CN100514839C - 对称化压控振荡器系统 - Google Patents

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Abstract

本发明是有关于一种对称化压控振荡器系统，其包括一频率调谐电路、一调变电路与该频率调谐电路并接，具有至少一切换电路的一频带调谐电路，和该频率调谐电路并连，一核心电路，连接该频率调谐电路，该调变电路，及该频带调谐电路，其中在确认切换讯号，同时调整频率调谐讯号，频率调谐偏压讯号和频带调谐讯号后，可使切换电路启动频带调谐电路，以配合频率调谐电路，决定预设的输出频率，该输出频率是取决于该核心电路，该频率调谐电路，该调变电路及该频带调谐电路的总电感及总电容。

Description

对称化压控振荡器系统
技术领域
本发明是有关于一种半导体压控振荡器，特别是关于高线性度讯号调变压控振荡器的整合改良设计。
背景技术
随着行动电话的普及，无线架构与电路技术分外受到重视。此外，近年互补式金氧半导体(CMOS)技术的微缩化造成MOS元件其射频(RF)特性大幅提升。金氧半导体射频技术改良其中一例，就是利用低成本金氧半导体CMOS技术，实现单晶收发器(transceiver)的设计。故金氧半导体射频RF CMOS集成电路(IC)技术已进步至可应用于商业用途。
无线通讯收发器的关键组件之一为压控振荡器，其是频率合成器的一部分，而频率合成器可产生产生本地振荡(LO)信号，以向上升频(up-conversion)与向下降频(down-conversion)调整基频信号。对互补金属氧化半导体装置(CMOS devices)的单晶整合而言，由于电感-电容(LC)槽式振荡器具有较佳的相对相位杂讯与较低的功率消耗，使其较其他类振荡器为佳。尽管压控振荡器相关技术持续改良中，然而，对RF收发器的设计而言，压控振荡器的设计仍为其主要瓶颈及挑战。这类挑战包括了降低相位杂讯、功率消耗、及优化(optimizing)频率调谐(tuning)范围。在LC槽式压控振荡器中，相位杂讯与功率消耗主要和该槽的品质因素(Q)及可变电容(varactor)的非线性度有关，该可变电容是特别设计的PN接面二极体，其电容值于逆向偏压模式下会剧烈变化。可变电容的类型有好几种：PN接面、标准模式p/nMOS、或累积模式p/nMOS的可变电容。频率调谐范围取决于该可变电容的调整范围及该压控振荡器的寄生特性。因此，首要目标就是使该电感与可变电容的效能表现达到最佳状态。施加至该压控振荡器的控制电压可改变该可变电容的电容值，藉此定出该压控振荡器的振荡频率。该电感L与并接的电容C依以下方程式决定该压控振荡器的振荡频率f：
f＝1/2π(LC)1/2
可变电容是用以涵盖一特定频带。压控振荡器的主动元件可克服该槽内的耗损。为减少该压控振荡器的相位杂讯，该槽的被动组成需具备一高品质因素(Q)值，因为该槽的品质因素是以平方关系影响该压控振荡器的相位杂讯。在适合行动通讯的频率，集成电感的品质因素(Q)值通常远低于普通二极体或MOS可变电容。在这些应用中，电感可决定最差状况的相位杂讯及该压控振荡器是否符合规格。
集成电感的效能会受到基板中不必要电流所造成的损耗、或该电感线圈的串接电阻的强烈影响。在数位CMOS技术中，其金属层厚度远小于用在双载子晶体管与BiCMOS双载子金氧半导体技术中金属层的厚度，因而造成串接电阻大幅上升。再者，该基板掺杂浓度高，因此造成大的基板损耗。数位CMOS技术允许在同一晶片整合数位与类比功能，而不会造成其制造成本呈指数增加。
此外，传统的压控振荡器需要大晶粒尺寸，低线性度，且无信号调变力。而电路布局的寄生效应更加大了设定振荡频率的变化性，因此，无法可靠预测出振荡频率。
由此可见，上述现有的压控振荡器系统在结构与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决压控振荡器系统存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品又没有适切的结构能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新型结构的压控振荡器系统，便成了当前业界极需改进的目标。
有鉴于上述现有的压控振荡器系统存在的缺陷，本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新型结构的对称化压控振荡器系统，能够改进一般现有的压控振荡器系统，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本发明。
发明内容
本发明的目的在于，克服现有的压控振荡器系统存在的缺陷，而提供一种新型结构的对称化压控振荡器系统，所要解决的技术问题是使其结合了较小机板面积(footprint)、较低电路寄生现象、较高线性度、稳定的设定振荡频率、及多重频率波段容量等特性，从而更加适于实用。
本发明的另一目的在于，克服现有的压控振荡器系统存在的缺陷，而提供一种新型结构的对称化亚空振荡器系统，所要解决的技术问题是使其可以改善振荡器的可靠度，效率及可控制度，从而更加适于实用。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一压控振荡器系统，其包括：一频率调谐电路，用以接收一频率调谐讯号及一频率调谐偏压讯号；一调变电路，与该频率调谐电路并接；至少一频带调谐电路，和该频率调谐电路并连，具有至少一可接收至少一频带调谐讯号及至少一切换讯号的切换电路；以及一核心电路，连接该频率调谐电路，该调变电路，及该频带调谐电路，可提供一第一输出与一和该第一输出互补的第二输出；其中，该核心电路具有至少一电感模组，以提供预设电感；其中，在确认切换讯号后，使该切换电路启动该频带调谐电路，以配合该频率调谐电路，藉以使得该第一输出与该第二输出具有一输出频率，该输出频率是取决于该核心电路、该频率调谐电路、该调变电路及该频带调谐电路的一总电感及一总电容，且该总电容是经由调整该频率调谐讯号、该频率调谐偏压讯号及该频带调谐讯号所控制，使该输出频率为一预设频率；以及其中，该压控振荡器系统的所有组成元件皆是对称设置。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的对称化压控振荡器系统，其中所述的频率调谐电路是和该调变电路整合在一起。
前述的对称化压控振荡器系统，其中所述的整合频率调谐及调变电路更包括：一第一电容及一第二电容，其第一端分别连接到该第一及第二输出；一第一可变电容组，具有一第一可变电容及一第二可变电容，和该第一及第二电容串接且位于两者中间，而且该第一及第二可变电容的中点连接到该频率调谐讯号；一电阻群，包括有一第一电阻及一第二电阻，和该第一及第二电容串接，且位于两者之间，而且该第一及第二电阻的中点连接到该频率调谐偏压讯号；一第二可变电容组，具有一第三可变电容及一第四可变电容，和该第一及第二电容串接且位于两者中间，而且该第三及第四可变电容的中点连接到该调变讯号；其中，该第一及第二可变电容组，及该电阻群是以并连方式耦接，而后一起串接到该第一及第二电容的第二端之间。
前述的对称化压控振荡器系统，其中所述的频率调谐电路包括该调变电路，独立于一频率调谐模组，两者以并接方式耦接。
前述的对称化压控振荡器系统，其中所述的频率调谐模组更包括：一第一电容及一第二电容，其第一端分别和该第一及第二输出耦接；一第一可变电容及一第二可变电容和该第一及第二电容串接且位于两者中间，而且该第一及第二可变电容的中点连接到该频率调谐讯号；以及一第一电阻及一第二电阻，和该第一及第二电容串接，且位于两者之间，而且该第一及第二电阻的中点连接到该频率调谐偏压讯号；其中，该第一及第二电阻和该第一及第二可变电容，以并接方式相连，而且一起串接到该第一及第二电容的第二端之间。
前述的对称化压控振荡器系统，其中所述的调变电路还包括：一第一电容及一第二电容，互相串接，且其第一端分别和该第一及第二输出耦接；一第一可变电容及一第二可变电容和该第一及第二电容串接且位于两者中间，而且该第一及第二可变电容的中点连接到该调变讯号；以及一第一电阻及一第二电阻，和该第一及第二电容串接，且位于两者之间，而且该第一及第二电阻的中点连接到一电气接地端；其中，该第一及第二电阻和该第一及第二可变电容，以并接方式相连，而且一起串接到该第一及第二电容的第二端之间。
前述的对称化压控振荡器系统，其中所述的频带调谐电路还包括：一第一及一第二电容模组，具有一第一及第二预设电容，两电容其第一端耦接到该第一及第二输出；一第一及第二电阻互相串接，而且进一步串接到该第一及第二电容模组的第二端之间，该两电阻的中点是由该频带调谐所控制；以及一第一及一第二开关互相串接，而且进一步串接到该第一及第二电容模组的第二端之间，该两开关的中点耦接到一电气接地端；其中，当该切换讯号到达该开关的闸极时，该第一及第二电容模组是以串接方式耦接。
前述的对称化压控振荡器系统，其中所述的电容模组是可变电容。
前述的对称化压控振荡器系统，其进一步包含一核心电路，和该频率调谐电路及该频带调谐电路并接，可提供一振荡机制。
前述的对称化压控振荡器系统，其中所述的核心电路还包括：至少一PMOS交互耦接晶体管结构，具有至少一对交互耦接PMOS晶体管，其源极耦接到一电源；以及至少一NMOS交互耦接晶体管结构，具有至少一对交互耦接NMOS晶体管，其源极耦接到一电气接地端；其中，该PMOS及NMOS晶体管的汲极，皆耦接到该第一或第二输出；以及其中，一PMOS或NMOS晶体管的一闸极是交互耦接到对应成对的另一PMOS或NMOS晶体管的一汲极。
前述的对称化压控振荡器系统，其中所述的核心电路还包括：至少一NMOS交互耦接晶体管结构，具有至少一第一及第二交互耦接NMOS晶体管，其源极耦接到一电气接地端，而其汲极耦接到该第一及第二输出；一第一电感模组耦接在一电源和该第一输出之间；以及一第二电感模组耦接在该电源和该第二输出之间：其中，该第一及第二NMOS晶体管闸极是分别交互耦接到该第二及第一NMOS晶体管的汲极。
前述的对称化压控振荡器系统，其中所述的核心电路还包括：至少一PMOS交互耦接晶体管结构，具有至少一第一及一第二交互耦接PMOS晶体管，其源极耦接到一电源，而其汲极耦接到该第一及第二输出；一第一电感模组耦接在一接地端和该第一输出之间；以及一第二电感模组耦接在该接地端和该第二输出之间；其中，该第一及第二PMOS晶体管的闸极是分别交互耦接到该第二及第一NMOS晶体管的汲极。
本发明的目的及解决其技术问题还采用以下的技术方案来实现。依据本发明提出的一压控振荡器系统，其包括：一频率调谐电路，用以接收一频率调谐讯号及一频率调谐偏压讯号；一调变电路，与该频率调谐电路并接；至少一频带调谐电路，和该频率调谐电路并连，具有至少一可接收至少一频带调谐讯号及至少一切换讯号的切换电路；一锁相回路频率合成器，基于至少该输出其中之一，提供该频率调谐讯号；一连接到该调变电路的控制电路，以提供该调变讯号，及该频率调谐偏压讯号；以及一核心电路，连接该频率调谐电路，该调变电路，及该频带调谐电路，可提供一第一输出与一和该第一输出互补的第二输出；其中，该核心电路具有至少一电感模组，以提供预设电感；其中，在确认切换讯号后，使该切换电路启动该频带调谐电路，以配合该频率调谐电路，藉以使得该第一输出与该第二输出具有一输出频率，该输出频率是取决于该核心电路、该频率调谐电路、该调变电路及该频带调谐电路的一总电感及一总电容，且该总电容是经由调整该频率调谐讯号、该频率调谐偏压讯号及该频带调谐讯号所控制，使该输出频率为一预设频率；以及其中，该压控振荡器系统的所有组成元件皆是对称设置。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的对称化压控振荡器系统，其中所述的频率调谐电路整合该调变电路，还包括：一第一电容及一第二电容，其第一端分别和该第一及第二输出耦接；一第一可变电容组，具有第一可变电容及一第二可变电容和该第一及第二电容串接且位于两者中间，而且该第一及第二可变电容的中点连接到该频率调谐讯号；一电阻群，具有一第一电阻及一第二电阻，和该第一及第二电容串接，且位于两者之间，而且该第一及第二电阻的中点连接到该频率调谐偏压讯号；以及一第二可变电容组，具有一第三可变电容及一第四可变电容，和该第一及第二电容串接且位于两者中间，而且该第三及第四可变电容的中点连接到该调变讯号；其中，该第一及第二可变电容组，及该电阻群是以并连方式耦接，而后一起串接到该第一及第二电容的第二端之间。
前述的对称化压控振荡器系统，其中所述的频率调谐电路包括该调变电路，独立于一频率调谐模组，两者以并接方式耦接。
前述的对称化压控振荡器系统，其中所述的频率调谐模组还包括：一第一电容及一第二电容，其第一端分别和该第一及第二输出耦接；一第一可变电容及一第二可变电容和该第一及第二电容串接且位于两者中间，而且该第一及第二可变电容的中点连接到该频率调谐讯号；以及一第一电阻及一第二电阻，和该第一及第二电容串接，且位于两者之间，而且该第一及第二电阻的中点连接到该讯号调谐偏压讯号；其中，该第一及第二电阻和该第一及第二可变电容，以并接方式相连，而且一起串接到该第一及第二电容的第二端之间。
前述的对称化压控振荡器系统，其中所述的调变电路还包括：一第一电容及一第二电容，互相串接，且其第一端分别和该第一及第二输出耦接；一第一可变电容及一第二可变电容和该第一及第二电容串接且位于两者中间，而且该第一及第二可变电容的中点连接到该调变讯号；以及一第一电阻及一第二电阻，和该第一及第二电容串接，且位于两者之间，而且该第一及第二电阻的中点连接到一电气接地端；其中，该第一及第二电阻和该第一及第二可变电容，以并接方式相连，而且一起串接到该第一及第二电容的第二端之间。
前述的对称化压控振荡器系统，其中所述的频带调谐电路还包括：一第一及一第二电容模组，具有一第一及第二预设电容，两电容其第一端耦接到该第一及第二输出；一第一及第二电阻互相串接，而且进一步串接到该第一及第二电容模组的第二端之间，该两电阻的中点是由该频带调谐所控制；以及一第一及一第二开关互相串接，而且进一步串接到该第一及第二电容模组的第二端之间，该两开关的中点耦接到一电气接地端；其中，当该切换讯号到达该开关的闸极时，该第一及第二电容模组是以串接方式耦接。
前述的对称化压控振荡器系统，其更包括一核心电路，和该频率调谐电路及该频带调谐电路并接，可提供一振荡机制；该核心电路具有至少一可提供一负电阻的交互耦接晶体管结构，及至少一对称设置的电感模组。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一压控振荡器系统，其包括：一频率调谐电路，用以接收一频率调谐讯号及一频率调谐偏压讯号；一调变电路，与该频率调谐电路并接；至少一频带调谐电路，和该频率调谐电路并连，具有至少一可接收至少一频带调谐讯号及至少一切换讯号的切换电路；该频带调谐电路还包括：一第一及一第二电容模组，具有一第一及第二预设电容，两电容其第一端耦接到该第一及第二输出；一第一及第二电阻互相串接，而且进一步串接到该第一及第二电容模组的第二端之间，该两电阻的中点是由该频带调谐所控制；以及一第一及一第二开关互相串接，而且进一步串接到该第一及第二电容模组的第二端之间，该两开关的中点耦接到一电气接地端；其中，当该切换讯号到达该开关的闸极时，该第一及第二电容模组是以串接方式耦接；一锁相回路频率合成器，基于至少该输出其中之一，提供该频率调谐讯号；一连接到该调变电路的控制电路，以提供该调变讯号，及该频率调谐偏压讯号；以及一核心电路，连接该频率调谐电路，该调变电路，及该频带调谐电路，可提供一第一输出与一和该第一输出互补的第二输出；其中，该核心电路具有至少一电感模组，以提供预设电感；其中，在确认切换讯号后，使该切换电路启动该频带调谐电路，以配合该频率调谐电路，藉以使得该第一输出与该第二输出具有一输出频率，该输出频率是取决于该核心电路、该频率调谐电路、该调变电路及该频带调谐电路的一总电感及一总电容，且该总电容是经由调整该频率调谐讯号、该频率调谐偏压讯号及该频带调谐讯号所控制，使该输出频率为一预设频率；以及其中，该压控振荡器系统的所有组成元件皆是对称设置。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的对称化压控振荡器系统，其中所述的频率调谐电路整合该调变电路，还包括：一第一电容及一第二电容，其第一端分别和该第一及第二输出耦接；一第一可变电容组，具有一第一可变电容及一第二可变电容和该第一及第二电容串接且位于两者中间，而且该第一及第二可变电容的中点连接到该频率调谐讯号；一电阻群，具有一第一电阻及一第二电阻，和该第一及第二电容串接，且位于两者之间，而且该第一及第二电阻的中点连接到该频率调谐偏压讯号；以及一第二可变电容组，具有一第三可变电容及一第四可变电容，和该第一及第二电容串接且位于两者中间，而且该第三及第四可变电容的中点连接到该调变讯号；其中，该第一及第二可变电容组，及该电阻群是以并连方式耦接，而后一起串接到该第一及第二电容的第二端之间。
前述的对称化压控振荡器系统，其中所述的频率调谐电路包括该调变电路，独立于一频率调谐模组，两者以并接方式耦接，其中该频率调谐模组还包括：一第一电容及一第二电容，其第一端分别和该第一及第二输出耦接；一第一可变电容及一第二可变电容和该第一及第二电容串接且位于两者中间，而且该第一及第二可变电容的中点连接到该频率调谐讯号；以及一第一电阻及一第二电阻，和该第一及第二电容串接，且位于两者之间，而且该第一及第二电阻的中点连接到该频率调谐偏压讯号；其中，该第一及第二电阻和该第一及第二可变电容，以并接方式相连，而且一起串接到该第一及第二电容的第二端之间；其中，该调变电路更进一步包括：一第一电容及一第二电容，互相串接，且其第一端分别和该第一及第二输出耦接；一第一可变电容及一第二可变电容和该第一及第二电容串接且位于两者中间，而且该第一及第二可变电容的中点连接到该调变讯号；以及一第一电阻及一第二电阻，和该第一及第二电容串接，且位于两者之间，而且该第一及第二电阻的中点连接到一电气接地端；其中，该第一及第二电阻和该第一及第二可变电容，以并接方式相连，而且一起串接到该第一及第二电容的第二端之间。
前述的对称化压控振荡器系统，其进一步包括一核心电路，和该频率调谐电路及该频带调谐电路并接，可提供一振荡机制，该核心电路具有至少一可提供一负电阻的交互耦接晶体管结构，及至少一对称设置的电感模组。
本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上技术方案可知，本发明是有关于一种对称化压控振荡器系统，其包括一频率调谐电路、一调变电路与该频率调谐电路并接，具有至少一切换电路的一频带调谐电路，和该频率调谐电路并连，一核心电路，连接该频率调谐电路，该调变电路，及该频带调谐电路，其中在确认切换讯号，同时调整频率调谐讯号，频率调谐偏压讯号和频带调谐讯号后，可使切换电路启动频带调谐电路，以配合频率调谐电路，决定预设的输出频率，该输出频率是取决于该核心电路，该频率调谐电路，该调变电路及该频带调谐电路的总电感及总电容。
借由上述技术方案，本发明对称化压控振荡器系统至少具有下列优点：
本发明对称化压控振荡器利用一互补交互耦接结构及一对称式设计。相较于传统使用不对称电感的设计，这些实施例在一特定的功率消耗下，可大幅改善输出电压摆幅(voltage swing)及相位杂讯(分别达65％与2.3dB)。同时，和传统电感设计相比，所需晶片面积可缩减达36％之多。
综上所述，本发明特殊结构的对称化压控振荡器系统，其具有上述诸多的优点及实用价值，并在同类产品中未见有类似的结构设计公开发表或使用而确属创新，其不论在产品结构或功能上皆有较大的改进，在技术上有较大的进步，并产生了好用及实用的效果，且较现有的压控振荡器系统具有增进的多项功效，从而更加适于实用，诚为一新颖、进步、实用的新设计。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
附图说明
图1是表示一个传统LC槽式压控振荡器系统电路。
图2是表示本发明一实施例的一LC槽式对称化压控振荡器系统的一方块图。
图3是表示本发明的一实施例的整合式LC槽式对称化压控振荡器电路图。
图4是表示本发明的一实施例的分离式LC槽式对称化压控振荡器电路图。
图5是表示本发明的一实施例的另一分离式LC槽式对称化压控振荡器电路图。
100：传统LC槽式对称化压控振荡器系统电路
102、322、324、334、336、422、424、440、442：可变电容
104、505A、505B：电感
106：NMOS交互耦接的MOSFET结构
108：定流电源
200：高线性度、信号调变的对称化LC槽式压控振荡器系统
202：频率调谐电路
204：调变电路
206：频带调谐电路
208：核心电路
212：锁相回路(PLL)模组
214：外部控制电路
300：对称化LC槽式压控振荡器电路
302、304：频带调谐电路
306、406、505：电感模组
308PMOS、310NMOS交互耦接的晶体管结构
312：第一电源
316、330、332、346、348、430、432、434、448、450、451、466、467：节点
318、320、418、420、436、438：电容
326、328、426、428、444、446：电阻
338、340：电容模组
342、344、458、460：切换模组
350、352、468、470：调谐电阻
400：对称化LC槽式压控振荡器电路
401：频率调谐电路
402：调变电路
403：频率调谐模组
404：频带调谐电路
408PMOS、410NMOS、506NMOS：交互耦接晶体管结构
412、508：电源
416：电气接地端或VSS
452、454、456：电容切换电路
462、464：切换电容
500：对称式LC槽式压控振荡器电路
501：频率调谐电路
502：调变电路
503：调谐模组
504：频带调谐电路
具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的对称化压控振荡器系统其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。
以下将详细描述此效能更佳的LC槽式压控振荡器电路。
图1是一传统LC槽式压控振荡器系统电路100。电路100包括二可变电容102、二电感104、二NMOS交互耦接的MOSFET结构106、及一定流电源108。该NMOS交互耦接的MOSFET结构106提供必需的负电阻以消除该共振器的损耗。根据Barkhaussen定律，当回圈增益大于1且当该阻抗的虚部为零时，振荡便发生。该对称化压控振荡器系统振荡频率由以下方程式决定：
f＝1/2π(LC)1/2
其中L是该二电感104的总电感，而C是包括该二可变电容102及一电路寄生电容的网路电容。
由于此设计并未采用一对称化架构，其寄生电容可能极大且无法确定。如此一来，无法利用该电路100具备一大的寄生电容准确预测该对称化压控振荡器系统的输出频率。注意该电路100并无一内建的调变功能，因此需一外部调变电路。还有，该电路100线性度低，从而在输出时会产生额外的闪烁(flicker)杂讯。由于此设计非对称的架构，偶次模式谐波无法被抑制。基于以上因素，无法准确可信地预测该整个LC槽式电路的加载(loaded)品质因素。
图2是本发明一实施例的一高线性度、信号调变的对称化LC槽式压控振荡器系统200的一方块图。该系统200包括一频率调谐电路202、一调变电路204、一频带调谐电路206、一核心电路208、及在特定的输出频率下，一或多压控振荡器系统输出，如互补的OUTPUT_P和OUTPUT_N。该频率调谐电路202，偕同该频带调谐电路206，及某种程度上有作用的调变电路204，一起控制输出频率。基本上，该频率调谐电路202提供了第一层的频率调谐，以此为基础，频带调谐电路206进一步提供另一层的频率调谐，两者一起决定该压控振荡器系统200的输出频率及相位。
为了稳定输出频率及相位，可选用一锁相回馈机制，该机制使用一频率调谐讯号，例如一VTUNE回馈信号，可提供本实施例一回馈电压。此回馈电压准位是取决于频率调谐电路202中的可变电容类型，其类型包括PN接面、标准模式P/NMOS、或累积模式P/NMOS。一锁相回路(PLL)模组212，例如一锁相回路频率合成器(PLL frequency synthesizer)，根据该压控振荡器电路的输出，提供该VTUNE信号。该锁相回路(PLL)模组212可藉电压变化，改变该可变电容的电容值，以提供精确的压控振荡器输出频率控制与相位控制。
本发明可能还包括另一可产生调谐及调变相关控制讯号，如一频率调谐偏压讯号VTUNE_BIAS及一调变讯号VTUNE_MODULATION的外部控制电路214。此外部控制电路可以是像类比基带电路(analog baseband circuit)一类的外部类比来源电路。例如，在频带调谐电路206内，当接收到一或多个切换讯号(如“A1 SWITCH”，“A2 SWITCH”...“AN SWITCH”)。时，可选择/操作一或多个频带，以启动特定电路。该频率调谐偏压讯号VTUNE_BIAS、频带调谐讯号VTUNE_BAND和切换讯号一起，可微调频率。根据其电路设计，该压控振荡器可包含单一个或多数个频带。
从该外部控制电路提供一调变电压，该调变讯号VTUNE_MODULATION可调节该压控振荡器的输出。该调变讯号VTUNE_MODULATION改变了作用在调变可变电容上的电压。例如振幅调变，频率调变，及等频移键控，(frequencyshift keying)任一类调变皆可用于调变压控振荡器的输出频率。
据了解，该频率调谐电路202，该频带调谐电路206及该调变电路204皆具有可变电容。这些可变电容可以是同一类型，也可以是不同类型。这类可变电容的类型包括PN接面、标准模式P/NMOS、或累积模式P/NMOS。
图3是显示了本发明的一实施例的一对称化LC槽式压控振荡器电路300。该电路300包含了一频率调谐电路，和一调变电路相整合的电路302，一含有至少一切换电路的频带调谐电路304、一电感模组306及一具有一PMOS交互耦接的晶体管结构308和一NMOS交互耦接的晶体管结构310的核心电路。该电路300提供了两互补的输出OUTPUT_P和OUTPUT_N。据了解，该电路300可藉标准CMOS制程，制造生成于一半导体基板上。在一CMOS基板上制造的电路300，占较小机板面积(footprint)，因此相较于传统压控振荡器的设计，制造成本较低。
在此例中，经由该核心电路，该电路300从一第一电源312如VCC处取得电力，而且在节点316处，连接到一第二电源，如一电气接地端，或VSS。该电路300的架构具绝佳对称性，因为其晶体管结构308和310，该”整合型”频率调谐电路302，频带调谐电路304，及该电感306皆是以对称方式排列设置。相较于传统压控振荡器的设计，这类对称式压控振荡器的设计，可减少压控振荡器偶次模式谐波，降低任何向上转换的闪烁杂讯，及减少压控振荡器输出的电路寄生。此外，连续的输出可提供更好的讯号品质，同时减少传统压控振荡器设计常出现的问题，如讯号失真(signal distortion)及杂讯的产生等。
据了解，该”整合型”频率调谐电路302提供了电路300相位锁定及调变力，虽然此调变性也可由和该”整合型”频率调谐电路302并连耦接的一分离电路所提供。在本实施例中，该回馈频率调谐讯号VTUNE可调整压控振荡器的输出频率及相位。整合的频率调谐电路包括至少一电容318，经由一节点330和一可变电容322串接，以及一电容320，经由一节点332和一可变电容324串接。此串接增加了该”整合型”频率调谐电路302的线性度。同时该电容318和320分别和电阻326和328串接。该电阻326和电容318，如同电阻328和电容320，可被视为一整合式差分低通滤波器(differential low-pass filter)，用以消除外部杂讯。该VTUNE_BIAS讯号具有预设电压，可由一图中未示的外部控制电路供给。此电压讯号是由该”整合型”频率调谐电路302，在电阻326和328之间某一点处接收，藉此影响节点330和332的电压，以控制可变电容322、324、334及336。VTUNE_BIAS所支援的预设电压准位，取决于该”整合型”频率调谐电路302内可变电容的种类。
该”整合型”频率调谐电路302的调变部分包括至少一可变电容334，其一端连接到节点330，而另一端可接收该调变讯号VTUNE_MODULATION。同样地，该可变电容336有一端连接到节点332，而另一端也可接收该调变讯号VTUNE_MODULATION。如图2所示，该调变讯号VTUNE_MODULATION可由一外部控制电路，如一类比基频(Analog Basebond)电路所提供。据了解，压控振荡器的输出频率，可使用振幅调变，频率调变，及等频移键控(Frequencyshift keying)，或其他调变类型加以调变。如图所示，通过三种控制信号VTUNE，VTUNE_BIAS，及VTUNE_MODULATION，及整合频率调谐电路的对称结构，调整所有可变电容的电压，以调整频率，锁定相位，及调变输出。
如图所示，和该整合频率调谐电路分离的频带调谐电路304，通过如可变电容338和340等电容模组，引入外加电容到该压控振荡器电路，借着改变VCO的总电容，进而改变该压控振荡器的输出频率。电容模组338和340也可以是具有固定电容的电容器。该频带调谐电路可被一“A SWITCH”讯号启动。该讯号可活化切换模组342及344，以电气连结该可变电容338及340。如图所示，该切换模组342及344是NMOS晶体管，但它们也可以是PMOS晶体管。据了解，该“A SWITCH”讯号可由外部电路产生，是设定用以控制该电路300所需频率。要注意该切换模组342及344的源极是在一节点346连接至接地端。即使源极并未连接到接地端，该节点仍是一虚拟AC接地端，因为它是位于电路300的中点，藉此不但可降低串接电阻，还可进一步增加该电路300的的品质因素。
频带调谐讯号VTUNE_BAND”也有由一外部电路所提供的预设电压。此频带调谐讯号提供一位于调谐电阻350和352间的节点348，一预设电压，而调谐电阻350和352的另一端则分别连接到切换模组342及344的汲极。此频带调谐讯号可经由调谐电阻350和352，分别提供电压给该可变电容338及340，以改变该可变电容的电容值，因此影响该压控振荡器的输出0UTPUT_P及OUTPUT_N的输出频率。该调谐电阻350及可变电容338电容值的组合，如同调谐电阻352及可变电容340电容值的组合，可被视为一差分低通滤波器，用于降低或消除外部杂讯。
晶体管结构308及310提供必要的负电阻，以增加电源，藉此补偿该LC共振槽(包括有该电感及可提供频率调谐电路及频带调谐电路的电容)的损耗。同时，适当选择这些交互耦接晶体管结构308和310的电气特性，可大幅减少闪烁杂讯的向上转换(up-conversion)。
将可变电容及电感306对称整合成该LC槽压控振荡器对电路300的效能影响甚巨。一适当的对称式设计，可降低该电路的寄生电容，因而改善其振荡效率。再者电容318和320，可串接到可变电容322和324，进而串接到可变电容334和336。此串列连接性可增加可变电容的线性度。第二个优点是该频率调谐电路302，该频带调谐电路304，该晶体管结构308和310，及该电感306的绝佳对称性。相较于传统压控振荡器，此设计对称性不只降低了压控振荡器偶次模式谐波，也减少压控振荡器输出的闪烁杂讯。频率调谐电路302的第三个优点是内建讯号调变及回馈相位锁定(feedbackphase lock)功能。内建调变功能可免除对外接讯号调变器的需求，因而降低晶片尺寸(缩减尺寸达35 to 45％)及制造成本。持续的输出可提供更好的讯号品质，并减少传统压控振荡器设计中常见的讯号失真(signaldistortion)及杂讯的产生等问题。同时，在频率调谐电路302及频带调谐电路304中的内建低通滤波器可消除外部杂讯，而不需额外的元件。最后，此整合性设计可省略某些电路元件，更紧密整合其功能性，而且所占机板面积较小。经过整合后，可轻易补偿电路寄生现象，因此能轻松且准确地计算该电路300的整体加载品质因素。
熟知本技艺的人士应了解输出频率和压控振荡器电路中的电容，电感间的关系，是以下列数学方程式表示：
f∝1/(L(C1+C2))1/2
其中C1是频率调谐电路302的总电容，C2是频带调谐电路304的总电容，而L大部分是由电感元件306所提供的电感值。如前所示，假设电感值L几乎不变时，频率调谐大多由总电容C1和C2所控制。同时，C1会受到可变电容318，320，334，和336的影响，这些可变电容可依设计需要，相同或有所不同。同样地，C2会受到可变电容338和340的影响，此两可变电容可依设计需要，相同或有所不同，如此一来，可通过各种方式达成频率调节。例如，可设定可变电容318、320、334和336，以提供一预设的总电容，而可变电容338和340可调整成预设电容值的四分之一、一半、四分之三，以调节频率。
图4为本发明另一实施例的一个对称化LC槽式压控振荡器电路400。显而易见，该电路400有数种数位调谐频带结构。电路400包括一频率调谐电路401，由一单独调变电路402及一频率调谐模组403并连组成，一具有数个切换电路的频带调谐电路404、一电感模组406、一具有一PMOS交互耦接晶体管结构408以及一NMOS交互耦接晶体管结构410的核心电路。该电路400产生了输出OUTPUT_P和OUTPUT_N。该电路400是从一第一电源412如VCC获得电力，同时连接到另一处，如电气接地端或VSS416。电路400是在CMOS基板上制成，因此相较于传统的压控振荡器，所占机板面积较小，同时降低制造成本。电路400的架构具绝佳的对称性在于该晶体管408和410，频率调谐电路401，频带调谐电路404，及电感406的电路设计皆为对称型。
相较于图3所示的电路，该频率调谐电路401是一”分离式”设计，因为该单独调变电路402及该频率调谐模组403是两个独立的电路，以并连方式相接，且都和两输出相连。此分离设计，可以只采用一或两电路，以符合最小电路的特殊设计规格，因而尽可能降低对机板面积的需求。
该调变电路402包含电容418和420，分别通过节点430及432，和可变电容422和424串接。该可变电容422和424可以是PN接面可变电容。电容418及420，则分别通过节点430及432，和电阻426及428串接。在此实施例中，电阻426和及428进一步通过节点434接地，但即使它们并未接地，也可被视为和一虚拟AC接地端相接，因为该节点434是位于电路400的中点。这样的排列不但降低了串接电阻，同时也改善了该电路400的的品质因素。电阻426及电容418配对，如同电阻428及电容420配对，可被视为一差分低通滤波器，可用以消除外部杂讯。
该电路400的一或多个输出的调变，是藉施加于可变电容422和424的VTUNE_MODULATION讯号达成。据了解，此讯号可由一外部控制电路提供。而且该压控振荡器的输出频率，可藉振幅调变，频率调变，及等频移键控，或其他调变类型加以调变。
该频率调谐电路403是使用频率调谐讯号VTUNE，以调整压控振荡器的输出频率和相位。例如，该频率调谐讯号VTUNE可由一回馈机制，如一PLL模组产生，以锁定输出频率和相位。在电路403中，电容436及438分别通过节点448及450，和可变电容440及442串接。此串列连接性可增加可变电容的线性度。如图所示，电容436及438也分别通过节点448及450，串接到电阻444及446。电阻444及电容436，如同电阻446及电容438，可被视为一差分低通滤波器，用以消除外部杂讯。一频率调谐偏压讯号VTUNE_BIAS也在一节点451提供一预设电压，而该节点451是位于电阻444及446的中点。据了解，此预设电压的准位是取决于该频率调谐电路402中可变电容的类型。
除了频率调谐电路，该频带调谐电路404是一具有多重调谐频带的数位调谐结构，可藉切换特定电容组，改变该LC槽的总电容值，从而调节该压控振荡器的输出频率。如图所示，频带调谐电路404具有电容切换电路452、454及456。一“Ax SWITCH”(x是指1，2，...到N)讯号可借着如施加一切换电压至其中的开关(switches)，以启动其中之一电容切换电路。这些讯号可由一外部电路产生，以提供多重平行位元(parallel bits)，控制复数个电容切换电路，因此可随时产生该压控振荡器所需的输出频率。例如，在电容切换电路452中，该“A1　SWITCH”讯号提供切换模组458及460闸极一电压，以切换电容462及464，以影响最终压控振荡器的输出。电容462和464，可视为供应capacitance source给电容切换电路452的电容模组，是个别串接到调谐电阻468到470。调谐电阻468及电容462，如同调谐电阻470及电容464，可视为一差分低通滤波器，用于消除外部杂讯。注意在本实施例中，该切换模组为NMOS晶体管，其闸极可接收“A1 SWITCH”讯号，而切换模组458及460的源极是在节点466接至接地端。即使该节点466并未接地，它们仍可被视为位于一虚拟AC接地端，使电路呈对称性设计。借着将此接地端或虚拟接地端置于电路400的中点，可降低该电路的串接电阻，及改善该电路的品质因素。该频带调谐讯号“VTUNE_BAND1”提供电压给一位于调谐电阻468和470中点的一节点467，该调谐电阻468和470更进一步分别和电容462及464串接。该“VTUNE_BAND1”讯号提供一偏压给该切换模组458及460的汲极。据了解，该电容切换电路454及456，作用方式类似该电容切换电路452，除了它们接收的讯号是“A2SWITCH”到“AN SWITCH”讯号，及用于控制其运作的“VTUNE_BAND2”和“VTUNE_BANDN”讯号。虽然此实施例中出现三个电容切换电路，可增加或减少电容切换电路的数目，以符合特殊系统需求。
电路400的一个优点为其绝佳的线性度。电容418、420和可变电容422、424间的线性，以及电容436、438和可变电容440、442间的线性，可增加整体的线性度。第二个优点是该电路400的绝佳对称性。电路400，晶体管结构408及410，电感406，频率调谐电路401及该频带调谐电路404皆呈对称式设计。电路400的对称式设计明显降低电路内的寄生电容，藉以在设计阶段时，提供输出频率稳定性，及准确度。电路400的第三个优点是内建的讯号调变及锁相回路功能。第四是内建的低通滤波器，不需额外零件，即可消除外部杂讯。最后，在一特殊系统设计中，如不需调变或锁相回路功能，则该电路400所提供一分离式设计，可缩小晶片尺寸。
图5A和图5B表示本发明另一实施例的一独立，对称式LC槽式压控振荡器电路500。该电路500，类似电路400，是一具有多重调谐频带的数位调谐结构。在此例中，该压控振荡器包括一具有一调变电路502及一调谐模组503的频率调谐电路501，和一具有复数个电容切换电路的频带调谐电路504。然而，该电路400的电感406已被省略，由一具有电感505A和505B电感模组505所取代。该电感505A和505B的一端分别连接到该压控振荡器输出OUTPUT_P和OUTPUT_N。而电感505A和505B的另一端则是连接到一电源508。该PMOS交互耦接晶体管结构408也省略，而一NMOS交互耦接晶体管结构506则再现于该NMOS交互耦接晶体管结构410的位置。具了解，该电路500具有和电路400的相同效能特性及优点。同样地，在图五B中，该PMOS交互耦接晶体管结构维持不变，而该NMOS交互耦接晶体管结构则由该电感模组505所取代。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (23)

1、一压控振荡器系统，其特征在于其包括：
一频率调谐电路，用以接收一频率调谐讯号及一频率调谐偏压讯号；
一调变电路，与该频率调谐电路并接；
至少一频带调谐电路，和该频率调谐电路并连，具有至少一可接收至少一频带调谐讯号及至少一切换讯号的切换电路；以及
一核心电路，连接该频率调谐电路，该调变电路，及该频带调谐电路，可提供一第一输出与一和该第一输出互补的第二输出；
其中，该核心电路具有至少一电感模组，以提供预设电感；
其中，在确认切换讯号后，使该切换电路启动该频带调谐电路，以配合该频率调谐电路，藉以使得该第一输出与该第二输出具有一输出频率，该输出频率是取决于该核心电路、该频率调谐电路、该调变电路及该频带调谐电路的一总电感及一总电容，且该总电容是经由调整该频率调谐讯号、该频率调谐偏压讯号及该频带调谐讯号所控制，使该输出频率为一预设频率；以及
其中，该压控振荡器系统的所有组成元件皆是对称设置。
2、根据权利要求1所述的系统，其特征在于其中所述的频率调谐电路是和该调变电路整合在一起。
3、根据权利要求2所述的系统，其特征在于其中所述的整合频率调谐及调变电路更包括：
一第一电容及一第二电容，其第一端分别连接到该第一及第二输出；
一第一可变电容组，具有一第一可变电容及一第二可变电容，和该第一及第二电容串接且位于两者中间，而且该第一及第二可变电容的中点连接到该频率调谐讯号；
一电阻群，包括有一第一电阻及一第二电阻，和该第一及第二电容串接，且位于两者之间，而且该第一及第二电阻的中点连接到该频率调谐偏压讯号；
一第二可变电容组，具有一第三可变电容及一第四可变电容，和该第一及第二电容串接且位于两者中间，而且该第三及第四可变电容的中点连接到该调变讯号；
其中，该第一及第二可变电容组，及该电阻群是以并连方式耦接，而后一起串接到该第一及第二电容的第二端之间。
4、根据权利要求1所述的系统，其特征在于其中所述的频率调谐电路包括该调变电路，独立于一频率调谐模组，两者以并接方式耦接。
5、根据权利要求4所述的系统，其特征在于其中所述的频率调谐模组更包括：
一第一电容及一第二电容，其第一端分别和该第一及第二输出耦接；
一第一可变电容及一第二可变电容和该第一及第二电容串接且位于两者中间，而且该第一及第二可变电容的中点连接到该频率调谐讯号；以及
一第一电阻及一第二电阻，和该第一及第二电容串接，且位于两者之间，而且该第一及第二电阻的中点连接到该频率调谐偏压讯号；
其中，该第一及第二电阻和该第一及第二可变电容，以并接方式相连，而且一起串接到该第一及第二电容的第二端之间。
6、根据权利要求4所述的系统，其特征在于其中所述的调变电路还包括：
一第一电容及一第二电容，互相串接，且其第一端分别和该第一及第二输出耦接；
一第一可变电容及一第二可变电容和该第一及第二电容串接且位于两者中间，而且该第一及第二可变电容的中点连接到该调变讯号；以及
一第一电阻及一第二电阻，和该第一及第二电容串接，且位于两者之间，而且该第一及第二电阻的中点连接到一电气接地端；
其中，该第一及第二电阻和该第一及第二可变电容，以并接方式相连，而且一起串接到该第一及第二电容的第二端之间。
7、根据权利要求1所述的系统，其特征在于其中所述的频带调谐电路还包括：
一第一及一第二电容模组，具有一第一及第二预设电容，两电容其第一端耦接到该第一及第二输出；
一第一及第二电阻互相串接，而且进一步串接到该第一及第二电容模组的第二端之间，该两电阻的中点是由该频带调谐所控制；以及
一第一及一第二开关互相串接，而且进一步串接到该第一及第二电容模组的第二端之间，该两开关的中点耦接到一电气接地端；
其中，当该切换讯号到达该开关的闸极时，该第一及第二电容模组是以串接方式耦接。
8、根据权利要求7所述的系统，其特征在于其中所述的电容模组是可变电容。
9、根据权利要求1所述的系统，其特征在于其进一步包含一核心电路，和该频率调谐电路及该频带调谐电路并接，可提供一振荡机制。
10、根据权利要求9所述的系统，其特征在于其中所述的核心电路还包括：
至少一PMOS交互耦接晶体管结构，具有至少一对交互耦接PMOS晶体管，其源极耦接到一电源；以及
至少一NMOS交互耦接晶体管结构，具有至少一对交互耦接NMOS晶体管，其源极耦接到一电气接地端；
其中，该PMOS及NMOS晶体管的汲极，皆耦接到该第一或第二输出；以及
其中，一PMOS或NMOS晶体管的一闸极是交互耦接到对应成对的另一PMOS或NMOS晶体管的一汲极。
11、根据权利要求9所述的系统，其特征在于其中所述的核心电路还包括：
至少一NMOS交互耦接晶体管结构，具有至少一第一及第二交互耦接NMOS晶体管，其源极耦接到一电气接地端，而其汲极耦接到该第一及第二输出；
一第一电感模组耦接在一电源和该第一输出之间；以及
一第二电感模组耦接在该电源和该第二输出之间：
其中，该第一及第二NMOS晶体管闸极是分别交互耦接到该第二及第一NMOS晶体管的汲极。
12、根据权利要求9所述的系统，其特征在于其中所述的核心电路还包括：
至少一PMOS交互耦接晶体管结构，具有至少一第一及一第二交互耦接PMOS晶体管，其源极耦接到一电源，而其汲极耦接到该第一及第二输出；
一第一电感模组耦接在一接地端和该第一输出之间；以及
一第二电感模组耦接在该接地端和该第二输出之间；
其中，该第一及第二PMOS晶体管的闸极是分别交互耦接到该第二及第一NMOS晶体管的汲极。
13、一压控振荡器系统，其特征在于其包括：
一频率调谐电路，用以接收一频率调谐讯号及一频率调谐偏压讯号；
一调变电路，与该频率调谐电路并接；
至少一频带调谐电路，和该频率调谐电路并连，具有至少一可接收至少一频带调谐讯号及至少一切换讯号的切换电路；
一锁相回路频率合成器，基于至少该输出其中之一，提供该频率调谐讯号；
一连接到该调变电路的控制电路，以提供该调变讯号，及该频率调谐偏压讯号；以及
一核心电路，连接该频率调谐电路，该调变电路，及该频带调谐电路，可提供一第一输出与一和该第一输出互补的第二输出；
其中，该核心电路具有至少一电感模组，以提供预设电感；
其中，在确认切换讯号后，使该切换电路启动该频带调谐电路，以配合该频率调谐电路，藉以使得该第一输出与该第二输出具有一输出频率，该输出频率是取决于该核心电路、该频率调谐电路、该调变电路及该频带调谐电路的一总电感及一总电容，且该总电容是经由调整该频率调谐讯号、该频率调谐偏压讯号及该频带调谐讯号所控制，使该输出频率为一预设频率；以及
其中，该压控振荡器系统的所有组成元件皆是对称设置。
14、根据权利要求13所述的系统，其特征在于其中所述的频率调谐电路整合该调变电路还包括：
一第一电容及一第二电容，其第一端分别和该第一及第二输出耦接；
一第一可变电容组，具有第一可变电容及一第二可变电容和该第一及第二电容串接且位于两者中间，而且该第一及第二可变电容的中点连接到该频率调谐讯号；
一电阻群，具有一第一电阻及一第二电阻，和该第一及第二电容串接，且位于两者之间，而且该第一及第二电阻的中点连接到该频率调谐偏压讯号；以及
一第二可变电容组，具有一第三可变电容及一第四可变电容，和该第一及第二电容串接且位于两者中间，而且该第三及第四可变电容的中点连接到该调变讯号；
其中，该第一及第二可变电容组，及该电阻群是以并连方式耦接，而后一起串接到该第一及第二电容的第二端之间。
15、根据权利要求13所述的系统，其特征在于其中所述的频率调谐电路包括该调变电路，独立于一频率调谐模组，两者以并接方式耦接。
16、根据权利要求15所述的系统，其特征在于其中所述的频率调谐模组还包括：
一第一电容及一第二电容，其第一端分别和该第一及第二输出耦接；
一第一可变电容及一第二可变电容和该第一及第二电容串接且位于两者中间，而且该第一及第二可变电容的中点连接到该频率调谐讯号；以及
一第一电阻及一第二电阻，和该第一及第二电容串接，且位于两者之间，而且该第一及第二电阻的中点连接到该讯号调谐偏压讯号；
其中，该第一及第二电阻和该第一及第二可变电容，以并接方式相连，而且一起串接到该第一及第二电容的第二端之间。
17、根据权利要求15所述的系统，其特征在于其中所述的调变电路还包括：
一第一电容及一第二电容，互相串接，且其第一端分别和该第一及第二输出耦接；
一第一可变电容及一第二可变电容和该第一及第二电容串接且位于两者中间，而且该第一及第二可变电容的中点连接到该调变讯号；以及
一第一电阻及一第二电阻，和该第一及第二电容串接，且位于两者之间，而且该第一及第二电阻的中点连接到一电气接地端；
其中，该第一及第二电阻和该第一及第二可变电容，以并接方式相连，而且一起串接到该第一及第二电容的第二端之间。
18、根据权利要求13所述的系统，其特征在于其中所述的频带调谐电路还包括：
一第一及一第二电容模组，具有一第一及第二预设电容，两电容其第一端耦接到该第一及第二输出；
一第一及第二电阻互相串接，而且进一步串接到该第一及第二电容模组的第二端之间，该两电阻的中点是由该频带调谐所控制；以及
一第一及一第二开关互相串接，而且进一步串接到该第一及第二电容模组的第二端之间，该两开关的中点耦接到一电气接地端；
其中，当该切换讯号到达该开关的闸极时，该第一及第二电容模组是以串接方式耦接。
19、根据权利要求13所述的系统，其特征在于其更包括一核心电路，和该频率调谐电路及该频带调谐电路并接，可提供一振荡机制；该核心电路具有至少一可提供一负电阻的交互耦接晶体管结构，及至少一对称设置的电感模组。
20、一压控振荡器系统，其特征在于其包括：
一频率调谐电路，用以接收一频率调谐讯号及一频率调谐偏压讯号；
一调变电路，与该频率调谐电路并接；
至少一频带调谐电路，和该频率调谐电路并连，具有至少一可接收至少一频带调谐讯号及至少一切换讯号的切换电路；该频带调谐电路还包括：
一第一及一第二电容模组，具有一第一及第二预设电容，两电容其第一端耦接到该第一及第二输出；
一第一及第二电阻互相串接，而且进一步串接到该第一及第二电容模组的第二端之间，该两电阻的中点是由该频带调谐所控制；以及
一第一及一第二开关互相串接，而且进一步串接到该第一及第二电容模组的第二端之间，该两开关的中点耦接到一电气接地端；
其中，当该切换讯号到达该开关的闸极时，该第一及第二电容模组是以串接方式耦接；
一锁相回路频率合成器，基于至少该输出其中之一，提供该频率调谐讯号；
一连接到该调变电路的控制电路，以提供该调变讯号，及该频率调谐偏压讯号；以及
一核心电路，连接该频率调谐电路，该调变电路，及该频带调谐电路，可提供一第一输出与一和该第一输出互补的第二输出；
其中，该核心电路具有至少一电感模组，以提供预设电感；
其中，在确认切换讯号后，使该切换电路启动该频带调谐电路，以配合该频率调谐电路，藉以使得该第一输出与该第二输出具有一输出频率，该输出频率是取决于该核心电路、该频率调谐电路、该调变电路及该频带调谐电路的一总电感及一总电容，且该总电容是经由调整该频率调谐讯号、该频率调谐偏压讯号及该频带调谐讯号所控制，使该输出频率为一预设频率；以及
其中，该压控振荡器系统的所有组成元件皆是对称设置。
21、根据权利要求20所述的系统，其特征在于其中所述的频率调谐电路整合该调变电路还包括：
一第一电容及一第二电容，其第一端分别和该第一及第二输出耦接；
一第一可变电容组，具有一第一可变电容及一第二可变电容和该第一及第二电容串接且位于两者中间，而且该第一及第二可变电容的中点连接到该频率调谐讯号；
一电阻群，具有一第一电阻及一第二电阻，和该第一及第二电容串接，且位于两者之间，而且该第一及第二电阻的中点连接到该频率调谐偏压讯号；以及
一第二可变电容组，具有一第三可变电容及一第四可变电容，和该第一及第二电容串接且位于两者中间，而且该第三及第四可变电容的中点连接到该调变讯号；
其中，该第一及第二可变电容组，及该电阻群是以并连方式耦接，而后一起串接到该第一及第二电容的第二端之间。
22、根据权利要求20所述的系统，其特征在于其中所述的频率调谐电路包括该调变电路，独立于一频率调谐模组，两者以并接方式耦接，其中该频率调谐模组还包括：
一第一电容及一第二电容，其第一端分别和该第一及第二输出耦接；
一第一可变电容及一第二可变电容和该第一及第二电容串接且位于两者中间，而且该第一及第二可变电容的中点连接到该频率调谐讯号；以及
一第一电阻及一第二电阻，和该第一及第二电容串接，且位于两者之间，而且该第一及第二电阻的中点连接到该频率调谐偏压讯号；
其中，该第一及第二电阻和该第一及第二可变电容，以并接方式相连，而且一起串接到该第一及第二电容的第二端之间；
其中，该调变电路更进一步包括：
一第一电容及一第二电容，互相串接，且其第一端分别和该第一及第二输出耦接；
一第一可变电容及一第二可变电容和该第一及第二电容串接且位于两者中间，而且该第一及第二可变电容的中点连接到该调变讯号；以及
一第一电阻及一第二电阻，和该第一及第二电容串接，且位于两者之间，而且该第一及第二电阻的中点连接到一电气接地端；
其中，该第一及第二电阻和该第一及第二可变电容，以并接方式相连，而且一起串接到该第一及第二电容的第二端之间。
23、根据权利要求20所述的系统，其特征在于其进一步包括一核心电路，和该频率调谐电路及该频带调谐电路并接，可提供一振荡机制，该核心电路具有至少一可提供一负电阻的交互耦接晶体管结构，及至少一对称设置的电感模组。
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Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7102454B2 (en) * 2004-08-04 2006-09-05 Via Technologies, Inc. Highly-linear signal-modulated voltage controlled oscillator
US20060255865A1 (en) * 2005-05-11 2006-11-16 Comlent Holdings, Inc. Differential switches for voltage controlled oscillator coarse tuning
GB2430092A (en) * 2005-09-08 2007-03-14 Sony Uk Ltd Drive circuit for voltage controlled differential oscillator employing coupling capactiors
US7394329B2 (en) * 2005-09-14 2008-07-01 Silicon Laboratories Inc. Analog varactor
KR100644818B1 (ko) * 2005-09-27 2006-11-14 한국전자통신연구원 큐-부스팅 회로
US7675138B2 (en) 2005-09-30 2010-03-09 Broadcom Corporation On-chip capacitor structure
US8049302B2 (en) * 2005-09-30 2011-11-01 Broadcom Corporation On-chip capacitor structure with adjustable capacitance
US20070241834A1 (en) * 2006-03-28 2007-10-18 Kun-Seok Lee Frequency fine- tuning circuit and voltage-controlled oscillator including the same
KR20070103209A (ko) * 2006-04-18 2007-10-23 삼성전자주식회사 멀티대역용 전압 제어 발진기 및 이를 포함하는 ｒｆ 통신장치
US7564275B2 (en) * 2006-06-10 2009-07-21 Freescale Semiconductor, Inc. Switching circuit and a method of driving a load
DE102006041804B4 (de) * 2006-09-06 2014-04-03 Infineon Technologies Ag Phasengekoppelter Regelkreis
TWI321909B (en) * 2006-11-17 2010-03-11 Sunplus Technology Co Ltd Switch capacitance and varactor bank applied to voltage controlled oscillator having constant kvco
CN101542895B (zh) * 2007-03-09 2011-10-05 松下电器产业株式会社 局部振荡器及使用其的接收装置及电子设备
US7760032B2 (en) * 2007-04-20 2010-07-20 Tialinx, Inc. Self-compensating voltage-controlled oscillator
US7605667B2 (en) * 2007-04-26 2009-10-20 Mediatek Inc. Frequency synthesizer with a harmonic locked phase/frequency detector
US7675373B2 (en) * 2007-05-29 2010-03-09 Infineon Technologies Ag Voltage controlled oscillator circuit and a method for configuring a voltage controlled oscillator circuit
JP2008311820A (ja) * 2007-06-13 2008-12-25 Toshiba Corp 電圧制御発振器および発振制御システム
TWI352508B (en) * 2007-11-30 2011-11-11 Univ Nat Taiwan Transistor-based voltage-controlled oscillator and
TWI376100B (en) * 2008-01-07 2012-11-01 Mediatek Inc Mixed-mode phase locked loops and linear phase correction units
JPWO2009119042A1 (ja) * 2008-03-28 2011-07-21 パナソニック株式会社 電圧制御発振器、並びにそれを用いたｐｌｌ回路及び無線通信機器
US7834712B2 (en) * 2008-10-09 2010-11-16 Altera Corporation Techniques for providing option conductors to connect components in an oscillator circuit
US8058938B2 (en) * 2009-04-30 2011-11-15 Project Ft, Inc. Voltage controlled oscillator
US8044739B2 (en) * 2009-06-09 2011-10-25 Qualcomm Incorporated Capacitor switching circuit
CN101944880B (zh) * 2009-07-08 2013-09-25 杭州中科微电子有限公司 一种采用调谐曲线补偿vco的方法及其电路模块
US8203374B2 (en) * 2010-05-06 2012-06-19 Aeroflex Colorado Springs Inc. Electrically tunable continuous-time circuit and method for compensating a polynomial voltage-dependent characteristic of capacitance
US8275336B2 (en) * 2010-06-23 2012-09-25 Richwave Technology Corp. Apparatus and method for digitally controlling capacitance
US20130296217A1 (en) * 2010-10-21 2013-11-07 Cornell University Oscillator circuit and system
CN102158224A (zh) * 2011-04-12 2011-08-17 广州润芯信息技术有限公司 一种压控振荡器
WO2013102159A1 (en) * 2011-12-30 2013-07-04 Tensorcom, Inc. Method and apparatus of a resonant oscillator separately driving two independent functions
CN104160627B (zh) * 2012-03-12 2017-05-17 精工爱普生株式会社 电压控制振荡器、信号发生装置以及电子设备
CN104135233B (zh) * 2013-05-02 2017-05-10 成都振芯科技股份有限公司 低噪声压控振荡器偏置电路及频率源自校准方法
US9805016B2 (en) * 2013-10-22 2017-10-31 Microsoft Technology Licensing, Llc Techniques to present a dynamic formula bar in a spreadsheet
US9543916B2 (en) 2014-06-19 2017-01-10 Project Ft, Inc. Active device which has a high breakdown voltage, is memory-less, traps even harmonic signals and circuits used therewith
JP6770788B2 (ja) * 2014-09-24 2020-10-21 セイコーエプソン株式会社 発振器、電子機器および移動体
US9929123B2 (en) * 2015-06-08 2018-03-27 Analog Devices, Inc. Resonant circuit including bump pads
EP3107213B1 (en) * 2015-06-18 2021-01-06 Nxp B.V. Frequency synthesizer circuit with linearized gain of the controlled oscillator
JP6691287B2 (ja) * 2015-11-18 2020-04-28 株式会社ソシオネクスト 電圧制御発振回路及びｐｌｌ回路
US10432141B2 (en) 2015-12-18 2019-10-01 Qualcomm Incorporated Multimode voltage controlled oscillator
US9673753B1 (en) * 2016-01-19 2017-06-06 Cavium, Inc. Voltage-controlled oscillator with improved tuning curve linearization
CN109818611B (zh) * 2018-12-27 2020-12-01 西安电子科技大学 一种应用于全数字锁相环的数字控制振荡器
CN111464179B (zh) * 2020-04-28 2024-03-01 恒玄科技(上海)股份有限公司 一种谐振频率控制电路
US11527991B2 (en) * 2020-11-23 2022-12-13 Synopsys, Inc. Circuit for extended voltage control oscillator gain linearity
US11356058B1 (en) * 2020-12-17 2022-06-07 Cypress Semiconductor Corporation Oscillator with frequency variation compensation
CN113595505B (zh) * 2021-06-25 2023-08-29 西安空间无线电技术研究所 一种抗干扰x波段压控振荡器
CN115276564B (zh) * 2022-07-30 2023-03-21 上海锐星微电子科技有限公司 一种用于优化线性度的压控振荡电路、压控振荡方法及芯片

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4314424A1 (de) * 1993-05-03 1994-11-10 Philips Patentverwaltung Oszillator
US5686864A (en) * 1995-09-05 1997-11-11 Motorola, Inc. Method and apparatus for controlling a voltage controlled oscillator tuning range in a frequency synthesizer
US5821820A (en) * 1997-10-15 1998-10-13 Motorola Inc. Dual band voltage controlled oscillator
US6566971B1 (en) * 2000-02-24 2003-05-20 Broadcom Corporation Method and circuitry for implementing a differentially tuned varactor-inductor oscillator
DE10056943C1 (de) * 2000-11-17 2002-04-11 Infineon Technologies Ag Oszillatorschaltung
WO2002093781A2 (en) * 2001-05-16 2002-11-21 Koninklijke Philips Electronics N.V. Fm modulator using a phaselockloop
JP2005518746A (ja) * 2002-02-26 2005-06-23 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ ミシガン Ｍｅｍベースのコンピュータシステム、及びそれに用いるクロック生成発振器回路及びｌｃタンク装置
JP3774454B2 (ja) * 2003-09-09 2006-05-17 株式会社東芝 周波数直接変調装置及び通信システム
US7102454B2 (en) * 2004-08-04 2006-09-05 Via Technologies, Inc. Highly-linear signal-modulated voltage controlled oscillator

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