TWI311854B - Highly-linear signal-modulated voltage controlled oscillator - Google Patents

Description

1311854 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種半導體壓控振盪器，特別是關於高線性度訊號調 變壓控振盪器之整合改良設計。 【先前技術】

隨著行動電話的普及，無線架構與電路技術分外受到重視。此外，近 年互補式金氧半導體（CMGS)技術之微縮化造成娜元件其射頻（RF)特 吐大巾田提昇。金氧半導體射頻技術改良其中—例，就是利用低成本金氧半 導體CMOS技術，貫現單晶收發$ (transeeivei^)之設彳。故金氧半導體 射頻RF CMOS積體電路（1C)技術已進步至可應用於商業用途。 …線通訊收發器的關鍵組件之—為壓控振蓋器，其係頻率合成器的一 而頻率合成器可產生產生本地振盪⑽信號，以向上昇頻 -nVerS1〇n) ^own-conversion) Μπ. 轉雜置(™S ^㈣之單晶整合的，由於電感-電容 他類佳之相對相位雜訊與較低之功率消耗，使其較其 器的紐器相關技術持續改良中，然而，對RF收發 了降:相位之設計仍為其主要瓶頸及挑戰。這類挑戰包括 ====耗、及優化(〇咖1咖)頻率調譜（―）範 ⑻及可Si2 ，相位雜訊與功转耗主要和該槽之品質因素 PN接面二極體，’該可變電_別設計之 有好幾種：PN接面、縣r Γ Γ m。可‘魏容之類型 頻率調_取決於該可=n ^或累積模式_s之可變電容。 因此，首要目彳？就是㈣i _及該壓控振《之寄生特性。 至題控“變電容之效能表現達到最佳狀態。施加 •可改變該可變電容之電容值，藉此定出該壓控 5 1311854 該電感L與並接之電容C依以下方程式蚊該壓控振 f = 1/ 2π〇Χ)1/2 内之^變電用賴蓋—特定頻帶。壓控紐11之主動元件可克服該槽 内之耗知。輕少麵控縫^之她雜，該槽之鶴域需且備一古 =因素⑼值’因為該槽之品質因素係以平方_影響該壓 ^ =雜訊。在適合行動通訊之頻率，積體電感之品質因素咖通常遠低^ 體或順可變電容。在這些躺中，電感可決定最錄況之相位雜 Λ及该壓控振盪器是否符合規格。

=體電感的效能會受到基板中不必要電流所造成之損耗、_電感線 圈串接電阻的強烈影響。在數位⑽3技術中，其金屬層厚度遠小於用在 雙載子電晶體與BiCMOS雙載子金氧半導體技術中金屬層之厚度，因而造成 串接電阻大幅上升。再者，該基板摻雜濃度高，因此造成大的基板損耗。 數位CMOS技術允許在同m合數位與類比魏，科會造成其製造成 本呈指數增加。 此外傳統的壓控振盪器需要大晶粒尺寸，低線性度，且無信號調變

振盈益之振盈頻率。 盈is之振廬頻率f : 力^電路佈寄生效應更加大了設定振翻率之變化性，因此，無法 可靠預測出振盪頻率。 、所以，較仏的壓控振盪器設計，結合了較小機板面積（f〇〇tprint)、 較低電路寄生絲、較高雜度、歡之設定振盪鮮、及乡魏率波段 容量等特性。 【發明内容】 玉鑑於前述，本發明提供一改良式壓控振盪器系統，可改善振盪器之可 靠度，效率及可控制度。 本發明之壓控振盪器系統包括一頻率調諧電路，用以接收一頻率調譜 甙號及一頻率調諧偏壓訊號；一調變電路，與該頻率調諧電路並接；一 6 1311854 頻帶觸電路’和該頻率調譜電路並連，包含至少_切 訊號及至少—切換崎-核心電路，連接該頻率= 出互補之第⑨路可k供—第—輸出與—和該第-輪 感；在物切換《後，使勒換電路啟動_ 味（、=电 率調言皆電路，藉以使得該第—輸出與該第二龄中貝^二路，以配合該頻 頻率係取決於魏心、電路輪㈣神，該輸出 路之-總電歧-她:=Γ 該調變電路及該頻帶調證電 率調諧偏壓 ►同時雌魏之财域元件皆鱗稱=頻設頻率。 ^而’藉後述蚊f财彳配合魏配H 之設置、操作方式、額外物體及其益處。 楚瞭解本發明 【實施方式】 以下將坪細描述此效能更佳之LC槽式壓控振盈哭電 ^ ：^air"100 im --1〇8=« 該共振器之損耗。根據Barkh纖㈣律，當迴圈增益大於—負:以消除 =:零時’振盪便發生。該對稱化壓控_器系統振_率::= f = 1/ 2n(LC)1/2 之蝴，而G編該：侧容m 由於此設計並未採用一對稱化架構，其寄生電容 定。如此—來，無法利用該電路⑽具備一Ab=、法確 电合旱確預測該對稱 7 1311854 化壓控振盈器系統之輪出瓶、玄. 因此需-外部調變電路。杜。=該電路權並無—内建之調變功能， 生額外之閃燦（mcker)=’該^路_性度低，從而在輪出時會產 無法被抑制。胁以上因^，此設敵_，偶顿式魏 載（1〇補品質因素热法準確可信地綱該整飢c槽式電路的加 弟2圖係本發明一竇·尬办，^ > 控振觸謂之—f度、信細變之對觀IX槽式塵 變電路，-頻帶調=織°〇二f率調讀一 下，一或翅_。= +核心電路™、及在狀之輪出頻率 率調諸電_，姉^^=nR=PUT—_T』。該頻 一起控制輸出頻率。縣上，該頻率調諧電路2〇 變電 =頻率調譜，以此為基礎，頻帶調諸電路施進声了 ^層 谐’兩者—起峨壓控振㈣統之輸出頻率及相位。層的頻率調 n ° w彳如—ντ_ ，可提供本實補-回馈電壓 位係取決於頻率調諧電路2G2中之可變電容類型，其類型包括ΡΝ 面、“準模式p/_s、或累積模式ρ/_。一鎖相迴路他)模組212， 湯H相鹏辭合成則虹f_eney Synthesizer) ’根據該壓控振 :盗电之輸出，提供該VTUNE信號。該鎖相迴路(pLL)模组212可 位亥可變電容之電容值，以提供精叙壓控振盪器輸出頻率控制 也，發明可能還包括另一可產生調諧及調變相關控制訊號，如一頻率調 諧偏壓訊號麵E—BIAS及-調變減mNE_MGDULAT謂之外部控制電路° ;:此外〇卩控制電路可以是像類比基帶電路(anal〇g baseband circuit) ^類的外部類比來源電路。例如，在頻帶調譜電路2〇6内，當接收到一或 多個切換訊號(如 “AlSWiTCH，，，“A2SmcH” …“ANSWITcr)。時， 可選擇/操作一或多個頻帶’以啟動特定電路。該頻率調諧偏壓訊號 8 1311854 _觸峨vtune-_，，和切換訊號—起，可微調頻率。 l τ 3亥壓控振盪器可包含單一個或多數個頻帶。 士 π從。衾外部控制電路提供—調變電壓，該調變訊號VTUNE—MODULATION可 振^器之輸出。該調變訊號VTUNEJ1〇DULATION改變了作用在調 hH奋上的電壓。例如振幅調變，頻率調變，及等頻移鍵控，（汁equency s 1 eying)任—類調變皆可用於調變壓控振盪器之輸出頻率。 比s女了解"亥頻率調諧電路202，該頻帶調諧電路206及該調變電路204 二電*這些可變電容可以是同一類型，也可以是不同類型。這 …谷的類型包括PN接面、標準模式p/NM〇s、或累積模式p/麵。 枯垂Γ係顯不了本發明之一實施例的一對稱化LC槽式·控振盈器電路 5^人300包含了具有一頻率調諧電路和一調變電路之一整合電路 2 至少—切換電路之頻帶調諸電路304，一電感模組306，及一具 夕妨、、*交互輕接之電晶體結構施和一顺呢交互輕接之電晶體結構310 :’路。魏路細提供了兩互補之輸出〇刪 製造生成於-半一2 占較錢板面積（fQQtpHnt)，因此相較於 傳統壓控振盛器之設計，製造成本較低。 2例中’經由該核心電路，該電路謂從一第一電源312如概處 雷在節點316處，連接到—第二電源，如一電氣接地端，或 整气路30? ^架構具絕佳對稱性，因為其電晶體結構期和310，該 ί塵^傳統塵控缝器之設計，這類對稱式振盪器的設計，可 偶次模式譜波’降低任何向上轉換之_雜訊，及減少壓 :振盧讀出之％路寄生。此外，連續的輸出可提供更好的 及雜訊的產生t 以 f題，如訊號失真(S1_—rti〇n) 猶1 了解’該整合電路观提供了電路咖相位鎖定及調變力，雖狹此 撕性也可由和雜合電賴並_接之—分離電路所提供。在本實施 9 1311854 例中，該回饋頻率調諧訊號VTUNE可調整壓控振靈器之輸出頻率及相位。 整合電路302中之頻率調諧電路包括至少一電容318，經由一節點33〇和一 可變電容322串接’以及-電容320’經由-節點332和—可變電容324串 接二此串接增加了該整合電路302之線性度。同時該電容318和32〇分別 彳私阻326和328串接。該電阻326和電容318,如同電阻328和電容320, 可被視為-整合式差分低通濾波器（differential 1〇)^咖⑴㈣，用 二消除外部雜訊。該vtune-bias訊號具有預設電壓，可由一圖中未示之外 部控制電路供給。此電壓訊號是由該整合電路302，在電阻326和328之 間某一點處接收’藉此影響節點330和332之電壓，以控制可變電容犯2 • 324’ 334’及336。VTUNE_BIAS所支援之預設電壓準位，取決於該整合電 路302内可變電容的種類。 口 ~该整合電路302中之調變部分包括至少—可變電容334，其一端連接 到節點330，而另一端可接收該調變訊號vtunej|〇duuti〇n。同樣地，該 可、笔谷336有一端連接到節點332，而另一端也可接收該調變訊號 ' VTUNEJ!〇DULATION。如圖二所示，該調變訊號 VTUNE—MODULATION 可由一外 . 部控制電路’如-齡基頻(AnalQg BasebQnd)電路所提供。據了解，壓控 振盪器之輸出頻率，可使用振幅調變，頻率調變，及等頻移鍵控(FrequenCy shift keying)，或其他調變類型加以調變。如圖所示，透過三種控制信號 _ VTUNE’ VTUNE—BIAS，及VTUNE—MODULATION，及整合頻率調諧電路'之對^冉 結構，調整所有可魏容之電壓，關整鮮，敎她，及調變輸出。 >如圖所示，和該整合電路302分離之頻帶調諧電路3〇4，透過如可變 電容338和340等電容模組，引入外加電容到該壓控振盪器電路，藉著改 變VC0之總電容，進而改變該壓控振盈器之輸出頻率。可變電容抑8和3仙 也可以是具有固定電容之電容器。該頻帶調諧電路可被一“ASWITCH，，訊 號啟動。該訊號可活化切換模組342及344,以電氣連結該可變電容及 340。如圖所示，該切換模組342及344是丽㈨電 PM〇S電晶體。據了解，該“麵CH”職可由外部電路產=== 以控制該電路300所需頻率。要注意該切換模組342及344之源極係在— 1311854 1=346連接至接地端巧使源極並未連接到接地端，該節點仍是一虛擬 AC接柄，因為它是位於電路咖之中點，藉此不但可降低串接電阻，還 可進一步增加該電路300的之品質因素。 頻帶調譜訊號VTUNE—BAND”也有由一外部電 頻帶f訊號提供-位於調諧電阻聊和脱間的節點_ 而調阻350和352之另-端則分別連接到切換模組342及綱之及 帶調諧訊號可經由調諸電阻咖和352，分別提供電壓給該可變 = 338及34〇 ’以改變該可變電容之電容值，因此影響該壓控滅器之 A Q刪U的輸出頻率。該調諧電阻35G及可變電容338 =j的組合，如同調譜電阻352及可變電容34()電容值的組合，可被視 為一差分低通濾波器，用於降低或消除外部雜訊。 葬』電晶體結構施及_提供必要之負電阻，以增加電源， 共振槽（包括有該電感及可提供解繼電路及解調稭電 ^ ^之損耗。同時，適當選擇這些交互耗接的電晶體結構308和310 之電乳特性，可大幅減少閃燦雜訊之向上轉換(up_瞻㈣〇η)。 的嗖容及電感模組咖對稱整合成該LC槽壓控振__ 300 ==甚矩。-適當的對稱式設計，可降低該電路之寄生電容，因而 再者電容318和卿，可串接到可變電容微和324, ΓΓΖ變電容334和336。此串列連接性可增加可變電容的線性 電路施’交互純的電晶 琴，此…十對r w 電感核'组3〇6之絕佳對稱性。相較於傳統壓控振盪 了麵錄器偶次模式諧波，也減傾控滅 雜訊。整合電路3G2的第三個優點是内建訊號調變及回饋相 變考ΐ需rT=re lQd0功能。内建調變魏可免除對外接訊號調 欠盗之⑥求’因而降低晶片尺寸(縮減尺寸達35 to 45%)及 可触胶義m齡傳_她盪驗种常見的訊 號失真(3獅1 distortion)及雜賴產生#_。同時，在整 及頻帶調諧電路30钟的内建低通濾波器可消除外部雜訊，而不口需額外的 T?年/J月Μ曰修正替換頁 1311854 ^牛。最後’此整合性設計可@'略某些電路元件 且所占機板面積較小。經過整讀、可 'H合其功能性’ 刼鬆且準確地計算該電路3〇〇的整體加載品質因^講寄生現象’因此能 熟知本技藝之人士應了解輪出頻率和壓控邊 間的關係，係以下列數學方程式表示· 、。。電路中的電容，電感 f κ i/a(ci+c2))12 其中Cl係整合電路302之總電容，C2係 而L大部分係由電感元件3〇6所提供 ：路304之總電容， 幾乎不變時，頻率觸大多由總電扣示，假設電感飢 變電容322, 324, 334, * 336的影響，這些可變斤^^時^會受到可 或有所不同。同樣地，C2會受 依wU要’相同 容可依設«要，相同或有所不影響，此兩可變電 調節。例如，可設定可變電容322, 324, 334和;^各^方式達成頻率 :容’而可變電容―可調整成預設電=四::=之總 分之三，以調節頻率。 m旳四刀之，一+’四 顯而:Γΐ=實施例的—個對稱化比槽式壓控振綱路棚。 Ϊ電路L f 魏位調翻帶結構。電路侧包括—頻率調 早獨調變電路搬及—頻率調魏组卿並連組成，— 二有，個切換電路之頻帶調諸魏’ 一電感模組棚，一且有一職 2互^電晶體結構侧，以及—醜交互输電晶體結構仙之核心電 ^亥電路棚產生了輸出0ϋΤΡϋΊυΜσ 〇_一心該電路侧是從一第 币路;^12如KC獲仔電力’同時連接到另—處，如電氣接地端或VSS 416。 是在議基板上韻，因此減於傳統_控紐器，所佔機板 曰辨=小’同時降低製造成本。電路棚之架構具絕佳的對稱性在於該電 1構408和410，頻率調諸電路’頻帶調諧電路404，及電感模俎 406之電路設計皆為對稱型。 ，相，於圖三所示之電路，該頻率調諧電路衡係一”分離式”設計， 口為及單獨繼電路4G2及該頻率調諸模組4Q3是兩個獨立的電路，以並 1311854 修正替換頁 兩輸出相連。此分離設計，可以只採用-或兩電路， ‘變格’因而儘可能降低對機板面積之需求。 可變電容4又22' 4?Λ3電容418和420，分別透過節點430及432，和 容。電容及° 該可變電容422和似可以是ΡΝ接面可變電 接。在此實施例中，電阻郎點430及似,’和電阻426及428串 它們並未接地，也可二見為口 428進一步透過節點434接地，但即使 於電路棚之中點。Ί °一虛擬化接地端相接’因為該節點434係位 路_ = 辦低了串接雜，_也改善了該電 阻426及電容418配對，如同電阻·及電容 、、、差刀低通濾波器，可用以消除外部雜訊。 之’係藉施加於可變電容422和424 而且該壓杵# t ^ 達成射解，此喊可由—外部控制電路提供。 輸』係使用頻率調諧訊號™，以調整壓控麵之 分別透過節點及電中’電容伽及438 增加可變電容的線性产 串接。此串列連接性可 及，串接到電阻二。及Γ斤示j電容436及438也分別透過節點448 容438，可被視為—差分電阻444及電容436，如同電阻446及電 訊號画划也t «訊一鮮調諧偏壓 阻444及446之中點。撼 供預5又電壓’而該節點451係位於電 路401中可變電容的類型。”’此預設電壓之準位係取決於該頻率調諧電 位調====職路剩—_重繼頻帶之數 壓控振《之輸出頻谷組，改變該LC槽之總電容值 ’從而調節該 452, 454,及4t A如圖所示，頻帶綱電路伽具有電容切換電路 —Ax洲聰，（x是指丨，2,...咖訊號可藉著 13 1311854 9蛑斗月3曰修正替換頁 如施加巧換賴至射輸^itehes)，以啟動射之—電容切換電 由—外部電路產生，以提供多重平行位元(_iei b㈣， 工’獲數個電谷切換電路’因此可隨時產生該驗振盈器所需之輸出頻率。 電容切換電路452中，該“A1 SWITCH，’訊號提供切換模組458及 甲1-電壓，以切換電容462及偷，以影響最終壓控振逢器之輸出。 ^ = 2和464 ’可視為供應capacitance s〇urce給電容切換電路脱之 電容模組’係個別串接到觸電阻到47〇。調請電阻棚及電容搬， 如同調=電阻·及電容464，可視為-差分低通滤波器，用於消除外部雜 訊。注意在本實施例中，該切麵組為臓電晶體，其閘極可接收“Μ SWITCH”訊號，而切換模組458及侧之源極是在節點概接至接地端。 即使該節點466並未接地’它們仍可被視為位於—虛擬AC接地端，使電路 呈對稱性設計。藉著將此接地端或虛擬接地端置於電路之中點，可降 低該電路之φ接f阻，及改善該之品質时。該娜調諧訊號 VTUNE_B^1”提供電壓給一位於調譜電阻彻和47〇巾點之一節點 =7 ’該調諸電阻468和470更進-步分別和電容462及樹串接。該 “VTUNE—BAND1”訊號提供-偏壓給該切換模組及働之没極。據了 解’該電容切換電路454及456，作用方式類似該電容切換電路奶2，除了 它們接收的訊號係“A2 SWITCH”到“AN SWITCH”訊號，及用於控制其 運作之“VTUNE_BAND2”和“侧e—MNDN”訊號。雖然此實施例中出、 現二個電容切換電路，可增加或減少電容切換電路之數目，以符合 統需求。 電路400的一個優點為其絕佳的線性度。電容418 , 42〇和可變電容 422 ’424間之線性，以及電容436,438和可變電容440，442間之線性， 可增加整體的線性度。第二個優點是該電路4〇〇之絕佳對稱性。電路4⑽， 電晶體結構408及410，電感模組406，頻率調諧電路401及該頻帶調諧 電路404皆呈對稱式設計。電路4〇〇之對稱式設計明顯降低電路内之寄1 電容’藉以在設計階段時，提供輸出頻率穩定性，及準確度Q電路4〇〇之 第二個優點是内建的訊號調變及鎖相迴路功能。第四是内建的低通濾波 14 1日修正替換頁 1311854

==_树，即可紐外部雜訊。最後，在-_統設計中，★ 或鎖相迴路功能，則該電路4〇〇所提供—分離式設計，可縮J 圖五A和圖五B表示本發明另—命 例之一獨立，對稱式LC槽式壓 搌為电路500。該電路500，類似電路4〇 Μ工 在此例中’該壓控振盪器包括一具有數 率。周％模組5〇3之頻率調證電路5⑴，* 二 頻 調諧電路504。然而、，該兩路棚”二、有複數個電容切換電路之鎖帶 5〇5Α和5〇5Β電·^ 組働已被省略’由一具有電感

所取代。该電感5〇5A和505B之一端分別、击^ 到5亥壓控振盪器輸出output p和output μ π連接 端則是連接到_電源·。兮舰WPUT—N。而電感505A和_之另— 應〇s六▲ ’、 〇X 乂互耦接電晶體結構408也省略，而一 位置二了馬解ί體結構删則再現於該聽S交互稱接電晶體結構410之 地，在調具有和電路_之相同效能特性及優點。同樣 也在圖中’該PM〇s交互麵接電晶 = 親接電晶體結構則由該電感模組5〇5所取代。峙不欠而该_父互 上述貫施例利用一互補交互耦接結構一 和傳統嫩=====、同時， 交件多不同實施例或實現本發明不同特徵之實施例。所述 "私之知'疋貫施例係用以幫助闡明本發明。此箄 施例，而翻崎帽補顧再予_。U咐然僅減 雖然本發明在此以實施於一個或— 其非用以限制於所示細節，因於其上可進行兄明與描述，然 輯發明之精神，且仍在申請專利二=;=變’而， 之甲明專利福應被廣義地、賴本發明範圍—致 下所提之申請專利範圍。 式解碩，如同以 1311854 【圖式簡，單說明】 第1圖.係表示—個傳統LC槽式壓控振盪器系統電路。 第2圖：係表示本發明—實施例的一 LC槽式對稱化壓控振盪器系統之一方 塊圖。 第3圖：係表示本發明之—實施例的整合式LC槽式對稱化壓控減器電路 圖0 第4圖··=示本發明之—實施例的分離式Le槽式對稱化壓控紐器電路 第5圖：㈣之—實關的另—分離式Lc槽讀稱化壓控振盪器 【主要元件符號說明】 100傳統LC槽式對稱化壓控振逢器系統電路 102可變電容 104電感 106 NMOS交互轉接之MOSFET結構 108定流電源 壓控振盪器系統

200高線性度、信號調變之對稱化Lc槽式 202頻率調諧電路 204調變電路 206頻帶調諧電路 208核心電路 212鎖相迴路(PLL)模組 214外部控制電路 300對稱化LC槽式壓控振盈器電路 302整合電路 304頻帶調譜電路 306電感模組 16 1311854 308PMOS交互耦接之電晶體結構 310NMOS交互耦接之電晶體結構 312第一電源 316節點 318電容 320電容 322可變電容 324可變電容 326電阻 328電阻 330節點 332節點 334可變電容 336可變電容 338電容模組 340電容模組 342切換模組 344切換模組 346節點 348節點 350調諧電阻 352調諧電阻 400對稱化LC槽式壓控振盪器電路 401頻率調諧電路 402調變電路 403頻率調諧模組 404頻帶調諧電路 406電感模組 17 1311854 408PMOS交互耦接電晶體結構 410NMOS交互耦接電晶體結構 412電源

416電氣接地端或VSS 418電容 420電容 422可變電容 424可變電容 426電阻 428電阻

430節點 432節點 434節點 436電容 438電容 440可變電容 442可變電容 444電阻 446電阻 448節點 450節點 451節點 452電容切換電路 454電容切換電路 456電容切換電路 458切換模組 460切換模組 462電容 18 1311854 I %年〇月I丨日修正替換頁1

I 464電容 466節點 467節點 468調諧電阻 470調諧電阻 500對稱式LC槽式壓控振盪器電路 501頻率調諧電路 502調變電路 503頻率調諧模組 504頻帶調諧電路 505電感模組 505A電感 505B電感 506NMOS交互耦接電晶體結構 508電源

Claims (1)

1311854 力年分月〖丨日修正本 十、申請專利範圍： 1· 一壓控振靈器系統，包括： 電頻率調譜訊號及—頻率調諧偏麼訊號； 辭鬚雌，並接收—觀贼 乂如聯電路，和賴率繼祕 一少一頻帶調軌號及至少—切換碱之切換魏^ #收至 ^提^電H轉解觸魏’翻變，麟卿顺電路 甘^第—輸出與—和該第—輸出互補之第二輸出； ， ^ 心電路具有至少—電感模組，以提供預設電感； '合該======娜輯路，《配 率，，取=:=== 及摘帶麟電路之-總電感及一總電容，且該她電； 號、該鮮調諧偏壓訊號及該頻帶調;訊號所控= 輸出頻率為一預設頻率；以及 ^ 其中’ 3亥壓控振盪器系統之所有組成元件皆係對稱設置。 2. 如申請專利範圍帛i項所述之系統 路整合在-起而成為-整合電路。料辦電路係和_變電 3. 如申請專利範圍第2項所述之系統，其中該整合電路更包括： L第一電Ϊ及二第二電容’其第一端分別連接到該第-及第二輪出. -弟-可變電—容組，具有_第一可變電容及一第二可變電容，和該第 -及第二電容串接錄於兩者中間，而且該第—及第二可變電容^ 點連接到該頻率調諸訊號； 〒 -電阻群’包括有-第-電阻及—第二電阻，和該第—及第二電容串 接’且位於兩者之間，而且該第—及第二電阻之幅 讀偏壓訊號； 20 1311854 —第可變電容組’具有—第三可變電容及—第四可變電容，和該 點連容串接且錄兩者㈣，而且該第三及細可變電容之中 點連接到S亥調變訊號； 甲 其及第二可變電容組，電阻群係以並連方式_，而 後起亊接到該第一及第二電容的第二端之間。 4·如申請專利範圍第卜員所述之系统，更包括： —鎖相迴路鮮合成ϋ，基於至少觸_輸出以及該第二輸出其 —’提供該頻率調諧訊號；以及 調諧 恤彻獅謂供賴織，及該頻率

5. 如申叫專利知圍第j項所述之系統，其中該頻率調猎電路以並接方 接該調變電路，而為一頻率調諧模組。 6. 如申„月專利範圍|ξ 5項所述之系、统，其中該頻率調言皆電路包括. -第-電容及-第二電容，其第一端分別和該第一及第二輸出麵接； -第-可魏容及—第二可變電容和該第—及第二電容串接且位於兩 者中間，而且該第-及第二可變電容之中點連接到該頻率調諧訊號； 以及 ’ -第-電阻及-第二電阻’和該第-及第二電容串接，且位於兩者之 間’而且該第-及第二電阻之中點連接到該頻率調諧偏壓訊號； 其中’該第-及第二電阻和該第-及第二可變電容，以並接方式相連， 而且一起串接到該第一及第二電容的第二端之間。 7.如申請專利範圍第5項所述之系統，其中該調變電路包括： -第-電容及-第二電容’互相串接，且其第—端分別和該第一及第 二輸出耦接； . 一第一可變電容及一第一可變電容和該第一及第二電容串接且位於兩 者中間，而且該第一及第一可變電容之中點連接到該調變訊號；以及 一第一電阻及一第二電阻，和該第一及第二電容串接，且位於兩者之 間，而且該第一及第二電阻之中點連接到一電氣接地端； 21 1311854 其而H弟—及第二電阻和該第—及第二可變電容，以並接方式相連 而且-起奉接到該第一及第二電容的第二端之間。 一申楚:專她圍第1項所述之系統，其中該頻帶調譜電路包括. -一第山-及-第二電容模組，具有m預設電容，兩電容其第 一鈿耦接到該第一及第二輸出； 、 组第的第及t電阻互相串接而且進―步，接到該第―及第二電容模 」第之間，該兩電阻之間的_係由該頻帶爾所控制；以及 槿1 關互相串接’而且進—步串接到該第—及第二電容 ^且的弟二端之間’該兩開關之中點_到—電氣接地端； ==峨到達該開關之間極時，該第—及第二電容模組係 9· 雜编，軸第—綱_第二電 申請專利範圍第i項所述之系統，更包含一核心電路 電路及該頻帶調請電路並接，可提供—振盤機制。 Η.如申請專利翻第1G項所述之系統，其中該核心電路包括. 至少-娜交互_電晶齡構，財至少—對交絲接簡 體，其源極耦接到一電源；以及 罨曰曰 至少-臟交互輕接電晶體結構，具有至少 體’其源_接到-電氣接地端； u^aa 其中，該==输PM0S電晶體之及極及該對交互耗接_ 汲極’皆耦接到對應的該第一或第二輪出.以及 电0曰體之 其中，該對交互輕接PM0S電晶體中之—PM0S電晶體之一間 =應PM0S電晶體之—汲極，該對交互_ _電 晶體中之一 NMOS電晶體之一間搞後4 屯 電晶體之-汲極 父互耗接到對應成對之另—_ 12.如申請專利範圍第U)項所述之系統，其中該核心電路尚包括： 22 1311854 97年。月η日修正替換頁 至少—_S交互福接電締结構，具有 跳電晶體，其源_翻 及第二交互叙接 第二輪出; 知而其祕_到該第一及 二广，模_接在—電源和該第—輸出之間 =二笔感模、_接在該電源和該第二輪出，·及 ，、中，該第一及第二丽〇s電晶體閘極係分 NMOS電晶體之汲極。 、又互耦接到該第二及第一 範圍第i。項所述之系統， 至少—P跳交蝴妾電晶體結構=電路包括： PM0S電晶體，jl.、盾托知+A 弟—及一第二交互搞接 出;肩铜-電源，而其没極•接到該第―：: 二第:電感模、_接在—接地端和該第—輪出 電感模組_在該接地端和該第二輪出之門 ，、中’该第-及第二PM0S電晶體之間極係日姜 一 PM0S電晶體之汲極。 ’、j又互耦接到4第二及第 R 利範圍第4項所述之系統，其中 路一整合一在-起而成為—整合電路，該整合電路2咕電路係和該調變電 第其第-端分別和‘及第二輪 第二電容串接且位於兩有者^；：變電^：-第二可變電容和該第一及 接到該頻率調譜*訊二I 間’而且該第—及第二可變電容之中點連 一電阻群，具有一第—電阻 ^ 且位於兩者之間，而且該第和該第一及第二電容串接， 壓訊號；以及 弟一电阻之中點連接到該頻率調諧偏 一第二可變電容組’具有— 一及第二電容串接且位於兩者—中間%1及1第四可變電容，和該第 點連接到該調變訊號； 且δ亥第二及第四可變電容之中 其中，S玄第一及第二可變办 奋、.且，及该電阻群係以並連方式耦接，而 23 1311854 後一起串接到該第一及第二電容的第二端之間。 15.=申請專利範圍第4項所述之系統，其中該頻率調諧電路以並接方 接該調變電路，而為一頻率調諧模組。 工耦 瓜如申請專利範圍第15項所述之系統，其中該頻率調諧電路包括. 以及 -第-電容及-第二電容，其第-端分別和該第—及第二輸出 -第-可Μ容及-第二可魏容和該第—及第二電料接且位於兩 者中間’而且該第-及第二可變電容之巾點連接__調譜訊號. —弟-電阻及-第二電阻’和該第—及第二電容串接，且位於兩者之 _ 間’而且該第-及第二電阻之中點連制該訊賴諧偏壓訊號· 其中’該第-及第二電阻和該第—及第二可變電容，以域方式相 而且一起串接到該第一及第二電容的第二端之間。 17. 如申請專利範圍第15項所述之系統，其中該調變電路包括· —第-電容及-第二電容’互相串接，且其第—端分別和該第一 • 二輸出耦接； . —f —可變電容及—第二可變電容和該第-及第二電料接且位於兩 者—中間，而且該第-及第二可變電容之中點連接到該調變訊號’·以及 -弟-電阻及-第二電阻’和該第—及第二電容串接，且位於兩者之 • 而且該第—及第二電阻之中點連接到-電氣接地端； 其中，該第-及第二電阻和該第—及第二可變電容，以並接方式 而且一起串接到該第一及第二電容的第二端之間。 18. 如申請專利範圍第4項所述之系統，其中該頻帶調諧電路包括： 第-及-第二電容模組，具有—第一及第二預設電容，兩電容模组 其第一端耦接到該第一及第二輪出； 、、 -第-及第二電阻互相串接’而且進—步串接到該第—及第二電容模 組的第二端之間，該兩電阻之間的節點係由該頻帶調諧訊號所控制； 24 1311854 模址的兹-第άΓ開關互相串接’而且進一步串接到該第一及第二電容 盆中、奋i端之間’该兩開關之中點輕接到一電氣接地端； ::串接;=訊號到達該開關之卩叫該第-及第二電容軸 電路及該更包t 一核心電路’和該頻率調截 楼了如供一振盪機制；該核心電路具有至少 :可純-負電阻之交互_電晶體結構，及至少一對稱設置之電錢 20. 18項所述之系統，其中該頻率調譜電路係和該調變 utt—起！_成為—整合魏，_合電収細魏路包括： -第-弟二電容’其第—端分別和該第一及第二輸出輕接； 及第:變1 容組’具有—第—可變電容及—第二可變電容和該第- 且位於兩者中間，而且該第—及第二可變電容之中畔 連接到§亥頻率調諧訊號； —且具有—第三電阻及—第四電阻，和該第—及第二電容串接， 壓訊號二者及之間’而且該第三及第四電阻之中點連接到該頻率調諸偏 —第—★可變電容組’具有—第三可變電容及—第四可變電容，和該第 電容串接且位於兩者中間，而且該第三及第四可變電 點連接到該調變訊號； τ 其中’該第-及第二可魏容組，及該電阻群細並連方式_ 後一起串接到該第一及第二電容的第二端之間。 21· 專利範圍第18項所述之系統，其中該頻率調讀電路以並接方式 耦接_變電路’而為-頻率調譜模組，其中該鮮觸電路包括. —弟一電容及-第二電容，其第—端分別和接. -第-可變電容及一第二可變電容和該第—及第二電料=， 兩者中間’而且該第-及第二可變電容之中點連接到該聊 號；以及 25 1311854 —第玉電阻及-第四電阻’和及第二電容串接，且位於兩者之 間’而且該第三及第四電阻之中點連接_頻率觸偏壓訊號； /、，该第三及第四電阻和該第—及第二可變電容，以並接方式相連， 而且-起串接到該第—及第二電容的第二端之間； 其中’該調變電路包括： 1三電容及-第四電容，互相串接，且其第—端分別和 二輸出耦接； -第三可變電容及—第四可變電容和該第三及細電容串接且位於兩 一者中間，而且該第三及第四可變電容之中點連接到該調變訊號;以及 一弟五電阻及-第六電阻，和該第三及細電容串接，且位於兩者之 間，而且該第五及第六電阻之中點連接 其中’該第五及第六電阻和該第三及第四可變電:接二 而且-起串接到該第三及第四電容的第二端之間。 '相連 22·= 青專利範圍第18項所述之系統，更包括—核心電路，和該頻 鮮調諧魏並接，可提供—振盈機制，該核心電路具有至 才1組°。〃貞電阻之交互減電晶體結構，及至少設置之電感

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