JP7372256B2 - 固体撮像装置および電子機器 - Google Patents

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Description

本技術は、固体撮像装置および電子機器に関する。
固体撮像素子としてのイメージセンサを有する固体撮像装置には、イメージセンサと基板とを、突起状の端子であるバンプ等の接続部を介して電気的に接続した、いわゆるフリップチップ構造を備えたものがある。基板は、例えば、有機材料やセラミックス等の材料により形成された基材に配線層や電極等を設けたものであり、イメージセンサに受光される光を通すための開口部を有する。基板のイメージセンサ側と反対側には、基板の開口部を覆うようにガラス等の透光性部材が設けられ、イメージセンサの受光面側に中空部を形成したパッケージ構造が構成される。
フリップチップ構造においては、基板とイメージセンサとの間に、バンプ等の接続部の保護や補強等を目的としてアンダーフィル部が設けられている。アンダーフィル部は、例えば、流動体であるペースト状または液状の樹脂が硬化することで形成された部分である。アンダーフィル部には、比較的粘度が低い液状の樹脂を、毛細管現象を用いて流動させて形成するキャピラリーフロータイプのもの（キャピラリーアンダーフィル）がある。
アンダーフィル部を有するフリップチップ構造においては、アンダーフィル部を形成する硬化前の液状の樹脂（以下「アンダーフィル材料」という。）が、イメージセンサの受光領域である画素領域に達し、イメージセンサの特性に悪影響を及ぼすという問題がある。このような問題に対する技術が、例えば、特許文献１に開示されている。
特許文献１には、アンダーフィル材料がイメージセンサの画素領域に達することを防止すべく、基板とイメージセンサとの間の板面間の隙間寸法に基づき、基板の開口部の開口端部とイメージセンサの画素領域の端部との間隔の寸法を確保する技術が開示されている。また、特許文献１には、イメージセンサ上において、基板の開口部の開口端部と画素領域との間の部位、つまり、アンダーフィル材料の流れにおける画素領域の手前の部位に、堤防部や溝部を設けることで、画素領域側への樹脂の流れを止める構成が開示されている。
特開２００２－１２４６５４号公報
確かに、特許文献１に開示されているような従来の技術によれば、アンダーフィル材料が画素領域に達することを防ぐことができると考えられる。しかしながら、従来の技術によれば次のような問題がある。
まず、上述したように基板の開口部の開口端部とイメージセンサの画素領域の端部との間隔の寸法を確保する技術は、アンダーフィル材料が画素領域側へ広がることを前提としつつ、その広がりを許容する面積を確保するというものである。このため、かかる技術は、イメージセンサおよびパッケージ構造の小型化を妨げる。また、上述したようにイメージセンサ上における画素領域の手前の部位に堤防部や溝部を設けたりする構成も、イメージセンサにおいて堤防部や溝部を設けるスペースを確保する必要があるため、小型化の妨げとなる。
近年、イメージセンサがStaked Die化される傾向があること等から、イメージセンサチップの小型化が進んでいる。イメージセンサの小型化は、コストダウンに寄与する。しかしながら、従来の技術によれば、アンダーフィル材料が画素領域に達することを避ける観点から、基板の開口部の開口端部と画素領域との距離を近付けることが難しく、このことがイメージセンサの小型化を妨げる要因となっている。
本技術の目的は、アンダーフィル部を形成する材料が固体撮像素子の画素領域側へと流れることを抑制することができ、基板の開口部の開口端部と画素領域との距離を短くすることができ、固体撮像素子および装置の小型化を進めることができる固体撮像装置および電子機器を提供することである。
本技術に係る固体撮像装置は、半導体基板の一方の板面である表面側に多数の画素を含む受光領域である画素領域を有する固体撮像素子と、前記固体撮像素子に対して前記表面側に設けられ、前記画素領域に受光される光を通すための開口部を有する基板と、硬化した流動体により形成され、前記固体撮像素子と前記基板とを電気的に接続する接続部を覆うアンダーフィル部と、を備え、前記基板は、前記開口部を形成する面部に、前記アンダーフィル部を形成する流動体を、前記固体撮像素子の前記表面から遠ざかる方向に誘導するための溝部を有するものである。
本技術に係る固体撮像装置の他の態様は、前記固体撮像装置において、前記溝部は、半円筒状の凹曲面により形成されているものである。
本技術に係る固体撮像装置の他の態様は、前記固体撮像装置において、前記溝部は、前記基板の板厚方向について、前記固体撮像素子側からその反対側にかけて前記開口部の開口幅を狭める方向に傾斜しているものである。
本技術に係る固体撮像装置の他の態様は、前記固体撮像装置において、前記溝部は、前記基板の板厚方向について、前記固体撮像素子側からその反対側にかけて前記開口部の開口幅を広げる方向に傾斜しているものである。
本技術に係る電子機器は、半導体基板の一方の板面である表面側に多数の画素を含む受光領域である画素領域を有する固体撮像素子と、前記固体撮像素子に対して前記表面側に設けられ、前記画素領域に受光される光を通すための開口部を有する基板と、硬化した流動体により形成され、前記固体撮像素子と前記基板とを電気的に接続する接続部を覆うアンダーフィル部と、を備え、前記基板は、前記開口部を形成する面部に、前記アンダーフィル部を形成する流動体を、前記固体撮像素子の前記表面から遠ざかる方向に誘導するための溝部を有する固体撮像装置を備えたものである。
本技術によれば、アンダーフィル部を形成する材料が固体撮像素子の画素領域側へと流れることを抑制することができ、基板の開口部の開口端部と画素領域との距離を短くすることができ、固体撮像素子および装置の小型化を進めることができる。
本技術の第１実施形態に係る固体撮像装置の構成を示す斜視図である。 本技術の第１実施形態に係る固体撮像装置の構成を示す平面図である。 図２におけるＡ－Ａ線切断部端面図である。 図２におけるＢ－Ｂ線切断部端面図である。 本技術の第１実施形態に係る基板の構成を示す斜視図である。 本技術の第１実施形態に係る基板の構成を示す平面図である。 図６におけるＣ－Ｃ断面図である。 図６におけるＤ－Ｄ断面図である。 本技術の第１実施形態に係る固体撮像装置の製造方法についての説明図である。 本技術の第１実施形態に係る固体撮像装置の製造方法についての説明図である。 本技術の第１実施形態に係る固体撮像装置の製造方法についての説明図である。 本技術に対する比較例の構成において生じる現象についての説明図である。 本技術の第２実施形態に係る固体撮像装置の構成を示す側面端面断面図である。 本技術の第２実施形態に係る基板の構成を示す平面図である。 図１４におけるＥ－Ｅ断面図である。 本技術の第３実施形態に係る固体撮像装置の構成を示す側面端面断面図である。 本技術の第３実施形態に係る基板の構成を示す平面図である。 図１７におけるＦ－Ｆ断面図である。 本技術の第３実施形態に係る固体撮像装置における作用効果についての説明図である。 本技術の実施形態に係る基板が有する溝部の変形例を示す図である。 本技術の実施形態に係る基板が有する溝部の変形例を示す図である。 本技術の実施形態に係る固体撮像装置を備えた電子機器の構成例を示すブロック図である。
本技術は、固体撮像素子と固体撮像素子に受光される光を通すための開口部を有する基板とを電気的に接続する接続部を覆うアンダーフィル部を備えた構成において、基板の開口部を形成する面の形状を工夫することにより、アンダーフィル部を形成する流動体が固体撮像素子の画素領域側に流れることを抑制しようとするものである。
以下、図面を参照して、本技術を実施するための形態（以下「実施形態」と称する。）を説明する。なお、実施形態の説明は以下の順序で行う。
１．第１実施形態に係る固体撮像装置の構成例
２．第１実施形態に係る固体撮像装置の製造方法
３．第２実施形態に係る固体撮像装置の構成例
４．第３実施形態に係る固体撮像装置の構成例
５．基板の溝部の変形例
６．電子機器の構成例
＜第１実施形態に係る固体撮像装置の構成例＞
本技術の第１実施形態に係る固体撮像装置１の構成例について、図１から図８を参照して説明する。図１に示すように、固体撮像装置１は、固体撮像素子としてのイメージセンサ２と、イメージセンサ２に受光される光を通すための開口部４が形成された基板３と、基板３上に支持された透光性部材としてのガラス５とを備える。また、固体撮像装置１は、イメージセンサ２と基板３とを電気的に接続する接続部である金属バンプ６と、金属バンプ６を覆うアンダーフィル部７とを備える。なお、図１および図２においては、便宜上、ガラス５を二点鎖線で示している。
固体撮像装置１は、イメージセンサ２と基板３とを複数の金属バンプ６を介して電気的に接続した、いわゆるフリップチップ構造を備えたものである。固体撮像装置１は、基板３のイメージセンサ２側と反対側に開口部４を覆うようにガラス５をマウントし、イメージセンサ２とガラス５との間に、基板３の開口部４の内部空間を含む密閉空間であるキャビティ８を有するパッケージ構造を備えている。
イメージセンサ２は、半導体の一例であるシリコン（Ｓｉ）により構成されたシリコン製の半導体基板を含み、半導体基板の一方の板面側（図１において上側）を受光側とする。イメージセンサ２は、矩形板状のチップであり、受光側の板面を表面２ａとし、その反対側の板面を裏面２ｂとする。本実施形態に係るイメージセンサ２は、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）型のイメージセンサである。ただし、イメージセンサ２はＣＣＤ（Charge Coupled Device）型のイメージセンサであってもよい。
イメージセンサ２の大部分は、半導体基板により構成されており、表面２ａ側には、イメージセンサ素子が形成されている。イメージセンサ２は、表面２ａ側に、受光部として、例えばベイヤ（Ｂａｙｅｒ）配列等の所定の配列で形成された多数の画素を含む受光領域である画素領域２ｃを有し、画素領域２ｃの周囲の領域を周辺領域とする。画素領域２ｃは、各画素における光電変換により信号電荷の生成、増幅、および読み出しを行う有効画素領域を含む。
画素領域２ｃの画素は、光電変換機能を有する光電変換部としてのフォトダイオードと、複数の画素トランジスタとを有する。フォトダイオードは、イメージセンサ２の表面２ａ側から入射する光を受光する受光面を有し、その受光面に入射した光の光量（強度）に応じた量の信号電荷を生成する。複数の画素トランジスタは、例えば、フォトダイオードにより生成された信号電荷の増幅、転送、選択、およびリセットをそれぞれ受け持つＭＯＳトランジスタを有する。なお、複数の画素に関しては、複数の単位画素を構成するフォトダイオードおよび転送トランジスタが、他の１つずつの画素トランジスタを共有して構成される共有画素構造のものであってもよい。
イメージセンサ２の表面２ａ側においては、半導体基板に対して、酸化膜等からなる反射防止膜や、有機材料により形成された平坦化膜等を介して、カラーフィルタおよびオンチップレンズが各画素に対応して形成されている。オンチップレンズに入射した光が、カラーフィルタや平坦化膜等を介してフォトダイオードで受光される。
イメージセンサ２の構成としては、例えば、半導体基板の表面側に画素領域２ｃを形成した表面照射型（Front Side Illumination）のものや、光の透過率を向上させるためにフォトダイオード等を逆に配置し半導体基板の裏面側を受光面側とした裏面照射型（Back Side Illumination）のものや、画素群の周辺回路を積層した１つのチップとしたもの等がある。ただし、本技術に係るイメージセンサ２は、これらの構成のものに限定されない。
基板３は、イメージセンサ２に対して表面２ａ側に設けられ、イメージセンサ２の画素領域２ｃに受光される光を通すための開口部４を有する。基板３は、全体として矩形板状の外形を有し、一方の板面である表面３ａと、その反対側の他方の板面である裏面３ｂとを有する。基板３は、例えば、プラスチック等の有機材料やセラミックス等の材料により形成された基材に配線層や電極等を設けたものである。
基板３は、イメージセンサ２に対して平行状に設けられており、板面の中央部に開口部４を有する。開口部４は、基板３の矩形状の外形形状に対応して略矩形状の開口形状を有し、基板３の表面３ａから裏面３ｂにかけて貫通状に形成されている。したがって、基板３は、全体として枠状の形状を有し、枠状をなす４つの辺部により、矩形状の開口部４を形成されている。開口部４は、平面視で略矩形状をなす４つの内側面部１０により形成されている。
このような基板３に対し、イメージセンサ２は、基板３の裏面３ｂ側において、受光面を、開口部４から基板３の表面３ａ側に臨ませた状態で設けられている。イメージセンサ２は、基板３の開口部４よりも大きい外形を有し、基板３に対して、下側から開口部４を塞ぐように設けられている。開口部４は、平面視においてイメージセンサ２の画素領域２ｃの全体が開口部４の開口範囲内に位置するように形成されている。
すなわち、画素領域２ｃは、イメージセンサ２の平面視外形に対応して矩形状の領域として形成されており、平面視において、画素領域２ｃの外縁をなす各辺は、開口部４を形成する各内側面部１０に対して内側に位置している。言い換えると、平面視において、開口部４を形成する各内側面部１０と、開口部４内に位置する画素領域２ｃの外縁をなす各辺との間には間隔Ｌ１（図２、図３参照）が存在している。
金属バンプ６は、イメージセンサ２の表面２ａと基板３の裏面３ｂとの間に介在し、イメージセンサ２と基板３とを互いに電気的に接続している。金属バンプ６は、突起状の端子であり、例えば、イメージセンサ２の表面２ａに形成された電極と、基板３の裏面３ｂに形成された配線層とを電気的に接続する。イメージセンサ２と基板３との間に金属バンプ６が存在することにより、イメージセンサ２の表面２ａと基板３の裏面３ｂとの間に隙間が形成されている。この隙間の寸法Ｌ２（図３参照）は、例えば２０μｍ程度である。
金属バンプ６は、例えば、イメージセンサ２の表面２ａに形成された電極の数に応じて、例えば、開口部４の周囲において所定の間隔を隔ててアレイ状に並ぶように複数設けられている。金属バンプ６は、例えば、Ａｕスタッドバンプ、半田ボールバンプ、Ａｕ－Ａｇ合金バンプ等である。金属バンプ６は、アンダーフィル部７により覆われている。
アンダーフィル部７は、硬化した流動体である樹脂により形成され、イメージセンサ２と基板３との間に存在する金属バンプ６を覆う。アンダーフィル部７は、イメージセンサ２の外周部と、基板３の開口部４周りの内周部との間において、複数の金属バンプ６を内包するように形成され、イメージセンサ２と基板３との隙間を封止する樹脂封止部である。アンダーフィル部７は、フリップチップ構造において、イメージセンサ２と基板３との間に、金属バンプ６および金属バンプ６による接続部分の保護や補強等を目的として設けられている。
アンダーフィル部７は、ペースト状または液状の樹脂がベーキング等によって硬化することで形成された液状硬化性樹脂部分である。本実施形態において、アンダーフィル部７は、比較的粘度が低い液状の樹脂を、毛細管現象を用いて流動させて形成されたキャピラリーフロータイプのもの（キャピラリーアンダーフィル）である。
アンダーフィル部７の材料としては、例えばモールド材として用いられる樹脂材料が用いられる。具体的には、アンダーフィル部７の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂や、熱硬化性樹脂にケイ素酸化物を主成分としたフィラーを分散させたもの等が用いられる。
アンダーフィル部７となる液状の樹脂材料（例えば、熱硬化性樹脂、以下「アンダーフィル材料」という。）は、例えば、ディスペンサのノズルから吐出されながら、毛細管現象により流動し、アレイ状に設けられた複数の金属バンプ６の全体を被覆するとともに、イメージセンサ２と基板３との間の隙間を埋めるように塗布される。これにより、平面視において、イメージセンサ２と基板３とが互いに重なる部分の形状に対応して、つまり開口部４の開口形状に沿って、アンダーフィル部７が矩形枠状の領域に形成される。
アンダーフィル部７は、アンダーフィル材料の表面張力やアンダーフィル材料が流動する面の濡れ性や等により、金属バンプ６の周囲からはみ出した部分を有する。具体的には、アンダーフィル部７は、イメージセンサ２の表面２ａと基板３の裏面３ｂとの対向部分に存在する面間介在部７ａと、面間介在部７ａからイメージセンサ２の外周側にはみ出した部分である外側はみ出し部７ｂとを有する。
ガラス５は、透明部材の一例であって、基板３よりも小さい矩形板状の部材である。ガラス５は、基板３上に設けられることで、イメージセンサ２の受光側において、イメージセンサ２に対して平行状にかつ所定の間隔を隔てて設けられている。ガラス５は、基板３の表面３ａに対して接着剤等により固定されている。
ガラス５は、基板３に対して、開口部４の全体を上側から覆うように設けられている。したがって、ガラス５は、開口部４の開口寸法よりも大きい外形寸法を有する。このように、ガラス５は、イメージセンサ２の上方において、基板３の開口部４を介してイメージセンサ２の表面２ａに対向するように設けられている。
ガラス５は、通常その上方に位置するレンズ等の光学系から入射する各種光を透過させ、キャビティ８を介してイメージセンサ２の受光面にその光を伝達する。ガラス５は、イメージセンサ２の受光面側を保護する機能を有するとともに、基板３およびアンダーフィル部７と相俟ってキャビティ８内への外部からの水分（水蒸気）やダスト等の侵入を遮断する機能を有する。なお、ガラス５の代わりに、例えば、プラスチック板、あるいは赤外光のみを透過するシリコン板等を用いることができる。
以上のような構成を備えた固体撮像装置１においては、ガラス５を透過した光が、キャビティ８内を通って、イメージセンサ２の画素領域２ｃに配された各画素を構成する受光素子により受光されて検出される。
以上のようにアンダーフィル部７を有するフリップチップ構造の固体撮像装置１は、アンダーフィル部７を形成する過程でアンダーフィル材料の流れを制御すべく、次のような構成を備える。すなわち、固体撮像装置１において、基板３は、その開口部４を形成する面部である内側面部１０に、アンダーフィル部７を形成する流動体、つまりアンダーフィル材料を、イメージセンサ２の表面２ａから遠ざかる方向に誘導するための溝部１１を有する。
溝部１１は、内側面部１０の平面部分に対して、凹状の部分として形成されている。つまり、溝部１１は、内側面部１０において、凹状面１２により形成されている。したがって、内側面部１０は、基板３の板面に対して垂直状の平面である平面部１３と、平面部１３に対する凹面である凹状面１２とを有する。
溝部１１は、基板３の板厚方向の全体にわたって、上下方向に沿うように、つまり基板３の板面に対して垂直状に形成されている。したがって、溝部１１は、凹状面１２によって、基板３の板厚方向（上下方向）の全体にわたって一定の水平断面形状をなし、基板３の表面３ａ側および裏面３ｂ側の両側を開放させている。
本実施形態では、溝部１１は、半円筒状の凹曲面により形成されている。つまり、溝部１１を形成する凹状面１２は、半円筒状の凹曲面となっている。したがって、基板３の平面視において、直線状となる平面部１３に対し、溝部１１は、凹状面１２により半円状の曲線をなす。
図に示す例では、溝部１１は、開口部４を形成する各内側面部１０において所定の間隔を空けて２箇所に設けられている。したがって、基板３は、開口部４をなす面部において８箇所に溝部１１を有する。各内側面部１０において、２箇所の溝部１１は、同様の配置態様により設けられている。なお、基板３が有する溝部１１の数は限定されるものではなく、また、各内側面部１０における溝部１１の数や配置態様は異なっていてもよい。
溝部１１を有する構成によれば、アンダーフィル部７の形成過程において、イメージセンサ２と基板３との間に供給されたアンダーフィル材料の一部が、溝部１１を通って、基板３の裏面３ｂ側から表面３ａ側に向かう方向、つまりイメージセンサ２の表面２ａから遠ざかる方向に誘導される。溝部１１は、毛細管現象によってアンダーフィル材料を誘導する。すなわち、イメージセンサ２と基板３との間において、溝部１１の下側の開放部に達したアンダーフィル材料が、毛細管現象により吸い上げられる態様で、凹状面１２上に導かれる。
このように溝部１１にアンダーフィル材料が誘導されることで、溝部１１の凹状面１２上でアンダーフィル材料が硬化した部分が、アンダーフィル部７の一部として存在する。したがって、アンダーフィル部７は、イメージセンサ２の表面２ａと基板３の裏面３ｂとの間の面間介在部７ａと、外側はみ出し部７ｂとに加え、溝部１１内に誘導されたアンダーフィル材料が硬化した導出部７ｃを有する。
溝部１１による毛細管現象を発現させる観点から、半円筒状の凹曲面である凹状面１２の直径Ｄ１（図６参照）は、例えば１０～５０μｍの範囲内の寸法であることが望ましい。ただし、凹状面１２の直径の大きさは特に限定されるものではない。また、より多くのアンダーフィル材料を誘導する観点からは、溝部１１の数は多い方が望ましい。
また、溝部１１によるアンダーフィル材料の誘導作用を得る構成において、金属バンプ６の高さについては、例えば２０μｍ程度であることが望ましい。また、アンダーフィル材料の粘度については、常温時で２０Ｐａ・ｓ以下であることが望ましく、より望ましくは常温時で１０Ｐａ・ｓ程度である。
＜２．第１実施形態に係る固体撮像装置の製造方法＞
本技術の第１実施形態に係る固体撮像装置１の製造方法の一例について、図９から図１１を用いて説明する。
まず、図９Ａに示すように、表面側に各イメージセンサ２に対応する画素領域２ｃが形成されたシリコンウェーハ２０が準備される。シリコンウェーハ２０は、イメージセンサ２を形成するための各種工程を経たものである。つまり、シリコンウェーハ２０は、一方の板面側に画素群が形成されたイメージセンサ２となる部分が所定の配列で複数形成された半導体ウェーハである。近年では、シリコンウェーハ２０として、主に８インチや１２インチのウェーハが使用される。
図９Ａに示すように、シリコンウェーハ２０に対しては、シリコンウェーハ２０をデバイス特性に影響がない程度の所望の厚さとするため、シリコンウェーハ２０を裏面２０ｂ側から削るＢＧ（Back-Grinding）工程が行われる。ＢＧ工程では、例えば、ダイヤモンドホイル等のバックグラインドホイル２１が用いられ、シリコンウェーハ２０の研磨が行われる。なお、シリコンウェーハ２０の裏面２０ｂの面粗度を上げるため、ＢＧ工程の後に、ケミカルポリッシュやドライポリッシュ等の鏡面仕上げの工程を行ってもよい。
次に、図９Ｂに示すように、シリコンウェーハ２０に対し、所定のダイシングラインに沿ってダイシングが行われる。すなわち、シリコンウェーハ２０を、所定の配列に沿ってイメージセンサ２に対応する部位ごとに分割するように切断して個片化する工程が行われる。ダイシングの工程では、チャックテーブル２２上にセットされたシリコンウェーハ２０が、イメージセンサ２毎に分かれるように、ダイシングブレード２３により分断されて個片化される。これにより、多数のセンサーチップとしてのイメージセンサ２が得られる。
続いて、図９Ｃに示すように、各イメージセンサ２に対して、金属バンプ６を形成する工程が行われる。イメージセンサ２の表面２ａに形成された電極上に、例えば、ワイヤボンディング装置が用いられ、金属バンプ６としてのＡｕスタッドバンプが形成される。Ａｕスタッドバンプは、コスト低減の観点から、できるだけ小さいことが望ましく、例えば、２０μｍ程度の高さに形成される。
一方、基板３は、イメージセンサ２の製造プロセスを含むフリップチップ構造のパッケージのメインのプロセスフローとは別の工程である基板作成工程で作成される。図１０Ａに示すように、基板作成工程では、固体撮像装置１を構成する基板３となる基板部分３Ａが２次元的に連なった集合基板２５が作成される。図示では、集合基板２５において６個の基板部分３Ａが繋がった部分を示しているが、例えば数十個分から数百個分の基板部分３Ａにより一体の集合基板２５が形成されている。
集合基板２５は、プラスチック等の有機材料やセラミックス等の材料により形成された基材に配線層や電極等を設けたものである。したがって、基板作成工程では、集合基板２５となる基材が準備され、その基材に対し、配線層や電極等を設ける配線工程等が行われる。
次に、集合基板２５の各基板部分３Ａに対して開口部４を形成する工程である開口部形成工程が行われる。開口部形成工程では、図１０Ｂに示すように、例えば、所定の駆動機構２６によって往復移動可能に設けられた打抜き用の治具であるパンチングヘッド２７を有するパンチングプレス機により、開口部４が打抜き形成される。
パンチングヘッド２７は、開口部４に対応した形状を有する。したがって、パンチングヘッド２７において、集合基板２５に作用する部分は、開口部４の平面部１３に対応した平面部分２７ａと、溝部１１を形成するための突起部分２７ｂとを有する。突起部分２７ｂは、平面部１３に対応した平面部分２７ａから突出した半円筒状の突条部である。このようなパンチングヘッド２７によれば、溝部１１を有する開口部４が打抜き加工のみによって形成される。
パンチングプレス機においては、集合基板２５が、パンチングヘッド２７を受け入れる開口部２８ａを有するステージ２８上にセットされた状態で、パンチングヘッド２７が基板部分３Aの所定の部位に対して近付く方向（矢印Ｐ１参照）に移動することで基板部分３Aが打ち抜かれ、開口部４が形成される。開口部形成工程により、図１０Ｃに示すように、各基板部分３Ａに開口部４が形成された集合基板２５である集合開口基板２５Ａが得られる。
開口部形成工程では、次のような方法を採用することができる。まず、集合基板２５の基板部分３Ａに対し、単純な矩形状の横断面を有するパンチングヘッドを有するパンチングプレス機によって矩形状の開口部分を打抜き形成する。つまり、開口部４において平面部１３となる平面部分を打抜き加工によって形成する。その後、打抜き形成された開口部分をなす平面部分に対し、ドリル等の加工器具によって溝部１１を形成する。このような方法によれば、単純な開口部分を形成する打抜き工程と、開口部分をなす平面部分に溝部１１を形成する切削工程（溝形成工程）との２段階の工程により、溝部１１を有する開口部４が形成される。
集合開口基板２５Ａは、フリップチップ構造のパッケージのメインのプロセスに投入される。そして、図１１Ａに示すように、イメージセンサ２と集合開口基板２５Ａとのフリップチップ接合が行われる。すなわち、集合開口基板２５Ａの各基板部分３Ａに対し、基板３の裏面３ｂとなる裏面２５ｂ側から、開口部４を塞ぐように、イメージセンサ２がフリップチップ実装される。
フリップチップ接合は、金属バンプ６の種類等に応じて、導電性接着剤を用いた方法や、フィルム形の異方性導電膜を用いた方法や、超音波接合法や、圧接法等が適宜用いられて行われる。集合開口基板２５Ａにイメージセンサ２がフリップチップ実装された状態において、集合開口基板２５Ａとイメージセンサ２との間の隙間の寸法は、金属バンプ６の高さに対応して、例えば２０μｍ程度となる。
次に、図１１Ｂに示すように、アンダーフィル部７を形成する工程が行われる。この工程では、アンダーフィル材料が、図示せぬディスペンサのノズルから吐出されながら、各イメージセンサ２と基板部分３Ａとの間の隙間（以下「センサ－基板間ギャップ」という。）に供給される。ここでは、例えば、センサ－基板間ギャップに対し、イメージセンサ２の外周側から、アンダーフィル材料が供給される。
センサ－基板間ギャップに供給されたアンダーフィル材料は、毛細管現象によりセンサ－基板間ギャップ内に浸透する態様で流入し、複数の金属バンプ６の全体を被覆するとともに、イメージセンサ２と基板３との間の隙間を埋めるように拡散する。ここで、センサ－基板間ギャップの外周側においては、アンダーフィル材料がその表面張力等によってフィレット状に拡がってセンサ－基板間ギャップ部分からはみ出す。また、イメージセンサ２と基板３との間において、溝部１１の下側の開放部に達したアンダーフィル材料は、毛細管現象により溝部１１を這い上がる態様で、凹状面１２上に導かれる。
アンダーフィル材料の粘度に関しては、粘度が低過ぎると、画素領域２ｃ側にアンダーフィル材料が浸入しやすくなり、粘度が高過ぎると、センサ－基板間ギャップにおける浸透に時間がかかることになる。このため、アンダーフィル材料としては、常温時で２０Ｐａ・ｓ以下であるもの、望ましくは常温時で１０Ｐａ・ｓ程度のものが使用される。
センサ－基板間ギャップにアンダーフィル材料が供給された後、アンダーフィル材料に含まれる溶剤を気化させてアンダーフィル材料を固化させるために、所定の温度条件でベーキングが行われる。ベーキングの温度は、アンダーフィル材料やそれに含まれる溶剤等に合わせて適宜設定される。ベーキングの設備としては、ホットプレートやオーブン等が必要に応じて適宜選択・使用される。ベーキングを行うことにより、アンダーフィル材料が固化し、面間介在部７ａ、外側はみ出し部７ｂ、および溝部１１内の導出部７ｃを有するアンダーフィル部７が形成される（図４参照）。
次に、図１１Ｃに示すように、イメージセンサ２が接合されてアンダーフィル部７が形成された集合開口基板２５Ａが反転され、マーキングが行われる。マーキングでは、例えば、集合開口基板２５Ａの各基板部分３Ａに対し、レーザーマーキング等によりシリアルナンバー等の固有の識別情報が付される。
次に、図１１Ｃに示すように、集合開口基板２５Ａの各基板部分３Ａの裏面側における所定の部位に、半田ボール２９を形成する工程が行われる。半田ボール２９は、例えば、各基板部分３Ａの裏面側に形成されたソルダーレジストの開口部を介して、基板部分３Ａの配線部に電気的に接続されるように形成される。
半田ボール２９は、例えば、ソルダーレジストの開口部にフラックスを塗布した状態でボール状の半田を載せる方法や、印刷技術を用いてソルダーレジストの開口部にソルダペーストを印刷し、その後リフローする方法等により形成される。半田ボール２９は、固体撮像装置１が適用される所定の装置において固体撮像装置１が実装される回路基板に対する電気的な接続を行うための端子となる。
続いて、図１１Ｄに示すように、各基板部分３Ａにイメージセンサ２が実装された集合開口基板２５Ａが、装置単位で分割されて個片化されるダイシング工程が行われる。この工程では、集合開口基板２５Ａが基板部分３Ａ毎に分かれるように、ダイシングブレード３０により集合開口基板２５Ａが分断されて複数の装置要素３１に個片化される。
そして、個片化された各装置要素３１に対し、基板３の表面３ａ側にガラス５が接着剤等により固定されて搭載される。以上のような製造工程により、固体撮像装置１が得られる。なお、集合開口基板２５Ａの状態で各基板部分３Ａに対してガラス５を搭載した後、集合開口基板２５Ａに対するダイシングが行われてもよい。
以上のような本実施形態に係る固体撮像装置１によれば、アンダーフィル部７を形成する材料がイメージセンサ２の画素領域２ｃ側へと流れることを抑制することができる。これにより、基板３の開口部４の開口端部と画素領域２ｃとの距離、つまり開口部４を形成する平面部１３と、平面視でこれに対向する画素領域２ｃの縁端との水平方向の距離（図３、間隔Ｌ１、以下「基板開口端と画素との距離」という。）を短くすることができる。結果として、イメージセンサ２および固体撮像装置１の小型化を進めることができる。
本実施形態に係る固体撮像装置１のようなパッケージ構造においては、アンダーフィル部７を形成する工程において、画素領域２ｃへのアンダーフィル材料の流入を防止するため、基板開口端と画素との距離を一定以上保つ必要がある。ここで、基板３の開口部４において溝部１１が設けられていない構成を比較例の構成として想定する。つまり、比較例の構成では、基板３Ｘは、全体的に平面部１３のような平面１３Ｘにより形成された開口部４Ｘを有する。
比較例の構成の場合、基板開口端と画素との距離が不十分であると、例えば図１２に示すように、アンダーフィル材料が画素領域２ｃ上に浸入し、イメージセンサ２の特性が低下することになる。図１２に示す例では、アンダーフィル部７Ｘの一部として、センサ－基板間ギャップから内周側にはみ出した内側はみ出し部７ｄが形成されており、この内側はみ出し部７ｄが、画素領域２ｃの縁端部上に被さっている。このように、従来技術では、画素領域へのアンダーフィル材料の浸入を回避する観点から、内側はみ出し部７ｄが画素領域２ｃ上に被さらないように基板開口端と画素との距離を確保する必要があり、センサーチップの小型化に限界がある。
これに対し、本実施形態に係る固体撮像装置１は、基板３の開口部４において、アンダーフィル材料を誘導するための溝部１１を有する。このような構成により、センサ－基板間ギャップに対する塗布エリアから浸入してきたアンダーフィル材料は、毛細管現象によって溝部１１内へと導かれ、溝部１１により上方に誘導される。これにより、アンダーフィル材料が画素領域２ｃ側に進行することが抑制される。
すなわち、本実施形態に係る固体撮像装置１は、基板３の開口部４の溝部１１により、アンダーフィル材料の流れを、画素領域２ｃの方（内側）に進行する方向から、開口部４の内側面部１０を這い上がる方向に制御することで、アンダーフィル材料がセンサ－基板間ギャップから画素領域２ｃ側にはみ出すことを抑制する。これにより、例えば、基板開口端と画素との距離が、図１２に示すように比較例の構成においてアンダーフィル材料が画素領域２ｃに達するような距離であっても、本実施形態の固体撮像装置１の構成を採用することで、アンダーフィル材料が画素領域２ｃに達することを回避することができる。結果として、基板開口端と画素との距離を従来よりも短くすることができ、イメージセンサ２の小型化に寄与することができる。
また、溝部１１の形状に関し、本実施形態では、溝部１１が半円筒状の凹曲面により形成されている。このような構成によれば、凹状面１２の表面積の確保が容易となり、アンダーフィル材料の誘導作用を効果的に得ることができる。また、溝部１１を、ドリル等の加工器具によって容易に形成することができる。
＜３．第２実施形態に係る固体撮像装置の構成例＞
本技術の第２実施形態に係る固体撮像装置５１の構成例ついて、図１３から図１５を参照して説明する。なお、以下の説明では、第１実施形態と共通の構成については同一の符号を付して適宜説明を省略する。また、図１３は、図４において溝部１１の中心部を通るＢ－Ｂ位置と同様に、溝部６１の中心部を通る位置における切断部端面図を示している。
本実施形態の固体撮像装置５１は、第１実施形態の固体撮像装置１との対比において、基板３の開口部４の溝部１１が所定の向きに傾斜している点で異なる。
図１３から図１５に示すように、本実施形態の固体撮像装置５１において、基板３の開口部４の溝部６１は、基板３の板厚方向（図１５における上下方向）について、イメージセンサ２側からその反対側にかけて開口部４の開口幅を狭める方向に傾斜している。
溝部６１は、内側面部１０の平面部１３に対して凹状の部分である凹状面６２により形成されている。溝部６１は、基板３の板厚方向について、イメージセンサ２側（図１５における下側）からその反対側（図１５における上側）にかけて外側から内側に向かう方向、つまり開口部４の開口幅を狭める方向に傾斜している。
具体的には、溝部６１を形成する凹状面６２は、半円弧状の水平断面形状をなす凹曲面部６２ａを含み、基板３の表面３ａ側および裏面３ｂ側の両側を開放させている。凹曲面部６２ａは、側面断面視において、基板３の裏面３ｂ側から表面３ａ側にかけて、基板３の外縁側である外側（図１５において左右外側）から開口部４側である内側（図１５において左右内側）に向かうように傾斜した直線をなす。
また、溝部６１を形成する凹状面６２は、凹曲面部６２ａに対して内側の部位に、垂直状の平面である平面部６２ｂを有する。平面部６２ｂは、溝部６１の幅方向について対向する部位に形成されている。平面部６２ｂにより、溝部６１の下側（裏面３ｂ側）の開口面積は、上側（表面３ａ側）の開口面積よりも広くなっている。
本実施形態の固体撮像装置５１の製造方法においては、基板３の開口部４を形成する開口部形成工程において、例えば、上述したようなパンチングプレス機によって開口部分を形成する打抜き工程と、ドリル等の加工器具を用いて、開口部分をなす平面部分に溝部６１を形成する切削工程（溝形成工程）とが行われる。すなわち、開口部形成工程として、開口部４において平面部１３となる平面部分を打抜き加工によって形成した後、打抜き形成された開口部分をなす平面部分に対し、ドリル等の加工器具によって溝部６１を形成することが行われる。
以上のような本実施形態に係る固体撮像装置５１によれば、第１実施形態に係る固体撮像装置１によって得られる作用効果に加え、次のような作用効果を得ることができる。
すなわち、本実施形態に係る固体撮像装置５１においては、溝部６１が下側（イメージセンサ２側）から上側（ガラス５側）にかけて開口部４の開口幅を徐々に狭くする向きに傾斜している。このような構成によれば、溝部６１の傾斜面をなす凹曲面部６２ａにより、上方に誘導されるアンダーフィル材料をせき止める作用が得られる。
これにより、溝部６１により誘導されるアンダーフィル材料が、溝部６１を這い上がり基板３の表面３ａ上に達することを抑制することができる。すなわち、凹曲面部６２ａの傾斜角度の調整により、溝部６１内におけるアンダーフィル材料の這い上がりの挙動を制御することが可能となり、アンダーフィル材料が基板３の表面３ａ上に達することを防ぐことが可能となる。
これにより、ガラス５が支持される支持面となる基板３の表面３ａにアンダーフィル材料が付着することを防止でき、アンダーフィル材料がガラス５の搭載構造に影響を与えることを防ぐことができる。なお、図１３においては、アンダーフィル部７の一部として、溝部６１内においてせき止められたアンダーフィル材料により形成された導出部７ｃが示されている。
＜４．第３実施形態に係る固体撮像装置の構成例＞
本技術の第３実施形態に係る固体撮像装置７１の構成例ついて、図１６から図１９を参照して説明する。なお、図１６は、図４において溝部１１の中心部を通るＢ－Ｂ位置と同様に、溝部８１の中心部を通る位置における切断部端面図を示している。
本実施形態の固体撮像装置７１は、第１実施形態の固体撮像装置１との対比において、ガラス５の代わりに、複数のレンズ７４およびガラス７５を含む光学系としてのレンズユニット７３を備える点と、基板３の開口部４の溝部１１が所定の向きに傾斜している点で異なる。
図１６に示すように、レンズユニット７３は、基板３の表面３ａ側に設けられており、複数のレンズ７４により、被写体からの光をイメージセンサ２に結像する。レンズユニット７３は、筒状に構成された支持筒７６を有し、支持筒７６内に、レンズ７４およびガラス７５を支持している。本実施形態では、支持筒７６は、その筒軸方向が光軸方向となるように、３枚のレンズ７４を、スペーサ等を介して上下方向に積層させた状態で支持している。最下段のレンズ７４の下方であって、支持筒７６の下端部に、ガラス７５が支持されている。なお、レンズ７４の枚数は特に限定されない。
レンズユニット７３は、基板３上において、光軸方向がイメージセンサ２の板面に対して垂直な方向（上下方向）となるように設けられている。レンズユニット７３は、支持筒７６の下端部を基板３の表面３ａの外周部上に接着剤等により固定させて支持させた状態で、基板３上にマウントされている。ガラス７５は、第１実施形態のガラス５と同様に透明部材の一例であり、レンズユニット７３に支持された状態において、イメージセンサ２に対して平行状に、かつ基板３の表面３ａに対して所定の間隔を隔てた位置に、開口部４の全体を上側から覆うように設けられている。
本実施形態のパッケージ構造においては、イメージセンサ２とアンダーフィル部７と基板３とガラス７５と支持筒７６の下端部とにより、基板３の開口部４の内部空間を含む密閉空間であるキャビティ７８が形成されている。このような構成においては、複数のレンズ７４により集光された光が、ガラス７５を透過し、キャビティ７８を介してイメージセンサ２の受光面に入射する。また、本実施形態に係る固体撮像装置７１は、例えば、図１６に示すように、基板３の裏面３ｂ側の所定の部位に配された半田ボール７９を介して、プラスチック等の有機材料やセラミックス等により構成された回路基板８０に実装されて使用される。
次に、本実施形態に係る基板３の溝部８１について説明する。図１６から図１８に示すように、本実施形態の固体撮像装置７１において、基板３の開口部４の溝部８１は、基板３の板厚方向（図１８における上下方向）について、イメージセンサ２側からその反対側にかけて開口部４の開口幅を広げる方向に傾斜している。
溝部８１は、内側面部１０の平面部１３に対して凹状の部分である凹状面８２により形成されている。溝部８１は、基板３の板厚方向について、イメージセンサ２側（図１８における下側）からその反対側（図１８における上側）にかけて内側から外側に向かう方向、つまり開口部４の開口幅を広げる方向に傾斜している。
具体的には、溝部８１を形成する凹状面８２は、半円弧状の水平断面形状をなす凹曲面部８２ａを含み、基板３の表面３ａ側および裏面３ｂ側の両側を開放させている。凹曲面部８２ａは、側面断面視において、基板３の裏面３ｂ側から表面３ａ側にかけて、基板３の開口部４側である内側（図１８において左右内側）から外縁側である外側（図１８において左右外側）に向かうように傾斜した直線をなす。
また、溝部８１を形成する凹状面８２は、凹曲面部８２ａに対して内側の部位に、垂直状の平面である平面部８２ｂを有する。平面部８２ｂは、溝部８１の幅方向について対向する部位に形成されている。平面部８２ｂにより、溝部８１の下側（裏面３ｂ側）の開口面積は、上側（表面３ａ側）の開口面積よりも狭くなっている。
本実施形態の固体撮像装置７１の製造方法においては、基板３の開口部４を形成する開口部形成工程において、第２実施形態の場合と同様に、例えば、上述したようなパンチングプレス機によって開口部分を形成する打抜き工程と、ドリル等の加工器具を用いて、開口部分をなす平面部分に溝部８１を形成する切削工程（溝形成工程）とが行われる。また、パッケージのメインのプロセスにおいて、集合開口基板２５Ａに対するダイシング工程の前の工程または後の工程として、基板３にレンズユニット７３を搭載する工程が行われる。
以上のような本実施形態に係る固体撮像装置７１によれば、第１実施形態に係る固体撮像装置１によって得られる作用効果に加え、次のような作用効果を得ることができる。
すなわち、本実施形態に係る固体撮像装置７１においては、溝部８１が下側（イメージセンサ２側）から上側（ガラス７５側）にかけて開口部４の開口幅を徐々に広くする向きに傾斜している。このような構成によれば、下側から上側にかけて徐々に溝部８１の流路断面積が大きくなるため、溝部８１内を這い上がる態様で誘導されるアンダーフィル材料が溝部８１内に溜まることを抑制することができる。すなわち、凹曲面部８２ａの傾斜角度の調整により、溝部８１内におけるアンダーフィル材料の這い上がりの挙動を制御することが可能となり、アンダーフィル材料が溝部８１内に溜まることを抑制することが可能となる。
これにより、アンダーフィル材料が溝部８１内に溜まることで表面張力等によって溝部８１の外側に膨出した状態で固化することを抑制することができる。溝部８１の外側に膨出したアンダーフィル部分は、基板３の開口部４においては内側への張り出し部分となり、開口部４を通って画素領域２ｃに受光される光を妨げ、イメージセンサ２のセンサ特性に影響を及ぼす可能性がある。したがって、上述のとおり、溝部８１の傾斜によって、アンダーフィル材料が溝部８１内に溜まることが抑制されることで、溝部８１からのアンダーフィル部分の張り出し部分が形成されにくくなり、アンダーフィル部分がセンサ特性に影響することを低減ないし防止することが可能となる。
また、本実施形態に係る固体撮像装置７１は、ガラス７５を支持したレンズユニット７３を、支持筒７６の下端部を基板３の表面３ａの外周部上に支持させた状態で基板３上にマウントした構成を備える。かかる構成によれば、例えば第１実施形態の固体撮像装置１のように基板３の開口部４を覆うようにガラス５をマウントした構成の場合と異なり、アンダーフィル材料が基板３の表面３ａ上に達することを許容することが可能となる。
具体的には、図１９に示すように、基板３の表面３ａの外周部に支持された支持筒７６によって支持されたガラス７５は、基板３の表面３ａにおける開口部４の周囲において、基板３の表面３ａとの間に間隔Ｍ１を空けた状態で支持されている。このため、ガラス７５の搭載構造に影響を与えることなく、基板３の表面３ａにおけるガラス７５との対向部分３ｃ（特に開口部４の周囲の部分）に、アンダーフィル材料を付着させることができる。つまり、アンダーフィル材料が基板３の表面３ａ上に達することが許容される。
したがって、例えば、図１９に示すように、アンダーフィル部７において、面間介在部７ａと、外側はみ出し部７ｂと、溝部８１内の導出部７ｃとに加え、導出部７ｃからの延出部分として、基板３の表面３ａ上に達したアンダーフィル材料が硬化した乗上げ部７ｅを形成することが可能となる。これにより、例えば溝部８１の傾斜角度の調整等によって意図的に乗上げ部７ｅを形成することで、より多くのアンダーフィル材料を画素領域２ｃ側から遠ざける方向に導くことが可能となり、アンダーフィル材料が画素領域２ｃに達することを効果的に回避することができる。なお、第１，第２実施形態に係る溝部１１，６１を有する基板３であっても、固体撮像装置１，５１においてガラス５の代わりにレンズユニット７３を備えることで、アンダーフィル部７において乗上げ部７ｅを形成することが可能となり、上述したような効果が得られる。
＜５．基板の溝部の変形例＞
本技術の実施形態に係る基板３が有する溝部の変形例について説明する。
図２０Ａに示すように、第１の変形例の溝部１１Ａは、「Ｖ」字状の水平断面形状をなすものである。溝部１１Ａは、「Ｖ」字状の断面形状をなす一対の傾斜面９１ａにより形成されている。つまり、溝部１１Ａは、Ｖノッチ状に形成された凹部である。
図２０Ｂに示すように、第２の変形例の溝部１１Ｂは、矩形状に沿う水平断面形状をなすものである。溝部１１Ｂは、矩形状に沿う断面形状をなす底面９２ａと、互いに対向する一対の側面９２ｂとにより形成されている。
図２０Ｃに示すように、第３の変形例は、一対の傾斜面９３ａにより形成されたＶノッチ状の凹部である溝部１１Ｃが連続状に形成され、矩形状の開口部４をなす各内側面部１０が三角波状に形成されたものである。この構成において、隣り合う溝部１１Ｃ間の部分は、平面視で山形状をなす突条部９３ｃとなる。
図２０Ｄに示すように、第４の変形例は、底面９４ａと一対の側面９４ｂとにより形成された矩形状に沿う凹部である溝部１１Ｄが連続状に形成され、矩形状の開口部４をなす各内側面部１０が矩形波状に形成されたものである。この構成において、隣り合う溝部１１Ｃ間の部分は、平面視で矩形状に沿う突条部９４ｃとなる。
図２０Ａ～図２０Ｄに示す各変形例の溝部は、いずれも基板３の板厚方向の全体にわたって基板３の板面に対して垂直状に形成されているが、これらの変形例の溝部は、第２実施形態の溝部６１や第３実施形態の溝部８１のように、基板３の板厚方向に対して傾斜するように形成されてもよい。
図２１Ａに示すように、第５の変形例の溝部１１Ｅは、側面断面視で左右外側を凸側とする湾曲線をなす凹状面９５により形成されている。このように、本技術に係る溝部は、基板３の板厚方向について曲線状に形成されていてもよい。凹状面９５は、例えば、横方向（基板３の板面に沿う方向）を筒軸方向とする半円筒状の凹曲面である。
図２１Ｂに示すように、第６の変形例の溝部１１Ｆは、側面断面視で基板３の板厚方向について曲線状をなす凹状面９６により形成されていている。しかも、凹状面９６は、第２実施形態の溝部６１のように、基板３の板厚方向について下側から上側にかけて開口部４の開口幅を狭める方向に傾斜している。
図２１Ｃに示すように、第７の変形例の溝部１１Ｇは、側面断面視で基板３の板厚方向について曲線状をなす凹状面９７により形成されていている。しかも、凹状面９７は、第３実施形態の溝部８１のように、基板３の板厚方向について下側から上側にかけて開口部４の開口幅を広げる方向に傾斜している。
以上のような各種変形例によっても、上述したような作用効果を得ることができる。特に、図２１Ｂに示すような第６の変形例の構成によれば、溝部１１Ｆの傾斜方向から、第２実施形態の構成による作用効果と同様の作用効果を得ることができる。また、図２１Ｃに示すような第７の変形例の構成によれば、溝部１１Ｇの傾斜方向から、第３実施形態の構成による作用効果と同様の作用効果を得ることができる。
＜６．電子機器の構成例＞
上述した実施形態に係る固体撮像装置の電子機器への適用例について、図２２を用いて説明する。なお、ここでは第１実施形態に係る固体撮像装置１の適用例について説明する。
固体撮像装置１は、デジタルスチルカメラやビデオカメラ等の撮像装置や、撮像機能を有する携帯端末装置や、画像読取部に固体撮像素子を用いる複写機など、画像取込部（光電変換部）に固体撮像素子を用いる電子機器全般に対して適用可能である。固体撮像素子は、ワンチップとして形成された形態のものであってもよいし、撮像部と信号処理部または光学系とがまとめてパッケージングされた撮像機能を有するモジュール状の形態のものであってもよい。
図２２に示すように、電子機器としての撮像装置１００は、光学部１０２と、固体撮像装置１と、カメラ信号処理回路であるＤＳＰ(Digital Signal Processor)回路１０３と、フレームメモリ１０４と、表示部１０５と、記録部１０６と、操作部１０７と、電源部１０８とを備える。ＤＳＰ回路１０３、フレームメモリ１０４、表示部１０５、記録部１０６、操作部１０７および電源部１０８は、バスライン１０９を介して相互に接続されている。
光学部１０２は、複数のレンズを含み、被写体からの入射光（像光）を取り込んで固体撮像装置１の撮像面上に結像する。固体撮像装置１は、光学部１０２によって撮像面上に結像された入射光の光量を画素単位で電気信号に変換して画素信号として出力する。
表示部１０５は、例えば、液晶パネルや有機ＥＬ(Electro Luminescence)パネル等のパネル型表示装置からなり、固体撮像装置１で撮像された動画または静止画を表示する。記録部１０６は、固体撮像装置１で撮像された動画または静止画を、ハードディスクや半導体メモリ等の記録媒体に記録する。
操作部１０７は、ユーザによる操作の下に、撮像装置１００が持つ様々な機能について操作指令を発する。電源部１０８は、ＤＳＰ回路１０３、フレームメモリ１０４、表示部１０５、記録部１０６および操作部１０７の動作電源となる各種の電源を、これら供給対象に対して適宜供給する。
以上のような撮像装置１００によれば、固体撮像装置１において、アンダーフィル材料がイメージセンサ２の画素領域２ｃ側へと流れることを抑制することができ、基板開口端と画素との距離を短くすることができ、イメージセンサ２および固体撮像装置１の小型化、延いては撮像装置１００の小型化を進めることができる。
上述した実施形態の説明は本技術の一例であり、本技術は上述の実施形態に限定されることはない。このため、上述した実施形態以外であっても、本開示に係る技術的思想を逸脱しない範囲であれば、設計等に応じて種々の変更が可能であることは勿論である。また、本開示に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものでは無く、また他の効果があってもよい。また、上述した各実施形態の構成および変形例の構成は適宜組み合せることができる。
なお、本技術は、以下のような構成を取ることができる。
（１）
半導体基板の一方の板面である表面側に多数の画素を含む受光領域である画素領域を有する固体撮像素子と、
前記固体撮像素子に対して前記表面側に設けられ、前記画素領域に受光される光を通すための開口部を有する基板と、
硬化した流動体により形成され、前記固体撮像素子と前記基板とを電気的に接続する接続部を覆うアンダーフィル部と、を備え、
前記基板は、前記開口部を形成する面部に、前記アンダーフィル部を形成する流動体を、前記固体撮像素子の前記表面から遠ざかる方向に誘導するための溝部を有する
固体撮像装置。
（２）
前記溝部は、半円筒状の凹曲面により形成されている
前記（１）に記載の固体撮像装置。
（３）
前記溝部は、前記基板の板厚方向について、前記固体撮像素子側からその反対側にかけて前記開口部の開口幅を狭める方向に傾斜している
前記（１）または前記（２）に記載の固体撮像装置。
（４）
前記溝部は、前記基板の板厚方向について、前記固体撮像素子側からその反対側にかけて前記開口部の開口幅を広げる方向に傾斜している
前記（１）または前記（２）に記載の固体撮像装置。
（５）
半導体基板の一方の板面である表面側に多数の画素を含む受光領域である画素領域を有する固体撮像素子と、
前記固体撮像素子に対して前記表面側に設けられ、前記画素領域に受光される光を通すための開口部を有する基板と、 硬化した流動体により形成され、前記固体撮像素子と前記基板とを電気的に接続する接続部を覆うアンダーフィル部と、を備え、
前記基板は、前記開口部を形成する面部に、前記アンダーフィル部を形成する流動体を、前記固体撮像素子の前記表面から遠ざかる方向に誘導するための溝部を有する
固体撮像装置を備えた
電子機器。
１ 固体撮像装置
２ イメージセンサ（固体撮像素子）
２ａ 表面
２ｃ 画素領域
３ 基板
４ 開口部
５ ガラス
６ 金属バンプ（接続部）
７ アンダーフィル部
７ａ 面間介在部
７ｂ 外側はみ出し部
７ｃ 導出部
１０ 内側面部
１１ 溝部
１２ 凹状面
５１ 固体撮像装置
６１ 溝部
６２ 凹状面
７１ 固体撮像装置
７３ レンズユニット
８１ 溝部
８２ 凹状面

Claims (5)

  1. 半導体基板の一方の板面である表面側に多数の画素を含む受光領域である画素領域を有する固体撮像素子と、
    前記固体撮像素子に対して前記表面側に設けられ、前記画素領域に受光される光を通すための開口部を有する基板と、
    硬化した流動体により形成され、前記固体撮像素子と前記基板とを電気的に接続する接続部を覆うアンダーフィル部と、を備え、
    前記基板は、前記開口部を形成する面部に、前記アンダーフィル部を形成する流動体を、前記固体撮像素子の前記表面から遠ざかる方向に誘導するための溝部を有する
    固体撮像装置。
  2. 前記溝部は、半円筒状の凹曲面により形成されている
    請求項１に記載の固体撮像装置。
  3. 前記溝部は、前記基板の板厚方向について、前記固体撮像素子側からその反対側にかけて前記開口部の開口幅を狭める方向に傾斜している
    請求項１に記載の固体撮像装置。
  4. 前記溝部は、前記基板の板厚方向について、前記固体撮像素子側からその反対側にかけて前記開口部の開口幅を広げる方向に傾斜している
    請求項１に記載の固体撮像装置。
  5. 半導体基板の一方の板面である表面側に多数の画素を含む受光領域である画素領域を有する固体撮像素子と、
    前記固体撮像素子に対して前記表面側に設けられ、前記画素領域に受光される光を通すための開口部を有する基板と、
    硬化した流動体により形成され、前記固体撮像素子と前記基板とを電気的に接続する接続部を覆うアンダーフィル部と、を備え、
    前記基板は、前記開口部を形成する面部に、前記アンダーフィル部を形成する流動体を、前記固体撮像素子の前記表面から遠ざかる方向に誘導するための溝部を有する
    固体撮像装置を備えた
    電子機器。
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