CN100585497C - 光致抗蚀剂的显影方法及显影装置 - Google Patents

Abstract

本发明的显影装置包括：转盘、使转盘旋转的电动机、以及将显影液与氮气混合后呈雾状向转盘喷射的喷嘴。通过驱动电动机，使转盘以200转/分的旋转速度旋转，同时，将显影液与氮气混合后，从喷嘴将雾状的显影液向转盘喷射，其中，该显影液用于对固定在转盘上的半导体晶片的上面所形成的光致抗蚀剂进行显影。光致抗蚀剂通过与显影液产生化学反应而被除去，同时，能够通过其喷射压力可靠地除去。

Description

光致抗蚀剂的显影方法及显影装置

技术领域

本发明涉及在半导体制造中利用的光刻技术之一的光致抗蚀剂的显影方法及显影装置，特别涉及即使在具有凹凸形状图形的基体上形成具有粘附性的光致抗蚀剂的情况下，也能够可靠地去除光致抗蚀剂的光致抗蚀剂显影方法及用于实现该显影方法的显影装置。

背景技术

作为一种半导体装置的CCD、CMOS成像器等的固体摄像装置在各种领域得到应用。固体摄像装置采用由光电二极管构成的受光部及读出基于受光部的输出的电信号的读出部等电路构成。固体摄像装置利用熟知的光刻技术通过在半导体晶片上层叠多层而制造的。

但是，近年来，期望固体摄像装置的高密度化、高分辨率化以及小型化，存在每个像素的间距尺寸减小的倾向。为了满足这样的期望，必须减小受光部区域(以下，称为受光区)。由于在缩小受光区的情况下，受光量减小，动态范围就减小，因而需要在受光部上配置微透镜以补偿受光量的减小。

一般情况下，微透镜是以在芯片上的形态将透光性树脂加工成透镜形状，形成在已经形成了作为固体摄像装置的功能元件之半导体芯片的表面上。因此，固体摄像装置的表面呈现因微透镜引起的凹凸状态。作为传感器，固体摄像装置的受光面极其重要，在有异物附着的情况下，因异物存在导致其亮度及色度发生变化，摄像图像的再现性降低，此外，还有可能在受光面上产生伤痕。这样，由于如果附着了异物就会损害固体摄像装置的品质及可靠性，因此固体摄像装置就用玻璃等透光性的盖部保护受光面，以免异物附着。

如上所述，固体摄像装置具有用盖部保护其受光面的结构，特别是以在芯片上的形态形成了微透镜的固体摄像装置中，由于表面呈现极其复杂的凹凸状态，故在将半导体芯片安装在陶瓷、塑料等的封装壳内后，使之成为用盖部覆盖受光面，保护封装壳内的固体摄像元件的状态，成为免受来自外部的异物侵入的结构。但是，由于在封装结构中固体摄像装置的小型化存在极限，故提出了如图1所示的在形成了固体摄像元件的半导体芯片101的表面上，使用仅仅在受光部102上形成了开孔部103的环氧树脂板104，用粘接剂105粘接玻璃106的结构(例如，参见特开2001-257334号公报)。这样，通过在半导体芯片101上直接粘接玻璃106(盖部)，能够使固体摄像装置比封装更小型化。

但是，在制造上述固体摄像装置的过程中，为了确保玻璃板106与半导体芯片101之间的间隔，使用环氧树脂板104，在环氧树脂板104的两面上用粘接剂105粘接玻璃板106与半导体芯片101。由于环氧树脂板104形成了空穴，以便不配置在受光部102的上面，所以，因空穴的影响导致施加在薄板上的张力不均匀，在粘贴环氧树脂板104的情况下，成为极端不稳定的形状，粘贴工序变得极端困难。此外，在将环氧树脂板104粘接在半导体芯片101表面的情况下，环氧树脂板104与半导体芯片101的对位很费事，同时也存在用于使配置了微透镜的受光面免受污染的措施不充分，制造工序的管理复杂的问题。

此外，由于环氧树脂板104是通过开孔加工形成其开孔部103的，因而开孔部103的微细化也存在极限。由于固体摄像装置的密封空间尺寸由开孔部103决定，故即使使用特开2001-257334号公报所公布的方法，固体摄像装置的结构小型化也存在极限。

此外，在半导体工艺等中使用的光致抗蚀剂的显影中，当在形成光致抗蚀剂的基体的表面上存在凹凸时，在应该除去的部分上光致抗蚀剂容易作为残渣而残存下来。通常，形成了半导体元件的半导体晶片的表面上具有凹凸结构，特别是在形成了固体摄像装置的半导体晶片的情况下，当在受光部的上部有光致抗蚀剂的残渣时，严重情况下就成为产生不良的原因。

发明内容

本发明是鉴于上述问题而进行的，其目的在于：提供一种通过将对光致抗蚀剂进行显影的显影液呈雾状喷射，能够有选择地除去在基体的表面形成的已经曝光的光致抗蚀剂的光致抗蚀剂的显影方法及显影装置。

此外，本发明的目的在于：提供一种通过将显影液与气体混合并呈雾状喷射，调整显影液及气体的压力，从而利用显影液与光致抗蚀剂的化学反应除去光致抗蚀剂，同时利用呈雾状喷射的显影液的压力，能够通过物理的作用除去光致抗蚀剂的光致抗蚀剂的显影方法及显影装置。

此外，本发明的目的在于：提供一种通过一边使基体旋转，一边从旋转中心离开从旋转中心到暴露于显影液的区域端部的长度之大约1/2的位置的上方喷射显影液，从而能够有效地除去光致抗蚀剂的光致抗蚀剂的显影方法及显影装置。

对上述特开2001-257334号公报所记述的现有的技术，本发明者专心致力于通过用光刻技术，在分离为半导体芯片前的半导体晶片上形成成为框架部的粘接层，以谋求框架部的对位精度优越，且制造效率较高的制造方法的研究。作为粘接层，通过使用将光固化粘接剂与热固化粘接剂适当混合而成的粘接剂，利用包含在粘接层中的光固化粘接剂的特性，制作出所希望的图形，在配置了玻璃等透光性的盖部后，加热已制作出图形的粘接层，利用包含在粘接层中的热固化粘接剂的特性，通过粘接层粘接半导体晶片与盖部。就是说，光固化粘接剂起到作为所谓的光致抗蚀剂的作用，用UV光等将光致抗蚀剂曝光后，用规定的显影液将光致抗蚀剂显影，从而除去未曝光部分的光致抗蚀剂，这样，通过粘接层使半导体晶片与盖部粘接，从而形成空间，能够防止来自外部的影响(湿气、灰尘等)。进而，由于利用了光刻技术，所以将粘接层加工成宽度为100μm～200μm、厚度为(高度)50μm～60μm的尺寸极其容易，所以能够谋求半导体装置的小型化，实现品质及可靠性较高的芯片尺寸的半导体装置。

这里，参照图2A及2B说明使用于光刻技术的显影。在半导体晶片的一面(一个平面、一个表面)上形成光致抗蚀剂后，通过光掩模进行光致抗蚀剂曝光，如图2A及2B所示，在使用规定的显影液显影的情况下，如图2A及2B所示那样，在光致抗蚀剂111的表面上滴下显影液112，使显影液遍布整个表面，在规定的显影时间(蚀刻时间)内维持用显影液112覆盖光致抗蚀剂111的状态(图2A)，利用未曝光部分的光致抗蚀剂111b与显影液112的化学反应，除去光致抗蚀剂111b，同时使曝光部分的光致抗蚀剂111a保留下来(图2B)。

但是，如图3所示，像在表面具有微透镜的固体摄像装置那样，当半导体晶片110的表面上具有凹凸状的锐利的沟槽状的图形120时，可能会在凹部120a中残留光致抗蚀剂的残渣121。特别是，在光致抗蚀剂具有粘附性的情况下，由于光致抗蚀剂粘附在凹部120a上，因而在光致抗蚀剂与显影液的化学反应中，将光致抗蚀剂从凹部120a完全除去极端困难。当然，通过延长显影时间，也可能消除光致抗蚀剂的残渣121，但如果延长显影时间，则当然会降低制造效率，所以期望实现有效地除去光致抗蚀剂的技术。

本发明就是回应这样的期望，实现有效地除去光致抗蚀剂的技术。

在本发明的光致抗蚀剂的显影方法涉及一种对形成在基体表面上的已经曝光的光致抗蚀剂进行显影的光致抗蚀剂的显影方法，其特征在于：将显影上述光致抗蚀剂的显影液呈雾状喷射在上述基体的表面上，并有选择地除去光致抗蚀剂。

在本发明中，通过将形成在基体表面上的已经曝光的光致抗蚀剂进行显影的显影液呈雾状喷射在基体的表面上，从而利用显影液与光致抗蚀剂的化学反应有选择地除去光致抗蚀剂，同时，利用呈雾状喷射的显影液的压力，通过物理作用能够有选择地除去光致抗蚀剂。详细地说，被感光的光致抗蚀剂通过感光产生光聚合反应，变成不溶解于规定的显影液中，而没有感光的光致抗蚀剂的物理性能没有变化，溶解于显影液中，因而能够有选择地除去没有感光的光致抗蚀剂。

本发明的光致抗蚀剂的显影方法的特征在于：在上述发明中，将上述显影液与气体混合，呈雾状喷射，调整上述显影液及上述气体的压力。

在本发明中，将显影液与氮气那样的气体混合，呈雾状喷射到基体的表面上。根据表面形状调整显影液及气体的压力，能够适当调节施加在光致抗蚀剂上的压力，即，能够适当调节物理的作用，无论是任何表面形状都能够可靠地除去光致抗蚀剂。

本发明的光致抗蚀剂的显影方法的特征在于：在上述的各发明中，上述光致抗蚀剂具有粘附性。

在本发明中，即使光致抗蚀剂具有粘附性，光致抗蚀剂与基体表面粘附的情况下，也能够利用呈雾状喷射的显影液的压力，通过物理作用除去光致抗蚀剂。根据光致抗蚀剂与基体的表面的粘附力调整显影液及气体的压力，使得在光致抗蚀剂上施加比光致抗蚀剂与基体的表面的粘附力更高的压力。

本发明的光致抗蚀剂的显影方法的特征在于：在上述各发明中，上述基体暴露于显影液的区域大体为圆形形状，并且一边使上述基体旋转，一边从旋转中心离开从旋转中心到该基体暴露于显影液的区域的端部之长度的大约1/2的位置的上方，喷射上述显影液。

在本发明中，暴露于基体的显影液上的区域大体呈圆形形状，并且一边使基体旋转，一边从旋转中心离开从旋转中心到暴露于基体的显影液中的区域的端部之长度的大约1/2的位置的上方呈雾状喷射显影液，这样，由于显影液均匀地喷雾在光致抗蚀剂上，因而能够有效地除去光致抗蚀剂。

本发明的光致抗蚀剂的显影方法的特征在于：在上述各发明中，在上述基体上形成凹凸状的图形。

在本发明中，即使在基体上形成凹凸状的图形的情况下，也能通过显影液与光致抗蚀剂的化学作用及显影液的压力的物理作用，可靠地除去在凹部上形成的光致抗蚀剂。

本发明的光致抗蚀剂的显影方法的特征在于：在上述各发明中，在上述基体上形成了具有微透镜的固体摄像元件。

在本发明中，即使在基体上形成了具有微透镜的固体摄像元件的情况下，也能通过显影液与光致抗蚀剂的化学反应及显影液的压力的物理作用，可靠地除去在相邻的微透镜的间隙部上形成的光致抗蚀剂。因此，例如，在现有的方法中，具有微透镜的固体摄像元件，由于在微透镜上残存光致抗蚀剂，有可能使受光量降低导致固体摄像元件的性能降低，但通过利用本发明，由于在微透镜上不会残存光致抗蚀剂，因而不可能降低其性能，并能够制造出品质及可靠性优越的固体摄像元件。

本发明的显影装置涉及一种对在基体表面上形成的已经曝光的光致抗蚀剂进行显影的显影装置，其特征在于：包括：具有旋转轴并用于载置上述基体的载物台、使上述旋转轴旋转的旋转单元、以及呈雾状喷射对上述光致抗蚀剂进行显影的显影液的喷嘴。

在本发明中，将基体载置在载物台上，通过电动机等旋转单元使载物台的旋转轴旋转。而且，通过将形成在基体表面上的已经曝光的光致抗蚀剂进行显影的显影液，呈雾状地从喷嘴喷射到基体的表面上，从而利用显影液与光致抗蚀剂的化学反应有选择地除去光致抗蚀剂，同时，利用呈雾状喷射的显影液的压力，能够通过物理作用有选择地除去光致抗蚀剂。

本发明的显影装置的特征在于：在上述发明中，进一步包括调整上述喷嘴相对于上述载物台的位置的调整单元。

在本发明中，通过调整单元调整喷嘴相对于载物台的位置，从而按照基体的平面尺寸，调节喷嘴与载物台的相对位置，并能够将喷嘴配置在从旋转中心离开从载物台(即基体)的中心(旋转中心)到基体暴露于显影液的区域的端部的长度之大约1/2的位置的上方。因此，由于从喷嘴喷射的显影液均匀地喷雾在光致抗蚀剂上，因此能够有效地除去光致抗蚀剂。

按照本发明，通过呈雾状喷射对光致抗蚀剂进行显影的显影液，利用显影液与光致抗蚀剂的化学反应有选择地除去光致抗蚀剂，同时，能够利用呈雾状喷射的显影液的压力，通过物理作用有选择地除去光致抗蚀剂。即使在光致抗蚀剂具有粘附性的情况下，按照光致抗蚀剂与基体的表面的粘附力，调整喷射的显影液的压力，只要在光致抗蚀剂上施加比光致抗蚀剂与基体表面的粘附力高的压力，就能够可靠地除去光致抗蚀剂。

按照本发明，根据表面形状调整显影液及气体的压力，从而能够适当调节施加在光致抗蚀剂上的压力，即适当调节物理作用，无论何种表面形状都能够可靠地除去光致抗蚀剂。例如，像在基体上形成了凹凸状的图形的情况或者在基体上形成了具有微透镜的固体摄像元件的情况那样，在现有的显影方法中较困难的凹部中的光致抗蚀剂的残渣，也能够通过调节压力得到消除。

按照本发明，通过一边旋转基体，一边从旋转中心离开从旋转中心到暴露于显影液的区域的端部的长度之大约1/2的位置上方喷射显影液，从而由于显影液均匀地喷雾在光致抗蚀剂上，因而能够起到有效地除去光致抗蚀剂等优越的效果。

本发明的上述和进一步的目标和特征将通过下述的带有附图的详细的叙述充分地显现出来。

附图说明

图1是表示固体摄像装置的结构的结构剖面图。

图2A及图2B是用于说明现有的光致抗蚀剂的显影方法的说明图。

图3是表示光致抗蚀剂的残渣的一个例子的状态图。

图4是表示本发明的显影装置的结构的立体图。

图5A及5B是用于说明本发明的光致抗蚀剂的显影方法的说明图。

图6A及6B是用于说明本发明的光致抗蚀剂的显影方法的说明图。

具体实施方式

以下，基于表示该实施方式的附图详述本发明。由于本发明的光致抗蚀剂的显影方法及显影装置，适用于对在具有凹凸状的图形表面的基体上形成的光致抗蚀剂进行显影的情况，因而对在形成了具有微透镜的固体摄像元件的半导体晶片上，形成光致抗蚀剂的情况进行说明。

图4是表示本发明的显影装置的结构的立体图。

本发明的显影装置1包括：转盘10、使转盘10旋转的电动机20、以及混合显影液与氮气并呈雾状向转盘10喷射的喷嘴30。

俯视情况下转盘10大体呈圆形形状，在载物面(上面)上设置有吸附作为基体的半导体晶片50的吸附部11，吸附部11通过吸引空气，用其吸引力将半导体晶片50固定在转盘10上。此外，在转盘10的下面中心上，安装轴12。轴12与电动机20的旋转轴21连结。电动机20通过没有图示的控制装置控制电力供给，并控制其旋转方向及旋转速度。

在喷嘴30上，通过显影液供给管31及氮气供给管32，分别连接充填了显影液的显影液罐33及充填了氮气的氮气罐34。在显影液供给管31与显影液罐33的连接部位，安装了用于调整显影液的供给压力及液量的调节阀35。在氮气供给管32与氮气罐34的连接部位上，安装了用于调整氮气的供给压力及气体量的调节阀36。

通过调节阀35、36，能够适当调整显影液与氮气的混合比及供给量，并从喷嘴30喷射雾状的显影液。当然，按照喷嘴30的前端的形状、显影液的种类、气体的种类、喷嘴30与载置在转盘10上的半导体晶片50的离开距离等，适当地调整调节阀35及36，从而自喷嘴30喷射雾状的显影液。

喷嘴30设置在转盘10的载物面的上方，喷嘴30的前端30a配置在载置于转盘10上的半导体晶片50的半径L的大约1/2的位置(X＝L/2)上。再有，喷嘴30安装在调整相对于转盘10的位置的调整装置(没有图示)上，并按照半导体晶片50的平面尺寸，调整喷嘴30与转盘10的相对位置，能够适当地变更喷嘴30的位置。在本例中，表示了喷嘴30能够沿轴40左右移动的方式。

例如，在半导体晶片50是8英寸的情况下，将喷嘴30配置在从转盘10的中心向外侧2英寸的位置上。这样，即使在半导体晶片50的整个面上形成了光致抗蚀剂的情况下，从喷嘴30喷射的显影液也能够均匀地喷雾在光致抗蚀剂上。

再有，如果从喷嘴喷射的显影液是能够在形成于半导体晶片50上的光致抗蚀剂的整个面上喷雾的方式，则可以采用喷嘴30扫描转盘10的中心与边缘之间的显影装置，或者是配备多个喷嘴的显影装置等。

图5A、5B、6A及6B是用于说明本发明的光致抗蚀剂的显影方法的说明图。再有，在图5A、5B中，为了容易理解，表示记述了4个半导体元件51的例子。

首先，将在表面上形成了光致抗蚀剂60的半导体晶片50载置在转盘10上(图5A)。在半导体晶片50上，形成多个CCD、CMOS成像器等固体摄像元件51、51、...。在固体摄像元件51的大体中央区域上形成光电二极管那样的受光部51a。此外，在固体摄像元件51中，除受光部之外，还形成读出基于受光部的输出的电信号的读出部等外围电路、以及放大读出的电信号的放大电路等处理电路。这些各部、各电路是经过杂质注入一扩散工序、氧化-蚀刻工序、各种层的层叠工序等，利用自身熟知的技术制造的。进而，在受光部51a的上面形成了微透镜55，以提高向受光部51a的聚光率。微透镜55是将透光性树脂加工成透镜状形成在半导体晶片50的表面上。再有，为了增加向受光部51a的光通量，不仅位于半导体晶片50的最上层的微透镜55，也可以通过预先在层内形成透镜，从而使光学系统多层化，以提高受光率。

此外，光致抗蚀剂60通过光掩模曝光，至少不包含受光部51a的区域上的光致抗蚀剂60a感光，至少包含受光部51a的区域上的光致抗蚀剂60b未感光。此外，光致抗蚀剂60具有粘附性，曝光后的光致抗蚀剂60a固化，而未曝光的光致抗蚀剂60b持续具有粘附性。作为光致抗蚀剂60，例如是将作为丙烯系列树脂的紫外线(UV)固化树脂与例如环氧系树脂那样的热固化树脂适当混合(例如，混合比＝1∶1)后的材料。该光致抗蚀剂60具有作为粘接剂的功能，包含在光致抗蚀剂60中的光固化树脂通过曝光，表现出粘接力，光致抗蚀剂60的曝光部分60a粘接在半导体晶片50上。

接着，通过驱动电动机20，以200转/分(rpm)的旋转速度使转盘10旋转，同时，将显影光致抗蚀剂60的显影液与氮气混合，从喷嘴30向转盘10喷射雾状的显影液70(图5B)。例如，适当调整调节阀35及36，通过以显影液的压力为0.1MPa、氮气的压力为0.2MPa进行混合，从而从喷嘴30喷射雾状的显影液。

此外，调整喷嘴30的前端形状，以便使喷嘴30所喷射的显影液70从侧面看去呈扇面形状(符号：S)。这样，由于能够用一个喷嘴30在半导体晶片50的整个面上喷雾混合了氮气的显影液70，因此，即使在半导体晶片50的整个面上形成了光致抗蚀剂60的情况下，也能够有效地除去光致抗蚀剂60。

而且，喷雾了显影液70的光致抗蚀剂60中，未曝光的光致抗蚀剂60b与显影液70产生化学反应，并开始从半导体晶片50中除去(图6A)。就是说，已感光的光致抗蚀剂60a通过感光产生光聚合反应，变成在规定的显影液中不溶解，而没有感光的光致抗蚀剂60b的物理性能没有变化，并溶解于显影液，所以能够有选择地除去光致抗蚀剂60中没有感光的光致抗蚀剂60b。

而且，在未曝光的光致抗蚀剂60b大部分被除去的状态下，在相邻的微透镜55的间隙中形成的光致抗蚀剂60b由于其粘附性的缘故，历来作为残渣而残留下来(参照图3)，按照本发明，由于显影液70喷射到光致抗蚀剂60上，所以借助于其喷射压力通过物理作用能够可靠地除去残渣(图6B)。即使在光致抗蚀剂60具有粘附性的情况下，根据光致抗蚀剂60与半导体晶片50的粘接力，调整喷射的显影液的压力，如果在光致抗蚀剂60上施加比其粘接力高的压力，就能够可靠地除去光致抗蚀剂60。

再有，虽然没有图示，但这之后，如上所述，在制作出图形的光致抗蚀剂60a的上部配置了作为盖部的玻璃后进行加热，从而包含在光致抗蚀剂60a中的热固化树脂表现出粘接力，光致抗蚀剂60a粘接在半导体晶片及盖部(玻璃)上。通过将其切断成一个个固体摄像装置，从而经由粘接层粘接半导体晶片与盖部(玻璃)而形成空间，能够防止来自外部的影响(湿气、灰尘等)。

如以上详细叙述的那样，利用显影液70与光致抗蚀剂60的化学反应，除去未曝光的光致抗蚀剂60b，同时，利用从喷嘴30喷射出的雾状的显影液70的压力，能够通过物理作用除去光致抗蚀剂60b。因此，由于在微透镜55的表面上没有残存抗蚀剂，因而不会发生因抗蚀剂残渣引起的入射到固体摄像元件51的光通量降低的情况。

再有，在实施方式中，就在半导体晶片50侧形成了微透镜55的情况进行了说明，但对在作为覆盖固体摄像元件的受光面的盖部的玻璃板上形成微透镜，在玻璃板侧构图并形成粘接层的情况也同样适用。这种情况下，玻璃板使用能够覆盖半导体晶片的至少形成元件区域的平面尺寸的玻璃板，在与半导体晶片粘接后，能够与半导体晶片一起分割成各个固体摄像装置。

以上，就本发明的光致抗蚀剂的显影方法及显影装置，示出具体的实施方式进行了说明，但本发明不是仅限于这些方式。只要是本领域技术人员，在不脱离本发明的宗旨的范围内，能够对上述实施方式的发明的结构及功能进行各种变更或者改进。

如上所述，按照本发明，即使对形成于具有较深沟槽状的凹凸状的图形的基板上的光致抗蚀剂进行显影，由于能够显影光致抗蚀剂，可靠地除去不需要的光致抗蚀剂，故对半导体装置制造的用途也有用。特别是，具有微透镜的固体摄像装置，在现有的方法中，通过在微透镜上残存光致抗蚀剂，从而有可能降低受光量并降低固体摄像装置的性能，但通过利用本发明，由于在微透镜上没有残存光致抗蚀剂，故没有降低性能的可能，并能够制造出品质及可靠性优越的固体摄像装置。

Claims (7)

1.一种光致抗蚀剂的显影方法，对在基体的表面上形成的已经曝光的光致抗蚀剂进行显影，其特征在于：

为了将显影所述光致抗蚀剂的显影液与气体混合并呈雾状喷射，分别调整所述显影液和所述气体的量以及压力从而所述显影液的压力比所述光致抗蚀剂与所述基体的表面的粘接力高；以及

将包含被分别调整的所述气体的所述显影液呈雾状喷射到所述基体的表面，并有选择地除去光致抗蚀剂。

2.如权利要求1所述的光致抗蚀剂的显影方法，其特征在于：

所述光致抗蚀剂具有粘附性。

3.如权利要求1所述的光致抗蚀剂的显影方法，其特征在于：

所述基体的暴露于显影液的区域大体呈圆形，

一边使所述基体旋转，一边从旋转中心离开从旋转中心到该基体暴露于显影液的区域的端部的长度之大约1/2的位置上方喷射显影液。

4.如权利要求1所述的光致抗蚀剂的显影方法，其特征在于：

在所述基体上形成了凹凸状的图形。

5.如权利要求1所述的光致抗蚀剂的显影方法，其特征在于：

在所述基体上形成了具有微透镜的固体摄像元件。

6.一种显影装置，对在基体的表面上形成的已经曝光的光致抗蚀剂进行显影，其特征在于，包括：

具有旋转轴，并用于载置所述基体的载物台；

使所述旋转轴旋转的旋转部；

调节阀，分别调节对所述光致抗蚀剂进行显影的显影液和气体的量以及压力；以及

喷嘴，将包含由所述调节阀分别调节的所述气体的所述显影液呈雾状喷射，

其中所述显影液的压力被调节为比所述光致抗蚀剂与所述基体的表面的粘接力高。

7.如权利要求6所述的显影装置，其特征在于：

还包括调整所述喷嘴相对于所述载物台的位置的调整部。

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