CN101037225A - 二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
一种二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列及其制备方法,涉及一种纳米材料及制备工艺。其材料是以高纯钛箔为基片,以含有0.1-0.5wt%氟化氨的乙二醇混合溶液为电解液,通过恒压阳极氧化,于基片上垂直形成上端为1-20微米的纳米线、带混杂的束状物,下部为规则纳米管管阵列的二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列;制备方法:基片作为阳极,铂片为阴极,两极间距离10-50mm,电压在10-60V,反应30-3000min后,于240-600℃下煅烧1-3h,随炉冷却,制成二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列;该方法设备简单,工艺重复性好,产品质量稳定,应用在光催化,光解水,太阳能电池,自旋电子学等领域。
Description
一、技术领域
本发明涉及一种以高纯钛箔为基体的二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列及其电化学制备方法和内部掺杂(包括氮、碳)及表面改性的工艺方法,特别涉及到一种垂直于高纯钛箔表面的二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列,属于无机材料制备工艺技术领域。
二、背景技术
二氧化钛是一种重要的半导体材料,具有特殊的物理化学性质,在电池、光催化、光解水、有机物光降解和光电变色窗等领域具有广泛的应用前景。以二氧化钛为基础的技术可能为人类发展中一些关键问题(如环境净化、太阳能利用和生命科学等)的解决提供一种很好的途径。
目前,对二氧化钛纳米粉体和纳米膜的研究较为普遍,对纳米管阵列及其它特殊形式的纳米结构研究较少。近期研究表明,二氧化钛纳米管作为二氧化钛的又一种存在形式,具有大的比表面积、较强的吸附能力,这些有助于二氧化钛光电性能的提高。二氧化钛纳米管是由极小的晶粒组成,量子化效应的出现,使二氧化钛的能带宽度加大,导带电位更负,价带电位更E,这样光生空穴和电子就具有更强的氧化还原能力。此外,小尺寸纳米颗粒中的光生载流子更容易从内部迁移到表面,减小了电子-空穴的复合几率。上述两点有利于其在光催化和光解水方面的应用。纳米管中二氧化钛晶粒间的连贯性使得载流子更易在其内部传导,这一点有利于其在太阳能电池的应用。
二氧化钛纳米管的制备方法目前报道的主要有AAO(多孔氧化铝)模板法、化学处理法和阳极氧化法。比如,中国《高等学校化学学报》2001年22卷1期130-132页报道的模板法制备二氧化钛纳米管的方法;德国《Advanced Materials》1999年11卷15期1307-1311页报道的化学处理法制备二氧化钛纳米管的方法;美国《The Journal ofPhysical Chemistry B》2006年110卷33期16179-16184页报道的阳极氧化法制备大长径比的二氧化钛纳米管阵列的方法。第一种方法制备工艺复杂,所制备的二氧化钛纳米管以粉体的形式存在,并且使用时必须经过特殊的工艺处理;第二种方法设备要求高,所制备的二氧化钛也是以粉体的形式存在;第三种方法只能制备单一的纳米管阵列。
三、发明内容
本发明的目的在于提供一种以高纯钛箔为基体的二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列及其电化学制备方法和内部掺杂(包括氮、碳)及表面改性的工艺方法。该方法操作简单,可以在常温、常压条件下,利用基本相同的工艺,制备高度规则排列、大比表面积的二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列;还可以通过改变电解液成分或使用不同的热处理气氛获得内部氮、碳掺杂或表面化学状态不同的二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列,从而为电池电极、催化剂和稀磁半导体等功能材料的组装提供了所需的系列结构单元。
本发明所提出的二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列,包括基片高纯钛箔和二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列,其特征在于:以高纯钛箔为基片,以含有0.1-0.5wt%氟化氨的乙二醇混合溶液为电解液,在恒定电压下发生电化学氧化,于基片上垂直形成上端为1-20微米的纳米线、带混杂的束状物,下部为规则纳米管管阵列(管径为30-120nm,管长为10-100μm)的二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列。该二氧化钛嵌段阵列的进一步特征在于:二氧化钛纳米线、带、管定向次序排列构成新型的嵌段纳米结构阵列。二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列的制备方法,其特征在于:制备的方法步骤如下:
第一步,基片的制备
将高纯钛箔切割成(0.5-100)mm×(0.5-100)mm的片状,用环氧树脂封装其背面后依次用丙酮、乙醇超声除油,用去离子水清洗,然后置入体积比为1∶1∶2的氢氟酸、硝酸和去离子水混合液中进行化学抛光,再分别经乙醇和去离子水清洗,最后用氮气吹干,备用;
第二步,二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列的制备
将第一步中制备完毕的高纯钛箔为阳极,铂片作为阴极,立放于反应器中,其两极之间的距离应在10-50mm,并在反应器中加入浓度为0.1-0.5wt%氟化氨的乙二醇电解质,用铜丝做导线将两电极连在直流稳压电源上(铜丝与电极的接触点用环氧树脂封装),调节电压为10-60V,反应30-3000min后,终止;
第三步,二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列制备后的煅烧
将表面具有二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列的高纯钛箔放在管式炉中,在不同保护气氛下于240-600℃煅烧1-3h,随炉冷却后,即制成钛箔与二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列一体化的二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列。
在上述步骤二中的电解质体系中加入占混合溶液质量0%-50%的去离子水,即可获得纳米线、带混杂的束状物占整个复合结构不同比例的二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列;在上述步骤二中的电解质体系中加入占混合溶液质量0.5%-10%的硝酸根离子,即可获氮掺杂的二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列;在上述步骤三中,管式炉中的保护气氛可以为空气、氧气、氩气、氢气或氮气的任一种,即可以获得具有不同浓度氧空位的二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列;管式炉中的保护气氛还可以是氨气或乙炔的任一种,即可获氮、碳掺杂的二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列。
本发明与现有的技术相比,具有以下优点及有益效果:本发明提出一种简单有效的二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列及其改性的方法。该方法设备简单,易于实现控制,工艺重复性好,产品质量稳定,它提供了组装电池电极、催化剂、稀磁半导体等功能材料所必需的结构单元,可以应用在光催化,光解水,太阳能电池,自旋电子学等领域。
四、附图说明
图1是二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列表面的扫描电镜图
图2是二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列横截面的扫描电镜图
五、具体实施方式
下面通过具体实施例,进一步说明二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列的制备及改性的方法。
实施例1:
用高纯钛箔制备10mm×10mm的二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列。
第一步,基片的制备
将高纯钛箔切割成10mm×10mm的片状,用环氧树脂封装其背面后依次用丙酮、乙醇超声除油,用去离子水清洗,然后置入体积比为1∶1∶2的氢氟酸、硝酸和去离子水混合液中进行化学抛光,再分别经乙醇和去离子水清洗,最后用氮气吹干,备用;
第二步,二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列的制备
将第一步中制备完毕的高纯钛箔为阳极,铂片作为阴极,立放于反应器中,其两极之间的距离应在50mm,并在反应器中加入浓度为0.25wt%氟化氨的乙二醇电解质,用铜丝做导线将两电极连在直流稳压电源上(铜丝与电极的接触点用环氧树脂封装),调节电压为60V,反应300min后,终止;
第三步,二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列制备后的煅烧
将表面具有二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列的高纯钛箔放在管式炉中,在空气中于240℃煅烧3h,随炉冷却后,即制成钛箔与二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列一体化的二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列。
检测结果:上端纳米线、带混杂的束状物3-5μm,下端纳米管内管径80-110nm,外径120nm左右,管长25-30μm,整个嵌段阵列垂直于基片,二氧化钛的晶型为锐钛矿相。
在同样的实验条件下,改变试样片的大小,二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列的结构参数没有太大的改变;别的条件不变,氧化电压在10V-60V之间变化,二氧化钛嵌段阵列下端纳米管的外径也在30-120nm之间变化;别的条件不变,氧化时间在300-3000min之间变化,二氧化钛嵌段阵列的整体长度也由25μm左右增加为100μm左右。
实施例2:
用高纯钛箔制备10mm×10mm的二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列。
第一步,基片的制备
将高纯钛箔切割成10mm×10mm的片状,用环氧树脂封装其背面后依次用丙酮、乙醇超声除油,用去离子水清洗,然后置入体积比为1∶1∶2的氢氟酸、硝酸和去离子水混合液中进行化学抛光,再分别经乙醇和去离子水清洗,最后用氮气吹干,备用;
第二步,二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列的制备
将第一步中制备完毕的高纯钛箔为阳极,铂片作为阴极,立放于反应器中,其两极之间的距离应在50mm,并在反应器中加入浓度为0.25wt%氟化氨的乙二醇电解质,同时在混合电解质中加入占混合溶液5wt%的去离子水,用铜丝做导线将两电极连在直流稳压电源上(铜丝与电极的接触点用环氧树脂封装),调节电压为60V,反应300min后,终止;
第三步,二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列制备后的煅烧
将表面具有二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列的高纯钛箔放在管式炉中,在空气中于450℃煅烧3h,随炉冷却后,即制成钛箔与二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列一体化的二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列。
检测结果:上端纳米线、带混杂的束状物7-10μm,下端纳米管内管径80-110nm,外径120nm左右,管长20μm左右,整个嵌段阵列垂直于基片,二氧化钛的晶型为锐钛矿相和金红石相的混合相。
在同样的实验条件下,改变混合电解质中水的含量,发现纳米线、带混杂的束状物长度在增加,但整个嵌段阵列的长度有所减小;别的条件不变,将加入的水改为含有硝酸根的盐,检测表明,嵌段阵列中会出现一定量的氮元素掺杂;混合电解质中不添加去离子水或硝酸根离子,只改变氟化氨含量的情况下,其含量越高,二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列的形成电压就越低。
实施例3:
用高纯钛箔制备10mm×10mm的二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列。
第一步,基片的制备
将高纯钛箔切割成10mm×10mm的片状,用环氧树脂封装其背面后依次用丙酮、乙醇超声除油,用去离子水清洗,然后置入体积比为1∶1∶2的氢氟酸、硝酸和去离子水混合液中进行化学抛光,再分别经乙醇和去离子水清洗,最后用氮气吹干,备用;
第二步,二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列的制备
将第一步中制备完毕的高纯钛箔为阳极,铂片作为阴极,立放于反应器中,其两极之间的距离应在50mm,并在反应器中加入浓度为0.25wt%氟化氨的乙二醇电解质,用铜丝做导线将两电极连在直流稳压电源上(铜丝与电极的接触点用环氧树脂封装),调节电压为60V,反应300min后,终止;
第三步,二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列制备后的煅烧
将表面具有二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列的高纯钛箔放在管式炉中,在氨气中于300-600℃煅烧1-3h,随炉冷却后,即制成钛箔与二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列一体化的二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列。
检测结果:上端纳米线、带混杂的束状物3-5μm,下端纳米管内管径80-110nm,外径120nm左右,管长25-30μm,整个嵌段阵列垂直于基片,其化学组成除了钛和氧外,还有氮的存在,提高热处理温度和延长保温时间,均可以使样品中的含氮量提高。热处理温度的提高,使得样品的晶型也发生变化,如在氮气中热处理时,280℃左右出现锐钛矿相,370℃左右出现金红石相,650℃左右锐钛矿相向金红石相的转变结束。热处理气氛的不同也会使得二氧化钛的晶型转变过程改变,如样品在空气中热处理时,280℃左右出现锐钛矿相,400℃左右出现金红石相,680℃左右锐钛矿相向金红石相的转变结束。
本发明的二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列的扫描电镜图,如图1和图2所示,是采用LEO-1530VP场发射扫描电镜拍摄的,图1垂直于基片方向拍摄,图2平行于基片方向拍摄。由图1可以清晰看出,二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列的表面由倒伏的纳米线、带混杂的束状物构成(图1(b)是图1(a)的局部放大图)。由图2可以清晰看出,二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列由两段不同形式的纳米结构嵌段形成,上端为1-20微米的纳米线、带混杂的束状物(如图2(a)和图2(b)),下部为规则纳米管管阵列(图2(c)和图2(d))。
在同样的实验条件下,改变管式炉中的气氛,对二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列的表面化学态有很大影响,如在还原性气氛氢气中热处理,二氧化钛表面就会有大量的氧空位,而在氩气惰性气氛中热处理氧空位的浓度变小,在氧化性气氛氧气中热处理时,二氧化钛表面的氧空位数目最少。
Claims (6)
1、二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列,其特征在于:
是以高纯钛箔为基片,在浓度为0.1-0.5wt%氟化氨的乙二醇电解质作用下,在基片表面垂直方向产生上端为1-20微米的纳米线、带混杂的束状物,下部管径为30-120nm,管长为10-100μm的规则纳米管管阵列,即基片和二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列构成一体化的二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列。
2.根据权利要求1所述的二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列,其特征在于:二氧化钛纳米线、带、管定向次序排列构成嵌段纳米结构阵列。
3.制备权利要求1所述的二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列的方法,其特征在于:制备步骤如下:
第一步,基片的制备
将高纯钛箔切割成0.5-100mm×0.5-100mm的片状,用环氧树脂封装其背面后依次用丙酮、乙醇超声除油,用去离子水清洗,然后置入体积比为1∶1∶2的氢氟酸、硝酸和去离子水混合液中进行化学抛光,再分别经乙醇和去离子水清洗,最后用氮气吹干,备用;
第二步,二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列的制备
将第一步中制备完毕的高纯钛箔为阳极,铂片作为阴极,立放于反应器中,其两极之间的距离应在10-50mm,并在反应器中加入浓度为0.1-0.5wt%氟化氨的乙二醇电解质,用铜丝做导线将两电极连在直流稳压电源上,调节电压为10-60V,反应30-3000min后,终止;
第三步,二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列制备后的煅烧
将表面具有二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列的高纯钛箔放在管式炉中,在不同保护气氛下于240-600℃煅烧1-3h,随炉冷却后,即制成钛箔与二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列一体化的二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列。
4.如权利要求3所述的二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列制备方法,其特征在于:在所述步骤二中的电解质体系中加入占混合溶液质量0%-50%的去离子水,即可获得纳米线、带混杂的束状物占整个复合结构不同比例的二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列。
5.如权利要求3所述的二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列制备方法,其特征在于:在所述步骤二中的电解质体系中加入占混合溶液质量0.5%-10%的硝酸根离子,即可获氮掺杂的二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列。
6.如权利要求3所述的二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列制备方法,其特征在于:在所述步骤三中,管式炉中的保护气氛可以为空气、氧气、氩气、氢气或氮气的任一种,即可以获得具有不同浓度氧空位的二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列;管式炉中的保护气氛还可以是氨气或乙炔的任一种,即可获氮、碳掺杂的二氧化钛纳米线、带、管嵌段阵列。
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