CN101044617A - 半导体晶片及半导体装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及半导体晶片、及含有该半导体晶片的半导体装置，该半导体晶片的特征在于，在电路元件形成面上具有含有具有环氧基的环状烯类树脂(A)与光酸发生剂(B)的树脂组合物的树脂层，固化后的树脂层的残留应力为1～20MPa。

Description

半导体晶片及半导体装置
技术领域
本发明涉及采用低应力性、粘接性等性能优异的树脂组合物的半导体晶片及采用该半导体晶片制作的半导体装置。
背景技术
以往，在半导体元件的表面保护膜及层间绝缘膜上，采用耐热性、电学特性、机械特性等性能优异的聚酰亚胺树脂，但近年来伴随着对半导体元件的高集成化、大型化，密封树脂封装件的薄型化、小型化，以及通过向利用焊锡反流进行表面安装的发展而引起的耐热循环性、耐热冲击性等的要求的显著提高，要求更高性能的聚酰亚胺树脂。
另一方面，最近，赋予聚酰亚胺树脂本身感光性的技术已引起关注，例如，作为感光性聚酰亚胺树脂，有下式(8)等：
Figure A20058003598600051
当采用它时，可以简化一部分图案形成工序，具有缩短工序的效果。然而，在显影时，必需有N-甲基-2-吡咯烷酮等溶剂，在安全性、操作性方面存在问题。因此，最近已在开发用碱的水溶液能够显影的正型感光性树脂。例如，已经公开了由聚苯并噁唑前躯体与重氮醌化合物构成的正型感光性树脂(例如，参见专利文献1)。这是由于其具有高的耐热性、优良的电学特性、精细加工性，不仅可用作晶片涂层，也可用作层间绝缘用树脂。该正型感光性树脂的显影机理是，未曝光部位的重氮醌化合物在碱性水溶液中不溶解，通过曝光，重氮醌化合物发生化学变化，变成在碱性水溶液中可溶。利用该曝光部与未曝光部的溶解性的差异，可形成仅未曝光部的涂膜图案。
当这些感光性树脂在实际制品中使用时，感光性树脂与密封树脂的附着性变得重要起来。这是由于主要作为层间绝缘使用而形成永久保护膜在电路元件与密封树脂层之间存在，当感光性树脂与密封树脂的附着性差时，其界面发生剥离，存在实用性欠缺的问题。
另外，近年来，特别是伴随着晶片大型化、薄型化的进展而使用300mm晶片。使用以往的感光性树脂时，大型晶片易发生弯曲，因此，在削薄晶片的背面研磨工序中，发生晶片破裂的问题，故需寻求解决该类问题的办法。
【专利文献1】特公平1-46862号公报
发明内容
发明要解决的课题
本发明提供一种，在采用低应力性、附着性等性能优异的环状烯类树脂组合物的半导体晶片中，抑制在削薄晶片的背面研磨工序中的晶片破损的低残留应力的半导体晶片及采用该半导体晶片制造的可靠性优良的半导体装置。
解决课题的方法
针对晶片的大直径化、薄型化，本发明人为了抑制晶片的薄型加工时的晶片破损进行了悉心研究。结果发现，成为晶片破损的原因的晶片弯曲，是起因于Si晶片与感光性树脂的线膨胀系数的差较大，因而可以得出通过控制树脂组合物的残留应力，可以抑制晶片的薄型加工时的晶片破损，从而完成了本发明。
本发明提供一种可以抑制薄型加工时的晶片破损的半导体晶片。本发明还提供一种，采用抑制破损的半导体晶片及将该半导体晶片单片化的半导体芯片的可靠性高的薄型半导体装置。
即，按照本发明的1个方面，提供一种半导体晶片，其特征在于，在半导体晶片的电路元件的形成面上，具有含有具有环氧基的环状烯类树脂(A)与光酸发生剂(B)的树脂组合物的树脂层，固化后的树脂层的残留应力为1～20MPa。
在本发明的一方案中，上述环状烯类树脂可以为聚降冰片烯类树脂，例如，可以为含有以式(1)表示的重复单元的具有环氧基的环状烯类树脂：
Figure A20058003598600071
[式中，X为O、CH2、或(CH2)2；n为0～5的整数；R1～R4分别独立地选自氢原子、烷基、烯基、炔基、芳基、芳烷基、含酯基的官能团、含酮基的官能团、含醚基的官能团、及含环氧基的官能团；在重复的单体中的R1～R4也可以不同，全部重复单元的R1～R4中至少1个以上为具有环氧基的官能团]。
在本发明的另一方案中，具有环氧基的环状烯类树脂(A)可以为含有以式(2)及式(3)表示的重复单元的具有环氧基的环状烯类树脂：
[式中，R1～R7分别独立地选自氢原子、烷基、烯基、炔基、芳基、芳烷基、含酯基的官能团、含酮基的官能团、及含醚基的官能团；在重复的单体中的R1～R7也可以不同]。
在本发明的又一实施方案中，具有环氧基的环状烯类树脂(A)可以为具有含有以式(4)、(5)及(6)表示的重复单元的具有环氧基的环状烯类树脂：
Figure A20058003598600081
[式中，n为0～5的整数；R1～R10分别独立地选自氢原子、烷基、烯基、炔基、芳基、芳烷基、含酯基的官能团、含酮基的官能团、及含醚基的官能团；在重复的单体中的R1～R10也可以不同]。
在本发明的另一方案中，具有环氧基的环状烯类树脂(A)可以为含有以式(7)表示的重复单元的具有环氧基的环状烯类树脂：
Figure A20058003598600082
[式中，Y为O、CH2、或(CH2)2；Z为-CH2-CH2-、或-CH＝CH-；1为0～5的整数；R1～R4分别独立地选自氢原子、烷基、烯基、炔基、芳基、芳烷基、含酯基的官能团、含酮基的官能团、含醚基的官能团、及含环氧基的官能团；在重复的单体中的R1～R4也可以不同，全部重复单元的R1～R4中至少1个为具有环氧基的官能团]。
对本发明中半导体晶片的厚度未作特别限定，但在本发明的一方案中，半导体晶片的厚度，例如为10～200μm、优选为20～150μm、更优选为30～100μm。
按照本发明的另一方面，提供一种将上述半导体晶片单片化的半导体芯片。
按照本发明的又一方面，还提供一种使用上述半导体芯片制作的半导体装置。
发明的效果
本发明能够提供一种，在采用低应力性、附着性等性能优良的环状烯类树脂组合物的半导体晶片中，抑制在晶片薄型加工时的晶片破损的低残留应力的半导体晶片及采用它制造的半导体装置。
附图说明
图1是表示出了计算曲率半径时所使用的部分的图形。
其中，附图标记说明如下：
1形成了树脂层的晶片
具体实施方式
本发明提供一种半导体晶片，其是在半导体晶片的电子元件形成面上具有含有具有环氧基的环状烯类树脂(A)与光酸发生剂(B)的树脂组合物的树脂层，固化后的树脂层的残留应力为1～20MPa。当该值超过20MPa时，成为在半导体晶片的薄型加工时的硅晶片弯曲、破损的原因。本发明中的残留应力为1～20MPa，例如为1～15MPa、优选为1～10MPa。残留应力可从曲率半径算出。
作为本发明中使用的环状烯类单体，一般可以举出环己烯、环辛烯等的单环单体，降冰片烯、降冰片二烯、二环戊二烯、二氢二环戊二烯、四环十二碳烯、三环戊二烯、二氢三环戊二烯、四环戊二烯、二氢四环戊二烯等多环单体。也可采用在这些单体上结合了官能团的取代单体。
作为本发明中使用的环状烯类树脂，可以举出上述环状烯类单体的聚合物。聚合方法，可以采用无规聚合、嵌段聚合等公知的方法。作为具体例子，可以为降冰片烯型单体的(共)聚合物、降冰片烯型单体与α-烯烃类等的可共聚的其他单体的共聚物、以及这些共聚物的加氢物等的具体例子。这些环状烯类树脂，可采用公知的聚合方法进行制造，其聚合方法中有加成聚合法与开环聚合法。其中，优选通过加成(共)聚合降冰片烯单体得到的聚合物，但本发明并不限定于此。
作为环状烯类树脂的加成聚合物，可以举出聚降冰片烯类树脂，即(1)通过加成(共)聚合降冰片烯型单体得到的降冰片烯型单体的加成(共)聚合物；(2)降冰片烯型单体与乙烯或α-烯烃类的加成共聚物；(3)降冰片烯型单体与非共轭二烯、及根据需要的其他单体的加成共聚物。这些树脂可采用公知的全部聚合方法得到。
作为环状烯类树脂的开环聚合物，可以举出聚降冰片烯类树脂，即(4)降冰片烯型单体的开环(共)聚合物、及根据需要将该(共)聚合物加氢的树脂；(5)降冰片烯型单体与乙烯或α-烯烃类的开环共聚物、及根据需要将该(共)聚合物加氢的树脂；(6)降冰片烯型单体与非共轭二烯、或其他单体的开环共聚物、及根据需要将该(共)聚合物加氢的树脂。这些树脂可采用公知的全部聚合方法得到。
上述聚合物中，优选(1)加成(共)聚合降冰片烯型单体得到的加成(共)聚合物，但本发明并不限定于此。
本发明中使用的具有环氧基的环状烯类树脂(A)，一般可通过直接聚合分子内含有环氧基的单体而得到，但通过在聚合后通过改性反应向侧链上导入环氧基的方法也可得到同样的聚合物。作为改性反应，有使含环氧基的不饱和单体在上述聚合物上进行接枝反应、使具有环氧基的化合物在上述聚合物的反应性官能团部位上反应、采用过酸或氢过氧化物等环氧化剂在分子内具有碳—碳双键的上述聚合物上直接进行环氧化等的公知的方法。
环状烯类树脂的加成聚合物，可通过借助金属催化剂的配位聚合、或自由基聚合得到。其中，在配位聚合中，通过在过渡金属催化剂的存在下在溶液中聚合单体，可得到聚合物(NICOLE R.GROVE et al.，Journal of PolymerScience：part B，Polymer Physics，Vol.37，pp.3003-3010(1999))。
作为配位聚合中使用的金属催化剂，代表性的镍以及铂催化剂在PCTWO97/33,198与PCT WO00/20,472中已有记述。作为配位聚合用金属催化剂的例子，可以举出(甲苯)双(全氟苯基)镍、(均三甲苯)双(全氟苯基)镍、(苯)双(全氟苯基)镍、双(四氢)双(全氟苯基)镍、双(乙酸乙酯)双(全氟苯基)镍、双(二噁烷)双(全氟苯基)镍等公知的金属催化剂。
关于自由基聚合技术，在Encyclopedia of Polymer Science，John Wiley &Sons，13，708(1988)中已有记述。
一般的自由基聚合，是在自由基引发剂的存在下，将温度上升至50℃～150℃，使单体在溶液中反应。作为自由基引发剂，可以举出偶氮二异丁腈(AIBN)、过氧化苯甲酰、过氧化月桂基、偶氮二异己腈(アゾビスイソカプトロニトリル)、偶氮二异戊腈(アゾビスイソレロニトリル)、叔丁基过氧化氢等。
环状烯类树脂的开环聚合物，通过采用公知的开环聚合法，以钛或钨化合物作为催化剂，开环(共)聚合至少1种以上的降冰片烯型单体，制造开环(共)聚合物，然后，根据需要，采用通常的加氢方法，将上述开环(共)聚合物中的碳—碳双键加氢，制造热塑性饱和降冰片烯类树脂而得到。
作为上述聚合类的适当的聚合溶剂，包括烃或芳香族溶剂。作为烃溶剂的例子，可以为戊烷、己烷、庚烷、环己烷等，但不限于此。作为芳香族溶剂的例子，可以为苯、甲苯、二甲苯或均三甲苯等，但不限于此。也可以使用二甲基醚、四氢呋喃、乙酸乙酯、酯类、内酯类、酮类、酰胺类。这些溶剂可单独、也可混合作为聚合溶剂使用。
本发明的环状烯类树脂的分子量，可通过改变引发剂与单体之比，或改变聚合时间来加以控制。当采用上述的配位聚合时，如美国专利No.6136499公开的那样，可通过使用链转移催化剂控制分子量。在该发明中，乙烯、丙烯、1-己烷、1-癸烯、4-甲基-1-戊烯等α-烯烃，可适于进行分子量的控制。
本发明中，重均分子量为10,000-500,000，优选30,000-100,000，更优选50,000-80,000。重均分子量可用标准聚降冰片烯，用凝胶渗透色谱法(GPC)进行测定。(按照ASTM DS 3536-91)
为了制造本发明中使用的具有环氧基的环状烯类树脂时使用的环状烯类单体，优选用式(9)表示的降冰片烯型单体：
Figure A20058003598600121
[式中，X为O、CH2或(CH2)2；n为0～5的整数；R1～R4分别独立地选自氢原子、烷基、烯基、炔基、芳基、芳烷基、含酯基的官能团、含酮基的官能团、含醚基的官能团及含环氧基的官能团]。
作为烷基的具体例子，可以举出甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十二烷基、环戊基、环己基、环辛基等，作为烯基的具体例子，可以举出乙烯基、烯丙基、丁炔基、环己基等，作为炔基的具体例子，可以举出乙炔基、1-丙炔基、2-丙炔基、1-丁炔基、2-丁炔基等，作为芳基的具体例子，可以举出苯基、萘基、蒽基等，作为芳烷基的具体子，可以举出苄基、苯乙基等，但本发明并不限于此。
对于含酯基的官能团、含酮基的官能团、含醚基的官能团，只要是具有这些基团的官能团即可，对其结构未作特别限定。作为含有环氧基的官能团优选的具体例子，可以举出具有缩水甘油基醚基的官能团，但只要是具有环氧基的官能团即可，对其结构未作特别限定。
用于制造在本发明中使用的环状烯类树脂的环状烯类单体，可举出，例如：作为具有烷基的单体，可举出5-甲基-2-降冰片烯、5-乙基-2-降冰片烯、5-丙基-2-降冰片烯、5-丁基-2-降冰片烯、5-戊基-2-降冰片烯、5-己基-2-降冰片烯、5-庚基-2-降冰片烯、5-辛基-2-降冰片烯、5-壬基-2-降冰片烯、5-癸基-2-降冰片烯等；作为具有烯基的单体，可举出5-烯丙基-2-降冰片烯、5-亚甲基-2-降冰片烯、5-亚乙基-2-降冰片烯、5-异亚丙基-2-降冰片烯、5-(2-丙烯基)-2-降冰片烯、5-(3-丁烯基)-2-降冰片烯、5-(1-甲基-2-丙烯基)-2-降冰片烯、5-(4-戊烯基)-2-降冰片烯、5-(1-甲基-3-丁烯基)-2-降冰片烯、5-(5-己烯基)-2-降冰片烯、5-(1-甲基-4-戊烯基)-2-降冰片烯、5-(2，3-二甲基-3-丁烯基)-2-降冰片烯、5-(2-乙基-3-丁烯基)-2-降冰片烯、5-(3，4-二甲基-4-戊烯基)-2-降冰片烯、5-(7-辛烯基)-2-降冰片烯、5-(2-甲基-6-庚烯基)-2-降冰片烯、5-(1，2-二甲基-5-己烯基)-2-降冰片烯、5-(5-乙基-5-己烯基)-2-降冰片烯、5-(1，2，3-三甲基-4-戊烯基)-2-降冰片烯等；作为具有炔基的单体，可举出5-乙炔基-2-降冰片烯等；作为具有甲硅烷基的单体，可举出1，1，3，3，5，5-六甲基-1，5-二甲基双(2-(5-降冰片烯-2-基)乙基)三硅氧烷等；作为具有芳基的单体，可举出5-苯基-2-降冰片烯、5-萘基-2-降冰片烯、5-五氟苯基-2-降冰片烯等；作为具有芳烷基的单体，可举出5-苄基-2-降冰片烯、5-苯乙基-2-降冰片烯、5-五氟苯基甲基-2-降冰片烯、5-(2-五氟苯基乙基)-2-降冰片烯、5-(3-五氟苯基丙基)-2-降冰片烯等；作为具有烷氧基甲硅烷基的单体，可举出二甲基双((5-降冰片烯-2-基)甲氧基)硅烷、5-三甲氧基甲硅烷基-2-降冰片烯、5-三乙氧基甲硅烷基-2-降冰片烯、5-(2-三甲氧基甲硅烷基乙基)-2-降冰片烯、5-(2-三乙氧基甲硅烷基乙基)-2-降冰片烯、5-(3-三甲氧基丙基)-2-降冰片烯、5-(4-三甲氧基丁基)-2-降冰片烯、5-三甲基甲硅烷基甲基醚-2-降冰片烯等；作为具有羟基、醚基、羧基、酯基、丙烯酰基或甲基丙烯酰基的单体，可举出5-降冰片烯-2-甲醇及其烷基醚、乙酸5-降冰片烯-2-甲酯、丙酸5-降冰片烯-2-甲酯、丁酸5-降冰片烯-2-甲酯、戊酸5-降冰片烯-2-甲酯、己酸5-降冰片烯-2-甲酯、辛酸5-降冰片烯-2-甲酯、癸酸5-降冰片烯-2-甲酯、月桂酸5-降冰片烯-2-甲酯、硬脂酸5-降冰片烯-2-甲酯、油酸5-降冰片烯-2-甲酯、亚麻酸5-降冰片烯-2-甲酯、5-降冰片烯-2-羧酸、5-降冰片烯-2-羧酸甲酯、5-降冰片烯-2-羧酸乙酯、5-降冰片烯-2-羧酸叔丁酯、5-降冰片烯-2-羧酸异丁酯、5-降冰片烯-2-羧酸三甲基甲硅烷基酯、5-降冰片烯-2-羧酸三乙基甲硅烷基酯、5-降冰片烯-2-羧酸异冰片基酯(カルボン酸イソボニルエステル)、5-降冰片烯-2-羧酸-2-羟基乙酯、5-降冰片烯-2-甲基-2-羧酸甲基酯、肉桂酸5-降冰片烯-2-甲酯、5-降冰片烯-2-甲基乙基碳酸酯、5-降冰片烯-2-甲基正丁基碳酸酯、5-降冰片烯-2-甲基叔丁基碳酸酯、5-甲氧基-2-降冰片烯、(甲基)丙烯酸5-降冰片烯-2-甲酯、(甲基)丙烯酸5-降冰片烯-2-乙酯、(甲基)丙烯酸5-降冰片烯-2-正丁酯、(甲基)丙烯酸5-降冰片烯-2-正丙酯、(甲基)丙烯酸5-降冰片烯-2-异丁酯、(甲基)丙烯酸5-降冰片烯-2-异丙酯、(甲基)丙烯酸5-降冰片烯-2-己酯、(甲基)丙烯酸5-降冰片烯-2-辛酯、(甲基)丙烯酸5-降冰片烯-2-癸酯等；作为具有环氧基的单体，可举出5-[(2，3-环氧基丙氧基)甲基]-2-降冰片烯等；以及，作为四个环构成的单体，可举出8-甲氧基羰基四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8-乙氧基羰基四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8-正丙基羰基四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8-异丙基羰基四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8-正丁氧基羰基四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8-(2-甲基丙氧基)羰基四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8-(1-甲基丙氧基)羰基四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8-叔丁氧基羰基四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8-环己氧基羰基四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8-(4’-叔丁基环己氧基)羰基四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8-苯氧基羰基四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8-四氢呋喃氧基羰基四环[4.4.0.12，5.17，10]-3-十二碳烯、8-四氢吡喃氧基羰基四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8-甲基-8-甲氧基羰基四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8-甲基-8-乙氧基羰基四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8-甲基-8-正丙氧基羰基四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8-甲基-8-异丙氧基羰基四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8-甲基-8-正丁氧基羰基四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8-甲基-8-(2-甲基丙氧基(2-メチルポロポキシ))羰基四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8-甲基-8-(1-甲基丙氧基(1-メチルポロポキシ))羰基四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8-甲基-8-叔丁氧基羰基四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8-甲基-8-环己氧基羰基四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8-甲基-8-(4’-叔丁基环己氧基)羰基四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8-甲基-8-苯氧基羰基四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8-甲基-8-四氢呋喃氧基羰基四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8-甲基-8-四氢吡喃氧基羰基四环[4.4.0.12，5.17，10]-3-十二碳烯、8-甲基-8-乙酰氧基四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8，9-二(甲氧基羰基(メトキシカロボニル))四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8，9-二(乙氧基羰基(エトキシカロボニル))四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8，9-二(正丙氧基羰基(n-プロポキシカロボニル))四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8，9-二(异丙氧基羰基(i-プロポキシカロボニル))四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8，9-二(正丁氧基羰基(n-プトキシカロボニル))四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8，9-二(叔丁氧基羰基(t-プトキシカロボニル))四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8，9-二(环己基氧基羰基(シクロヘキシロキシカロボニル))四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8，9-二(苯氧基氧基羰基(フエノキシロキシカロボニル))四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8，9-二(四氢呋喃氧基羰基)四环[4.4.0.12，5.17，10]-3-十二碳烯、8，9-二(四氢吡喃氧基羰基)四环[4.4.0.12，5.17，10]-3-十二碳烯、8，9-四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯-8-羧酸、8-甲基四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯-8-羧酸、8-甲基四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8-乙基四环[4.4.0.12，5.17，10] 十二碳-3-烯、8-甲基四环[4.4.0.12，5.01，6]十二碳-3-烯、8-亚乙基四环[4.4.0.12，5.17，12]十二碳-3-烯、8-亚乙基四环[4.4.0.12，5.17，1001，6]十二碳-3-烯等。
本发明中使用的具有环氧基的环状烯类树脂(A)，优选降冰片烯型单体的加成(共)聚合物，一般用式(10)表示：
Figure A20058003598600161
[式中，X为O、CH2或(CH2)2；n为0～5的整数；m为10～10000的整数；R1～R4分别独立地选自氢原子、烷基、烯基、炔基、芳基、芳烷基、含酯基的官能团、含酮基的官能团、含醚基的官能团及含环氧基的官能团；在重复的单体中的R1～R4也可以不同，但在全部重复单元的R1～R4中至少1个以上为具有环氧基的官能团]。
作为本发明中使用的具有环氧基的环状烯类树脂(A)，从固化后的聚合物特性方面考虑优选式(11)及式(12)表示的聚合物：
Figure A20058003598600162
[式中，m及n分别独立地表示1以上的整数；R1～R7分别独立地选自氢原子、烷基、烯基、炔基、芳基、芳烷基、含酯基的官能团、含酮基的官能团、含醚基的官能团；在重复的单体中的R1～R7也可以不同]；
Figure A20058003598600163
[式中，l、m、及n分别独立地表示1以上的整数；p为0～5的整数R1～R10分别独立地选自氢原子、烷基、烯基、炔基、芳基、芳烷基、含酯基的官能团、含酮基的官能团、含醚基的官能团；在重复的单体中的R1～R10也可以不同]。
如式(12)所示，通过把具有芳烷基的降冰片烯单体导入聚合物，可以提高在用作负型显影液的溶剂的环五酮或庚酮等极性溶剂中的溶解性，具有作业性优良的优点。
作为本发明中使用的具有环氧基的环状烯类树脂(A)，从固化后的聚合物特性方面考虑，更优选式(13)表示的聚合物：
Figure A20058003598600171
[式中，l、m、及n分别独立地为1以上的整数]。
通过导入具有癸基的单体，可得到低弹性膜，另外，通过导入具有苯乙基的单体，可得到低吸水性、耐药品性、极性溶剂溶解性优良的膜。
共聚物中的具有环氧基的单体的含有率，可通过进行曝光使聚合物发生交联能够得到能耐显影液的交联密度来决定。具有环氧基的单体的含有率为在聚合物中使用5～95摩尔％、优选为20～80摩尔％、更优选为30～70％的比例。这样得到的聚合物显示出低吸水性(＜0.3wt％)、低介电常数(＜2.6)、低介电损失(0.001)、玻璃化转变温度(170～400℃)等优良的物理特性。
作为光酸发生剂，可以采用任何的公知的化合物。光酸发生剂在进行环氧基的交联的同时通过其后的固化提高与基板的附着性。作为优选的光酸发生剂，可以举出鎓盐、卤代化合物、硫酸盐或其混合物。例如，作为鎓盐，可以举出重氮鎓盐、铵盐、碘鎓盐、锍鎓盐、磷酸盐、鉮盐、氧鎓盐等。对抗衡阴离子未作限定，只要是可以生成上述的鎓盐与抗衡阴离子的化合物即可。作为抗衡阴离子的例子，可以举出硼酸、鉮酸、磷酸、锑酸、硫酸盐、羧酸及其氯化物，但不限于此。作为鎓盐的光酸发生剂，可以举出三苯基锍四氟硼酸酯、三苯基锍四氟硼酸酯、三苯基锍四氟砷酸酯、三苯基锍四氟磷酸酯、三苯基锍五氟硫酸酯、4-硫代苯氧基二苯基锍四氟硼酸酯、4-硫代苯氧基二苯基锍六氟锑酸酯、4-硫代苯氧基二苯基锍六氟砷酸酯、4-硫代苯氧基二苯基锍四氟磷酸酯、4-硫代苯氧基二苯基锍三氟硫酸酯、4-叔丁基苯基二苯基锍四氟硼酸酯、4-叔丁基苯基二苯基锍六氟砷酸酯、4-叔丁基苯基二苯基锍六氟锑酸酯、4-叔丁基苯基二苯基锍六氟磷酸酯、4-叔丁基苯基二苯基锍三氟硫酸酯、三(4-甲基苯基)锍四氟硼酸酯、三(4-甲基苯基)锍四氟硼酸酯、三(4-甲基苯基)锍六氟砷酸酯、三(4-甲基苯基)锍六氟磷酸酯、三(4-甲基苯基)锍六氟硫酸酯、三(4-甲氧基苯基)锍四氟硼酸酯、三(4-甲基苯基)锍六氟锑酸酯、三(4-甲基苯基)锍六氟磷酸酯、三(4-甲基苯基)锍三氟硫酸酯、三苯基碘鎓四氟硼酸酯、三苯基碘鎓六氟锑酸酯、三苯基碘鎓六氟砷酸酯、三苯基碘鎓六氟磷酸酯、三苯基碘鎓三氟硫酸酯、3，3-二硝基二苯基碘鎓四氟硼酸酯、3，3-二硝基二苯基碘鎓六氟锑酸酯、3，3-二硝基二苯基碘鎓六氟砷酸酯、3，3-二硝基二苯基碘鎓三氟硫酸酯、4，4-二硝基二苯基碘鎓四氟硼酸酯、4，4-二硝基二苯基碘鎓六氟锑酸酯、4，4-二硝基二苯基碘鎓六氟砷酸酯、4，4-二硝基二苯基碘鎓三氟硫酸酯，它们既可单独使用，也可混合使用。
作为含有除氟以外的卤素的光酸发生剂的例子，可以举出2，4，6-三(三氯甲基)三吖嗪、2-烯丙基-4，6-双(三氯甲基)三吖嗪、α，β，α-三溴甲基苯基砜、α、α-2，3，5，6-六氯二甲苯、2，2-双(3，5-二溴-4-羟基苯基)-1，1，1，3，3，3-六氟二甲苯、1，1，1-三(3，5-二溴-4-羟基苯基)乙烷及其混合物。
作为磺酸酯类的光酸发生剂，可以举出2-硝基苄基甲苯磺酸酯、2，6-二硝基苄基甲苯磺酸酯、2，4-二硝基苄基甲苯磺酸酯、2-硝基苄基甲基磺酸酯(2-ニトロベンジルメチルスフオネ一ト)、2-硝基苄基乙酸酯、9，10-二甲氧基蒽-2-磺酸酯、1，2，3-三(甲磺酰氧基)苯、1，2，3-三(乙磺酰氧基)苯、1，2，3-三(丙磺酰氧基)苯等，但又不限于此。
作为优选的光酸发生剂，可以举出4，4’-二叔丁基苯基碘鎓三硼酸酯(4，4’-ジ-t-ブチルフエニルヨ一ドニウムトリフレ一ト)、4，4’，4”-三(叔丁基苯基)锍三硼酸酯(4，4’，4”-トリス(t-ブチルフエニル)スルフオニウムトリフレ一ト)、二苯基碘鎓四(五氟苯基)硼酸酯、三苯基锍二苯基碘鎓四(五氟苯基)硼酸酯、4，4’-二叔丁基苯基碘鎓四(五氟苯基)硼酸酯、三(叔丁基苯基)锍四(五氟苯基)硼酸酯、(4-甲基苯基-4-(1-甲基乙基)苯基碘鎓四(五氟苯基)硼酸酯及其混合物。
相对于100重量份的环状烯类树脂，本发明中的光酸发生剂的配合比例为0.1～100重量份、更优选为0.1～10重量份。
本发明中使用的环状烯类树脂组合物中，可根据需要采用能够提高感光特性的增敏剂。增敏剂能够提供扩大的可使光酸发生剂活化的波长范围，且可在不对聚合物交联反应有直接影响的范围内添加。作为最合适的增敏剂，是在使用的光源附近有最大吸光系数、且吸收的能量可有效地传给光酸发生剂的化合物。作为光酸发生剂的增敏剂，有蒽、芘、苝等多环芳香族化合物。例如，2-异丙基-9H-噻吨-9-烯、4-异丙基-9H-噻吨-9-酮、1-氯-4-丙氧基噻吨、吩噻嗪及其混合物。相对于100重量份的聚合物，本发明中的光酸发生剂的配合比例为0.1～10重量份、更优选为0.2～5重量份。当光源为g线(436nm)与i线(365nm)等长波时，增敏剂可有效地使光酸发生剂活化。
本发明中使用的环状烯类树脂组合物中，可根据需要通过添加少量的酸捕捉剂来提高解析度。在光化学反应期间，酸捕捉剂吸收向未曝光部扩散的酸。作为酸捕捉剂，可以举出吡啶、二甲基吡啶、吩噻嗪、三正丙胺与三乙胺等的仲、叔胺，但并不限于此。相对于100重量份的聚合物，酸捕捉剂的配合比例为0.10～0.05重量份。
根据需要，可在本发明使用的含有具有环氧基的环状烯类树脂(A)与光酸发生剂(B)的树脂组合物中添加流平剂、抗氧化剂，阻燃剂，增塑剂、硅烷偶合剂、填充材料等的添加剂。
本发明中，这些成分溶解在溶剂中，制成清漆状后使用。作为溶剂，有非反应性溶剂与反应性溶剂，非反应性溶剂具有聚合物或添加物的载体的作用，可在涂布或固化过程中除去。反应性溶剂含有与添加至树脂组合物中的固化剂具有相溶性的反应基团。作为非反应性溶剂，有烃或芳香族溶剂。举例有，戊烷、己烷、庚烷、环己烷或十氢化萘等的链烷烃或环状烷烃的烃溶剂，但并不限于此。作为芳香族溶剂，有苯、甲苯、二甲苯或均三甲苯等。也可使用二乙基醚、四氢呋喃、苯甲醚、乙酸酯、酯、内酯、酮或酰胺。作为反应性溶剂，可以举出环己烯氧化物或α-蒎烯氧化物等环醚化合物、[亚甲基双(4，1-亚苯氧基亚甲基)]双环氧乙烷等芳香族环醚、1，4-环己烷二甲醇二乙烯基醚等脂环式乙烯基醚化合物、双(4-乙烯基苯基)甲烷等芳香族化合物，它们既可单独使用也可混合使用。优选为均三甲苯或十氢化萘，这些最适合用于在硅、硅氧化物、硅氮化物、硅氧氮化物等的基板上涂布树脂。
本发明中使用的树脂组合物的树脂固体成分为5～60重量％。更优选为30～55重量％、尤其优选为35～45重量％。溶液粘度为10～25,000cP，优选为100～3,000cP。
本发明中使用的树脂组合物可通过将具有环氧基的环状烯类树脂与光酸发生剂、以及根据需要与溶剂、增敏剂、酸捕捉剂、流平剂、抗氧化剂、阻燃剂、增塑剂、硅烷偶合剂、填充材料等单纯混合而得到。
接下来，对本发明的半导体晶片、半导体装置的制作方法进行说明。首先，把环状烯类树脂组合物涂布在硅晶片上。作为涂布方法，有采用旋转涂布机的旋转涂布、采用溅射涂布机的喷雾涂布、浸渍、印刷、辊筒涂布等。然后，于90～140℃进行预烘焙工艺，把涂膜干燥后，以化学射线照射成所希望的图案形状。作为化学射线，可以使用X射线、电子束、紫外线、可见光线等，优选波长为200～700nm的化学射线。
在照射过化学射线后继续进行烘焙。该工序使环氧交联的反应速度增加。烘焙条件为50～200℃。优选为80～150℃、更优选为90～130℃。
接下来，通过用显影液溶解除去未照射部，得到凹凸图案。作为显影液，可以采用戊烷、己烷、庚烷或环己烷等的链烷烃或环烷烃等的烃类，甲苯、均三甲苯、二甲苯、均三甲苯等芳香族烃溶剂。此外，可以使用柠檬烯、二戊烯、蒎烯、萜烷等萜烃类，环戊酮、环己酮、2-庚酮等的酮类，且可适宜地采用往其中添加适当量的表面活性剂的有机溶剂。
作为显影方法，可采用溅射、搅拌、浸渍、超声波等方式。然后，把通过显影形成的凹凸图案进行漂洗。作为漂洗液，可使用乙醇。其次，于50～200℃下进行加热处理，除去显影液或漂洗液，接下来完成环氧基的固化，得到耐热性优良的最终图案。
接下来，采用形成了图案的晶片，通过对晶片的背面研磨进行薄型加工，再通过刻模进行单片化，制得半导体芯片。通过加热粘接对该半导体芯片与引线框进行附着固定，用金属线进行电连接。然后，采用环氧类密封树脂，密封半导体芯片，制成半导体装置。作为密封方法，可以采用转移方式、压缩方式、注射方式等方式。
实施例
下面，通过实施例具体地说明本发明。
实施例1
举出了5-癸基-2-降冰片烯(以下称作“癸基降冰片烯”)/5-[(2，3-环氧丙氧基)甲基]-2-降冰片烯(以下称作“缩水甘油基甲基醚降冰片烯”)＝70/30的共聚物(A-1)的例子。
所有的玻璃仪器于60℃、0.1托下干燥18小时。然后，将玻璃仪器移至手套箱内，并装设在手套箱内。在将乙酸乙酯(917g)、环己烷(917g)、癸基降冰片烯(192g、0.82摩尔)与缩水甘油基甲基醚降冰片烯(62g、0.35摩尔)添加至反应烧瓶后，把反应烧瓶从手套箱内取出，并在其中导入干燥的氮气。
在反应中间体的溶液中通氮气30分钟进行脱气。在手套箱中把镍催化剂即双甲苯双全氟苯基镍(9.36g、19.5mmol)溶解在15ml甲苯中，吸入25ml的注射器中，从手套箱取出，添加至反应烧瓶中。于20℃下搅拌5小时，终止反应。然后，添加过乙酸溶液(975mmol)搅拌18小时。当终止搅拌时，分离成水层与溶剂层。除去水层后，添加1L蒸馏水，搅拌20分钟，除去分离的水层。用1L蒸馏水清洗3次。然后，把聚合物投入甲醇，过滤沉淀物，用水充分洗涤后、在真空下干燥。干燥后回收到243g(收率96％)的聚合物。得到的聚合物的分子量，用GPC分析的结果是，Mw＝115366、Mn＝47000、Mw/Mn＝2.43。从1H-NMR可知聚合物组成为，癸基降冰片烯为70摩尔％、缩水甘油基甲基醚降冰片烯为30摩尔％。
将228g合成的聚合物(A-1)溶于342g的十氢化萘，然后添加4-甲基苯基-4-(1-甲基乙基)苯基碘鎓四(五氟苯基)硼酸酯(0.2757g、2.71×10-4摩尔)、1-氯-4-丙氧基-9H-噻吨酮(0.826g、2.71×10-4摩尔)、吩噻嗪(0.054g、2.71×10-4摩尔)、3，5-二叔丁基-4-羟基氢化肉桂酯(0.1378g、2.60×10-4摩尔)并使其溶解。然后，用0.2μm的由氟树脂制的过滤器过滤，得到环状烯类树脂组合物。
用溅射涂布机把制成的该环状烯类树脂组合物涂布在12英寸硅晶片(厚度725μm)上后、用热板于120℃下干燥5分钟，得到膜厚为约10μm的涂膜。用i线步进曝光机NSR-4425i(ニコン(株)制造)，通过中间掩模用300mJ/cm2对该涂膜进行曝光。然后用热板于100℃下加热4分钟，以促进曝光部的交联反应。
接下来，在柠檬烯中浸渍30秒，溶解除去未曝光部，然后用异丙醇冲洗20秒。其结果是，可以确认已形成图案。此时的残膜率(显影后的膜厚/显影前的膜厚)为99.6％，显示出了非常高的值。另外，在残留的图案中，完全观察不到精细图案的剥离，可以确认显影时的附着性优良。然后，于160℃下固化60分钟完成交联反应。该固化膜的弹性系数为0.5GPa、吸水率为0.2％。然后，用表面粗糙度计(Surfcom1400D-64型、株式会社东京精密制造)测定该晶片的弯曲量，其结果为30μm。
然后，将该晶片进行背面研磨直至50μm，不产生破裂、裂缝等，得到薄型晶片。
晶片上的应力小，晶片的弯曲量也小。从环状烯类树脂膜形成前后的晶片曲率半径的变化，计算应力，得到的结果为5MPa。关于应力，通过下式算出。
数1
R = a 2 + 4 X 2 8 X
数2
Figure A20058003598600232
R：曲率半径(mm)
X：晶片的弯曲量(mm)(参见图1)
a：长度(mm)(参见图1)
D：晶片厚度(mm)
E：硅的弹性系数(MPa)
t：树脂厚度(mm)
v：泊松比(0.3)
对上述研磨至50μm的薄型晶片进行刻模制得半导体芯片。用粘接剂(住友ベ一クライト(株)制造，IBF-3021)把该半导体芯片粘接在引线框上，用金属线进行电连接，用环氧树脂类密封材料(住友ベ一クライト(株)制造，EME-7730L)进行密封成型，得到半导体装置。
采用上述半导体装置进行焊锡反流试验。把该半导体装置放入温度及湿度分别设定为85℃、85％的条件下的恒温恒湿槽中使吸湿72小时。然后，在240℃/10秒的反流条件下进行焊锡反流，用显微镜(倍数：15倍)观察半导体装置的外部裂缝的发生数。对5个样品进行确认是否发生裂缝时，为0/5。进一步地，在实际的印刷基板上安装上述焊锡反流试验后的半导体装置，对作为半导体装置的运行状况进行确认，其结果是，可确认作为半导体装置可正常运行。
芯片尺寸：8mm×10mm
引线框：14mm×20mm×2mm铜框
实施例2
将与实施例1同样地制作的厚度为725μm的晶片，进行背面研磨直至200μm，不发生破裂、裂缝等，得到薄型晶片。接下来，用表面粗糙度计测定该晶片的弯曲量，其结果为370μm。进行应力计算，其结果为5MPa。
实施例3
除用癸基降冰片烯(129g、0.55摩尔)与缩水甘油基甲基醚降冰片烯(177g、0.30摩尔)、5-(2-苯乙基)-2-降冰片烯(以下称作“苯乙基降冰片烯”)(29.7g、0.15摩尔)代替实施例1的癸基降冰片烯(192g、0.82摩尔)与缩水甘油基甲基醚降冰片烯(62g、0.35摩尔)以外，与实施例1同样地进行操作，得到癸基降冰片烯/缩水甘油基甲基醚降冰片烯/苯乙基降冰片烯＝55/30/15的多聚物(A-2)。进行聚合、再沉淀，干燥后回收得到309g(收率92％)的聚合物。得到的聚合物的分子量，用GPC测定为Mw＝30000、Mn＝68000、Mw/Mn＝2.3。从H-NMR可知，聚合物的组成为，癸基降冰片烯为54摩尔％、缩水甘油基甲基醚降冰片烯为31摩尔％、苯乙基降冰片烯为15摩尔％。
与实施例1同样地进行评价。
与实施例1同样地进行操作，进行耐焊锡反流性试验以及确认半导体装置的运行状况。耐焊锡反流性试验中，裂缝发生数为0/5。对耐焊锡反流性试验后的半导体装置的运行状况进行确认，其结果是，可以确认半导体装置的运行正常。
实施例4
举出了癸基降冰片烯与苯乙基降冰片烯共聚物的开环易位共聚物(A-3)的例子。
于60℃、0.1托下将全部的玻璃仪器干燥18小时。然后，把玻璃仪器移至内部的氧浓度与湿度分别抑制在1％以内手套箱内，并安装在手套箱内。将甲苯(917g)、环己烷(917g)、癸基降冰片烯(129g、0.55摩尔)与苯乙基降冰片烯(29.7g、0.55摩尔)、1-己烯(368g、2.2摩尔)加至反应烧瓶内。把反应烧瓶从手套箱取出、导入干燥的氮气。向反应中间体的溶液中通氮气30分钟，进行脱气。在手套箱中配制五氯化钨的叔丁醇/甲醇(摩尔比0.35/0.3)溶液(0.05摩尔/L)，将3.78g该溶液与把三乙基铝(0.011g)溶解在甲苯(25g)中的助催化剂溶液(0.634g)一起加入反应烧瓶内。于20℃下搅拌5小时，结束反应。
接下来，把该溶液放入高压釜内，添加RuHCl(CO)[P(C5H5)3]3(40.02g)，导入氢气使内压达到100kg/cm2，于165℃下加热搅拌3小时。加热终止后放置冷却至室温，把反应物加至甲醇中(975mmol)，分离析出的固体成分，溶解在1L甲苯中，再添加1L蒸馏水，搅拌18小时。当终止搅拌时，分离成水层与溶剂层。除去水层后添加1L蒸馏水，搅拌20分钟。除去分离的水层，再用1L蒸馏水洗涤3次。然后，把聚合物投入甲醇中，过滤沉淀物，用水充分洗涤后，真空下干燥。干燥后回收320g(收率85％)的聚合物。得到的聚合物的分子量，用GPC测定为Mw＝22,000、Mn＝9,600、Mw/Mn＝2.3。按照DMA测定的Tg为150℃。从1H-NMR可得出，聚合物的组成为，癸基降冰片烯为48摩尔％、苯乙基降冰片烯为52摩尔％。
将50重量份的得到的聚合物、6重量份的5，6-环氧-1-己烯及1.5重量份的过氧化二异丙苯溶解在120重量份的环己烷中，在高压釜内于150℃下反应3小时后，把得到的反应生成物溶液注入到240重量份的异丙醇中，使反应性生成物凝固。把凝固的环氧改性聚合物于100℃下真空干燥5小时，得到50重量份的环氧改性聚合物。用DMA测定该环氧改性聚合物的Tg，其结果为15℃。用GPC测定得到的环氧改性聚合物的分子量，其结果为Mw＝23,000、Mn＝10,000、Mw/Mn＝2.3。该环氧改性聚合物的环氧改性率为2％。与实施例1同样地进行评价得到的环氧改性聚合物。
与实施例1同样地进行操作，进行耐焊锡反流性试验及确认半导体装置的运行状况。在耐焊锡反流性试验中，裂缝发生数为0/5。对耐焊锡反流性试验后的半导体装置的运行状况进行确认，其结果是，可确认半导体装置运行正常。
比较例1
在带有温度计、搅拌机、原料装入口及干燥氮气导入口的四口可分离烧瓶内放入4，4’-二氨基二苯醚(19.02g、95摩尔％)，往其中添加占全部装入的原料中的固体成分的比例为15重量％的无水N-甲基-2-吡咯烷酮，使其溶解。然后把烧瓶浸渍在0～50℃的水浴中，边抑制发热边投入精制的21.81g(100摩尔％)均苯四甲酸二酐(ピロメリツト酸二無水物)。均苯四甲酸二酐溶解后，把体系内温度保持在20℃，连续反应10小时。用旋转涂布机把反应得到的聚酰亚胺前躯体(B-1)涂布在12英寸硅晶片(厚度725μm)上后，用热板于140℃下干燥5分钟，得到膜厚为约14μm的涂膜。
然后，于350℃下固化60分钟，完成环化反应，固化后得到10μm的涂膜。与实施例1、2同样地进行评价。
比较例2
用二苯甲酮四羧酸二酐(32.2g、100摩尔％)(B-2)代替比较例1中的均苯四甲酸二酐，用与比较例1同样的装置及操作实施反应。
将实施例1～4、比较例1～2的树脂成分、评价结果汇总示于表1。
由于比较例中的固化后的膜的弹性系数高、残留应力高，因而进行背面研磨时晶片发生破损。因此，没有进行耐焊锡反流性试验且没有对确认半导体装置的运行状况进行评价。
Figure A20058003598600261
表1
  树脂   弹性系数(GPa)   弯曲量(μm)  残留应力(MPa)
725μm厚晶片 200μm厚晶片 50μm厚晶片
 实施例1   A-1   0.5   30   -   良好   5
 实施例2   A-1   0.5   -   370   -   5
 实施例3   A-2   0.9   45   600   良好   9
 实施例4   A-3   1.4   70   900   良好   12
 比较例1   B-1   2.6   170   2200   发生破裂   30
 比较例2   B-2   3.0   190   2500   发生破裂   34
产业上利用的可能性
本发明涉及采用低应力性、附着性等性能优良的环状烯类树脂组合物的半导体晶片，由于固化后的树脂层的残留应力低，故对晶片进行背面研磨时不会发生晶片破损，因此可适宜用于从该晶片制成的半导体芯片及使用该半导体芯片的薄型半导体装置。

Claims (9)

1.一种半导体晶片，其中，在电路元件形成面上具有含有具有环氧基的环状烯类树脂(A)与光酸发生剂(B)的树脂组合物的树脂层，该树脂层的固化后的残留应力为1～20MPa。
2.按照权利要求1所述的半导体晶片，其中，环状烯类树脂为聚降冰片烯类树脂。
3.按照权利要求1或2所述的半导体晶片，其中，具有环氧基的环状烯类树脂(A)含有式(1)表示的重复单元：
Figure A2005800359860002C1
式中，X为O、CH2或(CH2)2；n为0～5的整数；R1～R4分别独立地选自氢原子、烷基、烯基、炔基、芳基、芳烷基、含有酯基的官能团、含有酮基的官能团、含有醚基的官能团、以及含有环氧基的官能团；在重复的单体中的R1～R4相同或不同，在全部重复单元的R1～R4中至少1个以上为具有环氧基的官能团。
4.按照权利要求1～3中任何一项所述的半导体晶片，其中，具有环氧基的环状烯类树脂(A)含有以式(2)及式(3)表示的重复单元：
式中，R1～R7分别独立地选自氢原子、烷基、烯基、炔基、芳基、芳烷基、含有酯基的官能团、含有酮基的官能团、以及含有醚基的官能团；在重复的单体中的R1～R7相同或不同。
5.按照权利要求1～4中任何一项所述的半导体晶片，其中，具有环氧基的环状烯类树脂(A)含有以式(4)、(5)及(6)表示的重复单元：
Figure A2005800359860003C1
式中，n为0～5的整数；R1～R10分别独立地选自氢原子、烷基、烯基、炔基、芳基、芳烷基、含有酯基的官能团、含有酮基的官能团、以及含有醚基的官能团；在重复的单体中的R1～R10相同或不同。
6.按照权利要求1～5中任何一项所述的半导体晶片，其中，具有环氧基的环状烯类树脂(A)含有以式(7)表示的重复单元：
Figure A2005800359860003C2
式中，Y为O、CH2或(CH2)2；Z为-CH2-CH2-、或-CH＝CH-；l为0～5的整数；R1～R4分别独立地选自氢原子、烷基、烯基、炔基、芳基、芳烷基、含有酯基的官能团、含有酮基的官能团、含有醚基的官能团、以及含有环氧基的官能团；在重复的单体中的R1～R4相同或不同，全部重复单元的R1～R4中至少1个为具有环氧基的官能团。
7.按照权利要求1～6中任何一项所述的半导体晶片，其中，半导体晶片的厚度为10～200μm。
8.一种半导体芯片，其是把权利要求1～7中任何一项所述的半导体晶片单片化的半导体芯片。
9.一种半导体装置，其采用权利要求8所述的半导体芯片而制成。
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