト量が抑制され、表示色の再現性を確保できる範囲を広げることができる。
【００３８】
本実施形態では、透明電極４１と透明電極５３とによって適宜の画素が選択されて白濁状態になり、選択されない画素は透明状態に保持される。隣接する着色層Ｒ，Ｇ，Ｂを備えた３つの画素が共に選択されていない場合には黒色に視認され、隣接する着色層Ｒ，Ｇ，Ｂを備えた画素のうちいずれか１つ又は２つが選択されると、選択された画素の白色と残りの画素の着色層の色調により生成される色調が視認される。全ての色調の画素が選択されると白色に視認される。勿論、各画素に印加される駆動電圧を調節することによって各画素において中間状態を構成することもでき、この場合には各画素の中間状態を他の色調の画素と合成した種々の色調が再現可能である。
【００３９】
本実施形態に限らず、薄膜トランジスタや非線形素子などのスイッチング素子を備えた反射型カラー液晶装置の製造工程において歩留まり上の最も重要な観点は、スイッチング素子と反射層である。スイッチング素子はその構造や膜質などによって特性が大きく影響されることから歩留まりが悪い。特にＭＩＭ素子においてその特性は絶縁膜の膜質や接合面積に対して極めて敏感である。また、反射層も金属表面の酸化などにより不良が発生するが、高い反射性能を備えたＡｌやＡｇなどは特に酸化し易いことから歩留まりが比較的悪い。従来の構造では、図１０に示すように裏面側基板２０の内面上に反射電極とスイッチング素子とをほぼ同時に形成するため、スイッチング素子の歩留まりと反射電極の歩留まりの積により決定されることから裏面側基板２０の歩留まりはかなり低くなり、製造コストの増大要因となっていた。
【００４０】
これに対して本実施形態においてスイッチング素子は表面側基板４０の内面上に形成し、反射層は裏面側基板５０の内面上に形成するとともに、スイッチング素子と反射層とを別々の工程にて形成するようにしているため、スイッチング素子の不良は表面側基板４０の製造工程におけるスイッチング素子形成後の検査にて排除し、反射層の不良は裏面側基板５０の製造工程における比較的初期の段階の検査にて排除することができるので、液晶装置全体の歩留まりを従来よりも大幅に向上させることができる。
【００４１】
さらに、図１０に示す従来例では、表面側基板１０の内面上にカラーフィルタを形成しているために、表側から液晶層３０に入射する光の波長が着色層により異なるため、液晶複合層３０の光散乱状態において、散乱の波長依存性（光の散乱強度は光の振動数の４乗に比例するから光の波長に大きく影響される。）に起因してカラーフィルタを透過した光の色調により光の散乱状態が変化する。このため、異なる色調を呈する画素間の散乱強度は相互に異なるため、カラー表示の色調や明るさの再現性が悪いという問題点があった。しかし、本実施形態では表面側基板４０にはカラーフィルタを設けていないため、入射光はいずれの画素においてもほぼ外光そのものであり、散乱の波長依存性に起因する散乱強度のばらつきが大きく低減されるか若しくはほとんど生じないという利点もある。
【００４２】
本実施例では、高分子が分散した液晶について説明したが、通常のＴＮ型液晶もしくはＳＴＮ型液晶も適用することができる。更には、垂直配向する液晶についても適用可能である。これらの液晶を使用する際は、少なくとも光が入射する側の基板に偏光板などの偏光手段を配置し液晶装置を形成する。また、これらの液晶を用いた場合、位相差板などのフィルムを少なくとも１枚配置し、着色補償、視角補償することも可能である。なお、以下の実施例においても同様にこれら液晶については使用できることは言うまでもない。
【００４３】
（第２実施形態）
次に図２を参照して本発明に係る液晶装置の第２実施形態について説明する。この実施形態では、上記第１実施形態とほぼ同様の液晶層３０、表面側基板４０、透明電極４１、スイッチング素子４２、配向膜４３、裏面側基板５０、反射層５１、カラーフィルタ５２、透明電極５３、配向膜５４を備えているが、カラーフィルタ５２の保護膜Ｔ’の表面が粗面に形成されている点が異なる。保護膜Ｔ’としては、例えば熱硬化型のアクリル樹脂をスピンコート法などにより塗布した後に１８０℃で３０分程度焼成して形成するものなどがある。保護膜Ｔ’は形成後にソフトエッチング、ドライエッチングなどの方法により表面を粗面化して微細な凹凸構造を形成し、保護膜Ｔ’と透明電極５３との界面にて光学的に光が散乱されるように構成されている。
【００４４】
この実施形態では、保護膜Ｔ’の表面が粗面化されているため、屈折率の異なる上層の透明電極５３との界面にて散乱が生じ、その結果、反射層５１にて反射された光が着色層を透過した後、散乱されて液晶層３０、表面側基板４０を通過して視認者の目に入る。このため、液晶層３０が光透過状態にある場合でも背景や外光の写り込みが低減され、視認性を向上させることができる。
【００４５】
（第３実施形態）
図３は本発明に係る液晶装置の第３実施形態を示すものである。この実施形態もまた上記第１実施形態とほぼ同様の構造を備えているが、着色層Ｒ，Ｇ，Ｂの上方にそれぞれ配置された透明電極５３ｒ，５３ｇ，５３ｂの厚さが相互に異なる点が相違する。
【００４６】
この実施形態では、透明電極５３ｒは着色層Ｒが透過する赤色光の代表的な波長に合わせた光学的厚さに形成されている。すなわち、赤色光の代表的な波長がλｒ（例えば６５０〜７５０ｎｍ程度）であり、透明電極５３ｒの屈折率がεＩＴＯであるとすると、透明電極５３ｒの厚さｄｒをほぼλｒ／εＩＴＯ或いはその自然数倍の厚さにした場合、透明電極５３ｒによる干渉色とカラーフィルタ５２からの透過光との色調がほぼ一致するので、カラー表示の色の鮮やかさやコントラストを向上させることができる。
【００４７】
上記と同様に、透明電極５３ｇ，５３ｂについてもそれぞれ、緑色光の代表的な波長をλ_g、青色光の代表的な波長をλ_bとすると、
ｄ_g＝λ_g／ε_ITO
ｄ_b＝λ_b／ε_ITO
になるように厚さを調節して成膜すればよい。具体的には、厚さを変えた３つの透明電極の成膜工程を設けたり、より薄い２種の透明電極のみをエッチング処理するなどの方法が考えられる。
【００４８】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、カラーフィルタが液晶層よりも裏面側に配置されているので、高分子を生成するための光重合を行う場合に表面側から光を照射してもカラーフィルタの各着色層間の光透過率の相違に起因する光の照射量差が生じないため、液晶層内におけるカラーフィルタの着色層の色調による電気光学的特性の依存性が低減され、特に中間調での色シフト量の抑制や色再現性のある電界印加範囲の増大などを図ることができる。また、光の入射する表面側基板の内面上にカラーフィルタを設ける必要がないので、散乱の波長依存性に起因する、異なる色調を呈する画素間の光散乱状態のばらつきを抑制することができる。さらに、カラーフィルタよりも液晶層の側に透光性電極が配置されているので、カラーフィルタによる電圧降下をなくすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る第１実施形態の液晶装置の概略構造を示す概略断面図である。
【図２】本発明に係る第２実施形態の液晶装置の概略構造を示す概略断面図である。
【図３】本発明に係る第３実施形態の液晶装置の概略構造を示す概略断面図である。
【図４】従来の液晶装置のカラーフィルタの色調別の光透過率を紫外線領域にて示したグラフである。
【図５】従来の液晶装置のカラーフィルタの色調別の電気光学的特性を示すグラフである。
【図６】従来の液晶装置のカラーフィルタの色調別に光学的しきい値電圧と紫外線照射強度との関係を示すグラフである。
【図７】従来の液晶装置のカラーフィルタの色調別に光学的飽和電圧と紫外線照射強度との関係を示すグラフである。
【図８】従来の液晶装置の各画素における光学的しきい値電圧と、当該画素におけるカラーフィルタの着色層の紫外線透過率と紫外線照射強度との積との関係を示すグラフである。
【図９】従来の液晶装置の各画素における光学的飽和値電圧と、当該画素におけるカラーフィルタの着色層の紫外線透過率と紫外線照射強度との積との関係を示すグラフである。
【図１０】従来の液晶装置の構造を示す概略断面図である。
【符号の説明】
３０液晶層
３１液晶分子
３２高分子粒子
４０表面側基板
４１透明電極
４２スイッチング素子
４３配向膜
５０裏面側基板
５１反射層
５２カラーフィルタ
５３透明電極
５４配向膜
Ｒ，Ｇ，Ｂ着色層
Ｔ，Ｔ’ 保護膜

Claims

一対の基板間に液晶層が挟持されてなる液晶装置であって、
一方の基板の前記液晶層側に配置されるカラーフィルタと、
前記カラーフィルタ上に配置される透明電極と
を有し、
前記透明電極の厚さが前記カラーフィルタの着色層の色調にほぼ一致した波長の光に対して干渉可能な厚さに形成されていることを特徴とする液晶装置。
請求項１に記載の液晶装置において、
前記透明電極の厚さは、対応する前記カラーフィルタの着色層の波長をλとし、当該透明電極の屈折率をεとした時に、λ/ε で求まる値、若しくは当該値の自然数倍の厚さである
ことを特徴とする液晶装置。
請求項３に記載の液晶装置において、
前記カラーフィルタが赤、緑、青の三色のいずれかからなり、各々のカラーフィルタ
の着色層の波長を
λｒ、λｇ、λｂとし、
前記カラーフィルタの赤、緑、青の各々の色のカラーフィルタに対応する前記透明電極の厚さを
ｄｒ、ｄｇ、ｄｂとし、
当該透明電極の屈折率をεとした時に
前記カラーフィルタが赤、緑、青の各々に対応する前記透明電極の厚さが
ｄｒ＝ λｒ/ ε
ｄｇ＝ λｇ/ ε
ｄｂ＝ λｂ/ ε
で求まる値、若しくは当該値の自然数倍の厚さである
ことを特徴とする液晶装置。
請求項１乃至３のいずれかに記載の液晶装置において、
前記液晶層は、液晶の中に高分子を分散して形成されてなる
ことを特徴とする液晶装置。
請求項１乃至４のいずれかに記載の液晶装置において、
前記カラーフィルタの表面に保護層が形成されており、当該保護層の表面が粗面化されてなることを特徴とする液晶装置。
請求項１乃至５のいずれかに記載の液晶装置において、
前記一方の基板と前記カラーフィルタの間に反射層が形成されていることを特徴とする液晶装置。
請求項１乃至６のいずれかに記載の液晶装置において、
前記反射層は前記透明電極とほぼ同じ平面パターンにて形成されていることを特徴とする液晶装置。