CN101027787A - Ⅲ－ⅴ族化合物半导体及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种III－V族化合物半导体。所述III－V族化合物半导体包含n－型层，由式InaGabAlcN表示的厚度不小于300nm的p－型层，和存在于n－型层和p－型层之间的多量子阱结构，所述多量子阱结构具有至少两个包括两个阻挡层和位于阻挡层之间的由InxGayAlzN表示的量子阱层的量子肼结构；并且R/α比率不大于42.5％，其中R是通过X射线衍射测量的量子阱层中氮化铟的平均摩尔分数，α是从因电流注入而由III－V族化合物半导体发出的光的波长计算的氮化铟的摩尔分数。

Description

Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种III-V族化合物半导体，其具有由式InaGabAlcN(a+b+c＝1，0≤a＜1，0＜b≤1，0≤c＜1)表示的p-型层和包含阻挡层和位于阻挡层之间的量子阱层的量子阱结构，所述量子阱层由式InxGayAlzN(x+y+z＝1，0＜x＜1，0＜y＜1，0≤z＜1)表示。
背景技术
目前，使用由式IndGaeAlfN(d+e+f＝1，0≤d≤1，0≤e≤1，0≤f≤1)表不的III-V族化合物半导体作为发射绿色、蓝色、紫色或紫外光的发光器件。
已经研究将结合有发光材料和荧光材料的发白光的发光器件应用于背光或照明(lightning)。由于含例如氮化铟的特殊晶体能够通过改变其氮化铟(InN)摩尔分数而改变发光波长，它们可用作显示器或光源激发荧光材料。
已经进行了努力，以试图在由如蓝宝石、GaAs和ZnO的物质组成的各种衬底上生长III-V族化合物半导体层。然而，由于这些物质的晶格常数和化学特性完全不同于所述的化合物半导体，至今仍未制备出足够满意的高质量的晶体。已经提出生长晶格常数和化学特性与化合物半导体类似的GaN晶体，随后在其上生长化合物半导体，以获得发光器件(日本已审查的专利公开No.S55-3834)。
还已经提出，生长具有由式InxGayAlzN(x+y+z＝1，0＜x＜1，0＜y＜1，0≤z＜1)表示的量子阱结构的化合物半导体以获得发光器件(日本专利No.3064891)。
这些文件中公开的发光器件在亮度方面不令人满意。
已知有这样一种方法：在100～500托下，于660～780℃在硅掺杂的GaN上生长InGaN层并且保持该温度5～10秒，随后从其上生长GaN，在此条件下重复生长InGaN层和GaN以形成多量子阱结构，然后在1040℃生长p-GaN层，从而制备化合物半导体。
在这种方法中，在生长p-GaN层过程中，InGaN层破裂，沉淀出铟金属或氮化铟晶体，从而导致亮度显著下降(Journal of Crystal Growth，248，498，2003)。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种适用于高亮度发光器件的III-V族化合物半导体。本发明的另一目的是提供一种制备上述III-V族化合物半导体的方法。
本发明的发明人对III-V族化合物半导体进行了研究，结果完成了本发明。
本发明提供一种III-V族化合物半导体，其包含：
n-型层，
p-型层，所述p-型层由式InaGabAlcN(a+b+c＝1，0≤a＜1，0＜b≤1，0≤c＜1)表示，厚度不小于300nm，和
多量子阱结构，该多量子阱结构位于n-型层和p-型层之间，并且具有至少两个包括两个阻挡层和位于阻挡层之间的由式InxGayAlzN(x+y+z＝1，0＜x＜1，0＜y＜1，0≤z＜1)表示的量子阱层的量子阱结构；并且
R/α比率不大于42.5％，其中R是通过X射线衍射测量的量子阱层中氮化铟(InN)的平均摩尔分数，并且α是从光的波长计算的氮化铟(InN)的摩尔分数，所述的光是因电流注入而由III-V族化合物半导体发出的。
本发明提供一种III-V族化合物半导体，其包含：
n-型层，
p-型层，所述p-型层由式InaGabAlcN(a+b+c＝1，0≤a＜1，0＜b≤1，0≤c＜1)表示，厚度不小于300nm，和
单量子阱结构，该单量子阱结构位于n-型层和p-型层之间，并且具有两个阻挡层和位于阻挡层之间的由式InxGayAlzN(x+y+z＝1，0＜x＜1，0＜y＜1，0≤z＜1)表示的量子阱层；并且
R/α比率不大于42.5％，其中R是通过X射线衍射测量的量子阱层中氮化铟(InN)的平均摩尔分数，并且α是从光的波长计算的氮化铟(InN)的摩尔分数，所述的光是因电流注入而由III-V族化合物半导体发出的。
此外，本发明提供一种制备III-V族化合物半导体的方法，所述III-V族化合物半导体包含n-型层，由式InaGabAlcN(a+b+c＝1，0≤a＜1，0＜b≤1，0≤c＜1)表示的p-型层，和量子阱结构，该量子阱结构位于n-型层和p-型层之间，并且具有包括至少两个阻挡层和位于阻挡层之间的由式InxGayAlzN(x+y+z＝1，0＜x＜1，0＜y＜1，0≤z＜1)表示的量子阱层的量子阱结构，该方法包括以下步骤：
将在量子阱层生长温度的量子阱层保持在等于或高于量子阱层生长温度的温度，以在量子阱层生长完成和阻挡层生长开始之间阻止晶体生长，和
生长厚度等于或大于300nm的p-型层。
此外，本发明提供一种包含上述III-V族化合物半导体的III-V族化合物半导体发光器件。
附图简述
图1举例说明了本发明III-V族化合物半导体的一个实施方案的结构。
参考字母或数字的解释：
1  n-型GaN层
2  未掺杂的GaN层
3  GaN层
4  InGaN量子阱层
5  GaN阻挡层
6  GaN保护层(cap layer)
7  Mg-掺杂的A1GaN保护层
8  p-型GaN层
9  n电极
10 p电极
本发明优选实施方案详述
III-V族化合物半导体
本发明的III-V族化合物半导体具有n-型层和p-型层。
p-型层由式InaGabAlcN(a+b+c＝1，0≤a＜1，0≤b≤1，0≤c≤1)表示，并且厚度等于或大于300nm。当p-型层的厚度增加时，III-V族化合物半导体的静电放电性能提高。p-型层的厚度优选等于或大于400nm，更优选等于或大于500nm，进一步优选等于或大于600nm。而且，当p-型层的厚度等于或大于500nm时，III-V族化合物半导体的光输出也提高。包含厚度等于或大于500nm的p-型层的III-V族化合物半导体优选用作具有优异的光输出和静电放电性能的发光器件。相反，当p-型层厚度过厚时，造成衬底的翘曲或者制备需要长时间。p-型层的厚度通常等于或小于3μm。
p-型层可以掺杂杂质。杂质的实例包括Mg、Zn和Ca。杂质可以单独或多种一起使用。杂质的浓度通常为1×1017cm-3～1×1021cm-3。
此外，III-V族化合物半导体具有至少一个量子阱结构。所述量子阱结构包括由式InxGayAlzN(x+y+z＝1，0＜x＜1，0＜y＜1，0≤z＜1)表示的量子阱层和至少两个阻挡层。量子阱层位于阻挡层之间。
量子阱结构可以用作发光器件的发光层或用作通过减少位错等而改善结晶性的衬底。量子阱结构可以是包括量子层和阻挡层的单量子阱结构，也可以是包括至少两个量子肼层和阻挡层的多量子肼结构。当将量子阱结构用作发光层时，从获得高的光输出角度考虑，优选多量子阱结构。
量子阱层的厚度通常等于或大于0.5nm，优选等于或大于1nm，更优选等于或大于1.5nm，并且通常等于或小于9nm，优选等于或小于7nm，更优选等于或小于6nm。
量子阱层可以掺杂杂质，也可以不掺杂杂质。当量子阱层用作发光层时，从在良好的色纯度条件下获得强的光发射角度考虑，优选未掺杂的量子阱层。在量子阱层掺杂杂质的情形中，由于过高的掺杂浓度可能使结晶性下降，因此其浓度通常等于或小于1021cm-3，优选等于或小于1019cm-3，更优选等于或小于1017cm-3。杂质的实例包括Si、Ge、S、O、Zn和Mg。可以掺杂单种或多种杂质。
阻挡层通常是由式IndGaeAlfN(d+e+f＝1，0≤d≤1，0≤e≤1，0≤f≤1)表示的III-V族化合物。与量子阱层相邻的两个阻挡层可以相同或不同。
阻挡层的厚度通常等于或大于1nm，优选等于或大于1.5nm，更优选等于或大于2nm，并且通常等于或小于100nm，优选等于或小于50nm，更优选等于或小于20nm。
阻挡层可以掺杂杂质，也可以不掺杂杂质。杂质的实例包括Si、Ge、S、O、Zn和Mg。杂质可以单独掺杂或多种一起掺杂。当阻挡层掺杂杂质时，杂质的浓度通常为1017cm-3～1021cm-3。当多量子阱结构用作发光层时，一些阻挡层可以掺杂杂质。通过掺杂杂质，可以控制阻挡层的导电类型并且有效注入电子或空穴。由于杂质掺杂可能使与掺杂的阻挡层相邻的发光层的结晶性下降，可以用杂质掺杂与不用作发光层的量子阱层接触的阻挡层。
当III-V族化合物半导体包含多量子阱结构时，多量子阱结构包括至少两个量子阱层，所述量子阱层具有：相同厚度和相同组成；相同厚度和不同组成；不同厚度和相同组成；或者不同厚度和不同组成。此外，多量子阱结构包括至少两个阻挡层，所述阻挡层具有：相同厚度和相同组成；相同厚度和不同组成；不同厚度和相同组成；或者不同厚度和不同组成。当多量子阱结构用作发光层时，优选多量子阱结构具有至少两个具有相同厚度和相同组成的量子阱层；和至少两个具有相同厚度和相同组成的阻挡层。具有这样的厚度和组成的III-V族化合物半导体由于从至少两个量子阱层发射光而发出色纯度得到提高的光。
III-V族化合物半导体的R/α比率不大于42.5％，优选等于或小于40％，更优选等于或小于35％，进一步优选等于或小于30％。
R是量子阱层中氮化铟(InN)的平均摩尔分数，使用X射线衍射法通过分析量子阱结构，可以测量R值。
当III-V族化合物半导体包含多量子阱结构时，从源自多量子阱结构的超晶格的卫星反射测量多量子阱结构中InN的摩尔分数(W)，然后根据W值和量子阱层与阻挡层的厚度比例计算R。
当III-V族化合物半导体包含单量子阱结构时，同样通过X射线衍射测量单量子阱结构中InN的摩尔分数(W)。
在III-V族化合物半导体具有掺杂有低浓度杂质的量子阱层，例如，杂质浓度等于或小于1021cm-3，优选等于或小于1019cm-3，更优选等于或小于1017cm-3，并且显示因电流注入而产生的带边发射的情形中，可以根据以下的方法，从因电流注入而发射的光的波长计算α。
从用于发光器件的半导体发射的光的波长λ(nm)，在将半导体的带隙能设定为Eg(eV)时，通常用以下等式表示。
λ＝1240/Eg                        (1)
半导体的带隙能可以从其摩尔分数计算。例如，在作为InN和GaN的混合晶体的InαGa1-αN的情形中，由于InN的带隙能为0.8eV而GaN的带隙能为3.42eV，半导体的带隙能(Eg)表示如下。
Eg＝0.8α+3.42(1-α)               (2)
因此，根据等式(1)和(2)计算III-V族化合物半导体的α。
α＝[3.42-(1240/λ)]/(3.42-0.8)    (3)
当发光波长为470nm时，α为0.298。
在III-V族化合物半导体具有掺杂有高浓度杂质的量子阱层并且显示源自杂质级的光发射的情形中，可以从杂质级的能量值计算α。例如，Journal of Vacuum Science and Technology A，Vol.13(3)，705页公开了，根据光发射的峰波长的测量，含有作为发光层的Zn-和Si-掺杂的InGaN层的发光二极管中Zn的能级为0.4～0.5eV。
III-V族化合物半导体在量子阱层和p-型层之间可以具有由式IniGajAlkN(i+j+k＝1，0≤i≤1，0≤j≤1，0≤k≤1)表示的保护层。保护层可以单次生长或者多次生长。在III-V族化合物半导体包括AlN混合晶体的情形中，III-V族化合物半导体具有提高的热稳定性，从而抑制热降解，如发光层的相分离。保护层可以掺杂有p-型掺杂剂如Mg、Zn和Ca，或者n-型掺杂剂如Si、O、S和Se。
图1举例说明了上述包含III-V族化合物半导体的器件结构的一个实施方案。
图1所示的III-V族化合物半导体按如下顺序包含以下的1～8层：
n-型GaN层1，
安置在n-型GaN层1上的未掺杂的GaN层2，
多量子阱结构，该多量子阱结构包括：
起阻挡层作用的GaN层3，
起量子阱层作用的InGaN层4
和起阻挡层作用的GaN层5
层4和层5交替层叠，循环5次，
GaN层6
用Mg掺杂的AlGaN层7，和
p-型GaN层8；以及
n电极9，和
安置在p-型GaN层8上的p电极10。
在正向方向上向所述器件的p-n结施加电压，使注入的电子和空穴在多量子阱层中相互复合，从而使器件发光。
III-V族化合物半导体的制备
可以通过以下方法有利地制备III-V族化合物半导体：金属有机化学气相沉积(以下简称MOCVD)、分子束外延(以下简称MBE)、氢化物气相外延(以下简称HVPE)，优选MOCVD。MOCVD在层的均匀性、界面的陡度和大量生产能力方面是优异的。可以使用可商购的装置进行晶体生长。
通常可以采用在反应器中将原料供应到衬底中的方法制备III-V族化合物半导体。
III-V族化合物半导体制备中使用的衬底的实例包括蓝宝石、ZnO、金属硼化物(ZrB2)、SiC、GaN和AIN。这些衬底可以单独使用，或者它们中的两种或更多种可以组合使用。
第III族元素的原料的实例包括由通式R1R2R3Ga(其中R1、R2和R3表示低级烷基)表示的三烷基镓，如三甲基镓(TMG)和三乙基镓(TEG)；由通式R1R2R3Al(其中R1、R2和R3表示低级烷基)表示的三烷基铝，如三甲基铝(TMA)、三乙基铝(TEA)和三异丁基铝；三甲胺铝烷[(CH3)3N:AlH3]；由通式R1R2R3In(其中R1、R2和R3表示低级烷基)表示的三烷基铟，如三甲基铟(TMI)和三乙基铟；其中三烷基铟的1～3个烷基被卤素原子取代的化合物，如二乙基氯化铟；和由通式InX(其中X表示卤素原子)表示的卤化铟，如氯化铟。这些原料可以单独使用，或者它们中的两种或更多种可以组合使用。
第V族元素的原料的实例包括氨、肼、甲基肼、1，1-二甲基肼、1，2-二甲基肼、叔丁胺和乙二胺；优选氨和肼。氨和肼分子中不含碳原子，并且防止半导体的碳污染。这些原料可以单独使用，或者它们中的两种或更多种可以组合使用。
具有上述R/α比率的量子阱结构可以通过热处理生长。量子阱层的生长通常是在反应器中，在650℃～850℃进行的。阻挡层的生长通常是在反应器中，在650℃～1000℃进行的。
在本发明的制备方法中，将量子阱层保持在等于或高于量子阱层生长温度的温度，以在量子阱层生长完成和阻挡层生长开始之间中断晶体生长。
在将量子阱层保持在量子阱层生长温度的情形中，保留时间通常等于或大于10分钟，优选等于或大于15分钟，并且通常等于或小于60分钟。压力通常大于30kPa。在压力等于或小于20kPa的情形中，保留时间优选为1～5分钟。
在将量子阱层保持在高于量子阱层生长温度的温度的情形中，最低温度比量子阱层生长温度高10℃或10℃以上、更优选不低于30℃，进一步优选不低于50℃，并且最高温度比量子阱层生长温度高100℃或100℃以下。保留时间根据温度变化，通常等于或大于1分钟，优选等于或大于3分钟，更优选等于或大于5分钟，进一步优选等于或大于7分钟，并且通常等于或小于60分钟。优选保留时间等于从量子阱层生长完成至阻挡层生长开始的升温间隔。
在保持步骤中，通常不将第III族元素的原料供应到反应器中。相反，可以供应或不供应第V族元素的原料和载气。从防止量子阱层中的氮浓度降低考虑，优选将第V族元素的原料供应到反应器中。
在生长量子阱结构后，生长厚度等于或大于300nm的p-型层。p-型层的生长温度通常为700～1100℃。在III-V族化合物半导体具有由式IngGahN(g+h＝1，0＜g≤1，0≤h＜1)表示的p-型层的情形中，优选在较低温度如650～950℃生长p-型层，从而防止量子阱层在p-型层生长过程中热降解。
在p-型层生长完成后，可以在电极形成之前或之后，对III-V族化合物半导体进行退火以获得良好的与电极的接触电阻。退火气氛可以是惰性气体或主要含有氢气的气体，或者这种气氛气体中可以加入含氧气体。这些气体可以单独使用，或者它们中的两种或更多种可以组合使用。退火温度等于或大于200℃，优选等于或大于400℃。
保持步骤和生长步骤可以使用常规反应器进行。反应器装备有进料构件，从其上侧或其侧面可以向衬底供应原料。在反应器中，将衬底几乎正面朝上放置；作为备选，将其颠倒放置。在将衬底颠倒放置的情形中，可以从衬底的下方或衬底侧面供应原料。衬底在反应器中的角度不是必须完全水平，可以几乎或完全垂直。
除保持步骤和p-型层的生长步骤外，III-V族化合物半导体的制备可以在常规条件下进行。在量子阱层的情形中，用杂质掺杂阻挡层或p-型层，所述杂质优选以有机金属形式供应。
可以使用能够在多个衬底同时生长多个层的、安置有衬底和进料构件的装置进行III-V族化合物半导体的制备。至于原料供应，可以从原料源分别引入第III族元素的原料和第V族元素的原料，并且在将它们供应到反应器中之前进行混和，以避免原料之间的预反应。
实施例
本发明将参考以下实施例更详细地描述，但是这些实施例不应理解为对本发明范围的限制。
实施例1
供应作为原料的TMG和氨和作为载气的氢气，于490℃在蓝宝石的C-面上生长低温生长的GaN缓冲层。
一旦停止供应TMG后，将温度升高到1090℃，然后供应作为原料的TMG、氨和硅烷以及作为载气的氢气，生长厚度为3μm的n-型GaN层，接着停止供应硅烷，生长厚度为300nm的未掺杂的GaN层。在停止供应TMG和硅烷然后冷却到785℃后，供应作为原料的TEG和氨以及作为载气的氮气，生长厚度为100nm的GaN层，然后重复以下程序5次，在所述程序中，在50kPa的压力下供应作为原料的TEG、TMI和氨以及作为载气的氮气，以生长厚度为3nm的InGaN层和厚度为15nm的GaN层。该生长程序的细节如下：供应氨、TEG和TMI，生长3nm厚的InGaN层；然后停止供应TEG和TMI，随后只供应氨和载气，保持15分钟；然后生长15nm厚的未掺杂的GaN层。
在该程序循环5次后，连续供应TEG和氨以生长厚度为3nm的未掺杂的GaN层，使得未掺杂的GaN层的最终厚度为18nm。此后，停止TEG供应，然后将温度升高到940℃，接着供应TEG、TMA、氨和作为p-型掺杂剂源的二乙基环戊二烯基镁，生长厚度为30nm的Mg-掺杂的AlGaN层。在停止供应TEG、TMA和二乙基环戊二烯基镁后，将温度升高到1010℃，随后供应TMG、氨和作为p-型掺杂剂源的二乙基环戊二烯基镁，生长厚度为600nm的p-型GaN层。
在获得的III-V族化合物半导体进行蚀刻后，形成NiAu的p电极和Al的n电极，从而获得LED。
向LED施加20mA的正向电流，每个样品都表现出纯的蓝光发射。亮度为6028mcd并且光发射的峰波长为473nm。根据发光波长，按照上述的等式(3)计算的InN摩尔分数(α)为30.4％。
根据由X射线衍射测定的多量子阱结构的卫星反射的评价结果，以整个多量子阱结构的平均值计，InN摩尔分数(W)为1.93％，从而InN摩尔分数(R)为11.58％。R/α比率为38.1％。
通过静电放电试验评价LED，LED的反向静电放电击穿电压为225V。结果还示于表1中。
实施例2
除将p-型GaN层的厚度改变为450nm外，通过与实施例1相同的操作获得LED。在与实施例1相同的条件下评估LED。结果示于表1中。
实施例3
除将p-型GaN层的厚度改变为300nm外，通过与实施例1相同的操作获得LED。在与实施例1相同的条件下评估LED。结果示于表1中。
参考例1
除将p-型GaN层的厚度改变为150nm外，通过与实施例1相同的操作获得LED。在与实施例1相同的条件下评估LED。结果示于表2中。
比较例1
除在生长InGaN层后不进行保持步骤，并且继续生长GaN层外，通过与参考例1相同的操作获得LED。在与实施例1相同的条件下评估LED。结果示于表2中。
比较例2
除在生长InGaN层后不进行保持步骤，并且继续生长GaN层外，通过与实施例1相同的操作获得LED。在与实施例1相同的条件下评估LED。结果示于表2中。
表1
实施例1 实施例2 实施例3
p-型层厚度(nm) 600 450 300
亮度(mcd) 6028 3472 2496
峰强度的波长λ(nm) 473 473 469
摩尔分数α(％) 30.4 30.5 29.6
平均摩尔分数(％) 1.93 1.92 1.96
摩尔分数R(％) 11.58 11.52 11.73
R/α比率(％) 38.1 37.8 39.6
静电放电击穿电压(V) 225 140 88
表2
参考例1 比较例2 比较例3
p-型层厚度(nm) 150 150 600
亮度(mcd) 4089 1844 1120
峰强度的波长λ(nm) 474 450 445
摩尔分数α(％) 30.4 25.4 24.3
平均摩尔分数(％) 1.96 2.89 2.97
摩尔分数R(％) 11.73 17.34 17.79
R/α比率(％) 38.3 68.3 73.2
静电放电击穿电压(V) 83 75 180
工业适用性
通过采用本发明的III-V族化合物半导体，提供具有高亮度和优异的静电放电性能的发光器件。
通过采用本发明制备III-V族化合物半导体的方法，容易制备上述的发光器件。

Claims (5)

1.一种III-V族化合物半导体，其包含：
n-型层，
p-型层，所述p-型层由式InaGabAlcN(a+b+c＝1，0≤a＜1，0＜b≤1，0≤c＜1)表示，厚度不小于300nm，和
多量子阱结构，该多量子阱结构位于n-型层和p-型层之间，并且具有至少两个包括两个阻挡层和位于阻挡层之间的由式InxGayAlzN(x+y+z＝1，0＜x＜1，0＜y＜1，0≤z＜1)表示的量子阱层的量子阱结构；并且
R/α比率不大于42.5％，其中R是通过X射线衍射测量的量子阱层中氮化铟(InN)的平均摩尔分数，α是从光的波长计算的氮化铟(InN)的摩尔分数，所述的光是因电流注入而由III-V族化合物半导体发出的。
2.一种III-V族化合物半导体，其包含：
n-型层，
p-型层，所述p-型层由式InaGabAlcN(a+b+c＝1，0≤a＜1，0＜b≤1，0≤c＜1)表示，厚度不小于300nm，和
单量子阱结构，该单量子阱结构位于n-型层和p-型层之间，并且具有两个阻挡层和位于阻挡层之间的由式InxGayAlzN(x+y+z＝1，0＜x＜1，0＜y＜1，0≤z＜1)表示的量子阱层；并且
R/α比率不大于42.5％，其中R是通过X射线衍射测量的量子阱层中氮化铟(InN)的平均摩尔分数，α是从光的波长计算的氮化铟(InN)的摩尔分数，所述的光是因电流注入而由III-V族化合物半导体发出的。
3.一种制备III-V族化合物半导体的方法，所述III-V族化合物半导体包含n-型层，由式InaGabAlcN(a+b+c＝1，0≤a＜1，0＜b≤1，0≤c＜1)表示的p-型层，和量子阱结构，该量子阱结构位于n-型层和p-型层之间，并且具有包括至少两个阻挡层和位于阻挡层之间的由式InxGayAlzN(x+y+z＝1，0＜x＜1，0＜y＜1，0≤z＜1)表示的量子阱层的量子阱结构，该方法包括以下步骤：
将在量子阱层生长温度的、在量子阱层生长完成和阻挡层生长开始之间的量子阱层保持在等于或高于量子阱层生长温度的温度，和
生长p-型层，使III-V族化合物半导体的总厚度等于或大于300nm。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述的保持步骤是在不供应第III族元素原料的情况下进行的。
5.一种III-V族化合物半导体发光器件，其包含根据权利要求1或2所述的III-V族化合物半导体。
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