CN103915393B - 光电封装体及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种光电封装体，其包括一光电芯片、一透光保护层以及多个接垫；光电芯片具有一上表面以及一位于上表面的主动区；透光保护层连接光电芯片，并覆盖上表面，其中透光保护层接触并全面性地附着于主动区；多个接垫电性连接光电芯片；本发明还提供一种光电封装体的制造方法：提供芯片组件，芯片组件包括光电芯片、多个接垫以及基板，光电芯片与多个接垫配置在基板上，而光电芯片具有上表面以及位于上表面的主动区；覆盖透光材料于芯片组件上，其中透光材料覆盖上表面并全面性地覆盖主动区；以及固化透光材料，以使透光材料转变为透光保护层。本发明通过透光保护层覆盖及接触光电芯片的主动区，使光电封装体内部基本上不会形成存留空气的间隙或腔室。

Description

光电封装体及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种半导体封装体及其制造方法，且特别涉及一种光电封装体及其制造方法。
背景技术
现今的影像传感器，例如互补式金属氧化物半导体影像传感器(CMOS ImageSensor，CIS)，通常具有封装壳(housing)、芯片(chip)以及载板(carrier)。封装壳具有一容置空间，且封装壳与芯片皆装设在载板上，其中封装壳罩盖整个芯片，而芯片位在容置空间内。在封装壳与芯片装设在载板上之后，容置空间会形成密闭的腔室(cavity)，而此腔室内会存留空气。
具体而言，封装壳通常包括框体(frame)与玻璃板，其中容置空间是由框体与玻璃板所定义。在封装壳与芯片皆装设在载板上之后，框体会围绕芯片，而玻璃板则位在芯片主动区(active area)的正上方，其中透光板不会接触主动区，且透光板与主动区之间会存留空气。如此，外界的光线在穿过透光板之后得以入射至主动区，以使芯片能感测到外界的光线。
封装壳通常是用热固性胶体而黏合于载板，所以在封装壳装设于载板的过程中，封装壳会先用尚未固化的热固性胶体黏合于载板。之后，进行加热流程，以固化热固性胶体。为避免封装壳内的空气因受热膨胀而挤破热固性胶体，封装壳或载板通常设有逃气孔，以使封装壳内的空气能从逃气孔释出。此外，在完成封装壳的装设之后，会在逃气孔内填入胶材来封住逃气孔，以防止水气或灰尘进入封装壳内而干扰芯片的运作。
发明内容
本发明提供一种光电封装体，其具有透光保护层，而此透光保护层覆盖并接触芯片的主动区。
本发明另提供一种光电封装体的制造方法，以用于制造上述光电封装体。
本发明提出一种光电封装体，其包括一光电芯片、一透光保护层以及多个接垫。光电芯片具有一上表面以及一位于上表面的主动区。透光保护层连接光电芯片，并覆盖上表面，其中透光保护层接触并全面性地附着于主动区。这些接垫电性连接光电芯片。
换句话说，本发明提供一种光电封装体，其特征在于，该光电封装体包括：光电芯片，具有上表面以及位于该上表面的主动区；透光保护层，连接该光电芯片，并覆盖该上表面，其中该透光保护层接触并全面性地附着于该主动区；以及多个接垫，电性连接该光电芯片。
本发明其中一实施例另提出一种光电封装体的制造方法。首先，提供一芯片组件，其中芯片组件包括一光电芯片、多个电性连接光电芯片的接垫以及一基板；光电芯片与这些接垫配置在基板上，而光电芯片具有一上表面以及一位于上表面的主动区；接着，覆盖一透光材料于一芯片组件上，其中透光材料覆盖上表面并全面性地覆盖主动区；之后，固化透光材料，以使透光材料转变为一透光保护层。
基于上述，上述透光保护层覆盖光电芯片，并且覆盖及接触光电芯片的主动区，以使光电封装体内部基本上不会形成存留空气的间隙或腔室。如此，透光保护层得以密封以及保护光电芯片。
为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，但是此等说明与所附附图仅用来说明本发明，而非对本发明的保护范围作任何的限制。
附图说明
图1A至图1D是本发明实施例一的光电封装体的制造方法的剖面流程示意图；
图2A至图2C是本发明实施例二的光电封装体的制造方法的剖面流程示意图；
图3A至图3B是本发明实施例三的光电封装体的制造方法的剖面流程示意图；
图4A至图4C是本发明实施例四的光电封装体的制造方法的剖面流程示意图；
图5A至图5B是本发明实施例五的光电封装体的制造方法的剖面流程示意图；
图6A至图6D是本发明实施例六的光电封装体的制造方法的剖面流程示意图；
图7A至图7B是本发明实施例七的光电封装体的制造方法的剖面流程示意图；
图8A至图8B是本发明实施例八的光电封装体的制造方法的剖面流程示意图；
图9A至图9B是本发明实施例九的光电封装体的制造方法的剖面流程示意图；
图10A至图10C是本发明实施例十的光电封装体的制造方法的剖面流程示意图；
图11A至图11C是本发明实施例十一的光电封装体的制造方法的剖面流程示意图；
图12A至图12B是本发明实施例十二的光电封装体的制造方法的剖面流程示意图；
图13A至图13B是本发明实施例十三的光电封装体的制造方法的剖面流程示意图；
图14是本发明其中一实施例的光电封装体在其光电芯片处的局部放大立体示意图。
【主要元件附图标记说明】
10、20：芯片组件
16、16’、16”：透光材料
69：硅基板
100、200、300、400、401、500、501、600、700、800、801、900：光电封装体
110、210：光电芯片
112：上表面
114、214：主动区
120、220：接垫
122：底平面
130：键合导线
140、240、240’、940、940’：基板
150、450、650：透光基板
152：容置槽
154、452：平面
160、260、460、460’、560、660、860：透光保护层
162：底面
170：离形层
180：滤光层
242：外部线路
244：组装平面
280、380：接合层
490、490’、590、590’、690、990：挡墙
680t、780t：第一接合层
680b：第二接合层
690h、990h：开口
692：顶面
694：底面
790、790’：间格件
792、792’：通孔
942：贯孔
G1、G2：间隙
P1：微粒
具体实施方式
实施例一
图1A至图1D是本发明实施例一的光电封装体的制造方法的剖面流程示意图。请先参阅图1D，其表示出大致上已制造完成的实施例一的光电封装体100，而以下先介绍光电封装体100的结构。
光电封装体100包括一光电芯片110、一透光保护层160以及多个接垫120。光电芯片110可以是已封装好的芯片，或尚未封装的裸晶(die)。在功能方面，光电芯片110可以是光感测元件(photo-sensingcomponent)或发光元件(light-emitting component)，其中光感测元件可为影像传感器，其例如是互补式金属氧化物半导体影像传感器(CIS)或电荷耦合元件(Charge-Coupled Device，CCD)，而发光元件例如是发光二极管(Light-EmittingDiode，LED)。
光电芯片110具有一上表面112与一位于上表面112的主动区114，而主动区114能接收光线或发出光线。当光电芯片110为光感测元件时，主动区114能接收光线。当光电芯片110为发光元件时，光电芯片110可从主动区114发出光线，即主动区114可为发光元件的出光面。
透光保护层160连接光电芯片110，并且覆盖上表面112，其中透光保护层160接触并全面性地附着于(attached)主动区114，而在本实施例中，透光保护层160还紧密地包覆光电芯片110，并且全面性地及紧密地附着于上表面112与主动区114，以至于透光保护层160与光电芯片110之间基本上不会形成任何间隙(gap)或腔室。此外，透光保护层160的成分可以含有酰胺树脂(amide resin)。
在本实施例中，透光保护层160可为透明无色，并具有高透光率，其可介于90％至100％之间，例如透光率可为99％。不过，在其他实施例中，透光保护层160内可掺入吸光材料，例如染料，以使透光保护层160具有滤光的效果。如此，透光保护层160能滤除部分光线(例如紫外光等不可见光)，并只允许波长在特定范围内的光线(例如红光或绿光)通过。所以，透光保护层160可为透光并带有颜色，而本发明不限定透光保护层160一定是透明无色。
另外，在本实施例中，光电封装体100可包括一配置在透光保护层160上的滤光层180，其中滤光层180能滤除例如红外光或紫外光等不可见光。详细而言，滤光层180可含有多个滤光材料，其例如是二氧化钛颗粒及/或光触媒(photocatalysis)。这些滤光材料能吸收红外光，以阻挡红外光通过透光保护层160而入射于光电芯片110。
当然，视产品需求，滤光材料也可以是二氧化钛颗粒及/或光触媒以外的其他材料，或是还含有二氧化钛颗粒及/或光触媒以外的其他材料，而且滤光层180也可以设计成吸收紫外光的膜层。或者，光电封装体100也可以不包括滤光层180。所以，关于图1D所示滤光层180以及其所含有的滤光材料的种类，本发明不做限制。
此外，当光电芯片110为发光元件时，透光保护层160内可掺入荧光材料，以使透光保护层160具有荧光的效果。如此，透光保护层160能改变发光元件所发出的光线的波长。例如，当光电芯片110为蓝光发光二极管时，掺入于透光保护层160内的黄色荧光材料能将光电芯片110发出的部分蓝光转换成黄光，让光电封装体100发出白光。
这些接垫120电性连接光电芯片110，且本实施例中的这些接垫120采用打线方式(wire bonding)来电性连接光电芯片110。详细而言，光电封装体100还包括多条键合导线130，而这些键合导线130连接光电芯片110与这些接垫120，以使电信号能经由这些键合导线130在光电芯片110与这些接垫120之间传递。
透光保护层160接触并包覆这些键合导线130与这些接垫120，其中透光保护层160完全包覆键合导线130，但却局部包覆接垫120。详细而言，这些接垫120的底平面122未被透光保护层160覆盖，并且裸露于透光保护层160的底面162。如此，焊球等焊料块(图未示)能附着于这些接垫120的底平面122，以使光电封装体100能焊接在线路板(图未示)上，并且电性连接此线路板。
需要说明的是，虽然在图1D所示的实施例中，这些接垫120采用打线方式来电性连接光电芯片110，但在其他实施例中，这些接垫120与光电芯片110之间的电性连接也可采用覆晶方式(flip chip)。也就是说，光电芯片110可利用多个焊料块(例如焊球)来电性连接这些接垫120，其中这些焊料块与接垫120皆位于光电芯片110的正下方，而透光保护层160包覆并接触这些焊料块。因此，图1D中的键合导线130仅供举例说明，并非限定本发明。
以上主要叙述光电封装体100的结构。接下来，将配合图1A至图1D，详细说明光电封装体100的制造方法。
请参阅图1A，在光电封装体100的制造方法中，首先，提供一芯片组件10，其中芯片组件10包括光电芯片110、多个接垫120与基板140。在芯片组件10中，光电芯片110与这些接垫120皆配置在基板140上，且这些接垫120已电性连接光电芯片110。
具体而言，接垫120可以经由键合导线130来连接光电芯片110，即接垫120与光电芯片110之间的电性连接可采用打线方式。不过，接垫120也可以经由多个焊料块来连接光电芯片110，即接垫120与光电芯片110之间的电性连接可采用覆晶方式。此外，形成这些接垫120的方法可包括沉积(deposition)、微影(photolithography)以及蚀刻(etching)，其中上述沉积例如是溅镀、无电电镀或电镀。
基板140的种类有多种，而实施例一可采用二种基板140。第一种基板140可以是一块金属板，而这些接垫120可形成在此金属板(即基板140)上，并接触金属板，其中制作接垫120的金属材料不同于金属板的材料。例如，接垫120的材料可以是铜，而金属板的材料可以是镍。
第二种基板140具有二层以上的结构，并包括一板材与一高分子膜层(板材与高分子膜层皆图未示)。板材可为坚硬的板材，例如金属板、玻璃板或陶瓷板，而高分子膜层的材料可以是聚酰亚胺(Polyimide，PI)或聚对苯二甲酸乙二酯(PolyethyleneTerephthalate，PET)。这些接垫120可形成在此高分子膜层上，并接触高分子膜层，即高分子膜层位于这些接垫120与板材之间。
请参阅图1B与图1C，接着，覆盖透光材料16于芯片组件10上，使得透光材料16覆盖上表面112并全面性地覆盖主动区114。之后，固化透光材料16，以使透光材料16转变为透光保护层160，如图1C所示，其中固化透光材料16的方法可以是加热透光材料16或是对透光材料16照射光线，而让透光材料16固化的光线可以是紫外光。此外，透光材料16的成分可含有酰胺树脂，且透光材料16可在市面上购得。
关于覆盖透光材料16于芯片组件10上的方法，图1B与图1C的实施例可采用以下步骤来进行。请参阅图1B，在一透光基板150上形成透光材料16，其中透光基板150具有容置槽152，而透光材料16形成于容置槽152内。具体而言，透光基板150可为玻璃板或塑料板，而容置槽152可用化学蚀刻或机械加工来形成。透光材料16可以是液态材料，并有流动性，而透光材料16能填入于容置槽152中。
在填入透光材料16于容置槽152中以前，可以事先在容置槽152内形成一层离形层170，其中离形层170全面性地覆盖容置槽152的槽壁与槽底，而离形层170的材料可以是高分子材料，例如聚酰亚胺(PI)或聚对苯二甲酸乙二酯(PET)。接着，填入透光材料16于容置槽152中，以使透光材料16覆盖离形层170。
在透光基板150上形成透光材料16之后，可将芯片组件10翻转，以使光电芯片110朝下并面向容置槽152。接着，让芯片组件10与透光基板150相向移动，使得光电芯片110浸入于容置槽152内的透光材料16中。由于透光材料16可为液态材料，因此透光材料16不仅覆盖在芯片组件10上，且能紧密地包覆光电芯片110与键合导线130。
请参阅图1B与图1C，在光电芯片110浸入于透光材料16中之后，加热透光材料16或是对透光材料16照射光线(例如紫外光)，以固化透光材料16，从而形成透光保护层160，其中透光保护层160为固态材料，即透光保护层160不具流动性。由于透光保护层160不具流动性，因此在形成透光保护层160之后，可将芯片组件10再次翻转，以使光电芯片110与透光基板150皆位在基板140的上方，如图1C所示。
请参阅图1C与图1D，之后，移除基板140、透光基板150与离形层170。至此，光电封装体100基本上已制造完成。由于基板140可为金属板，或者基板140可以包括板材以及与接垫120接触的高分子膜层，因此移除基板140的方法可以是蚀刻(etching)或剥离(peeling)。
详细而言，当基板140为金属板时，由于制作接垫120的金属材料不同于金属板的材料，因此基板140可以用蚀刻液(etchant)来移除。当基板140包括板材以及高分子膜层时，板材可从高分子膜层剥离，而高分子膜层可以用有机溶剂来溶解而得以被移除。
离形层170与透光保护层160之间的结合力可小于离形层170与透光基板150之间的结合力，以促使透光基板150能从离形层170剥离。此外，离形层170的材料可为聚酰亚胺或聚对苯二甲酸乙二酯等高分子材料，所以离形层170也可用有机溶剂来溶解。由此可知，利用剥离与溶解的方式，也可以移除透光基板150与离形层170。
请参阅图1D，另外，在移除基板140、透光基板150与离形层170之后，可以在透光保护层160上形成滤光层180，其中滤光层180可以采用烧结镀膜的方式来形成。不过，由于光电封装体100也可不包括滤光层180，所以本实施例也可以不进行上述形成滤光层180的流程。
基于上述，由于透光材料16能紧密地包覆光电芯片110与键合导线130，所以在固化透光材料16以形成透光保护层160之后，透光保护层160可紧密地包覆光电芯片110，并全面性地及紧密地附着于光电芯片110的主动区114。因此，透光保护层160与光电芯片110之间基本上不形成任何间隙或腔室，且不存留空气。如此，透光保护层160能保护光电芯片110，免于被水气或灰尘所干扰。此外，相较于现有技术，光电封装体100也不需设计逃气孔。
实施例二
图2A至图2C是本发明实施例二的光电封装体的制造方法的剖面流程示意图，其中图2C表示出大致上已制造完成的实施例二的光电封装体200，而以下先介绍光电封装体200的结构。
请参阅图2C，光电封装体200包括光电芯片110、多条键合导线130、多个接垫220以及透光保护层260。光电封装体200与光电封装体100皆具有相同的结构、材料与功效。例如，接垫220与接垫120二者的材料及外形皆相同，而透光保护层260与透光保护层160二者材料相同，都是由透光材料16(请参阅图1B)所形成。不过，光电封装体200与光电封装体100之间仍存有差异，其主要在于：光电封装体200还包括透光基板150与基板240。
基板240为线路基板，并具有外部线路242、组装平面244与内部线路(图未示)等线路结构，而这些接垫220与光电芯片110皆配置在组装平面244上。内部线路具有至少一个盲孔结构(blind-via structure)或通孔结构(through-hole structure)。利用盲孔结构或通孔结构，内部线路能电性连接外部线路242与接垫220，以使接垫220电性连接基板240。此外，外部线路242包括多条走线(trace，未标示)与多个接垫(pad，图未示)，而外部线路242的接垫用于焊接例如主板等线路板。
在实施例二中，键合导线130连接这些接垫220与光电芯片110，即光电芯片110采用打线方式来电性连接这些接垫220。然而，在其他实施例中，光电芯片110也可采用覆晶方式来电性连接这些接垫220，所以光电芯片110不一定只能利用键合导线130来电性连接接垫220。
此外，由于这些接垫220电性连接基板240，而光电芯片110电性连接这些接垫220，因此电信号能经由键合导线130与接垫220而在光电芯片110与基板240之间传递。所以，光电芯片110、接垫220、键合导线130以及基板240能整合成一个电路板组件(circuit boardassembly)。
透光基板150具有容置槽152，而光电芯片110与这些接垫220皆配置在容置槽152内。透光保护层260填充于容置槽152，并包覆光电芯片110与这些接垫220。此外，透光保护层260连接光电芯片110，并覆盖上表面112，其中透光保护层260接触主动区114，并全面性地及紧密地附着于主动区114，以至于透光保护层260与光电芯片110之间基本上不会形成任何间隙或腔室。此外，透光保护层260还接触及连接组装平面244。
透光基板150配置在基板240的组装平面244上，而光电封装体200还包括一接合层280，其中接合层280用来连接透光基板150与基板240。具体而言，接合层280的形状可以是环状，而接合层280位于容置槽152外，并连接线路基板240与透光基板150，其中接合层280的材料可与透光保护层260的材料相同，且接合层280与透光保护层260二者可由透光材料16所形成。
以上主要叙述光电封装体200的结构。接下来，将配合图2A至图2C，详细说明光电封装体200的制造方法。
请参阅图2A，在光电封装体200的制造方法中，首先，提供一芯片组件20，其中芯片组件20包括光电芯片110、多个接垫220以及基板240。光电芯片110与这些接垫220皆配置在基板240上，且这些接垫220已电性连接光电芯片110，其中光电芯片110还装设(mounted)在基板240上，所以芯片组件20为一块线路板组件。
接垫220可以经由键合导线130来连接光电芯片110，即接垫220与光电芯片110之间的电性连接可采用打线方式。不过，接垫220与光电芯片110之间的电性连接也可采用覆晶方式。此外，接垫220的形成方法与实施例一中的接垫120的形成方法相同。
请参阅图2B与图2C，接着，覆盖透光材料16于芯片组件20上，使得透光材料16覆盖上表面112并全面性地覆盖主动区114。之后，固化透光材料16，以使透光材料16转变为透光保护层160，如图2C所示，其中固化透光材料16的方法可以是加热透光材料16，或是对透光材料16照射光线(例如紫外光)。
图2B与图2C的实施例可采用以下步骤来覆盖透光材料16于芯片组件20上。请参阅图2B，在透光基板150上形成透光材料16，其中透光材料16形成于容置槽152内以及透光基板150的平面154上，而容置槽152位于平面154。因此，透光材料16不仅位于容置槽152内，而且也位于容置槽152以外的区域(即平面154)，如图2B所示。
接着，可将芯片组件20翻转，以使光电芯片110朝下并面向容置槽152。然后，让芯片组件20与透光基板150相向移动，使得光电芯片110浸入于容置槽152内的透光材料16中。如此，液态的透光材料16不仅覆盖在芯片组件20上，并能紧密地包覆光电芯片110与键合导线130。
请参阅图2B与图2C，在光电芯片110浸入于透光材料16中之后，加热透光材料16，或是对透光材料16照射光线(例如紫外光)，以固化透光材料16，从而形成透光保护层260。之后，可将芯片组件20再次翻转，以使光电芯片110与透光基板150位在基板240的上方，如图2C所示。至此，光电封装体100基本上已制造完成。由此可知，光电封装体200与100二者制造方法的差异在于实施例二未用离形层170来移除透光基板150，且配置光电芯片110的基板240为线路基板。
值得一提的是，虽然实施例二的制造方法没有进行透光基板150以及基板240的移除，但本领域普通技术人员可根据以上第一与实施例二的内容，得知实施例二的基板240可以还换成不具任何线路结构的基板140，以及在实施例二的制造方法中采用离形层170来移除透光基板150，从而制造出不具有基板240或透光基板150的光电封装体200。因此，实施例一与实施例二二者的部分技术特征可以彼此互用。
实施例三
图3A至图3B是本发明实施例三的光电封装体的制造方法的剖面流程示意图。请参阅图3A与图3B，实施例三的光电封装体300与实施例二的光电封装体200二者功效相同，结构及制造方法都很相似，而以下仅说明光电封装体200与300二者的差异。至于光电封装体200与300二者相同特征，则不再重复叙述。
请先参阅图3B，光电封装体200与300二者的差异在于：光电封装体300的接合层380的材料不同于透光保护层260的材料不相同，而接合层380可以是黏胶(adhesive)，例如树脂(resin)，其中此树脂可以是含有二氧化硅的硅基树脂或是热固性树脂。
请参阅图3A，光电封装体300与200二者的制造方法几乎相同，二者差异只有在将透光材料16覆盖于芯片组件20上的时候，形成接合层380在透光基板150的平面154上，其中形成接合层380的方法可以是涂布黏胶。因此，在实施例三中，透光材料16不会接触到平面154。
实施例四
图4A至图4C是本发明实施例四的光电封装体的制造方法的剖面流程示意图。请先参阅图4C，其表示出大致上已制造完成的实施例四的光电封装体400，其中光电封装体400与实施例二的光电封装体200二者功效相同，结构与制造方法相似。据此，以下将主要介绍光电封装体400与200在结构与制造方法上的差异。
不同于上述光电封装体200，除了光电芯片110、多个接垫220、基板240、多条键合导线130、透光基板450以及透光保护层460之外，光电封装体400还包括一挡墙(dam)490，其中挡墙490围绕光电芯片110，并接触透光保护层460与光电芯片110。此外，挡墙490可以是模封材料(molding compound)。
透光基板450与上述透光基板150二者材料相同，都可为玻璃板或塑料板。透光基板450具有平面452，但不同于实施例二，透光基板450不具有任何位于平面452的容置槽152。此外，透光基板450配置在透光保护层460上，并连接透光保护层460。
透光保护层460的材料相同于透光保护层260的材料，其中透光保护层460也由透光材料16所形成。然而，透光保护层460与260二者不同之处在于外形不同，而且透光保护层460仅覆盖光电芯片110的上表面112，没有接触基板240的组装平面244。
光电芯片110、挡墙490与透光保护层460位于透光基板450与线路基板240之间，而透光保护层460夹置于透光基板450与挡墙490之间，以及夹置于透光基板450与光电芯片110之间。透光保护层460也接触键合导线130。不过，不同于实施例二，透光保护层460只包覆各条键合导线130的一部分，而非完全包覆键合导线130。各条键合导线130的其他部分则被挡墙490所包覆。
以上主要叙述光电封装体400的结构。接下来，将配合图4A至图4C，详细说明光电封装体400的制造方法。
请参阅图4A，在透光基板450上形成透光材料16，其中透光材料16全面性地覆盖平面452。由于透光材料16可为液态材料，因此透光材料16可用涂布或印刷方式来形成，即透光材料16可以是涂布在透光基板450上的涂层。
请参阅图4A与图4B，接着，预烘烤(prebaking)上述涂层(即透光材料16)，以形成流动性偏低的透光材料16’，而此透光材料16’的相状态(phase state)例如是B阶段(B-stage)，但本发明并不限定这时候的透光材料16’的相状态为B阶段。
在预烘烤透光材料16的过程中，透光材料16会被加热，且加热中的透光材料16的温度不会超过固化温度(curing temperature)。因此，虽然透光材料16’为流动性低，甚至不具流动性的膜层，但是透光材料16’并不是固化后的透光材料16，且透光材料16’甚至具有相当良好的柔软度。此外，需要强调的是，形成这种流动性偏低的透光材料16’的方法有多种，而以上预烘烤的方法只是其中一种方法。例如，透光材料16’也可以采用紫外光照射的方法来形成。所以，上述采用预烘烤形成透光材料16’的方法仅供举例说明，并非限定本发明。
之后，压合透光材料16’于芯片组件20上，以覆盖透光材料16’于光电芯片110的主动区114。由于透光材料16’具有相当良好的柔软度，因此当压合透光材料16’时，这些键合导线130不会被透光材料16’压垮，反而埋入于透光材料16’中，如图4B所示。在压合透光材料16’之后，透光材料16’与基板240之间形成间隙G1。
值得一提的是，在透光基板450上形成透光材料16’的方法也可以是贴合透光材料16’于透光基板450上。也就是说，透光材料16’可以是一层能贴合在平面452上的干膜(dryfilm)，因此形成透光材料16’的方法不一定只能进行涂布与预烘烤的步骤。
请参阅图4B与图4C，在压合透光材料16’于芯片组件20上之后，固化透光材料16’，以使透光材料16’转变为透光保护层460，其中透光保护层460会附着于光电芯片110的上表面112。固化透光材料16’的方法可以是加热透光材料16’，或是对透光材料16’照射光线(例如紫外光)，且透光保护层460会比透光材料16’较为坚硬，因此，在形成透光保护层460之后，键合导线130会被嵌入并固定于透光保护层460中。
值得一提的是，本实施例的透光材料16’具有以下特性。在透光材料16’的温度没有超过固化温度的条件下，透光材料16’的流动性会随着温度的变化而改变，且这种改变是一种可逆的改变。然而，一旦透光材料16’的温度超过固化温度的话，透光材料16’会开始固化，从而形成不具有流动性的透光保护层460，而透光保护层460本质上不会再受温度的变化而转变成流体或是发生软化的现象。换句话说，上述透光材料16’的固化是一种不可逆的改变。
举例而言，假设透光材料16’的固化温度例如是150℃。在加热透光材料16’，但不固化透光材料16’的过程中(即透光材料16’的加热温度不超过150℃)，当透光材料16’的温度约为70℃时，透光材料16’会具有偏低的流动性。当透光材料16’的温度约为100℃时，虽然透光材料16’并未固化，但透光材料16’基本上是不具有流动性。
承上所述，在未固化的透光材料16’从温度100℃降温至70℃之后，透光材料16’基本上会保有流动性，且此流动性等同于透光材料16’在70℃时的流动性。由此可知，只要透光材料16’的温度不超过固化温度，透光材料16’的流动性是可以随着温度的变化而改变，即在温度不超过固化温度的条件下，透光材料16’的流动性的变化是可逆的。
此外，由于透光材料16’在70℃时基本上会保有流动性，因此在压合透光材料16’于芯片组件20上的过程中，可先将透光材料16’的温度加热至大约70℃。或者，也可以先将透光材料16’加热至70℃以上的温度，例如100℃，以释出透光材料16’内的溶剂。之后，再让透光材料16’的温度下降到约70℃。
承上所述，当透光材料16’的温度约为70℃时，将温度约为70℃的透光材料16’压合于芯片组件20上。由于透光材料16’仍保有流动性，所以在压合此时的透光材料16’的过程中，这些键合导线130还不会被透光材料16’压垮，反而容易被埋入于透光材料16’中。
接着，填入模封材料于间隙G1中，以在间隙G1内形成挡墙490，其中模封材料可用液态注入的方式填满间隙G1。至此，光电封装体400基本上已制造完成。挡墙490填满整个间隙G1，因而接触透光保护层460与光电芯片110。此外，挡墙490也包覆各条键合导线130的一部分。因此，挡墙490、透光保护层460及基板240能密封光电芯片110，以保护光电芯片110免于水气或灰尘干扰。
实施例五
图5A至图5B是本发明实施例五的光电封装体的制造方法的剖面流程示意图。请参阅图5A与图5B，实施例五的光电封装体500与实施例四的光电封装体400二者功效相同，结构及制造方法都很相似，而以下仅说明光电封装体500与400二者的差异。至于光电封装体500与400二者相同特征，则不再重复叙述。
请先参阅图5A，光电封装体500与400二者制造方法的主要差异在于透光材料16”。详细而言，透光材料16”的成分、物理特性及化学特征均与透光材料16’相同，但透光材料16”是局部覆盖透光基板450的平面452，并非如同图4A至图4C所示，透光材料16及16’全面性地覆盖平面452。因此，部分平面452没有被透光材料16”所覆盖。
形成透光材料16”的方法有多种，而在实施例五中，透光材料16”可以采用曝光(exposing)及显影(development)的方式，或是印刷的方式而形成在平面452上，所以透光材料16”可含有感光剂，而上述印刷可以是网板印刷或喷墨印刷。另外，透光材料16”可以是预烘烤后的涂层，或是已经过曝光及显影后的干膜。
在形成透光材料16”之后，压合透光材料16”于芯片组件20上，以覆盖透光材料16”于光电芯片110的主动区114。由于透光材料16”的物理特性与透光材料16’相同，因此当压合透光材料16”时，键合导线130也不会被透光材料16”压垮，反而会埋入于透光材料16”中。此外，在压合透光材料16”于芯片组件20上之后，透光基板450与基板240之间形成一间隙G2。
请参阅图5A与图5B，接着，固化透光材料16”，以使透光材料16”转变为透光保护层560，其中透光保护层560附着于光电芯片110的上表面112，而固化透光材料16”的方法与固化透光材料16’的方法相同。此时，间隙G2会位在透光保护层560与光电芯片110的周围。接着，填入模封材料于间隙G2中，以在间隙G2内形成挡墙590，其中模封材料可用液态注入的方式填满间隙G2。至此，光电封装体500基本上已制造完成。
在光电封装体500中，挡墙590填满整个间隙G2，所以挡墙590会围绕透光保护层560与光电芯片110，并接触透光保护层560、透光基板450与光电芯片110。如此，挡墙590、透光保护层560以及基板240能密封光电芯片110，以保护光电芯片110免于被水气或灰尘所干扰。此外，挡墙590的厚度会大于光电芯片110的厚度，而光电芯片110、挡墙590与透光保护层560会位于透光基板450与线路基板240之间，如图5B所示。
实施例六
图6A至图6D是本发明实施例六的光电封装体的制造方法的剖面流程示意图，其中实施例六的光电封装体600与实施例五的光电封装体500相似，二者的主要差异在于：实施例六中的挡墙690的结构、材料以及制作方法皆不同于实施例五中的挡墙590。
请先参阅图6D，其表示出大致上已制造完成的光电封装体600。与实施例五相似的是，光电封装体600包括光电芯片110、多个接垫220、基板240、多条键合导线130、透光基板450、挡墙690以及透光保护层660。然而，不同于实施例五，光电封装体600的挡墙690是硅基板，且挡墙690也未接触光电芯片110，并没有包覆键合导线130。
此外，光电封装体600还包括一第一接合层680t与一第二接合层680b，其中第一接合层680t连接于透光基板450与挡墙690之间，而第二接合层680b连接于挡墙690与线路基板240之间。第一接合层680t与第二接合层680b二者的材料可以相同，且也可相同于实施例三的接合层380的材料，即第一接合层680t与第二接合层680b可为黏胶，其例如是含有二氧化硅的硅基树脂或是热固性树脂。
利用第一接合层680t与第二接合层680b，挡墙690得以黏合于透光基板450与基板240。由于挡墙690是硅基板，而透光基板450可为玻璃板，因此挡墙690与透光基板450二者材料相近，以至于挡墙690与透光基板450二者热膨胀系数差异不大。这样可降低挡墙690与透光基板450之间因热膨胀而发生结构破坏的机率。
此外，第一接合层680t与第二接合层680b可为硅基树脂，而挡墙690是硅基板，透光基板450为玻璃板。所以，第一接合层680t、第二接合层680b、挡墙690与透光基板450四者的成分都含有硅，以至于第一接合层680t与第二接合层680b二者与挡墙690及透光基板450之间能产生良好的黏合性(adhesive bonding)。因此，第一接合层680t与第二接合层680b能牢固地黏合挡墙690，促使挡墙690能稳固地固定在透光基板450与基板240之间。
以上主要叙述光电封装体600的结构。接下来，将配合图6A至图6D，详细说明光电封装体600的制造方法。
在光电封装体600的制造方法中，首先，配置挡墙690于基板240上，其中挡墙690为一块镂空板，并具有顶面692、底面694以及开口690h。开口690h显露于顶面692，而光电芯片110位于开口690h内。此外，从图6A来看，可以看出挡墙690的厚度大于光电芯片110的厚度。
请参阅图6B，挡墙690(即镂空板)可由硅基板69所制成，且挡墙690的形状可以是环状。详细而言，硅基板69例如是硅晶圆(siliconwafer)，而挡墙690可采用以下步骤来形成。首先，在硅基板69上形成多个开口690h，其中这些开口690h可采用化学蚀刻或机械加工来形成。接着，切割(dicing)硅基板69，以将硅基板69分割成多个具有开口690h的镂空板，从而形成完成多个挡墙690
请再次参阅图6A，当配置挡墙690于基板240上时，可先在线路基板240的组装平面244上，或是在挡墙690的底面694上，形成第二接合层680b，以使第二接合层680b能接合挡墙690与线路基板240。如此，挡墙690能被第二接合层680b固定在组装平面244上。此外，在配置挡墙690于基板240上的过程中，可在挡墙690的顶面692上形成第一接合层680t，如图6A所示。
请参阅图6C，接着，填入透光材料16于开口690h内，其中透光材料16的形成方法相同于实施例一及实施例二中透光材料16的形成方法，并且记载在上述实施例一及实施例二的内容里，所以不再重复叙述。此外，透光材料16填满开口690h，且不覆盖也不接触挡墙690的顶面692。
请参阅图6C与图6D，之后，压合透光基板450于挡墙690上，其中透光基板450覆盖光电芯片110。此时，透光基板450接触透光材料16与第一接合层680t。接着，固化透光材料16，以形成透光保护层660，其中固化透光材料16的方法例如是加热透光材料16，或是对透光材料16照射光线(例如紫外光)。在固化透光材料16之后，光电封装体600基本上已制造完成。
值得一提的是，在上述实施例六的说明中，光电封装体600包括包覆光电芯片110的透光保护层660，但是即使光电封装体600不包括透光保护层660，也就是在光电封装体600内部形成腔室的情况下，透光基板450、挡墙690、第一接合层680t、第二接合层680b以及基板240仍可以抵挡水气或灰尘进入上述腔室，帮助光电芯片110不受水气或灰尘的干扰。
实施例七
图7A至图7B是本发明实施例七的光电封装体的制造方法的剖面流程示意图。请参阅图7A与图7B，实施例七的光电封装体700与实施例六的光电封装体600二者功效相同，结构及制造方法都很相似，而以下仅说明光电封装体700与600二者的差异。至于光电封装体700与600二者相同特征，则不再重复叙述。
光电封装体700与600二者的差异在于：光电封装体700的第一接合层780t的材料相同于透光保护层660的材料。详细而言，光电封装体700与600二者的制造方法几乎相同，但在实施例七中，当填入透光材料16于开口690h内时，液态的透光材料16会填满整个开口690h，并且溢出至开口690h周围。也就是说，透光材料16会覆盖挡墙690的顶面692。
由此可知，当压合透光基板450于挡墙690上时，透光基板450的平面452会仅接触透光材料16。所以，在固化透光材料16之后，透光材料16会转变成透光保护层660以及第一接合层780t，其中第一接合层780t连接透光基板450与挡墙690。至此，光电封装体700基本上已制造完成。
实施例八
图8A至图8B是本发明实施例八的光电封装体的制造方法的剖面流程示意图。请参阅图8A与图8B，实施例八的光电封装体800与实施例四的光电封装体400(请参考图4C)二者功效相同，结构及制造方法都很相似，而且二者也包括一些相同的元件。对此，以下仅说明光电封装体800与400二者的差异。至于光电封装体800与400二者相同特征，则不再重复叙述。
光电封装体800也包括光电芯片110、多个接垫220、基板240、多条键合导线130以及透光基板450，但不同于图4C中的光电封装体400，光电封装体800并不包括任何挡墙490，且光电封装体800还包括一透光保护层860。
虽然透光保护层860的材料与制造方法皆相同于透光保护层460，但在实施例八中，透光保护层860不仅覆盖及接触光电芯片110的上表面112与主动区114，且还覆盖光电芯片110的侧面。因此，除了光电芯片110的底面，透光保护层860完全包覆整个光电芯片110以及所有键合导线130，以使透光保护层860与基板240密封光电芯片110，从而保护光电芯片110免于水气或灰尘干扰。
关于光电封装体800的制造方法，请先参阅图8A。在光电封装体800的制造方法中，首先，在透光基板450上形成透光材料16。相同于实施例四，透光材料16也是全面性地覆盖平面452，且透光材料16也可用涂布或印刷方式来形成。然而，比较图4A与图8A，可以明显看出，图8A所示的透光材料16的厚度要比图4A所示的透光材料16的厚度厚。
请参阅图8A与图8B，接着，预烘烤透光材料16，以降低透光材料16的流动性。与实施例四相同，透光材料16在预烘烤之后，会转变成流动性偏低，甚至不具流动性的柔软膜层，如同实施例四所述的透光材料16’(请参阅图4B)。
之后，压合预烘烤后的透光材料16于芯片组件20上，以覆盖此透光材料16于光电芯片110的主动区114。由于这时候的透光材料16已具有相当良好的柔软度，因此当压合透光材料16时，光电芯片110与这些键合导线130会被埋入于透光材料16中，如图8B所示。如此，透光保护层860能完全包覆整个光电芯片110以及所有键合导线130。此外，除了预烘烤透光材料16之外，图8A中的透光材料16也可采用贴合方式来形成，即透光材料16可为能贴合在平面452上的干膜。
在压合透光材料16于芯片组件20上之后，固化透光材料16，以使透光材料16转变为透光保护层860，其中固化透光材料16的方法可以是加热透光材料16，或是对透光材料16照射光线(例如紫外光)，以使键合导线130与光电芯片110被嵌入并固定于透光保护层860中。至此，光电封装体800基本上已制造完成。
实施例九
图9A至图9B是本发明实施例九的光电封装体的制造方法的剖面流程示意图。请参阅图9A与图9B，实施例九的光电封装体900与实施例六的光电封装体600相似，二者的主要差异在于：实施例九中的基板940具有一贯孔942，其供液态的透光材料16填入，且光电封装体900与600二者的制造方法有些不同。
请先参阅图9B，其表示出大致上已制造完成的光电封装体900。与实施例六相似的是，光电封装体900包括光电芯片110、多个接垫220、多条键合导线130、透光基板450、第一接合层680t、第二接合层680b、挡墙990及透光保护层660。然而，不同于实施例六，光电封装体900还包括具有贯孔942的基板940，其中贯孔942可以是用机械钻孔或激光钻孔来形成。
需要说明的是，基板940所具有的贯孔942的数量可以只有一个或多个。图9A或图9B所示的贯孔942的数量仅为一个，但图9A与图9B中的贯孔942的数量仅供举例说明，非用以限定本发明。此外，挡墙990可以是上述实施例中的挡墙590或690。
请参阅图9A，在光电封装体900的制造方法中，首先，配置挡墙990于基板940上，而挡墙990利用第二接合层680b与基板240黏合。挡墙990具有开口990h，而光电芯片110位于开口990h内。在挡墙990配置于基板940上之后，形成第一接合层680t于挡墙990上。此外，在本实施例中，贯孔942可以是在配置挡墙990以前而形成，但在其他实施例中，贯孔942也可在配置挡墙990以后而形成。
请参阅图9B，接着，压合透光基板450于挡墙990上，其中透光基板450覆盖光电芯片110，并经由第一接合层680t而黏合于挡墙990。之后，从贯孔942填入透光材料16(图9A与图9B图未示)，并使透光材料16包覆光电芯片110与键合导线130以及填满贯孔942。接着，固化透光材料16，以形成填满贯孔942的透光保护层660。至此，光电封装体900基本上已制造完成。
实施例十
图10A至图10C是本发明实施例十的光电封装体的制造方法的剖面流程示意图，其中实施例十的光电封装体801的结构实质上与实施例八的光电封装体800(请参阅图8B)相同，以下不再特别叙述光电封装体801的结构与功效，第十与实施例八二者的最大差异在于：光电封装体801与800二者的制造方法不同。
请参阅图10A，首先，提供一透光基板650，并将多个光电芯片110与一间格件(spacer)790装设在基板940’上，其中间格件790环绕这些光电芯片110，所以间格件790可以是环形，例如圆环形或方框形。基板940’为线路联板，其例如是线路母板(wiring panel)或基板条(strip)，且可被切割成多个线路基板。基板940’具有至少一个贯孔942，而在实施例十中，基板940’所具有的贯孔942的数量为一个，但在其他实施例中，基板940’可具有多个贯孔942。此外，基板940’的形状可以是圆盘或矩形板，且基板940’的尺寸可以实质上相同于硅晶圆的尺寸，但不限定本发明。
透光基板650的材料及形状大致上与透光基板450相同，差异在于：透光基板650的尺寸大于透光基板450的尺寸，且在后续流程中，透光基板650会被切割成多个透光基板450。此外，透光基板650平面的形状及面积可以实质上相同于基板940’平面的形状及面积。间格件790的材料与制造方法皆与挡墙990实质上相同，间格件790的尺寸不同于挡墙990，且间格件790能环绕这些光电芯片110。此外，间格件790可具有多个通孔792，如图10A所示。不过，在其他实施例中，间格件790也可只具有一个通孔792。
请参阅图10B，接着，将透光基板650压合于间格件790上，以密封光电芯片110。之后，从贯孔942填入透光材料16，并使透光材料16包覆光电芯片110。由于间格件790具有通孔792，因此在填入透光材料16的过程中，基板940’与透光基板650之间的空气可以从通孔792排出，以利于透光材料16的填入。
接着，固化透光材料16，以形成透光保护层(图1B未标示)，其中固化透光材料16的方法例如是加热透光材料16，或是对透光材料16照射光线(例如紫外光)。请参阅图10C，在固化透光材料16之后，切割透光基板650与基板940’，从而形成多个具有透光保护层860的光电封装体801。
实施例十一
图11A至图11C是本发明实施例十一的光电封装体的制造方法的剖面流程示意图，其中实施例十一的光电封装体401的结构实质上与实施例四的光电封装体400(请参阅图4C)相同，以下不再特别叙述光电封装体401的结构与功效。此外，实施例十一的光电封装体401的制造方法相似于实施例十，而以下仅针对实施例十一与实施例十制造方法上的差异进行说明。
请参阅图11A，首先，在透光基板450上形成透光材料16’，以及将多个光电芯片110与间格件790’装设在基板940’。透光材料16’全面性地覆盖平面452，而形成透光材料16’的方法已在上述实施例四中说明，故不再重复叙述。间格件790’环绕这些光电芯片110，且也具有至少一个通孔792’。相较于实施例十中的间格件790，间格件790’的高度较低，且通孔792’的尺寸可以小于通孔792的尺寸。
请参阅图11B，接着，将透光基板650压合于间格件790’上，以密封光电芯片110。此时，透光材料16’可接触于间格件790’。接着，加热透光材料16’，或是对透光材料16’照射光线(例如紫外光)，以将透光材料16’固化成透光保护层460’。这时候，透光保护层460’与基板940’之间会形成空腔，而空气会残留在这空腔内。
接着，从贯孔942’填入模封材料，并使模封材料与透光保护层460’覆盖光电芯片110。之后，固化模封材料，以使模封材料变成挡墙490’。由于间格件790’具有通孔792’，因此在填入模封材料的过程中，透光保护层460’与基板940’之间的空气可以从通孔792’排出，以利于模封材料的填入。请参阅图11C，在形成挡墙490’之后，切割透光基板650与基板940’，从而形成多个具有透光保护层460的光电封装体401。
实施例十二
图12A至图12B是本发明实施例十二的光电封装体的制造方法的剖面流程示意图，其中实施例十二的光电封装体501的结构实质上与实施例五的光电封装体500(请参阅图5B)相同，以下不再特别叙述光电封装体501的结构与功效，而以下仅针对实施例十二与实施例十制造方法上的差异进行说明。
请参阅图12A，首先，在透光基板650上形成透光材料16”，以及将多个光电芯片110与间格件790装设在基板940’。透光材料16”局部覆盖透光基板650的平面，其中形成透光材料16”的方法已在上述实施例五中说明，故不再重复叙述。间格件790环绕这些光电芯片110，并且具有一个或多个通孔792。
接着，将透光基板650压合于间格件790上，以密封光电芯片110。此时，这些透光材料16”接触于这些光电芯片110，但未接触间格件790。接着，加热透光材料16”，或是对透光材料16”照射光线(例如紫外光)，以将透光材料16”固化成透光保护层(也就是固化后的透光材料16”)。这时候，相邻二个光电芯片110之间会形成空腔，而空气会残留在这空腔内。
接着，从贯孔942填入模封材料，并使模封材料填满上述空腔。之后，固化模封材料，以使模封材料变成挡墙590’。由于间格件790具有通孔792，因此在填入模封材料的过程中，空腔内的空气可以从通孔792排出，以利于模封材料的填入。请参阅图12B，在形成挡墙590’之后，切割透光基板650与基板940’，从而形成多个具有透光保护层560与挡墙590的光电封装体501。
实施例十三
图13A至图13B是本发明实施例十三的光电封装体的制造方法的剖面流程示意图，其中实施例十三的光电封装体800的结构与实施例八的光电封装体800(请参阅图8B)相同，而以下不再特别叙述实施例十三光电封装体800的结构与功效，仅针对实施例十三与实施例八二者制造方法上的差异进行说明。
请参阅图13A，首先，在透光基板650上形成透光材料16’，以及将多个光电芯片110装设在基板240’，其中基板240’为线路联板，且基板240’上仅装设光电芯片110，未装设任何间格件790与790’。透光材料16’可全面性覆盖透光基板650的平面，其中透光材料16’的厚度比图4A所示的透光材料16的厚度来的厚。形成透光材料16’的方法已在上述实施例四中说明，故不再重复叙述。
接着，将透光基板650压合于基板240’上，而透光材料16’接触于这些光电芯片110。由于透光材料16’具有较厚的厚度，因此透光材料16’可完全包覆这些光电芯片110以及键合导线130。接着，加热透光材料16’，或是对透光材料16’照射光线(例如紫外光)，以将透光材料16’固化成透光保护层(也就是固化后的透光材料16’)。之后，切割透光基板650与基板240’，从而形成多个具有透光保护层860与透光基板450的光电封装体800。
特别说明的是，虽然上述实施例四至实施例十三中的光电封装体皆包括基板240(也就是线路基板)以及透光基板450，但本领域普通技术人员可根据实施例一的内容，得知实施例四至实施例十三的基板240可还换成不具任何线路结构的基板140，且也能推知实施例一中的离形层170与滤光层180可应用于实施例四至实施例十三的制造方法。
换句话说，利用实施例一中的基板140与离形层170，本领域普通技术人员可制造出不具有基板140及/或透光基板450的光电封装体400、401、500、501、600、700、800、801及900，或是具有与滤光层180的光电封装体400、401、500、501、600、700、800、801及900。因此，实施例一中的基板140、离形层170以及滤光层180也能应用于实施例四至实施例十三，而附图所示的光电封装体400、401、500、501、600、700、800、801及900仅供举例说明，并非限定本发明。
此外，以上实施例所揭示的这些光电封装体400、401、500、501、600、700、800、801及900的制造皆可采用晶圆级封装(Wafer LevelPackaging，WLP)技术。然而，需要强调的是，本发明的光电封装体并非仅限于采用晶圆级封装技术来制造，其他封装技术，例如芯片级封装(Chip Size Package，CSP)技术，也可应用于本发明。
综上所述，利用以上透光保护层来覆盖光电芯片，本发明的光电封装体内部基本上不会形成存留空气的间隙或腔室。如此，透光保护层能密封并保护光电芯片，以使光电芯片免于被水气或灰尘所干扰。
此外，本发明的光电封装体可以不需设计逃气孔。即使光电封装体没有任何逃气孔，在加热的时候，光电封装体内部基本上没有存留空气，所以不会发生因空气受热膨胀而挤坏光电封装体的情形。如此，可帮助提升产品良率，且也可省去制作逃气孔以及用胶材封住逃气孔的步骤，从而减少逃气孔所产生的制造成本。
值得一提的是，请参阅图14，其所表示的光电芯片210可以是上述实施例一至实施例十三中的光电芯片110，且图14中的光电芯片210为光感测元件。在制造上述实施例的光电封装体的过程中，光电芯片210的主动区214难免会被掉落的微粒(particle)P1所附着，而微粒P1通常是灰尘，或者是在制造过程中所产生的粉尘。当微粒P1附着于主动区214时，微粒P1多少会影响光电芯片210所撷取到影像的质量。
对此，在形成覆盖主动区214的透光保护层(例如透光保护层160、260、460、460’、560、660或860，而图14未示)之后，透光保护层会覆盖并固定主动区214上的微粒P1。此时，可利用光电芯片110内的逻辑电路(logic circuitry)来侦测微粒P1的所在位置。之后，根据微粒P1的所在位置，利用算法来进行影像校正(calibration)，即对主动区114内邻近微粒P1的像素以进行色彩调整或补偿，以降低微粒P1对撷取影像的质量所造成的不良影响，其中此算法例如是矩阵代数算法(matrix algebra methodology)。
在现有的影像传感器中，芯片主动区位于存有空气的空腔内，而微粒(例如灰尘或制造过程中所产生的粉尘)也会掉落在芯片主动区上，从而影响到影像传感器的影像撷取功能。由于掉落在芯片主动区上的微粒是位于存有空气的空腔内，且没有被固定，因此当移动、震动或晃动影像传感器时，微粒会在芯片主动区上移动。换句话说，微粒在芯片主动区上的位置不是固定不变的。
对此，当公知影像传感器运作，并经过信号交换(hand shaking)之后，影像传感器会不中断地对芯片主动区进行扫描，以追踪芯片主动区上的微粒的位置，并重复地进行影像校正，以维持撷取影像的质量。
比与上述公知影像传感器相比，本发明所揭示的透光保护层会覆盖微粒P1，所以微粒P1不会受到光电封装体的移动、震动或晃动而在主动区214上移动。因此，利用透光保护层对微粒P1的固定，光电芯片210可对主动区214只进行一次扫描，以确认微粒P1的所在位置。所以，光电芯片210不需要在信号交换后不中断地对主动区214进行扫描来追踪微粒P1的位置。如此，利用上述透光保护层，可在简化光电芯片210运作流程以及减轻光电芯片210工作负担的条件下，降低微粒P1对撷取影像的质量所造成的不良影响，进而维持或提升光电封装体的撷取影像的质量。
以上所述仅为本发明的具体实施例，其并非用以限定本发明的保护范围。任何本领域技术人员者，在不脱离本发明的精神与范围内，所作的修改及修饰的等效替换，仍属于本发明的保护范围。

Claims (36)

1.一种光电封装体，其特征在于，该光电封装体包括：
光电芯片，具有上表面、位于该上表面的主动区以及逻辑电路；
透光保护层，连接该光电芯片，并覆盖该上表面，其中该透光保护层接触并全面性地附着于该主动区，并用于覆盖及固定位于该主动区上的微粒，而该逻辑电路用于侦测微粒在该主动区上的所在位置，并根据该微粒的所在位置，利用算法来调整该光电芯片的影像撷取功能；以及
多个接垫，电性连接该光电芯片。
2.如权利要求1所述的光电封装体，其特征在于，该透光保护层的成分含有酰胺树脂。
3.如权利要求1所述的光电封装体，其特征在于，该光电封装体还包括多条键合导线，该多条键合导线连接该光电芯片与该多个接垫。
4.如权利要求3所述的光电封装体，其特征在于，该透光保护层接触该多条键合导线，并包覆各该键合导线的至少一部分。
5.如权利要求1所述的光电封装体，其特征在于，该光电封装体还包括挡墙，该挡墙围绕该光电芯片，并接触该透光保护层。
6.如权利要求5所述的光电封装体，其特征在于，该挡墙为模封材料或硅基板。
7.如权利要求5所述的光电封装体，其特征在于，该挡墙还围绕该透光保护层，且该挡墙的厚度大于该光电芯片的厚度。
8.如权利要求7项所述的光电封装体，其特征在于，该光电封装体还包括透光基板与线路基板，该透光基板配置在该透光保护层上，并连接该透光保护层，该线路基板具有组装平面，而该多个接垫、该挡墙与该光电芯片配置在该组装平面上，其中该光电芯片、该挡墙与该透光保护层位于该透光基板与该线路基板之间。
9.如权利要求8所述的光电封装体，其特征在于，该光电封装体还包括第一接合层与第二接合层，其中该第一接合层连接于该透光基板与该挡墙之间，而该第二接合层连接于该挡墙与该线路基板之间。
10.如权利要求9所述的光电封装体，其特征在于，该第一接合层的材料与该透光保护层的材料相同。
11.如权利要求5所述的光电封装体，其特征在于，该挡墙接触该光电芯片。
12.如权利要求11所述的光电封装体，其特征在于，该光电封装体还包括透光基板与线路基板，该透光基板配置在该透光保护层上，并连接该透光保护层，该线路基板具有组装平面，而该多个接垫、该挡墙与该光电芯片配置在该组装平面上，其中该光电芯片、该挡墙与该透光保护层位于该透光基板与该线路基板之间，而该透光保护层夹置于该透光基板与该挡墙之间，以及夹置于该透光基板与该光电芯片之间。
13.如权利要求8所述的光电封装体，其特征在于，该线路基板还具有至少一贯孔，该透光保护层填满该至少一贯孔。
14.如权利要求1所述的光电封装体，其特征在于，该光电封装体还包括透光基板，该透光基板具有容置槽，该光电芯片与该多个接垫皆配置在该容置槽内，该透光保护层填充于该容置槽，并包覆该光电芯片与该多个接垫。
15.如权利要求14所述的光电封装体，其特征在于，该光电封装体还包括线路基板与接合层，该线路基板具有组装平面，而该多个接垫与该光电芯片皆配置在该组装平面上，其中该透光保护层接触并连接该组装平面，该接合层位于该容置槽外，并连接该线路基板与该透光基板。
16.如权利要求15所述的光电封装体，其特征在于，该接合层的材料与该透光保护层的材料相同。
17.如权利要求1所述的光电封装体，其特征在于，该光电封装体还包括配置在该透光保护层上的滤光层。
18.一种光电封装体的制造方法，其特征在于，该制造方法包括：
提供芯片组件，其中该芯片组件包括光电芯片、多个电性连接该光电芯片的接垫以及基板，该光电芯片与该多个接垫配置在该基板上，而该光电芯片具有上表面以及位于该上表面的主动区；
覆盖透光材料于该芯片组件上，其中该透光材料覆盖该上表面并全面性地覆盖该主动区，并用于覆盖及固定位于该主动区上的微粒；以及
固化该透光材料，以使该透光材料转变为透光保护层；
在形成该透光保护层之后，利用该光电芯片内的逻辑电路来侦测微粒在该主动区上的所在位置；以及
根据该微粒的所在位置，利用算法来调整该光电芯片的影像撷取功能。
19.如权利要求18所述的光电封装体的制造方法，其特征在于，固化该透光材料的方法包括加热该透光材料，或对该透光材料照射紫外光。
20.如权利要求18所述的光电封装体的制造方法，其特征在于，该制造方法还包括：
在固化该透光材料之后，移除该基板。
21.如权利要求18所述的光电封装体的制造方法，其特征在于，该制造方法还包括：
在覆盖该透光材料于该芯片组件上之前，在透光基板上形成该透光材料；以及
覆盖该透光材料于该芯片组件上的步骤为压合该透光材料于该芯片组件上。
22.如权利要求21所述的光电封装体的制造方法，其特征在于，该透光基板具有平面，而该透光材料全面性地覆盖该平面。
23.如权利要求21所述的光电封装体的制造方法，其特征在于，该透光基板具有平面，而该透光材料局部覆盖该平面。
24.如权利要求21所述的光电封装体的制造方法，其特征在于，在固化该透光材料之后，移除该透光基板。
25.如权利要求21所述的光电封装体的制造方法，其特征在于，在该透光基板上形成该透光材料的方法包括贴合该透光材料于该透光基板上。
26.如权利要求21所述的光电封装体的制造方法，其特征在于，在该透光基板上形成该透光材料的方法包括：
在该透光基板上涂布涂层；以及
预烘烤该涂层。
27.如权利要求21所述的光电封装体的制造方法，其特征在于，该透光基板具有容置槽，该透光材料形成于该容置槽内。
28.如权利要求21所述的光电封装体的制造方法，其特征在于，在压合该透光材料于该芯片组件上之后，该透光基板与该基板之间存在间隙，该制造方法还包括填入模封材料于该间隙中。
29.如权利要求28所述的光电封装体的制造方法，其特征在于，该间隙形成于该基板与该透光保护层之间。
30.如权利要求28所述的光电封装体的制造方法，其特征在于，该间隙形成于该基板与该透光基板之间，并且位于该透光保护层的周围。
31.如权利要求18所述的光电封装体的制造方法，其特征在于，该制造方法还包括：
在覆盖该透光材料于该芯片组件上之前，配置镂空板于该基板上，其中该镂空板具有顶面、底面以及显露于该顶面的开口，而该光电芯片位于该开口内；以及
当覆盖该透光材料于该芯片组件上时，填入该透光材料于该开口内。
32.如权利要求31所述的光电封装体的制造方法，其特征在于，该透光材料填满该开口，并且未覆盖该顶面。
33.如权利要求31所述的光电封装体的制造方法，其特征在于，该透光材料填满该开口，并且覆盖该顶面。
34.如权利要求31所述的光电封装体的制造方法，其特征在于，该制造方法还包括在填入该透光材料于该开口内之后，压合透光基板于该镂空板上，其中该透光基板覆盖该光电芯片。
35.如权利要求31所述的光电封装体的制造方法，其特征在于，该镂空板是由硅基板所制成。
36.如权利要求18所述的光电封装体的制造方法，其特征在于，该基板为线路基板，并电性连接该多个接垫与该光电芯片。
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