JP4643956B2 - 表示装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、表示装置の製造方法に係り、特に、基板上にインクジェット法を用いて配線等の所用パターンを形成した表示装置に好適なものである。

例えば、画素ごとに点灯を制御するアクティブ方式のフラットパネル型画像表示装置では、薄膜トランジスタ等のスイッチング素子とこの薄膜トランジスタで駆動される画素電極を有する多数の画素を絶縁基板（ガラス等の基板）上に行および列にマトリクス状に配置して構成される。マトリクス配置された多数の薄膜トランジスタを行毎に選択する走査信号を供給する複数のゲート配線（選択線）と、選択されたゲート配線に接続した薄膜トランジスタに表示データを供給する複数のデータ配線（信号線）とは、上記行および列に対応してマトリクス状に交差配置される。そして、各配線（ゲート配線とデータ配線）の交差部のそれぞれに画素が配置されている。

上記のゲート配線やデータ配線は、ホトリソグラフィー（以下ホトリソと略記する）手法で形成するのが一般的であるが、近年、インクジェットを用いた配線形成方法が提案された。このインクジェットを用いた配線技術は、例えば「非特許文献１」に記載されている。また、「特許文献１」には、基板面にバンクで溝を形成し、この溝にインクジェット法で薄膜材料液を充填して薄膜パターンを形成する技術が開示されている。

図１０は、基板面にバンクで形成した溝にインクジェット法で薄膜材料溶液を充填する薄膜パターンの形成方法の説明図である。この薄膜パターンの形成方法は、ガラス等の基板１に例えばレジスト５を塗布し、ホトマスクによる露光、現像を経るホトリソ手法で所要の薄膜パターンに沿った溝６を形成する。この溝６に沿ってインクジェット装置のノズル４を移動させつつ、例えば溶剤に導電粒子を混合した配線材料インク（溶液）３を吐出し滴下する。滴下された配線材料インクは溝６内で流動して互いに連結し、所定塗布厚となる。その後、焼成して溶剤を蒸散させて配線を得る。

図１１は、図１０で説明した薄膜パターンの形成方法を説明する工程図である。先ず、ガラス等の基板１にレジスト５で溝６を形成する（図１１（a））。この溝６にノズルから吐出した配線材料インク３を滴下する（図１１（b））。滴下するインク滴は必要な膜厚を得るためには、溝６の幅より大きいもの、あるいは溝６の幅より小さくても、溝６から盛り上がって溝６から溢れ出るものとなる。滴下された配線材料インク３の最初の状態は、溝６を形成するレジスト５との接触角に従った所定の盛り上がりとなる（図１１（c））。配線材料インク３は溝の長手方向に流れて隣の配線材料インク同士が連結し、溝６を覆う。

このとき、インクの溝６での流れ広がりに応じて溝６の両壁縁に一部がはみ出していたインクの大部分は溝６に引き込まれるが、一部が残渣３Ｃとなって溝６の両壁縁に残留する（図１１（ｄ））。その後、焼成して溶剤を蒸散させ、配線３Ａを得る（図１１（ｅ））。この残渣３Ｃは異物３Ｄとなり、その後のプロセスで形成される機能膜等、あるいは最終的に出来上がる表示装置などの特性を劣化させる要因となる。
「日経エレクトロニクス」（２００２．６．１７発行、６７頁から７８頁） 特開２０００−３５３５９４号公報

インクジェット装置を用いたパターン形成は、パターン形成材料インクを基板の上の所要パターンに沿って不連続に吐出して滴下し、滴下された該インク同士の連結（落下滴が基板上を流れて移動することによる合流）後、乾燥や焼成などでインクに含まれる溶剤を消散させることで、所要のパターンを得るものである。このようなパターン形成では、滴下したパターン形成材料の溶液の高さは基板に対する該溶液の接触角で決まる。したがって、同一溶液を使用して形成するパターンの線幅を規定すると滴下する溶液の量が決まってしまう。

このため、限られた線幅で、当該線幅で規定される以上の膜厚パターンを形成することは出来ない。例えば、金属微粒子などの導電性材料を含むパターン形成材料インクで配線のパターンを形成する場合、配線の膜厚がパターン形成材料インクの塗布厚に比例する。線幅が決まると膜厚も決まり、それ以上の膜厚を得ることができないことになる。そのため、配線抵抗、配線容量等の性能が線幅で決まり、配線抵抗を下げるためにはパターン幅を広げるか、インク塗布と乾燥と焼成の回数を増やして膜厚を増加する外ない。しかし、パターン幅を広げることは、配線のパターンである場合には基板上の配線占有率を上げることになり、表示装置用の基板に適用した場合には、高精細な回路配線の実現が困難となり、高開口率による低消費電力の表示装置を得ることが難かしい。また、インク塗布と乾燥あるいは焼成の回数を増やして膜厚を増加することは、生産性を低下させる大きな要因となる。

また、基板上にレジスト等で溝を形成するものでは、膜厚の大きい配線のパターン等を形成するために溝からはみ出せてインクを滴下すると、前記した異物が発生する恐れがある。

本発明の目的は、幅が狭くかつ膜厚が厚い配線等の薄膜パターンを形成した表示装置の製造方法を提供することにある。また、本発明の他の目的は線幅が狭くかつ膜厚が厚い配線のパターンを形成して低抵抗で大きな電流容量、および高開口率による低消費電力の液晶パネルで構成した表示装置の製造方法を提供することにある。

上記の目的を達成するため、本発明は、基板の薄膜パターン形成部に、側縁にエッジを有して前記形成される薄膜パターンに沿って延在する堤状突部を設け、この堤状突部の上に薄膜形成材料インクの塗布で薄膜パターンを形成した。上記堤状突部の上に形成された薄膜パターンの膜厚は、当該薄膜パターンの幅と同一幅で前記基板上に直接に前記薄膜形成材料インクと同一の薄膜形成材料インクの塗布により形成した薄膜パターンの膜厚よりも厚い。

また、上記他の目的を達成するために、本発明は、第1の絶縁基板と第２の絶縁基板の貼り合せ間隙に液晶層を封入した表示装置において、上記第１の絶縁基板の表面に上記ゲート配線とデータ配線の少なくとも一方の配線を形成するための当該少なくとも一方の配線のパターンに沿って形成され、その上層に配線材料インクを塗布した堤状突部を形成した。堤状突部の上に形成された配線のパターンの膜厚は、当該配線のパターンの幅と同一幅で第１の絶縁基板上に直接に配線形成材料インクと同一の配線形成材料インクの塗布により形成した配線のパターンの膜厚よりも厚い。

本発明の構成とすることで、薄膜パターンの膜厚を厚くすることができ、厚膜化が有効なパターニング、例えば配線のパターンの形成において、その配線等の膜厚を厚くできることから、配線抵抗を下げることが可能となる。その結果、配線幅が狭くかつ膜厚が厚い薄膜配線を形成した表示装置用の絶縁基板が得られ、高開口率で、低消費電力の液晶パネルで構成した表示装置を実現できる。

以下、本発明の表示装置用の基板およびこの基板を用いた液晶表示装置の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。本発明は、基板に対する液体の接触角に着目して、パターン幅よりも多い量のインクを滴下し、パターン幅で規定される膜厚よりも厚い薄膜パターンを得るものである。まず、図１により基板に対する液体の接触角を利用した本発明の原理を説明する。

図１は、本発明の原理を説明する図である。図１（ａ）は基板上に薄膜形成材料インクを直接に滴下した場合を示し、図１（ｂ）は基板上に堤状突部を形成して、この堤状突部の上に薄膜形成材料インクを滴下した場合に得られる薄膜を示す。図１（ａ）の（ａ−１）および図１（ｂ）の（ｂ−１）は断面図で、同（ａ−２）（ｂ−２）は乾燥又は焼成した側面図である。基板１は水平に置かれており、薄膜形成材料インクは基板上または基板に形成した堤状突部上に所定の間隔でパターンに沿って滴下されるものとする。

基板１上に所望のパターン幅Ｗとなる量で薄膜形成材料インク３を直接に滴下した場合、図１（ａ）の（ａ−１）（ａ−２）に示したように、基板１の表面の濡れ性と薄膜形成材料インク３の表面エネルギー（表面張力）とで決まる接触角θ１で決まる状態で停留する。このときの薄膜形成材料インク３の盛り込み高さはｈである。これを乾燥または焼成すると図１（ａ）の（ａ−２）に示したように、幅がＷで膜厚がｔの薄膜パターン３Ａが得られる。

これに対して、図１（ｂ）に示したように、基板１上に所望のパターン幅に相当する幅Ｗの堤状突部２を形成して、この堤状突部２の上に図１（ａ）と同じ薄膜形成材料インク３を滴下する。幅Ｗの堤状突部２に保持される薄膜形成材料インク３の最大量は堤状突部２の幅方向両端のエッジ部における接触角θ２で決まる。このときの接触角θ２は図１（ａ）のときの接触角θ１よりも大きい（θ１<<θ２）。基板１や堤状突部２の濡れ性や薄膜形成材料インク３の表面エネルギーに依存するが、薄膜配線のパターンなどに用いる薄膜形成材料インクでは図１（ｂ）の（ｂ−１）に示したように９０度を超えるものが一般的である。そして、この場合の薄膜形成材料インク３の盛り込み高さはＨであり、ｈ≪Ｈである。これを乾燥または焼成すると図１（ｂ）の（ｂ−２）に示したように、幅がＷで膜厚がＴの薄膜パターン３Ａが得られる（ｔ<<Ｔ）。

本発明は、基板上に所望のパターン幅で直接的に薄膜形成材料インクを滴下する場合よりも、該基板に所望のパターン幅の堤状突部を形成して、その上に薄膜形成材料インクを滴下することで膜厚の厚い薄膜パターンをインクジェット法で形成することができる。

図２は、本発明の実施例１を説明する模式図である。図２（ａ）に示したように、ガラス基板１の表面に幅Ｗの堤状突部２を形成してある。この幅Ｗはガラス基板１に形成されるべき配線のパターンの幅に相当する。実施例１では、堤状突部２を感光性レジストの塗布とホトマスクを用いた露光、現像等の工程を経るホトリソグラフィー手法で形成した。形成した堤状突部２の幅Ｗは数十μｍである。このような堤状突部２を形成した基板１を図示しないインクジェット装置に水平に載置し、そのノズル４を矢印Ｅ方向に移動させながら配線材料インク３を間歇的に吐出し、堤状突部２の上に滴下する。これを図２（ｂ）に示す。

配線材料インク３は、溶剤に金属粒子等の導電性微粒子を混入して適宜の粘度に調整したものを用いる。配線材料インク３の滴下する量は、前記した図１（ｂ）で説明したように、堤状突部２のエッジにおける接触角によってガラス基板上に所望の幅で直接に滴下する場合よりも多い。滴下された配線材料インク３は互いに流動して連結し、連続する塗布パターンとなる。必要なパターンに配線材料インク３を滴下し、塗布後に、焼成して溶剤を蒸散させることで膜厚の厚い配線のパターンが得られる。

図３は、本発明の実施例１の配線のパターンの形成を説明する工程図である。先ず、ガラス基板１の表面に感光性レジストの塗布とホトマスクを用いた露光、現像等の工程を経るホトリソグラフィー手法で堤状突部２を形成する（ａ）。堤状突部２を形成したガラス基板１を水平にして、該堤状突部２の上に配線材料インク３を滴下する（ｂ）。堤状突部２の上に滴下で塗布された配線材料インク３は、ガラス基板の上に直接に所望の幅で滴下した場合よりも大量に塗布できる（ｃ）。これを焼成することで膜厚の厚い配線のパターン（薄膜配線）３Ａが得られる。本実施例により、配線幅が狭くかつ膜厚が厚い薄膜配線を得ることができる。

図４は、本発明の実施例２を説明する模式図である。実施例２では、図４（ａ）に示したように、ガラス基板１の表面に形成した幅Ｗの堤状突部２の一部に幅広部２Ａを設けてある。この幅広部２Ａは、好ましくは配線のパターンの下地となる堤状突部２の長手方向中央部、複数設ける場合は等間隔にも設ける。また、この幅広部２Ａは配線のパッド部に位置させることもできる。配線材料インク３はインクジェット装置のノズル４からこの幅広部２Ａにのみ滴下する。滴下された配線材料インク３は堤状突部２の上に塗れ流れて塗布パターンを形成する（図４（ｂ））。他の構成および工程は実施例１と同様である。

本実施例により、配線幅が狭くかつ膜厚が厚い薄膜配線を得ることができる。また、インクジェット装置のノズル４の移動制御が容易となる。さらに、幅広部２Ａを配線のパッド部に対応させることで、パッド部付きの配線のパターンを容易に形成できる。

図５は、本発明の実施例３を説明する模式図である。実施例３では、ガラス基板１上に形成する堤状突起部２の表面と配線材料インク３の焼成で形成された配線のパターン３Ａとの密着性をガラス基板１の表面との密着性よりも高くしてある。ここでは、堤状突起部２が樹脂（感光性レジスト）で形成されており、塗布する配線材料インク３に有機溶剤あるいは樹脂成分を混入することで堤状突起部２の表面との密着性をガラス基板１との密着性より高いものとしてある。堤状突起部２への配線材料インク３の塗布は図２の実施例と同様であるが、実施例４にも応用できる。

このとき、ノズル４から吐出された配線材料インク３の一部３Ｂが堤状突部２から外れてガラス基板1上に付着することがある。このまま焼成したままにすると、付着した配線材料インク３の一部３Ｂはガラス基板１に残留して異物３Ｅとなり、後工程で形成される各種の機能膜の平坦性を阻害したり、他の配線間で短絡を生じる、等の不具合の原因となる。

図６は、本発明の実施例３において堤状突部から外れてガラス基板上に付着して形成された配線材料インクの一部による異物を除去する工程を説明する図である。図６（ａ）は基板１の堤状突部２に配線材料インク３を滴下して塗布した後、焼成した状態を示す。堤状突部２の上には配線のパターン３Ａが形成されると共に、ガラス基板１上に異物３Ｅが形成されている。本実施例では、図６（ａ）に示した基板１を純水等のスプレーで洗浄する。この洗浄で、密着性が低いガラス基板１上の異物３Ｅのみが剥離除去され、堤状突部２と強く密着している配線のパターン３Ａは除去されることなく、堤状突部２上に残る（図６（ｂ））。

なお、上記の各実施例の説明では、配線材料インク３を塗布したガラス基板を焼成して配線のパターン３Ａを得る際に、当該配線のパターン３Ａの下層に堤状突部２が残留しているものとして説明した。この場合、焼成温度は堤状突部２が蒸散される温度以下とするか、または、配線のパターン３Ａを形成するための焼成温度に耐える樹脂材料で堤状突部２を形成する必要がある。

これに対し、焼成温度によって配線材料インク３をガラス基板１に強固に接着させるような接着剤に変化する樹脂材料を用いて堤状突部２を形成することもできる。この場合、配線のパターン３Ａは図６（ｃ）に示したように、配線のパターン３Ａは堤状突部２が変化した接着層２Ｂでガラス基板１に密着する。

本実施例により、ガラス基板に付着した配線材料インクの一部が焼成後に異物３として残留することがなくなり、後工程で形成される各種の機能膜の平坦性を阻害したり、他の配線間で短絡を生じる、等の不具合を回避することができる。

図７は、本発明による表示装置用基板の実施例４を説明する液晶パネルの一方の基板（第1の絶縁基板、薄膜トランジスタ基板（ＴＦＴ基板とも言う。一般的にはガラス基板））の1画素付近の平面図である。図７には、画素の構成要素の中のゲート配線８、データ配線１０、透明画素電極４０、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１２を示してある。また、図８は、図７のＧ−Ｇ'に沿って切断した断面を他方の基板であるカラーフィルタ基板（第２の絶縁基板、ＣＦ基板とも言う。一般的にはガラス基板）と共に示す断面図である。

液晶パネルは、ＴＦＴ基板４２とＣＦ基板４３を有する。ＴＦＴ基板４２は、ガラス基板１の内面に絶縁材で形成した堤状突部２の上に形成したゲート配線８（ゲート配線８から延びるゲート電極８a）、ゲート絶縁膜２０、真性半導体２１ｂとＮ型半導体２１aからなる半導体層２１、データ配線１０（データ配線１０から延びるドレイン電極１０a）、保護膜２３、ＩＴＯを好適とする透明画素電極４０、ＴＦＴ基板側配向膜２４を有する。薄膜トランジスタ１２はゲート配線８から延びるゲート電極８a、半導体層２１、データ配線１０から延びるドレイン電極１０aおよびソース電極１０bで構成される。なお、ドレイン電極１０aとソース電極１０bとは表示動作中に入れ替わるが、ここでは混乱をさけるため、上記のように固定した表記で説明する。透明画素電極４０は保護膜２３に設けたスルーホールを通してソース電極１０bと接続している。

ＣＦ基板４３は、ガラス基板２５の内面にブラックマトリクス２７で区画したカラーフィルタ２６を有し、その上層に保護膜２８、透明画素電極４１、ＣＦ基板側配向膜２９を有する。そして、このＣＦ基板４３をＴＦＴ基板４２に貼り合せ、その貼り合せ間隙に液晶層３０を挟持し、ＴＦＴ基板４２の外面に偏光板３１を積層し、ＣＦ基板４３の外面に偏光板３２を積層して構成される。

ＴＦＴ基板４２のガラス基板１には、図７に示したように、互いに平行な複数のゲート配線８（走査信号線または水平信号線とも称する）とゲート配線８と交差して形成された互いに平行なデータ配線１０（映像信号線または垂直信号線とも称する）が形成されている。隣接する２本のゲート配線８、８と隣接する２本のデータ配線１０、１０で囲まれた領域が一画素領域である。

実施例４の表示装置用の基板（表示パネルの基板）は、液晶パネル用の基板におけるゲート配線８に適用したものである。ゲート配線８は前記の実施例１ないし３で説明した工程で作製されたものである。

なお、配線材料インクとしては、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕやこれらの合金等を含有するもので良く、インクの形態も金属微粒子を溶媒に分散させたものや金属錯体としたもの、またそれらを組み合わせたものでも良い。また、プラズマ耐性の向上やマイグレーションの抑制のためにＮｉやＣｏ等の配線材料インクを前述のＡｇやＣｕ配線のキャップメタルとして積層してゲート配線８を形成しても良い。

ゲート配線８を形成後、プラズマＣＶＤ装置にてゲート絶縁層２０となるＳｉＮ膜、真性半導体（非晶質Ｓｉ）２１bとＮ型半導体(非晶質Ｓｉ)２１aからなる半導体層２１を成膜する。例えば、真性半導体とＮ型半導体の膜厚はそれぞれ１４０ｎｍ、４０ｎｍとする。ここで、ホトリソグラフィー手法を用いて、半導体層２１（真性半導体２１bとＮ型半導体21aの積層）をエッチング（ＳＦ６ガス使用）でパターン加工する。

続いて、ＤＣスパッタ法にて例えばクロム（Ｃｒ）を３００ｎｍの膜厚に成膜する。成膜したＣｒ膜にホトリソグラフィー工程、エッチング工程によりデータ配線１０を形成する。次に、形成したデータ配線のパターンをマスクとして、Ｎ型半導体２１aをドライエッチング（ＳＦ６ ガス使用）でパターン加工する。さらに、プラズマＣＶＤ装置を用いてＳｉＮの保護膜２３を３５０ｎｍの厚さで成膜する。ホトリソグラフィー工程により保護膜２３をドライエッチング（ＳＦ６ガス使用）し、スポット上にデータ配線１０を露出させるスルーホールを形成する。

ここで、スパッタターゲットにＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２を用いたＤＣスパッタ装置で、スズ添加酸化インジウム（ＩＴＯ）透明画素電極４０を厚さ１５０ｎｍにスパッタ成膜する。ホトリソグラフィー工程を施し、透明画素電極４０をエッチングして所定パターンを作製する。こうして、液晶表示装置のＴＦＴ基板が作製される。

一方、対向基板であるＣＦ基板４３は、ガラス基板２５上にスパッタ法によりＣｒ膜を形成後、ホトリソ工程、エッチング工程を経てブラックマトリクス２７を形成する。続いて赤の色料を分散したレジストをスピンコートで１．５μｍの厚さで塗布し、ホトリソグラフィー工程によりカラーフィルタ２６の赤を形成する。緑、青も同様の工程を繰り返すことで赤、緑、青３色のカラーフィルタ２６を形成する。

カラーフィルタ２６を覆って、アクリル樹脂による保護膜２８を厚さ２μｍで形成後、ＩＴＯ膜を厚さ１５０ｎｍにスパッタ成膜することで共通透明電極４１が形成される。こうして、対向基板が作製される。ブラックマトリクス２７をＣｒ膜に代えて黒色顔料スラリーを用いたホトリソグラフィー工程で形成することもできる。また、カラーフィルタの赤、緑、青はホト工程によらず、インクジェット法や各種印刷法で形成しても良い。

以上の工程で作製したＴＦＴ基板４２およびＣＦ基板４３にはさらに、配向膜２４、配向膜２９を塗布し、ラビング等による配向制御能付与、スペーサビーズの分散後、ＴＦＴ基板４２とＣＦ基板４３を貼り合わせ、液晶層３０を封入する。そして、偏光板３１、３２の貼り付けといった工程を経て液晶パネルが完成する。この液晶パネルに周辺回路等を接続し、バックライトの設置、ケースによる一体化を行って液晶表示装置が組み立てられる。

この液晶パネルを用いて形成されたゲート配線８は、幅が狭く膜厚が厚く形成されている。そのため、画素領域の高開口率化、ゲート配線８の低抵抗化、低容量化が実現でき、高開口率で低消費電力の液晶表示装置を提供できる。

図９は、本発明を適用した液晶パネル用のＴＦＴ基板の配線と周辺回路を接続した液晶表示装置の構成例を説明するブロック図である。なお、図９にはバックライトの図示は省略してある。ＴＦＴ基板４２には、ゲート配線８、データ配線１０がマトリクス状に設けられ、表示領域ＡＲを構成している。なお、図９には、カラーフィルタ基板（ＣＦ基板）側に形成する共通透明電極（対向電極）７も示してある。ゲート配線８はゲート配線駆動回路（走査信号線駆動回路）５０で駆動される。また、データ配線１０はデータ配線駆動回路（映像信号線駆動回路）６０で駆動される。

ゲート配線駆動回路５０とデータ配線駆動回路６０には、表示制御回路８０からのタイミング信号、表示データ信号が供給されるとともに、電源回路７０から所要の電圧が印加される。表示制御回路８０は外部信号源９０から表示信号を受けて上記のタイミング信号、表示データ信号を生成する。CF基板に有する共通透明電極７には、ＴＦＴ基板４２に設けた接続端子Ｖｃｏｍを介して共通電極電圧が供給される。

以上説明した表示装置用基板は液晶パネル用のＴＦＴ基板の配線形成のみに適用されるものではなく、有機ＥＬ、その他の同様な表示装置のパネルや他の電子装置の配線形成にも適用可能である。

本発明の原理を説明する図である。 本発明の実施例１を説明する模式図である。 本発明の実施例１の配線のパターンの形成を説明する工程図である。 本発明の実施例２を説明する模式図である。 本発明の実施例３を説明する模式図である。 本発明の実施例３において堤状突部から外れてガラス基板上に付着して形成された配線材料インクの一部による異物を除去する工程を説明する図である。 本発明による表示装置用基板の実施例４を説明する液晶パネルの一方の基板の1画素付近の平面図である。 図７のＧ−Ｇ'に沿って切断した断面を他方の基板であるカラーフィルタ基板と共に示す断面図である。 本発明を適用した液晶パネル用のＴＦＴ基板の配線と周辺回路を接続した液晶表示装置の構成例を説明するブロック図である。 基板面にバンクで形成した溝にインクジェット法で薄膜材料溶液を充填する薄膜パターンの形成方法の説明図である。 図１０で説明した薄膜パターンの形成方法を説明する工程図である。

１・・・・ガラス基板（薄膜トランジスタ基板側）、２・・・・堤状突部、３・・・・配線材料インク、４・・・・ノズル、８・・・・ゲート配線、１０・・・・データ配線、１２・・・・薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、２０・・・・ゲート絶縁膜、２１・・・・半導体層、２１ａ・・・・ｎ型半導体、２１ｂ・・・・真性半導体、２３・・・・保護膜、２４・・・・配向膜、２５・・・・ガラス基板（カラーフィルタ基板側）、２６・・・・カラーフィルタ、２７・・・・ブラックマトリクス、２８・・・・保護膜、２９・・・・配向膜、３０・・・・液晶層、３１…偏光板（薄膜トランジスタ基板側）、３２・・・・偏光板（カラーフィルタ基板側）、４０・・・・透明画素電極、４１・・・・共通透明電極（対向電極）、４２・・・・ＴＦＴ基板、４３・・・・ＣＦ基板。

Claims (3)

1. 一方向に延在し該一方向と直交する他方向に並設された複数のゲート配線と該複数のゲート配線に交差して前記他方向に延在し前記一方向に並設された複数のデータ配線と前記複数のゲート配線と前記複数のデータ配線の各交差部に形成された薄膜トランジスタと画素電極を有する多数の画素をマトリクス状に配置した第1の絶縁基板と、前記第1の絶縁基板に間隙を持って貼り合せた第２の絶縁基板と、前記第1の絶縁基板と前記第２の絶縁基板の前記貼り合せ間隙に封入した液晶層を有する液晶パネルを備えた表示装置の製造方法であって、
   前記ゲート配線と前記データ配線の一方の配線は、配線材料インクの滴下塗布と焼成により形成されるものであり、
   前記第１の絶縁基板の表面に、前記ゲート配線と前記データ配線の前記一方の配線のパターンに沿って樹脂材料からなる堤状突部を形成し、
   前記堤状突部と、前記堤状突部の上に前記配線材料インクの滴下塗布と焼成により形成される前記一方の配線との密着性を前記第１の絶縁基板の表面と当該一方の配線との密着性より高くしてなり、
   前記堤状突部の上に前記配線材料インクを滴下した場合に当該堤状突部の幅方向両端のエッジ部における接触角が前記第１の絶縁基板の表面に直接滴下した場合の接触角よりも大きいことを利用して、前記一方の配線のパターンの幅と同一幅になるように前記第１の絶縁基板上に当該配線材料インクと同一の配線材料インクを直接塗布したものより大量に当該配線材料インクを滴下塗布し、
   前記滴下塗布した前記一方の配線材料インクを焼成して前記一方の配線材料を前記堤状突部に密着させて前記一方の配線を形成し、
   前記配線材料インクの滴下塗布の際に前記堤状突部から外れて前記第１の絶縁基板上に付着し、前記焼成により当該第１の絶縁基板上に密着して形成された前記配線材料インクの一部による異物のみをスプレー洗浄で除去し、
   前記第１の絶縁基板に前記一方の配線を形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
2. 請求項１において、
   前記配線材料インクに有機溶剤あるいは樹脂成分を混入することで、前記配線材料インクと前記堤状突部との密着性を、前記第１の絶縁基板との密着性より高いものとしたことを特徴とする表示装置の製造方法。
3. 請求項１又は２において、
   前記堤状突部を、前記焼成により接着剤に変化する樹脂材料で形成し、
   前記一方の配線を、前記焼成により変化した接着剤の層で前記第１の絶縁基板に密着させることを特徴とする表示装置の製造方法。
   
   
   

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