CN101045536A - 一种三氯氢硅提纯方法 - Google Patents
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Abstract
一种三氯氢硅提纯方法，将粗三氯氢硅投入进口316L的不锈钢制作的双塔连续精馏釜中进行回流5－7小时，除去总量8－10％的低沸物，控制温度为31.5－32.5℃间，按13－17∶1回流比截留产品，保留18－21％的低沸物，并在三氯氢硅冷却时，补充氢气，使其保持恒温恒压。本发明创造采用氢气保护主要是与用户接轨。
Description
技术领域
本发明涉及一种化工材料的提纯方法，具体地讲是涉及一种三氯氢硅的提纯方法。
背景技术
硅单晶片气相外延片是生产电脑芯片及半导体器件的原料，被称为“微电子大厦的基石”，而三氯氢硅提纯技术是生产气相外延片的关键技术之一。现有三氯氢硅提纯工艺由蒸馏釜、提纯塔和塔顶冷凝器顺序连接而成，属于高耗能工艺，耗能费用占总成本的比重很大，导致三氯氢硅生产成本居高不下。
实用低成本且可以满足客户需求的三氯氢硅的提纯方法未见报道。
发明内容
为了概括本发明的目的，在这里描述了本发明的某些方面、优点和新颖特征。应了解，无需所有这些方面、优点和特征包含在任一特殊的实施例中。
为了解决上述现有技术中所存在的问题，本发明的目的是设计一种三氯氢硅提纯方法，其技术方案是：
一种三氯氢硅提纯方法，其特征在于：
将粗三氯氢硅投入进口316L的不锈钢制作的双塔连续精馏釜中进行回流5-7小时，除去总量8-10％的低沸物，控制温度为31.5-32.5℃间，按13-17∶1回流比截留产品，保留18-21％的低沸物，并在三氯氢硅冷却时，补充氢气，使其保持恒温恒压。
本发明采用氢气的优点：1)用户在使用电子级三氯氢硅产品时，载气是氢气。氢气也是用户使用三氯氢硅生产产品时的辅助材料。本发明创造采用氢气保护主要是与用户接轨。2)一般生产电子级三氯氢硅企业是采用高纯氮气来保护，而氮气对用户来说在生产产品时会产生有害的副产物。经过用户生产使用，完全满足用户的要求。
附图说明
图1是本发明三氯氢硅提纯方法的流程图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细地说明。
如图1所示为本发明的三氯氢硅提纯方法的流程图，它包括以下步骤：
将粗三氯氢硅投入进口316L的不锈钢制作的双塔连续精馏釜中进行回流5-7小时，除去总量8-10％的低沸物，控制温度为31.5-32.5℃间，按13-17∶1回流比截留产品，保留18-21％的低沸物，并在三氯氢硅冷却时，补充氢气，使其保持恒温恒压。
虽然本发明已以较佳实施例公开如上，但它们并不是用来限定本发明，任何熟悉此技艺者，在不脱离本发明之精神和范围内，自当可作各种变化或润饰，因此本发明的保护范围应当以本申请的权利要求保护范围所界定的为准。
Claims (2)
1、一种三氯氢硅提纯方法，其特征在于：
将粗三氯氢硅投入双塔连续精馏釜中进行回流5-7小时，除去总量8-10％的低沸物，控制温度为31.5-32.5℃间，按13-17∶1回流比截留产品，保留18-21％的低沸物，并在三氯氢硅冷却时，补充氢气，使其保持恒温恒压。
2、根据权利要求1所述的三氯氢硅提纯方法，其特征在于：所述双塔连续精馏釜为进口316L的不锈钢制作的双塔连续精馏釜。
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101920961A (zh) * | 2009-06-09 | 2010-12-22 | 内蒙古神舟硅业有限责任公司 | 一种去除三氯氢硅中磷硼杂质的工艺 |
| CN101486465B (zh) * | 2009-01-09 | 2011-06-01 | 北京先锋创新科技发展有限公司 | 一种精三氯氢硅的生产方法 |
| CN101712475B (zh) * | 2009-11-09 | 2011-09-07 | 国电宁夏太阳能有限公司 | 一种三氯氢硅的提纯方法和装置 |
| CN105439152A (zh) * | 2014-08-18 | 2016-03-30 | 中国科学院化学研究所 | 纯化SiCl4和/或SiHCl3的粗品的液固相光催化净化方法 |
| CN115325441A (zh) * | 2022-08-24 | 2022-11-11 | 浙江浙能航天氢能技术有限公司 | 一种氢气预冷器测试系统及其方法 |
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2007
- 2007-04-24 CN CN 200710021687 patent/CN101045536A/zh active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101486465B (zh) * | 2009-01-09 | 2011-06-01 | 北京先锋创新科技发展有限公司 | 一种精三氯氢硅的生产方法 |
| CN101920961A (zh) * | 2009-06-09 | 2010-12-22 | 内蒙古神舟硅业有限责任公司 | 一种去除三氯氢硅中磷硼杂质的工艺 |
| CN101920961B (zh) * | 2009-06-09 | 2013-09-04 | 内蒙古神舟硅业有限责任公司 | 一种去除三氯氢硅中磷硼杂质的工艺 |
| CN101712475B (zh) * | 2009-11-09 | 2011-09-07 | 国电宁夏太阳能有限公司 | 一种三氯氢硅的提纯方法和装置 |
| CN105439152A (zh) * | 2014-08-18 | 2016-03-30 | 中国科学院化学研究所 | 纯化SiCl4和/或SiHCl3的粗品的液固相光催化净化方法 |
| CN115325441A (zh) * | 2022-08-24 | 2022-11-11 | 浙江浙能航天氢能技术有限公司 | 一种氢气预冷器测试系统及其方法 |
| CN115325441B (zh) * | 2022-08-24 | 2023-11-24 | 浙江浙能航天氢能技术有限公司 | 一种氢气预冷器测试系统及其方法 |
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